JP2000022120A - 二次元画像検出器 - Google Patents
二次元画像検出器Info
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 408
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 132
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 93
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 88
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 88
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 40
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 31
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 31
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 24
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 24
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 11
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 17
- 229910004611 CdZnTe Inorganic materials 0.000 abstract description 13
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 88
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 23
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 20
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 19
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 16
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 13
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N diethylzinc Chemical compound CC[Zn]CC HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N dimethylzinc Chemical compound C[Zn]C AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 229910017107 AlOx Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 description 1
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- VQNPSCRXHSIJTH-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);carbanide Chemical compound [CH3-].[CH3-].[Cd+2] VQNPSCRXHSIJTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- -1 diisopropyl tellurium Chemical compound 0.000 description 1
- FRLYMSHUDNORBC-UHFFFAOYSA-N diisopropylzinc Chemical compound [Zn+2].C[CH-]C.C[CH-]C FRLYMSHUDNORBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ILXWFJOFKUNZJA-UHFFFAOYSA-N ethyltellanylethane Chemical compound CC[Te]CC ILXWFJOFKUNZJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 238000002601 radiography Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 アクティブマトリクス基板上に３００℃以下
の低温でＣｄＴｅやＣｄＺｎＴｅなどの半導体材料を形
成することで、応答性がよく、動画にも対応できる二次
元画像検出器を提出すること。 【解決手段】 格子状に配列された電極配線と、各格子
点毎に設けられた複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）５
と、該薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）５を介して前記電極
配線に接続される画素電極１４とが設けられているアク
ティブマトリクス基板１と、接続電極が形成された対向
基板２とが、異方導電性接着剤３により貼り合わされて
構成されている。さらに、上記対向基板２は、１２枚の
基板に分割されて、タイル状に配置されている。
の低温でＣｄＴｅやＣｄＺｎＴｅなどの半導体材料を形
成することで、応答性がよく、動画にも対応できる二次
元画像検出器を提出すること。 【解決手段】 格子状に配列された電極配線と、各格子
点毎に設けられた複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）５
と、該薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）５を介して前記電極
配線に接続される画素電極１４とが設けられているアク
ティブマトリクス基板１と、接続電極が形成された対向
基板２とが、異方導電性接着剤３により貼り合わされて
構成されている。さらに、上記対向基板２は、１２枚の
基板に分割されて、タイル状に配置されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｘ線などの放射
線、可視光、赤外光などの画像を検出できる二次元面像
検出器に関するものである。
線、可視光、赤外光などの画像を検出できる二次元面像
検出器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、放射線の二次元面像検出器と
して、Ｘ線を感知して電荷（電子−正孔）を発生する半
導体センサーを二次元状に配置し、これらのセンサーに
それぞれ電気スイッチを設けて、各行毎に電気スイッチ
を順次オンにして各列毎にセンサーの電荷を読み出すも
のが知られている。このような放射線二次元画像検出器
は、例えば、文献「D.L.Lee,et al., “A New Digital
Detector for Projection Radiography ”, SPIE, 243
2, pp.237-249,1995 」、「L.S.Jeromin, et al.,“App
lication of a-Si Active-Matrix Technology in a X-R
ay Detector Panel”, SID 97 DIGEST, pp.91-94, 1997
」、および特開平６−３４２０９８号公報などに具体
的な構造や原理が記載されている。
して、Ｘ線を感知して電荷（電子−正孔）を発生する半
導体センサーを二次元状に配置し、これらのセンサーに
それぞれ電気スイッチを設けて、各行毎に電気スイッチ
を順次オンにして各列毎にセンサーの電荷を読み出すも
のが知られている。このような放射線二次元画像検出器
は、例えば、文献「D.L.Lee,et al., “A New Digital
Detector for Projection Radiography ”, SPIE, 243
2, pp.237-249,1995 」、「L.S.Jeromin, et al.,“App
lication of a-Si Active-Matrix Technology in a X-R
ay Detector Panel”, SID 97 DIGEST, pp.91-94, 1997
」、および特開平６−３４２０９８号公報などに具体
的な構造や原理が記載されている。
【０００３】以下、前記従来の放射線二次元画像検出器
の構成と原理について説明する。
の構成と原理について説明する。
【０００４】図１２は、前記従来の放射線二次元画像検
出器の構造を模式的に示した説明図である。また、図１
３は、図１２の１画素当たりの構成を示した断面図であ
る。
出器の構造を模式的に示した説明図である。また、図１
３は、図１２の１画素当たりの構成を示した断面図であ
る。
【０００５】前記放射線二次元画像検出器は、図１２お
よび図１３に示すように、ガラス基板５１上にＸＹマト
リクス状の電極配線（ゲート電極５２とソース電極５
３）、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）５４、電荷蓄積容量
（Ｃｓ）５５などが形成されたアクティブマトリクス基
板を備えている。また、このアクティブマトリクス基板
上には、そのほぼ全面に、光導電膜５６、誘電体層５７
および上部電極５８が形成されている。
よび図１３に示すように、ガラス基板５１上にＸＹマト
リクス状の電極配線（ゲート電極５２とソース電極５
３）、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）５４、電荷蓄積容量
（Ｃｓ）５５などが形成されたアクティブマトリクス基
板を備えている。また、このアクティブマトリクス基板
上には、そのほぼ全面に、光導電膜５６、誘電体層５７
および上部電極５８が形成されている。
【０００６】前記電荷蓄積容量５５は、電荷蓄積容量電
極（Ｃｓ電極）５９と、前記薄膜トランジスタ５４のド
レイン電極に接続された画素電極６０とが、絶縁層６１
を介して対向している構成である。
極（Ｃｓ電極）５９と、前記薄膜トランジスタ５４のド
レイン電極に接続された画素電極６０とが、絶縁層６１
を介して対向している構成である。
【０００７】前記光導電膜５６には、Ｘ線などの放射線
が照射されることで電荷（電子−正孔）が発生する半導
体材料が用いられるが、前記文献によれば、暗抵抗が高
く、Ｘ線照射に対して良好な光導電特性を示すアモルフ
ァスセレニウム（ａ−Ｓｅ）が用いられている。この光
導電膜（ａ−Ｓｅ）５６は、真空蒸着法によって３００
〜６００μｍの厚みで形成されている。
が照射されることで電荷（電子−正孔）が発生する半導
体材料が用いられるが、前記文献によれば、暗抵抗が高
く、Ｘ線照射に対して良好な光導電特性を示すアモルフ
ァスセレニウム（ａ−Ｓｅ）が用いられている。この光
導電膜（ａ−Ｓｅ）５６は、真空蒸着法によって３００
〜６００μｍの厚みで形成されている。
【０００８】また、前記アクティブマトリクス基板は、
液晶表示装置を製造する過程で形成されるアクティブマ
トリクス基板を流用することが可能である。例えば、ア
クティブマトリクス型液晶表示装置（ＡＭＬＣＤ）に用
いられるアクティブマトリクス基板は、アモルファスシ
リコン（ａ−Ｓｉ）やポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）によっ
て形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や、ＸＹマト
リクス電極、電荷蓄積容量（Ｃｓ）を備えた構造になっ
ている。したがって、若干の設計変更を行うだけで、放
射線二次元画像検出器用のアクティブマトリクス基板と
して利用することが容易である。
液晶表示装置を製造する過程で形成されるアクティブマ
トリクス基板を流用することが可能である。例えば、ア
クティブマトリクス型液晶表示装置（ＡＭＬＣＤ）に用
いられるアクティブマトリクス基板は、アモルファスシ
リコン（ａ−Ｓｉ）やポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）によっ
て形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や、ＸＹマト
リクス電極、電荷蓄積容量（Ｃｓ）を備えた構造になっ
ている。したがって、若干の設計変更を行うだけで、放
射線二次元画像検出器用のアクティブマトリクス基板と
して利用することが容易である。
【０００９】次に、前記構造の放射線二次元画像検出器
の動作原理について説明する。
の動作原理について説明する。
【００１０】前記ａ−Ｓｅ膜などの光導電膜５６に放射
線が照射されると、光導電膜５６内に電荷（電子−正
孔）が発生する。図１２および図１３に示すように、光
導電膜５６と電荷蓄積容量（Ｃｓ）５５とは電気的に直
列に接続された構造になっているので、上部電極５８と
電荷蓄積容量電極（Ｃｓ電極）５９との間に電圧を印加
しておくと、光導電膜５６で発生した電荷（電子−正
孔）がそれぞれ＋電極側と−電極側に移動し、その結
果、電荷蓄積容量（Ｃｓ）５５に電荷が蓄積される仕組
みになっている。なお、光導電膜５６と電荷蓄積容量
（Ｃｓ）５５との間には、薄い絶縁層からなる電荷阻止
層６２が形成されており、これが一方側からの電荷の注
入を阻止する阻止型フォトダイオードの役割を果たして
いる。
線が照射されると、光導電膜５６内に電荷（電子−正
孔）が発生する。図１２および図１３に示すように、光
導電膜５６と電荷蓄積容量（Ｃｓ）５５とは電気的に直
列に接続された構造になっているので、上部電極５８と
電荷蓄積容量電極（Ｃｓ電極）５９との間に電圧を印加
しておくと、光導電膜５６で発生した電荷（電子−正
孔）がそれぞれ＋電極側と−電極側に移動し、その結
果、電荷蓄積容量（Ｃｓ）５５に電荷が蓄積される仕組
みになっている。なお、光導電膜５６と電荷蓄積容量
（Ｃｓ）５５との間には、薄い絶縁層からなる電荷阻止
層６２が形成されており、これが一方側からの電荷の注
入を阻止する阻止型フォトダイオードの役割を果たして
いる。
【００１１】前記の作用で、電荷蓄積容量（Ｃｓ）５５
に蓄積された電荷は、ゲート電極Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，
…，Ｇｎの入力信号によって薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）５４をオープン状態にすることで、ソース電極Ｓ
１，Ｓ２，Ｓ３，…，Ｓｎより外部に取り出すことが可
能である。電極配線（ゲート電極５２とソース電極５
３）、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）５４、および電荷蓄
積容量（Ｃｓ）５５などは、すべてＸＹマトリクス状に
設けられているため、ゲート電極Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，
…，Ｇｎに入力する信号を線順次に走査することで、二
次元的にＸ線の画像情報を得ることが可能となる。
に蓄積された電荷は、ゲート電極Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，
…，Ｇｎの入力信号によって薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）５４をオープン状態にすることで、ソース電極Ｓ
１，Ｓ２，Ｓ３，…，Ｓｎより外部に取り出すことが可
能である。電極配線（ゲート電極５２とソース電極５
３）、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）５４、および電荷蓄
積容量（Ｃｓ）５５などは、すべてＸＹマトリクス状に
設けられているため、ゲート電極Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，
…，Ｇｎに入力する信号を線順次に走査することで、二
次元的にＸ線の画像情報を得ることが可能となる。
【００１２】なお、前記二次元画像検出器が、使用する
光導電膜５６がＸ線などの放射線に対する光導電性だけ
でなく可視光や赤外光に対しても光導電性を示す場合
は、可視光や赤外光の二次元画像検出器としても作用す
る。
光導電膜５６がＸ線などの放射線に対する光導電性だけ
でなく可視光や赤外光に対しても光導電性を示す場合
は、可視光や赤外光の二次元画像検出器としても作用す
る。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記従来の
放射線二次元画像検出器では、光導電膜５６としてａ−
Ｓｅを用いている。このａ−Ｓｅは、アモルファス材料
特有の光電流の分散型伝導特性を有していることから応
答性が悪く、また、Ｘ線に対する感度（Ｓ／Ｎ比）が十
分でないため、長時間Ｘ線を照射して電荷蓄積容量（Ｃ
ｓ）５５を十分に充電してからでないと情報を読み出す
ことができないといった欠点を持ち合わせている。
放射線二次元画像検出器では、光導電膜５６としてａ−
Ｓｅを用いている。このａ−Ｓｅは、アモルファス材料
特有の光電流の分散型伝導特性を有していることから応
答性が悪く、また、Ｘ線に対する感度（Ｓ／Ｎ比）が十
分でないため、長時間Ｘ線を照射して電荷蓄積容量（Ｃ
ｓ）５５を十分に充電してからでないと情報を読み出す
ことができないといった欠点を持ち合わせている。
【００１４】また、Ｘ線の照射時の漏れ電流が原因で生
じる、電荷蓄積容量（Ｃｓ）５５への電荷の蓄積の防
止、およびリーク電流（暗電流）の低減や高電圧保護の
目的で、光導電膜（ａ−Ｓｅ）５６と上部電極５８との
間に誘電体層５７が設けられている。しかし、この場
合、この誘電体層５７に残留する電荷を１フレーム毎に
除去するシーケンスが付加される必要があるため、前記
放射線二次元画像検出器は静止画の撮影にしか利用する
ことができないといった問題を有していた。
じる、電荷蓄積容量（Ｃｓ）５５への電荷の蓄積の防
止、およびリーク電流（暗電流）の低減や高電圧保護の
目的で、光導電膜（ａ−Ｓｅ）５６と上部電極５８との
間に誘電体層５７が設けられている。しかし、この場
合、この誘電体層５７に残留する電荷を１フレーム毎に
除去するシーケンスが付加される必要があるため、前記
放射線二次元画像検出器は静止画の撮影にしか利用する
ことができないといった問題を有していた。
【００１５】これに対し、動画に対応した面像データを
得るためには、ａ−Ｓｅの代わりに、結晶（もしくは多
結晶）材料で、かつＸ線に対する感度（Ｓ／Ｎ比）の優
れた光導電膜５６を利用する必要がある。光導電膜５６
の感度が向上すれば、短時間のＸ線照射でも電荷蓄積容
量（Ｃｓ）５５を十分に充電できるようになり、また、
光導電膜５６に高電圧を印加する必要がなくなるため、
誘電体層５７自身も不要となる。
得るためには、ａ−Ｓｅの代わりに、結晶（もしくは多
結晶）材料で、かつＸ線に対する感度（Ｓ／Ｎ比）の優
れた光導電膜５６を利用する必要がある。光導電膜５６
の感度が向上すれば、短時間のＸ線照射でも電荷蓄積容
量（Ｃｓ）５５を十分に充電できるようになり、また、
光導電膜５６に高電圧を印加する必要がなくなるため、
誘電体層５７自身も不要となる。
【００１６】このような、Ｘ線に対する感度が優れた光
導電材料としては、ＣｄＴｅやＣｄＺｎＴｅなどが知ら
れている。一般に、Ｘ線の光電吸収は吸収物質の実効原
子番号の５乗に比例するため、例えば、Ｓｅの原子番号
が３４、ＣｄＴｅの実効原子番号が５０とすると、約
６．９倍の感度の向上が期待できる。ところが、前記放
射線二次元画像検出器の光導電膜として、ａ−Ｓｅの代
わりにＣｄＴｅやＣｄＺｎＴｅを利用しようとすると、
以下のような問題が生じる。
導電材料としては、ＣｄＴｅやＣｄＺｎＴｅなどが知ら
れている。一般に、Ｘ線の光電吸収は吸収物質の実効原
子番号の５乗に比例するため、例えば、Ｓｅの原子番号
が３４、ＣｄＴｅの実効原子番号が５０とすると、約
６．９倍の感度の向上が期待できる。ところが、前記放
射線二次元画像検出器の光導電膜として、ａ−Ｓｅの代
わりにＣｄＴｅやＣｄＺｎＴｅを利用しようとすると、
以下のような問題が生じる。
【００１７】従来のａ−Ｓｅの場合、成膜方法としては
真空蒸着法を用いることができ、この時の成膜温度は常
温で可能なため、上述したアクティブマトリクス基板上
への成膜が容易であった。これに対して、ＣｄＴｅやＣ
ｄＺｎＴｅの場合は、ＭＢＥ（Morlecular Beam Epitax
y ）法やＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical VaporDe
position ）法による成膜法が知られており、特に大面
積基板への成膜を考慮するとＭＯＣＶＤが適した方法と
考えられる。
真空蒸着法を用いることができ、この時の成膜温度は常
温で可能なため、上述したアクティブマトリクス基板上
への成膜が容易であった。これに対して、ＣｄＴｅやＣ
ｄＺｎＴｅの場合は、ＭＢＥ（Morlecular Beam Epitax
y ）法やＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical VaporDe
position ）法による成膜法が知られており、特に大面
積基板への成膜を考慮するとＭＯＣＶＤが適した方法と
考えられる。
【００１８】しかしながら、ＭＯＣＶＤ法でＣｄＴｅや
ＣｄＺｎＴｅを成膜する場合、原料である有機カドミウ
ム（ＤＭＣｄ）の熱分解温度が約３００℃、有機テルル
（ＤＥＴｅやＤｉＰＴｅ）の熱分解温度が各々約４００
℃、約３５０℃であるため、成膜には約４００℃の高温
が要求される。
ＣｄＺｎＴｅを成膜する場合、原料である有機カドミウ
ム（ＤＭＣｄ）の熱分解温度が約３００℃、有機テルル
（ＤＥＴｅやＤｉＰＴｅ）の熱分解温度が各々約４００
℃、約３５０℃であるため、成膜には約４００℃の高温
が要求される。
【００１９】一般に、アクティブマトリクス基板に形成
されている前述の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は、半導
体層としてａ−Ｓｉ膜やｐ−Ｓｉ膜を用いているが、半
導体特性を向上させるために３００〜３５０℃程度の温
度で水素（Ｈ2 ）を付加しながら成膜されている。この
ようにして形成されるＴＦＴ素子の耐熱温度は約３００
℃であり、ＴＦＴ素子をこれ以上の高温に曝すとａ−Ｓ
ｉ膜やｐ−Ｓｉ膜から水素が抜け出し半導体特性が劣化
してしまう。
されている前述の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は、半導
体層としてａ−Ｓｉ膜やｐ−Ｓｉ膜を用いているが、半
導体特性を向上させるために３００〜３５０℃程度の温
度で水素（Ｈ2 ）を付加しながら成膜されている。この
ようにして形成されるＴＦＴ素子の耐熱温度は約３００
℃であり、ＴＦＴ素子をこれ以上の高温に曝すとａ−Ｓ
ｉ膜やｐ−Ｓｉ膜から水素が抜け出し半導体特性が劣化
してしまう。
【００２０】したがって、上述のアクティブマトリクス
基板上に、ＭＯＣＶＤ法を用いてＣｄＴｅやＣｄＺｎＴ
ｅを成膜することは、成膜温度の観点から事実上困難で
あった。
基板上に、ＭＯＣＶＤ法を用いてＣｄＴｅやＣｄＺｎＴ
ｅを成膜することは、成膜温度の観点から事実上困難で
あった。
【００２１】本発明は、上記の問題点に臨みてなされた
もので、アクティブマトリクス基板上に３００℃以下の
低温でＣｄＴｅやＣｄＺｎＴｅなどの半導体材料を形成
することにより、応答性がよく、動画像にも対応できる
二次元画像検出器を提供することを課題とする。
もので、アクティブマトリクス基板上に３００℃以下の
低温でＣｄＴｅやＣｄＺｎＴｅなどの半導体材料を形成
することにより、応答性がよく、動画像にも対応できる
二次元画像検出器を提供することを課題とする。
【００２２】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、請求項１記載の二次元画像検出器は、格子状に配
列された電極配線と、各格子点毎に設けられた複数のス
イッチング素子と、該スイッチング素子を介して前記電
極配線に接続される画素電極を含む電荷蓄積容量とから
なる画素配列層と、前記画素配列層のほぼ全面に対向し
て形成される電極部と、前記画素配列層および電極部の
間に形成され、光導電性を有する半導体層とを備えた二
次元画像検出器において、前記画素配列層を含むアクテ
ィブマトリクス基板と、前記電極部および半導体層を含
む対向基板とを備え、前記アクティブマトリクス基板の
画素配列層と前記対向基板の半導体層とが対向するよう
に両基板が配置されるとともに、該両基板は導電性材料
によって電気的に接続されてなり、前記アクティブマト
リクス基板と前記対向基板との少なくとも一方の基板
は、複数に分割されていることを特徴としている。
めに、請求項１記載の二次元画像検出器は、格子状に配
列された電極配線と、各格子点毎に設けられた複数のス
イッチング素子と、該スイッチング素子を介して前記電
極配線に接続される画素電極を含む電荷蓄積容量とから
なる画素配列層と、前記画素配列層のほぼ全面に対向し
て形成される電極部と、前記画素配列層および電極部の
間に形成され、光導電性を有する半導体層とを備えた二
次元画像検出器において、前記画素配列層を含むアクテ
ィブマトリクス基板と、前記電極部および半導体層を含
む対向基板とを備え、前記アクティブマトリクス基板の
画素配列層と前記対向基板の半導体層とが対向するよう
に両基板が配置されるとともに、該両基板は導電性材料
によって電気的に接続されてなり、前記アクティブマト
リクス基板と前記対向基板との少なくとも一方の基板
は、複数に分割されていることを特徴としている。
【００２３】さらに、請求項２記載の二次元画像検出器
は、上記の課題を解決するために、請求項１に記載の発
明において、上記導電性材料は、上記画素配列層および
上記半導体層の対向面の法線方向にのみ導電性を有する
異方導電性材料であることを特徴としている。
は、上記の課題を解決するために、請求項１に記載の発
明において、上記導電性材料は、上記画素配列層および
上記半導体層の対向面の法線方向にのみ導電性を有する
異方導電性材料であることを特徴としている。
【００２４】上記請求項１の構成によれば、画素配列層
を含むアクティブマトリクス基板と、電極部および半導
体層を含む対向基板とを、導電性材料によって接続する
ことで、前記アクティブマトリクス基板と対向基板とを
別々に作成することが可能となっている。
を含むアクティブマトリクス基板と、電極部および半導
体層を含む対向基板とを、導電性材料によって接続する
ことで、前記アクティブマトリクス基板と対向基板とを
別々に作成することが可能となっている。
【００２５】この点に関し、従来では、既に画素配列層
が形成されている基板上に半導体層を形成していたた
め、半導体層の形成時に該画素配列層のスイッチング素
子に対して悪影響を与える熱処理を必要とする半導体材
料を使用することができなかった。しかし、上記の構成
により、アクティブマトリクス基板と対向基板とを別々
に作成することが可能となるので、従来ではスイッチン
グ素子の耐熱温度の観点から使用できなかった材料を上
記半導体層として使用することが可能になる。
が形成されている基板上に半導体層を形成していたた
め、半導体層の形成時に該画素配列層のスイッチング素
子に対して悪影響を与える熱処理を必要とする半導体材
料を使用することができなかった。しかし、上記の構成
により、アクティブマトリクス基板と対向基板とを別々
に作成することが可能となるので、従来ではスイッチン
グ素子の耐熱温度の観点から使用できなかった材料を上
記半導体層として使用することが可能になる。
【００２６】ここで、通常、アクティブマトリクス基板
は、その製造過程において、半導体層の微細加工などの
高度な製造技術を必要としているため、該アクティブマ
トリクス基板の大面積化に伴って製造工程での歩留まり
が急激に低下し、生産コストが上昇してしまうという課
題を有している。
は、その製造過程において、半導体層の微細加工などの
高度な製造技術を必要としているため、該アクティブマ
トリクス基板の大面積化に伴って製造工程での歩留まり
が急激に低下し、生産コストが上昇してしまうという課
題を有している。
【００２７】また、対向基板においては、例えば、該対
向基板自身を半導体結晶ウエハーで形成する場合に、ウ
エハーの大面積化が難しいといった課題を有している。
さらに、別の支持基板上に半導体膜を成膜する場合にお
いても、１００μｍ以上の膜厚の半導体膜を必要とする
ため、大面積化に伴う膜応力により、膜剥がれや、膜厚
および膜質の面内ばらつきの増大というような成膜不良
が発生し易い。従って、急激に歩留まりか低下して生産
コストが上昇してしまうといった課題も有している。
向基板自身を半導体結晶ウエハーで形成する場合に、ウ
エハーの大面積化が難しいといった課題を有している。
さらに、別の支持基板上に半導体膜を成膜する場合にお
いても、１００μｍ以上の膜厚の半導体膜を必要とする
ため、大面積化に伴う膜応力により、膜剥がれや、膜厚
および膜質の面内ばらつきの増大というような成膜不良
が発生し易い。従って、急激に歩留まりか低下して生産
コストが上昇してしまうといった課題も有している。
【００２８】このような点に関し、本発明の請求項１に
記載の二次元画像検出器は、アクティブマトリクス基板
および対向基板のうち少なくとも一方の基板を複数に分
割した構成であるので、分割されて小型化された各基板
を、歩留まり良く安価に製造することが可能となってい
る。
記載の二次元画像検出器は、アクティブマトリクス基板
および対向基板のうち少なくとも一方の基板を複数に分
割した構成であるので、分割されて小型化された各基板
を、歩留まり良く安価に製造することが可能となってい
る。
【００２９】これにより、アクティブマトリクス基板、
または対向基板が大面積化されても、歩留りを低下させ
ることなく、生産コストの上昇を抑えた二次元画像検出
器を提供することができる。
または対向基板が大面積化されても、歩留りを低下させ
ることなく、生産コストの上昇を抑えた二次元画像検出
器を提供することができる。
【００３０】なお、このときに複数に分割する基板は、
アクティブマトリクス基板だけであっても対向基板だけ
であっても良く、また両基板ともに分割しても構わな
い。この場合には、それぞれ分割する度合いに応じてコ
ストダウンが可能になる。
アクティブマトリクス基板だけであっても対向基板だけ
であっても良く、また両基板ともに分割しても構わな
い。この場合には、それぞれ分割する度合いに応じてコ
ストダウンが可能になる。
【００３１】また、上記二次元画像検出器は、アクティ
ブマトリクス基板と対向基板とが導電性材料によって電
気的に接続された構成となっているが、面内での隣接画
素間のクロストークを防ぐために、請求項２に記載の二
次元画像検出器の構成のように、上記導電性材料として
は、面内方向には絶縁されて、上下方向（アクティブマ
トリクス基板の画素配列層、および対向基板の半導体層
の対向面の法線方向）にのみ導電性を示す異方導電性材
料を用いることが好ましい。特に、同時に両基板を機械
的に接着できる材料が好ましく、このような異方導電性
材料としては、例えば、接着剤中に導電粒子を分散させ
た異方導電性接着剤が有望である。
ブマトリクス基板と対向基板とが導電性材料によって電
気的に接続された構成となっているが、面内での隣接画
素間のクロストークを防ぐために、請求項２に記載の二
次元画像検出器の構成のように、上記導電性材料として
は、面内方向には絶縁されて、上下方向（アクティブマ
トリクス基板の画素配列層、および対向基板の半導体層
の対向面の法線方向）にのみ導電性を示す異方導電性材
料を用いることが好ましい。特に、同時に両基板を機械
的に接着できる材料が好ましく、このような異方導電性
材料としては、例えば、接着剤中に導電粒子を分散させ
た異方導電性接着剤が有望である。
【００３２】なお、上記のような異方導電性接着剤は、
通常、アクティブマトリクス基板と対向基板とに挟み込
んで、１０〜３０ｋｇｆ／ｃｍ2 の加圧を行った状態で
接着剤を硬化させるというプロセスを必要とする。これ
は、安定した導通を得るために異方導電性接着剤中に分
散されている導電粒子をある程度変形させて、電極と導
電粒子との接触面積を増加させる必要があるからであ
る。
通常、アクティブマトリクス基板と対向基板とに挟み込
んで、１０〜３０ｋｇｆ／ｃｍ2 の加圧を行った状態で
接着剤を硬化させるというプロセスを必要とする。これ
は、安定した導通を得るために異方導電性接着剤中に分
散されている導電粒子をある程度変形させて、電極と導
電粒子との接触面積を増加させる必要があるからであ
る。
【００３３】しかしながら、このような異方導電性接着
剤で大面積の基板を貼り合わせようとすると、面積に比
例して非常に大きな加圧力と、加圧力の均一性とが必要
になり、そのためのプレス装置も極めて大掛かりなもの
となってしまう。例えば、２０ｋｇｆ／ｃｍ2 の加圧を
必要とする異方導電性接着剤で、４３０ｍｍ×３５０ｍ
ｍの面積の基板を貼り合わせようとすると、約３０００
０ｋｇｆもの加圧が必要になる。
剤で大面積の基板を貼り合わせようとすると、面積に比
例して非常に大きな加圧力と、加圧力の均一性とが必要
になり、そのためのプレス装置も極めて大掛かりなもの
となってしまう。例えば、２０ｋｇｆ／ｃｍ2 の加圧を
必要とする異方導電性接着剤で、４３０ｍｍ×３５０ｍ
ｍの面積の基板を貼り合わせようとすると、約３０００
０ｋｇｆもの加圧が必要になる。
【００３４】ところが、アクティブマトリクス基板と対
向基板とのうち、少なくとも一方の基板を分割して貼り
合わせることにより、分割する枚数に応じて加圧力を低
減することが可能になる。例えば、後述する発明の実施
の形態でも述べるが、対向基板を１２枚に分割して順次
貼り合わせていくことで、分割された対向基板１枚当た
りを貼り合わせる際に必要なプレス力は、約２５００ｋ
ｇｆで済む。このように、加圧力を１桁以上低減するこ
とができるとともに、それに伴って加圧装置の小型化も
可能にしている。また、分割された対向基板１枚当たり
の面積も１／１２となるため、面内での加圧の均一性も
得やすくなっている。
向基板とのうち、少なくとも一方の基板を分割して貼り
合わせることにより、分割する枚数に応じて加圧力を低
減することが可能になる。例えば、後述する発明の実施
の形態でも述べるが、対向基板を１２枚に分割して順次
貼り合わせていくことで、分割された対向基板１枚当た
りを貼り合わせる際に必要なプレス力は、約２５００ｋ
ｇｆで済む。このように、加圧力を１桁以上低減するこ
とができるとともに、それに伴って加圧装置の小型化も
可能にしている。また、分割された対向基板１枚当たり
の面積も１／１２となるため、面内での加圧の均一性も
得やすくなっている。
【００３５】請求項３記載の二次元画像検出器は、上記
の課題を解決するために、請求項１または２に記載の発
明において、前記半導体層は、放射線に対して感度を有
することを特徴としている。
の課題を解決するために、請求項１または２に記載の発
明において、前記半導体層は、放射線に対して感度を有
することを特徴としている。
【００３６】上記の構成によれば、上記半導体層は放射
線に対して感度を有するので、放射線に対する二次元画
像検出器を実現することが可能となっている。
線に対して感度を有するので、放射線に対する二次元画
像検出器を実現することが可能となっている。
【００３７】請求項４記載の二次元画像検出器は、上記
の課題を解決するために、請求項３に記載の発明におい
て、前記半導体層は、ＣｄＴｅもしくはＣｄＺｎＴｅ化
合物半導体であることを特徴としている。
の課題を解決するために、請求項３に記載の発明におい
て、前記半導体層は、ＣｄＴｅもしくはＣｄＺｎＴｅ化
合物半導体であることを特徴としている。
【００３８】上記の構成によれば、上記半導体層とし
て、ＣｄＴｅもしくはＣｄＺｎＴｅ化合物半導体が用い
られている。
て、ＣｄＴｅもしくはＣｄＺｎＴｅ化合物半導体が用い
られている。
【００３９】これにより、これまで用いられてきたａ−
Ｓｅからなる半導体層と比較して、放射線に対する感度
が向上し、動画の撮影が可能となる。
Ｓｅからなる半導体層と比較して、放射線に対する感度
が向上し、動画の撮影が可能となる。
【００４０】請求項５記載の二次元画像検出器は、上記
の課題を解決するために、請求項１乃至４の何れかに記
載の発明において、前記アクティブマトリクス基板が複
数に分割されているとともに、該複数に分割されたアク
ティブマトリクス基板は、該アクティブマトリクス基板
の配置位置に応じて同一の配線パターンを有するマザー
基板の所定の箇所を切断することにより形成されている
ことを特徴としている。
の課題を解決するために、請求項１乃至４の何れかに記
載の発明において、前記アクティブマトリクス基板が複
数に分割されているとともに、該複数に分割されたアク
ティブマトリクス基板は、該アクティブマトリクス基板
の配置位置に応じて同一の配線パターンを有するマザー
基板の所定の箇所を切断することにより形成されている
ことを特徴としている。
【００４１】上記の構成によれば、前記複数に分割され
たアクティブマトリクス基板は、該基板の配置位置に応
じて同一配線パターンを有するマザー基板の所定の箇所
を切断することによって形成されている。
たアクティブマトリクス基板は、該基板の配置位置に応
じて同一配線パターンを有するマザー基板の所定の箇所
を切断することによって形成されている。
【００４２】これにより、複数に分割されたアクティブ
マトリクス基板の配置位置に応じた、専用の配線パター
ンを有する基板を製造する必要がないので、コストダウ
ンが可能となる。
マトリクス基板の配置位置に応じた、専用の配線パター
ンを有する基板を製造する必要がないので、コストダウ
ンが可能となる。
【００４３】請求項６記載の二次元画像検出器は、上記
の課題を解決するために、請求項１乃至５の何れかに記
載の発明において、前記対向基板は、光導電性を有する
半導体層自身が支持基板であることを特徴としている。
の課題を解決するために、請求項１乃至５の何れかに記
載の発明において、前記対向基板は、光導電性を有する
半導体層自身が支持基板であることを特徴としている。
【００４４】上記の構成によれば、前記対向基板は、光
導電性を有する半導体層自身を支持基板としている。
導電性を有する半導体層自身を支持基板としている。
【００４５】これにより、ブリッジマン法やグラディエ
ントフリーズ法、トラベルヒーティング法などによって
得られる結晶性半導体基板を、容易に利用することが可
能となる。
ントフリーズ法、トラベルヒーティング法などによって
得られる結晶性半導体基板を、容易に利用することが可
能となる。
【００４６】請求項７記載の二次元画像検出器は、上記
の課題を解決するために、請求項１乃至６の何れかに記
載の発明において、前記対向基板は、検出する光や放射
線を透過する基板を支持基板とし、該支持基板上に光導
電性を有する半導体膜が形成されていることを特徴とし
ている。
の課題を解決するために、請求項１乃至６の何れかに記
載の発明において、前記対向基板は、検出する光や放射
線を透過する基板を支持基板とし、該支持基板上に光導
電性を有する半導体膜が形成されていることを特徴とし
ている。
【００４７】上記の構成によれば、前記対向基板は、検
出する光や放射線を透過する基板を支持基板とし、該支
持基板上に光導電性を有する半導体膜が形成されてい
る。
出する光や放射線を透過する基板を支持基板とし、該支
持基板上に光導電性を有する半導体膜が形成されてい
る。
【００４８】これにより、対向基板自身の強度を大幅に
増強することができる。
増強することができる。
【００４９】請求項８記載の二次元画像検出器は、上記
の課題を解決するために、請求項１乃至７の何れかに記
載の発明において、前記複数に分割された基板は、一枚
の基板の同一平面上に隣接するように並べられて配置、
固定されていることを特徴としている。
の課題を解決するために、請求項１乃至７の何れかに記
載の発明において、前記複数に分割された基板は、一枚
の基板の同一平面上に隣接するように並べられて配置、
固定されていることを特徴としている。
【００５０】上記の構成によれば、複数に分割された上
記基板は、別の大型支持基板の同一平面上に隣接するよ
うにタイル状に並べられて配置、固定されている。
記基板は、別の大型支持基板の同一平面上に隣接するよ
うにタイル状に並べられて配置、固定されている。
【００５１】これにより、複数に分割された各基板間の
つなぎ目の機械的強度を大幅に補強することができる。
つなぎ目の機械的強度を大幅に補強することができる。
【００５２】請求項９記載の二次元画像検出器は、上記
の課題を解決するために、請求項１乃至８の何れかに記
載の発明において、前記導電性材料が異方導電性接着剤
であるとともに、該異方導電性接着材は、前記複数に分
割された基板に応じて分割されていることを特徴として
いる。
の課題を解決するために、請求項１乃至８の何れかに記
載の発明において、前記導電性材料が異方導電性接着剤
であるとともに、該異方導電性接着材は、前記複数に分
割された基板に応じて分割されていることを特徴として
いる。
【００５３】上記の構成によれば、上記導電性材料が異
方導電性接着剤であるとともに、該異方導電性接着剤
は、該複数に分割された基板に応じて分割されている。
方導電性接着剤であるとともに、該異方導電性接着剤
は、該複数に分割された基板に応じて分割されている。
【００５４】これにより、使用する異方導電性接着剤自
身が、製造上の制限やコスト面での制限などにより大面
積化することが困難な場合、例えば特開平８−３０６４
１５号公報に記載されているような、特殊な構造の異方
導電性接着剤であるため大面積化を行うとコストが増大
するという場合でも、コストを抑えて、容易に大面積の
二次元画像検出器を実現することが可能となる。
身が、製造上の制限やコスト面での制限などにより大面
積化することが困難な場合、例えば特開平８−３０６４
１５号公報に記載されているような、特殊な構造の異方
導電性接着剤であるため大面積化を行うとコストが増大
するという場合でも、コストを抑えて、容易に大面積の
二次元画像検出器を実現することが可能となる。
【００５５】
【発明の実施の形態】〔実施の形態１〕本発明の第１の
実施の形態について図１ないし図４に基づいて説明すれ
ば、以下のとおりである。
実施の形態について図１ないし図４に基づいて説明すれ
ば、以下のとおりである。
【００５６】図１（ａ），（ｂ）および図２は、本実施
の形態に係る二次元画像検出器の構成を示したものであ
る。図１（ａ）は、二次元画像検出器の全体の構成を概
略的に示す断面図であり、図１（ｂ）は、上記二次元画
像検出器を上から（対向基板２側から）見た平面図であ
る。また、図２は、図１に示す二次元面像検出器の１画
素当たりの構成を示す断面図である。
の形態に係る二次元画像検出器の構成を示したものであ
る。図１（ａ）は、二次元画像検出器の全体の構成を概
略的に示す断面図であり、図１（ｂ）は、上記二次元画
像検出器を上から（対向基板２側から）見た平面図であ
る。また、図２は、図１に示す二次元面像検出器の１画
素当たりの構成を示す断面図である。
【００５７】なお、図１（ａ）では、便宜上、１画素を
大きくして（画素数を少なくして）記載しているが、実
際の二次元画像検出器は、例えば全受像面積４３０ｍｍ
×３５０ｍｍに対して、６００万画素程度の画素密度を
有している。
大きくして（画素数を少なくして）記載しているが、実
際の二次元画像検出器は、例えば全受像面積４３０ｍｍ
×３５０ｍｍに対して、６００万画素程度の画素密度を
有している。
【００５８】本実施の形態における二次元画像検出器
は、図１（ａ）に示すように、スイッチング素子として
の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）５と画素電極１４とが形
成されたアクティブマトリクス基板１と、接続電極（図
示せず）が形成された対向基板２とが、異方導電性材料
である異方導電性接着剤３により貼り合わされて構成さ
れている。なお、ここでの異方導電性材料とは、導電特
性に異方性を有する材料の総称であり、本実施の形態に
係る異方導電性接着剤３としては、絶縁性の接着剤３ａ
に導電粒子３ｂが混入されたものを用いている。
は、図１（ａ）に示すように、スイッチング素子として
の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）５と画素電極１４とが形
成されたアクティブマトリクス基板１と、接続電極（図
示せず）が形成された対向基板２とが、異方導電性材料
である異方導電性接着剤３により貼り合わされて構成さ
れている。なお、ここでの異方導電性材料とは、導電特
性に異方性を有する材料の総称であり、本実施の形態に
係る異方導電性接着剤３としては、絶縁性の接着剤３ａ
に導電粒子３ｂが混入されたものを用いている。
【００５９】また、上記アクティブマトリクス基板１
は、液晶表示装置を製造する過程で形成されるアクティ
ブマトリクス基板と同じプロセスで形成することが可能
である。具体的に説明すれば、図２に示すように、ガラ
ス基板７上に、ＸＹマトリクス状の電極配線（ゲート電
極８とソース電極９）、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
５、電荷蓄積容量（Ｃｓ）を構成している画素電極１４
および電荷蓄積容量電極（Ｃｓ電極）４などにより画素
配列層が構成されている、前記ガラス基板７には、無ア
ルカリガラス基板（例えばコーニング社製＃７０５９や
＃１７３７）を用い、その上にＴａ（タンタル）などの
金属膜からなるゲート電極８を形成する。該ゲート電極
８は、Ｔａなどをスパッタ蒸着で厚さ約３０００Åに成
膜した後、所望の形状にパターニングして得られる。こ
の際、同時に電荷蓄積容量電極（Ｃｓ電極）４も形成さ
れる。
は、液晶表示装置を製造する過程で形成されるアクティ
ブマトリクス基板と同じプロセスで形成することが可能
である。具体的に説明すれば、図２に示すように、ガラ
ス基板７上に、ＸＹマトリクス状の電極配線（ゲート電
極８とソース電極９）、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
５、電荷蓄積容量（Ｃｓ）を構成している画素電極１４
および電荷蓄積容量電極（Ｃｓ電極）４などにより画素
配列層が構成されている、前記ガラス基板７には、無ア
ルカリガラス基板（例えばコーニング社製＃７０５９や
＃１７３７）を用い、その上にＴａ（タンタル）などの
金属膜からなるゲート電極８を形成する。該ゲート電極
８は、Ｔａなどをスパッタ蒸着で厚さ約３０００Åに成
膜した後、所望の形状にパターニングして得られる。こ
の際、同時に電荷蓄積容量電極（Ｃｓ電極）４も形成さ
れる。
【００６０】次に、ＳｉＮｘやＳｉＯｘからなる絶縁膜
１１を、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）法で厚
さ約３５００Åに成膜して形成する。この絶縁膜１１
は、前記薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）５のゲート絶縁膜
および電荷蓄積容量（Ｃｓ）の電極（電荷蓄積容量電極
（Ｃｓ電極）４および画素電極１４）間の誘電層として
作用する。なお、絶縁膜１１としては、ＳｉＮｘやＳｉ
Ｏｘだけでなく、ゲート電極８と電荷蓄積容量電極（Ｃ
ｓ電極）４とを陽極酸化した陽極酸化膜を併用してもよ
い。
１１を、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）法で厚
さ約３５００Åに成膜して形成する。この絶縁膜１１
は、前記薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）５のゲート絶縁膜
および電荷蓄積容量（Ｃｓ）の電極（電荷蓄積容量電極
（Ｃｓ電極）４および画素電極１４）間の誘電層として
作用する。なお、絶縁膜１１としては、ＳｉＮｘやＳｉ
Ｏｘだけでなく、ゲート電極８と電荷蓄積容量電極（Ｃ
ｓ電極）４とを陽極酸化した陽極酸化膜を併用してもよ
い。
【００６１】次に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）５のチ
ャネル部となるａ−Ｓｉ膜（ｉ層）１２と、ソース・ド
レイン電極とのコンタクトを図るａ−Ｓｉ膜（ｎ+ 層）
１３とを、ＣＶＤ法で各々厚さ約１０００Å、約４００
Åに成膜した後、所望の形状にパターニングする。
ャネル部となるａ−Ｓｉ膜（ｉ層）１２と、ソース・ド
レイン電極とのコンタクトを図るａ−Ｓｉ膜（ｎ+ 層）
１３とを、ＣＶＤ法で各々厚さ約１０００Å、約４００
Åに成膜した後、所望の形状にパターニングする。
【００６２】次に、Ｔａ，Ａ１（アルミニウム），Ｔｉ
（チタン）などの金属膜からなるソース電極９と画素電
極１４（ドレイン電極を兼用）とを形成する。このソー
ス電極９と画素電極１４とは、前記金属膜をスパッタ蒸
着で厚さ約３０００Åに成膜した後、所望の形状にパタ
ーニングすることで得られる。なお、この画素電極１４
とドレイン電極とは別々に形成してもよく、画素電極１
４としてＩＴＯ（Indium Thin Oxide)などの透明電極を
使用することも可能である。
（チタン）などの金属膜からなるソース電極９と画素電
極１４（ドレイン電極を兼用）とを形成する。このソー
ス電極９と画素電極１４とは、前記金属膜をスパッタ蒸
着で厚さ約３０００Åに成膜した後、所望の形状にパタ
ーニングすることで得られる。なお、この画素電極１４
とドレイン電極とは別々に形成してもよく、画素電極１
４としてＩＴＯ（Indium Thin Oxide)などの透明電極を
使用することも可能である。
【００６３】その後、画素電極１４の開口部以外の領域
を絶縁保護する目的で、絶縁保護膜１５を形成する。こ
の絶縁保護膜１５は、ＳｉＮｘやＳｉＯｘからなる絶縁
膜をＣＶＤ法で厚さ約３０００Åに成膜した後、所望の
形状にパターニングすることで得られる。なお、この絶
縁保護膜１５には、無機材料からなる絶縁膜の他に、ア
クリルやポリイミドなどの有機材料からなる絶縁膜を使
用することも可能である。このようにして、アクティブ
マトリクス基板１が形成される。
を絶縁保護する目的で、絶縁保護膜１５を形成する。こ
の絶縁保護膜１５は、ＳｉＮｘやＳｉＯｘからなる絶縁
膜をＣＶＤ法で厚さ約３０００Åに成膜した後、所望の
形状にパターニングすることで得られる。なお、この絶
縁保護膜１５には、無機材料からなる絶縁膜の他に、ア
クリルやポリイミドなどの有機材料からなる絶縁膜を使
用することも可能である。このようにして、アクティブ
マトリクス基板１が形成される。
【００６４】なお、ここでは、前記アクティブマトリク
ス基板１のＴＦＴ素子として、ａ−Ｓｉを用いた逆スタ
ガ構造のＴＦＴ５を用いたが、これに限定されるもので
はなく、ｐ−Ｓｉを用いても良いし、スタガ構造にして
も良い。また、前記アクティブマトリクス基板１は、液
晶表示装置を製造する過程で形成されるアクティブマト
リクス基板と同じプロセスで形成されることが可能であ
る。
ス基板１のＴＦＴ素子として、ａ−Ｓｉを用いた逆スタ
ガ構造のＴＦＴ５を用いたが、これに限定されるもので
はなく、ｐ−Ｓｉを用いても良いし、スタガ構造にして
も良い。また、前記アクティブマトリクス基板１は、液
晶表示装置を製造する過程で形成されるアクティブマト
リクス基板と同じプロセスで形成されることが可能であ
る。
【００６５】一方、対向基板２は、図２にも示すよう
に、Ｘ線などの放射線に対して光導電性を有する半導体
基板（光導電体基板）１６を支持基板としている。ここ
では、ＣｄＴｅもしくはＣｄＺｎＴｅといった化合物半
導体が用いられる。この半導体基板１６の厚みは約０．
５ｍｍである。この半導体基板１６は、ブリッジマン法
やグラディエントフリーズ法、トラベルヒーティング法
などによって、容易に結晶基板として形成されることが
可能である。
に、Ｘ線などの放射線に対して光導電性を有する半導体
基板（光導電体基板）１６を支持基板としている。ここ
では、ＣｄＴｅもしくはＣｄＺｎＴｅといった化合物半
導体が用いられる。この半導体基板１６の厚みは約０．
５ｍｍである。この半導体基板１６は、ブリッジマン法
やグラディエントフリーズ法、トラベルヒーティング法
などによって、容易に結晶基板として形成されることが
可能である。
【００６６】前記半導体基板１６の一方の面のほぼ全面
に、Ａｕ（金），Ｐｔ，ＩＴＯなどの導電膜によって上
部電極１７を形成する。また、他方の面には、厚さ約３
００ÅのＡ１Ｏｘからなる絶縁層である電荷阻止層１８
をほぼ全面に形成した後、ＡｕやＩＴＯなど金属膜をス
パッタ蒸着で厚さ約２０００Å成膜し、所望の形状にパ
ターニングすることで接続電極６を形成する。前記接続
電極６は、アクティブマトリクス基板１に形成された画
素電極１４と対応する位置に形成される。
に、Ａｕ（金），Ｐｔ，ＩＴＯなどの導電膜によって上
部電極１７を形成する。また、他方の面には、厚さ約３
００ÅのＡ１Ｏｘからなる絶縁層である電荷阻止層１８
をほぼ全面に形成した後、ＡｕやＩＴＯなど金属膜をス
パッタ蒸着で厚さ約２０００Å成膜し、所望の形状にパ
ターニングすることで接続電極６を形成する。前記接続
電極６は、アクティブマトリクス基板１に形成された画
素電極１４と対応する位置に形成される。
【００６７】なお、本実施の形態においては、図１
（ａ），（ｂ）に示すように、上述した対向基板２の大
きさを上記アクティブマトリクス基板１の大きさの約１
／１２としており、このような１２枚に分割された状態
の対向基板２は、タイル状に１２枚並べられて、前記ア
クティブマトリクス基板１と略同等の大きさになるよう
に設計されている。
（ａ），（ｂ）に示すように、上述した対向基板２の大
きさを上記アクティブマトリクス基板１の大きさの約１
／１２としており、このような１２枚に分割された状態
の対向基板２は、タイル状に１２枚並べられて、前記ア
クティブマトリクス基板１と略同等の大きさになるよう
に設計されている。
【００６８】以上のようにして作成されたアクティブマ
トリクス基板１および対向基板２は、画素電極１４およ
び接続電極６が画素毎に各々対向するようにして配置さ
れており、これら両基板の間隙には、図２にも示すよう
に、異方導電性接着剤３が存在している。このときの異
方導電性接着剤３は、アクティブマトリクス基板１に形
成された画素電極１４と、対向基板２に形成された接続
電極６とを電気的に接続する役割を果たしている。
トリクス基板１および対向基板２は、画素電極１４およ
び接続電極６が画素毎に各々対向するようにして配置さ
れており、これら両基板の間隙には、図２にも示すよう
に、異方導電性接着剤３が存在している。このときの異
方導電性接着剤３は、アクティブマトリクス基板１に形
成された画素電極１４と、対向基板２に形成された接続
電極６とを電気的に接続する役割を果たしている。
【００６９】次に、図３（ａ）〜（ｃ）を用いて、上述
したアクティブマトリクス基板１と対向基板２との貼り
合わせの方法について、さらに詳細に説明する。
したアクティブマトリクス基板１と対向基板２との貼り
合わせの方法について、さらに詳細に説明する。
【００７０】まず、アクティブマトリクス基板１上に、
後述する異方導電性接着剤３を塗布または転写した後、
図３（ａ）〜（ｃ）に示すように、熱プレス機１０を用
いて１２枚に分割された対向基板２を順次加圧して貼り
合わせていく。このときの両基板１，２は、接続電極６
と画素電極１４との位置が一致するように貼り合わされ
る。そして、分割された１２枚の対向基板２の貼り合わ
せが完了することで、本実施の形態における二次元画像
検出器が完成する。
後述する異方導電性接着剤３を塗布または転写した後、
図３（ａ）〜（ｃ）に示すように、熱プレス機１０を用
いて１２枚に分割された対向基板２を順次加圧して貼り
合わせていく。このときの両基板１，２は、接続電極６
と画素電極１４との位置が一致するように貼り合わされ
る。そして、分割された１２枚の対向基板２の貼り合わ
せが完了することで、本実施の形態における二次元画像
検出器が完成する。
【００７１】なお、このときの上記異方導電性接着剤３
は、アクティブマトリクス基板１上でなく、対向基板２
上に設けるようにしてもよい。また、機械的な強度を増
加させるために、複数に分割された対向基板２同士の隙
間に接着剤を充填して補強してもよい。
は、アクティブマトリクス基板１上でなく、対向基板２
上に設けるようにしてもよい。また、機械的な強度を増
加させるために、複数に分割された対向基板２同士の隙
間に接着剤を充填して補強してもよい。
【００７２】次に、本実施の形態で用いられている異方
導電性接着剤３について詳細に説明する。一般に、異方
導電性接着剤３は、絶縁性の接着剤３ａに導電粒子３ｂ
を分散させたものが用いられる。
導電性接着剤３について詳細に説明する。一般に、異方
導電性接着剤３は、絶縁性の接着剤３ａに導電粒子３ｂ
を分散させたものが用いられる。
【００７３】ここで使用できる導電粒子３ｂとしては、
Ｎｉ（ニッケル），Ａｇ（銀）などの金属粒子、Ｎｉな
どの金属粒子にＡｕメッキを施した金属粒子、カーボン
粒子、プラスチック粒子にＡｕ／Ｎｉメッキを施した金
属膜被覆プラスチック粒子、ＩＴＯなどの透明導電粒
子、Ｎｉ粒子をポリウレタンに混合させた導電粒子複合
プラスチックなどがある。本実施の形態においては、上
下の両基板（アクティブマトリクス基板１および対向基
板２）の厚みのばらつきを吸収するために、弾力性の優
れた金属膜被覆プラスチック粒子が用いられている。
Ｎｉ（ニッケル），Ａｇ（銀）などの金属粒子、Ｎｉな
どの金属粒子にＡｕメッキを施した金属粒子、カーボン
粒子、プラスチック粒子にＡｕ／Ｎｉメッキを施した金
属膜被覆プラスチック粒子、ＩＴＯなどの透明導電粒
子、Ｎｉ粒子をポリウレタンに混合させた導電粒子複合
プラスチックなどがある。本実施の形態においては、上
下の両基板（アクティブマトリクス基板１および対向基
板２）の厚みのばらつきを吸収するために、弾力性の優
れた金属膜被覆プラスチック粒子が用いられている。
【００７４】また、使用できる接着剤３ａとしては、熱
硬化型、熱可塑型、光硬化型のものがあるが、本実施の
形態では、接着強度や信頼性を重視して、エポキシ系の
熱硬化型接着剤を採用した。
硬化型、熱可塑型、光硬化型のものがあるが、本実施の
形態では、接着強度や信頼性を重視して、エポキシ系の
熱硬化型接着剤を採用した。
【００７５】なお、このような異方導電性接着剤３に
は、その形状によってぺーストタイプとフィルムタイプ
とがある。ぺーストタイプの接着剤は、大面積基板に対
してスクリーン印刷法などで簡便に塗布することが可能
である。フィルムタイプの接着剤は、接着剤自身が厚み
の均一性に優れているため、大面積の基板を貼り合わせ
る際にも均一な接着剤の厚みを容易に実現することがで
きる。本実施の形態では、どちらのタイプを使用するこ
とも可能であるが、ここではフィルムタイプの接着剤を
採用した。
は、その形状によってぺーストタイプとフィルムタイプ
とがある。ぺーストタイプの接着剤は、大面積基板に対
してスクリーン印刷法などで簡便に塗布することが可能
である。フィルムタイプの接着剤は、接着剤自身が厚み
の均一性に優れているため、大面積の基板を貼り合わせ
る際にも均一な接着剤の厚みを容易に実現することがで
きる。本実施の形態では、どちらのタイプを使用するこ
とも可能であるが、ここではフィルムタイプの接着剤を
採用した。
【００７６】なお、異方導電性接着剤３としては、上述
の形態以外にも、絶縁性の接着性フィルムに、該フィル
ムの表裏面を貫通する多数の微細金属柱が形成されたも
のが開発されており（例えば、特開平８−３０６４１５
号公報等に記載されている異方導電性接着剤）、このよ
うな他の異方導電性接着剤を、本実施の形態における異
方導電性接着剤３として用いることも可能である。
の形態以外にも、絶縁性の接着性フィルムに、該フィル
ムの表裏面を貫通する多数の微細金属柱が形成されたも
のが開発されており（例えば、特開平８−３０６４１５
号公報等に記載されている異方導電性接着剤）、このよ
うな他の異方導電性接着剤を、本実施の形態における異
方導電性接着剤３として用いることも可能である。
【００７７】ここで、図２および図４を用いて、上述し
た二次元画像検出器の動作原理について説明する。図４
は、本実施の形態に係る二次元画像検出器の１画素当た
りの等価回路を示す回路図である。
た二次元画像検出器の動作原理について説明する。図４
は、本実施の形態に係る二次元画像検出器の１画素当た
りの等価回路を示す回路図である。
【００７８】ＣｄＴｅやＣｄＺｎＴｅからなる半導体基
板（光導電体基板）１６にＸ線が入射すると、光導電効
果によりこの半導体基板１６に電荷（電子−正孔）が発
生する。この時、電荷蓄積容量電極（Ｃｓ電極）４と半
導体基板１６とは、画素電極１４／異方導電性接着剤３
／接続電極６を介して直列に接続された構造になってい
る。従って、上部電極１７と電荷蓄積容量電極（Ｃｓ電
極）４との間に電圧を印加しておくと、半導体基板１６
内で発生した電荷（電子−正孔）がそれぞれ＋電極側と
−電極側に移動し、その結果、電荷蓄積容量（Ｃｓ）
（画素電極１４および電荷蓄積容量電極（Ｃｓ電極）４
などにより構成されている。）に電荷が蓄積される仕組
みになっている。
板（光導電体基板）１６にＸ線が入射すると、光導電効
果によりこの半導体基板１６に電荷（電子−正孔）が発
生する。この時、電荷蓄積容量電極（Ｃｓ電極）４と半
導体基板１６とは、画素電極１４／異方導電性接着剤３
／接続電極６を介して直列に接続された構造になってい
る。従って、上部電極１７と電荷蓄積容量電極（Ｃｓ電
極）４との間に電圧を印加しておくと、半導体基板１６
内で発生した電荷（電子−正孔）がそれぞれ＋電極側と
−電極側に移動し、その結果、電荷蓄積容量（Ｃｓ）
（画素電極１４および電荷蓄積容量電極（Ｃｓ電極）４
などにより構成されている。）に電荷が蓄積される仕組
みになっている。
【００７９】なお、半導体基板１６と接続電極６との間
には、薄い絶縁層からなる電荷阻止層１８が形成されて
いる。該電荷阻止層１８は、一方面側からの電荷の注入
を阻止するＭＩＳ（Metal-Insulator-Semiconductor ）
構造の阻止型フォトダイオードの役割を果たしており、
Ｘ線が入射しない時の暗電流の低減に寄与している。す
なわち、上部電極１７側に正電圧を印加した場合、電荷
阻止層１８は接続電極６から半導体基板（光導電体基
板）１６への電子の注入を阻止する動きをする。
には、薄い絶縁層からなる電荷阻止層１８が形成されて
いる。該電荷阻止層１８は、一方面側からの電荷の注入
を阻止するＭＩＳ（Metal-Insulator-Semiconductor ）
構造の阻止型フォトダイオードの役割を果たしており、
Ｘ線が入射しない時の暗電流の低減に寄与している。す
なわち、上部電極１７側に正電圧を印加した場合、電荷
阻止層１８は接続電極６から半導体基板（光導電体基
板）１６への電子の注入を阻止する動きをする。
【００８０】なお、半導体基板（光導電体基板）１６と
上部電極１７との間にも絶縁層を設け、上部電極１７か
ら半導体基板（光導電体基板）１６への正孔の注入も阻
止し、更なる暗電流低減を図る場合もある。
上部電極１７との間にも絶縁層を設け、上部電極１７か
ら半導体基板（光導電体基板）１６への正孔の注入も阻
止し、更なる暗電流低減を図る場合もある。
【００８１】上記阻止型フォトダイオードの構造として
は、前記ＭＩＳ構造の他にも、ＣｄＴｅ／ＣｄＳなどの
積層膜を用いたヘテロ接合構造、ＰＩＮ接合構造、ショ
ットキー接合構造を用いることも、もちろん可能であ
る。
は、前記ＭＩＳ構造の他にも、ＣｄＴｅ／ＣｄＳなどの
積層膜を用いたヘテロ接合構造、ＰＩＮ接合構造、ショ
ットキー接合構造を用いることも、もちろん可能であ
る。
【００８２】上述したように、電荷蓄積容量（Ｃｓ）に
蓄積された電荷は、ゲート電極８の入力信号によって薄
膜トランジスタ（ＴＦＴ）５をオープン状態にすること
でソース電極９より外部に取り出すことが可能である。
電極配線（ゲート電極８とソース電極９）、薄膜トラン
ジスタ（ＴＦＴ）５、電荷蓄積容量電極（Ｃｓ）４およ
び画素電極１４を電極とする電荷蓄積容量（Ｃｓ）など
は、従来例の図１２にも示すように、すべてＸＹマトリ
クス状に設けられているため、ゲート電極Ｇ１，Ｇ２，
Ｇ３，…，Ｇｎに入力する信号を線順次に走査すること
で、二次元的にＸ線の面像情報を得ることが可能とな
る。このように、基本的な動作原理は、従来例に示した
二次元画像検出器と同様である。
蓄積された電荷は、ゲート電極８の入力信号によって薄
膜トランジスタ（ＴＦＴ）５をオープン状態にすること
でソース電極９より外部に取り出すことが可能である。
電極配線（ゲート電極８とソース電極９）、薄膜トラン
ジスタ（ＴＦＴ）５、電荷蓄積容量電極（Ｃｓ）４およ
び画素電極１４を電極とする電荷蓄積容量（Ｃｓ）など
は、従来例の図１２にも示すように、すべてＸＹマトリ
クス状に設けられているため、ゲート電極Ｇ１，Ｇ２，
Ｇ３，…，Ｇｎに入力する信号を線順次に走査すること
で、二次元的にＸ線の面像情報を得ることが可能とな
る。このように、基本的な動作原理は、従来例に示した
二次元画像検出器と同様である。
【００８３】以上のように、本実施の形態に係るる二次
元画像検出器は、格子状の電極配線（ゲート電極８とソ
ース電極９）と各格子点毎に設けられた複数の薄膜トラ
ンジスタ（ＴＦＴ）５と複数の画素電極１４とが具備さ
れたアクティブマトリクス基板１と、光導電性を有する
半導体基板１６がほぼ全面に具備された対向基板２と
が、導電粒子３ｂが接着剤３ａ中に分散された異方導電
性接着剤３により電気的に接続されている構成であるこ
とを特徴としている。
元画像検出器は、格子状の電極配線（ゲート電極８とソ
ース電極９）と各格子点毎に設けられた複数の薄膜トラ
ンジスタ（ＴＦＴ）５と複数の画素電極１４とが具備さ
れたアクティブマトリクス基板１と、光導電性を有する
半導体基板１６がほぼ全面に具備された対向基板２と
が、導電粒子３ｂが接着剤３ａ中に分散された異方導電
性接着剤３により電気的に接続されている構成であるこ
とを特徴としている。
【００８４】したがって、従来の二次元画像検出器のよ
うに、光導電半導体を直接アクティブマトリクス基板上
に成膜する場合に問題となっていた、アクティブマトリ
クス基板の耐熱性に起因する光導電体の成膜温度の制限
が、本実施の形態の構成では緩和される。この結果、従
来ではアクティブマトリクス基板上に直接成膜できなか
った半導体材料を、容易に二次元画像検出器に使用する
ことが可能になる。
うに、光導電半導体を直接アクティブマトリクス基板上
に成膜する場合に問題となっていた、アクティブマトリ
クス基板の耐熱性に起因する光導電体の成膜温度の制限
が、本実施の形態の構成では緩和される。この結果、従
来ではアクティブマトリクス基板上に直接成膜できなか
った半導体材料を、容易に二次元画像検出器に使用する
ことが可能になる。
【００８５】また、前記理由により、半導体基板（光導
電体基板）１６としてＣｄＴｅやＣｄＺｎＴｅを用いる
ことができるため、従来のａ−Ｓｅを用いた二次元画像
検出器に比べてＸ線に対する感度が向上するとともに、
半導体基板１６と上部電極１７間に誘電体層を設ける必
要がなくなり、動画に対応する画像データ、すなわち３
３ｍｓｅ／ｆｒａｍｅのレートで画像データを得ること
が可能になる。
電体基板）１６としてＣｄＴｅやＣｄＺｎＴｅを用いる
ことができるため、従来のａ−Ｓｅを用いた二次元画像
検出器に比べてＸ線に対する感度が向上するとともに、
半導体基板１６と上部電極１７間に誘電体層を設ける必
要がなくなり、動画に対応する画像データ、すなわち３
３ｍｓｅ／ｆｒａｍｅのレートで画像データを得ること
が可能になる。
【００８６】ここで、本実施の形態においては、対向基
板２が半導体基板１６自身を支持基板として形成される
例を示した。前述のごとく、これらの半導体基板１６
は、ブリッジマン法やグラディエントフリーズ法、トラ
ベルヒーティング法などによって得られる結晶基板によ
り形成されることが可能であるものの、大面積化には多
大な設備投資が必要となり、安価に入手することは困難
であった。
板２が半導体基板１６自身を支持基板として形成される
例を示した。前述のごとく、これらの半導体基板１６
は、ブリッジマン法やグラディエントフリーズ法、トラ
ベルヒーティング法などによって得られる結晶基板によ
り形成されることが可能であるものの、大面積化には多
大な設備投資が必要となり、安価に入手することは困難
であった。
【００８７】また、上述した対向基板２の代わりに、別
の支持基板上に半導体膜を成膜した対向基板を用いるこ
とも可能である。このような場合においても、１００μ
ｍ以上の膜厚の半導体膜を成膜する必要があるため、大
面積化に伴う膜応力による膜剥がれ、膜厚や膜質の面内
ばらつき増大といった成膜不良が発生し易く、安価に対
向基板を製造することが困難であった。
の支持基板上に半導体膜を成膜した対向基板を用いるこ
とも可能である。このような場合においても、１００μ
ｍ以上の膜厚の半導体膜を成膜する必要があるため、大
面積化に伴う膜応力による膜剥がれ、膜厚や膜質の面内
ばらつき増大といった成膜不良が発生し易く、安価に対
向基板を製造することが困難であった。
【００８８】このような点に関し、本実施の形態では、
対向基板２を１２枚に分割して二次元画像検出器を構成
しているため、汎用的な半導体ウエハーを使用して該二
次元画像検出器を形成することができる。また、対向基
板２は分割されているので、成膜される面積が小さくな
る。これにより、成膜歩留まりが向上するため、対向基
板２を安価に製造することが可能となる。
対向基板２を１２枚に分割して二次元画像検出器を構成
しているため、汎用的な半導体ウエハーを使用して該二
次元画像検出器を形成することができる。また、対向基
板２は分割されているので、成膜される面積が小さくな
る。これにより、成膜歩留まりが向上するため、対向基
板２を安価に製造することが可能となる。
【００８９】なお、この対向基板２の分割枚数は１２枚
に限られるものではなく、二次元画像検出器の大きさや
結晶ウエハーの価格などによって、適宜任意の数に分割
して製造することが可能である。さらに、複数に分割さ
れた対向基板２の形状についても四角形に限られるもの
ではなく、円形の結晶ウエハーから六角形の基板を切り
出して最密充填状に並べて使用することなども可能であ
る。
に限られるものではなく、二次元画像検出器の大きさや
結晶ウエハーの価格などによって、適宜任意の数に分割
して製造することが可能である。さらに、複数に分割さ
れた対向基板２の形状についても四角形に限られるもの
ではなく、円形の結晶ウエハーから六角形の基板を切り
出して最密充填状に並べて使用することなども可能であ
る。
【００９０】また、上述した異方導電性接着剤３は、通
常、両基板１，２に挟み込んで１０〜３０ｋｇｆ／ｃｍ
2 の加圧を行った状態で硬化させるプロセスを必要とす
るが、これは、安定した導通を得るために、異方導電性
接着剤３中に分散されている導電粒子３ｂをある程度変
形させて、上下両基板（アクティブマトリクス基板１お
よび対向基板２）に形成された電極（画素電極１４、接
続電極６）と導電粒子３ｂとの接触面積を増加させる必
要があるからである。
常、両基板１，２に挟み込んで１０〜３０ｋｇｆ／ｃｍ
2 の加圧を行った状態で硬化させるプロセスを必要とす
るが、これは、安定した導通を得るために、異方導電性
接着剤３中に分散されている導電粒子３ｂをある程度変
形させて、上下両基板（アクティブマトリクス基板１お
よび対向基板２）に形成された電極（画素電極１４、接
続電極６）と導電粒子３ｂとの接触面積を増加させる必
要があるからである。
【００９１】しかしながら、このような異方導電性接着
剤３で大面積の基板を貼り合わせようとすると、面積に
比例して非常に大きな加圧力と、その加圧力の均一性が
必要となり、プレス装置が極めて大掛かりなものとなっ
てしまっていた。例えば、２０ｋｇｆ／ｃｍ2 の加圧を
必要とする異方導電性接着剤３で、４３０ｍｍ×３５０
ｍｍの面積の基準を貼り合わせようとすると、約３００
００ｋｇｆ／ｃｍ2 もの加圧が必要となってしまう。
剤３で大面積の基板を貼り合わせようとすると、面積に
比例して非常に大きな加圧力と、その加圧力の均一性が
必要となり、プレス装置が極めて大掛かりなものとなっ
てしまっていた。例えば、２０ｋｇｆ／ｃｍ2 の加圧を
必要とする異方導電性接着剤３で、４３０ｍｍ×３５０
ｍｍの面積の基準を貼り合わせようとすると、約３００
００ｋｇｆ／ｃｍ2 もの加圧が必要となってしまう。
【００９２】ところが、本実施の形態に係る二次元画像
検出器のように、対向基板２を複数に分割して構成する
ことにより、分割枚数に応じて加圧力を低減することが
可能になる。例えば、前述の対向基板２を１２枚に分割
して順次貼り合わせていくことにより、対向基板２の１
枚当たりのプレス力は、約２５００ｋｇｆ／ｃｍ2 で充
分となり、加圧力を１桁以上低減させ、加圧装置を小型
化することが可能となる。さらに、分割された対向基板
２の１枚当たりの面積が１／１２となるため、面内での
加圧の均一性も得やすくなるという効果も奏している。
検出器のように、対向基板２を複数に分割して構成する
ことにより、分割枚数に応じて加圧力を低減することが
可能になる。例えば、前述の対向基板２を１２枚に分割
して順次貼り合わせていくことにより、対向基板２の１
枚当たりのプレス力は、約２５００ｋｇｆ／ｃｍ2 で充
分となり、加圧力を１桁以上低減させ、加圧装置を小型
化することが可能となる。さらに、分割された対向基板
２の１枚当たりの面積が１／１２となるため、面内での
加圧の均一性も得やすくなるという効果も奏している。
【００９３】〔実施の形態２〕本発明に係る二次元画像
検出器は、図１および図２に示した構造に限定されるも
のではなく、上述した実施の形態１で示した二次元画像
検出器の他の構成である本発明の第２の実施の形態につ
いて、図５ないし図７に基づき、以下に説明する。
検出器は、図１および図２に示した構造に限定されるも
のではなく、上述した実施の形態１で示した二次元画像
検出器の他の構成である本発明の第２の実施の形態につ
いて、図５ないし図７に基づき、以下に説明する。
【００９４】図５（ａ），（ｂ）および図６は、本実施
の形態に係る二次元画像検出器を示したものである。図
５（ａ）は、二次元画像検出器の全体の構成を概略的に
示す断面図であり、図５（ｂ）は、上記二次元画像検出
器を上から（対向基板３５側から）見た平面図である。
また、図６は、図５に示す二次元画像検出器の１画素当
たりの構成を示す断面図である。
の形態に係る二次元画像検出器を示したものである。図
５（ａ）は、二次元画像検出器の全体の構成を概略的に
示す断面図であり、図５（ｂ）は、上記二次元画像検出
器を上から（対向基板３５側から）見た平面図である。
また、図６は、図５に示す二次元画像検出器の１画素当
たりの構成を示す断面図である。
【００９５】なお、本実施の形態に係る二次元画像検出
器の構成は、図１および図２に示した実施の形態１に係
る二次元画像検出器の構成と類似しているため、図１お
よび図２で用いた部材と同一の機能を有する部材につい
ては同一の部材番号を付記し、その説明を省略する。
器の構成は、図１および図２に示した実施の形態１に係
る二次元画像検出器の構成と類似しているため、図１お
よび図２で用いた部材と同一の機能を有する部材につい
ては同一の部材番号を付記し、その説明を省略する。
【００９６】本実施の形態に係る二次元画像検出器は、
図５（ａ）に示すように、スイッチング素子としての薄
膜トランジスタ（ＴＦＴ）５と画素電極１４とが形成さ
れたアクティブマトリクス基板３０と、接続電極（図示
せず）が形成された対向基板３５とが、異方導電性材料
である異方導電性接着剤３により貼り合わされて構成さ
れている。なお、本実施の形態に係る異方導電性接着剤
３としては、絶縁性の接着剤３ａに導電粒子３ｂが混入
されたものを用いた。
図５（ａ）に示すように、スイッチング素子としての薄
膜トランジスタ（ＴＦＴ）５と画素電極１４とが形成さ
れたアクティブマトリクス基板３０と、接続電極（図示
せず）が形成された対向基板３５とが、異方導電性材料
である異方導電性接着剤３により貼り合わされて構成さ
れている。なお、本実施の形態に係る異方導電性接着剤
３としては、絶縁性の接着剤３ａに導電粒子３ｂが混入
されたものを用いた。
【００９７】ここで、このアクティブマトリクス基板３
０は、上述した実施の形態１で示したアクティブマトリ
クス基板１と基本的な構成は同様であるが、本実施の形
態におけるアクティブマトリクス基板３０が４枚の基板
に分割されている点が異なっている。なお、アクティブ
マトリクス基板３０の基本的な構成部材は実施の形態１
と同様であるため、説明は省略する。
０は、上述した実施の形態１で示したアクティブマトリ
クス基板１と基本的な構成は同様であるが、本実施の形
態におけるアクティブマトリクス基板３０が４枚の基板
に分割されている点が異なっている。なお、アクティブ
マトリクス基板３０の基本的な構成部材は実施の形態１
と同様であるため、説明は省略する。
【００９８】また、上述した実施の形態１の対向基板２
では半導体基板１６自身を支持基板とした構造のものが
用いられたが、本実施の形態では、別の支持基板３６上
に半導体膜３７が形成された構造の対向基板３５を用い
た。
では半導体基板１６自身を支持基板とした構造のものが
用いられたが、本実施の形態では、別の支持基板３６上
に半導体膜３７が形成された構造の対向基板３５を用い
た。
【００９９】具体的には、図６に示すように、支持基板
３６としては、Ｘ線に対して透過性を有する基板を用い
る必要があり、ガラス、セラミック、シリコン基板など
が用いられる。なお、ここでは、Ｘ線と可視光との両方
に対して透過性の優れた、厚みが０．７〜１．１ｍｍの
ガラス基板を用いている。このようなガラス基板であれ
ば、４０〜１００ｋｅＶのＸ線をほとんど透過する。
３６としては、Ｘ線に対して透過性を有する基板を用い
る必要があり、ガラス、セラミック、シリコン基板など
が用いられる。なお、ここでは、Ｘ線と可視光との両方
に対して透過性の優れた、厚みが０．７〜１．１ｍｍの
ガラス基板を用いている。このようなガラス基板であれ
ば、４０〜１００ｋｅＶのＸ線をほとんど透過する。
【０１００】次に、上記支持基板３６の一方の面のほぼ
全面に、Ｔｉ，Ａｕ，Ｐｔ，ＩＴＯなどの導電膜により
上部電極１７が形成される。但し、この二次元画像検出
器を可視光による像の検出に用いる場合には、前記上部
電極１７として、可視光に対して透明なＩＴＯ電極を用
いる。
全面に、Ｔｉ，Ａｕ，Ｐｔ，ＩＴＯなどの導電膜により
上部電極１７が形成される。但し、この二次元画像検出
器を可視光による像の検出に用いる場合には、前記上部
電極１７として、可視光に対して透明なＩＴＯ電極を用
いる。
【０１０１】次に、この上部電極１７上に、半導体膜３
７として、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor
Deposition ）法を用いてＣｄＴｅやＣｄＺｎＴｅの多
結晶膜が約０．５ｍｍの厚みで形成される。ＭＯＣＶＤ
法は、大面積基坂への成膜に適しており、原料である有
機カドミウム（ジメチルカドミウム［ＤＭＣｄ］な
ど）、有機テルル（ジエチルテルル［ＤＥＴｅ］やジイ
ソプロピルテルル［ＤｉＰＴｅ］など）、有機亜鉛（ジ
エチル亜鉛〔ＤＥＺｎ〕やジイソプロピル亜鉛［ＤｉＰ
Ｚｎ］やジメチル亜鉛［ＤＭＺｎ］など）を用いて、４
００〜５００℃の成膜温度で成膜が可能である。
７として、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor
Deposition ）法を用いてＣｄＴｅやＣｄＺｎＴｅの多
結晶膜が約０．５ｍｍの厚みで形成される。ＭＯＣＶＤ
法は、大面積基坂への成膜に適しており、原料である有
機カドミウム（ジメチルカドミウム［ＤＭＣｄ］な
ど）、有機テルル（ジエチルテルル［ＤＥＴｅ］やジイ
ソプロピルテルル［ＤｉＰＴｅ］など）、有機亜鉛（ジ
エチル亜鉛〔ＤＥＺｎ〕やジイソプロピル亜鉛［ＤｉＰ
Ｚｎ］やジメチル亜鉛［ＤＭＺｎ］など）を用いて、４
００〜５００℃の成膜温度で成膜が可能である。
【０１０２】更に、上記多結晶膜の上に、ＡｌＯｘの薄
い絶縁層からなる電荷阻止層１８をほぼ全面に形成した
後、ＡｕやＩＴＯなどの金属膜を厚さ約２０００Åに成
膜し、所望の形状にパターニングすることで接続電極６
を形成する。この接続電極６は、アクティブマトリクス
基板３０に形成された画素電極１４と対応する位置に形
成するとよい。
い絶縁層からなる電荷阻止層１８をほぼ全面に形成した
後、ＡｕやＩＴＯなどの金属膜を厚さ約２０００Åに成
膜し、所望の形状にパターニングすることで接続電極６
を形成する。この接続電極６は、アクティブマトリクス
基板３０に形成された画素電極１４と対応する位置に形
成するとよい。
【０１０３】ここで、本実施の形態では、上述したよう
に、アクティブマトリクス基板３０の分割された一基板
の大きさが前記対向基板３５の約１／４となっている。
該アクティブマトリクス基板３０をタイル状に４枚並べ
ることで、前記対向基板３５と略同等の大きさになるよ
うに設計されている。
に、アクティブマトリクス基板３０の分割された一基板
の大きさが前記対向基板３５の約１／４となっている。
該アクティブマトリクス基板３０をタイル状に４枚並べ
ることで、前記対向基板３５と略同等の大きさになるよ
うに設計されている。
【０１０４】そして、このような４枚に分割されたアク
ティブマトリクス基板３０と、上記構造の対向基板３５
とを、実施の形態１と同様に、画素電極１４と接続電極
６とが画素領域毎に各々対向するように配置され、両者
の間隙に図６に示すような形態で異方導電性接着剤３を
介在させて貼り合わせることで、本実施の形態に係る二
次元画像検出器が完成する。
ティブマトリクス基板３０と、上記構造の対向基板３５
とを、実施の形態１と同様に、画素電極１４と接続電極
６とが画素領域毎に各々対向するように配置され、両者
の間隙に図６に示すような形態で異方導電性接着剤３を
介在させて貼り合わせることで、本実施の形態に係る二
次元画像検出器が完成する。
【０１０５】なお、両基板３０，３５を貼り合わせる方
法としては、実施の形態１において説明したような、図
３に示した方法と同様である。本実施の形態において
は、対向基板３５上に異方導電性接着剤３を塗布または
転写した後で、４枚に分割されたアクティブマトリクス
基板３０を順次貼り合わせた。このときの両基板３０，
３５は、接続電極６と画素電極１４との位置が対応（一
致）するように貼り合わせられる。そして、４枚のアク
ティブマトリクス基板３０の貼り合わせが完了すること
で、本実施の形態に係る二次元画像検出器が完成する。
法としては、実施の形態１において説明したような、図
３に示した方法と同様である。本実施の形態において
は、対向基板３５上に異方導電性接着剤３を塗布または
転写した後で、４枚に分割されたアクティブマトリクス
基板３０を順次貼り合わせた。このときの両基板３０，
３５は、接続電極６と画素電極１４との位置が対応（一
致）するように貼り合わせられる。そして、４枚のアク
ティブマトリクス基板３０の貼り合わせが完了すること
で、本実施の形態に係る二次元画像検出器が完成する。
【０１０６】このとき用いられる異方導電性接着剤３の
種類や、完成した二次元画像検出器の基本動作原理につ
いては、上述した実施の形態１に示したものと同様であ
るため、説明を省略する。
種類や、完成した二次元画像検出器の基本動作原理につ
いては、上述した実施の形態１に示したものと同様であ
るため、説明を省略する。
【０１０７】ここで、本実施の形態の特徴としては、ア
クティブマトリクス基板３０が４枚に分割されて構成さ
れている点である。通常、アクティブマトリクス基板３
０は、その製造過程において半導体の微細加工などの高
度な製造技術を必要とするため、大面積化に伴い製造工
程での歩留まりが急激に低下して、コストが上昇すると
いうような課題を有していた。
クティブマトリクス基板３０が４枚に分割されて構成さ
れている点である。通常、アクティブマトリクス基板３
０は、その製造過程において半導体の微細加工などの高
度な製造技術を必要とするため、大面積化に伴い製造工
程での歩留まりが急激に低下して、コストが上昇すると
いうような課題を有していた。
【０１０８】ところが、本実施の形態に係る二次元画像
検出器のように、アクティブマトリクス基板３０を複数
に分割して構成することにより、この分割された基板を
歩留まりよく安価に製造することが可能となる。また、
アクティブマトリクス基板３０を複数に分割して構成す
ることにより、分割数に応じて加圧力を低減することが
可能になり、面内での加圧力の均一性も得やすくなると
いう効果をもたらしている。
検出器のように、アクティブマトリクス基板３０を複数
に分割して構成することにより、この分割された基板を
歩留まりよく安価に製造することが可能となる。また、
アクティブマトリクス基板３０を複数に分割して構成す
ることにより、分割数に応じて加圧力を低減することが
可能になり、面内での加圧力の均一性も得やすくなると
いう効果をもたらしている。
【０１０９】また、機械的強度を増すために、複数に分
割されたアクティブマトリクス基板３０同士の隙間に接
着剤を充填して補強してもよい。さらに、このアクティ
ブマトリクス基板３０の分割数は４枚に限られるもので
はなく、二次元画像検出器の大きさや結晶ウエハーの価
格などによって、適宜任意の数に分割して製造すること
が可能である。しかし、ＸＹマトリクス状に配線が形成
されている場合には、アクティブマトリクス基板３０の
配線エリアの周辺部にゲート配線とソース配線との取り
出し部を設ける必要があることから、２枚あるいは４枚
に分割することが望ましい。
割されたアクティブマトリクス基板３０同士の隙間に接
着剤を充填して補強してもよい。さらに、このアクティ
ブマトリクス基板３０の分割数は４枚に限られるもので
はなく、二次元画像検出器の大きさや結晶ウエハーの価
格などによって、適宜任意の数に分割して製造すること
が可能である。しかし、ＸＹマトリクス状に配線が形成
されている場合には、アクティブマトリクス基板３０の
配線エリアの周辺部にゲート配線とソース配線との取り
出し部を設ける必要があることから、２枚あるいは４枚
に分割することが望ましい。
【０１１０】この点に関し、図７は、複数に分割された
基板を作成するためのマザー基板２０を示す平面図であ
る。図中２１は、マトリクス配線が形成されたエリアを
示しており、２２，２３は、それぞれソース配線（また
はゲート配線）およびゲート配線（またはソース配線）
の端子取り出し部を示している。
基板を作成するためのマザー基板２０を示す平面図であ
る。図中２１は、マトリクス配線が形成されたエリアを
示しており、２２，２３は、それぞれソース配線（また
はゲート配線）およびゲート配線（またはソース配線）
の端子取り出し部を示している。
【０１１１】上述したような４枚に分割されたアクティ
ブマトリクス基板３０としては、それぞれの配置位置に
応じた専用の配線パターンを有するような４枚別々の基
板を製造すると、基板を分割することによるコストダウ
ンの効果が半減してしまう。従って、図７に示すよう
に、同一配線パターンを有する複数枚のマザー基板２０
の所定の箇所をそれぞれ切断することにより、それぞれ
の配置位置に応じた、分割されたアクティブマトリクス
基板３０を形成することで、分割によるコストダウンの
効果を最大限に発揮することが可能になる。
ブマトリクス基板３０としては、それぞれの配置位置に
応じた専用の配線パターンを有するような４枚別々の基
板を製造すると、基板を分割することによるコストダウ
ンの効果が半減してしまう。従って、図７に示すよう
に、同一配線パターンを有する複数枚のマザー基板２０
の所定の箇所をそれぞれ切断することにより、それぞれ
の配置位置に応じた、分割されたアクティブマトリクス
基板３０を形成することで、分割によるコストダウンの
効果を最大限に発揮することが可能になる。
【０１１２】例えば、図５（ｂ）に示す平面図におい
て、Ｈの部分に配置される分割後のアクティブマトリク
ス基板３０としては、図７に示すマザー基板２０の分断
ラインととで分断したものを用い、同様にＩの部分
については分断ラインと、Ｊの部分については分断
ラインと、Ｋの部分については分断ラインとと
で分断したものを用いることになる、このことにより、
分断後のアクティブマトリクス基板３０の配置位置に応
じた専用の配線パターンを有する基板をそれぞれ別々に
作成する必要がなくなり、全て同一のマザー基板２０か
ら各配置位置に応じたアクティブマトリクス基板３０を
作成することが可能となる。
て、Ｈの部分に配置される分割後のアクティブマトリク
ス基板３０としては、図７に示すマザー基板２０の分断
ラインととで分断したものを用い、同様にＩの部分
については分断ラインと、Ｊの部分については分断
ラインと、Ｋの部分については分断ラインとと
で分断したものを用いることになる、このことにより、
分断後のアクティブマトリクス基板３０の配置位置に応
じた専用の配線パターンを有する基板をそれぞれ別々に
作成する必要がなくなり、全て同一のマザー基板２０か
ら各配置位置に応じたアクティブマトリクス基板３０を
作成することが可能となる。
【０１１３】〔実施の形態３〕本発明に係る二次元画像
検出器は、図１および図２、または図５および図６に示
した構造に限定されるものではなく、上述した実施の形
態１または２で示した二次元画像検出器の他の構成であ
る、本発明の第３の実施の形態について、図８および図
９に基づき、以下に説明する。
検出器は、図１および図２、または図５および図６に示
した構造に限定されるものではなく、上述した実施の形
態１または２で示した二次元画像検出器の他の構成であ
る、本発明の第３の実施の形態について、図８および図
９に基づき、以下に説明する。
【０１１４】図８（ａ），（ｂ）は、本実施の形態に係
る二次元画像検出器を示したものであり、図８（ａ）
は、二次元画像検出器の全体の構成を概略的に示す断面
図であり、図８（ｂ）は、上記二次元画像検出器を上か
ら（対向基板４５側から）見た平面図である。
る二次元画像検出器を示したものであり、図８（ａ）
は、二次元画像検出器の全体の構成を概略的に示す断面
図であり、図８（ｂ）は、上記二次元画像検出器を上か
ら（対向基板４５側から）見た平面図である。
【０１１５】なお、本実施の形態に係る二次元画像検出
器の構成も、図１および図２に示した実施の形態１に係
る二次元画像検出器の構成と類似しているため、図１お
よび図２で用いた部材と同一の機能を有する部材につい
ては同一の部材番号を付記し、その説明を省略する。
器の構成も、図１および図２に示した実施の形態１に係
る二次元画像検出器の構成と類似しているため、図１お
よび図２で用いた部材と同一の機能を有する部材につい
ては同一の部材番号を付記し、その説明を省略する。
【０１１６】ここで、本実施の形態３では、アクティブ
マトリクス基板４０および対向基板４５は、ともに複数
の基板に分割されて二次元画像検出器を構成している。
具体的には、図８（ａ），（ｂ）に示すように、アクテ
ィブマトリクス基板４０を４枚の基板に分割し、同様に
対向基板４５も４枚の基板に分割している。なお、基本
的な基板構成部材については、実施の形態１と同様であ
るため、説明は省略する。
マトリクス基板４０および対向基板４５は、ともに複数
の基板に分割されて二次元画像検出器を構成している。
具体的には、図８（ａ），（ｂ）に示すように、アクテ
ィブマトリクス基板４０を４枚の基板に分割し、同様に
対向基板４５も４枚の基板に分割している。なお、基本
的な基板構成部材については、実施の形態１と同様であ
るため、説明は省略する。
【０１１７】図８（ａ）にも示すように、両基板４０，
４５が同様に田の字状に分断されているため、各基板４
０，４５を固定するための支持基板４１が別途必要とな
ってくる。図８（ａ）は、４枚に分割されたアクティブ
マトリクス基板４０が支持基板４１上に接着剤（または
粘着剤）４２で固定された状態を示している。
４５が同様に田の字状に分断されているため、各基板４
０，４５を固定するための支持基板４１が別途必要とな
ってくる。図８（ａ）は、４枚に分割されたアクティブ
マトリクス基板４０が支持基板４１上に接着剤（または
粘着剤）４２で固定された状態を示している。
【０１１８】上記支持基板４１としては、ガラス基板や
金属基板、その他セラミック基板などを使用することが
できる。ただし、アクティブマトリクス基板４０と支持
基板４１との熱膨張係数が異なると、加熱プロセスなど
によりアクティブマトリクス基板４０、支持基板４１の
反りが発生し易くなるため、アクティブマトリクス基板
４０と支持基板４１には、できるだけ熱膨張係数が同じ
ガラス基板を用いることが望ましい。
金属基板、その他セラミック基板などを使用することが
できる。ただし、アクティブマトリクス基板４０と支持
基板４１との熱膨張係数が異なると、加熱プロセスなど
によりアクティブマトリクス基板４０、支持基板４１の
反りが発生し易くなるため、アクティブマトリクス基板
４０と支持基板４１には、できるだけ熱膨張係数が同じ
ガラス基板を用いることが望ましい。
【０１１９】また、支持基板４１は、対向基板４５側に
配置してもよく、アクティブマトリクス基板４０側と対
向基板４５側との両側に配置してもよい。このように、
別の支持基板４１上に各分割基板（アクティブマトリク
ス基板４０および対向基板４５）を並べて固定すること
により、複数に分割された基板４０，４５のつなぎ目に
おける機械的強度を補強することが可能になる。
配置してもよく、アクティブマトリクス基板４０側と対
向基板４５側との両側に配置してもよい。このように、
別の支持基板４１上に各分割基板（アクティブマトリク
ス基板４０および対向基板４５）を並べて固定すること
により、複数に分割された基板４０，４５のつなぎ目に
おける機械的強度を補強することが可能になる。
【０１２０】なお、本実施の形態における二次元画像検
出器の構造は、アクティブマトリクス基板４０と対向基
板４５との両基板が、製造上の制限やコスト面での制限
などにより、大面積化することが困難な場合に適した構
造である。
出器の構造は、アクティブマトリクス基板４０と対向基
板４５との両基板が、製造上の制限やコスト面での制限
などにより、大面積化することが困難な場合に適した構
造である。
【０１２１】また、上述した構成に加えて、さらに対向
基板４５のみを細分化した構造とすることも可能であ
る。図９（ａ），（ｂ）は、図８の対向基板４５のみを
さらに細分化して対向基板４６とした構成の二次元画像
検出器を示したものである。図９（ａ）は、二次元画像
検出器の全体の構成を概略的に示す断面図であり、図９
（ｂ）は、上記二次元画像検出器を上から（対向基板４
６側から）見た平面図である。
基板４５のみを細分化した構造とすることも可能であ
る。図９（ａ），（ｂ）は、図８の対向基板４５のみを
さらに細分化して対向基板４６とした構成の二次元画像
検出器を示したものである。図９（ａ）は、二次元画像
検出器の全体の構成を概略的に示す断面図であり、図９
（ｂ）は、上記二次元画像検出器を上から（対向基板４
６側から）見た平面図である。
【０１２２】図９（ｂ）に示すように、アクティブマト
リクス基板４０は４枚の基板に分割され、対向基板４６
は１６枚の基板に分割されている。なお、その他の構成
および製造工程については、上述した実施の形態１〜３
と全く同様である。
リクス基板４０は４枚の基板に分割され、対向基板４６
は１６枚の基板に分割されている。なお、その他の構成
および製造工程については、上述した実施の形態１〜３
と全く同様である。
【０１２３】〔実施の形態４〕本発明の二次元画像検出
器の第４の実施の形態について、図１０および図１１に
基づいて説明すれば、以下のとおりである。
器の第４の実施の形態について、図１０および図１１に
基づいて説明すれば、以下のとおりである。
【０１２４】上述した実施の形態３においては、アクテ
ィブマトリクス基板４０と対向基板４５，４６とがとも
に複数の基板に分割されて二次元画像検出器を構成して
おり、異方導電性接着剤３は、該二次元画像検出器のほ
ぼ全面を覆う形でアクティブマトリクス基板４０と対向
基板４５，４６との間に配置されている。
ィブマトリクス基板４０と対向基板４５，４６とがとも
に複数の基板に分割されて二次元画像検出器を構成して
おり、異方導電性接着剤３は、該二次元画像検出器のほ
ぼ全面を覆う形でアクティブマトリクス基板４０と対向
基板４５，４６との間に配置されている。
【０１２５】上記異方導電性接着剤３としては、フィル
ム状のもの（通称ＡＣＦ：Anisotropic Conductiv Past
e ）を用いる場合と、ペースト状のもの（通称ＡＣＰ：
Anisotropic Conductiv Paste ）を用いる場合とがあ
る。
ム状のもの（通称ＡＣＦ：Anisotropic Conductiv Past
e ）を用いる場合と、ペースト状のもの（通称ＡＣＰ：
Anisotropic Conductiv Paste ）を用いる場合とがあ
る。
【０１２６】フィルム状の異方導電性接着剤３を用いる
場合、ＡＣＦ自身のサイズに限界があるため、二次元画
像検出器の全面を覆うことが困難な場合がある。一方、
ペースト状の異方導電性接着剤３を用いる場合、既存の
ペースト印刷機が大面積に適用できず、新規の大面積向
けの印刷機の導入が必要となることもある。
場合、ＡＣＦ自身のサイズに限界があるため、二次元画
像検出器の全面を覆うことが困難な場合がある。一方、
ペースト状の異方導電性接着剤３を用いる場合、既存の
ペースト印刷機が大面積に適用できず、新規の大面積向
けの印刷機の導入が必要となることもある。
【０１２７】そこで、本実施の形態に係る二次元画像検
出器は、複数に分割されたアクティブマトリクス基板４
０と対向基板４５とを用いるだけでなく、異方導電性接
着剤３も同様に分割された異方導電性接着剤４７を用い
る構成となっている。
出器は、複数に分割されたアクティブマトリクス基板４
０と対向基板４５とを用いるだけでなく、異方導電性接
着剤３も同様に分割された異方導電性接着剤４７を用い
る構成となっている。
【０１２８】図１０（ａ）は、本実施の形態に係る二次
元画像検出器の全体の構成を概略的に示す断面図であ
り、図１０（ｂ）は、上記二次元画像検出器を上から
（対向基板４５側から）みた平面図である。
元画像検出器の全体の構成を概略的に示す断面図であ
り、図１０（ｂ）は、上記二次元画像検出器を上から
（対向基板４５側から）みた平面図である。
【０１２９】なお、本実施の形態に係る二次元画像検出
器の構成は、上述した実施の形態３に係る二次元画像検
出器の構成と類似しているため、実施の形態３に係る二
次元画像検出器で用いられた部材と同一の機能を有する
部材については同一の部材番号を付記し、その説明を省
略する。
器の構成は、上述した実施の形態３に係る二次元画像検
出器の構成と類似しているため、実施の形態３に係る二
次元画像検出器で用いられた部材と同一の機能を有する
部材については同一の部材番号を付記し、その説明を省
略する。
【０１３０】本実施の形態に係る二次元画像検出器は、
複数に分割されたアクティブマトリクス基板４０、対向
基板４５、および異方導電性接着剤４７を有している。
具体的には、図１０（ａ），（ｂ）に示すように、上記
アクティブマトリクス基板４０および対向基板４５は、
各々、左右対称となるように４つのほぼ同形の形状に分
割されている。上記異方導電性接着剤４７も、上記アク
ティブマトリクス基板４０および対向基板４５と同様に
分割されている。なお、本実施の形態のアクティブマト
リクス基板４０および対向基板４５における基本的な構
成部材は、実施の形態１の場合と同様であるので、その
具体的な説明は省略する。また、異方導電性接着剤４７
にも実施の形態１の場合と同様に、絶縁性の接着剤４７
ａに導電粒子４７ｂを分散させたものが用いられてい
る。
複数に分割されたアクティブマトリクス基板４０、対向
基板４５、および異方導電性接着剤４７を有している。
具体的には、図１０（ａ），（ｂ）に示すように、上記
アクティブマトリクス基板４０および対向基板４５は、
各々、左右対称となるように４つのほぼ同形の形状に分
割されている。上記異方導電性接着剤４７も、上記アク
ティブマトリクス基板４０および対向基板４５と同様に
分割されている。なお、本実施の形態のアクティブマト
リクス基板４０および対向基板４５における基本的な構
成部材は、実施の形態１の場合と同様であるので、その
具体的な説明は省略する。また、異方導電性接着剤４７
にも実施の形態１の場合と同様に、絶縁性の接着剤４７
ａに導電粒子４７ｂを分散させたものが用いられてい
る。
【０１３１】図１０（ｂ）に示すように、両基板４０，
４５が同様に田の字状に分断されているため、これら両
基板４０，４５を固定するための支持基板４１が別途必
要となる。図１０（ａ）には、４枚に分割されたアクテ
ィブマトリス基板４０が支持基板４１上に接着剤（また
は粘着剤）４２で固定された状態を示している。なお、
該支持基板４１の基本的な構成は、実施の形態３の場合
と同様であるので、その具体的な説明は省略する。
４５が同様に田の字状に分断されているため、これら両
基板４０，４５を固定するための支持基板４１が別途必
要となる。図１０（ａ）には、４枚に分割されたアクテ
ィブマトリス基板４０が支持基板４１上に接着剤（また
は粘着剤）４２で固定された状態を示している。なお、
該支持基板４１の基本的な構成は、実施の形態３の場合
と同様であるので、その具体的な説明は省略する。
【０１３２】図１１（ａ）〜（ｄ）は、図１０（ａ），
（ｂ）に示された二次元画像検出器の製造工程を示す工
程図である。以下に、図１１（ａ）〜（ｄ）に基づい
て、上記二次元画像検出器の製造手順を順を追って説明
する。
（ｂ）に示された二次元画像検出器の製造工程を示す工
程図である。以下に、図１１（ａ）〜（ｄ）に基づい
て、上記二次元画像検出器の製造手順を順を追って説明
する。
【０１３３】（ａ）先ず、最終的な二次元画像検出器の
約１／４サイズの、アクティブマトリクス基板４０と対
向基板４５とを、これらの基板４０，４５とほぼ同サイ
ズの異方導電性接着剤４７を用いて貼り合わせて接続す
る。なお、ここでは、アクティブマトリクス基板４０と
対向基板４５とが貼り合わせ接続されたものを、パネル
と称する。
約１／４サイズの、アクティブマトリクス基板４０と対
向基板４５とを、これらの基板４０，４５とほぼ同サイ
ズの異方導電性接着剤４７を用いて貼り合わせて接続す
る。なお、ここでは、アクティブマトリクス基板４０と
対向基板４５とが貼り合わせ接続されたものを、パネル
と称する。
【０１３４】（ｂ）次に、各パネル間の接続に使用され
る辺となる、各パネルの接続辺の不要部分を精度良く切
断して切り落とす。
る辺となる、各パネルの接続辺の不要部分を精度良く切
断して切り落とす。
【０１３５】（ｃ）次に、上記（ｂ）の工程で切断され
たパネルの切断面（パネルの接続端面）を研磨し、平坦
性を向上させる。
たパネルの切断面（パネルの接続端面）を研磨し、平坦
性を向上させる。
【０１３６】（ｄ）最後に、４枚のパネルを支持基板４
１上に接着剤（または粘着剤）４２により固定する。こ
のとき、４枚の各パネルはアクティブマトリクス基板４
０側を支持基板４１に対向させて配置される。さらに、
このとき、それぞれのパネルの切断面（パネルの接続端
面）同士を可能な限り近接させて配置する。
１上に接着剤（または粘着剤）４２により固定する。こ
のとき、４枚の各パネルはアクティブマトリクス基板４
０側を支持基板４１に対向させて配置される。さらに、
このとき、それぞれのパネルの切断面（パネルの接続端
面）同士を可能な限り近接させて配置する。
【０１３７】以上のように、本実施の形態に係る二次元
画像検出器は、アクティブマトリクス基板４０および対
向基板４５だけでなく、異方導電性接着剤４７自身も分
割されている構成である。
画像検出器は、アクティブマトリクス基板４０および対
向基板４５だけでなく、異方導電性接着剤４７自身も分
割されている構成である。
【０１３８】従って、アクティブマトリクス基板４０お
よび対向基板４５だけでなく、異方導電性接着剤４７自
身が、製造上の制限やコスト面の制限などにより、大面
積化することが困難な場合であっても、歩留り低下を抑
制し、コストを抑えた大面積の二次元画像検出器を製造
することができる。
よび対向基板４５だけでなく、異方導電性接着剤４７自
身が、製造上の制限やコスト面の制限などにより、大面
積化することが困難な場合であっても、歩留り低下を抑
制し、コストを抑えた大面積の二次元画像検出器を製造
することができる。
【０１３９】なお、二次元画像検出器において、異方導
電性接着剤４７自身を分割する構成は、実施の形態３の
二次元画像検出器に適用できるだけではなく、実施の形
態１および２の二次元画像検出器にも適用できることは
言うまでもない。
電性接着剤４７自身を分割する構成は、実施の形態３の
二次元画像検出器に適用できるだけではなく、実施の形
態１および２の二次元画像検出器にも適用できることは
言うまでもない。
【０１４０】また、異方導電性接着剤として、上述した
ような特開平８−３０６４１５号公報等に記載されてい
るような特殊な構造の異方導電性接着剤を用いる場合
は、異方導電性接着剤の大面積化に伴いコストが増大す
るという問題が生じるので、本実施の形態の場合のよう
に、分割された異方導電性接着剤４７を用いる構成は、
特に有効であるといえる。
ような特開平８−３０６４１５号公報等に記載されてい
るような特殊な構造の異方導電性接着剤を用いる場合
は、異方導電性接着剤の大面積化に伴いコストが増大す
るという問題が生じるので、本実施の形態の場合のよう
に、分割された異方導電性接着剤４７を用いる構成は、
特に有効であるといえる。
【０１４１】なお、上述した実施の形態１〜４では、主
にＸ線（放射線）に対する二次元画像検出器の場合につ
いて説明してきたが、使用する半導体（光導電体）がＸ
線などの放射線に対する光導電性だけでなく、可視光や
赤外光に対しても光導電性を示す場合には、可視光や赤
外光の二次元画像検出器として使用することも可能であ
る。
にＸ線（放射線）に対する二次元画像検出器の場合につ
いて説明してきたが、使用する半導体（光導電体）がＸ
線などの放射線に対する光導電性だけでなく、可視光や
赤外光に対しても光導電性を示す場合には、可視光や赤
外光の二次元画像検出器として使用することも可能であ
る。
【０１４２】ただし、その時には、半導体（光導電体）
からみて光入射側に配置される上部電極材料には、可視
光や赤外光を透過するＩＴＯなどの透明電極材料を用い
る必要がある。また、半導体（光導電体）の厚みも可視
光や赤外光の吸収効率に応じて最適化する必要がある。
からみて光入射側に配置される上部電極材料には、可視
光や赤外光を透過するＩＴＯなどの透明電極材料を用い
る必要がある。また、半導体（光導電体）の厚みも可視
光や赤外光の吸収効率に応じて最適化する必要がある。
【０１４３】また、上述した実施の形態１〜４では、光
導電性を示す半導体材料として、ＣｄＴｅもしくはＣｄ
ＺｎＴｅを用いた例を示したが、本発明の概念は、これ
らの半導材料に限定されるものではなく、Ｓｉ，Ｓｅな
どの他の光導電性を示す半導体材料を用いる場合にも有
効である。また、対向基板の構造が、Ｘ線を可視光に変
換する変換層（例えば、ＣｓＩ）と可視光に対するフォ
トダイオードとを組み合わせた構造の場合にも有効であ
る。
導電性を示す半導体材料として、ＣｄＴｅもしくはＣｄ
ＺｎＴｅを用いた例を示したが、本発明の概念は、これ
らの半導材料に限定されるものではなく、Ｓｉ，Ｓｅな
どの他の光導電性を示す半導体材料を用いる場合にも有
効である。また、対向基板の構造が、Ｘ線を可視光に変
換する変換層（例えば、ＣｓＩ）と可視光に対するフォ
トダイオードとを組み合わせた構造の場合にも有効であ
る。
【０１４４】さらに、アクティブマトリクス基板に形成
されるスイッチング素子としても、上述した薄膜トラン
ジスタ（ＴＦＴ）に限るものではなく、ＭＩＭ（Metal
Insulator Metal ）、バリスタなどの２端子非線形素子
や、ダイオードリンク、バックツーバックなど複数のダ
イオードを組み合わせた非線形素子を用いることも可能
である。
されるスイッチング素子としても、上述した薄膜トラン
ジスタ（ＴＦＴ）に限るものではなく、ＭＩＭ（Metal
Insulator Metal ）、バリスタなどの２端子非線形素子
や、ダイオードリンク、バックツーバックなど複数のダ
イオードを組み合わせた非線形素子を用いることも可能
である。
【０１４５】さらに、上述した実施の形態１〜４におい
ては、分割された対向基板や分割されたアクティブマト
リクス基板をマザー基板から所定の形状に切り出す際
に、非常に精度の高い分断技術が要求される。そこで、
ダイヤモンドブレードを用いたダイシング分断法や、レ
ーザー照射による熱応力を用いたレーザー割断法を用い
て分断すると、５０μｍ以下の分断精度を得ることがで
きるため、特に有効である。
ては、分割された対向基板や分割されたアクティブマト
リクス基板をマザー基板から所定の形状に切り出す際
に、非常に精度の高い分断技術が要求される。そこで、
ダイヤモンドブレードを用いたダイシング分断法や、レ
ーザー照射による熱応力を用いたレーザー割断法を用い
て分断すると、５０μｍ以下の分断精度を得ることがで
きるため、特に有効である。
【０１４６】さらに、上述した実施の形態１〜４に係る
二次元画像検出器では、アクティブマトリクス基板と対
向基板とを異方導電性接着剤で貼り合わせた例を示した
が、本発明はこれに限定されるものではなく、画素毎に
設けられた感光性導電材料、ハンダバンプ、インジウム
バンプなどを用いて電気的および機械的に両基板を接続
したものであってもよい。
二次元画像検出器では、アクティブマトリクス基板と対
向基板とを異方導電性接着剤で貼り合わせた例を示した
が、本発明はこれに限定されるものではなく、画素毎に
設けられた感光性導電材料、ハンダバンプ、インジウム
バンプなどを用いて電気的および機械的に両基板を接続
したものであってもよい。
【０１４７】
【発明の効果】以上のように、請求項１に係る発明の二
次元画像検出器は、画素配列層を含むアクティブマトリ
クス基板と、電極部および半導体層を含む対向基板とを
備え、前記アクティブマトリクス基板の画素配列層と前
記対向基板の半導体層とが対向するように両基板が配置
されるとともに、該両基板は導電性材料によって電気的
に接続されてなり、前記アクティブマトリクス基板と前
記対向基板との少なくとも一方の基板は、複数に分割さ
れている構成である。
次元画像検出器は、画素配列層を含むアクティブマトリ
クス基板と、電極部および半導体層を含む対向基板とを
備え、前記アクティブマトリクス基板の画素配列層と前
記対向基板の半導体層とが対向するように両基板が配置
されるとともに、該両基板は導電性材料によって電気的
に接続されてなり、前記アクティブマトリクス基板と前
記対向基板との少なくとも一方の基板は、複数に分割さ
れている構成である。
【０１４８】上記二次元画像検出器によれば、画素配列
層を含むアクティブマトリクス基板と、電極部および半
導体層を含む対向基板とを、導電性材料によって接続す
るようにしているので、前記アクティブマトリクス基板
と対向基板とを別々に作成することが可能であり、従来
まで使用できなかった材料を上記半導体層として使用す
ることが可能であるという効果を奏する。
層を含むアクティブマトリクス基板と、電極部および半
導体層を含む対向基板とを、導電性材料によって接続す
るようにしているので、前記アクティブマトリクス基板
と対向基板とを別々に作成することが可能であり、従来
まで使用できなかった材料を上記半導体層として使用す
ることが可能であるという効果を奏する。
【０１４９】さらに、上記二次元画像検出器は、アクテ
ィブマトリクス基板と対向基板との少なくとも一方の基
板が複数に分割されて、１基板あたりの大きさが小さく
なった構成としているので、これら小型化された基板は
歩留まり良く安価に製造することができ、それぞれ分割
する度合いに応じて、コストダウンが可能であるという
効果も併せて奏する。
ィブマトリクス基板と対向基板との少なくとも一方の基
板が複数に分割されて、１基板あたりの大きさが小さく
なった構成としているので、これら小型化された基板は
歩留まり良く安価に製造することができ、それぞれ分割
する度合いに応じて、コストダウンが可能であるという
効果も併せて奏する。
【０１５０】請求項２に係る発明の二次元画像検出器
は、上記導電性材料は、上記画素配列層および上記半導
体層の対向面の法線方向にのみ導電性を有する異方導電
性材料である構成である。
は、上記導電性材料は、上記画素配列層および上記半導
体層の対向面の法線方向にのみ導電性を有する異方導電
性材料である構成である。
【０１５１】これにより、請求項１の発明による効果に
加えて、両基板間は電気的に接続されつつ、面内方向は
絶縁されているので、面内での隣接画素間のクロストー
クを防ぐことができるという効果を奏する。
加えて、両基板間は電気的に接続されつつ、面内方向は
絶縁されているので、面内での隣接画素間のクロストー
クを防ぐことができるという効果を奏する。
【０１５２】請求項３に係る発明の二次元画像検出器
は、前記半導体層が、放射線に対して感度を有する構成
である。
は、前記半導体層が、放射線に対して感度を有する構成
である。
【０１５３】これにより、請求項１または２の何れかの
発明による効果に加えて、放射線に対する二次元画像検
出器を実現することができるという効果を奏する。
発明による効果に加えて、放射線に対する二次元画像検
出器を実現することができるという効果を奏する。
【０１５４】請求項４に係る発明の二次元画像検出器
は、前記半導体層が、ＣｄＴｅもしくはＣｄＺｎＴｅ化
合物半導体である構成である。
は、前記半導体層が、ＣｄＴｅもしくはＣｄＺｎＴｅ化
合物半導体である構成である。
【０１５５】上記二次元画像検出器は、前記半導体層と
して、ＣｄＴｅもしくはＣｄＺｎＴｅ化合物半導体を用
いているので、請求項３の発明による効果に加えて、こ
れまで用いられてきたａ−Ｓｅからなる半導体層と比較
して、放射線に対する感度が向上し、動画の撮影が可能
であるという効果を奏する。
して、ＣｄＴｅもしくはＣｄＺｎＴｅ化合物半導体を用
いているので、請求項３の発明による効果に加えて、こ
れまで用いられてきたａ−Ｓｅからなる半導体層と比較
して、放射線に対する感度が向上し、動画の撮影が可能
であるという効果を奏する。
【０１５６】請求項５に係る発明の二次元画像検出器
は、前記アクティブマトリクス基板が複数に分割されて
いるとともに、該複数に分割されたアクティブマトリク
ス基板は、該アクティブマトリクス基板の配置位置に応
じて同一の配線パターンを有するマザー基板の所定の箇
所を切断することにより形成されている構成である。
は、前記アクティブマトリクス基板が複数に分割されて
いるとともに、該複数に分割されたアクティブマトリク
ス基板は、該アクティブマトリクス基板の配置位置に応
じて同一の配線パターンを有するマザー基板の所定の箇
所を切断することにより形成されている構成である。
【０１５７】前記複数に分割されたアクティブマトリク
ス基板は、該基板の配置位置に応じて同一配線パターン
を有するマザー基板の所定の箇所を切断することによっ
て形成されているので、請求項１乃至４の何れかの発明
による効果に加えて、複数に分割されたアクティブマト
リクス基板の配置位置に応じた専用の配線パターンを有
する基板を製造する必要がなく、コストダウンが可能で
あるという効果を奏する。
ス基板は、該基板の配置位置に応じて同一配線パターン
を有するマザー基板の所定の箇所を切断することによっ
て形成されているので、請求項１乃至４の何れかの発明
による効果に加えて、複数に分割されたアクティブマト
リクス基板の配置位置に応じた専用の配線パターンを有
する基板を製造する必要がなく、コストダウンが可能で
あるという効果を奏する。
【０１５８】請求項６に係る発明の二次元画像検出器
は、前記対向基板は、光導電性を有する半導体層自身が
支持基板である構成である。
は、前記対向基板は、光導電性を有する半導体層自身が
支持基板である構成である。
【０１５９】前記対向基板は、光導電性を有する半導体
層自身を支持基板としているので、請求項１乃至５の何
れかの発明による効果に加えて、ブリッジマン法やグラ
ディエントフリーズ法、トラベルヒーティング法などに
よって得られる結晶性半導体基板を容易に利用すること
が可能であるという効果を奏する。
層自身を支持基板としているので、請求項１乃至５の何
れかの発明による効果に加えて、ブリッジマン法やグラ
ディエントフリーズ法、トラベルヒーティング法などに
よって得られる結晶性半導体基板を容易に利用すること
が可能であるという効果を奏する。
【０１６０】請求項７に係る発明の二次元画像検出器
は、前記対向基板は、検出する光や放射線を透過する基
板を支持基板とし、該支持基板上に光導電性を有する半
導体膜が形成されている構成である。
は、前記対向基板は、検出する光や放射線を透過する基
板を支持基板とし、該支持基板上に光導電性を有する半
導体膜が形成されている構成である。
【０１６１】前記対向基板は、検出する光や放射線を透
過する基板を支持基板とし、該支持基板上に光導電性を
有する半導体膜が形成されている構成としているので、
請求項１乃至６の何れかの発明による効果に加えて、対
向基板自身の強度を大幅に増強することが可能であると
いう効果を奏する。
過する基板を支持基板とし、該支持基板上に光導電性を
有する半導体膜が形成されている構成としているので、
請求項１乃至６の何れかの発明による効果に加えて、対
向基板自身の強度を大幅に増強することが可能であると
いう効果を奏する。
【０１６２】請求項８に係る発明の二次元画像検出器
は、前記複数に分割された基板は、一枚の基板の同一平
面上に隣接するように並べられて配置、固定されている
構成である。
は、前記複数に分割された基板は、一枚の基板の同一平
面上に隣接するように並べられて配置、固定されている
構成である。
【０１６３】前記複数に分割された各基板を、別の大型
支持基板の同一平面上に、互いに隣接するようにタイル
状に並べて配置、固定しているので、請求項１乃至７の
何れかの発明による効果に加えて、複数に分割された基
板同士のつなぎ目の機械的強度を大幅に補強することが
可能であるという効果を奏する。
支持基板の同一平面上に、互いに隣接するようにタイル
状に並べて配置、固定しているので、請求項１乃至７の
何れかの発明による効果に加えて、複数に分割された基
板同士のつなぎ目の機械的強度を大幅に補強することが
可能であるという効果を奏する。
【０１６４】請求項９に係る発明の二次元画像検出器
は、前記導電性材料が異方導電性接着剤であるととも
に、該異方導電性接着材は、前記複数に分割された基板
に応じて分割されている構成である。
は、前記導電性材料が異方導電性接着剤であるととも
に、該異方導電性接着材は、前記複数に分割された基板
に応じて分割されている構成である。
【０１６５】これにより、請求項１乃至８の何れかの発
明による効果に加えて、使用する異方導電性接着剤自身
が、製造上の制限やコスト面での制限などにより大面積
化することが困難な場合でも、容易に大面積の二次元画
像検出器を実現することが可能となるという効果を奏す
る。
明による効果に加えて、使用する異方導電性接着剤自身
が、製造上の制限やコスト面での制限などにより大面積
化することが困難な場合でも、容易に大面積の二次元画
像検出器を実現することが可能となるという効果を奏す
る。
【図１】図１（ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係
る二次元画像検出器の全体の構成を概略的に示す断面図
であり、図１（ｂ）は、該二次元画像検出器の平面図で
ある。
る二次元画像検出器の全体の構成を概略的に示す断面図
であり、図１（ｂ）は、該二次元画像検出器の平面図で
ある。
【図２】上記二次元面像検出器の１画素当たりの構成を
概略的に示す断面図である。
概略的に示す断面図である。
【図３】図３（ａ）〜（ｃ）は、上記二次元画像検出器
におけるアクティブマトリクス基板と対向基板との貼り
合わせの工程を示したプロセス図である。
におけるアクティブマトリクス基板と対向基板との貼り
合わせの工程を示したプロセス図である。
【図４】上記二次元画像検出器の１画素当たりの等価回
路を示す回路図である。
路を示す回路図である。
【図５】図５（ａ）は、本発明の第２の実施の形態に係
る二次元画像検出器の全体の構成を概略的に示す断面図
であり、図５（ｂ）は、該二次元画像検出器の平面図で
ある。
る二次元画像検出器の全体の構成を概略的に示す断面図
であり、図５（ｂ）は、該二次元画像検出器の平面図で
ある。
【図６】上記二次元画像検出器の１画素当たりの構成を
概略的に示す断面図である。
概略的に示す断面図である。
【図７】図７は、分割基板を得るためのマザー基板を示
す平面図である。
す平面図である。
【図８】図８（ａ）は、本発明の第３の実施の形態に係
る二次元画像検出器の全体の構成を概略的に示す断面図
であり、図８（ｂ）は、該二次元画像検出器の平面図で
ある。
る二次元画像検出器の全体の構成を概略的に示す断面図
であり、図８（ｂ）は、該二次元画像検出器の平面図で
ある。
【図９】図９（ａ）は、本発明の第３の実施の形態に係
る別の二次元面像検出器の全体の構成を概略的に示す断
面図であり、図９（ｂ）は、該二次元面像検出器の平面
図である。
る別の二次元面像検出器の全体の構成を概略的に示す断
面図であり、図９（ｂ）は、該二次元面像検出器の平面
図である。
【図１０】図１０（ａ）は、本発明の第４の実施の形態
に係る二次元画像検出器の全体の構成を概略的に示す断
面図であり、図１０（ｂ）は、該二次元画像検出器の平
面図である。
に係る二次元画像検出器の全体の構成を概略的に示す断
面図であり、図１０（ｂ）は、該二次元画像検出器の平
面図である。
【図１１】図１１（ａ）〜（ｄ）は、上記二次元画像検
出器の製造工程を示す工程図である。
出器の製造工程を示す工程図である。
【図１２】従来の二次元画像検出器の構造を模式的に示
した説明図である。
した説明図である。
【図１３】従来の二次元画像検出器の１画素当たりの構
成を模式的に示す断面図である。
成を模式的に示す断面図である。
１ アクティブマトリクス基板 ２ 対向基板 ３ 異方導電性接着剤 ３ａ 接着剤 ３ｂ 導電粒子 ４ 電荷蓄積容量電極 ５ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ） ６ 接続電極 ７ ガラス基板 ８ ゲート電極 ９ ソース電極 １０ 熱プレス機 １１ 絶縁膜 １２ ａ−Ｓｉ膜（ｉ層） １３ ａ−Ｓｉ膜（ｎ+ 層） １４ 画素電極 １５ 絶縁保護膜 １６ 半導体基板 １７ 上部電極 １８ 電荷阻止層 ２０ マザー基板 ２１ マトリクス配線エリア ２２ 配線端子取り出し部 ２３ 配線端子取り出し部 ３０ アクティブマトリクス基板 ３５ 対向基板 ３６ 支持基板 ３７ 半導体膜（光導電膜） ４０ アクティブマトリクス基板 ４１ 支持基板 ４２ 接着剤（粘着剤） ４５ 対向基板 ４６ 対向基板 ４７ 異方導電性接着剤 ４７ａ 接着剤 ４７ｂ 導電粒子 ５１ ガラス基板 ５２ ゲート電極 ５３ ソース電極 ５４ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ） ５５ 電荷蓄積容量 ５６ 光導電膜（Ｓｅ） ５７ 誘電体層 ５８ 上部電極 ５９ 電荷蓄積容量電極（Ｃｓ電極） ６０ 画素電極 ６１ 絶縁膜 ６２ 電荷阻止層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 31/09 Ｈ０１Ｌ 27/14 Ｋ Ｈ０４Ｎ 5/335 31/00 Ａ (72)発明者 寺沼 修 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 佐藤 敏幸 京都府京都市中京区西ノ京桑原町１番地 株式会社島津製作所三条工場内 (72)発明者 徳田 敏 京都府京都市中京区西ノ京桑原町１番地 株式会社島津製作所三条工場内
Claims (9)
- 【請求項１】格子状に配列された電極配線と、各格子点
毎に設けられた複数のスイッチング素子と、該スイッチ
ング素子を介して前記電極配線に接続される画素電極を
含む電荷蓄積容量とからなる画素配列層と、 前記画素配列層のほぼ全面に対向して形成される電極部
と、 前記画素配列層および電極部の間に形成され、光導電性
を有する半導体層とを備えた二次元画像検出器におい
て、 前記画素配列層を含むアクティブマトリクス基板と、 前記電極部および半導体層を含む対向基板とを備え、 前記アクティブマトリクス基板の画素配列層と前記対向
基板の半導体層とが対向するように両基板が配置される
とともに、該両基板は導電性材料によって電気的に接続
されてなり、 前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板との少な
くとも一方の基板は、複数に分割されていることを特徴
とする二次元画像検出器。 - 【請求項２】上記導電性材料は、上記画素配列層および
上記半導体層の対向面の法線方向にのみ導電性を有する
異方導電性材料であることを特徴とする請求項１に記載
の二次元画像検出器。 - 【請求項３】前記半導体層が、放射線に対して感度を有
することを特徴とする請求項１または２に記載の二次元
画像検出器。 - 【請求項４】前記半導体層が、ＣｄＴｅもしくはＣｄＺ
ｎＴｅ化合物半導体であることを特徴とする請求項３に
記載の二次元画像検出器。 - 【請求項５】前記アクティブマトリクス基板が複数に分
割されているとともに、 該複数に分割されたアクティブマトリクス基板は、該ア
クティブマトリクス基板の配置位置に応じて同一の配線
パターンを有するマザー基板の所定の箇所を切断するこ
とにより形成されていることを特徴とする請求項１乃至
４の何れかに記載の二次元画像検出器。 - 【請求項６】前記対向基板は、光導電性を有する半導体
層自身が支持基板であることを特徴とする請求項１乃至
５の何れかに記載の二次元画像検出器。 - 【請求項７】前記対向基板は、検出する光や放射線を透
過する基板を支持基板とし、該支持基板上に光導電性を
有する半導体膜が形成されていることを特徴とする請求
項１乃至６の何れかに記載の二次元画像検出器。 - 【請求項８】前記複数に分割された基板は、一枚の基板
の同一平面上に隣接するように並べられて配置、固定さ
れていることを特徴とする請求項１乃至７の何れかに記
載の二次元画像検出器。 - 【請求項９】前記導電性材料が異方導電性接着剤である
とともに、 該異方導電性接着材は、前記複数に分割された基板に応
じて分割されていることを特徴とする請求項１乃至８の
何れかに記載の二次元画像検出器。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05614499A JP3545247B2 (ja) | 1998-04-27 | 1999-03-03 | 二次元画像検出器 |
| US09/298,169 US6342700B1 (en) | 1998-04-27 | 1999-04-23 | Two-dimensional image detector |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10-116333 | 1998-04-27 | ||
| JP11633398 | 1998-04-27 | ||
| JP05614499A JP3545247B2 (ja) | 1998-04-27 | 1999-03-03 | 二次元画像検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000022120A true JP2000022120A (ja) | 2000-01-21 |
| JP3545247B2 JP3545247B2 (ja) | 2004-07-21 |
Family
ID=26397078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05614499A Expired - Lifetime JP3545247B2 (ja) | 1998-04-27 | 1999-03-03 | 二次元画像検出器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
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| US (1) | US6342700B1 (ja) |
| JP (1) | JP3545247B2 (ja) |
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- 1999-04-23 US US09/298,169 patent/US6342700B1/en not_active Expired - Lifetime
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|---|---|
| US6342700B1 (en) | 2002-01-29 |
| JP3545247B2 (ja) | 2004-07-21 |
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| Date | Code | Title | Description |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040301 |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090416 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100416 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100416 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110416 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110416 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120416 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130416 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140416 Year of fee payment: 10 |
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|
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