JP2000022241A5 - - Google Patents

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【００３６】
まず、図２の内容に従って示す製造工程を説明する。不純物濃度が１〜２×1018atom/cm 3 のｎ型ガリウム砒素からなる半導体基板１１上にＭＢＥ法により、不純物濃度が２×1018atom/cm 3 で厚さ1.5μmのｎ型ガリウム砒素からなる第１のコンタクト層１２、不純物濃度が1.2×1016atom/cm 3 で厚さ1.6μmのｎ型ガリウム砒素からなる活性層１３、不純物濃度が１×1018atom/cm 3 で厚さ0.3μmのｎ型ガリウム砒素からなる第２のコンタクト層１４を順次積層した半導体基板を用意する。
【００４４】
半導体基板１１の裏面に形成する金属膜２１は必ずしも必要ないが、後記する実装構造（図１５）をとる場合には、カソード電極１５に代えたカソード電極として機能させることができる。このとき、カソード電極１５とアノード電極１６との面積比には、上記した１／１０以下にするというような制約はなくなる。
【００４９】
［第２の実施の形態］
図４はガンダイオード素子１０をマイクロストリップ線路３０を形成する平板回路基板に実装して発振器を構成した構造の一例を示す図である。ＡｌＮ（窒化アルミニウム）、ＳｉＣ（シリコンカーバイド）、ダイアモンド等のように比抵抗が106Ω・cm以上、熱電導率が１４０W/mK以上で良好な半絶縁性の平板基板３１上に、信号電極３２が、また裏面に接地電極３３が形成されている。３４はタングステンを充填したヴィアホールであり、裏面の接地電極３３と表面に形成した表面接地電極３５を接続している。
【００５４】
図８は発振スペクトラムを示す図であり、ピーク発振周波数が58.68ＧＨｚにおいて、位相雑音が１００ＫＨｚオフキャリア（離れたところ）で−85dB／Hzとなっており、導波管キャビティによるガンダイオード発振器よりも良好な値を示している。なお、図８では−46.7dBであるが、
−47.6dB＋2.5dB＋10log（１Hz／（10KHz×1.2））＝−85dB
の式により、−85dB／Hzとなる。
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