CN100447998C - 集成电路或分立元件超薄无脚封装用引线框架 - Google Patents
集成电路或分立元件超薄无脚封装用引线框架 Download PDFInfo
- Publication number
- CN100447998C CN100447998C CNB2007100078379A CN200710007837A CN100447998C CN 100447998 C CN100447998 C CN 100447998C CN B2007100078379 A CNB2007100078379 A CN B2007100078379A CN 200710007837 A CN200710007837 A CN 200710007837A CN 100447998 C CN100447998 C CN 100447998C
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- metal
- layer
- bearing base
- routing
- base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000012856 packing Methods 0.000 title description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 61
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 61
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 14
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 15
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 abstract description 8
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 abstract description 8
- 230000004913 activation Effects 0.000 abstract description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 abstract description 4
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 abstract description 4
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000003466 welding Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract 3
- 239000010953 base metal Substances 0.000 abstract 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000012958 reprocessing Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000013043 chemical agent Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Abstract
本发明涉及一种集成电路或分立元件超薄无脚封装用引线框架，包括基板、芯片承载底座和打线的内脚承载底座，芯片承载底座和打线的内脚承载底座向上凸出设置于基板表面，相应于该芯片承载底座和打线的内脚承载底座，基板上与之相对应的芯片区及打线的内脚区凹陷于基板表面；芯片承载底座及打线的内脚承载底座的底层为金属层(11、12)；芯片承载底座及打线内脚承载底座的金属层上，先溅镀一层金属活化层(2)，再溅镀一层铜金属或合金层(31、32)；打线的内脚承载底座的铜金属或合金层上，溅镀一层银金属或镍金属或钯金属层(52)。本发明焊性能力强、品质优良、成本较低、生产顺畅、适用性较强、切割机具及刀片可以发挥出最高的效率、多芯片排列灵活、不会发生塑料渗透的种种困扰以及环保。
Description
技术领域：
本发明涉及一种集成电路或分立元件超薄无脚封装工艺及其封装结构，尤其是涉及一种集成电路或分立元件超薄无脚封装用引线框架。属集成电路或分立元件封装技术领域。
背景技术：
传统的集成电路或分立元件超薄无脚封装工艺及其封装结构，其封装型式为列陈式集合体经切割成为单一的单元。其基板型式为蚀刻。其主要存在以下不足：
1、需使用专用胶带，为了要防止塑料高压包封时，其塑料会渗透到引线框上，增加焊点绝缘的危机，而且如果发生塑料渗透时的后处理很容易将焊点金属层破坏，影响焊性能力，如此材料成本，后处理成本及品质都有一定程度的影响。
2、为了使打线工艺及输出焊点，在此工艺中能顺利生产，所以在基板的两面镀上昂贵的钯材，除了电镀成本比较高之外，打线参数也要针对此材质设定特殊的参数，造成因为参数不统一直接影响生产线的顺畅性。
3、基板一般使用的材质是使用CU194的材质，其导电率仅有A5％且散热速率也比较慢，仅适合一般逻辑性或低功率的产品。
4、因为使用专用化学胶带再各种高温工艺中胶带的溶剂容易因为高温而气化出来，间接污染或覆盖芯片的铝垫即打线的内脚，常常造成打线能力的不稳定。
5、因为此产品是塑料加铜材质，所以在不同的材质下不能使用相同的刀片及刀片旋转速度来对列陈式集成电路或分立元件集合体进行分割，两种刀片也不能一样，而如果要强迫使用相同的刀片即转速参数时，则刀片的寿命则会大打折扣，当然维修成本及品质都会受到一定的影响。
6、因为采用传统工艺的限制，造成多芯片及不同输出的焊点，也仅能死板的排列，活用性明显的大打折扣。
7、因为采用传统工艺的限制，造成输出的焊点也与塑料包封体底部是一样平，甚至有凹陷的危机，而在表面贴装助焊剂、除锈剂及其他的化学药剂等都无法顺利排出，所以在焊性能力上是比较会大打折扣。
发明内容：
本发明的目的在于克服上述不足，提供一种焊性能力强、品质优良、成本较低、生产顺畅、适用性较强、切割机具及刀片可以发挥出最高的效率、多芯片排列灵活、不会发生塑料渗透的种种困扰以及环保的集成电路或分立元件超薄无脚封装用引线框架。
本发明的目的是这样实现的：一种集成电路或分立元件超薄无脚封装用引线框架，包括基板、芯片承载底座和打线的内脚承载底座，其特点是：
a)所述芯片承载底座和打线的内脚承载底座向上凸出设置于基板表面，相应于该芯片承载底座和打线的内脚承载底座，基板上与之相对应的芯片区及打线的内脚区凹陷于基板表面；
b)芯片承载底座及打线的内脚承载底座的底层为金属层；
c)芯片承载底座及打线内脚承载底座的金属层上，先溅镀一层金属活化层，再溅镀一层铜金属或合金层；
d)打线的内脚承载底座的铜金属或合金层上，溅镀一层银金属或镍金属或钯金属层。
本发明集成电路或分立元件超薄无脚封装用引线框架，其基板型式为利用基板再长出其他需要的金属。与传统的集成电路或分立元件封装用引线框架相比，本发明具有如下优点：
1、不需使用专用高温高压胶带材料，所以材料成本较低，且完全不会发生塑料渗透的种种困扰与品质不良等成本的浪费。
2、芯片用的基板正面在打线的内脚部份采用传统镀银方式，比较大众化成本较低，打线参数使用一般即可，基板背面讯号输出焊点采用局部镀金属层的方式，可使芯片的功能达到最高的传输及散热功能，但是成本并不会增加。
3、基板采用纯铜或合金的材质，其导电率及散热性几乎可以达到100％，除了一般逻辑性产品外，甚至中高功率的产品也是非常适用。
4、完全不需要使用任何化学胶带，所以完全可以不用考虑污染的问题。
5、新式的封装型式则要进入切割时，包封体的部分是没有不同材质的物质要一并切割，所以在仅有一种材质的情况下，切割机具及刀片可以发挥出最高的效率，品质亦比较稳定。
6、因采用新式的封装工艺及结构，在芯片区或是打线输出的焊点都可以有充分的发挥能力及空间。
7、而新式的封装结构则可以选择是否要使用输出的焊点是凸出于包封体表面，如此单点独立的焊接方面可以维持目前一般芯片的焊性能力，比较不会担心表面贴装时的不稳定性，当然品质更加比传统封装型式更加安定。
附图说明：
图1～9分别为本发明的集成电路或分立元件超薄无脚封装用引线框架各生产工序示意图。
图10为本发明的集成电路或分立元件超薄无脚封装用引线框架示意图。
具体实施方式：
1)参见图1，取一片适合厚度的金属基板材A。金属基板的材质可依据芯片的功能与特性进行变换，例如：合金或铜等；
2)参见图2，在金属基板A上进行干墨B涂布。金属基板上没有被涂上干墨的区域形成芯片区C1及打线的内脚区C2；
3)参见图3，在金属基板上将芯片区C1及打线的内脚区C2，进行蚀刻D；
4)参见图4，在芯片区C1及打线内脚区C2的金属基板A1、A2上，溅镀一层纯金属层1；
5)参见图5，在芯片区C1及打线内脚区C2的纯金属11、12上，溅镀一层金属活化层2，如铝层或镍、钛、银、金层；
6)参见图6，在芯片区C1及打线内脚区C2的金属活化层21、22上，溅镀一层纯铜金属或合金层3；
7)参见图7，在芯片区C1和打线内脚区C2的纯铜金属或合金层31、32上，溅涂一层金属活化层41、42，而此金属活化层主要功能是发挥出纯铜金属或合金层与银或镍层在执行双向表面的活化作用，使得金属活化层上下两种不同的金属层能够紧密接合；
8)参见图8，在芯片区C1和打线内脚区C2的金属活化层41、42上，溅镀一层银金属或镍金属或钯金属层51、52；
9)参见图9，将原先在金属基板A上方的干墨B进行剥除。
参见图10，本发明集成电路或分立元件超薄无脚封装用引线框架，主要由基板A、芯片承载底座X和打线的内脚承载底座Y组成。其特点是：
a)所述芯片承载底座X和打线的内脚承载底座Y向上凸出设置于基板A表面，相应于该芯片承载底座X和打线的内脚承载底座Y，基板A上与之相对应的芯片区C1及打线的内脚区C2凹陷于基板A表面；
b)芯片承载底座X及打线的内脚承载底座Y的底层为金属层11、12；
c)芯片承载底座X及打线内脚承载底座Y的金属层11、12上，先溅镀一层金属活化层21、22，再溅镀一层铜金属或合金层31、32；
d)芯片承载底座X和打线的内脚承载底座Y的铜金属或合金层31、32上，先溅涂一层金属活化层41或/和一层金属层51，该金属层是银层或镍层或钯层，再溅镀一层银金属或镍金属或钯金属层51、52。
Claims (3)
1、一种集成电路或分立元件超薄无脚封装用引线框架，包括基板(A)、芯片承载底座(X)和打线的内脚承载底座(Y)，其特征在于：
a)所述芯片承载底座(X)和打线的内脚承载底座(Y)向上凸出设置于基板(A)表面，相应于该芯片承载底座(X)和打线的内脚承载底座(Y)，基板(A)上与之相对应的芯片区(C1)及打线的内脚区(C2)凹陷于基板(A)表面；
b)芯片承载底座(X)及打线的内脚承载底座(Y)的底层为金属层(11、12)；
c)芯片承载底座(X)及打线内脚承载底座(Y)的金属层(11、12)上，先溅镀一层金属活化层(2)，再溅镀一层铜金属或合金层(31、32)；
d)打线的内脚承载底座(Y)的铜金属或合金层(32)上，溅镀一层银金属或镍金属或钯金属层(52)。
2、根据权利要求1所述的一种集成电路或分立元件超薄无脚封装用引线框架，其特征在于：芯片承载底座(X)的铜金属或合金层(31)上先溅涂一层金属活化层(41)和一层金属层(51)，该金属层是银层或镍层或钯层。
3、根据权利要求1或2所述的一种集成电路或分立元件超薄无脚封装用引线框架，其特征在于：打线的内脚承载底座(Y)的铜金属层(32)上，在溅涂一层银金属或镍金属或钯金属层(52)前先溅镀一层金属活化层(42)。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB2007100078379A CN100447998C (zh) | 2004-08-09 | 2004-08-09 | 集成电路或分立元件超薄无脚封装用引线框架 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB2007100078379A CN100447998C (zh) | 2004-08-09 | 2004-08-09 | 集成电路或分立元件超薄无脚封装用引线框架 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB2004100416456A Division CN1295768C (zh) | 2004-08-09 | 2004-08-09 | 集成电路或分立元件超薄无脚封装工艺及其封装结构 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1992252A CN1992252A (zh) | 2007-07-04 |
| CN100447998C true CN100447998C (zh) | 2008-12-31 |
Family
ID=38214367
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB2007100078379A Active CN100447998C (zh) | 2004-08-09 | 2004-08-09 | 集成电路或分立元件超薄无脚封装用引线框架 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN100447998C (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106935515A (zh) * | 2015-12-29 | 2017-07-07 | 无锡华润安盛科技有限公司 | 引线框架及其制造方法、基于该引线框架的芯片封装方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1148733A (zh) * | 1995-07-31 | 1997-04-30 | 日本电气株式会社 | 塑料模制的具有小平直度偏差引线的集成电路组件 |
| JP2000022241A (ja) * | 1998-04-28 | 2000-01-21 | New Japan Radio Co Ltd | ガンダイオード、その製造方法、およびその実装構造 |
| US6359341B1 (en) * | 1999-01-21 | 2002-03-19 | Siliconware Precision Industries, Co., Ltd. | Ball grid array integrated circuit package structure |
| US6521987B1 (en) * | 1998-10-21 | 2003-02-18 | Amkor Technology, Inc. | Plastic integrated circuit device package and method for making the package |
-
2004
- 2004-08-09 CN CNB2007100078379A patent/CN100447998C/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1148733A (zh) * | 1995-07-31 | 1997-04-30 | 日本电气株式会社 | 塑料模制的具有小平直度偏差引线的集成电路组件 |
| JP2000022241A (ja) * | 1998-04-28 | 2000-01-21 | New Japan Radio Co Ltd | ガンダイオード、その製造方法、およびその実装構造 |
| US6521987B1 (en) * | 1998-10-21 | 2003-02-18 | Amkor Technology, Inc. | Plastic integrated circuit device package and method for making the package |
| US6359341B1 (en) * | 1999-01-21 | 2002-03-19 | Siliconware Precision Industries, Co., Ltd. | Ball grid array integrated circuit package structure |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1992252A (zh) | 2007-07-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100369223C (zh) | 集成电路或分立元件平面凸点式封装工艺及其封装结构 | |
| US20100319898A1 (en) | Thermal interconnect and integrated interface systems, methods of production and uses thereof | |
| WO2008150775A2 (en) | Heat spreader compositions and materials, integrated circuitry, methods of production and uses thereof | |
| US20090134206A1 (en) | Process and Paste for Contacting Metal Surfaces | |
| KR920019530A (ko) | 열전도성 접착 필름, 열전도성 접착제 층을 포함하는 라미네이트 및 이의 용도 | |
| EP1731002A2 (en) | Heat spreader constructions, integrated circuitry, methods of forming heat speader contruictions, and methods of forming integrated circuitry | |
| CN203367260U (zh) | 一种功率陶瓷外壳和功率芯片封装结构 | |
| EP2972651B1 (en) | Electronic devices assembled with heat absorbing and/or thermally insulating composition | |
| CN106457404A (zh) | 用于制造金属粉末的方法 | |
| JP2013143426A (ja) | 導電性接着シートおよび太陽電池モジュール | |
| CN110060973A (zh) | 一种纳米金属膜模块制备方法及其基板制备方法 | |
| CN100447998C (zh) | 集成电路或分立元件超薄无脚封装用引线框架 | |
| CN102194762A (zh) | 半导体器件及其制造方法 | |
| CN1295768C (zh) | 集成电路或分立元件超薄无脚封装工艺及其封装结构 | |
| JP6962803B2 (ja) | クラッド材およびその製造方法 | |
| CA2609252A1 (en) | Cu-mo substrate and method for producing same | |
| CN101207044A (zh) | 散热型半导体封装件及其制法 | |
| CN101752262B (zh) | 线路板工艺 | |
| CN100370589C (zh) | 新型集成电路或分立元件超薄无脚封装工艺 | |
| CN2733588Y (zh) | 集成电路或分立元件超薄无脚封装结构 | |
| Chen et al. | Evaluation of high temperature reliability of SiC die attached structure with sinter micron-size Ag particles paste on Ni-P/Pd/Au plated substrates | |
| CN108777914A (zh) | 一种封装结构、应用其的低熔点金属器件及其封装方法 | |
| CN105914283B (zh) | 散热基板、功率模块及制备散热基板的方法 | |
| CN100376021C (zh) | 适用于集成电路或分立元件的平面凸点式封装工艺 | |
| CN208768334U (zh) | 一种封装结构、应用其的低熔点金属器件 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20170104 Address after: Tianjin free trade zone (Dongjiang Bonded Port) No. 6865 North Road, 1-1-1802-7 financial and trade center of Asia Patentee after: Xin Xin finance leasing (Tianjin) Co.,Ltd. Address before: 214431 Binjiang Middle Road, Jiangsu, China, No. 275, No. Patentee before: JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
|
| EE01 | Entry into force of recordation of patent licensing contract | ||
| EE01 | Entry into force of recordation of patent licensing contract |
Application publication date: 20070704 Assignee: JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY Co.,Ltd. Assignor: Xin Xin finance leasing (Tianjin) Co.,Ltd. Contract record no.: 2017320000152 Denomination of invention: Lead frame for integrated circuit or discrete components ultra-thin non-pin packing Granted publication date: 20081231 License type: Exclusive License Record date: 20170614 |
|
| EC01 | Cancellation of recordation of patent licensing contract | ||
| EC01 | Cancellation of recordation of patent licensing contract |
Assignee: JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY Co.,Ltd. Assignor: Xin Xin finance leasing (Tianjin) Co.,Ltd. Contract record no.: 2017320000152 Date of cancellation: 20200416 |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20200423 Address after: 78 Changshan Road, Chengjiang Town, Jiangyin City, Wuxi City, Jiangsu Province Patentee after: JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY Co.,Ltd. Address before: 1-1-1802-7, North Zone, financial and Trade Center, No. 6865, Asia Road, Tianjin pilot free trade zone (Dongjiang Free Trade Port) Patentee before: Xin Xin finance leasing (Tianjin) Co.,Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20221117 Address after: 201201 room 111, building 1, No. 200, Jichuang Road, Pudong New Area, Shanghai Patentee after: Changdian Technology Management Co.,Ltd. Address before: No.78 Changshan Road, Chengjiang Town, Jiangyin City, Wuxi City, Jiangsu Province Patentee before: JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY Co.,Ltd. |