JPH0441625Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0441625Y2 JPH0441625Y2 JP15578988U JP15578988U JPH0441625Y2 JP H0441625 Y2 JPH0441625 Y2 JP H0441625Y2 JP 15578988 U JP15578988 U JP 15578988U JP 15578988 U JP15578988 U JP 15578988U JP H0441625 Y2 JPH0441625 Y2 JP H0441625Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- coil
- level
- pin diode
- circuit
- Prior art date
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- Expired
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 10
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
Description
【考案の詳細な説明】
産業上の利用分野
本考案はFMチユーナの同調回路に係り特に自
動車等に搭載されるFMラジオに好適に用いられ
るFMチユーナの同調回路に関する。
動車等に搭載されるFMラジオに好適に用いられ
るFMチユーナの同調回路に関する。
従来の技術
第３図は従来より知られているFMチユーナの
受信高周波数（RF）同調回路の一例の回路図を
示す。同図においてコイルL1、バラクダイオー
ドBD1，BD2、及びコンデンサC3は並列共振回路
を構成し、このバラクダイオードBD1，BD2の接
続点に端子５より加える同調電圧VTを変化させ
ることによつてバラクダイオードBD1，BD2の容
量を変化させ、アンテナが接続される入力端子１
よりコイルL1の中間タツプに入来するRF信号の
同調周波数を変化させる。
受信高周波数（RF）同調回路の一例の回路図を
示す。同図においてコイルL1、バラクダイオー
ドBD1，BD2、及びコンデンサC3は並列共振回路
を構成し、このバラクダイオードBD1，BD2の接
続点に端子５より加える同調電圧VTを変化させ
ることによつてバラクダイオードBD1，BD2の容
量を変化させ、アンテナが接続される入力端子１
よりコイルL1の中間タツプに入来するRF信号の
同調周波数を変化させる。
バラクダイオードBD1とBD2は、互いにカソー
ドが接続された２つのバラクダイオードが一つの
パツケージ中に封入されたツインタイプのものが
用いられ、これにより単一のバラクダイオードを
用いた場合に比べ容量のばらつきを約半分に抑え
ることができる。
ドが接続された２つのバラクダイオードが一つの
パツケージ中に封入されたツインタイプのものが
用いられ、これにより単一のバラクダイオードを
用いた場合に比べ容量のばらつきを約半分に抑え
ることができる。
アンテナ端子１に入来する被周波数偏重信号
（FM信号）は、上記並列共振回路によつて特定
周波数の信号が選択された後、RF信号を増幅す
るためのデユアルゲートMOS型電界効果トラン
ジスタ（MOSFET）２のゲートG1に供給され、
高周波増幅が行われる（MOSFET２のドレイン
及びソースに接続される回路は省略する）。この
とき受信信号のレベルが高くなり過ぎる（強入
力）とMOSFET２が飽和し、高調波の発生等の
原因となる。
（FM信号）は、上記並列共振回路によつて特定
周波数の信号が選択された後、RF信号を増幅す
るためのデユアルゲートMOS型電界効果トラン
ジスタ（MOSFET）２のゲートG1に供給され、
高周波増幅が行われる（MOSFET２のドレイン
及びソースに接続される回路は省略する）。この
とき受信信号のレベルが高くなり過ぎる（強入
力）とMOSFET２が飽和し、高調波の発生等の
原因となる。
MOSFET２のゲートG2には抵抗R3を介して端
子３が、更に抵抗R4を介して端子４が接続され
ている。この端子３には例えば中間周波増幅段に
おける信号を検波して得られたAGC信号が供給
され、受信信号レベルが大となつたときには
MOSFET２のゲートG1に供給される信号に対す
るゲインを下げ、受信信号レベルが小となつたと
きにはゲインを上げるようMOSFET２のゲイン
を連続的に変化させて飽和による高周波の発生等
を防止する。また端子４には受信信号が所定レベ
ル以上となつたときにはMOSFET２のゲートを
強制的にシヤントして一律にゲートG1に供給さ
れる信号のゲインを下げ、所定レベル以下のとき
はゲインをさげ、所定レベル以下のときはゲイン
を上げるようにする２値信号が供給される。これ
は特に遠くの放送を受信する場合と近くの放送を
受信する場合とで手動で切換えて用ることもでき
る。
子３が、更に抵抗R4を介して端子４が接続され
ている。この端子３には例えば中間周波増幅段に
おける信号を検波して得られたAGC信号が供給
され、受信信号レベルが大となつたときには
MOSFET２のゲートG1に供給される信号に対す
るゲインを下げ、受信信号レベルが小となつたと
きにはゲインを上げるようMOSFET２のゲイン
を連続的に変化させて飽和による高周波の発生等
を防止する。また端子４には受信信号が所定レベ
ル以上となつたときにはMOSFET２のゲートを
強制的にシヤントして一律にゲートG1に供給さ
れる信号のゲインを下げ、所定レベル以下のとき
はゲインをさげ、所定レベル以下のときはゲイン
を上げるようにする２値信号が供給される。これ
は特に遠くの放送を受信する場合と近くの放送を
受信する場合とで手動で切換えて用ることもでき
る。
コイルL1の一端にはコンデンサC1を介してpin
ダイオードD1，D2が接続され、pinダイオードD1
のアノードは抵抗R2を介して端子６に接続され
ている。端子６には受信信号レベルに応じて変化
するAGC出力信号が供給されpinダイオードD1，
D2のバイアス電圧となる。コンデンサC1はRF信
号に対するインピーダンスが十分低くなる値のも
のを選ぶ。受信信号のレベルが高くなると（強入
力となると）AGC電圧も高くなり、pinダイオー
ドD1，D2のバイアスを大きくしより強くオンと
する。このためpinダイオードD2の抵抗は小さく
なり入力端子１に入来したRF信号のより多くの
部分がコンデンサC1、pinダイオードD2を通つて
流れる。これによつて並列共振回路の共振信号レ
ベルはMOSFET２の動作が飽和しない程度に下
げられる。
ダイオードD1，D2が接続され、pinダイオードD1
のアノードは抵抗R2を介して端子６に接続され
ている。端子６には受信信号レベルに応じて変化
するAGC出力信号が供給されpinダイオードD1，
D2のバイアス電圧となる。コンデンサC1はRF信
号に対するインピーダンスが十分低くなる値のも
のを選ぶ。受信信号のレベルが高くなると（強入
力となると）AGC電圧も高くなり、pinダイオー
ドD1，D2のバイアスを大きくしより強くオンと
する。このためpinダイオードD2の抵抗は小さく
なり入力端子１に入来したRF信号のより多くの
部分がコンデンサC1、pinダイオードD2を通つて
流れる。これによつて並列共振回路の共振信号レ
ベルはMOSFET２の動作が飽和しない程度に下
げられる。
考案が解決しようとする課題
しかしながら第３図に示す回路は並列共振回路
と並列にコンデンサC1及びpinダイオードD2が接
続されコンデンサ1は等化的に並列共振回路の一
部となるため、コンデンサC1及びpinダイオード
を流れる信号が多くなる程、即ちRF信号レベル
が高くなる程並列共振回路の共振周波数が本来の
共振周波数からずれてしまう。第４図は同調特性
の様子を概略的に示したもので、実線で示すよう
な強入力信号に対しpinダイオードD1，D2のバイ
アスを大きくすると、破線で示すようにレベルを
下げることはできるが、共振周波数（同調周波
数）が低い側へずれる。これによつて強入時には
混変調（IM）が生じ、また選択性が悪化すると
いう問題があつた。
と並列にコンデンサC1及びpinダイオードD2が接
続されコンデンサ1は等化的に並列共振回路の一
部となるため、コンデンサC1及びpinダイオード
を流れる信号が多くなる程、即ちRF信号レベル
が高くなる程並列共振回路の共振周波数が本来の
共振周波数からずれてしまう。第４図は同調特性
の様子を概略的に示したもので、実線で示すよう
な強入力信号に対しpinダイオードD1，D2のバイ
アスを大きくすると、破線で示すようにレベルを
下げることはできるが、共振周波数（同調周波
数）が低い側へずれる。これによつて強入時には
混変調（IM）が生じ、また選択性が悪化すると
いう問題があつた。
本考案は上記の点に鑑みてなされたものであ
り、RF信号の入力レベルを下げても上記のよう
な問題が発生しないFMチユーナの同調回路を提
供することを目的とする。
り、RF信号の入力レベルを下げても上記のよう
な問題が発生しないFMチユーナの同調回路を提
供することを目的とする。
課題を解決するための手段
本考案になるFMチユーナの同調回路は、コイ
ルを互いに誘導結合された１次コイル及び２次コ
イルとし、１次コイルに直列にpinダイオードを
接続し、信号レベルを検出するレベル検出手段に
よつてpinダイオードに加えるバイアス電圧を変
化させて１次コイルに供給させる信号のレベルを
制御する構成とする。
ルを互いに誘導結合された１次コイル及び２次コ
イルとし、１次コイルに直列にpinダイオードを
接続し、信号レベルを検出するレベル検出手段に
よつてpinダイオードに加えるバイアス電圧を変
化させて１次コイルに供給させる信号のレベルを
制御する構成とする。
作 用
pinダイオードに加えるバイアス電圧を大きく
すると、これに直列に接続された１次コイルに供
給されるRF信号のレベルは上昇し、pinダイオー
ドに加えるバイアス電圧を小さくすると１次コイ
ルに供給されるRF信号のレベルは下げられる。
このときpinダイオードが１次コイルに直列に接
続されていることにより同調周波数の変化は小さ
い。
すると、これに直列に接続された１次コイルに供
給されるRF信号のレベルは上昇し、pinダイオー
ドに加えるバイアス電圧を小さくすると１次コイ
ルに供給されるRF信号のレベルは下げられる。
このときpinダイオードが１次コイルに直列に接
続されていることにより同調周波数の変化は小さ
い。
実施例
第１図は本考案の一実施例の回路図を示す。同
図において、第３図と同一構成部分には同一符号
を付し、その説明を省略する。
図において、第３図と同一構成部分には同一符号
を付し、その説明を省略する。
コイルL2とL3は互いに磁気的に結合（誘導結
合）されて夫々１次コイル、２次コイルとなり、
コイルL2には直列にpinダイオードD3，D4が接続
されている。pinダイオードD3のアノードにはコ
イルL4、及び抵抗R5を介してAGC増幅部７が接
続され、コイルL4と抵抗R5の接続点はコンデン
サC2を介して接地されている。
合）されて夫々１次コイル、２次コイルとなり、
コイルL2には直列にpinダイオードD3，D4が接続
されている。pinダイオードD3のアノードにはコ
イルL4、及び抵抗R5を介してAGC増幅部７が接
続され、コイルL4と抵抗R5の接続点はコンデン
サC2を介して接地されている。
pinダイオードの電圧−電流特性は通常のダイ
オードのそれと比べて傾斜が穏やかであるため、
加える電圧を変化させることにより抵抗値を変化
させることができる。第１図に示す回路では２つ
のpinダイオードD3，D4が直列に接続されている
が、これはリダクシヨン効果、即ちRF信号に対
する減衰効果を高めるためでり、場合によつては
単一のpinダイオードのみを用いることもできる。
オードのそれと比べて傾斜が穏やかであるため、
加える電圧を変化させることにより抵抗値を変化
させることができる。第１図に示す回路では２つ
のpinダイオードD3，D4が直列に接続されている
が、これはリダクシヨン効果、即ちRF信号に対
する減衰効果を高めるためでり、場合によつては
単一のpinダイオードのみを用いることもできる。
コイルL4はアンテナ側から見たインピーダン
スの低下を防ぐために高インピーダンスとなる大
きなインダクタンスを持つものとし、抵抗R5は
応答性を高めるために低抵抗とする。またコンデ
ンサC2はRF信号に対するインピーダンスが十分
小さくなるような値のものを用いる。AGC増幅
部７は端子６に、例えば中間周波数増幅段より供
給されるAGC電圧をトランジスタＱによつて増
幅してpinダイオードD3，D4を駆動するための電
流を得るものであるが、十分な駆動電流が得られ
る場合にはAGC増幅部７はなくてもよい。
スの低下を防ぐために高インピーダンスとなる大
きなインダクタンスを持つものとし、抵抗R5は
応答性を高めるために低抵抗とする。またコンデ
ンサC2はRF信号に対するインピーダンスが十分
小さくなるような値のものを用いる。AGC増幅
部７は端子６に、例えば中間周波数増幅段より供
給されるAGC電圧をトランジスタＱによつて増
幅してpinダイオードD3，D4を駆動するための電
流を得るものであるが、十分な駆動電流が得られ
る場合にはAGC増幅部７はなくてもよい。
入力端子６に供給されるAGC電圧は受信レベ
ルが上がると低下し、受信レベルが下がると上昇
する。通常の受信状態ではトランジスタＱのベー
スには所定の電圧が加えられ、電源電圧＋Ｂはト
ランジスタＱ、抵抗R5、コイルL4を介してpinダ
イオードD3，D4に加わり、pinダイオードD3，D4
に所定の電圧が流れる。入力端子１に供給される
RF信号はpinダイオードD3，D4、コイルL2を流
れ、コイルL3及びバラクタダイオードBD1，BD2
よりなる並列共振回路に伝達される。一方、受信
レベルが上がつて強入力となるとAGC電圧は低
下してトランジスタＱのベースバイアス電圧を下
げ、電源電圧＋ＢからトランジスタＱ，抵抗R5
及びコイルL4を介してpinダイオードD3，D4に加
わるバイアス電圧も低下する。このため入力端子
１に供給されるRF信号に対するpinダイオード
D3，D4の抵抗は大となり、コイルL2，L3から並
列共振回路へ伝達されるRF信号レベルの上昇は
抑えられる。
ルが上がると低下し、受信レベルが下がると上昇
する。通常の受信状態ではトランジスタＱのベー
スには所定の電圧が加えられ、電源電圧＋Ｂはト
ランジスタＱ、抵抗R5、コイルL4を介してpinダ
イオードD3，D4に加わり、pinダイオードD3，D4
に所定の電圧が流れる。入力端子１に供給される
RF信号はpinダイオードD3，D4、コイルL2を流
れ、コイルL3及びバラクタダイオードBD1，BD2
よりなる並列共振回路に伝達される。一方、受信
レベルが上がつて強入力となるとAGC電圧は低
下してトランジスタＱのベースバイアス電圧を下
げ、電源電圧＋ＢからトランジスタＱ，抵抗R5
及びコイルL4を介してpinダイオードD3，D4に加
わるバイアス電圧も低下する。このため入力端子
１に供給されるRF信号に対するpinダイオード
D3，D4の抵抗は大となり、コイルL2，L3から並
列共振回路へ伝達されるRF信号レベルの上昇は
抑えられる。
このような動作を行なう場合にpinダイオード
D3，D4はコイルL2と直列に接続されていること
から、RF信号はそのレベルのみが変化され周波
数はもとのままで変化しない。第２図はこの様子
を示したもので、実線は強入力時のRF信号に対
しレベル調整を行わない場合に得られる同調回路
の周波数特性であり、破線はこの強入力時のRF
信号に対し第１図に示す回路によつて得られる同
調特性である。これを第４図と比較するとわかる
ようにRF信号のレベルを下げても同調特性の中
心周波数は変化しない。またコイルL3、バラク
タダイオードBD1，BD2よりなる並列共振回路を
直接シヤントしない構成としたため回路のＱの低
下も少ない。
D3，D4はコイルL2と直列に接続されていること
から、RF信号はそのレベルのみが変化され周波
数はもとのままで変化しない。第２図はこの様子
を示したもので、実線は強入力時のRF信号に対
しレベル調整を行わない場合に得られる同調回路
の周波数特性であり、破線はこの強入力時のRF
信号に対し第１図に示す回路によつて得られる同
調特性である。これを第４図と比較するとわかる
ようにRF信号のレベルを下げても同調特性の中
心周波数は変化しない。またコイルL3、バラク
タダイオードBD1，BD2よりなる並列共振回路を
直接シヤントしない構成としたため回路のＱの低
下も少ない。
考案の効果
上述の如く、本考案によれば、RF信号が強入
力となつた場合にそのレベルを有効に下げること
ができると同時に、この動作において同調中心周
波数は変化する事がなくなり、また選択特性の劣
化が少なくなる事等により、従来方式に比較して
耐妨害特性が極めて良好であるという特長を有す
る。
力となつた場合にそのレベルを有効に下げること
ができると同時に、この動作において同調中心周
波数は変化する事がなくなり、また選択特性の劣
化が少なくなる事等により、従来方式に比較して
耐妨害特性が極めて良好であるという特長を有す
る。
第１図は本考案の一実施例の回路図、第２図は
第１図に示す回路の同調特性の概略を示す図、第
３図は従来回路の回路図、第４図は第３図に示す
回路の同調特性の概略を示す図である。 １，３，４，５，６……入力端子、２……
MOSFET、D1〜D4……pinダイオード、BD1，
BD2……バラクタダイオード、L1〜L4……コイ
ル、R1〜R5……抵抗、C1〜C3……コンデンサ、
Ｑ……トランジスタ。
第１図に示す回路の同調特性の概略を示す図、第
３図は従来回路の回路図、第４図は第３図に示す
回路の同調特性の概略を示す図である。 １，３，４，５，６……入力端子、２……
MOSFET、D1〜D4……pinダイオード、BD1，
BD2……バラクタダイオード、L1〜L4……コイ
ル、R1〜R5……抵抗、C1〜C3……コンデンサ、
Ｑ……トランジスタ。
Claims (1)
- 並列に接続されたコイルとコンデンサのうちい
ずれか一方または両方を可変することにより所定
周波数の信号を選択するFMチユーナの同調回路
において、該コイルを互いに誘導結合された１次
コイル及び２次コイルとし、該１次コイルに直列
にpinダイオを接続し、検出した信号レベルに応
じて該PINダイオードに加えるバイアス電圧を変
化させる信号レベル検出手段を具備してなるFM
チユーナの同調回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15578988U JPH0441625Y2 (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15578988U JPH0441625Y2 (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0277926U JPH0277926U (ja) | 1990-06-14 |
| JPH0441625Y2 true JPH0441625Y2 (ja) | 1992-09-30 |
Family
ID=31433728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15578988U Expired JPH0441625Y2 (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0441625Y2 (ja) |
-
1988
- 1988-11-30 JP JP15578988U patent/JPH0441625Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0277926U (ja) | 1990-06-14 |
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