JPH06204405A - 高周波発振器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ストリップ線路の長さなどを変えなくても発
振周波数の調整が容易で、小型軽量、信頼性の高い高周
波発振器とする。 【構成】 Ｐ⁺ 層４、Ｎ層３、Ｎ⁺ 層２からなるインパ
ットダイオードと、Ｎ⁺層２とＰ型シリコン基板１とか
らなる可変容量ダイオードとを同一基板１に逆方向接続
で形成し、共振器となるマイクロストリップ線路１２を
陰極９に接続する。陽極１６にインダクタンスと容量を
接続する。陽極と陰極に逆バイアス電圧を印加して電子
雪崩降伏を起こし、交流電圧を重畳してキャリアを増倍
させ、マイクロストリップ線路の共振器作用により発振
させる。陽極と陰極との間に逆バイアス電圧を印加して
空乏層の拡がりによる容量をマイクロストリップ線路に
付加する。陽極と陰極との間に印加する逆バイアス電圧
の調整のみで所望の発振周波数を得ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、高周波発振器に関
し、特にインパットダイオードを用いた高周波発振器に
関する。

【０００２】

【従来の技術】インパットダイオードを用いる高周波発
振器は、インパットダイオードに大きな逆方向バイアス
を加えた時に起こる電子雪崩降伏を利用する物である。
図８は従来のインパットダイオードの一例の断面図であ
る。このインパットダイオード６０は、アイイーイーイ
ー・トランザクションズ・オン・エレクトロン・デバイ
シズ（ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎＥｌ
ｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ）第ＥＤ−２１巻、第２
号、１９７４年２月、第１６５頁〜第１７１頁に記載さ
れているもので、Ｎ⁺ 層５１、Ｐ層５２、Ｐ⁺ 層５３か
らなる半導体素子の上面にクロム層５４、金層５５、金
バンプ５６を設け、下面にクロム層５７、金層５８を設
け、これを銅製のグランドポスト５９に接着したもので
ある。

【０００３】図９は上記のインパットダイオードを用い
た従来の高周波発振器の第１の例の断面図である。導波
管６１の壁の下方に設けられた穴６２に図６に示したグ
ランドポスト５９を挿入する。グランドポスト５９の上
面にはインパットダイオード６０が接着されている。導
波管の壁の上方に設けられた穴６３からデイスク電極６
４を挿入し、インパットダイオード６０の金バンプ５６
に接触させ、上方からばね６５で押して電気的接触を良
くする。

【０００４】デイスク電極６４は導波管の上方に設けら
れる金属製の保持材６６で保持され、この保持材に設け
られた穴の中に挿入されることにより保持される。従っ
て、保持材６６とディスク電極６４とは同電位になる。
保持材６６はテフロンリング６７および隙間６８によっ
て導波管６１とは絶縁される。そして、導波管６１と保
持材６６とは隙間６８の空気を誘電体としてコンデンサ
を形成する。

【０００５】ディスク電極６４にはばね６５を通して外
部からバイアス電圧が供給され、インパットダイオード
６０の陽極（金バンプ）５６に供給される。また、導波
管６１内には、スライディング・ショート６９が設けら
れており、発振周波数の調整は、このスライディング・
ショート６９の出し入れによって行われる。

【０００６】インパットダイオード６０に大きな逆方向
バイアスを加えると、電子雪崩降伏が起こる。この逆方
向バイアスにマイクロ波の交流電圧を重畳すると、交流
電圧の負のサイクルでは電圧が下がるので電子雪崩降伏
は停止し、正のサイクルになると電子雪崩降伏が起こ
り、キャリアが倍増する。このインパットダイオードに
共振器を接続することによって発振・増幅が行われる。

【０００７】以上のような導波管型の発振器は、スライ
ディングショート６９の出し入れのような機械的微調整
が必要であり、とくに自動車に搭載したときの振動にた
いする信頼性を確保することが困難であった。また、発
振器としての性能が機械加工精度に大きく影響されるこ
と、量産性が悪いこと、形状が大きく重たいことなどの
問題があった。これらの問題を解決する手段としてイン
パットダイオードに共振器となるマイクロストリップ線
路を一体化形成するモノリシック発振器が提案された。

【０００８】図１０は従来のインパットダイオードを用
いる高周波発振器の第２の例の断面図である。この発振
器はモノリシック発振器として、シン・ソリッド・フィ
ルムズ（Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ）、第１８
４巻、１９９０年、第１８５頁〜第１９７頁に発表され
たものである。比抵抗１０ＫΩーｃｍのＰ型シリコン基
板７０の表面にエピタキシァル成長法とフォトリソグラ
フィ技術によって、Ｐ⁺ 層７１、Ｐ層７２、Ｎ層７３、
Ｎ⁺ 層７４を順次形成し、周辺領域を絶縁膜７５で覆っ
て絶縁した後、金属で配線７６、マイクロストリップ線
路７７を設けて高周波発振器を構成する。

【０００９】マイクロストリップ線路７７は、それ自身
に並列接続のインダクタンスＬと容量Ｃを有していてＬ
−Ｃ共振器を構成する。このようにマイクロストリップ
線路７７をインパットダイオードに一体化形成すると、
モノリシック発振器を構成することができ、振動に対し
てもずれることがなく、信頼性が維持できるという利点
がある。また、製造も簡単で量産性に優れ、小型化、軽
量化が図れるという利点も得られる。

【００１０】図１１はこの種のモノリシック発振器とし
たときの従来の平面レイアウト例を示す。 Ｐ型シリコ
ン基板８０にインパッドダイオード（図示されず）が形
成され、その上に円形のディスク共振器８１が設けられ
ており、これにコプレーナ線路８２が接続される。間隙
８３をおいてディスク共振器８１とコプレーナ線路８２
を囲む金属膜８４が表面に設けられる。発振出力はコプ
レーナ線路８２から出力される。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
共振器として円形または直線のストリップ線路を用い、
インパットダイオードに一体化形成して作られるモノリ
シック発振器は、導波管を用いる発振器に比べて多くの
利点を有するが、発振周波数を容易に変えられないとい
う問題点があった。

【００１２】発振周波数を変えるには、共振器であるス
トリップ線路の長さを変える必要がある。しかし、スト
リップ線路の長さを変えることは容易ではない。ストリ
ップ線路の長さを変えずに発振周波数を変えるために
は、可変容量素子を含む回路を外部から付加すれば良
い。しかし、外部からこのような回路を付加すると、回
路規模が増大し寄生容量やインダクタンスも発生するの
で、調整箇所も増大するという問題がある。したがっ
て、本発明は、上記従来の問題点に鑑み、発振周波数の
調整が容易で、信頼性が高く、小型軽量で生産性も優れ
た高周波発振器を提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】このため本発明は、第１
導電型の半導体基板と、この半導体基板の一主面側に形
成された第２導電型の第１領域と、この第１領域の所定
領域に形成された第２導電型の第２領域と、この第２領
域の表面に形成された第１導電型の第３領域と、この第
３領域の表面に設けられた第１電極と、第１領域の前記
所定領域以外の領域に設けられた第２電極とからなるイ
ンパットダイオードと、半導体基板の反対側の主面に第
１領域に向い合って設けられる第３電極と前記の第２電
極とを陽極（または陰極）および陰極（または陽極）と
する可変容量ダイオードと、第２電極に接続し、かつ半
導体基板とは絶縁膜で絶縁されて設けられ、Ｌ−Ｃ共振
器となるマイクロストリップ線路と、第３電極に接続し
て設けられる並列接続のインダクタンスおよび容量とマ
イクロストリップ線路と容量結合して発振信号を出力す
る出力線と、インパットダイオードに逆バイアス電圧を
印加する手段と、前記の可変容量ダイオードに逆バイア
ス電圧を印加する手段とを備えて構成されるものとし
た。

【００１４】

【作用】この高周波発振器においては、半導体基板にイ
ンパットダイオードと可変容量ダイオードとが逆向き接
続されて形成され、第２電極を共用している。インパッ
トダイオードに電子雪崩降伏を起こす逆方向バイアスと
マイクロ波の交流電圧を重畳させて、キャリアを増倍さ
せる。このインパットダイオードの第２電極にＬ−Ｃ共
振器となるマイクロストリップ線路を接続し、共振させ
ることにより高周波信号を取り出すことができる。

【００１５】可変容量ダイオードに印加する逆バイアス
電圧を変えると、空乏層の拡がりが変わり、容量が変化
する。可変容量ダイオードとインパットダイオードとは
第２電極を共有し、かつこれにマイクロストリップ線路
が接続しているから、可変容量ダイオードに印加する逆
バイアス電圧を変えることにより発振周波数を変えるこ
とができる。即ち、マイクロストリップ線路の長さを変
えることなく、逆バイアス電圧の調整のみで所望周波数
で発振させることができる。

【００１６】

【実施例】図１、図２はこの発明の第１の実施例を示す
平面図および断面図である。この実施例の高周波発振器
はインパットダイオードとこれに接続する可変容量ダイ
オードとマイクロストリップ線路を主要素としてシリコ
ン基板に一体化形成されている。インパットダイオード
は、比抵抗１０ＫΩ−ｃｍ程度の高抵抗Ｐ型シリコン基
板１の表面に形成されるＮ⁺ 層２と、このＮ⁺ 層２上に
エピタキシアル成長法で形成されたＮ層３と、このＮ層
３の上に形成されたＰ⁺ 層４と、このＰ⁺ 層４の上に形
成された陽極８と、Ｎ⁺ 層２の上に形成されたＮ⁺ 層５
の上に設けられた陰極９とから構成される。

【００１７】可変容量ダイオードは、Ｐ型シリコン基板
１をアノード領域、Ｎ⁺ 層２をカソード領域として構成
される。接触性を良くするためにＰ⁺ 層６を設けて陽極
１６を取付ける。陰極９はインパットダイオードの陰極
９と共通である。

【００１８】マイクロストリップ線路１２はインダクタ
ンスと容量を有し、共振器を兼ねる。 マイクロストリ
ップ線路１２と電源Ｖｃｃとの間にフィルタ１３が設け
られる。隙間１５をおいて出力線１４が設けられるとと
もに、シリコン基板１の裏面には接地用電極１７が設け
られる。

【００１９】次に、この実施例のインパットダイオード
と可変容量ダイオードの製造方法について図３により説
明する。まず、工程（ａ）において、比抵抗１０ＫΩ−
ｃｍ程度の高抵抗のＰ型シリコン基板１を用意し、表面
に１０¹⁹ｃｍ^-3以上の高濃度のＮ⁺ 層２を選択的に形成
する。

【００２０】次の工程（ｂ）で、エピタキシャル成長法
によって、不純物濃度１０¹⁷ｃｍ^-3程度のＮ層３を数μ
ｍの厚さに堆積する。このＮ層３を貫いてＮ⁺ 層２に達
するＮ⁺ 層５を形成する。次に、Ｎ層３の表面に不純物
濃度１０²⁰ｃｍ^-3以上のＰ⁺層４をＮ層３の深さより浅
く形成する。

【００２１】工程（ｃ）では、シリコン基板１の裏面に
表面濃度が１０²⁰ｃｍ^-3以上のＰ⁺層６を形成する。表
面および裏面をＳｉ₃ Ｎ₄ 等のマスク材で覆い、フォト
レジストを用いてＰ⁺ 層４、Ｎ⁺ 層５の表面以外のマス
ク材を除去し、Ｎ層３を露出させる。Ｎ⁺ 層２またはシ
リコン基板１の表面が露出するまでエッチングして、Ｐ
⁺ 層４とＮ⁺ 層５のメサを形成して分離する。ＣＶＤ法
または熱酸化によりＳｉＯ₂ の絶縁膜７を形成した後Ｐ
⁺ 層４、Ｎ⁺ 層５上のマスク材を除去する。

【００２２】このあと工程（ｄ）において、フォトレジ
ストを用いるリフトオフ法を用いて、クロム層と金層を
順次真空蒸着し、フォトレジストを除去することによ
り、クロム層１９と金層２２からなる陽極８、クロム層
２０と金層２３からなる陰極９、クロム層２１と金層２
４からなる陽極１６が形成される。このとき、マイクロ
ストリップ線路１２、出力線１４、電極１７もあわせて
形成される。

【００２３】以上のようにして構成された実施例の発振
器部分の等価回路が図４に示される。−ＧとＣ1 は共に
インパットダイオード１０のパラメータであって、−Ｇ
は高周波に対する損失を含めた負性コンダクタンス、Ｃ
1 は並列容量成分である。可変容量Ｃ2 は、可変容量ダ
イオード１１のＰＮ接合に逆バイアスを印加したときに
生ずる空乏層の拡がりによって生ずる容量である。イン
ダクタンスＬ2 と容量Ｃ3 は、マイクロストリップ線路
１２が本来有している成分であって、Ｌ−Ｃ並列共振回
路を構成している。容量Ｃ4 は、マイクロストリップ線
路１２と出力線１４との間の隙間１５に生ずる容量で、
この容量Ｃ4 を通して高周波電力が出力線１４に出力さ
れることになる。

【００２４】次に、この実施例の動作について説明す
る。図１および図２において、シリコン基板１は１０Ｋ
Ω−ｃｍ程度の高抵抗のものが用いられているため、イ
ンパットダイオード１０はシリコン基板１の内部とは、
ほぼ完全に絶縁される。インパットダイオード１０は、
アバランシェ降伏状態で動作させるので、通常陽極８は
接地し、陰極９に高い正の直流電圧を印加し、Ｐ⁺ 層４
とＮ層３との間のＰＮ接合に逆バイアスを印加する。す
るとＰＮ接合に空乏層が拡がる。例えば、１０ＧＨｚの
インパットダイオードに対しては９０Ｖ程度の電圧を印
加する。

【００２５】インパットダイオード１０の発振周波数ｆ
は次式で表される。 ｆ＝ＶS ／（２（Ｗ1 −ＸA ）） ここで、ＶS はキァリアの最大飽和速度、Ｗ1 は動作時
の空乏層の幅、ＸA はアバランシェ幅である。

【００２６】可変容量ダイオード１１は、陰極９をイン
パットダイオード１０と共用しており、これに高い正の
直流電圧が印加されている。陽極１６にこの直流電圧よ
り低い直流電圧を印加すると、Ｐ型シリコン基板１とＮ
⁺ 層２との間のＰＮ接合に逆バイアスが印加され、空乏
層が拡がり、シリコン基板１とＮ⁺ 層２を対向電極とす
るコンデンサが形成される。

【００２７】コンデンサの容量は空乏層の拡がりによっ
て決まるから陽極１６に印加する電圧を変化させること
により容量を可変とすることができる。ここでの空乏層
の幅Ｗ2 は次式で表わされる。 Ｗ2 ＝｛２ｋ・ε0 （ψ0 ＋Ｖｒ）／（ｑ・Ｎｄ）｝^1/2 ここで、 ｋ：比誘電率 ε0 ：真空の誘電率 ψ0 ：内部ポテンシャル Ｖｒ：外部電圧（陰極９と陽極１６との間の印加電圧） ｑ：電子電荷 Ｎｄ：半導体基板１の不純物濃度 である。また、空乏層の容量Ｃ2 は、次式で表わされ
る。 Ｃ2 ＝Ａ・ｋ・ε0 ／Ｗ2 ここで、Ａはシリコン基板１とＮ層２との間のＰＮ接合
の面積である。

【００２８】電源Ｖｃｃをフィルタ１３に接続し、陽極
１６にインダクタンスＬ1 と容量Ｃを接続し、インダク
タンスＬ1 の周波数制御端子１８から周波数制御信号を
入力し、所望の高周波電力を出力線１４から取り出す。
この高周波発振器においては、マイクロストリップ線路
１２のインダクタンスＬ2 と容量Ｃ3 で構成される共振
器にインパットダイオードの容量Ｃ1 と可変容量Ｃ2 が
並列接続されるから発振周波数はその分だけ低下する。
また、周波数制御端子１８に印加する電圧を変えると、
可変容量Ｃ2 が変化するから、これにより結果的に発振
周波数を可変とすることができる。

【００２９】図５、図６はこの発明の第２の実施例を示
す平面図および断面図である。第１の実施例において
は、インダクタンスＬ1 と容量Ｃを外部部品として陽極
１６に接続したが、第２の実施例はこのインダクタンス
Ｌ1 と容量Ｃをシリコン基板に一体化形成したものであ
る。その他の構成は第１の実施例のものと同様である。

【００３０】したがって製造工程においても、比抵抗１
０ＫΩ−ｃｍ程度のＰ型シリコン基板１にＮ⁺ 層２、Ｎ
層３、Ｐ⁺ 層４、Ｎ⁺ 層５、Ｐ⁺ 層６、絶縁膜７を形成
するところまでは第１の実施例と同じである。

【００３１】次に、シリコン基板１の裏面から基板表面
に達する穴３１をあける。このとき絶縁膜７は残ってい
る。このあとこの絶縁膜に穴３２をあける。そしてさら
に、容量Ｃを形成する部分の絶縁膜を局部エッチングし
て薄くする。これは容量Ｃを大きくするためである。

【００３２】前実施例と同様にクロム層と金層を真空蒸
着し、フォトリソグラフィ技術を用いて、表面に陽極
８、陰極９、マイクロストリップ線路１２、フィルタ１
３、出力線１４、隙間１５、容量電極３３、配線３５、
チョークフィルタ３６を形成する。同じく裏面には陽極
１６、容量電極３４、接地用電極３７を形成する。容量
電極３４は陽極１６に接続するとともに、穴３２を貫通
して配線３５とも接続する。接地用電極３７は、陽極１
６および容量電極３４と所定間隔をおいてこれらを囲み
残余の全裏面を覆うように形成されている。

【００３３】この第２の実施例においては、容量電極３
３、３４と、この間に挟まれる絶縁膜とでコンデンサが
形成される。このコンデンサが第１の実施例の容量Ｃに
相当する。また、チョークフィルタ３６はインダクタン
スを有し、このインダクタンスが第１の実施例のインダ
クタンスＬ1 に相当する。

【００３４】このように、電圧制御発振回路を構成する
ための回路素子がすべて１つの半導体基板内に設けられ
るから、ボンディングワイヤや電極パッドの数が減少、
あるいは不用となり、組み立て実装が簡易となる。ま
た、このために寄生素子による設計値からのずれやばら
つきの発生が低減するという効果が得られる。

【００３５】なお、上記第１および第２の実施例におい
て、シリコン基板１には比抵抗１０ＫΩ−ｃｍ程度の高
抵抗のものを用いたが、このような高抵抗のものを用い
ることにより、その上に形成したマイクロストリップ線
路１２の伝送損失を低減することができる。例えば、比
抵抗１０ＫΩ−ｃｍのシリコン基板では、５０ＧＨｚで
伝送損失を約０．３ｄＢ／ｃｍにすることができる。

【００３６】図７は第３の実施例としてこの発明の高周
波発振器に使用するインパットダイオードと可変容量ダ
イオードの製造方法の他の例を示す。第１および第２の
実施例では、陰極９を共用したが、この実施例では陽極
を共有する。まず、工程（ａ）において、Ｐ型シリコン
基板４０の表面にＮ⁺ 層４１を熱拡散により形成し、そ
の上にＰ層４２をエピタキシァル成長させる。この表面
にＰ⁺ 層４３を選択的に形成した後、再びエピタキシァ
ル成長法でＰ層４４を形成する。Ｐ層４４の表面からＰ
⁺ 層４３に達するＰ⁺ 層４６を形成し、次に浅いＮ⁺ 層
４５を形成する。Ｐ層４２の濃度および厚さは第１の実
施例で説明したと同様に、必要な空乏層容量を求める式
から決定される。またＰ層４４についても発振周波数を
求める式から決定される。

【００３７】次に、工程（ｂ）で、Ｎ⁺ 層４５とＰ⁺ 層
４６の表面と裏面全面をマスク材で覆い、露出している
Ｐ層４４をエッチング除去してメサを形成する。露出面
を絶縁膜４７で覆った後、マスク材を除去し、前記各実
施例における電極形成と同様にクロム層と金層からなる
陰極４８、陽極４９を形成する。

【００３８】次の工程（ｃ）において、Ｐ型シリコン基
板４０を全部除去し、Ｎ⁺ 層４１を露出させる。このエ
ッチングは、陽極４９に正電圧を印加しながら水酸化カ
リウム水溶液や抱水ヒドラジン液中で電解エッチングを
行うことによって達成される。この方法と原理について
は、ジャーナル・オブ・エレクトロケミカル・ソサィア
ティ（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ
ｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ）第１３７巻、第３号、１９
９０年３月、第９４８頁に詳細に記載されている。この
方法を用いると、シリコン基板４０のみを選択的に除去
することができる。

【００３９】次に、工程（ｄ）で、Ｎ⁺ 層４１にクロム
層と金層とからなる陰極５０を形成する。この実施例に
よっても、前記各実施例と同一の効果を有する高周波発
振器を得ることができる。

【００４０】

【発明の効果】以上のとおり本発明は、一つの半導体基
板にインパットダイオードと可変容量ダイオードとマイ
クロストリップ線路とを一体化形成してモノリシック発
振器としたので、可変容量ダイオードに印加する電圧を
変化させるだけで発振周波数の調整をすることができ、
マイクロストリップ線路の長さの変更を必要としなくな
り、振動などに対する信頼性も高くなり、かつ小形軽量
で生産性も優れた高周波発振器が得られるという効果が
ある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例を示す平面図である。

【図２】図１におけるＡ−Ａ部断面図である。

【図３】第１の実施例のインパットダイオードと可変容
量ダイオードの製造工程を示す説明図である。

【図４】第１の実施例の発振器部分の等価回路図であ
る。

【図５】第２の実施例の平面図である。

【図６】図５におけるＢ−Ｂ部断面図である。

【図７】第３の実施例を示すインパットダイオードと可
変容量ダイオードの工程説明図である。

【図８】従来のインパットダイオードの一例の断面図で
ある。

【図９】従来のインパットダイオードを用いた高周波発
振器の第１の例を示す断面図である。

【図１０】従来のインパットダイオードを用いた高周波
発振器の第２の例を示す断面図である。

【図１１】従来の高周波発振器の平面レイアウト例を示
す図である。

【符号の説明】

１ Ｐ型シリコン基板 ２ Ｎ⁺ 層 ３ Ｎ層 ４ Ｐ⁺ 層 ５ Ｎ⁺ 層 ６ Ｐ⁺ 層 ７ 絶縁膜 ８ 陽極 ９ 陰極 １０ インパットダイオード １１ 可変容量ダイオード １２ マイクロストリップ線路 １３ フィルタ １４ 出力線 １５ 隙間 １６ 陽極 １７ 電極 １８ 周波数制御端子 １９〜２１ クロム層 ２２〜２４ 金層 ３１，３２ 穴 ３３，３４ 容量電極 ３５ 配線 ３６ チョークフィルタ ３７ 電極 ３８ 境界線 ４０ Ｐ型シリコン基板 ４１ Ｎ⁺ 層 ４２ Ｐ層 ４３ Ｐ⁺ 層 ４４ Ｐ層 ４５ Ｎ⁺ 層 ４６ Ｐ⁺ 層 ４７ 絶縁膜 ４８ 陰極 ４９ 陽極 ５０ 陰極 ５１ Ｎ⁺ 層 ５２ Ｐ層 ５３ Ｐ⁺ 層 ５４ クロム層 ５５ 金層 ５６ 金バンプ ５７ クロム層 ５８ 金層 ５９ グランドポスト ６０ インパットダイオード ６１ 導波管 ６２ 穴 ６３ 穴 ６４ ディスク電極 ６５ ばね ６６ 保持材 ６７ テフロンリング ６８ 隙間 ６９ スライディング・ショート ７０ Ｐ型シリコン基板 ７１ Ｐ⁺ 層 ７２ Ｐ層 ７３ Ｎ層 ７４ Ｎ⁺ 層 ７５ 絶縁膜 ７６ 配線 ７７ マイクロストリップ線路 ８０ Ｐ型シリコン基板 ８１ ディスク共振器 ８２ コプレーナ線路 ８３ 間隙 ８４ 金属膜

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （Ａ）第１導電型の半導体基板と、 （Ｂ）該半導体基板の一主面側に形成された第２導電型
   の第１領域と、該第１領域の所定領域に形成された第２
   導電型の第２領域と、該第２領域の表面に形成された第
   １導電型の第３領域と、該第３領域の表面に設けられた
   第１電極と、前記第１領域の前記所定領域以外の領域に
   設けられた第２電極とからなるインパットダイオード
   と、 （Ｃ）前記半導体基板の反対側の主面に前記第１領域に
   向い合って設けられる第３電極と、前記第２電極とを陽
   極（または陰極）および陰極（または陽極）とする可変
   容量ダイオードと、 （Ｄ）前記第２電極に接続し、かつ前記半導体基板とは
   絶縁膜で絶縁されて設けられ、Ｌ−Ｃ共振器となるマイ
   クロストリップ線路と、 （Ｅ）前記第３電極に接続して設けられる並列接続のイ
   ンダクタンスおよび容量と、 （Ｆ）前記マイクロストリップ線路と容量結合して発振
   信号を外部に引出す出力線と、 （Ｇ）前記インパットダイオードに逆バイアス電圧を印
   加する手段と、 （Ｈ）前記可変容量ダイオードに逆バイアス電圧を印加
   する手段とを備えたことを特徴とする高周波発振器。