JP2000022466A - 可変減衰回路 - Google Patents
可変減衰回路Info
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- JP2000022466A JP2000022466A JP10182464A JP18246498A JP2000022466A JP 2000022466 A JP2000022466 A JP 2000022466A JP 10182464 A JP10182464 A JP 10182464A JP 18246498 A JP18246498 A JP 18246498A JP 2000022466 A JP2000022466 A JP 2000022466A
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- diode
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- cathode
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/24—Frequency- independent attenuators
- H03H7/25—Frequency- independent attenuators comprising an element controlled by an electric or magnetic variable
- H03H7/253—Frequency- independent attenuators comprising an element controlled by an electric or magnetic variable the element being a diode
- H03H7/255—Frequency- independent attenuators comprising an element controlled by an electric or magnetic variable the element being a diode the element being a PIN diode
Abstract
(57)【要約】
【課題】強入力に対しても、歪みの発生が少なく、相互
変調歪み特性に優れた可変減衰回路を提供。 【解決手段】入出力端子(A) (B) 間にカソード側を出力
端子側にして接続されたダイオード(D1)と、ダイオード
(D1)のカソードとアースとの間にカソード側をアース側
にしてコンデンサ(C4)を介して接続されたダイオード(D
2)と、ダイオード(D1,D2) のオン抵抗を変化させること
により、出力端子(B) の信号レベルを可変減衰させる如
く制御電圧(Vc)を印加する手段とを備えた可変減衰回路
において、ダイオード(D1)に対し、高周波コンデンサ(C
2)を介して抵抗素子(R1)を並列に接続し、ダイオード(D
2)と共にＬ型減衰器を形成するようにした。又、ダイオ
ード(D2)と直列に抵抗素子(R2)を介して汎用シリコンダ
イオード(D3)を接続し、強入力時においてダイオード(D
1)の逆バイアスを深くかけるようにした。
変調歪み特性に優れた可変減衰回路を提供。 【解決手段】入出力端子(A) (B) 間にカソード側を出力
端子側にして接続されたダイオード(D1)と、ダイオード
(D1)のカソードとアースとの間にカソード側をアース側
にしてコンデンサ(C4)を介して接続されたダイオード(D
2)と、ダイオード(D1,D2) のオン抵抗を変化させること
により、出力端子(B) の信号レベルを可変減衰させる如
く制御電圧(Vc)を印加する手段とを備えた可変減衰回路
において、ダイオード(D1)に対し、高周波コンデンサ(C
2)を介して抵抗素子(R1)を並列に接続し、ダイオード(D
2)と共にＬ型減衰器を形成するようにした。又、ダイオ
ード(D2)と直列に抵抗素子(R2)を介して汎用シリコンダ
イオード(D3)を接続し、強入力時においてダイオード(D
1)の逆バイアスを深くかけるようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば車載用アン
テナ装置のアンテナ回路に介挿されるＡＧＣ（自動利得
調整）付き増幅装置等にとって好適な可変減衰回路に関
する。
テナ装置のアンテナ回路に介挿されるＡＧＣ（自動利得
調整）付き増幅装置等にとって好適な可変減衰回路に関
する。
【０００２】
【従来の技術】強電界地域ではアンテナからチューナへ
過大な受信信号が入力される為、チューナに歪み（特に
三次相互変調歪み）が発生し、受信性能を悪化させてし
まう。この対策の一つとして、アンテナとチューナとの
間にＡＧＣ回路付き増幅装置を介挿することにより、一
定レベル以上の受信信号がチューナに入力するのを阻止
する手段がある。この手段によれば、チューナには一定
レベル以上の受信信号が入力しないため、受信性能はあ
る程度改善される。
過大な受信信号が入力される為、チューナに歪み（特に
三次相互変調歪み）が発生し、受信性能を悪化させてし
まう。この対策の一つとして、アンテナとチューナとの
間にＡＧＣ回路付き増幅装置を介挿することにより、一
定レベル以上の受信信号がチューナに入力するのを阻止
する手段がある。この手段によれば、チューナには一定
レベル以上の受信信号が入力しないため、受信性能はあ
る程度改善される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来のＡ
ＧＣ回路付き増幅装置にあっては、ＡＧＣ回路の構成要
素の一つである可変減衰回路自体が、強入力に対し、大
きな歪みを発生させるという問題がある。このため受信
性能を格段に改善するには至っていない。本発明の目的
は、強入力に対しても、歪みの発生が少なく、相互変調
歪み特性に優れた可変減衰回路を提供することにある。
ＧＣ回路付き増幅装置にあっては、ＡＧＣ回路の構成要
素の一つである可変減衰回路自体が、強入力に対し、大
きな歪みを発生させるという問題がある。このため受信
性能を格段に改善するには至っていない。本発明の目的
は、強入力に対しても、歪みの発生が少なく、相互変調
歪み特性に優れた可変減衰回路を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決し目的を
達成するために、本発明の可変減衰回路は下記の如く構
成されている。 （１）本発明の可変減衰回路は、入力端子と出力端子と
の間に、カソード側を上記出力端子側にして接続された
第１のＰＩＮダイオードと、この第１のＰＩＮダイオー
ドのカソードとアースとの間に、カソード側を上記アー
ス側にしてコンデンサを介して接続された第２のＰＩＮ
ダイオードと、前記第１，第２のＰＩＮダイオードのオ
ン抵抗を変化させることにより、前記出力端子の信号レ
ベルを可変減衰させる如く制御電圧を印加する手段と、
を備えた可変減衰回路において、前記第１のＰＩＮダイ
オードに対し、高周波コンデンサを介して抵抗素子を並
列に接続し、前記第２のＰＩＮダイオードと共にＬ型減
衰器を形成したことを特徴としている。 （２）本発明の可変減衰回路は、入力端子と出力端子と
の間に、カソード側を上記出力端子側にして接続された
第１のＰＩＮダイオードと、この第１のＰＩＮダイオー
ドのカソードとアースとの間に、カソード側を上記アー
ス側にしてコンデンサを介して接続された第２のＰＩＮ
ダイオードと、前記第１，第２のＰＩＮダイオードのオ
ン抵抗を変化させることにより、前記出力端子の信号レ
ベルを可変減衰させる如く制御電圧を印加する手段と、
を備えた可変減衰回路において、前記第２のＰＩＮダイ
オードと直列に、抵抗素子を介して汎用シリコンダイオ
ードを接続し、強入力時において前記第１のＰＩＮダイ
オードに逆バイアスを深くかけるようにしたことを特徴
としている。 （３）本発明の可変減衰回路は、入力端子と出力端子と
の間に、カソード側を上記出力端子側にして接続された
第１のＰＩＮダイオードと、この第１のＰＩＮダイオー
ドのカソードとアースとの間に、カソード側を上記アー
ス側にしてコンデンサを介して接続された第２のＰＩＮ
ダイオードと、前記第１，第２のＰＩＮダイオードのオ
ン抵抗を変化させることにより、前記出力端子の信号レ
ベルを可変減衰させる如く制御電圧を印加する手段と、
を備えた可変減衰回路において、前記第１のＰＩＮダイ
オードに対し、高周波コンデンサを介して第１の抵抗素
子を並列に接続し、前記第２のＰＩＮダイオードと共に
Ｌ型減衰器を形成すると共に、前記第２のＰＩＮダイオ
ードと直列に、第２の抵抗素子を介して汎用シリコンダ
イオードを接続し、強入力時において前記第１のＰＩＮ
ダイオードに逆バイアスを深くかけるようにしたことを
特徴としている。
達成するために、本発明の可変減衰回路は下記の如く構
成されている。 （１）本発明の可変減衰回路は、入力端子と出力端子と
の間に、カソード側を上記出力端子側にして接続された
第１のＰＩＮダイオードと、この第１のＰＩＮダイオー
ドのカソードとアースとの間に、カソード側を上記アー
ス側にしてコンデンサを介して接続された第２のＰＩＮ
ダイオードと、前記第１，第２のＰＩＮダイオードのオ
ン抵抗を変化させることにより、前記出力端子の信号レ
ベルを可変減衰させる如く制御電圧を印加する手段と、
を備えた可変減衰回路において、前記第１のＰＩＮダイ
オードに対し、高周波コンデンサを介して抵抗素子を並
列に接続し、前記第２のＰＩＮダイオードと共にＬ型減
衰器を形成したことを特徴としている。 （２）本発明の可変減衰回路は、入力端子と出力端子と
の間に、カソード側を上記出力端子側にして接続された
第１のＰＩＮダイオードと、この第１のＰＩＮダイオー
ドのカソードとアースとの間に、カソード側を上記アー
ス側にしてコンデンサを介して接続された第２のＰＩＮ
ダイオードと、前記第１，第２のＰＩＮダイオードのオ
ン抵抗を変化させることにより、前記出力端子の信号レ
ベルを可変減衰させる如く制御電圧を印加する手段と、
を備えた可変減衰回路において、前記第２のＰＩＮダイ
オードと直列に、抵抗素子を介して汎用シリコンダイオ
ードを接続し、強入力時において前記第１のＰＩＮダイ
オードに逆バイアスを深くかけるようにしたことを特徴
としている。 （３）本発明の可変減衰回路は、入力端子と出力端子と
の間に、カソード側を上記出力端子側にして接続された
第１のＰＩＮダイオードと、この第１のＰＩＮダイオー
ドのカソードとアースとの間に、カソード側を上記アー
ス側にしてコンデンサを介して接続された第２のＰＩＮ
ダイオードと、前記第１，第２のＰＩＮダイオードのオ
ン抵抗を変化させることにより、前記出力端子の信号レ
ベルを可変減衰させる如く制御電圧を印加する手段と、
を備えた可変減衰回路において、前記第１のＰＩＮダイ
オードに対し、高周波コンデンサを介して第１の抵抗素
子を並列に接続し、前記第２のＰＩＮダイオードと共に
Ｌ型減衰器を形成すると共に、前記第２のＰＩＮダイオ
ードと直列に、第２の抵抗素子を介して汎用シリコンダ
イオードを接続し、強入力時において前記第１のＰＩＮ
ダイオードに逆バイアスを深くかけるようにしたことを
特徴としている。
【０００５】
【発明の実施の形態】（第１実施形態） 「構成」図１の（ａ）は、本発明の第１実施形態に係る
可変減衰回路を備えた車載用ＡＧＣ付き増幅装置の構成
を示す図である。アンテナ１とチューナ２との間には車
載用ＡＧＣ付き増幅装置１０が介在している。この車載
用ＡＧＣ付き増幅装置１０は、アンテナ１からの入力を
取込む入力フィルタ１１と、低歪み可変減衰回路１２
と、チューナ２へ出力する出力増幅器１３と、検波回路
１４と、誤差増幅器１５とからなっている。
可変減衰回路を備えた車載用ＡＧＣ付き増幅装置の構成
を示す図である。アンテナ１とチューナ２との間には車
載用ＡＧＣ付き増幅装置１０が介在している。この車載
用ＡＧＣ付き増幅装置１０は、アンテナ１からの入力を
取込む入力フィルタ１１と、低歪み可変減衰回路１２
と、チューナ２へ出力する出力増幅器１３と、検波回路
１４と、誤差増幅器１５とからなっている。
【０００６】上記増幅器１３の出力は、検波回路１４に
て検波され、誤差増幅器１５において比較基準電圧Ｅと
比較され且つその差を増幅され、制御電圧Ｖc として低
歪み可変減衰回路１２へフィードバックされる。
て検波され、誤差増幅器１５において比較基準電圧Ｅと
比較され且つその差を増幅され、制御電圧Ｖc として低
歪み可変減衰回路１２へフィードバックされる。
【０００７】図１の（ｂ）は，前記低歪み可変減衰回路
１２の具体的な構成を示す回路図である。図１の（ｂ）
に示す如く、この可変減衰回路１２は、入力端子Ａと出
力端子Ｂとの間に、カソード側を上記出力端子側にして
接続された第１のＰＩＮダイオードＤ1 と、この第１の
ＰＩＮダイオードＤ1 のカソードとアースとの間に、カ
ソード側を上記アース側にしてコンデンサＣ4 を介して
接続された第２のＰＩＮダイオードＤ2 と、前記第１，
第２のＰＩＮダイオードＤ1,Ｄ2 のオン抵抗を変化させ
ることにより、前記出力端子Ｂの信号レベルを可変減衰
させる如く制御電圧Ｖc を印加する手段とを備えてい
る。
１２の具体的な構成を示す回路図である。図１の（ｂ）
に示す如く、この可変減衰回路１２は、入力端子Ａと出
力端子Ｂとの間に、カソード側を上記出力端子側にして
接続された第１のＰＩＮダイオードＤ1 と、この第１の
ＰＩＮダイオードＤ1 のカソードとアースとの間に、カ
ソード側を上記アース側にしてコンデンサＣ4 を介して
接続された第２のＰＩＮダイオードＤ2 と、前記第１，
第２のＰＩＮダイオードＤ1,Ｄ2 のオン抵抗を変化させ
ることにより、前記出力端子Ｂの信号レベルを可変減衰
させる如く制御電圧Ｖc を印加する手段とを備えてい
る。
【０００８】前記第１のＰＩＮダイオードＤ1 には、高
周波コンデンサＣ2 を介して第１の抵抗素子Ｒ1 が並列
に接続されており、前記第２のＰＩＮダイオードＤ2 と
共にＬ型減衰器を形成している。また前記第２のＰＩＮ
ダイオードＤ2 と直列に、第２の抵抗素子Ｒ2 を介して
汎用シリコンダイオードＤ3 が接続されており、強入力
時において前記第１のＰＩＮダイオードＤ1 に逆バイア
スを深くかけるようになっている。
周波コンデンサＣ2 を介して第１の抵抗素子Ｒ1 が並列
に接続されており、前記第２のＰＩＮダイオードＤ2 と
共にＬ型減衰器を形成している。また前記第２のＰＩＮ
ダイオードＤ2 と直列に、第２の抵抗素子Ｒ2 を介して
汎用シリコンダイオードＤ3 が接続されており、強入力
時において前記第１のＰＩＮダイオードＤ1 に逆バイア
スを深くかけるようになっている。
【０００９】なお図１の（ｂ）において、Ｃ1 ，Ｃ3 は
結合コンデンサ、Ｃ4 ，Ｃ5 はバイパスコンデンサ、Ｌ
1 ，Ｌ2 は高周波チョークコイルである。Ｒ3 ，Ｒ4 は
分圧抵抗素子、Ｖb は直流電圧、Ｖd は分電圧である。
結合コンデンサ、Ｃ4 ，Ｃ5 はバイパスコンデンサ、Ｌ
1 ，Ｌ2 は高周波チョークコイルである。Ｒ3 ，Ｒ4 は
分圧抵抗素子、Ｖb は直流電圧、Ｖd は分電圧である。
【００１０】「動作及び作用」図１の（ａ）（ｂ）に示
す第１実施形態について具体的動作を説明する。弱電界
地域では、アンテナ１から車載用ＡＧＣ付増幅装置１０
に入力する信号レベルは小さい。そこで誤差増幅器１５
は、低歪可変減衰回路１２に対して入力信号を減衰させ
る事なく通過させるように、制御電圧Ｖc をコントロー
ルする。即ち、制御電圧Ｖc が分電圧Ｖｄより高くな
り、 Ｖc ＞（Ｖd ＋約０．７〔Ｖ〕） となった状熊では、低歪可変減衰回路１２のＰＩＮダイ
オードＤ1 はオン状態となり、入力端子Ａに印加された
信号は、ほとんど減衰せずに出力端子Ｂに出力される。
ＰＩＮダイオードＤ1 には高周波的に抵抗素子Ｒ1 が並
列に接続されているが、抵抗素子Ｒ1 の値がＰＩＮダイ
オードＤ1 のオン抵抗の値より極めて大であること、即
ち （抵抗素子Ｒ1 の抵抗値）＞＞（Ｄ1 のオン抵抗値） を満足するような抵抗素子Ｒ1 を選べば、抵抗素子Ｒ1
の影響は無視できる。
す第１実施形態について具体的動作を説明する。弱電界
地域では、アンテナ１から車載用ＡＧＣ付増幅装置１０
に入力する信号レベルは小さい。そこで誤差増幅器１５
は、低歪可変減衰回路１２に対して入力信号を減衰させ
る事なく通過させるように、制御電圧Ｖc をコントロー
ルする。即ち、制御電圧Ｖc が分電圧Ｖｄより高くな
り、 Ｖc ＞（Ｖd ＋約０．７〔Ｖ〕） となった状熊では、低歪可変減衰回路１２のＰＩＮダイ
オードＤ1 はオン状態となり、入力端子Ａに印加された
信号は、ほとんど減衰せずに出力端子Ｂに出力される。
ＰＩＮダイオードＤ1 には高周波的に抵抗素子Ｒ1 が並
列に接続されているが、抵抗素子Ｒ1 の値がＰＩＮダイ
オードＤ1 のオン抵抗の値より極めて大であること、即
ち （抵抗素子Ｒ1 の抵抗値）＞＞（Ｄ1 のオン抵抗値） を満足するような抵抗素子Ｒ1 を選べば、抵抗素子Ｒ1
の影響は無視できる。
【００１１】一方、ＰＩＮダイオードＤ2 、Ｄ3 は逆バ
イアスされているので、オフ状態になり、ハイインピー
ダンスを呈している。このため回路動作には何ら影響を
与えない。
イアスされているので、オフ状態になり、ハイインピー
ダンスを呈している。このため回路動作には何ら影響を
与えない。
【００１２】次に、電界強度が強くなり、検波回路１４
の出力が比較基準電圧Ｅを越え始めると、誤差増幅器１
５は低歪可変減衰器１２の減衰量を増大させ、増幅器１
３の出力レベルを設定値に保つように制御電圧Ｖc をコ
ントロールする。
の出力が比較基準電圧Ｅを越え始めると、誤差増幅器１
５は低歪可変減衰器１２の減衰量を増大させ、増幅器１
３の出力レベルを設定値に保つように制御電圧Ｖc をコ
ントロールする。
【００１３】今、仮に抵抗素子Ｒ1 が無いと仮定する。
上記の如く電界強度が強くなった時に増幅器１３の出力
レベルを一定値に保つ為に、制御電圧Ｖc は分電圧Ｖd
に近づき、ＰＩＮダイオードＤ1 に流れる電流は減少
し、ＰＩＮダイオードＤ1 のオン抵抗値は大きくなる。
この時、ＰＩＮダイオードＤ2 、Ｄ3 はバイアスがかか
らずオフであり、ハイインピーダンスのままである。従
って、減衰量は、ほぼＰＩＮダイオードＤ1 の抵抗値と
増幅器１３の入カインピーダンス（通常５０Ωもしくは
７５Ωに設計）の比で決定される。
上記の如く電界強度が強くなった時に増幅器１３の出力
レベルを一定値に保つ為に、制御電圧Ｖc は分電圧Ｖd
に近づき、ＰＩＮダイオードＤ1 に流れる電流は減少
し、ＰＩＮダイオードＤ1 のオン抵抗値は大きくなる。
この時、ＰＩＮダイオードＤ2 、Ｄ3 はバイアスがかか
らずオフであり、ハイインピーダンスのままである。従
って、減衰量は、ほぼＰＩＮダイオードＤ1 の抵抗値と
増幅器１３の入カインピーダンス（通常５０Ωもしくは
７５Ωに設計）の比で決定される。
【００１４】一方、ＰＩＮダイオードＤ1 は、そのアノ
ードに加える制御電圧Ｖc を下記の範囲で変化させ、流
れる電流を可変制御すると、その抵抗値は数Ωから数ｋ
Ωの広い範囲で変化する。
ードに加える制御電圧Ｖc を下記の範囲で変化させ、流
れる電流を可変制御すると、その抵抗値は数Ωから数ｋ
Ωの広い範囲で変化する。
【００１５】Ｖd ≦Ｖc ≦（Ｖd ＋約０．７〔Ｖ〕） ここで、ＰＩＮダイオードＤ1 の抵抗値と増幅器１３の
入カインビーダンスで構成される減衰器の減衰範囲は約
２０〜３０ｄＢ得られ、可変減衰回路として機能する。
入カインビーダンスで構成される減衰器の減衰範囲は約
２０〜３０ｄＢ得られ、可変減衰回路として機能する。
【００１６】即ち、電界が強くなった時、ＡＧＣの動作
開始レベルより約２０〜３０ｄＢの入力レベルの増加に
対しては、ＰＩＮダイオードＤ1 の広い抵抗値の変化範
囲を利用して増幅器１３の出力レベルを一定値に保つＡ
ＧＣ動作が実現できる。
開始レベルより約２０〜３０ｄＢの入力レベルの増加に
対しては、ＰＩＮダイオードＤ1 の広い抵抗値の変化範
囲を利用して増幅器１３の出力レベルを一定値に保つＡ
ＧＣ動作が実現できる。
【００１７】しかし上記の如く抵抗素子Ｒ1 が無い回路
では、制御電圧Ｖc が分電圧Ｖd に近付くにつれ、ＰＩ
ＮダイオードＤ1 に流れる電流が減少するため、ＰＩＮ
ダイオードＤ1 から発生する歪みが急激に大きくなって
しまう欠点がある。しかし、歪みの発生量は印加される
入力レベルに大きく依存するので、歪みの発生量の少な
い入力レベルが低い時に制御電圧Ｖc が分電圧Ｖd に近
づくような回路構成にすれば上記欠点は改善できる事が
解る。
では、制御電圧Ｖc が分電圧Ｖd に近付くにつれ、ＰＩ
ＮダイオードＤ1 に流れる電流が減少するため、ＰＩＮ
ダイオードＤ1 から発生する歪みが急激に大きくなって
しまう欠点がある。しかし、歪みの発生量は印加される
入力レベルに大きく依存するので、歪みの発生量の少な
い入力レベルが低い時に制御電圧Ｖc が分電圧Ｖd に近
づくような回路構成にすれば上記欠点は改善できる事が
解る。
【００１８】そこで本実施形態においては、（Ｄ1 のオ
ン抵抗値）＜＜（抵抗素子Ｒ1 の抵抗値）＜（Ｄ1 のオ
フ抵抗値）なる関係を満足するような抵抗素子Ｒ1 を選
び、結合コンデンサＣ2 を介してＰＩＮダイオードＤ1
に並列に接続している。抵抗素子Ｒ1 が存在すると、Ｐ
ＩＮダイオードＤ1 のアノ一ドに加える制御電圧Ｖc を
前述と同様に Ｖd ≦Ｖc ≦（Ｖd ＋約０．７〔Ｖ〕） の範囲で変化させた時、入力端子Ａと出力端予Ｂとの間
の抵抗値は、ＰＩＮダイオードＤ1 の抵抗値と抵抗素子
Ｒ1 の抵抗値との並列合成抵抗値で計算される。
ン抵抗値）＜＜（抵抗素子Ｒ1 の抵抗値）＜（Ｄ1 のオ
フ抵抗値）なる関係を満足するような抵抗素子Ｒ1 を選
び、結合コンデンサＣ2 を介してＰＩＮダイオードＤ1
に並列に接続している。抵抗素子Ｒ1 が存在すると、Ｐ
ＩＮダイオードＤ1 のアノ一ドに加える制御電圧Ｖc を
前述と同様に Ｖd ≦Ｖc ≦（Ｖd ＋約０．７〔Ｖ〕） の範囲で変化させた時、入力端子Ａと出力端予Ｂとの間
の抵抗値は、ＰＩＮダイオードＤ1 の抵抗値と抵抗素子
Ｒ1 の抵抗値との並列合成抵抗値で計算される。
【００１９】次に制御電圧Ｖc を分電圧Ｖd より低く下
げていくと、ＰＩＮダイオードＤ2とＤ3 は順方向にバ
イアスされオン状熊となり、ＰＩＮダイオードＤ1 のカ
ソ一ド側はバイパスコンデンサＣ4 により高周波的にア
ースされる。この状態ではＰＩＮダイオードＤ1 は逆バ
イアスとなり、抵抗素子Ｒ1 の抵抗値とＰＩＮダイオー
ドＤ2 のオン抵抗値とで可変減衰回路が構成される。即
ち、出力レベルを所要の値にする動作は、抵抗素子Ｒ1
とＰＩＮダイオードＤ2 のオン抵抗値とで形成されるＬ
型減衰器に移る。即ち、 （Ｄ1 のオフ抵抗値）＞＞（抵抗素子Ｒ1 の抵抗値） の状態になり、ＰＩＮダイオードＤ1 のオフ抵抗は回路
動作には殆ど影響を与えない。しかし、ＰＩＮダイオー
ドＤ1 は強入力信号による自己整流を起し、バイアス変
動歪みを発生し始める。
げていくと、ＰＩＮダイオードＤ2とＤ3 は順方向にバ
イアスされオン状熊となり、ＰＩＮダイオードＤ1 のカ
ソ一ド側はバイパスコンデンサＣ4 により高周波的にア
ースされる。この状態ではＰＩＮダイオードＤ1 は逆バ
イアスとなり、抵抗素子Ｒ1 の抵抗値とＰＩＮダイオー
ドＤ2 のオン抵抗値とで可変減衰回路が構成される。即
ち、出力レベルを所要の値にする動作は、抵抗素子Ｒ1
とＰＩＮダイオードＤ2 のオン抵抗値とで形成されるＬ
型減衰器に移る。即ち、 （Ｄ1 のオフ抵抗値）＞＞（抵抗素子Ｒ1 の抵抗値） の状態になり、ＰＩＮダイオードＤ1 のオフ抵抗は回路
動作には殆ど影響を与えない。しかし、ＰＩＮダイオー
ドＤ1 は強入力信号による自己整流を起し、バイアス変
動歪みを発生し始める。
【００２０】しかるに本実施形態では、入力信号レベル
として０ｄＢｍ程度の強入力時にＰＩＮダイオードＤ1
の逆バイアスを深くかけるために、汎用シリコンダイオ
ードＤ3 を抵抗素子Ｒ2 を介してＰＩＮダイオードＤ2
と直列に接続する構成にし、ＰＩＮダイオードＤ1 の自
己整流によるバイアス変動歪みの量を減少させて低歪み
を実現している。すなわち、ダイオードＤ2 とＤ3 のア
ノ一ド・カソード間の順方向電庄降下（両方で約１．４
〔Ｖ〕）を利用して、ＰＩＮダイオードＤ1 に約１．４
〔Ｖ〕の逆バイアスをかけている。
として０ｄＢｍ程度の強入力時にＰＩＮダイオードＤ1
の逆バイアスを深くかけるために、汎用シリコンダイオ
ードＤ3 を抵抗素子Ｒ2 を介してＰＩＮダイオードＤ2
と直列に接続する構成にし、ＰＩＮダイオードＤ1 の自
己整流によるバイアス変動歪みの量を減少させて低歪み
を実現している。すなわち、ダイオードＤ2 とＤ3 のア
ノ一ド・カソード間の順方向電庄降下（両方で約１．４
〔Ｖ〕）を利用して、ＰＩＮダイオードＤ1 に約１．４
〔Ｖ〕の逆バイアスをかけている。
【００２１】以上のように、入力レベルがＡＧＣの動作
開始レベルから０ｄＢｍ程度の強入力まで広い範囲に渡
って低歪みを実現している。 （他の実施形態）図２の（ａ）〜（ｃ）は、他の実施形
態に係る可変減衰器の回路構成例を示す図である。図２
の（ａ）は汎用シリコンダイオードＤ3 の代わりに、二
つのダイオードＤ31，Ｄ32を直列に接続した例である。
図２の（ｂ）は上記汎用シリコンダイオードＤ3 の代わ
りに、ツェナーダイオードＺＤを接続した例である。図
２の（ｃ）はＰＩＮダイオードＤ1 の代わりに、二つの
ダイオードＤ11，Ｄ12を直列に接続した例である。
開始レベルから０ｄＢｍ程度の強入力まで広い範囲に渡
って低歪みを実現している。 （他の実施形態）図２の（ａ）〜（ｃ）は、他の実施形
態に係る可変減衰器の回路構成例を示す図である。図２
の（ａ）は汎用シリコンダイオードＤ3 の代わりに、二
つのダイオードＤ31，Ｄ32を直列に接続した例である。
図２の（ｂ）は上記汎用シリコンダイオードＤ3 の代わ
りに、ツェナーダイオードＺＤを接続した例である。図
２の（ｃ）はＰＩＮダイオードＤ1 の代わりに、二つの
ダイオードＤ11，Ｄ12を直列に接続した例である。
【００２２】図２の（ａ）〜（ｃ）のように回路構成す
ることによって、前記実施形態における作用効果が更に
顕著なものとなる。 （実験例）図３の（ａ）（ｂ）は下記に示す「試料Ｍ」
及び「試料Ｎ」に対して、２信号ｆ1 ＝８９ＭHz，ｆ2
＝９０ＭHzを入力した時に、「試料Ｍ」及び「試料Ｎ」
でそれぞれ発生する三次歪みを実測した結果を示す図で
ある。但し、実際に発生する三次歪みは、８８ＭHzと９
１ＭHzの二つの周波数においてであるが、上記図３の
（ａ）（ｂ）には９１ＭHzの周波数において発生する三
次歪みのみを示している。
ることによって、前記実施形態における作用効果が更に
顕著なものとなる。 （実験例）図３の（ａ）（ｂ）は下記に示す「試料Ｍ」
及び「試料Ｎ」に対して、２信号ｆ1 ＝８９ＭHz，ｆ2
＝９０ＭHzを入力した時に、「試料Ｍ」及び「試料Ｎ」
でそれぞれ発生する三次歪みを実測した結果を示す図で
ある。但し、実際に発生する三次歪みは、８８ＭHzと９
１ＭHzの二つの周波数においてであるが、上記図３の
（ａ）（ｂ）には９１ＭHzの周波数において発生する三
次歪みのみを示している。
【００２３】「試料Ｍ」…本発明の実施形態に係る可変
減衰器を適用したＡＧＣ回路付き増幅装置（利得１０ｄ
Ｂ） 「試料Ｎ」…本発明の特徴点をもたない可変減衰器を適
用したＡＧＣ回路付き増幅装置（利得５ｄＢ） 図３の（ａ）（ｂ）の対比から明らかなように、本発明
の特徴点をもった「試料Ｍ」においては、本発明の特徴
点をもたない「試料Ｎ」に比べて三次歪みが大幅に減少
していることが分かる。
減衰器を適用したＡＧＣ回路付き増幅装置（利得１０ｄ
Ｂ） 「試料Ｎ」…本発明の特徴点をもたない可変減衰器を適
用したＡＧＣ回路付き増幅装置（利得５ｄＢ） 図３の（ａ）（ｂ）の対比から明らかなように、本発明
の特徴点をもった「試料Ｍ」においては、本発明の特徴
点をもたない「試料Ｎ」に比べて三次歪みが大幅に減少
していることが分かる。
【００２４】（実施形態における特徴点）実施形態（変
形例を含む）についての特徴点をまとめると次の通りで
ある。 ［１］実施形態に示された可変減衰回路は、入力端子
(A) と出力端子(B) との間に、カソード側を上記出力端
子側にして接続された第１のＰＩＮダイオード(D1)と、
この第１のＰＩＮダイオード(D1)のカソードとアースと
の間に、カソード側を上記アース側にしてコンデンサ(C
4)を介して接続された第２のＰＩＮダイオード(D2)と、
前記第１，第２のＰＩＮダイオード(D1,D2) のオン抵抗
を変化させることにより、前記出力端子(B) の信号レベ
ルを可変減衰させる如く制御電圧(Vc)を印加する手段と
を備えた可変減衰回路において、前記第１のＰＩＮダイ
オード(D1)に対し、高周波コンデンサ(C2)を介して抵抗
素子(R1)を並列に接続し、前記第２のＰＩＮダイオード
(D2)と共にＬ型減衰器を形成したことを特徴としてい
る。 ［２］実施形態に示された可変減衰回路は、入力端子
(A) と出力端子(B) との間に、カソード側を上記出力端
子側にして接続された第１のＰＩＮダイオード(D1)と、
この第１のＰＩＮダイオード(D1)のカソードとアースと
の間に、カソード側を上記アース側にしてコンデンサ(C
4)を介して接続された第２のＰＩＮダイオード(D2)と、
前記第１，第２のＰＩＮダイオード(D1,D2) のオン抵抗
を変化させることにより、前記出力端子(B) の信号レベ
ルを可変減衰させる如く制御電圧(Vc)を印加する手段と
を備えた可変減衰回路において、前記第２のＰＩＮダイ
オード(D2)と直列に、抵抗素子(R2)を介して汎用シリコ
ンダイオード(D3)を接続し、強入力時において前記第１
のＰＩＮダイオード(D1)に逆バイアスを深くかけるよう
にしたことを特徴としている。 ［３］実施形態に示された可変減衰回路は、入力端子
(A) と出力端子(B) との間に、カソード側を上記出力端
子側にして接続された第１のＰＩＮダイオード(D1)と、
この第１のＰＩＮダイオード(D1)のカソードとアースと
の間に、カソード側を上記アース側にしてコンデンサ(C
4)を介して接続された第２のＰＩＮダイオード(D2)と、
前記第１，第２のＰＩＮダイオード(D1,D2) のオン抵抗
を変化させることにより、前記出力端子(B) の信号レベ
ルを可変減衰させる如く制御電圧(Vc)を印加する手段と
を備えた可変減衰回路において、前記第１のＰＩＮダイ
オード(D1)に対し、高周波コンデンサ(C2)を介して第１
の抵抗素子(R1)を並列に接続し、前記第２のＰＩＮダイ
オード(D2)と共にＬ型減衰器を形成すると共に、前記第
２のＰＩＮダイオード(D2)と直列に、第２の抵抗素子(R
2)を介して汎用シリコンダイオード(D3)を接続し、強入
力時において前記第１のＰＩＮダイオード(D1)に逆バイ
アスを深くかけるようにしたことを特徴としている。 ［４］実施形態に示された可変減衰回路は、入力端子
(A) と出力端子(B) との間に、カソード側を上記出力端
子側にして接続された第１のＰＩＮダイオード(D1)と、
この第１のＰＩＮダイオード(D1)のカソードとアースと
の間に、カソード側を上記アース側にしてコンデンサ(C
4)を介して接続された第２のＰＩＮダイオード(D2)と、
前記第１，第２のＰＩＮダイオード(D1,D2) のオン抵抗
を変化させることにより、前記出力端子(B) の信号レベ
ルを可変減衰させる如く制御電圧(Vc)を印加する手段と
を備えた可変減衰回路において、前記第２のＰＩＮダイ
オード(D2)と抵抗素子(R2)を介して直列に第３のダイオ
ード(D3)等を直列に接続し、前記第１のＰＩＮダイオー
ド(D1)に逆バイアスをかけられるように構成したことを
特徴としている。
形例を含む）についての特徴点をまとめると次の通りで
ある。 ［１］実施形態に示された可変減衰回路は、入力端子
(A) と出力端子(B) との間に、カソード側を上記出力端
子側にして接続された第１のＰＩＮダイオード(D1)と、
この第１のＰＩＮダイオード(D1)のカソードとアースと
の間に、カソード側を上記アース側にしてコンデンサ(C
4)を介して接続された第２のＰＩＮダイオード(D2)と、
前記第１，第２のＰＩＮダイオード(D1,D2) のオン抵抗
を変化させることにより、前記出力端子(B) の信号レベ
ルを可変減衰させる如く制御電圧(Vc)を印加する手段と
を備えた可変減衰回路において、前記第１のＰＩＮダイ
オード(D1)に対し、高周波コンデンサ(C2)を介して抵抗
素子(R1)を並列に接続し、前記第２のＰＩＮダイオード
(D2)と共にＬ型減衰器を形成したことを特徴としてい
る。 ［２］実施形態に示された可変減衰回路は、入力端子
(A) と出力端子(B) との間に、カソード側を上記出力端
子側にして接続された第１のＰＩＮダイオード(D1)と、
この第１のＰＩＮダイオード(D1)のカソードとアースと
の間に、カソード側を上記アース側にしてコンデンサ(C
4)を介して接続された第２のＰＩＮダイオード(D2)と、
前記第１，第２のＰＩＮダイオード(D1,D2) のオン抵抗
を変化させることにより、前記出力端子(B) の信号レベ
ルを可変減衰させる如く制御電圧(Vc)を印加する手段と
を備えた可変減衰回路において、前記第２のＰＩＮダイ
オード(D2)と直列に、抵抗素子(R2)を介して汎用シリコ
ンダイオード(D3)を接続し、強入力時において前記第１
のＰＩＮダイオード(D1)に逆バイアスを深くかけるよう
にしたことを特徴としている。 ［３］実施形態に示された可変減衰回路は、入力端子
(A) と出力端子(B) との間に、カソード側を上記出力端
子側にして接続された第１のＰＩＮダイオード(D1)と、
この第１のＰＩＮダイオード(D1)のカソードとアースと
の間に、カソード側を上記アース側にしてコンデンサ(C
4)を介して接続された第２のＰＩＮダイオード(D2)と、
前記第１，第２のＰＩＮダイオード(D1,D2) のオン抵抗
を変化させることにより、前記出力端子(B) の信号レベ
ルを可変減衰させる如く制御電圧(Vc)を印加する手段と
を備えた可変減衰回路において、前記第１のＰＩＮダイ
オード(D1)に対し、高周波コンデンサ(C2)を介して第１
の抵抗素子(R1)を並列に接続し、前記第２のＰＩＮダイ
オード(D2)と共にＬ型減衰器を形成すると共に、前記第
２のＰＩＮダイオード(D2)と直列に、第２の抵抗素子(R
2)を介して汎用シリコンダイオード(D3)を接続し、強入
力時において前記第１のＰＩＮダイオード(D1)に逆バイ
アスを深くかけるようにしたことを特徴としている。 ［４］実施形態に示された可変減衰回路は、入力端子
(A) と出力端子(B) との間に、カソード側を上記出力端
子側にして接続された第１のＰＩＮダイオード(D1)と、
この第１のＰＩＮダイオード(D1)のカソードとアースと
の間に、カソード側を上記アース側にしてコンデンサ(C
4)を介して接続された第２のＰＩＮダイオード(D2)と、
前記第１，第２のＰＩＮダイオード(D1,D2) のオン抵抗
を変化させることにより、前記出力端子(B) の信号レベ
ルを可変減衰させる如く制御電圧(Vc)を印加する手段と
を備えた可変減衰回路において、前記第２のＰＩＮダイ
オード(D2)と抵抗素子(R2)を介して直列に第３のダイオ
ード(D3)等を直列に接続し、前記第１のＰＩＮダイオー
ド(D1)に逆バイアスをかけられるように構成したことを
特徴としている。
【００２５】
【発明の効果】本発明においては、第１のＰＩＮダイオ
ードに対し、高周波コンデンサを介して第１の抵抗素子
を並列に接続し、第２のＰＩＮダイオードと共にＬ型減
衰器を形成することにより、第２のＰＩＮダイオードの
アノードに加わる信号の振幅が低下するようにしてい
る。また本発明においては、第２のＰＩＮダイオードと
直列に、第２の抵抗素子を介して汎用シリコンダイオー
ドを接続し、強入力時において前記第１のＰＩＮダイオ
ードの逆バイアスを深くかけることにより、強入力時に
おける第１のＰＩＮダイオードの自己整流を抑制し、バ
イアス変動歪みの量が減少するようにしている。したが
って本発明によれば、強入力に対しても、歪みの発生が
少なく、相互変調歪み特性に優れた可変減衰回路を提供
できる。
ードに対し、高周波コンデンサを介して第１の抵抗素子
を並列に接続し、第２のＰＩＮダイオードと共にＬ型減
衰器を形成することにより、第２のＰＩＮダイオードの
アノードに加わる信号の振幅が低下するようにしてい
る。また本発明においては、第２のＰＩＮダイオードと
直列に、第２の抵抗素子を介して汎用シリコンダイオー
ドを接続し、強入力時において前記第１のＰＩＮダイオ
ードの逆バイアスを深くかけることにより、強入力時に
おける第１のＰＩＮダイオードの自己整流を抑制し、バ
イアス変動歪みの量が減少するようにしている。したが
って本発明によれば、強入力に対しても、歪みの発生が
少なく、相互変調歪み特性に優れた可変減衰回路を提供
できる。
【図１】本発明の第１実施形態に係る可変減衰回路を示
す図で、（ａ）は上記可変減衰回路を備えた車載用ＡＧ
Ｃ付き増幅装置の概略的構成を示すブロック図、（ｂ）
は上記可変減衰回路の構成を示す回路図である。
す図で、（ａ）は上記可変減衰回路を備えた車載用ＡＧ
Ｃ付き増幅装置の概略的構成を示すブロック図、（ｂ）
は上記可変減衰回路の構成を示す回路図である。
【図２】本発明の他の実施形態に係る可変減衰回路を示
す図で、（ａ）〜（ｃ）は夫々第２実施形態〜第４実施
形態に係る可変減衰回路の構成を示す回路図である。
す図で、（ａ）〜（ｃ）は夫々第２実施形態〜第４実施
形態に係る可変減衰回路の構成を示す回路図である。
【図３】本発明の実施形態に係る可変減衰回路の実験例
を示す図で、（ａ）は本発明の特徴点をもった「試料
Ｍ」について三次歪みを実測した結果を示す図、（ｂ）
は本発明の特徴点をもたない「試料Ｎ」について三次歪
みを実測した結果を示す図である。
を示す図で、（ａ）は本発明の特徴点をもった「試料
Ｍ」について三次歪みを実測した結果を示す図、（ｂ）
は本発明の特徴点をもたない「試料Ｎ」について三次歪
みを実測した結果を示す図である。
１…アンテナ ２…チューナ １０…車載用ＡＧＣ付き増幅装置 １１…入力フィルタ １２…低歪み可変減衰回路 １３…増幅器 １４…検波回路 １５…誤差増幅器 Ａ…入力端子 Ｂ…出力端子 Ｃ1 ，Ｃ3 …結合コンデンサ Ｃ2 …高周波コンデンサ Ｃ4 ，Ｃ5 …バイパスコンデンサ Ｌ1 ，Ｌ2 …高周波チョークコイル Ｒ1 ，Ｒ2 …第１，第２の抵抗素子 Ｒ3 ，Ｒ4 …分圧抵抗素子 Ｄ1 ，Ｄ2 …第１，第２のＰＩＮダイオード Ｄ3 …汎用シリコンダイオード Ｖb …直流電圧 Ｖc …制御電圧 Ｖd …分電圧
Claims (3)
- 【請求項１】入力端子と出力端子との間に、カソード側
を上記出力端子側にして接続された第１のＰＩＮダイオ
ードと、 この第１のＰＩＮダイオードのカソードとアースとの間
に、カソード側を上記アース側にしてコンデンサを介し
て接続された第２のＰＩＮダイオードと、 前記第１，第２のＰＩＮダイオードのオン抵抗を変化さ
せることにより、前記出力端子の信号レベルを可変減衰
させる如く制御電圧を印加する手段と、 を備えた可変減衰回路において、 前記第１のＰＩＮダイオードに対し、高周波コンデンサ
を介して抵抗素子を並列に接続し、前記第２のＰＩＮダ
イオードと共にＬ型減衰器を形成したことを特徴とする
可変減衰回路。 - 【請求項２】入力端子と出力端子との間に、カソード側
を上記出力端子側にして接続された第１のＰＩＮダイオ
ードと、 この第１のＰＩＮダイオードのカソードとアースとの間
に、カソード側を上記アース側にしてコンデンサを介し
て接続された第２のＰＩＮダイオードと、 前記第１，第２のＰＩＮダイオードのオン抵抗を変化さ
せることにより、前記出力端子の信号レベルを可変減衰
させる如く制御電圧を印加する手段と、 を備えた可変減衰回路において、 前記第２のＰＩＮダイオードと直列に、抵抗素子を介し
て汎用シリコンダイオードを接続し、強入力時において
前記第１のＰＩＮダイオードに逆バイアスを深くかける
ようにしたことを特徴とする可変減衰回路。 - 【請求項３】入力端子と出力端子との間に、カソード側
を上記出力端子側にして接続された第１のＰＩＮダイオ
ードと、 この第１のＰＩＮダイオードのカソードとアースとの間
に、カソード側を上記アース側にしてコンデンサを介し
て接続された第２のＰＩＮダイオードと、 前記第１，第２のＰＩＮダイオードのオン抵抗を変化さ
せることにより、前記出力端子の信号レベルを可変減衰
させる如く制御電圧を印加する手段と、 を備えた可変減衰回路において、 前記第１のＰＩＮダイオードに対し、高周波コンデンサ
を介して第１の抵抗素子を並列に接続し、前記第２のＰ
ＩＮダイオードと共にＬ型減衰器を形成すると共に、 前記第２のＰＩＮダイオードと直列に、第２の抵抗素子
を介して汎用シリコンダイオードを接続し、強入力時に
おいて前記第１のＰＩＮダイオードに逆バイアスを深く
かけるようにしたことを特徴とする可変減衰回路。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10182464A JP2000022466A (ja) | 1998-06-29 | 1998-06-29 | 可変減衰回路 |
| EP19990304844 EP0969596B1 (en) | 1998-06-29 | 1999-06-21 | Variable attenuation circuit |
| DE69915933T DE69915933T2 (de) | 1998-06-29 | 1999-06-21 | Einstellbares Dämpfungsglied |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10182464A JP2000022466A (ja) | 1998-06-29 | 1998-06-29 | 可変減衰回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000022466A true JP2000022466A (ja) | 2000-01-21 |
Family
ID=16118727
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10182464A Pending JP2000022466A (ja) | 1998-06-29 | 1998-06-29 | 可変減衰回路 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0969596B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000022466A (ja) |
| DE (1) | DE69915933T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003529267A (ja) * | 2000-03-28 | 2003-09-30 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | アンテナ増幅器 |
| JP2007058631A (ja) * | 2005-08-25 | 2007-03-08 | Denso Corp | 車両用運転支援装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9729119B1 (en) * | 2016-03-04 | 2017-08-08 | Atmel Corporation | Automatic gain control for received signal strength indication |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3346805A (en) * | 1964-09-18 | 1967-10-10 | Page Comm Engineers Inc | Variable tau-network attenuator using varactor diodes |
| DE2937020C2 (de) * | 1979-09-13 | 1984-03-08 | Felten & Guilleaume Fernmeldeanlagen GmbH, 8500 Nürnberg | Schaltungsanordnung zur Steuerung eines angepaßten Pegelstellgliedes |
-
1998
- 1998-06-29 JP JP10182464A patent/JP2000022466A/ja active Pending
-
1999
- 1999-06-21 EP EP19990304844 patent/EP0969596B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-06-21 DE DE69915933T patent/DE69915933T2/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003529267A (ja) * | 2000-03-28 | 2003-09-30 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | アンテナ増幅器 |
| JP2007058631A (ja) * | 2005-08-25 | 2007-03-08 | Denso Corp | 車両用運転支援装置 |
| JP4506617B2 (ja) * | 2005-08-25 | 2010-07-21 | 株式会社デンソー | 車両用運転支援装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69915933T2 (de) | 2005-01-05 |
| EP0969596B1 (en) | 2004-03-31 |
| EP0969596A3 (en) | 2000-02-02 |
| EP0969596A2 (en) | 2000-01-05 |
| DE69915933D1 (de) | 2004-05-06 |
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