JPH0510419Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0510419Y2 JPH0510419Y2 JP1988155788U JP15578888U JPH0510419Y2 JP H0510419 Y2 JPH0510419 Y2 JP H0510419Y2 JP 1988155788 U JP1988155788 U JP 1988155788U JP 15578888 U JP15578888 U JP 15578888U JP H0510419 Y2 JPH0510419 Y2 JP H0510419Y2
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- JP
- Japan
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- pin diode
- signal
- tuning circuit
- circuit
- stage
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- Expired - Lifetime
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 20
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 11
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 5
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Description
【考案の詳細な説明】
産業上の利用分野
本考案はFMチユーナの複同調回路に係り、特
に自動車等に搭載されるFMラジオに好適に用い
られるFMチユーナの複同調回路に関する。
に自動車等に搭載されるFMラジオに好適に用い
られるFMチユーナの複同調回路に関する。
従来の技術
第３図は従来より知られたFMチユーナの複同
調回路を示す。同図においてコイルL1、コンデ
ンサC1及びバラクタダイオードBD1，BD2は前段
の同調回路を構成し、コイルL2、コンデンサC2
及びバラクタダイオードBD3，BD4は後段の同調
回路を構成する。またコイルL1とL2は離して描
かれているが、実際にはこれらは互いに近接して
設けられ磁気的に結合（誘導結合）されている。
コイルL1，L2を離して設ける場合にはこれらを
コンデンサを介して接続（容量結合）すれば同様
の効果が得られる。従つて前段の同調回路と後段
の同調回路より複同調回路が構成され、複同調回
路の特長である選択度の向上が計れる。
調回路を示す。同図においてコイルL1、コンデ
ンサC1及びバラクタダイオードBD1，BD2は前段
の同調回路を構成し、コイルL2、コンデンサC2
及びバラクタダイオードBD3，BD4は後段の同調
回路を構成する。またコイルL1とL2は離して描
かれているが、実際にはこれらは互いに近接して
設けられ磁気的に結合（誘導結合）されている。
コイルL1，L2を離して設ける場合にはこれらを
コンデンサを介して接続（容量結合）すれば同様
の効果が得られる。従つて前段の同調回路と後段
の同調回路より複同調回路が構成され、複同調回
路の特長である選択度の向上が計れる。
バラクタダイオードBD1とBD2及びBD3とBD4
は互いにカソードが接続されたツインタイプのも
のが用いられ、これにより単一のバラクタダイオ
ードを用いた場合に比べて容量のばらつきを半分
に抑えることができる。このBD1とBD2の接続点
及びBD3とBD4の接続点には抵抗R1，R2を介し
て入力端子５よりの共通の同調電圧VTが得られ
る。この同調電圧VTを変化させることによつて
バラクタダイオードBD1〜BD4の容量が変化し、
前段及び後段の同調回路の同調周波数を制御する
ことができる。
は互いにカソードが接続されたツインタイプのも
のが用いられ、これにより単一のバラクタダイオ
ードを用いた場合に比べて容量のばらつきを半分
に抑えることができる。このBD1とBD2の接続点
及びBD3とBD4の接続点には抵抗R1，R2を介し
て入力端子５よりの共通の同調電圧VTが得られ
る。この同調電圧VTを変化させることによつて
バラクタダイオードBD1〜BD4の容量が変化し、
前段及び後段の同調回路の同調周波数を制御する
ことができる。
入力端子１にはアンテナ（ANT）より被周波
数変調信号（FM信号）が供給され、複同調回路
において特定周波数範囲信号が選択された後、受
信高周波信号を増幅するためのデユアルゲート
MOS型電界効果トランジスタ（MOSFET）２の
ゲートG1に供給され高周波数増幅が行なわれる
（MOSFETのドレイン及びゲートに接続される
回路は省略する）。このとき受信信号のレベルが
高くなり過ぎる（強入力）とMOSFETが飽和
し、高調波の発生等の原因となる。
数変調信号（FM信号）が供給され、複同調回路
において特定周波数範囲信号が選択された後、受
信高周波信号を増幅するためのデユアルゲート
MOS型電界効果トランジスタ（MOSFET）２の
ゲートG1に供給され高周波数増幅が行なわれる
（MOSFETのドレイン及びゲートに接続される
回路は省略する）。このとき受信信号のレベルが
高くなり過ぎる（強入力）とMOSFETが飽和
し、高調波の発生等の原因となる。
MOSFET２のゲートG2には抵抗R3を介して端
子３が接続されている。この端子３には例えば中
間周波増幅段より得られたAGC信号が供給され、
受信信号のレベルが大きくなつたときには
MOSFET２のゲートG1に供給される信号に対す
るゲインを下げ、受信信号のレベルが小さくなつ
たときはゲインを上げるようMOSFET２のゲイ
ンを連続的に変化させて飽和による高調波の発生
等を防止する。また場合により受信信号が所定レ
ベル以上となつたときにはMOSFET２のゲート
G2を強制的にシヤントして一律にゲートG1への
信号のゲインを下げ、所定レベル以下のときはゲ
インを上げるようにする２値信号を供給して
MOSFETの増幅度をコントロールすることもあ
り、これは特に遠くの放送を受信をする場合と近
くの放送を受信する場合とで信号の強弱が大きい
時に切換えて用いることもできる。
子３が接続されている。この端子３には例えば中
間周波増幅段より得られたAGC信号が供給され、
受信信号のレベルが大きくなつたときには
MOSFET２のゲートG1に供給される信号に対す
るゲインを下げ、受信信号のレベルが小さくなつ
たときはゲインを上げるようMOSFET２のゲイ
ンを連続的に変化させて飽和による高調波の発生
等を防止する。また場合により受信信号が所定レ
ベル以上となつたときにはMOSFET２のゲート
G2を強制的にシヤントして一律にゲートG1への
信号のゲインを下げ、所定レベル以下のときはゲ
インを上げるようにする２値信号を供給して
MOSFETの増幅度をコントロールすることもあ
り、これは特に遠くの放送を受信をする場合と近
くの放送を受信する場合とで信号の強弱が大きい
時に切換えて用いることもできる。
考案が解決しようとする課題
第３図に示す回路はMOSFET２のゲートG2に
印加する電圧を変化させてゲートG1に供給され
る信号に対するゲインを変化させているため、受
信信号が強入力となつた場合にはこの高いレベル
の信号はそのままMOSFET２のゲートG2にその
まま加わる。このためMOSFET２の飽和による
高調波の発生の防止が十分とはいえなかつた。
印加する電圧を変化させてゲートG1に供給され
る信号に対するゲインを変化させているため、受
信信号が強入力となつた場合にはこの高いレベル
の信号はそのままMOSFET２のゲートG2にその
まま加わる。このためMOSFET２の飽和による
高調波の発生の防止が十分とはいえなかつた。
本考案は、上記の点に鑑みてなされたものであ
り、飽和による高調波の発生等を有効に防止し得
るFMチユーナの複同調回路を提供することを目
的とする。
り、飽和による高調波の発生等を有効に防止し得
るFMチユーナの複同調回路を提供することを目
的とする。
課題を解決するための手段及び作用
本考案になるFMチユーナの複同調回路は、受
信高周波信号が入力される前段の同調回路と前段
の同調回路に結合して設けられた後段の同調回路
とを有し、前段及び後段の同調回路は、外部より
の同調電圧に応じて夫々略同一の所定周波数範囲
に同調する構成とされたFMチユーナの複同調回
路において、同調周波数範囲に対して低インピー
ダンスとされる第１のコンデンサと、第１のコン
デンサを介してアノードを前段の同調回路に接続
されカソードを接地された第１のPinダイオード
と、カソードを第１のPinダイオードのアノード
に接続された第２のPinダイオードと、一端を第
２のPinダイオードのアノードに接続され他端を
接地された第２のコンデンサと、一端を第２の
Pinダイオードのアノードに接続され他端にレベ
ル検出手段によつて検出された受信信号のレベル
検出信号が入来する抵抗とからなるAGC回路を
具備してなる。
信高周波信号が入力される前段の同調回路と前段
の同調回路に結合して設けられた後段の同調回路
とを有し、前段及び後段の同調回路は、外部より
の同調電圧に応じて夫々略同一の所定周波数範囲
に同調する構成とされたFMチユーナの複同調回
路において、同調周波数範囲に対して低インピー
ダンスとされる第１のコンデンサと、第１のコン
デンサを介してアノードを前段の同調回路に接続
されカソードを接地された第１のPinダイオード
と、カソードを第１のPinダイオードのアノード
に接続された第２のPinダイオードと、一端を第
２のPinダイオードのアノードに接続され他端を
接地された第２のコンデンサと、一端を第２の
Pinダイオードのアノードに接続され他端にレベ
ル検出手段によつて検出された受信信号のレベル
検出信号が入来する抵抗とからなるAGC回路を
具備してなる。
レベル検出信号は例えば中間周波増幅段におけ
る信号を整流し直流として得られるもので、受信
信号レベルが大きくなるとこのレベル検出信号の
電圧は上昇し、受信信号レベルが小さくなるとレ
ベル検出信号の電圧は低下する。
る信号を整流し直流として得られるもので、受信
信号レベルが大きくなるとこのレベル検出信号の
電圧は上昇し、受信信号レベルが小さくなるとレ
ベル検出信号の電圧は低下する。
第１及び第２のPinダイオードはレベル検出信
号の電圧が変化するのに伴つてそのオン抵抗が変
化し、レベル検出信号の電圧が上昇するとそのオ
ン抵抗が小さくなつて電流が流れやすくなる。従
つて前段の同調回路に供給される受信高周波信号
は、当該信号に対してインピーダンスの低い第１
のコンデンサが第１のPinダイオードを通して接
地されるため、レベルは下げられる。
号の電圧が変化するのに伴つてそのオン抵抗が変
化し、レベル検出信号の電圧が上昇するとそのオ
ン抵抗が小さくなつて電流が流れやすくなる。従
つて前段の同調回路に供給される受信高周波信号
は、当該信号に対してインピーダンスの低い第１
のコンデンサが第１のPinダイオードを通して接
地されるため、レベルは下げられる。
尚この減衰量とオンレベルは、夫々第１のコン
デンサの値やレベル検出手段によつて検出された
受信信号のレベル検出信号の電圧により設定でき
る。
デンサの値やレベル検出手段によつて検出された
受信信号のレベル検出信号の電圧により設定でき
る。
実施例
第１図は本考案になるFMチユーナの複同調回
路の一実施例の回路図を示す。同図において第３
図と同一構成部分には同一符号を付し、その説明
を省略する。第１図の回路では第３図の回路に加
え、コイルL1の一端に第１のコンデンサである
コンデンサC3を介して第２のPinダイオードであ
るpinダイオードD1のカソード及び第１のPinダ
イオードであるpinダイオードD2のアノードが接
続され、更にpinダイオードD1のアノードは第２
のコンデンサであるバイパスコンデンサC4を介
して、pinダイオードD2のカソードは直接接地さ
れている。またpinダイオードD1のアノードには
抵抗R5を介して端子６が接続されている。また
コンデンサC3は受信高周波信号に対するインピ
ーダンスが十分低くなる値のものを選ぶ。
路の一実施例の回路図を示す。同図において第３
図と同一構成部分には同一符号を付し、その説明
を省略する。第１図の回路では第３図の回路に加
え、コイルL1の一端に第１のコンデンサである
コンデンサC3を介して第２のPinダイオードであ
るpinダイオードD1のカソード及び第１のPinダ
イオードであるpinダイオードD2のアノードが接
続され、更にpinダイオードD1のアノードは第２
のコンデンサであるバイパスコンデンサC4を介
して、pinダイオードD2のカソードは直接接地さ
れている。またpinダイオードD1のアノードには
抵抗R5を介して端子６が接続されている。また
コンデンサC3は受信高周波信号に対するインピ
ーダンスが十分低くなる値のものを選ぶ。
pinダイオードは、ｐ領域とｎ領域との間に真
性半導体領域、即ちｉ領域をはさんだ接合構造を
もつダイオードであり、スイツチング素子とし
て、または可変抵抗減衰器としても用いることが
できる。pinダイオードの電圧−電流特性は通常
のダイオードに比べてその傾斜が緩やかであるた
め、加える電圧を変化させることによりこれを流
れる電流に対する抵抗値を変化させることができ
る。
性半導体領域、即ちｉ領域をはさんだ接合構造を
もつダイオードであり、スイツチング素子とし
て、または可変抵抗減衰器としても用いることが
できる。pinダイオードの電圧−電流特性は通常
のダイオードに比べてその傾斜が緩やかであるた
め、加える電圧を変化させることによりこれを流
れる電流に対する抵抗値を変化させることができ
る。
端子６にば例えば中間周波増幅段より得られた
AGC信号を供給する。受信信号のレベルが高く
なるとAGC電圧も高くなり、pinダイオードD1，
D2をより強くオンする。このためpinダイオード
D2の抵抗は小さくなり入力端子に入来した受信
高周波信号はより多くがコンデンサC3、pinダイ
オードD2を通つて流れる。このため前段の同調
回路に供給される受信高周波信号のレベルは、
MOSFET２の動作が飽和しない程度に下げられ
る。
AGC信号を供給する。受信信号のレベルが高く
なるとAGC電圧も高くなり、pinダイオードD1，
D2をより強くオンする。このためpinダイオード
D2の抵抗は小さくなり入力端子に入来した受信
高周波信号はより多くがコンデンサC3、pinダイ
オードD2を通つて流れる。このため前段の同調
回路に供給される受信高周波信号のレベルは、
MOSFET２の動作が飽和しない程度に下げられ
る。
本実施例ではpinダイオードとして２つのpinダ
イオードD1，D2が１パツケージに封中されて市
販されているツインタイプのものを用いている。
これを第１図のように接続することにより例えば
端子６は通常、レベル検出後平滑回路を通つて平
滑されたDC電圧が伝達されてくるが、リツプル
電圧分及びPF分を除去するためにC4なるバイパ
スコンデンサが入る。従つてD1がないとC3が接
地状態となる。逆にD1があるとON状態の時C3の
接地と共にC4も接地されることになるため、減
衰量がとりやすいこと、及びD1，D2のON抵抗が
直列に入るため、ON抵抗レベル電圧を高くでき
る。更に強入力時にC3を通してRF分がD1，D2の
中点に飛びこんできても、D1によりレベル信号
との干渉を防ぐことができる。但し場合によつて
はD1のかわりに高抵抗を入れて行なう回路もあ
るが、この場合はpinダイオードの減衰量と応答
性への考慮が必要となる。
イオードD1，D2が１パツケージに封中されて市
販されているツインタイプのものを用いている。
これを第１図のように接続することにより例えば
端子６は通常、レベル検出後平滑回路を通つて平
滑されたDC電圧が伝達されてくるが、リツプル
電圧分及びPF分を除去するためにC4なるバイパ
スコンデンサが入る。従つてD1がないとC3が接
地状態となる。逆にD1があるとON状態の時C3の
接地と共にC4も接地されることになるため、減
衰量がとりやすいこと、及びD1，D2のON抵抗が
直列に入るため、ON抵抗レベル電圧を高くでき
る。更に強入力時にC3を通してRF分がD1，D2の
中点に飛びこんできても、D1によりレベル信号
との干渉を防ぐことができる。但し場合によつて
はD1のかわりに高抵抗を入れて行なう回路もあ
るが、この場合はpinダイオードの減衰量と応答
性への考慮が必要となる。
第２図は第１図の回路の複同調回路の出力レベ
ルの周波数特性を示すもので、同図Ａはpinダイ
オードがオフの状態のときの場合、同図Ｂはpin
ダイオードにある電圧のAGC信号が加わつてオ
ンとされている場合に夫々対応する。通常前段の
同調回路の入力側を完全にシヤントしてしまうと
受信高周波信号のレベルを下げることはできても
周波数特性は大きく広がつて非同調回路的とな
り、選択特性も著しく低下する。しかし、本実施
例の場合には、前段の同調回路に接続された同調
周波数に対し低インピーダンスとされたコンデン
サC3がPinダイオードD2を通して接地されること
により、入来高周波信号がコンデンサC3とPinダ
イオードD2を介してより多くグランドに流れ込
むため、第２図Ｂに示すように受信高周波信号の
レベルを下げることができると同時に希望信号以
外の不要周波数の入来を抑えることができて複同
調回路の特長である良好な周波数選択特性を維持
することができ、また強入力時の妨害特性も良好
となり、総合的な特性は大きく向上する。
ルの周波数特性を示すもので、同図Ａはpinダイ
オードがオフの状態のときの場合、同図Ｂはpin
ダイオードにある電圧のAGC信号が加わつてオ
ンとされている場合に夫々対応する。通常前段の
同調回路の入力側を完全にシヤントしてしまうと
受信高周波信号のレベルを下げることはできても
周波数特性は大きく広がつて非同調回路的とな
り、選択特性も著しく低下する。しかし、本実施
例の場合には、前段の同調回路に接続された同調
周波数に対し低インピーダンスとされたコンデン
サC3がPinダイオードD2を通して接地されること
により、入来高周波信号がコンデンサC3とPinダ
イオードD2を介してより多くグランドに流れ込
むため、第２図Ｂに示すように受信高周波信号の
レベルを下げることができると同時に希望信号以
外の不要周波数の入来を抑えることができて複同
調回路の特長である良好な周波数選択特性を維持
することができ、また強入力時の妨害特性も良好
となり、総合的な特性は大きく向上する。
考案の効果
上述の如く本考案によれば、受信信号レベルの
変化に応じて前段同調回路に第１のコンデンサを
介して接続される第１のPinダイオードのオン抵
抗を変化させて受信高周波信号のレベルを下げる
ようにしたので、高周波増幅器が飽和することに
よつて高周波等の不要な信号を発生することを有
効に防止できると同時に周波数選択特性をも維持
することができる等の特長を有する。
変化に応じて前段同調回路に第１のコンデンサを
介して接続される第１のPinダイオードのオン抵
抗を変化させて受信高周波信号のレベルを下げる
ようにしたので、高周波増幅器が飽和することに
よつて高周波等の不要な信号を発生することを有
効に防止できると同時に周波数選択特性をも維持
することができる等の特長を有する。
第１図は本考案の一実施例の回路図、第２図は
第１図の回路の動作を示す周波数特性図、第３図
は従来回路の回路図である。 L1，L2……コイル、C1，C2，C3，C4……コン
デンサ、BD1，BD2……バラクタダイオード、
D1，D2……pinダイオード、R1〜R4……抵抗。
第１図の回路の動作を示す周波数特性図、第３図
は従来回路の回路図である。 L1，L2……コイル、C1，C2，C3，C4……コン
デンサ、BD1，BD2……バラクタダイオード、
D1，D2……pinダイオード、R1〜R4……抵抗。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 受信高周波信号が入力される前段の同調回路と
該前段の同調回路に結合して設けられた後段の同
調回路とを有し、該前段及び後段の同調回路は、
外部よりの同調電圧に応じて夫々略同一の所定周
波数範囲に同調する構成とされたFMチユーナの
複同調回路において、 前記同調周波数範囲に対して低インピーダンス
とされる第１のコンデンサと、 該第１のコンデンサを介してアノードを前記前
段の同調回路に接続されカソードを接地された第
１のPinダイオードと、 カソードを該第１のPinダイオードのアノード
に接続された第２のPinダイオードと、 一端を該第２のPinダイオードのアノードに接
続され他端を接地された第２のコンデンサと、 一端を該第２のPinダイオードのアノードに接
続され他端にレベル検出手段によつて検出された
受信信号のレベル検出信号が入来する抵抗と からなるAGC回路を具備し、 該レベル検出信号に応じて該第１及び第２の
Pinダイオードのオン抵抗を変化させることによ
り、前記前段の同調回路に入力される受信高周波
信号のレベルを変化させる構成とされてなるFM
チユーナの複同調回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988155788U JPH0510419Y2 (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988155788U JPH0510419Y2 (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0277927U JPH0277927U (ja) | 1990-06-14 |
| JPH0510419Y2 true JPH0510419Y2 (ja) | 1993-03-15 |
Family
ID=31433726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988155788U Expired - Lifetime JPH0510419Y2 (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0510419Y2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57200918U (ja) * | 1981-06-18 | 1982-12-21 | ||
| JPS61149420U (ja) * | 1985-03-05 | 1986-09-16 |
-
1988
- 1988-11-30 JP JP1988155788U patent/JPH0510419Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0277927U (ja) | 1990-06-14 |
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