JPH10261712A - 導電領域の形成方法及び薄膜素子 - Google Patents
導電領域の形成方法及び薄膜素子Info
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- JPH10261712A JPH10261712A JP6612497A JP6612497A JPH10261712A JP H10261712 A JPH10261712 A JP H10261712A JP 6612497 A JP6612497 A JP 6612497A JP 6612497 A JP6612497 A JP 6612497A JP H10261712 A JPH10261712 A JP H10261712A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体素子などの薄膜素子において、コンタ
クトホールを形成することなく、多層配線を行うことが
できる導電領域の新規な形成方法及び新規な薄膜素子を
得る。 【解決手段】 基板１上に形成された薄膜素子におい
て、エネルギービーム照射により照射領域が導電化する
絶縁性薄膜として非晶質ダイヤモンド状被膜３を形成す
る工程と、該非晶質ダイヤモンド状被膜３にエネルギー
ビーム２０を照射し、導電領域３ａを形成する工程とを
備えることを特徴としている。
クトホールを形成することなく、多層配線を行うことが
できる導電領域の新規な形成方法及び新規な薄膜素子を
得る。 【解決手段】 基板１上に形成された薄膜素子におい
て、エネルギービーム照射により照射領域が導電化する
絶縁性薄膜として非晶質ダイヤモンド状被膜３を形成す
る工程と、該非晶質ダイヤモンド状被膜３にエネルギー
ビーム２０を照射し、導電領域３ａを形成する工程とを
備えることを特徴としている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子などの
基板上に形成される薄膜素子において導電領域を形成す
る方法及び薄膜素子に関するものである。
基板上に形成される薄膜素子において導電領域を形成す
る方法及び薄膜素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路などの半導体素子におい
ては、アルミニウムやタングステンなどの金属を用いて
パターニングすることにより配線が形成されている。集
積度を上げるためには、絶縁膜を介して多数の回路を積
層することが必要となり、各層の間を配線によって電気
的に接続する必要が生じる。従来、このような多層配線
は、層間絶縁膜の一部にコンタクトホールを形成し、下
層配線と上層配線とを電気的に接続している。
ては、アルミニウムやタングステンなどの金属を用いて
パターニングすることにより配線が形成されている。集
積度を上げるためには、絶縁膜を介して多数の回路を積
層することが必要となり、各層の間を配線によって電気
的に接続する必要が生じる。従来、このような多層配線
は、層間絶縁膜の一部にコンタクトホールを形成し、下
層配線と上層配線とを電気的に接続している。
【０００３】図８は、このような従来のコンタクトホー
ルによる多層配線を説明するための断面図である。図８
（ａ）を参照して、基板１の上には下層配線２が形成さ
れる。次に、図８（ｂ）に示すように、基板１及び下層
配線２の上に層間絶縁膜１０が形成される。次に、図８
（ｃ）に示すように、下層配線２の上方の層間絶縁膜１
０の一部にコンタクトホール１０ａが形成され、コンタ
クトホール１０ａの部分で下層配線２が露出する。次
に、図８（ｄ）に示すように、層間絶縁膜１０上及びコ
ンタクトホール１０ａ内に上層配線４が形成される。上
層配線４は、コンタクトホール１０ａ内で下層配線２と
電気的に接続している。
ルによる多層配線を説明するための断面図である。図８
（ａ）を参照して、基板１の上には下層配線２が形成さ
れる。次に、図８（ｂ）に示すように、基板１及び下層
配線２の上に層間絶縁膜１０が形成される。次に、図８
（ｃ）に示すように、下層配線２の上方の層間絶縁膜１
０の一部にコンタクトホール１０ａが形成され、コンタ
クトホール１０ａの部分で下層配線２が露出する。次
に、図８（ｄ）に示すように、層間絶縁膜１０上及びコ
ンタクトホール１０ａ内に上層配線４が形成される。上
層配線４は、コンタクトホール１０ａ内で下層配線２と
電気的に接続している。
【０００４】従来においては、図８に示すように、層間
絶縁膜にコンタクトホールを形成することにより、上層
配線と下層配線とを電気的に接続している。
絶縁膜にコンタクトホールを形成することにより、上層
配線と下層配線とを電気的に接続している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなコンタクトホールによる電気的接続では、コンタク
トホールのエッジの部分が急峻であると、このエッジの
部分で上層配線が断線する場合があり、上下配線間での
接続不良等を生じるという問題があった。
うなコンタクトホールによる電気的接続では、コンタク
トホールのエッジの部分が急峻であると、このエッジの
部分で上層配線が断線する場合があり、上下配線間での
接続不良等を生じるという問題があった。
【０００６】また、コンタクトホールによる電気的接続
では、コンタクトホールと上層配線等との間に隙間が生
じ、この隙間を通して水分が内部に侵入するため耐湿性
等が劣るという問題があった。
では、コンタクトホールと上層配線等との間に隙間が生
じ、この隙間を通して水分が内部に侵入するため耐湿性
等が劣るという問題があった。
【０００７】本発明の目的は、このような従来の問題点
を解消することにあり、半導体素子などの薄膜素子にお
いて、導電領域を形成する新規な方法及び新規な導電領
域の構造を有する薄膜素子を提供することにある。
を解消することにあり、半導体素子などの薄膜素子にお
いて、導電領域を形成する新規な方法及び新規な導電領
域の構造を有する薄膜素子を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に形成
された薄膜素子に導電領域を形成するための方法であ
り、エネルギービームの照射により照射領域が導電化す
る絶縁性薄膜を形成する工程と、該絶縁性薄膜にエネル
ギービームを照射し、導電領域を形成する工程とを備え
ている。
された薄膜素子に導電領域を形成するための方法であ
り、エネルギービームの照射により照射領域が導電化す
る絶縁性薄膜を形成する工程と、該絶縁性薄膜にエネル
ギービームを照射し、導電領域を形成する工程とを備え
ている。
【０００９】本発明に従えば、絶縁性薄膜の一部にエネ
ルギービームを照射することにより、絶縁性薄膜に導電
領域を形成する。従って、段差を生じることなく導電領
域を形成することができる。また、コンタクトホール等
を形成する必要がないので、素子構造中に隙間が形成さ
れず、耐湿性等を向上させることができる。
ルギービームを照射することにより、絶縁性薄膜に導電
領域を形成する。従って、段差を生じることなく導電領
域を形成することができる。また、コンタクトホール等
を形成する必要がないので、素子構造中に隙間が形成さ
れず、耐湿性等を向上させることができる。
【００１０】本発明における絶縁性薄膜としては、例え
ば、炭素を主成分とする薄膜を挙げることができる。炭
素を主成分とする薄膜は、エネルギービームの照射によ
り、グラファイト化して導電化することができる。この
ような炭素を主成分とする薄膜として、具体的には、非
晶質ダイヤモンド状被膜、結晶性部分を含むダイヤモン
ド状被膜、及び結晶質ダイヤモンド被膜を挙げることが
できる。これらの被膜は、熱伝導率が高いので、これら
の被膜を本発明における絶縁性薄膜として用いる場合、
熱放散性を高めることができる。これらの被膜の形成方
法は、特に限定されるものではないが、プラズマＣＶＤ
法及び熱ＣＶＤ法などのＣＶＤ法や、スパッタリング法
などの一般的な薄膜形成方法により形成することができ
る。これらの被膜の中でも、非晶質ダイヤモンド状被膜
は、比較的低い基板温度で形成することができ、また表
面の平滑性が良好な被膜として形成することができるた
め好ましい。
ば、炭素を主成分とする薄膜を挙げることができる。炭
素を主成分とする薄膜は、エネルギービームの照射によ
り、グラファイト化して導電化することができる。この
ような炭素を主成分とする薄膜として、具体的には、非
晶質ダイヤモンド状被膜、結晶性部分を含むダイヤモン
ド状被膜、及び結晶質ダイヤモンド被膜を挙げることが
できる。これらの被膜は、熱伝導率が高いので、これら
の被膜を本発明における絶縁性薄膜として用いる場合、
熱放散性を高めることができる。これらの被膜の形成方
法は、特に限定されるものではないが、プラズマＣＶＤ
法及び熱ＣＶＤ法などのＣＶＤ法や、スパッタリング法
などの一般的な薄膜形成方法により形成することができ
る。これらの被膜の中でも、非晶質ダイヤモンド状被膜
は、比較的低い基板温度で形成することができ、また表
面の平滑性が良好な被膜として形成することができるた
め好ましい。
【００１１】ダイヤモンド状薄膜は、４００℃程度に加
熱することによりグラファイト化することが知られてお
り、従って、エネルギービームを照射して加熱すること
によりグラファイト化し導電化することができる。ま
た、結晶質ダイヤモンド被膜は、１５００℃程度に局所
的に加熱することによりグラファイト化することが知ら
れており、従って、エネルギービームの照射によって加
熱することによりグラファイト化し導電化することがで
きる。
熱することによりグラファイト化することが知られてお
り、従って、エネルギービームを照射して加熱すること
によりグラファイト化し導電化することができる。ま
た、結晶質ダイヤモンド被膜は、１５００℃程度に局所
的に加熱することによりグラファイト化することが知ら
れており、従って、エネルギービームの照射によって加
熱することによりグラファイト化し導電化することがで
きる。
【００１２】本発明における絶縁性薄膜の膜厚は、絶縁
性薄膜の材質や、薄膜素子における導電領域の構造等に
より適宜設定することができるものであるが、一般には
０．１〜１μｍ程度の膜厚が好ましい。
性薄膜の材質や、薄膜素子における導電領域の構造等に
より適宜設定することができるものであるが、一般には
０．１〜１μｍ程度の膜厚が好ましい。
【００１３】本発明において、絶縁性薄膜を導電化する
ためのエネルギービームとしては、電子ビームやレーザ
ービーム等を用いることができる。電子ビームの照射条
件の一例としては、電力密度１〜１００ｋＷ／ｃｍ2 、
ビーム幅０．１〜１００μｍ、照射時間１０-6秒〜１０
-2秒を挙げることができる。また、必要に応じてパルス
状の電子ビームを照射することができる。レーザービー
ムの照射条件の一例としては、パワー密度１〜１０００
ｋＷ／ｃｍ2 、ビーム幅１〜１００μｍ、照射時間１０
-8秒〜１０-2秒を挙げることができる。また、レーザー
ビームも、必要に応じてパルス状のレーザービームを用
いることができる。また、レーザービームの光源として
は、エキシマレーザー、アルゴンレーザー、あるいはＹ
ＡＧ等のレーザービーム光源を用いることができる。
ためのエネルギービームとしては、電子ビームやレーザ
ービーム等を用いることができる。電子ビームの照射条
件の一例としては、電力密度１〜１００ｋＷ／ｃｍ2 、
ビーム幅０．１〜１００μｍ、照射時間１０-6秒〜１０
-2秒を挙げることができる。また、必要に応じてパルス
状の電子ビームを照射することができる。レーザービー
ムの照射条件の一例としては、パワー密度１〜１０００
ｋＷ／ｃｍ2 、ビーム幅１〜１００μｍ、照射時間１０
-8秒〜１０-2秒を挙げることができる。また、レーザー
ビームも、必要に応じてパルス状のレーザービームを用
いることができる。また、レーザービームの光源として
は、エキシマレーザー、アルゴンレーザー、あるいはＹ
ＡＧ等のレーザービーム光源を用いることができる。
【００１４】本発明において、エネルギービームを照射
して絶縁性薄膜を導電化し導電領域を形成する際、導電
領域以外の部分へのビーム照射や温度上昇を抑制するた
め、導電領域以外の領域の表面上に反射膜や吸熱膜等を
形成してもよい。
して絶縁性薄膜を導電化し導電領域を形成する際、導電
領域以外の部分へのビーム照射や温度上昇を抑制するた
め、導電領域以外の領域の表面上に反射膜や吸熱膜等を
形成してもよい。
【００１５】本発明において、絶縁性薄膜は、下地層の
上に中間層を形成し、この中間層の上に形成してもよ
い。下層配線や基板等の下地層と絶縁性薄膜のなじみが
悪く、接着性等が良好でない場合には、このような中間
層を形成し、中間層の上に形成することにより接着性等
を改善することができる。絶縁性薄膜として、ダイヤモ
ンド状被膜のような炭素を主成分とする薄膜を形成する
場合には、このような中間層として、例えば、Ｓｉ、Ｒ
ｕ、Ｍｏ、Ｃ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｔｉ、またはこれらのうち
の少なくとも１種の元素の窒化物もしくは酸化物を挙げ
ることができる。
上に中間層を形成し、この中間層の上に形成してもよ
い。下層配線や基板等の下地層と絶縁性薄膜のなじみが
悪く、接着性等が良好でない場合には、このような中間
層を形成し、中間層の上に形成することにより接着性等
を改善することができる。絶縁性薄膜として、ダイヤモ
ンド状被膜のような炭素を主成分とする薄膜を形成する
場合には、このような中間層として、例えば、Ｓｉ、Ｒ
ｕ、Ｍｏ、Ｃ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｔｉ、またはこれらのうち
の少なくとも１種の元素の窒化物もしくは酸化物を挙げ
ることができる。
【００１６】中間層の厚みとしては、一般に、２０Å〜
１０００Å程度であることが好ましい。絶縁性薄膜に導
電領域を形成し、この導電領域を中間層の下の下部配線
等と電気的に接続する場合、中間層を介して電気的に接
続される必要がある。従って、中間層が絶縁性物質から
形成される場合には、中間層を介しても電気的な接続が
可能な程度の薄い膜厚に調整される必要がある。
１０００Å程度であることが好ましい。絶縁性薄膜に導
電領域を形成し、この導電領域を中間層の下の下部配線
等と電気的に接続する場合、中間層を介して電気的に接
続される必要がある。従って、中間層が絶縁性物質から
形成される場合には、中間層を介しても電気的な接続が
可能な程度の薄い膜厚に調整される必要がある。
【００１７】本発明における基板は特に限定されるもの
ではないが、一般には、Ｓｉ、Ｃ、Ａｌ、Ｇｅ、Ｉｎ、
Ａｓ、Ｐ、Ｓｂ単体、またはこれらの化合物からなる半
導体基板、またはダイヤモンド、サファイア、もしくは
ガラスからなる基板等を用いることができる。
ではないが、一般には、Ｓｉ、Ｃ、Ａｌ、Ｇｅ、Ｉｎ、
Ａｓ、Ｐ、Ｓｂ単体、またはこれらの化合物からなる半
導体基板、またはダイヤモンド、サファイア、もしくは
ガラスからなる基板等を用いることができる。
【００１８】本発明の導電領域の形成方法によれば、絶
縁性薄膜の形成後、エネルギービーム照射により導電領
域を形成することができる。従って、導電領域の幅、長
さ、及び面積等を、薄膜形成後のエネルギービームの照
射領域の調整により調整することができる。従って、導
電領域をキャパシタ部の電極やインダクタ部のコイル相
当部分として用いる場合には、このような回路部品の特
性値を薄膜素子の形成後に調整することが可能になる。
縁性薄膜の形成後、エネルギービーム照射により導電領
域を形成することができる。従って、導電領域の幅、長
さ、及び面積等を、薄膜形成後のエネルギービームの照
射領域の調整により調整することができる。従って、導
電領域をキャパシタ部の電極やインダクタ部のコイル相
当部分として用いる場合には、このような回路部品の特
性値を薄膜素子の形成後に調整することが可能になる。
【００１９】本発明の薄膜素子は、基板上に形成された
薄膜素子であり、炭素を主成分とする薄膜を有し、該薄
膜中に導電領域と絶縁領域が形成されていることを特徴
としている。このような薄膜は、例えば、上記本発明の
導電領域の形成方法により、炭素を主成分とする絶縁性
薄膜にエネルギービームを照射し、導電領域を形成する
ことにより形成することができる。従って、炭素を主成
分とする薄膜としては、非晶質ダイヤモンド状被膜、結
晶性部分を含むダイヤモンド状被膜、及び結晶質ダイヤ
モンド被膜を挙げることができる。
薄膜素子であり、炭素を主成分とする薄膜を有し、該薄
膜中に導電領域と絶縁領域が形成されていることを特徴
としている。このような薄膜は、例えば、上記本発明の
導電領域の形成方法により、炭素を主成分とする絶縁性
薄膜にエネルギービームを照射し、導電領域を形成する
ことにより形成することができる。従って、炭素を主成
分とする薄膜としては、非晶質ダイヤモンド状被膜、結
晶性部分を含むダイヤモンド状被膜、及び結晶質ダイヤ
モンド被膜を挙げることができる。
【００２０】本発明の薄膜素子においては、炭素を主成
分とする薄膜中に導電領域と絶縁領域が形成されてい
る。従って、導電領域の部分と絶縁領域の部分とを同一
平面上に形成することができる。このため、薄膜素子構
造において段差のない構造とすることができ、膜切れ等
による断線の発生を防止することができる。また、コン
タクトホール等を形成することなく、上層配線と下層配
線とを電気的に接続することができるので、薄膜素子構
造においてコンタクトホール等の形成による隙間の発生
が生じることがない。従って、耐湿性等に優れた薄膜素
子構造とすることができる。また、ダイヤモンド状被膜
やダイヤモンド被膜などの熱伝導率の高い薄膜を用いる
ことにより、熱放散性の良好な薄膜素子構造とすること
ができる。
分とする薄膜中に導電領域と絶縁領域が形成されてい
る。従って、導電領域の部分と絶縁領域の部分とを同一
平面上に形成することができる。このため、薄膜素子構
造において段差のない構造とすることができ、膜切れ等
による断線の発生を防止することができる。また、コン
タクトホール等を形成することなく、上層配線と下層配
線とを電気的に接続することができるので、薄膜素子構
造においてコンタクトホール等の形成による隙間の発生
が生じることがない。従って、耐湿性等に優れた薄膜素
子構造とすることができる。また、ダイヤモンド状被膜
やダイヤモンド被膜などの熱伝導率の高い薄膜を用いる
ことにより、熱放散性の良好な薄膜素子構造とすること
ができる。
【００２１】本発明の薄膜素子の一実施態様において
は、薄膜中の導電領域は、下層配線と上層配線の間に形
成され、下層配線と上層配線とを電気的に接続するため
に設けられる。従って、従来のコンタクトホール等と同
様の目的で設けられる。
は、薄膜中の導電領域は、下層配線と上層配線の間に形
成され、下層配線と上層配線とを電気的に接続するため
に設けられる。従って、従来のコンタクトホール等と同
様の目的で設けられる。
【００２２】また、本発明の薄膜素子の他の実施態様に
おいては、薄膜の導電領域が、薄膜素子の配線として形
成される。このように配線として形成した場合にも、配
線部分が突出することがなく、段差のない配線構造とす
ることができる。
おいては、薄膜の導電領域が、薄膜素子の配線として形
成される。このように配線として形成した場合にも、配
線部分が突出することがなく、段差のない配線構造とす
ることができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】図１は、本発明に従う一実施例を
示す断面図であり、一実施例の薄膜素子の製造工程を示
している。図１（ａ）を参照して、Ｓｉからなる基板１
の上には、Ｗからなる下層配線２が形成されている。図
１（ｂ）に示すように、基板１及び下層配線２の上に
は、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法により、膜厚０．５μｍの
非晶質ダイヤモンド状被膜３が形成される。図１（ｃ）
を参照して、非晶質ダイヤモンド状被膜３の所定領域
に、エネルギービーム２０としての電子ビームが照射さ
れる。電子ビームの照射条件は、電力密度を８０ｋＷ／
ｃｍ2 程度とし、ビーム幅を１０μｍとする。また電子
ビームは１０-3秒のパルス状に照射される。これによっ
て、非晶質ダイヤモンド状被膜３の所定領域を４００℃
以上に加熱し、グラファイト化して導電領域３ａを形成
する。
示す断面図であり、一実施例の薄膜素子の製造工程を示
している。図１（ａ）を参照して、Ｓｉからなる基板１
の上には、Ｗからなる下層配線２が形成されている。図
１（ｂ）に示すように、基板１及び下層配線２の上に
は、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法により、膜厚０．５μｍの
非晶質ダイヤモンド状被膜３が形成される。図１（ｃ）
を参照して、非晶質ダイヤモンド状被膜３の所定領域
に、エネルギービーム２０としての電子ビームが照射さ
れる。電子ビームの照射条件は、電力密度を８０ｋＷ／
ｃｍ2 程度とし、ビーム幅を１０μｍとする。また電子
ビームは１０-3秒のパルス状に照射される。これによっ
て、非晶質ダイヤモンド状被膜３の所定領域を４００℃
以上に加熱し、グラファイト化して導電領域３ａを形成
する。
【００２４】次に、図１（ｄ）に示すように、導電領域
３ａを覆うようにＷからなる上層配線４を非晶質ダイヤ
モンド状被膜３上に形成する。以上のようにして得られ
る薄膜素子においては、非晶質ダイヤモンド状被膜３中
の導電領域３ａにより、下層配線２と上層配線４が接続
され、多層配線が形成されている。従来のようなコンタ
クトホール等による段差がないので、断線等を生じるこ
となく、下層配線２と上層配線４を電気的に接続するこ
とができる。
３ａを覆うようにＷからなる上層配線４を非晶質ダイヤ
モンド状被膜３上に形成する。以上のようにして得られ
る薄膜素子においては、非晶質ダイヤモンド状被膜３中
の導電領域３ａにより、下層配線２と上層配線４が接続
され、多層配線が形成されている。従来のようなコンタ
クトホール等による段差がないので、断線等を生じるこ
となく、下層配線２と上層配線４を電気的に接続するこ
とができる。
【００２５】また、熱伝導率の良好な非晶質ダイヤモン
ド状被膜３が、下層配線２及び上層配線４の間に設けら
れているので、薄膜素子内で発生する熱を効率よく伝達
することができ、熱放散性において優れた薄膜素子とす
ることができる。
ド状被膜３が、下層配線２及び上層配線４の間に設けら
れているので、薄膜素子内で発生する熱を効率よく伝達
することができ、熱放散性において優れた薄膜素子とす
ることができる。
【００２６】図２は、本発明に従う他の実施例を示す断
面図であり、本発明に従う薄膜素子の製造工程を示して
いる。図２（ａ）を参照して、ガラスからなる基板１の
上にＡｌからなる下層配線２を形成する。次に、図２
（ｂ）に示すように、プラズマＣＶＤ法等により、Ｓｉ
ＮまたはＳｉＯ2 などからなる絶縁膜５を形成する。次
に、図２（ｃ）に示すように、下層配線２上方の絶縁膜
５の領域にコンタクトホール５ａを形成し、この部分に
おいて下層配線２を露出させる。
面図であり、本発明に従う薄膜素子の製造工程を示して
いる。図２（ａ）を参照して、ガラスからなる基板１の
上にＡｌからなる下層配線２を形成する。次に、図２
（ｂ）に示すように、プラズマＣＶＤ法等により、Ｓｉ
ＮまたはＳｉＯ2 などからなる絶縁膜５を形成する。次
に、図２（ｃ）に示すように、下層配線２上方の絶縁膜
５の領域にコンタクトホール５ａを形成し、この部分に
おいて下層配線２を露出させる。
【００２７】次に、図２（ｄ）に示すように、絶縁膜５
の上に、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法により、膜厚０．５μ
ｍの非晶質ダイヤモンド状被膜３を形成する。この非晶
質ダイヤモンド状被膜３は、絶縁膜５のコンタクトホー
ル５ａ内にも形成される。次に、図２（ｅ）に示すよう
に、コンタクトホール５ａを含む領域において、エネル
ギービーム２０としてのアルゴンレーザービームを照射
し、照射領域をグラファイト化することにより非晶質ダ
イヤモンド状被膜３に導電領域３ａを形成する。レーザ
ービームの照射条件としては、パワー密度３ｋＷ／ｃｍ
2 、ビーム幅５０μｍとし、１０-4秒のパルス状に照射
する。次に、図２（ｆ）に示すように、導電領域３ａと
接するように非晶質ダイヤモンド状被膜３の上に引き出
し電極としての上層電極４を形成する。
の上に、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法により、膜厚０．５μ
ｍの非晶質ダイヤモンド状被膜３を形成する。この非晶
質ダイヤモンド状被膜３は、絶縁膜５のコンタクトホー
ル５ａ内にも形成される。次に、図２（ｅ）に示すよう
に、コンタクトホール５ａを含む領域において、エネル
ギービーム２０としてのアルゴンレーザービームを照射
し、照射領域をグラファイト化することにより非晶質ダ
イヤモンド状被膜３に導電領域３ａを形成する。レーザ
ービームの照射条件としては、パワー密度３ｋＷ／ｃｍ
2 、ビーム幅５０μｍとし、１０-4秒のパルス状に照射
する。次に、図２（ｆ）に示すように、導電領域３ａと
接するように非晶質ダイヤモンド状被膜３の上に引き出
し電極としての上層電極４を形成する。
【００２８】本実施例では、上層電極４と下層電極２の
間の電気的な接続を導電領域３ａによって行うと共に、
導電領域３ａが配線としても用いられている。図３は、
本発明に従うさらに他の実施例を示す断面図であり、本
発明における導電領域をキャパシタ部の電極として用い
る実施例を示している。図３（ａ）を参照して、サファ
イアからなる基板１の上に、Ａｌからなる下層配線２を
形成する。次に、図３（ｂ）に示すように、基板１上及
び下層配線２の上に、ＳｉＮまたはＳｉＯ2 などからな
る絶縁膜５を形成する。
間の電気的な接続を導電領域３ａによって行うと共に、
導電領域３ａが配線としても用いられている。図３は、
本発明に従うさらに他の実施例を示す断面図であり、本
発明における導電領域をキャパシタ部の電極として用い
る実施例を示している。図３（ａ）を参照して、サファ
イアからなる基板１の上に、Ａｌからなる下層配線２を
形成する。次に、図３（ｂ）に示すように、基板１上及
び下層配線２の上に、ＳｉＮまたはＳｉＯ2 などからな
る絶縁膜５を形成する。
【００２９】次に、図３（ｃ）に示すように、絶縁膜５
の上にＥＣＲプラズマＣＶＤ法により、膜厚０．５μｍ
の非晶質ダイヤモンド状被膜３を形成する。次に、図３
（ｄ）に示すように、下層配線２の一部の領域を含むよ
うにエネルギービーム２０としての電子ビームを、図１
に示す実施例と同様の条件で照射し、非晶質ダイヤモン
ド状被膜３の一部をグラファイト化することにより導電
領域３ａを形成する。次に、図３（ｅ）に示すように、
導電領域３ａと接するように非晶質ダイヤモンド状被膜
３上に、引き出し電極としての上層電極４を形成する。
の上にＥＣＲプラズマＣＶＤ法により、膜厚０．５μｍ
の非晶質ダイヤモンド状被膜３を形成する。次に、図３
（ｄ）に示すように、下層配線２の一部の領域を含むよ
うにエネルギービーム２０としての電子ビームを、図１
に示す実施例と同様の条件で照射し、非晶質ダイヤモン
ド状被膜３の一部をグラファイト化することにより導電
領域３ａを形成する。次に、図３（ｅ）に示すように、
導電領域３ａと接するように非晶質ダイヤモンド状被膜
３上に、引き出し電極としての上層電極４を形成する。
【００３０】以上のようにして得られる薄膜素子におい
ては、下層配線２と導電領域３ａとの間で平行平板型の
キャパシタ部が形成されている。このキャパシタ部の容
量は、下層配線２と導電領域３ａの重なり面積によって
変化するので、導電領域３ａの形成領域を変えることに
より、キャパシタ部の容量を調整することができる。従
って、所望の容量ではない場合、導電領域３ａ近傍の非
晶質ダイヤモンド状被膜３をエネルギービームで照射し
導電化することにより、導電領域３ａの面積をさらに拡
げることができ、これによってキャパシタ部の容量を調
整することができる。従って、本実施例の構造によれ
ば、素子作製後、特性をチェックし、所望の特性からず
れている場合には、キャパシタ部の容量を調整すること
ができる。
ては、下層配線２と導電領域３ａとの間で平行平板型の
キャパシタ部が形成されている。このキャパシタ部の容
量は、下層配線２と導電領域３ａの重なり面積によって
変化するので、導電領域３ａの形成領域を変えることに
より、キャパシタ部の容量を調整することができる。従
って、所望の容量ではない場合、導電領域３ａ近傍の非
晶質ダイヤモンド状被膜３をエネルギービームで照射し
導電化することにより、導電領域３ａの面積をさらに拡
げることができ、これによってキャパシタ部の容量を調
整することができる。従って、本実施例の構造によれ
ば、素子作製後、特性をチェックし、所望の特性からず
れている場合には、キャパシタ部の容量を調整すること
ができる。
【００３１】図４は、本発明に従うさらに他の実施例を
示す断面図であり、本発明を適用したトレンチ型のキャ
パシタ部を有する薄膜素子の製造工程を示している。図
４（ａ）に示すように、ｐ型Ｓｉ基板１１の一部に、幅
１μｍ、深さ５μｍ程度のトレンチ１２を形成する。次
に、図４（ｂ）に示すように、トレンチ１２を含む領域
にイオン注入法により高濃度ｎ+ ドープ領域１３を形成
する。次に、図４（ｃ）に示すように、トレンチ１２を
含む基板１１の上にプラズマＣＶＤ法により、厚み０．
１μｍのＳｉＮからなる絶縁膜１４を形成する。この絶
縁膜１４は、トレンチ１２内面にも一様に形成される。
示す断面図であり、本発明を適用したトレンチ型のキャ
パシタ部を有する薄膜素子の製造工程を示している。図
４（ａ）に示すように、ｐ型Ｓｉ基板１１の一部に、幅
１μｍ、深さ５μｍ程度のトレンチ１２を形成する。次
に、図４（ｂ）に示すように、トレンチ１２を含む領域
にイオン注入法により高濃度ｎ+ ドープ領域１３を形成
する。次に、図４（ｃ）に示すように、トレンチ１２を
含む基板１１の上にプラズマＣＶＤ法により、厚み０．
１μｍのＳｉＮからなる絶縁膜１４を形成する。この絶
縁膜１４は、トレンチ１２内面にも一様に形成される。
【００３２】次に、図４（ｄ）に示すように、絶縁膜１
４の上にＥＣＲプラズマＣＶＤ法により、非晶質ダイヤ
モンド状被膜３を形成する。この非晶質ダイヤモンド状
被膜３は、トレンチ１２内が埋まる程度の厚みとなるよ
うに形成する。次に、図４（ｅ）に示すように、トレン
チ１２を含む領域において、非晶質ダイヤモンド状被膜
３を、エネルギービーム２０としてのレーザービームに
より照射し、グラファイト化することにより導電領域３
ａを形成する。なお、レーザービームは、図２に示す実
施例と同様の照射条件で照射する。
４の上にＥＣＲプラズマＣＶＤ法により、非晶質ダイヤ
モンド状被膜３を形成する。この非晶質ダイヤモンド状
被膜３は、トレンチ１２内が埋まる程度の厚みとなるよ
うに形成する。次に、図４（ｅ）に示すように、トレン
チ１２を含む領域において、非晶質ダイヤモンド状被膜
３を、エネルギービーム２０としてのレーザービームに
より照射し、グラファイト化することにより導電領域３
ａを形成する。なお、レーザービームは、図２に示す実
施例と同様の照射条件で照射する。
【００３３】以上のようにして、図４（ｆ）に示すよう
な薄膜素子を得ることができる。この薄膜素子において
は、高濃度ｎ+ ドープ領域１３と導電領域３ａの間に絶
縁膜１４が挟まれており、トレンチ型キャパシタ部が形
成されている。このようなトレンチ型キャパシタ部にお
いても、図３に示す実施例と同様に、導電領域３ａの形
成領域を調整することにより、その容量を調整すること
ができる。また、本実施例においては、非晶質ダイヤモ
ンド状被膜３をトレンチ１２内に埋め込むように形成し
ているので、トレンチ１２内において配線の断線等を生
じることがない。
な薄膜素子を得ることができる。この薄膜素子において
は、高濃度ｎ+ ドープ領域１３と導電領域３ａの間に絶
縁膜１４が挟まれており、トレンチ型キャパシタ部が形
成されている。このようなトレンチ型キャパシタ部にお
いても、図３に示す実施例と同様に、導電領域３ａの形
成領域を調整することにより、その容量を調整すること
ができる。また、本実施例においては、非晶質ダイヤモ
ンド状被膜３をトレンチ１２内に埋め込むように形成し
ているので、トレンチ１２内において配線の断線等を生
じることがない。
【００３４】図５は、本発明に従うさらに他の実施例を
示す断面図であり、本発明を適用した平行平板型キャパ
シタ部を有する薄膜素子の製造工程を示している。図５
（ａ）に示すように、ＧａＡｓからなる基板１の上に、
Ａｌからなる下層配線２を形成する。次に、図５（ｂ）
に示すように、基板１及び下層配線２の上に、プラズマ
ＣＶＤ法等により、ＳｉＮまたはＳｉＯ2 などからなる
絶縁膜５を形成する。次に、図５（ｃ）に示すように、
下層配線２と一部重なる領域を有するように絶縁膜５の
上にＡｌからなる上層配線４を形成する。
示す断面図であり、本発明を適用した平行平板型キャパ
シタ部を有する薄膜素子の製造工程を示している。図５
（ａ）に示すように、ＧａＡｓからなる基板１の上に、
Ａｌからなる下層配線２を形成する。次に、図５（ｂ）
に示すように、基板１及び下層配線２の上に、プラズマ
ＣＶＤ法等により、ＳｉＮまたはＳｉＯ2 などからなる
絶縁膜５を形成する。次に、図５（ｃ）に示すように、
下層配線２と一部重なる領域を有するように絶縁膜５の
上にＡｌからなる上層配線４を形成する。
【００３５】次に、図５（ｄ）に示すように、上層配線
４及びその他の領域の絶縁膜５の上に、ＥＣＲプラズマ
ＣＶＤ法により、膜厚０．５μｍの非晶質ダイヤモンド
状被膜３を形成する。次に、図５（ｅ）に示すように、
上層配線４の端部近傍領域において、非晶質ダイヤモン
ド状被膜３にエネルギービーム２０としての電子ビーム
を照射し、グラファイト化することにより、導電領域３
ａを形成する。なお、電子ビームの照射条件は図１に示
す実施例と同様にする。
４及びその他の領域の絶縁膜５の上に、ＥＣＲプラズマ
ＣＶＤ法により、膜厚０．５μｍの非晶質ダイヤモンド
状被膜３を形成する。次に、図５（ｅ）に示すように、
上層配線４の端部近傍領域において、非晶質ダイヤモン
ド状被膜３にエネルギービーム２０としての電子ビーム
を照射し、グラファイト化することにより、導電領域３
ａを形成する。なお、電子ビームの照射条件は図１に示
す実施例と同様にする。
【００３６】以上のようにして、図５（ｆ）に示す平行
平板型キャパシタ部を有する薄膜素子を得ることができ
る。本実施例においても、導電領域３ａの形成領域を調
整することにより、キャパシタの容量を調整することが
できる。
平板型キャパシタ部を有する薄膜素子を得ることができ
る。本実施例においても、導電領域３ａの形成領域を調
整することにより、キャパシタの容量を調整することが
できる。
【００３７】図６は、本発明に従うさらに他の実施例を
示す断面図であり、本実施例では、中間層の上に非晶質
ダイヤモンド状被膜を形成し、導電領域を形成する実施
例を示している。図６（ａ）に示すように、Ｓｉからな
る基板１の上に、Ａｌからなる下層配線２を形成する。
一般に、Ａｌは、図１に示す実施例で下層配線として用
いたＷ等に比べ、ダイヤモンド状被膜との接着性が良好
でないことが知られている。従って、本実施例では、Ｓ
ｉＯ2 からなる中間層６を下層配線２及び基板１上に形
成している。次に、図６（ｂ）に示すように、中間層６
の上に、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法により、膜厚０．５μ
ｍの非晶質ダイヤモンド状被膜３を形成する。
示す断面図であり、本実施例では、中間層の上に非晶質
ダイヤモンド状被膜を形成し、導電領域を形成する実施
例を示している。図６（ａ）に示すように、Ｓｉからな
る基板１の上に、Ａｌからなる下層配線２を形成する。
一般に、Ａｌは、図１に示す実施例で下層配線として用
いたＷ等に比べ、ダイヤモンド状被膜との接着性が良好
でないことが知られている。従って、本実施例では、Ｓ
ｉＯ2 からなる中間層６を下層配線２及び基板１上に形
成している。次に、図６（ｂ）に示すように、中間層６
の上に、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法により、膜厚０．５μ
ｍの非晶質ダイヤモンド状被膜３を形成する。
【００３８】次に、図６（ｃ）に示すように、非晶質ダ
イヤモンド状被膜３の所定領域にエネルギービーム２０
としての電子ビーム２０を、図１に示す条件と同様にし
て照射し、導電領域３ａを形成する。次に、図６（ｄ）
に示すように、導電領域３ａと接するように、非晶質ダ
イヤモンド状被膜３の上に、Ａｌからなる上層配線４を
形成する。
イヤモンド状被膜３の所定領域にエネルギービーム２０
としての電子ビーム２０を、図１に示す条件と同様にし
て照射し、導電領域３ａを形成する。次に、図６（ｄ）
に示すように、導電領域３ａと接するように、非晶質ダ
イヤモンド状被膜３の上に、Ａｌからなる上層配線４を
形成する。
【００３９】本実施例によれば、中間層６を形成するこ
とにより、なじみのよくない下地層に対しても密着性よ
く非晶質ダイヤモンド状被膜３を形成することができ
る。図７は、本発明に従うさらに他の実施例を説明する
ための平面図である。図７を参照して、非晶質ダイヤモ
ンド状被膜３にエネルギービームを所定のパターン形状
となるように照射することにより、コイル状の導電領域
３ａを形成する。コイル状の導電領域３ａの中心に位置
する端部には、図７に示すように、下層配線２が電気的
に接続されている。また、コイル状の導電領域３ａの外
周端部にも、図示されない上層配線が接続される。従っ
て、図７に示すように導電領域３ａをコイル状に形成す
ることにより、導電領域３ａによってインダクタを構成
することができる。導電領域３ａは、非晶質ダイヤモン
ド状被膜３の所定領域をエネルギービームで照射するこ
とにより形成することができるものであるので、導電領
域３ａの幅、長さ及び面積等は、自由に調整することが
できる。従って、素子を作製した後、特性をチェック
し、所望の特性からずれている場合には、インダクタの
特性値を調整するため、エネルギービームを照射し、導
電領域３ａの幅、長さ、及び面積等を変化させ、インダ
クタとしての特性を調整することができる。
とにより、なじみのよくない下地層に対しても密着性よ
く非晶質ダイヤモンド状被膜３を形成することができ
る。図７は、本発明に従うさらに他の実施例を説明する
ための平面図である。図７を参照して、非晶質ダイヤモ
ンド状被膜３にエネルギービームを所定のパターン形状
となるように照射することにより、コイル状の導電領域
３ａを形成する。コイル状の導電領域３ａの中心に位置
する端部には、図７に示すように、下層配線２が電気的
に接続されている。また、コイル状の導電領域３ａの外
周端部にも、図示されない上層配線が接続される。従っ
て、図７に示すように導電領域３ａをコイル状に形成す
ることにより、導電領域３ａによってインダクタを構成
することができる。導電領域３ａは、非晶質ダイヤモン
ド状被膜３の所定領域をエネルギービームで照射するこ
とにより形成することができるものであるので、導電領
域３ａの幅、長さ及び面積等は、自由に調整することが
できる。従って、素子を作製した後、特性をチェック
し、所望の特性からずれている場合には、インダクタの
特性値を調整するため、エネルギービームを照射し、導
電領域３ａの幅、長さ、及び面積等を変化させ、インダ
クタとしての特性を調整することができる。
【００４０】また、図３〜図５の実施例において説明し
たように、薄膜素子においてキャパシタの電極として本
発明の導電領域を用いる場合には、キャパシタの容量を
同様に、素子の作製後に調整することができる。従っ
て、例えば、ＭＭＩＣ（モノリシックマイクロ波集積回
路）等において、ＩＣ作製後に特性をチェックし、所望
の特性からずれている場合には、キャパシタ及びインダ
クタ等の回路部品の値を調整して、素子特性の向上を図
ることができる。また、同様にして、本発明の導電領域
を配線に用いる場合には、配線の増設や修正等が可能に
なる。
たように、薄膜素子においてキャパシタの電極として本
発明の導電領域を用いる場合には、キャパシタの容量を
同様に、素子の作製後に調整することができる。従っ
て、例えば、ＭＭＩＣ（モノリシックマイクロ波集積回
路）等において、ＩＣ作製後に特性をチェックし、所望
の特性からずれている場合には、キャパシタ及びインダ
クタ等の回路部品の値を調整して、素子特性の向上を図
ることができる。また、同様にして、本発明の導電領域
を配線に用いる場合には、配線の増設や修正等が可能に
なる。
【００４１】上記各実施例では、本発明の導電領域を形
成する絶縁性薄膜として、非晶質ダイヤモンド状被膜を
例にして説明したが、本発明はこれに限定されるもので
はなく、結晶性部分を含むダイヤモンド状被膜、及び結
晶質ダイヤモンド被膜なども同様に用いることができる
ものである。
成する絶縁性薄膜として、非晶質ダイヤモンド状被膜を
例にして説明したが、本発明はこれに限定されるもので
はなく、結晶性部分を含むダイヤモンド状被膜、及び結
晶質ダイヤモンド被膜なども同様に用いることができる
ものである。
【００４２】また、本発明は上記実施例の薄膜素子構造
に限定されるものではなく、半導体集積回路など基板上
に形成される薄膜素子であれば、広く一般に適用するこ
とができるものである。
に限定されるものではなく、半導体集積回路など基板上
に形成される薄膜素子であれば、広く一般に適用するこ
とができるものである。
【００４３】
【発明の効果】本発明の導電領域の形成方法によれば、
薄膜素子構造において段差を生じることなく導電領域を
形成することができる。従って、薄膜素子内における電
気的接続の断線等を生じることなく薄膜素子を製造する
ことができる。
薄膜素子構造において段差を生じることなく導電領域を
形成することができる。従って、薄膜素子内における電
気的接続の断線等を生じることなく薄膜素子を製造する
ことができる。
【００４４】また、本発明における絶縁性薄膜をダイヤ
モンド状被膜または結晶質ダイヤモンド被膜等の熱伝導
率の高い材料から形成することにより、薄膜素子の熱放
散性を向上させることができる。
モンド状被膜または結晶質ダイヤモンド被膜等の熱伝導
率の高い材料から形成することにより、薄膜素子の熱放
散性を向上させることができる。
【００４５】また、本発明によれば、コンタクトホール
等を形成せずに多層配線を行うことができ、このため薄
膜素子において隙間のない構造を採用することができ、
耐湿性等の向上を図ることができる。
等を形成せずに多層配線を行うことができ、このため薄
膜素子において隙間のない構造を採用することができ、
耐湿性等の向上を図ることができる。
【図１】本発明に従う一実施例を示す断面図。
【図２】本発明に従う他の実施例を示す断面図。
【図３】本発明に従うさらに他の実施例を示す断面図。
【図４】本発明に従うさらに他の実施例を示す断面図。
【図５】本発明に従うさらに他の実施例を示す断面図。
【図６】本発明に従うさらに他の実施例を示す断面図。
【図７】本発明に従うさらに他の実施例を示す平面図。
【図８】従来のコンタクトホールによる配線構造を説明
するための断面図。
するための断面図。
１…基板 ２…下層配線 ３…非晶質ダイヤモンド状被膜 ３ａ…非晶質ダイヤモンド状被膜の導電領域 ４…上層配線 ５…絶縁膜 ５ａ…絶縁膜のコンタクトホール ６…中間層 １１…基板 １２…トレンチ １３…高濃度ｎ+ ドープ領域 １４…絶縁膜 ２０…エネルギービーム
フロントページの続き (72)発明者 村井 成行 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 井上 大二朗 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 東野 太栄 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内
Claims (12)
- 【請求項１】 基板上に形成された薄膜素子に導電領域
を形成するための方法であって、 エネルギービームの照射により照射領域が導電化する絶
縁性薄膜を形成する工程と、 前記絶縁性薄膜に前記エネルギービームを照射し、導電
領域を形成する工程とを備える導電領域の形成方法。 - 【請求項２】 前記絶縁性薄膜が炭素を主成分とする薄
膜であり、前記エネルギービームの照射によりグラファ
イト化して導電化する請求項１に記載の導電領域の形成
方法。 - 【請求項３】 前記絶縁性薄膜が、非晶質ダイヤモンド
状被膜、結晶性部分を含むダイヤモンド状被膜、または
結晶質ダイヤモンド被膜である請求項１または２に記載
の導電領域の形成方法。 - 【請求項４】 前記絶縁性薄膜が、中間層の上に形成さ
れる請求項１〜３のいずれか１項に記載の導電領域の形
成方法。 - 【請求項５】 前記中間層が、Ｓｉ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｃ、
Ｇｅ、Ｚｒ、Ｔｉまたはこれらのうちの少なくとも１種
の元素の窒化物もしくは酸化物から形成されている請求
項４に記載の導電領域の形成方法。 - 【請求項６】 前記エネルギービームが、電子ビームま
たはレーザービームである請求項１〜５のいずれか１項
に記載の導電領域の形成方法。 - 【請求項７】 前記基板が、Ｓｉ、Ｃ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉ
ｎ、Ａｓ、Ｐ、Ｓｂ単体またはこれらの化合物からなる
半導体基板、またはダイヤモンド、サファイア、もしく
はガラスからなる基板である請求項１〜６のいずれか１
項に記載の導電領域の形成方法。 - 【請求項８】 基板上に形成された薄膜素子であって、 炭素を主成分とする薄膜を有し、該薄膜中に導電領域と
絶縁領域が形成されていることを特徴とする薄膜素子。 - 【請求項９】 前記薄膜の前記導電領域がグラファイト
化により導電化された領域である請求項８に記載の薄膜
素子。 - 【請求項１０】 前記薄膜が、非晶質ダイヤモンド状被
膜、結晶性部分を含むダイヤモンド状被膜、または結晶
質ダイヤモンド被膜である請求項８または９に記載の薄
膜素子。 - 【請求項１１】 前記薄膜が、下層配線と上層配線の間
に設けられており、前記薄膜の前記導電領域によって前
記下層配線と前記上層配線とが電気的に接続されている
請求項８〜１０のいずれか１項に記載の薄膜素子。 - 【請求項１２】 前記薄膜の前記導電領域が前記薄膜素
子の配線として形成されている請求項８〜１０のいずれ
か１項に記載の薄膜素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6612497A JPH10261712A (ja) | 1997-03-19 | 1997-03-19 | 導電領域の形成方法及び薄膜素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6612497A JPH10261712A (ja) | 1997-03-19 | 1997-03-19 | 導電領域の形成方法及び薄膜素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10261712A true JPH10261712A (ja) | 1998-09-29 |
Family
ID=13306824
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6612497A Pending JPH10261712A (ja) | 1997-03-19 | 1997-03-19 | 導電領域の形成方法及び薄膜素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10261712A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001203429A (ja) * | 2000-01-19 | 2001-07-27 | Japan Fine Ceramics Center | ダイヤモンド配線基板およびその製造方法 |
| JP2009009718A (ja) * | 2007-06-26 | 2009-01-15 | Panasonic Electric Works Co Ltd | Ｄｌｃ皮膜の加工方法及び電気接点構造 |
| WO2009107696A1 (ja) * | 2008-02-27 | 2009-09-03 | 独立行政法人科学技術振興機構 | カーボンナノチューブ支持体及びその製造方法 |
| JP2012084529A (ja) * | 2011-11-28 | 2012-04-26 | Panasonic Corp | 電気接点構造 |
| JPWO2014163038A1 (ja) * | 2013-04-02 | 2017-02-16 | 太陽誘電ケミカルテクノロジー株式会社 | 導電部を有しケイ素を含有する非晶質炭素膜を備える構造体及びその製造方法 |
| WO2018123762A1 (ja) * | 2016-12-27 | 2018-07-05 | Ｎｅｘｔ Ｉｎｎｏｖａｔｉｏｎ合同会社 | ダイヤモンド系通電構造、ダイヤモンド系電子部品、及びダイヤモンド系通電構造の製造方法 |
| JP2018139208A (ja) * | 2016-12-27 | 2018-09-06 | Ｎｅｘｔ Ｉｎｎｏｖａｔｉｏｎ合同会社 | ダイヤモンド系通電構造、ダイヤモンド系電子部品、及びダイヤモンド系通電構造の製造方法 |
| KR20200053464A (ko) * | 2017-06-19 | 2020-05-19 | 아다만타이트 테크놀로지 엘엘씨 | 도핑된 다이아몬드 반도체 및 제조방법 |
-
1997
- 1997-03-19 JP JP6612497A patent/JPH10261712A/ja active Pending
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| WO2018123762A1 (ja) * | 2016-12-27 | 2018-07-05 | Ｎｅｘｔ Ｉｎｎｏｖａｔｉｏｎ合同会社 | ダイヤモンド系通電構造、ダイヤモンド系電子部品、及びダイヤモンド系通電構造の製造方法 |
| JP2018139208A (ja) * | 2016-12-27 | 2018-09-06 | Ｎｅｘｔ Ｉｎｎｏｖａｔｉｏｎ合同会社 | ダイヤモンド系通電構造、ダイヤモンド系電子部品、及びダイヤモンド系通電構造の製造方法 |
| JP2018201045A (ja) * | 2016-12-27 | 2018-12-20 | Ｎｅｘｔ Ｉｎｎｏｖａｔｉｏｎ合同会社 | ダイヤモンド系通電構造、ダイヤモンド系電子部品、及びダイヤモンド系通電構造の製造方法 |
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