FR2531108A1

FR2531108A1 - Pastille a bords arrondis ou chanfreines pour semi-conducteurs et procede d'usinage d'une telle pastille

Info

Publication number: FR2531108A1
Application number: FR8312147A
Authority: FR
Inventors: Hisachi Maejima; Hiroshi Nishizuka; Susumu Komoriya; Etuo Egashira
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1982-07-30
Filing date: 1983-07-22
Publication date: 1984-02-03
Also published as: GB2126008A; KR840005383A; DE3326356C2; MY8700637A; IT8322321A0; KR900006775B1; SG41787G; US4783225A; DE3326356C3; HK69487A; FR2531108B1; GB8320110D0; JPS5923524A; GB2126008B; DE3326356A1; IT1163869B; JPH0624199B2

Abstract

L'INVENTION CONCERNE UNE PASTILLE POUR SEMI-CONDUCTEURS ET UN PROCEDE D'USINAGE D'UNE TELLE PASTILLE. DANS CETTE PASTILLE 1 COMPORTANT SUR SA MAJEURE PARTIE UN CONTOUR 3, QUI EST RELIE A UN MEPLAT 2, LES ZONES DE JONCTION 4 ENTRE LE CONTOUR 3 ET LE MEPLAT 2 SONT CHANFREINEES OU ARRONDIES. APPLICATION NOTAMMENT A LA FABRICATION DE PLAQUETTES POUR TRANSISTORS ET CIRCUITS INTEGRES.

Description

La présente invention concerne une pastille, une puce, ou une

microplaquette et un procédé d'usinage de cette dernière Plus particulièrement, l'invention concerne une nouvelle pastille et un nouveau procédé d'usinage d'une telle pastille, permettant d'empêcher l'apparition de défauts tels que l'ébrèchement ou l'écaillage des zones de jonction entre le contour de

la pastille et la partie découpée de la pastille, tel-

le que par exemple un méplat d'orientation.

D'une manière générale, dans le domaine de la fabrication des dispositifs à semiconducteurs tels que des transistors, des circuits intégrés (IR) ou des circuits intégrés à haute densité d'intégration (LSI),

lorsque des substances étrangères incluant de la pous-

sière, des résidus d'écaillage ou d'ébrèchement, etc. adhèrent à la surface d'une pastille qui se présente

essentiellement-sous la forme d'un élément plat circu-

laire en un matériau semiconducteur tel que du silicium (Si), dans le cas o cette pastille est soumise à un

traitement tel qu'une diffusion, le dépôt d'une pelli-

cule résistante, une attaque chimique et une évapora-

tion, de telles substances sont la cause de rayures dans la surface de la pastille et de défauts tels

qu'une épaisseur non uniforme de la pellicule et d'in-

convénients intervenant pendant leur transport.

Il existe différentes causes d'apparition de telles substances étrangères On connaît comme l'une de ces causes le fait que, pendant le transport

des pastilles par exemple, la partie périphérique exté-

rieure de la pastille vient heurter un mécanisme de transport ou bien lespastilloe viennent en contact les

unes avec les autres, ce qui a pour effet que la par-

tie périphérique extérieure de la pastille elle-même se rompt localement Les résidus d'ébrèchement ou d'écaillage dus à cette cassure, adhèrent sur la

surface de la pastille sous la forme de substances étran-

gères provoquant différents défauts Jusqu'à présent, afin d'empêcher la rupture mentionnée ci-dessus de la

partie périphérique extérieure de la pastille, on chan-

freinait les deux surfaces principales de la partie périphérique extérieure de la pastille, en utilisant

des moyens mécaniques X chimiques (se référer à la de-

mande de brevet japonais publiée sous le NO 53-38594).

Cependant les auteurs à la base de la pré-

sente invention ont trouvé que, même lorsque les deux

surfaces principales de la partie périphérique supérieu-

re de la pastille sont entraînées de cette manière, la-

dite pastille s'ébrèche ou s'écaille fréquemment.

Les auteurs à la base de la présente inven-

tion ont étudié avec une grande attention les causes d'un tel ébrèchement ou écaillement Ils ont révélé,

comme aboutissement de leurs recherches, des faits im-

portants qui vont être décrits ci-après D'une manière

générale une pastille est réalisée avec une partie pla-

te désignée sos le terme de "méplat d'orientation (mé-

platprincipal) Ipar le fait qu'une partie de la pastil-

les est découpée sous une forme rectiligne afin d'indi-

quer l'orientation cristalline de la pastille et par

conséquent de permettre un positionnement de cette der-

nière La formation d'une telle partie plate entraine cependant l'apparition d'angles aigus ou d'arêtes vives dans les zones de jonction entre les parties plates et le contour de la pastille Par conséquent la zone de

jonction est susceptible de s'écailler ou de s'ébré-

cher C'est-à-dire que pendant le transport de la pas-

tille, la zone de jonction vient heurter le guide d'un

palier à air ou vient en contact avec une autre pastil-

le, ce qui a pour effet que la zone de jonction se

rompt en provoquant un écaillage ou un ébrèchement.

Comme décrit ci-dessus,lesanglesaigus ou les arêtes vives sont formées dans les zones de jonction entre la partie plate constituant le méplat d'orientation et le contour de la pastille A ce sujet, les auteurs à la base de la présente invention ont décelé l'apparition d'un phénomène nuisible dans les zones des arêtes vives,

comme indiqué ci-après Lors du traitement de la pastil-

le, lorsque l'on forme une pellicule de résine photoré-

sistante pour un processus photolithographique, à la sur-

face de la pastille, il apparaît des bombements et des re-

bords-dans la pellicule photorésistante Lorsqu'une pellicule mince, comme par exemple une couche déposée par croissance épitaxiale à la vapeur, est formée à la

surface de la pastille, il se forme une pellicule pos-

sédant une épaisseur anormale, en raison par exemple

d'une croissance anormale.

C'est pourquoi un but de la présente inven-

tion est de fournir une pastille et un procédé de fabri-

cation d'une telle pastille, empêchant l'apparition de-

substances étrangères ainsi que l'apparition d'autres effets attribués à l'ébrèchement ou à l'écaillement des zones de jonction entre le contour de la pastille et la

partie découpée de la pastille, comme par exemple au ni-

veau d'un méplat d'orientation.

Ce problème est réso-uconformément à l'inven-

tion à l'aide d'une pastille du type indiqué plus haut, caractérisé par le fait que les zones-de jonction entre

un contour de la pastille et une partie d'écoupée de cet-

te dernière sont chanfreinéesou arrondies.

Avantageusement ladite partie découpée de la

pastille est un méplat d'orientation.

D'autres caractéristiques et-avantages de la

-présente invention ressortiront de la-description donnée

ci-après prise en référence aux dessins annexés, sur les-

quels: la figure 1 est une vue en plan montrant une pastille semiconductrice et une forme de réalisation de la présenit invention;

la figure 2 est une vue en coupe prise sui-

vant la ligne II-II de la figure 1; la figure 3 est une vue à plus grande échel- le de la figure 2;

la figure 4 est une vue permettant d'expli-

quer le positionnement des pastilles; la figure 5 est une vue en plan servant à expliquer la détermination des régions arrondies de la pastille représentées sur les figures l à 3; la figure 6 est une vue en plan d'une autre

forme de réalisation de la pastille conforme à la présen-

te invention; la figure 7 est une vue en plan montrant une autre forme de réalisation de la présente invention;

la figure 8 est une vue en coupe prise sui-

vant la ligne VIII-VIII de la figure 7; et

les figures 9 à 17 sont des vues schémati-

ques montrant trois exemples de dispositifs pour réali-

un chanfreinage ou un arrondi utilisable pour un pro-

cédé d'usinage d'une pastille conforme à la présente in-

vention. Ci-après on va décrire la présente invention

d'une manière détaillée en liaison avec des formes de réa-

lisation de ladite invention représentées sur les dessins.

La figure l est une vue en plan montrant une

forme de réalisation d'une pastille conforme à la présen-

te invention, la figure 2 est une vue en coupe prise sui-

vant la ligne II-II de la figure l et la figure 3 est une

vue à plus grande échelle de la figure 2.

La pastille i de cette forme de réalisation

possède une forme circulaire obtenue par exemple en réali-

sant lev découpage en tranches d'un morceau de silicium

(Si), dont la forme en coupe est essentiellement circulai-

re Dans une partie de la pastille 1, on forme selon un profil rectiligne un élément plat principal (méplat)ou méplat d'orientation ou plat d'orientation 2 destiné à servir d'évidement de positionnement servant à indiquer la direction d'un axe cristallin et à positionner la

pastille 1 pour différents traitements.

Comme cela est visible sur la figure 3, la

partie périphérique extérieure de la pastille 1 est ar-

rondie selon un profil incurvé, à titre d'exemple.

En outre, conformément à la pastille 1 de cette forme de réalisation, dans les zones de jonction

4 situées entre les deux extrémités du méplat d'orien-

tation 2 et le contour de la pastille 1, les zones d'an-

gle repérées par deux lignes en trait mixte sont arron-

dies de manière à posséder la forme d'arcs circulaires repérés par des traits pleins Compte tenu d'une telle

structure, la pastille 1 est construite de telle maniè-

re que les parties d'angle des zones de jonction 4 ne

peuvent pas s'écailler ou s'ébrécher pendant les diffé-

rents traitements de la pastille 1, l'ébrèchement en'

traînant des défauts tels que l'apparition de substan-

ces étrangères sous la forme d'éléments cassés par ébré-

chenent ou écaillage Plus spécifiquement, la région 5 éliminée par l'arrondi de la zone de jonction 4 dans la forme de réalisation de la figure 1 est une région enserrée par la ligne en trait plein et la ligne en trait mixte Le bord intérieur 'de la région arrondie 5 est défini par l'arc circulaire d'un cercle inscrit dans le contour de la pastille 1 et dans le méplat

d'orientation 2.

Dans le cas de la réalisation de l'arron-

di de la zone de jonction 4, la zone préférée pour la réalisation de la région arrondie 5 est déterminée d'une manière qui va être décrite de façon détaillée ci-après

en référence aux figures 4 et 5.

__ ___ __ __ _____ __ _ ____ __ ____ __ ___ -_

On positionne habituellement les pastilles

1 en les tournant et en maintenant les pourtours des-

dites pastilles en contact avec l'organe rotatif 6 On

exploite ici le phénomène selon lequel,lorsque le mé-

plat d'orientation de la pastille 1 a été déplacé jus- jusqu'à l'organe rotatif 6, la pastille 1 s'arrête de tourner en raison de la présence de la partie plate for

mée par le méplat d'orientation.

Lorsque le pourtour circulaire de la pas-

tille est contacté par l'organe rotatif, la pastille

est entraînée en rotation simultanément lors de la ro-

tation de cet organe rotatif Cependant, étant donné la présence du méplat d'orientation, même lorsque la pastille et l'organe rotatif sont en éontact, l'effort

de rotation de l'organe rotatif ne permet pas d'entrai-

ner en rotation la pastille Par conséquent, en dépit

de la rotation de l'organe rotatif, la pastille s'arrê-

te de tourner et de se déplacer et reste dans cette po-

sition. Sur la figure 4, on a représenté un exemple d'une telle procédure Un porte-pastilles 100 recevant un grand nombre de pastilles 1 est placé sur un bâti de positionnemnt 5 qui possède deux organes rotatifs

6 Lorsque les organes rotatifs sont entraînés ultérieu-

rement en rotation, les pastilles 1 logées dans le por-

te-pastilles 100 commencent à tourner Lorsque les par-

ties correspondant aux méplats d'orientation des diffé-

rentes pastilles ont été amenéesau niveau des positions

des organes rotatifs 6, les pastilles ne tournent plus.

Un tel état est obtenu pour toutes les pastilles Even-

tuellement toutes les pastilles sont alignées dans un

état dans lequel les parties formant méplats d'orien-

tation des différentes pastilles sont situées sur le

côté inférieur.

Pour exécuter de telles opérations de posi-

tionnement, de réglage ou d'alignement des pastilles,

il existe différentes méthodes autres que celles men-

tionnées ci-dessus, comme par exemple une méthode uti-

lisant,un seul organe rotatif et une méthode utilisant des moyens optiques constitués par des éléments photo- électriques, etc. En se référant à la figure 5, on voit qu'une pastille 1 possédant une largeur W possède un rayon R et que son centre est O 1 La distance entre le centre O

et le méplat d'orientation 2 de la pastille est dési-

gnée par y Lorsque l'on abaisse une perpendiculaire du centre O 1 sur le méplat d'orientation 2, le point d'intersection-P est supposé être le milieu ou point

médian du méplat d'orientation 2 La référence b dési-

gne la distance entre un point situé à la moitié de la

longueur totale du méplat d'orientation 2 avant la sur-

face arrondie, à savoir le point P et une zone de jonc-

tion 4 formée par le méplat d'orientation 2 et le con-

tour de la pastille 1.

Il est stipulé dans les manuels relatifs aux

semiconducteurs que la relation entre la longueur du mé-

plat d'orientation 2 ainsi que la largeur W de la pastil-

le et le diamètre D = 2 R de la pastille 1 doivent pos-

séder les valeurs telles qu'indiquées dans le tableau 1,

dans le cas d'un état lisse de la pastille.

Tableau 1

D'autre part, étant donné que les pastilles 1 Diamètre de la pastille 7, 62 cm 100 mm 125 mm 150 mm Gamme admissible du 75,56 + 1 + 1 diamètre (mm) 76,84 Largeur (e) 360 410 500 550 600 650 650 700 ongueur du méplat 19, 05 30 35 40 45 55 60 d'orientation 25,40 1

doivent être positionnées en utilisant le méplat d'orien-

tation 2, ce dernier doit posséder la longueur de la par-

tie plate qui doit être prévue au minimum pour le posi-

tionnement précis En supposant que a désigne la moitié d'une telle longueur, la longueur a est la distance en-

tre le point P et le point i 1 de contact d'un cercle ins-

crit commun et du méplat d'orientation 2 La référence 6 désigne un organe rotatif servant au postionnement Comme

cela a été indiqué précédemment, on peut utiliser des or-

ganes photoélectriques, etc, c'est-à-dire des organes

autres que l'organe rotatif, en tant que moyens de posi-

tionnement.

En supposant que i désigne le point de con-

tact du cercle inscrit avec le coutour de la pastille 1, le centre 2 du cercle inscrit est situé sur une droite qui passe par le centre 1 de la pastille l et le point de contact i 2 du cercle inscrit L'angle entre cette

droite et la droite O 1 P est repéré par 0.

Par conséquent le rayon r du cercle inscrit à la fois dans le contour de la pastille 1 et dans le

méplat d'orientation 2 est obtenu comme indiqué ci-

apres. Tout d'abord la longueur minimale requise pour le positionnement au moyen des organes rotatifs 6 à savoir la longueur a (a = Pi 2) de la partie plate du

méplat d'orientation 2, qui n'est pas arrondie, est four-

nie par: a = (R r) sin ( 1)

En selon lieu la longueur y de la perpendi-

culaire 01 P abaissée depuis le centre O 1 de la pastille 1 sur le méplat d'orientation 2 est donnée par: y = (R r) cos-6 + r ( 2) Dans le triangle rectangle 01 P 4, on a y = R 2 b 2 Par conséquent, y= -b 2 ( 3) En tenant compte de la relation ( 3) dans la relation 2, on obtient v R 2 b 2 = (R r) cos O + r 2 b 2 cos (R r) ( 4) A partir de la relation ( 1), on obtient, sin (R r) ( 5) (R -r)2 Etant donné que l'on a sin 2 O + cos 2 = 1, les relations ( 4) et ( 5) fournissent:

2 2)

a b r ( 6) R-r) + (R r)r 21()

en réarrangeant cette relation ( 6), on ob-

tient: 2 2 b 2 a ( 7)

r -

2 ( R b 2) Par conséquent, dans la présente forme de réalisation, la région arrondie 5 située dans la zone

de jonction entre le contour de la pastille 1 et le mé-

plat d'orientation 2 peut être usinée le long d'un arc de cercle possédant n'importe quel rayon, pour autant que cet arc de cercle est l'arc du cercle inscrit de rayon r donné par la relation ( 7) ou se situe dans une zone à l'intérieur de ce rayon, comme cela est indiqué

par des hachures obliques sur la figure 5 o.

C'est-à-dire que le rayon r du cercle ins-

crit à la fois dans la ligne de contour de la pastille 1 et le méplat d'orientation 2 peut être située dans une gamme fournie par l'expression suivante, et la zone de jonction peut être cintrée ou arrondie dans les limites de cette gamme de valeurs du rayon r r < b 2 a 2 ( 8) 2 (R R b 2) D'autre part, la valeur minimale du rayon r dans la région d'arrondi peut être réglée comme indiqué

ci-après.

La figure 3 est une vue en coupe à plus gran-

de échelle montrant la pastille de silicium qui est l'une des formes de réalisation de la présente invention Comme représenté sur la figure, la partie périphérique des deux surfaces principales de la pastille de silicium 1 confor- me à la présente invention sont arrondies Les dimensions

de cet arrondi, à savoir la longueur A de la partie de sur-

face arrondie et la longueur B d'une partie de la face

d'extrémité sont obtenuesà partir de valeurs expérimen-

tales Il a été établi expérimentalement que la longueur B de la partie de la face d'extrémité non arrondie diffère en fonction de la longueur de la pastille 1 On a trouvé expérimentalement que lorsque la longueur B est égale au maximum à 0,32 mm ( 320 pm) et est égale au minimum à 0,15

mm ( 150 pm) pour une valeur de W égale à 0,4 mm, l'ébrè-

cheiment ou l'écaillage de la partie périphérique de la

pastille présente la valeur minimum On a trouvé de fa-

çon similaire que l'ébrèchement de la partie périphéri-

que de la pastille présente la valeur minimale lorsque l'on a 150 pm < B < 520 pm pour W ( 0,5 mm et lorsque

l'on a 150 gm < B < 520 pin pour W <: 0,6 mm C'est-à-di-

re que l'ébranchement de la partie périphérique de la pastille est réduit au minimum lorsque la longueur B de la partie de la face d'extrémité non arrondie sur le pourtour de la pastille est égale au moins à 150 pm, et au maximum à une valeur obtenue en soustrayant 80 pm

de la largeur de la pastille W, en d'autres termes,lors-

que cette valeur tombe dans la gamme telle que 15 È pm < B et B < ( W 80) pm Ainsi, en rapport avec les dimen sions de l'arrondi de la pastille de silicium 1 conforme à la présente invention, la longueur B de la partie de

la face d'extrémité est réglée conformément à l'expres-

sion indiquée ci-après, ce qui a pour effet que la cas-

sure et l'ébrèchement de la pastille 1 attribués à des chocs mécaniques, etc, pendant l'opération de traitement il

ou le transport de la pastille, diminuent de façon ex-

traordinaire: pm < B < (W 80) pm ( 9) D'autre part la longueur A de la partie arrondie de la pastille de silicium 1 conforme à la présente invention est réglée expérimentalement à la valeur égale au moins à 0,2 mm ( 200 -pm), ce qui a pour effet que la cassure et l'ébrèchement de la pastille attribués à des chocs

mécaniques, etc, pendant son traitement ou son trans-

port, peuvent être réduits de façon extraordinaire.

Compte-tenu de ce qui précède et de la fi-

gure 3, on comprendra que les parties périphériques

des deux surfaces principales de la pastille semicon-

ductrice peuvent être arrondies Ici les dimensions de l'arrondi en rapport avec la forme en coupe de la pastille peuvent être telles que la longueur B de la partie de la face d'extrémité est réglée à une valeur se situant dans une gamme non inférieure à 150 pm et non supérieure à la valeur obtenue en soustrayant 80 pm de la largeur de la pastille, la longueur A de l'élémdent arrondi de la face étant égale-au moins

à 200 im.

Par conséquent, le rayon r du cercle ins-

crit commun à la fois au contour de la pastille l et

au méplat d'orientation 2 se situe dans une gamme four-

nie par la relation indiquée ci-après, et la zone de

jonction peut être arrondie à l'intérieur de cette gam-

me de valeurs du rayon r: W B r

2

En conclusion, on voit d'après les expres-

sions ( 8) et ( 10), que le rayon d'arrondi r peut être située dans une gamme fournie par l'expression suivante: W-B<r< b 2 _ -a 2 2 2 7 Rv V _M ( 11) dans laquelle r = rayon du cercle d'arrondi de la pastille, R = rayon de la pastille, a = moitié de la longueur de la partie non arrondie (partie plate) située dans la partie découpée de la pastille,

b = moitié de la longueur totale de la par-

tie découpée de la pastille avant la formation de l'arrondi, W = largeur de la pastille, B = longuer de la partie de faoe d'extrémité

de la pastille.

De cette manière, la pastille conforme à la

présente invention est arrondie dans les parties péri-

phériques de la pastille de silicium découpée et ce avec des dimensions prédéterminées,-et par conséquent possède une forme adoucie de manière à ne pas fournir des angles ou coins saillants C'est pourquoi la pastille s'ébrèche

difficilement En outre,-même lorsqu'un choc a été appli-

qué à la pastille 1, il -ne se produit pas la concentra-

tion locale d'une charge Par conséquent, la résistance de la partie périphérique de la pastille augmente, et la quantité d'ébrèchements de la partie périphérique peut

être réduite de façon extraordinaire Il est par consé-

quent possible d'éviter le problème selon lequel des parties produites par l'ébrèchement du silicium flottent dans l'air sous la forme d'une poussière et que certains de ces éléments se fixent sur la surface de la pastille de

silicium Au cours du traitement de la pastille de sili-

cium servant à produire un dispositif à semiconducteurs, il est possible d'améliorer l'aspect extérieur de la

* surface d'une pellicule de résine photorésistante utili-

sée au cours d'un processus photolithographique, et d'em-

pêcher une réduction de sa résolution, et il est possible de réaliser une croissance en phase vapeur favorable,-etc,

et ce en l'absence de toute croissance épitaxiale anormale.

En outre, étant donné que les dimensions de la région arron-

die sont adaptées de manière à réduire les bombements et les rebords de la résine photorésistante pour améliorer

sa résolution on peut réaliser sur la pastille diffé-

rentes configurations à l'aide d'un usinage de préci-

sion.

Conformément à la présente forme de réali-

sation, il n'existe absolument aucun angle, coude ou arête vive dans la zone de jonction entre le contour de la pastille 1 et le méplat d'orientation 2 C'est pourquoi, on peut empêcher que la zone de jonction se

rompe et fournisse des morceaux d'ébrèchement ou d'é-

caillage dus par exemple aux chocs contre le guide

d'un palier à air ou au contact avec une autre pastil-

le pendant le transport de la pastille 1 En dehors du défaut produit par des substances étrangères qui sont

imputables à l'apparition de tels morceaux par ébrèche-

ment ou d'écaillage, il est possible de réduire gran-

dement les défauts provoqués par un transport de mau-

vaise qualité et dus au fait que les angles aigus vien-

nent heurter le guide du palier à air, etc, pendant

le transport, et les défauts dus à une mauvaise épais-

seur d'une pellicule de résine photorésistante, due au

fait que l'épaisseur de cette pellicule varie en par-

tie sous l'effet de la turbulence du courant d'air, au

niveau de l'angle aigu pendant l'application de la ré-

sine résistante Une telle réduction des défauts est particulièrement intéressantepour des pastilles de

grand diamètre.

La figure 6 est une vue en plan qui montre une autre forme de réalisation de la pastille selon là

présente invention.

Dans cette forme de réalisation, les zones

de jonction entre le contour d'une pastille 1 et le mé-

plat d'orientation 2 sont chanfreinées, c'est-à-dire mu-

nies d'une partie oblique rectiligne, et ce dans les zo-

nes de chanfrein 5 repérées par des hachures obliques.

Dans ce cas la gamme de chanfrein maximum de la zone de chanfrein 5 est définie par une droite qui relie les points de contact i 1 et i 2 du cercle inscrit à la fois dans le pourtour de la pastille 1 et dans le méplat d'orientation, comme cela a été expliqué précédemment

en référence à la figure 5 Le rayon r du cercle ins-

crit commun peut être choisi dans la même gamme que

celle fournie par l'expression ( 11).

De même dans le cas de la présente forme de réalisation, il n'existe aucun angle ou coude aigu dans la zone de jonction 4 entre le contour de la pastille 1 et le méplat d'orientation 2, si bien que le défaut consistant enla présence de substances étrangères dues

à l'apparition de morceaux de matière pendant l'ébrè-

chement ou l'écaillage, le défaut provoqué par le trans-

port ou le défautd'épaisseur d'une pellicule de résine

résistante,etc,peuventêtre fortement réduits.

Le chanfrein ou l'arrondi conforme à la présente invention peut présenter d'autres formes que les formes courbe et rectiligneindiquées dans les formes de réalisation précédentes, et l'on peut avoir

différentes formes incurvées et différentes formes po-

lygonales dans la mesure o elles peuvent supprimer

des angles aigus.

La préseftte invention est applicable non

seulement au cas de la réalisation du méplat princi-

pal ou du méplat d'orientation, mais également dans le cas de la réalisation d'un méplat auxiliaire ou

secondaire Dans ce cas, comme représenté sur les fi-

gures 7 et 8, les régions 5 des zones de jonction en-

tre les deux extrémités du méplat d'orientation 2 et du contour de la pastille 1 sont arrondies et comme dans le cas des régions repérées par le symbole 5 a,

de même les zones de jonction entre les deux extré-

mités du second méplat 7:et le contour de la pastille i sont arrondies ou chanfreinées le long d'arcsde cercle communs inscrits à la fois dans le second méplat 7 et dans le contour de la pastille 1, ou selon des droites passant par les points d'inscription des cercles communs

inscrits ou dans les régions extérieures à ces cercles.

En outre, la présente invention est appli-

cable à un cas o en dehors des parties plates telles que le méplat d'orientation 2 et le second méplat 7, une encoche de positionnement incurvée est ménagée

dans la pastille 1 comme cela est indiqué à titre dlexem-

ple à la référence 8 sur la figure 7 Dans ce cas, les

zones de jonction entre les deux extrémités de l'enco-

che de positionnement 8 et le contour de la pastille l peuvent être arrondies ou chanfreinées-suivant les arcs des cercles inscrits en commun à la fois dans l'encoche de positionnement 8 et dans le contour de la pastille

l ou suivant des droites reliant les points d'inscrip-

tion des cercles communs inscrits ou bien dans les zé-

gions à l'extérieur de ces cercles, comme par exemple

dans les zones repérées par le symbole 5 b.

Le chanfrein ou l'arrondi réalisé confor-

mément à la présente invention peut être tout à-fait obtenu simultanément lors de la formation du méplat

d'orientation 2 ou de l'arrondi réalisé suivant la di-

rection de l'épaisseur de la pastille, dans la partie

périphérique extérieure 3 de cette dernière La réali-

sation simulténe d'un tel arrondi ou chanfrein est

très favorable du point de vue du rendement de fabri-

cation, mais on peut réaliser un chanfreinou ur arrondi séparément Naturellement, la présente invention ne requiert pas toujoursl'aménagement d'un chanfrein ou d'un arrondi sur la partie extérieure périphérique

3 de la'pastille 1, suivant la direction de l'épaisseur.

Comme dispositifs utilisables dans le cas de la réalisation du chanfrein arrondi conformément à la

présente invention, on va considérer différents-disposi-

tifs dont trois exemples sont illustrés sur les figures

0 à 17.

Le dispositif de chanfreinage représenté sur les figures 9 à 13 fait partie de ce qu'on appelle les dispositifs du type à profilage de forme Alors qu'une meule 8 possédant une gorge rectiligne 9 est entraînée

en rotation, on la déplace horizontalement et vertica-

lement de manière à réaliser le chanfreinage On peut

également réaliser le chanfreinage de la partie périphé-

rique extérieure de la pastille 1 suivant la direction

de son épaisseur Dans le dispositif représenté, la ré-

férence 102 désigne un mécanisme formantétau pour la pastille 1 et la référence 103 désigne un mécanisme

formant étau pour la meule 8 Ces mécanismes peuvent cha-

cun tourner et se déplacer verticalement et horizontaleoent.

Le dispositif de réalisation d'arrondis re-

présenté sur les figures 14 à 16 fait partie de dispo-

sitifsdits à transfert de forme Lorsqu'elle est entrai-

née en rotation, une meule 10 possédant une gorge incur-

vée 11 qui est conformée de manière à correspondre à la forme de l'arrondi de la partie périphérique extérieure de la pastille 1 suivant la directia del'épaisseur de

cette dernière, est déplacée suivant la direction hori-.

zontale Par conséquent, la partie périphérique exté-

rieure de la partie 1 peut être arrondie comme représenté

sur les figures 1 à 3 En dehors de cela, on peut réali-

ser un chanfrein ou un arrondi dans les régions 5 a et 5 b

représentées sur les figures 5 à 8.

Les dispositifs de réalisation de chanfrein ou d'ar-

rondi représentés sur les figures 9 à 16 réalisent à la fois les chanfrein ou lé arrondi dans les régions 5,5 a, b, et dans la partie périphérique extérieure de la pas-

tille 1 Par conséquent ces opérations mécaniquesde for-

mation d'un arrondi ou d'un'chanfrein pourraient être réalisées simultanément de façon efficace, bienqu'on

puisse exécuter ces opérations séparément.

Le dispositif de réalisation de chanfreins ou d'arrondis de la figure 17 réalise cette opération par voie chimique Un support rotatif 12, dans lequel un grand nombre de pastilles 1 sont prises en sandwich est immergé dans un liquide corrosif 14 (par exemple

une solution qui est constituée d' acide fluorhydri-

que, d'acide nitrique et d'acide acétique cristallisa-

bles dans des rapports volumétriques 2 5: 3)icon-

tenu dans un bain corrosif 13 Alors qu'elles sont en-

trainées en rotation en même temps que le support ro-

tatif 12, les parties périphériques extérieures des

pastilles 1 sont attaquées par le liquide corrosif 14.

Dans ce cas, afin de réaliser un chanfrein ou un arron-

di uniquement dans les zones 5, Sa et 5 b, il est néces-

saire de masquer les autres parties périphériques exté-

rieures des pastilles 1 de manière qu'elles ne soient pas en contact avec le liquide corrosif 14 Cependant, les angles de l'ensemble des pourtours extérieurs peuvent

être parfaitement arrondis ou chanfreinés suivant la di-

rection de l'épaisseur par le liquide corrosif, après que les régions d'arrondi ou de chanfrein 5, 5 a et 5 b

aient été formées par avance au moyen d'un meulage mé-

canique Dans le cas de la figure 17, des chocs mécani-

ques sur les pastilles 1 peuvent être évités.

La présente invention n'est pas limitée aux pastilles constituées par du silicium (Si), mais ést éga lement applicable à des pastilles constituées en germa

nium (Ge) ou par différents matériaux semiconducteurs com-

positifs tels qu'un grenat de gallium-arsenic (Ga As) et

de gallium.

Comme indiqué ci-dessus, conformément à la

présente invention, il n'existe aucun angle aigu ni au-

cune arête vive dans les zones de jonction entre le con-

tour de la pastille et la partie découpée de la pastille,

telle que par exemple une partie retirée afin de permet-

tre le positionnement C'est pourquoi il est possible de réduire de façon remarquable les défauts imputables à l'existence d'angles aigus ou d'arêtes vives, comme par

exemple le défaut de la présence de substances étrangè-

res dues à un ébrèchement de la pastille, des défauts dus à une alteration pendant le transport et des défauts

d'épaisseur d'une pellicule de résine résistante.

Claims

REVENDICATIONS

1 Pastille, notamment utilisable dans la

fabrication de dispositifs à semiconducteurs, caracté-

risée en ce que les zones de jonction ( 4) entre un con-

tour ( 3) de la pastille ( 1) et une partie découpée ( 2;

7; 8) de cette pastille sont chanfreinées ou arrondies.

2 Pastille selon la-revendication 1, ca-

ractérisée en ce que ladite partie découpée ( 2; 7) de la

pastille ( 1) est un méplat d'orientation.

3 Pastille selon la revendication 1, carac-

térisée en ce que ladite partie découpée ( 2:7) de la pas-

tille ( 1) est constituée par un méplat d'orientation et

par un évidement de positionnement de la pastille.

4 Pastille selon la revendication 2, carac-

tériséeen ce que son composant principal est un matériau semiconducteur. Pastille selon la revendication l, carac- tériséeen ce que l'opération de formation de l'arrondi s'effectue selon un profil curviligne le long de cercles inscrits communs au contour ( 3) de la pastille ( 1) et à

la partie découpée ( 2,7) de la pastille, ou dans des ré-

gions extérieures à ces cercles -

6 Pastille selon la revendication 1, carac-

térisée en ce que la réalisation de l'arrondi est réalisée

selon un profil curviligne le long de cercles incrits com-

muns au contour ( 1) de la pastille et à la partie découpée ( 2; 7) de la pastille, ou dans des régions extérieures de

ces cercles, le rayon de chaque cercle inscrit étant four-

ni par la relation suivante:

2 2

W < b _ a,.

W-B< r b -a-

2 (R 2 R b 2 dans laquelle r est le rayon du cercle incrit, R le rayon

de la pastille ( 1), a la moitié de la longueur d'une par-

tie non arrondie (partie plate) dans une partie évidée de

positionnement, b la-moitié de la longueur totale de la par-

tie évidée de positionnement avant la réalisation de l'ar-

rondi, W la largeur de la pastille et B la longueur d'une

partie de face d'extrémité de la pastille.

7 Pastille selon la revendication 1, carac-

térisée en ce que le chanfreinage est réalisé selon un pro- fil rectiligne le long de droites reliant des points de contact (ili 2) des cercles inscrits communs au contour

( 1) de la pastille et à la partie découpée ( 2) de la pas-

tille, ou dans des régions extérieures à ces cercles.

8 Procédé d'usinage d'une pastille ( 1), ca-

ractérisé par la formation d'une partie découpée ( 2; 7) de

la pastille dans un contour ( 1) de cette dernière et réa-

lisation d'un chanfrein ou d'un arrondi au niveau des zo-

nes de jonction ( 4) entre ladite partie découpée et le

contour résultant de la pastille.

9 Procédé d'usinage d'une pastille ( 1) se lon la revendication 8, caractérisé en ce que le composant

principal de la pastille ( 1) est un matériau semiconducteur.

Procédé d'usinage d'une pastille ( 1) se-

lon la revendication 8, caractérisé en ce que l'opération

de réalisation d'un chanfrein ou d'un arrondi est effec-

tuée en même temps que l'opération de réalisation d'un

chanfrein ou d'un arrondi sur une partie périphérique ex-

térieure ( 1) de la pastille, suivant la direction de son

2 S épaisseur.

11 Procédé d'usinage d'une pastille ( 1) se-

lon la revendication 8, caractériséen ce que l'opération de réalisation d'un arrondi est effectuée selon un profil curviligne le long de cercles inscrits communs au contour ( 3) de la pastille ( 1) et à la partiedécoupée ( 2; 7) de

la pastille, ou dans des régions extérieures à ces cer-

cles. 12 Procédé d'usinage d'une pastille ( 1)

selon la revendication 8, caractérisé en ce que l'opéra-

tion de chanfreinage est effectuée selon un profil recti-

ligne le long de droites reliant des points de contact (il#i 2) des cercles inscrits communs au contour ( 1) de la pastille et à la partie découpée ( 2) de la pastille,

ou dans des régions extérieures à ces cercles.

13 Procédé d'usinage d'une pastille ( 1). selon la revendication 8, selon lequel l'opération de est effectéues selon un profil curviligne le long de cercles incrits communs au contour ( 1) de la pastille et à la partie découpée ( 2; 7) de la pastille, ou dans

des régions extérieures de ces cercles, le rayon de cha-

que cercle inscrit étant fourni par la relation suivante: ___ b 2 2 2 < r < b -a 2 = 2 (R 2 _ b) dans laquelle r est le rayon du cercle inscrit, R le rayon

de la pastille ( 1), a la moitié de la longueur d'une par-

tie non arrondie (partie plate) dans une partie évidée de positionnement, b la moitié de la longueur totale de la partie évidée de positionnement avant la réalisation de l'arrondi, W la largeur de la pastille et B la longueur

d'une partie de face d'extrémité de la pastille.