JP4392019B2 - マイクロ・ブラインド・ビアの埋め込み方法 - Google Patents
マイクロ・ブラインド・ビアの埋め込み方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4392019B2 JP4392019B2 JP2006508236A JP2006508236A JP4392019B2 JP 4392019 B2 JP4392019 B2 JP 4392019B2 JP 2006508236 A JP2006508236 A JP 2006508236A JP 2006508236 A JP2006508236 A JP 2006508236A JP 4392019 B2 JP4392019 B2 JP 4392019B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrolyte
- bath
- copper
- metal
- concentration
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
- H05K3/423—Plated through-holes or plated via connections characterised by electroplating method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
- C25D21/16—Regeneration of process solutions
- C25D21/18—Regeneration of process solutions of electrolytes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
- H05K2201/095—Conductive through-holes or vias
- H05K2201/09563—Metal filled via
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
- H05K2203/0779—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing characterised by the specific liquids involved
- H05K2203/0786—Using an aqueous solution, e.g. for cleaning or during drilling of holes
- H05K2203/0796—Oxidant in aqueous solution, e.g. permanganate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Peptides Or Proteins (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
この電解質の劣化によって多大な費用が生じるが、その理由は、前記劣化によって新しい溶液を頻繁に調製することが必要となり、また、使用済み溶液の高コストな廃棄処理が余儀なくされるからである。μ−ブラインド・ビアの埋め込みは、工程の安定性および制御に関してより高い性能を必要とするという点で、ドリル孔の銅めっきのごとき、プリント基板を電気めっきするための他の一般的な方法とは著しく異なる。ドリル孔の銅めっきでは、用いられるめっき浴の耐用寿命は、500〜1,000Ah/lであろう。ドリル孔の金属めっき並びに回路の作製だけでなく、μ−BVsの埋め込みにも用いられる電解質が必要とする工程安定性に関するより高い性能は、特異的に適合した有機添加剤によって実現することができる。
EP1264918A1には、空電解フェーズにおいて不活性アノードを用いることによって電解質の埋め込み能を維持および向上させることが記載されている。
EP1219729A1によれば、ホルムアルデヒドのごとき化学物質または酸化剤を用いることによって電解質の耐用寿命が延長される。この文献によれば、添加剤(特に、ホルムアルデヒド)の作用機構は、光沢剤とその分解生成物の平衡に対する作用と関連付けて説明することができる。
従って、DE19810859A1には、電気浴、特に、電気ニッケル浴を処理するための方法が提案されている。前記方法において、UV酸化処理を行うことによって、別の、より軽い相を形成させる。前記相は、単に最終収着工程によってまたは浮遊工程におけるスキミングによって分離することができる。その後、スキミングされた部分につき清澄法を施す。そして、浮遊物質は廃棄し、透明な溶液は再使用する。前記循環処理は、最終収着工程処理後の浴中のすべての有機物質が分解され、浴が再び基本組成を有する程度にまで続けられる(DE19810859A1の請求項1を参照)。前記収着工程のために、この方法は複雑である。さらに、前記方法は、「特有の工程制御」を必要とする(第2欄、1および2行目を参照)。すなわち、前記方法は、他の浴に容易に応用することができない。それどころか、処理条件は各別に選択しなければならず、対応するパラメータは面倒な予備テストによって定める必要がある。
従って、本発明の目的は、前記のような従来技術において知られているような方法の問題点を示さない、μ−BVsを金属で電気的に埋め込むための方法を提供することである。
− UV/H2O2処理を、従来よりも短い時間で行なうことができ、
− 従来よりも小さな処理装置で実施することができ、
− 従来よりも効率的であり、および/または
− 銅イオン濃度の制御および調整を同時に行うことができる、
μ−ブラインド・ビアを埋め込むための銅電解質のUV/H2O2処理の改善された方法を提供することである。
(ii)前記浴を、電流密度0.5〜10A/dm2の直流または有効電流密度0.5〜10A/dm2の電流パルスで運転する工程と、
(iii)前記電気浴から前記電解質の一部を取り出す工程と、
(iv)前記取り出された電解質の一部に酸化剤を添加する工程と、
(v)任意に、前記取り出された電解質に紫外線を照射する工程と、
(vi)前記取り出された部分を前記電気浴へと戻し、かつ、酸化処理によって破壊された有機添加剤を補充する工程と、
を含んでなる、μ−ブラインド・ビアの埋め込み方法を提供する。
本発明の好ましい実施態様によれば、前記方法の工程(iv)において添加される酸化剤はH2O2であり、そして前記浴から取り出された電解質の一部は、前記方法の工程(vi)において電気浴へと戻される前に、銅金属を含んでなる金属溶解装置に通される。
図1は、浴が調製された直後、すなわち、2Ah/lの運転時間後の浴の埋め込み能力を示す図である。2本の矢印の間の層はテスト電解質中で析出したものである。その下の層はテスト板の製造者によって析出されたものであり、μ−ブラインド・ビアの埋め込みにおいては意味がない。
図2は、100Ah/lの運転時間後の埋め込み能力の低下を示す図である。μ−ブラインド・ビアはその形状がトレースされるのみであり、すなわち、慣用の表面めっき用電解浴を用いた場合の如くであり、20μmの銅がビア内と表面上に析出している。
図3は、100Ah/lの時間運転し、その後UV/H2O2処理および有機添加剤を補給して所望の濃度範囲とした後の電解質の埋め込み能力を示す図である。
図4は、実施例2の実験Aにおいて、時間の関数として測定された銅濃度およびH2O2濃度を示す図である(四角=H2O2、菱形=Cu)。
図5は、実施例2の実験Bにおいて、時間の関数として測定された銅濃度およびH2O2濃度を示す図である(四角=H2O2、菱形=Cu)。
硫酸(H2SO4)は、50〜96%溶液として添加される。硫酸の使用可能な濃度範囲は、40〜300g/l、好ましくは130〜250g/lである。
塩化物は、塩化ナトリウム(NaCl)または塩酸溶液(HCl)として添加される。塩化物の使用可能な濃度範囲は、20〜150mg/l、好ましくは30〜60mg/lである。
さらに、浴電解質は、有機添加剤として、光沢剤、レベリング剤および湿潤剤を含んでなることが好ましい。
湿潤剤は、0.005〜20g/l、好ましくは0.01〜5g/lの濃度で用いられる慣用の酸素含有高分子量化合物である。本発明の方法において用いられ得る湿潤剤の例を表1に示す。
さらに、DE4126502C1に記載されているオリゴマーおよびポリマーのフェナゾニウム誘導体を用いることもできる。μ−ブラインド・ビアを埋め込むのに用いられるさらなる物質としては、マラカイトグリーン、ロザリニンまたはクリスタルバイオレットのごとき、アミノトリフェニルメタン構造に基づいた染料が挙げられる。
酸化剤は、TOC濃度(すなわち、有機成分の総濃度)を1,000〜1,500mg/lから50〜300mg/lにまで下げるのに十分な量で用いられることが好ましい。TOC濃度を酸化処理前の値の50%にまで下げるのに十分な量の酸化剤を用いることも有益であろう。
酸化剤としてH2O2が用いられることが好ましい。H2O2は、例えば30%水溶液として、めっき浴の1リットル当たり3〜30mlの量で用いられることが好ましい。
さらに、酸素を酸化剤として用いることもできる。これは、浴に溶けている空気中の酸素でもよい。この場合、酸化剤をあらためて添加することが不要となろう。
本発明の方法において、照射時に分解してCO2および/またはN2を形成するそのような有機添加剤が用いられることが好ましい。前述の窒素化合物のみならず表1および表2に記載されている添加剤がこれらの要件を満たす。
用いられるアノードは、例えば、酸化還元系のない(すなわち、Fe2+/3+系のない)不活性アノードであることができる。酸性銅の場合、DC電解質、AC電解質、可溶性アノードを用いることも可能である。
第1の実施態様では、電解質は連続的にUV室において少量のH2O2(すなわち、0.01〜0.1ml/lのH2O2(30%溶液))と混ぜ合わされ、そして照射される。この場合、電解質は、前記室から出るときにはH2O2を含有していてはいけないので、交換される(すなわち、取り出される)電解質の量は制限される。本発明の方法の本実施態様において、交換される電解質の量は、10〜50l/h、好ましくは約30l/hである。
処理時間は、電解質の量、酸化剤の量、ランプの照射力および温度に依存する。設備は、電解質の総量をその耐用寿命を通じて浄化することができるように設計されなければならない。前記耐用寿命は、電解質に必要とされる性能に依存する。
前記特に好ましい実施態様による本発明の方法を実施するための設備は、とりわけ、(UV/H2O2処理が行われる)処理装置と、前記処理装置に接続されたH2O2投与装置と、前記処理装置に接続された金属溶解装置とを含んでなる。浴から取り出された電解質の一部は、まず前記処理装置に通され、そして電気浴に戻される前に前記金属溶解装置に通される。
本発明の方法を実施するための設備は、さらに冷却装置を含んでいてもよい。
この式による反応において、1g/lのH2O2は、理論的に最大1.85g/lのCu2+を溶け出させることができる。
H2O2 → 1/2O2 + H 2 O (2)
この反応は、紫外線の照射によるH2O2の破壊よりもはるかに速い。
式(1)および式(2)に従ってH2O2が反応する割合は、それぞれ、温度、圧力、電解質の純度および触媒金属表面の性質といった要素に依存する。
実施例1
下記組成を有する酸性銅めっき浴を用いた。
銅:44g/l
硫酸:130g/l
塩化物:40mg/l
基本レベリング剤 Cupracid HLF(商品名、Atotech Deutschland GmbH):20ml/l
光沢剤 Cupracid BL(商品名、Atotech Deutschland GmbH):0.5ml/l
前記光沢剤は表2に記載の物質を含有し、そして前記基本レベリング剤は表1に記載の湿潤剤と窒素化合物(ポリアミド)とを含んでなる。
容積: 600リットルの銅浴、Cupracid HLF(商品名)
紫外線ランプ: 12kW; 200nm
H2O2添加: 27l/hまたは14l/h
電解質循環: 10.5m3/h
処理前のTOC: 1,180mg/l
処理後のTOC: 81mg/l
図1〜図3は試験のシーケンスを示す。
一連の4つの実験(A〜D)を以下のようにして実施した。
処理条件を評価するために、銅濃度およびH2O2濃度を1時間間隔で測定した(銅はEDTA溶液を用いて容量分析で測定し、H2O2はKMnO4溶液を用いて容量分析で測定した)。所定時間で測定した銅濃度およびH2O2濃度を下記表3および図4に示す。
銅カラムを用いなかった場合(実験A)、H2O2濃度は7時間の間に5g/lから3.2g/lまでしか低下せず、銅濃度は30g/lのままであった。
銅カラムを用いた場合(実験B)、H2O2濃度は7時間の間に5g/lから1.4g/lまで低下し、銅濃度は34g/lから38g/lまで4g/l増加した。H2O2濃度を5g/lから3g/lまで下げるのに、3時間の総処理時間が必要であった。この3時間の間、銅濃度は0.8g/l増加した。
従って、銅カラムを用いた場合、H2O2濃度を5g/lから3g/lまで下げるのに必要な時間は4時間(すなわち、57%)減少した。同じ時間内に、わずかな銅濃度の増加が見られた。
混合酸化イリジウムで被覆された格子をさらに用いた場合、前記格子を用いない場合よりもH2O2濃度が速くかつ大きく低下した。同時に、銅ペレットの一部を混合酸化イリジウムで被覆されたチタン格子で置き換えることによって銅濃度の増加を遅くさせることができる。
Claims (12)
- (i)銅金属塩と任意に有機添加剤とを含んでなる、電気めっきにより金属被覆を施すための電解質浴を準備する工程と、
(ii)前記浴を、電流密度0.5〜10A/dm2の直流または有効電流密度0.5〜10A/dm2の電流パルスで運転する工程と、
(iii)前記電気浴から前記電解質の一部を取り出す工程と、
(iv)前記取り出された電解質の一部に酸化剤を添加する工程と、
(v)任意に、前記取り出された電解質に紫外線を照射する工程と、
(vi)前記取り出された部分を前記電気浴へと戻し、かつ、酸化処理によって破壊された有機添加剤を補充する工程と、
を含んでなり、
前記工程(iv)において添加される酸化剤がH2O2であり、そして前記浴から取り出された電解質の一部が工程(vi)において前記浴に戻される前に銅金属の入った金属溶解装置に通されることを特徴とする、
μ−ブラインド・ビアの埋め込み方法。 - 前記電気めっき用電解質浴は、8〜60g/lの銅と、40〜300g/lの硫酸と、20〜150mg/lの塩化物とを含んでなり、そして前記有機添加剤は、光沢剤と、湿潤剤と、ポリアミド、ポリアミン、ラクタムアルコキシレート、チオ尿素、オリゴマーおよびポリマーのフェナゾニウム誘導体ならびにアミノトリフェニルメタン染料から選択される添加剤とを含んでなる、請求項1に記載の方法。
- 前記酸化剤が、TOC濃度を1,000〜1,500mg/lから50〜300mg/lにまで下げるのに十分な量で添加される、請求項1または2に記載の方法。
- 前記照射が、200〜550nmの範囲の波長で行われる、請求項1に記載の方法。
- 照射強度が、浴1リットル当たり0.5〜20W、好ましくは浴1リットル当たり1〜5Wである、請求項1に記載の方法。
- 照射時にCO2を形成するポリマーが有機添加剤として用いられる、請求項1に記載の方法。
- 酸性銅電解質が電解質として用いられる、請求項1に記載の方法。
- 前記電気浴が、酸化還元系なしの不活性アノードで運転される、請求項1に記載の方法。
- 酸性銅電解質が電解質として用いられ、そして可溶性アノードがアノードとして用いられる、請求項1に記載の方法。
- 前記金属溶解装置中の銅金属の形態が、アノード材料、ペレット、ロッドまたは粒子である、請求項1に記載の方法。
- 前記金属溶解装置が、チタン、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、プラチナ、酸化チタン、混合酸化チタン、酸化イリジウム、混合酸化イリジウム、およびこれらの材料の任意の混合物からなる群から選択される材料を含んでなる触媒表面をさらに有する、請求項1に記載の方法。
- 前記金属溶解装置は、前記浴から取り出された電解質の一部が処理された後に通されるカラムである、請求項1に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10325101A DE10325101A1 (de) | 2003-06-03 | 2003-06-03 | Verfahren zum Auffüllen von µ-Blind-Vias (µ-BVs) |
PCT/EP2004/005874 WO2004107834A1 (en) | 2003-06-03 | 2004-06-01 | Process for filing micro-blind vias |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006526890A JP2006526890A (ja) | 2006-11-24 |
JP2006526890A5 JP2006526890A5 (ja) | 2007-07-12 |
JP4392019B2 true JP4392019B2 (ja) | 2009-12-24 |
Family
ID=33482448
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006508236A Expired - Fee Related JP4392019B2 (ja) | 2003-06-03 | 2004-06-01 | マイクロ・ブラインド・ビアの埋め込み方法 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP1629704B1 (ja) |
JP (1) | JP4392019B2 (ja) |
KR (1) | KR20060004981A (ja) |
CN (1) | CN1799294B (ja) |
AT (1) | ATE348499T1 (ja) |
DE (2) | DE10325101A1 (ja) |
MY (1) | MY134649A (ja) |
TW (1) | TWI350860B (ja) |
WO (1) | WO2004107834A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017210644A (ja) * | 2016-05-24 | 2017-11-30 | メルテックス株式会社 | 溶解性銅陽極、電解銅めっき装置、電解銅めっき方法、及び酸性電解銅めっき液の保存方法 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102004045451B4 (de) | 2004-09-20 | 2007-05-03 | Atotech Deutschland Gmbh | Galvanisches Verfahren zum Füllen von Durchgangslöchern mit Metallen, insbesondere von Leiterplatten mit Kupfer |
US8784634B2 (en) | 2006-03-30 | 2014-07-22 | Atotech Deutschland Gmbh | Electrolytic method for filling holes and cavities with metals |
DE102007036651A1 (de) | 2007-07-25 | 2009-01-29 | A.C.K. Aqua Concept Gmbh Karlsruhe | Prozessrecycling galvanischer Bäder |
JP4957906B2 (ja) * | 2007-07-27 | 2012-06-20 | 上村工業株式会社 | 連続電気銅めっき方法 |
JP5471276B2 (ja) * | 2009-10-15 | 2014-04-16 | 上村工業株式会社 | 電気銅めっき浴及び電気銅めっき方法 |
CN102427684B (zh) * | 2011-11-08 | 2014-04-23 | 汕头超声印制板(二厂)有限公司 | 一种高密度互连印制电路板的制造方法 |
TWI539033B (zh) * | 2013-01-07 | 2016-06-21 | Chang Chun Petrochemical Co | Electrolytic copper foil and its preparation method |
US11047064B2 (en) | 2013-01-10 | 2021-06-29 | Coventya, Inc. | Apparatus and method to maintaining trivalent chromium bath plating |
KR20150123794A (ko) * | 2013-01-10 | 2015-11-04 | 코벤트야 인크. | 3가 크롬 도금욕 효율 유지 장치 및 방법 |
CN103118506B (zh) * | 2013-01-22 | 2016-05-04 | 金悦通电子(翁源)有限公司 | 一种焊盘上导通孔的电镀填孔方法 |
CN111705344A (zh) * | 2020-07-01 | 2020-09-25 | 孙颖睿 | 一种用于脉冲镀铜工艺的工作液补充方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4344387C2 (de) * | 1993-12-24 | 1996-09-05 | Atotech Deutschland Gmbh | Verfahren zur elektrolytischen Abscheidung von Kupfer und Anordnung zur Durchführung des Verfahrens |
DE19525509C2 (de) * | 1994-07-22 | 1997-10-02 | Lpw Anlagen Gmbh | Anwendung der UV/H¶2¶O¶2¶-Oxidationsbehandlung zur betriebsmäßigen Wiederverwendungs- oder Weiterverwendungsaufbereitung eines Bades für die galvanotechnische Beschichtung von Gegenständen mit metallischen Überzügen |
US5523001A (en) * | 1994-12-30 | 1996-06-04 | At&T Corp. | Treatment of electroless plating waste streams |
DE19810859A1 (de) * | 1998-03-13 | 1999-09-16 | A C K Aqua Concept Gmbh Wasser | Kombinationsverfahren zur Behandlung eines schäumend eingestellten galvanischen Bads |
DE19915146C1 (de) * | 1999-01-21 | 2000-07-06 | Atotech Deutschland Gmbh | Verfahren zum galvanischen Bilden von Leiterstrukturen aus hochreinem Kupfer bei der Herstellung von integrierten Schaltungen |
JP2001267726A (ja) * | 2000-03-22 | 2001-09-28 | Toyota Autom Loom Works Ltd | 配線基板の電解メッキ方法及び配線基板の電解メッキ装置 |
US6942779B2 (en) * | 2000-05-25 | 2005-09-13 | Mykrolis Corporation | Method and system for regenerating of plating baths |
US6881319B2 (en) * | 2000-12-20 | 2005-04-19 | Shipley Company, L.L.C. | Electrolytic copper plating solution and method for controlling the same |
KR100877923B1 (ko) * | 2001-06-07 | 2009-01-12 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨 | 전해 구리 도금법 |
JP4510369B2 (ja) * | 2002-11-28 | 2010-07-21 | 日本リーロナール有限会社 | 電解銅めっき方法 |
-
2003
- 2003-06-03 DE DE10325101A patent/DE10325101A1/de not_active Withdrawn
-
2004
- 2004-05-31 MY MYPI20042090A patent/MY134649A/en unknown
- 2004-05-31 TW TW093115557A patent/TWI350860B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-06-01 EP EP04739481A patent/EP1629704B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-06-01 CN CN2004800154362A patent/CN1799294B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-06-01 AT AT04739481T patent/ATE348499T1/de active
- 2004-06-01 JP JP2006508236A patent/JP4392019B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-06-01 KR KR1020057021326A patent/KR20060004981A/ko active IP Right Grant
- 2004-06-01 DE DE602004003698T patent/DE602004003698T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2004-06-01 WO PCT/EP2004/005874 patent/WO2004107834A1/en active IP Right Grant
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017210644A (ja) * | 2016-05-24 | 2017-11-30 | メルテックス株式会社 | 溶解性銅陽極、電解銅めっき装置、電解銅めっき方法、及び酸性電解銅めっき液の保存方法 |
WO2017204246A1 (ja) * | 2016-05-24 | 2017-11-30 | メルテックス株式会社 | 溶解性銅陽極、電解銅めっき装置、電解銅めっき方法、及び酸性電解銅めっき液の保存方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20060004981A (ko) | 2006-01-16 |
MY134649A (en) | 2007-12-31 |
WO2004107834A1 (en) | 2004-12-09 |
EP1629704A1 (en) | 2006-03-01 |
JP2006526890A (ja) | 2006-11-24 |
CN1799294B (zh) | 2012-02-08 |
DE10325101A1 (de) | 2004-12-30 |
CN1799294A (zh) | 2006-07-05 |
ATE348499T1 (de) | 2007-01-15 |
DE602004003698T2 (de) | 2007-04-12 |
DE602004003698D1 (de) | 2007-01-25 |
TWI350860B (en) | 2011-10-21 |
TW200508422A (en) | 2005-03-01 |
EP1629704B1 (en) | 2006-12-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4392019B2 (ja) | マイクロ・ブラインド・ビアの埋め込み方法 | |
JPS5827686A (ja) | 廃水処理装置 | |
DE4344387A1 (de) | Verfahren zur elektrolytischen Abscheidung von metallischen Schichten mit vorbestimmten physikalischen Eigenschaften und Anordnung zur Durchführung des Verfahrens | |
TW201000683A (en) | Continuous copper electroplating method | |
CN102534740A (zh) | 晶片级封装的电镀设备和工艺 | |
WO2001088228A1 (fr) | Appareil d'electrolyse pour feuille de cuivre electrolytique et feuille de cuivre electrolytique produite au moyen dudit appareil d'electrolyse | |
TW201247946A (en) | Electroplating method | |
JP2006000792A (ja) | 電解析出処理装置および方法 | |
JP2004176148A (ja) | 電解銅めっき方法 | |
US6827832B2 (en) | Electrochemical cell and process for reducing the amount of organic contaminants in metal plating baths | |
EP0627021B1 (de) | Verfahren zur metallisierung von nichtleiteroberflächen und die verwendung von hydroximethansulfinsäure im verfahren | |
KR101657460B1 (ko) | SnCl2 혹은 SnCl2-2H2O을 사용하는 Sn-Ag 도금액 | |
CA1065272A (en) | Treatment of dilute cyanide solutions | |
KR100502755B1 (ko) | 폐수 처리 장치 및 폐수 처리 방법 | |
CN1524132A (zh) | 电镀液的再生方法 | |
KR100934729B1 (ko) | 무전해 주석도금액 불순물 제거장치 및 방법 | |
US5230782A (en) | Electrolytic process for reducing the organic content of an aqueous composition and apparatus therefore | |
JPH0236677B2 (ja) | ||
KR100426159B1 (ko) | 금속막의전착방법및이를위한장치 | |
JP3601673B2 (ja) | 被酸化性汚染物質含有水の電解処理方法及び電解処理用電極 | |
JP2003055800A (ja) | 電解銅めっき方法 | |
TWI693308B (zh) | 硫酸銅鍍敷液之管理方法 | |
JP2001059195A (ja) | 白金族金属含有液中からの白金族金属の回収方法 | |
JP2001279343A (ja) | 貴金属の回収装置および貴金属の回収方法 | |
TW200427875A (en) | Method of recycling plating liquid |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070523 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070523 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090924 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091008 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121016 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4392019 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131016 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |