FI62522B - Foerfarande foer belaeggande av glas med ett silikonhaltigt oeerdrag - Google Patents
Foerfarande foer belaeggande av glas med ett silikonhaltigt oeerdrag Download PDFInfo
- Publication number
- FI62522B FI62522B FI780699A FI780699A FI62522B FI 62522 B FI62522 B FI 62522B FI 780699 A FI780699 A FI 780699A FI 780699 A FI780699 A FI 780699A FI 62522 B FI62522 B FI 62522B
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- glass
- coating
- silane
- ethylene
- silicon
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/23—Oxides
- C03C17/245—Oxides by deposition from the vapour phase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/06—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with metals
- C03C17/09—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with metals by deposition from the vapour phase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/213—SiO2
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/10—Deposition methods
- C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
- C03C2218/152—Deposition methods from the vapour phase by cvd
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31551—Of polyamidoester [polyurethane, polyisocyanate, polycarbamate, etc.]
- Y10T428/31609—Particulate metal or metal compound-containing
- Y10T428/31612—As silicone, silane or siloxane
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Surface Treatment Of Glass Fibres Or Filaments (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Description
ΓΓ-=^—Ί r . KUULUTUSJULKAISU , n r o O
VgSfX W (">UTLÄGeNINOSSKRIFT 62522 C«« Patentti myönnetty 10 Cl 1933 *4ö-2) ' 'Patent rcJMelat ^ ^ (51) K».lk.3/lnt.a.3 C 03 C 17/30 SUOMI —FINLAND (21) P*Mnttlh»k*mu· — tewrtamftkning TÖ0699 (22) Haktmltpilvl — An*6knln(«d>g 01.03-70 (23) AlkupUvi—GIMfh«tsd»g 01.03.78 (41) Tullut lulklMktl — Bllvtt offamllg 02.09.78
Patentti· ja rekist«rth»llitu« (44) Nihttviiuip^ |. kuuU|U.k.i»un pvm.-
Patent- och registerrtyrelsen ' AnaMun utitgd och uti.«krift«n pubiicmd 30.09.82 (32)(33)(31) Pyydetty «uoHmu*—8«gtrd prlorfeat 01.03.77
Englanti-England(GB) 86U1/77 (71) Pilkington Brothers Limited, Prescot Road, St. Helens, Merseyside WA10 3TT, Englanti-England(GB) (72) Manfred Landau, Southport, Merseyside, Englanti-England(GB) (7^) Oy Kolster Ab (5¾) Menetelmä lasin päällystämiseksi piipitoisella päällysteellä - Förfarande för beläggande av glas med ett silikonhaltigt överdrag Tämä keksintö kohdistuu menetelmään lasin päällystämiseksi piipitoisella päällysteellä ja on parannus FI-patenttijulkaisussa 59 238 esitettyyn menetelmään.
FI-patenttijulkaisu 59 233 koskee menetelmää, joka käsittää lasin siirtämisen päällystysaseman kautta lasin lämpötilan ollessa vähintäin 400°C, silaanipitoisen kaasun johtamisen päällystys-asemaan, kaasun vapauttamisen lähellä kuuman lasin pintaa oleellisesti vakiopaineessa lasipinnan poikki kuumaan tilaan, jossa kaasu kuumennetaan, mikä tila avautuu lasipinnan suuntaan ja ulottuu sen ylitse poikkisuunnassa niin, että silaani pyrolysoituu saostaen piipitoisen päällysteen lasipinnalle ja ylläpitäen ei-hapettavat olosuhteet mainitussa kuumassa tilassa. Siten valmistetulla lasilla on oleellisesti tasainen piipäällyste ja sillä on hyvät auringonvalon säätöominaisuudet ja miellyttävä ulkonäkö.
2 62522
Nyt on havaittu, että lisäämällä elektroneja luovuttavaa yhdistettä silaanipitoiseen kaasuun, joka vapautetaan lähellä kuuman lasin pintaa, lasin piipäällysteen alkalikesto paranee.
Julkaisusta "Reactions of Silane with Unsaturated Hydrocarbons", David G. White ja Eugene G. Rochow, Journal of the American Chemical Society, Vol. 76, sivut 3887-3902, tunnetaan, että valmistettaessa alkyylisilaaneja kuumennetussa putkessa kolmen tunnin aikana silaanin reaktion avulla etyleenin tai asetyleenin kanssa, saostuu ohut kerros piitä kuumennetun putken sisäpinnalle, jonka lävitse kaasumaisia reagensseja johdetaan.
Esillä olevan keksinnön pääkohteena on käyttää hyödyksi havaintoa, että elektroneja luovuttavan yhdisteen läsnäolo antaa alkalikeston lasin piipäällysteelle.
Keksinnön mukaisesti saadaan menetelmä lasin päällystämiseksi piipitoisella päällysteellä, mikä menetelmä käsittää lasin siirtämisen päällystysaseman kautta lasin lämpötilan ollessa vähintäin 4QQ°C ja silaanipitoisen kaasun vapauttamisen lähelle lasipintaa oleellisesti vakiopaineessa lasin poikkisuunnassa ja ei-hapet-tavissa olosuhteissa siten, että silaani pyrolysoituu saostaen piipitoisen päällysteen lasin pinnalle, mille menetelmälle on tunnusomaista se, että etukäteen määrätyn alkalikeston saamiseksi piipitoiseen päällysteeseen, silaanipitoiseen kaasuun sisältyy osuus kaasumaista elektroneja luovuttavaa yhdistettä, joka antaa mainitun alkalikeston.
Piipäällysteen alkalikesto määrätään esiteltävällä tavalla havaitsemalla se aika, minkä piipäällyste kestää vahvan alkalisen liuoksen vaikutusta ilman havaittavaa vauriota.
Keksinnönmukainen menetelmä on käyttökelpoinen käsiteltäessä useita kaupallisesti valmistettuja, erimuotoisia laseja, jotka voidaan siirtää päällystysaseman kautta, esim. ikkunalasin, optisen lasin ja lasikuidun käsittelyyn. Tällaiset lasit yleensä sisältävät vähintäin kahden alkuaineen oksideja ja ovat ne tavallisesti lyijy-silikatti-laseja, alkalimetalli-silikaatti-laseja ja maa-alkali-metalli-silikaatti-laseja, erikoisesti natronkalkkilaseja. Eräissä tapauksessa, lasin alkalikestosta ja käytetyn elektroneja luovuttavan yhdisteen osuudesta riippuen, esiteltävän keksinnön mukaisen menetelmän avulla valmistetun päällystetyn pinnan alkalikesto voi olla suurempi kuin lasipinnan.
] ( » 3 62 5 22
Elektroneja luovuttavat yhdisteet, joita käytetään alkali-keston antamiseksi piipäällysteelle, sisältävät elektronirakenteessa sidoksissa tai yksittäisinä elektronipareina elektroneja, joita voidaan luovuttaa sopivien vastaanottavien molekyylien tai atomien elektronirakenteeseen. Elektroneja luovuttava yhdiste voi olla olefiini.
Edullisesti silaanipitoinen kaasu sisältää typpeä kantaja-kaasuna ja 6 tilavuusprosenttiin asti kaasumaista elektroneja luovuttavaa yhdistettä.
Erikoisen sopivia elektroneja luovuttavia yhdisteitä ovat olefiinit, varsinkin etyleeni.
Silaania sisältävä kaasu voi sisältää monosilaania kantaja-kaasuna olevassa typessä ja 6 tilavuusprosenttiin asti kaasumaista olefiinia.
Elektroneja luovuttavan yhdisteen suhde silaaniin kaasussa voi olla alueella 0,1-2,0. Edullisesti suhde on alueella 0,2-0,5. Eräissä tapauksissa voivat näiden alueiden ulkopuolella olevat suhteet olla edullisia.
Edelleen keksinnön mukaan silaanipitoinen kaasu voi sisältää 1-7 tilavuusprosenttia monosilaania, 0,5-6 tilavuusprosenttia etyleeniä ja mahdollisesti hieman vetyä, lopun ollessa typpeä.
Keksintöön sisältyy myös menetelmä, jolloin silaanipitoinen kaasu sisältää 0,3-7 tilavuusprosenttia monosilaania, 0,2-6 tilavuusprosenttia kaasumaista elektroneja luovuttavaa yhdistettä ja mahdollisesti osuuden vetyä, lopun ollessa typpeä.
Jos vetyä on läsnä, silaanipitoinen kaasu voi sisältää 10 tilavuusprosenttiin asti vetyä. Voidaan myös käyttää suurempia vetyos uuks ia.
Elektroneja luovuttava yhdiste voi olla asetyleeninen hiilivety, esimerkiksi asetyleeni. Lisäksi elektroneja luovuttava yhdiste voi olla aromaattinen hiilivety, esimerkiksi bentseeni, tolueeni tai ksyleeni.
Elektroneja luovuttava yhdiste voi olla ammoniakki.
„ 62522 4
Keksinnön ymmärtämiseksi paremmin esitetään seuraavassa eräitä esimerkkejä lasin, esimerkiksi natronkalkkilasia olevan laakalasin, päällystämiseksi piipitoisella päällysteellä.
Piipitoisella päällysteellä päällystettävä lasialusta on normaalia, kaupallista, heikosti väritettyä, auringovaloa säätävää natron-kalkki-pii-lasia, joka sisältää pieniä määriä selleni-ja kobolttioksidia väritvSaineina, minkä tyyppistä lasia valmistetaan nauhana sulan metallikylvyn päällä.
Lasia päällystetään sen lämpötilan ollessa vähintäin 400°C siirtämällä sitä päällystysaseman kautta edellämainitussa patentti-anomuksessa esitetyllä tavalla, mikä on tähän viitteeksi liitetty.
Jos päällystettävä lasi on valmistettu sulan metallikylvyn päällä, voidaan päällyste levittää sulan metallikylvyn, jota pitkin nauhamainen lasi etenee, sisältävän tankkimaisen rakenteen poisto-päässä tai lähellä sitä. Kylvyn poistopään alueella, jossa päällystäminen tapahtuu, lasin lämpötila on alueella 600-650°C.
Vaihtoehtoisesti päällyste voidaan levittää lasinauhalle sen siirtyessä lasinjäähdytysuunin lävitse, jolloin kaasun jakelu-laite on sijoitettu uuniin kohtaan, jossa lasin lämpötila on alueella 400-750°C. Päällystettävä lasi voi olla valmistettu valssaus-menettelyn tai pystysuuntaisen vetomenettelyn avulla. Keksintö soveltuu erikoisesti laakalasin päällystämiseen, mukaanluettuna verk-kolasi levynä tai nauhana, valetut lasiesineet ja lasikuidut.
Hyväksyttävän silaanin hajoamisnopeuden saamiseksi täytyy lasin lämpötilan olla vähintäin 400°C ja alueella 400-850°C, edullisesti alueella 500-850°C. Haitallisten sivureaktioiden välttämiseksi, esim. reaktioiden, jotka johtavat piikarbidin muodostumiseen, on suotavaa välttää 850°C:n yläpuolella olevia lasin lämpötiloja. Eräissä tapauksissa maksimilämpötila on alennettava lasipinnan pehmeyden vuoksi.
Keksinnön esittelemiseksi suoritettiin kokeita heikosti värjätyn, auringonvaloa säätävän, natron-kalkki-pii-laakaJapin päällystämiseksi käyttäen eri määriä etyleeniä (C2H4) silaanipitoisessa kaasussa, joka sisälsi 5 tilavuusprosenttia monosilaania (SiH^) kantajakaasuna olevassa typessä. Saadut tulokset on esitetty taulukoissa I ja II.
5 62522 I LO O O LO o o o
•H (fl CNCOzf CO LO CN
rt ° j2 CO i—IrHiHrHCNiHCNPOOOOOlOt-· H rt < Λί ά> #
r) C (QO rHCnCOC-.oJC7>LOLOJ“CMCOCO
jm (D^S ΛΓ/'ί'ΛΛί'ΓΠΓΛΛ :rt rt 3 5 Ο'ΐΓ-ΐβΓ-'-οοΓ^αοοοσίιΗΓΗ
Qh-HcO'-' ooroooroj-oooorfjooj-d- . -5
CL) O
-P& lOOOLOlOOlOOOlOlOlO
•rl fn οοοοΗι—ir^oointDtoj-j- f0(y Λ*\ΛΛΛΛ»»ΛΛ·\«\Λ
h X OOCMfOOOCMrOOOCSICViC^JCSlCM
f λ o *o o ιο to to o LO o to to lo
g COCNLOr'C^-LOr^OCNIr-lOO
K ^ r< (0 2 r~oo<T)oocooj-CNrHooror^
dP OOLOCMJ-d-rHOsir--OCS4LOlO
(¾ W LOJ-LOLOJ-LOLOOOd-jtfOOO
M
i s' 3 oo
i—I ·· Q) i—Il—li—li—IiHiHi—li—IrHi—li—I
3 j3· Ό ’ rtJ tn £ rsioot^zfLDoocoror^oo
E-h CM 13 CVJi-HrHd-OOOOr'r'LOCMiH
CJ CO
OOOOOOOOOl—IrH
rt
• H CnHCMOJCOLOLOC'·' C^-rH
[ 1 rsrsrtfsrsrsrsr» λ rs
+J esi LOOOJ-J-CNCOOOr—IHCnICDO
C g σισισισισισισισισιςηοοσϊ a)
CO
3 δ ij- to On td σ>σ>σ)οοσοοθΓ^ί" (/} rsrsrsrcrsrsrsrs ^ d CO LOLOLOLO^J-J-^-^J-J-Zi*^' ai rH zf
•H 5C I—lO^OOCNJCOCOC^LOCNt^CN
PH c<J rsr\nrsr\^rsr>rsc\n
O OrHOOCMrHr-HCOCOCOLOLO
CO
CO
I - CQ 3 2 §| ^ •H 5 en
> Ifl iOlOlOOlOlOOlOlOOlOO
3 H dP J-jJ-LOtOJ’LOCOd-iOtOLOcO
J4-> LO
rH
Vw-'
LO
X LO lo ιο r-· co co r~> n λ rs rs r n
O OOOrHrHrHrHCMCNJCOCO
<U
£
:cri iHcMCOj-LOtor^oocnoi-lcN
Z iH rH i-l 62522
Edelläolevassa taulukossa R maks on valon maksimiheijastus ilmaistuna prosentteina saapuvasta valosta ja maks on se aallonpituus, jolla valon heijastus päällysteestä on maksimi.
Lasin taitekerroin tunnetaan, niin että päällysteen taitekerroin voidaan määrätä standardivalolähdettä käyttäen. Päällysteen paksuus voidaan määrätä optisista paksuusmittauksista tunnetulla tavalla.
Kaikki esitteessä mainitut optiset mittaukset suoritettiin tunnetulla tavalla kohdistamalla C.I.E. Illuminant C valolähde lasin päällystettyä pintaa kohden.
Taulukko I osoittaa, että piipäällysteen, joka on muodostettu näytteiden 2-12 lasille käyttäen etyleeniä kaasussa, alkalikes-to on parempi kuin näytteen 1 mukaisen lasin, vertailunäytteen, joka on käsitelty lisäämättä etyleeniä silaanipitoiseen kaasuun. Pienet vaihtelut käytetyn etyleenin määrässä näyttävät aiheuttavan vain pieniä muutoksia optisiin ominaisuuksiin lasissa, joka on päällystetty piipitoisella päällysteellä.
Tulokset osoittavat, että pienillä etyleenin suhteilla mono-silaaniin, kuten näytteissä 2, 3 ja H, ei esiinny oleellista muutosta optisiin ominaisuuksiin, mutta yllättävä kasvu piipitoisen päällysteen kyvyssä kestää alkalien vaikutusta, niin että havaittavaa vaikutuksen toteamista ei esiintynyt, ennenkuin lasi oli ollut kosketuksessa 1-normaalisen natriumhydroksidiliuoksen kanssa vähintäin 1 tunnin.
Näytteiden 1, 2, 4, 5, 10 ja 12 piipitoisten päällysteiden optiset ominaisuudet mitattiin. Mittauksia suoritettaessa tehtiin korjaus lasialustan värisävyn suhteen vertaamalla väritetyn lasi-alustan päällystettyjä ja päällystämättömiä näytteitä. Itse asiassa väritetty alusta korvattiin 6 mm:n paksuisella kirkkaalla laakalasilla. Taulukossa II olevat tulokset esittävät 6 mm:n paksuisen kirkkaan natron-kalkki-pii-lasin optisia ominaisuuksia, jolloin lasit valmistettiin sulan metallikylvyn päällä ja niiden päällysteet vastasivat niitä, jotka oli muodostettu värjätyille lasialustoille, kuten taulukon I yhteydessä on esitetty.
7 62522 S ω
äc’3 c»p O) 00 O) LO O UD
c :Q d >! j- m j- λ <o (O
•3 i o ω § < H>i O.
e -3 &.R&
•3 g O # Oli—lOrHCNi—I
2§ä H CM CM CM CM CM
ij h 'πϋ c is
Il 3 g l S,j C# co oo o lo o
3 fl S .3 CO CM 00 CO CM CM
< H ^ S
!, fö § >> :¾ tn
CO H 00 OT 00 OO OC& j-LOj-rfLOLO
Ä S)"fH
M
M ^5 I % t <5 λ öp gg
nl .3 jJ-rHOMCOtOCO
>. g Lnj-LOj-oo<N
>v
CO
H <#> H H oo CS i-H f- 0"
^ 00 d- 00 d- d- LO
»f.
tn 'ö -+3 cm r-· j- o- o 5+ [fi (N I—t J LO r—i 'Tv, « « ·> *» ·*
o o o o o o H
<u -μ tn >o
rH
s sj <U an δο :¾1 r. r-ι cm m- LO o cm
2 G H H
8 62522
Jos etyleenin suhde silaaniin kaasussa on pienempi kuin 0,1, ei päällystetyn lasin ominaisuuksissa ole suuria muutoksia verrattuna näytteeseen 1, joka on valmistettu käyttämättä ety-leeniä silaanipitoisessa kaasussa.
Etyleenin määrän kasvaessa kasvaa alkalikesto jatkuvasti mitattuna sen ajan perusteella, mikä tarvitaan ennen näkyvän vaikutuksen ilmenemistä, aina 5 tuntiin 50 minuuttiin asti, jos etyleenin suhde silaaniin on 1,2:1.
Suurennettaessa etyleenin suhdetta silaaniin johtaa tämä yleensä piipäällysteen taitekertoimen alenemiseen ja siten muutoksiin päällystetyn lasin optisissa ominaisuuksissa. Säätämällä etyleenivirtausta typessä olevan silaanivirtauksen suhteen oli mahdollista saada etukäteen määrätyt optiset ominaisuudet, erikoisesti voimakas heijastuminen, saavuttaen samalla hyvän alkalikeston antaman edun silaanipitoisen kaasun sisältämän etyleenin vaikutuksesta.
Sääkokeissa, joissa päällystetty lasi altistettiin kosteaan atmosfääriin, näytteen 1 piipitoinen päällyste, vertailupäällyste, kesti noin 1Q vuorokautta. Näytteiden 2-12 piipäällysteissä ei havaittu muutoksia 6 viikon koeajan jälkeen. Koe suoritettiin 5 päällystettyä levyä sisältävillä pakkauksilla, jolloin jokainen levy . 2 ...
oli kooltaan 300 m eroitettuna toisista hienojakoisen välimateriaalin avulla ja sijoitettu sääkaappiin, jonka lämpötila pidettiin arvossa 60°C ja suhteellinen kosteus arvossa 95-100 %.
On tutkittu piipitoisia päällysteitä valmistettuina keksinnön mukaisen menetelmän avulla etyleeniä käyttäen ja verrattu niitä piipäällysteisiin valmistettuina ilman elektroneja luovuttavan aineen käyttöä. Merkittävin piirre on ilmeinen nousu päällysteen happipitoisuudessa, so. lasku piin ja hapen välisessä suhteessa, mikä aiheutuu elektroneja luovuttavan yhdisteen käytöstä. Ainakin osan keksinnön mukaan valmistetussa päällysteessä olevasta hapesta oletetaan olevan läsnä eri muodossa kuin happi, jota on ilman elektroneja luovuttavaa yhdistettä valmistetussa päällysteessä. Tämä happi on ilmeisesti vastuussa muutoksista pii-elektronien huippukohdissa ja -voimakkuuksissa, mitkä on havaittu ESCA'n avulla (Electron Spectroscopy for Chemical Analysis). Esimerkiksi käytettäessä suurta etyleenin osuutta, piin päähuippu (2p) on selvästi havaittavissa kohdassa 102.0 eV verrattuina huippuihin kohdissa 103,3 eV ja 99,4 eV, 9 62522 mitkä liittyvät piimetalliin ja hapettuneeseen piihin vastaavasti (kts. C.D. Wagner, Faraday Discussions of the Chemical Society GO, 1975, 296).
Päällysteen alkalikesto osoittautuu liittyvän hapen suureen osuuteen päällysteessä, mikä, kuten alkalikesto, osoittautuu kasvavan elektroneja luovuttavan yhdisteen suhteen kasvaessa kaasussa olevaan silaaniin.
Analyysi osoitti, että ioneja, kuten natriumia, kalsiumia ja magnesiumia, voi olla läsnä päällysteessä ja niiden jakautuminen lasin pinnassa ja päällysteessä riippuu etyleeni:silaani-suhteessa ja muutokset jakautumisessa vastaavat muutoksia hapen jakautumisessa ja tilassa päällysteessä.
Kun etyleenipitoisuus silaanipitoisessa kaasussa kasvaa, päällysteen taitekerroin jatkuvasti alenee. Tämän seurauksena esiintyy jatkuvaa laskua sekä valon heijastumisessa että auringon lämmön heijastumisessa. Tähän ei liittynyt mitään merkittävää kasvua pii-päällysteen optisessa absorptiossa niin, että heijastumisen alenemisen korvasi kasvu valon ja auringon lämmön läpäisyssä. Muutos taitekertoimessa tapahtui ilman oleellista muutosta päällysteen paksuudessa, kuten taulukko I osoittaa.
Toisessa koesarjassa valmistettiin kirkasta natron-kalkki-pii-lasia sulan metallikylvyn päällä ja päällystettiin se piipi-toisella päällysteellä esiteltävän keksinnön mukaisesti, mikä päällyste osoittautui olevan yllättävän kestävä alkalin vaikutusta vastaan.
Lasi päällystettiin sulan metallikylvyn sisältävän tankkira-kenteen poistopään lähellä, jossa lasin lämpötila oli alueella 600-650°C. Saadut tulokset on esitetty taulukoissa III ja IV.
10 62522
O
I K". £ H to tn rl -h
HO -h £ ES
5 tt ω ^ -d o H (U t“ -J l: ^ < λ; m ^ -.....- ... __________m_
>1 i O CO O CM
fH 3 · · · · d S fio o m ιπ i t" •3 φ *g I ^ f< ' ι°» ,<Λ
K P
1 -S vo co σ> m ω o tn v cm ( cm
‘5} § tn rn tn tA
H M
% 8 !R S i S
CC'-'· <r . -4- <c χ<
M K
m tJö V- oo o eri
v~ C\J CM
1 ά3ϊ ° ό ό e s 3 υ™ ω tS —-------- <t VO <J· ^ CM · · · * °
3 ‘X tn CM T- CM
P - “ ~ H vo m
§ CM CM
O °Λ cÄ CT* 03 CT\ O.
p ;·£ *" vO CM O <1" CT» 2 -H · · · · * co <) m vo m vo p 1 J3 E '»Ot-t-
CM O · · ’ CM
O O v- T- ---- - rt! ^ .ali ui 4j (Q σ o o σ σ C U M j- 00 00 00 00
O *H -H rH rH rH r—I I—I
ä I 3 » to ^ 0) >. LO VO 00 CT5
i—t tH i—I r-1 rH
I-L-.........——__ „ 62522
Näiden näytteiden eräitä optisia ominaisuuksia on esitetty taulukossa IV
Taulukko IV
Näyte Valon heijastuminen Valon läpäisy __»_______»__ % 15 51.5 52.0 16 51.8. 29.1 17 ' 54.3 27.2 18 19 54.9 27.0
Tyhjät kohdat taulukossa IV merkitsevät, että näitä arvoja ei kokeissa mitattu.
Yllättävästi havaittiin, että käytettäessä etyleeniä pii-päällysteen alkalikeston parantamiseksi muodostettuna sulan metal-likylvyn tukemalle laakalasille, etyleenikaasu vaikutti vähentävästi ilmeisiin epäjatkuvuuksiin päällysteessä, mitkä aiheutuvat saostettaessa pieniä metallipitoisia osasia lasipinnalle.
Samanlaisia kokeita suoritettiin natron-kalkki-pii-koostu-muksen omaavalla valssatulla laakalasilla 600°C:n lämpötilassa ja tulokset, kuten taulukosta V ilmenee, osoittavat samanlaisen pii-päällysteen keston altistettuna alkalikestotestiin kosketuksessa 1-normaalin NaOH-liuoksen kanssa 90°C:ssa. Etyleenin ja kantaja-kaasussaan olevan silaanin virtausnopeudet säädettiin antamaan etukäteen määrätyt optiset ominaisuudet muuttamalla etyleeni:silaa-ni-suhdetta päällysteen taitekertoimen määräämiseksi siten.
12 62522
O
(H 00 ^ O O
^ rH t~~ CM LO
h •n
•H
0) ,C G rH O OT C~» <D öP *> ·» « ·* CG oo c~ r-· co 0 *3 J J i n ^ 1
> +J
>»
CO
•H
t :τ3 σ> cm o oo 11 ^ ^ ^ fl ^
C>P rH rH O O
G oo ro oo jj- > >
O
M S
M 35 2 +j rH CO tn LO CM LO zt ^ ^ ^3 r r λ r
(rt rH 3 g CM 00 j- CD
£ H W C oooooooo st" 5
Q) lii OI OD
Λζ rH a o o~ φ λ *\ »n r»
4-> OO 00 OO CM
a!
H
if
(Λ G 00 CO LO
·· Ό ro ro .3- J- -C " " " X 3 o a o o cm tn o a; £ :rtf o H cm ro
Z CM CM CM CM
13 62522
Kuita silaaneja, jotka hajoavat kuumalla lasilla, voidaan käyttää keksintöä sovellettaessa, esim. korkeampia silaaneja kuten disilaaneja tai trisilaaneja tai substituoituja silaaneja kuten kloorisilaaneja, joita yleensä käytetään vedyn yhteydessä.
Nämä tulokset osoittavat, että on edullista käytettäessä etyleeniä elektroneja luovuttavana yhdisteenä,jos etyleenin suhde silaaniin kaasussa on alueella 0,1-2,0. Vielä edullisemmin etyleenin suhde silaaniin kaasussa on alueella 0,2-0,5.
Näissä kokeissa käytetty suositeltava kaasuseos osoittautui olevan piipitoinen kaasu, joka sisältää 1-7 tilavuusprosenttia monosilaania (SiH^), 0,5-6 tilavuusprosenttia etyleeniä (C^H^) ja mahdollisesti vetyä (H2), lopun ollessa typpeä (N2).
Muodostuneen heijastavan, alkalikestoisen päällysteen tai-tekertoimen havaittiin olevan alueella 2,5-3,5, tarkemmin 3,1+0,3.
Muita elektroneja luovuttavia yhdisteitä käytettiin aineosana piipitoisessa kaasussa. Muita käyttökelpoisia olefiineja ovat butadieeni (C^Hg) ja penteeni (CgH^g).
Elektroneja luovuttava yhdiste voi olla myös asetyleeninen hiilivety. Asetyleeniä käytettiin aineosana kaasussa. Lisäksi aromaattisia hiilivetyjä voidaan käyttää elektroneja luovuttavina yhdisteinä, esim. bentseeniä (CgHg), tolueenia (CgHg.CHg) tai ksyleeniä (CgH^.(CHg)2).
Muita lisäaineita silaanipitoiseen kaasuun, joiden on havaittu olevan tehokkaita elektronin luovuttajia, jotka antavat alkalikeston päällysteelle, ovat olefiinijohdannaiset, esim. difluo-rietyleeni (C2H2F2) ja ammoniakki (NHg).
Eräitä esimerkkejä näiden muiden elektroneja luovuttavien yhdisteiden käytöstä on esitetty taulukossa VI. Kaikkien valmistettujen päällysteiden alkalikestot olivat verrattavissa niihin, jotka on valmistettu edellä esitetyllä tavalla käyttäen etyleeniä elektroneja luovuttavana yhdisteenä.
14 62 5 2 2
Taulukko VI
r-----l—:->-----
Elektroni- Kaasu Luovuttaja luovuttaja 1 a Tilavuusprosentti SiHu C i m I„ Suhde
SiH4 I N2 H2 asetyleeni ^2¾ 605 0.4 0.53 90.27 9 1.2:1 butadieeni , Λ „ C^Hg 580 0.24 0.32 90.44 9 0.75:1 ammoniakki NH3 680 1.3 0.3 09.4 9 4.5:1 - ammoniakki NHg 620 0.7 0.63 89.67 9 1.1:1 diOuoroety 605 o.55 0.63 09.02 9 0.85:1
Wl bentseeni 612 0.32 0.64 90.04 9 0.5:1 j
On mitä suotavinta käyttää yhdistettä, joka on kaasumainen huoneenlämpötilassa, joten on edullista käyttää olefiinista tai asetyleenistä yhdistettä, joka sisältää 2-5 hiiliatomia, vaikkakin yhdisteitä, jotka sisältävät useampia kuin 5 hiiliatomia, voidaan käyttää edellyttäen, että ne ovat kaasumaisia silaanin ha-jaantumislämpötilan alapuolella.
15 62522
Keksintöä voidaan soveltaa myös jokaisen alkalimetallisili-kaattilasin tai maa-alkalimetallisilikaattilasin päällystämiseen.
Seuraavassa kokeessa borosilikaattilasialustaa kuumennettiin 600°C:n lämpötilaan ja kaasumaista seosta, joka sisälsi 1 tilavuusprosentin monosilaania, 1,25 tilavuusprosenttia etyleeniä, 10 tilavuusprosenttia vetyä ja 87,75 tilavuusprosenttia typpeä, johdettiin lasin pinnalle. Saatiin heijastava piipäällyste, joka upotettaessa yli kolmen tunnin ajaksi 1 normaaliseen NaOH-liuok-seen 90°C:ssa ei osoittanut näkyvää merkkiä vaikutuksesta.
On myös havaittu, että käytettäessä suurempaa etyleenin suhdetta silaaniin kuin 2,5, esimerkiksi suhdetta 5, saadaan lasille erittäin hyvän hankauskestävyyden omaava alkalikestoinen piipäällyste. Tällaisten päällysteiden heijastuskyky näkyvän valon suhteen ei ole niin hyvä kuin edellä esitetyissä esimerkeissä ja voivat ne olla jopa läpinäkyviä näkyvälle valolle.
Claims (14)
1. Menetelmä lasin päällystämiseksi piipitoisella päällysteellä, käsittäen lasin siirtämisen päällystysaseman kautta, jolloin lasin lämpötila on vähintäin 400°C ja silaanipitoisen kaasun vapauttamisen lähelle lasipintaa oleellisesti vakiopaineessa lasipinnan poikki ja ei-hapettavissa olosuhteissa niin, että silaani pyrolysoituu saostaen piipitoisen päällysteen lasin pinnalle, tunnettu siitä, että etukäteen määrätyn alkalikeston saamiseksi piipitoiselle päällysteelle silaanipitoiseen kaasuun sisältyy osuus kaasumaista elektroneja luovuttavaa yhdistettä, joka antaa mainitun alkalikeston.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että silaanipitoinen kaasu sisältää typpeä kantajakaasuna ja 6 tilavuusprosenttiin asti kaasumaista elektroneja luovuttavaa yhdistettä.
3. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että silaanipitoinen kaasu sisältää monosilaania kantaja-kaasuna olevassa typessä ja 6 tilavuusprosenttiin asti kaasumaista olefiinia.
4. Patenttivaatimuksen 3 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että olefiini on etyleeni.
5. Patenttivaatimuksen 4 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että olefiini on etyleeni ja etyleenin suhde silaaniin kaasussa on alueella 0,1-2,0.
6. Patenttivaatimuksen 5 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että etyleenin suhde silaaniin kaasussa on alueella 0,2-0,5.
7. Patenttivaatimuksen 4 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että silaanipitoinen kaasu sisältää 1-7 tilavuusprosenttia monosilaania, 0,5-6 tilavuusprosenttia etyleeniä ja haluttaessa osuuden vetyä, lopun ollessa typpeä.
8. Patenttivaatimuksen 2 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että silaanipitoinen kaasu sisältää 0,3-7 tilavuusprosenttia monosilaania, 0,2-6 tilavuusprosenttia kaasumaista elektroneja luovuttavaa yhdistettä ja haluttaessa osuuden vetyä, lopun ollessa typpeä.
9. Patenttivaatimuksen 7 tai 8 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että silaanipitoinen kaasu sisältää 10 prosenttiin asti vetyä. 17 62522
10. Patenttivaatimuksen 8 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että elektroneja luovuttava yhdiste on asetyleeninen hiilivety.
11. Patenttivaatimuksen 10 mukainen menetelmä, tunnet-t u siitä, että asetyleeninen hiilivety on asetyleeni.
12. Patenttivaatimuksen 8 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että elektroneja luovuttava yhdiste on aromaattinen hiilivety.
13. Patenttivaatimuksen 12 mukainen menetelmä, tunnet-t u siitä, että hiilivety on bentseeni.
14. Patenttivaatimuksen 8 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että elektroneja luovuttava yhdiste on ammoniakki. 62522 1 ε
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB864177 | 1977-03-01 | ||
GB8641/77A GB1573154A (en) | 1977-03-01 | 1977-03-01 | Coating glass |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FI780699A FI780699A (fi) | 1978-09-02 |
FI62522B true FI62522B (fi) | 1982-09-30 |
FI62522C FI62522C (fi) | 1983-01-10 |
Family
ID=9856396
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FI780699A FI62522C (fi) | 1977-03-01 | 1978-03-01 | Foerfarande foer belaeggande av glas med ett silikonhaltigt oeerdrag |
Country Status (26)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4188444A (fi) |
JP (1) | JPS53130717A (fi) |
AR (1) | AR217280A1 (fi) |
AU (1) | AU516481B2 (fi) |
BE (1) | BE864413A (fi) |
BR (1) | BR7801209A (fi) |
CA (1) | CA1110119A (fi) |
CS (1) | CS212268B2 (fi) |
DD (1) | DD136045A6 (fi) |
DE (1) | DE2808780C2 (fi) |
DK (1) | DK149924C (fi) |
ES (1) | ES467480A1 (fi) |
FI (1) | FI62522C (fi) |
FR (1) | FR2382511A1 (fi) |
GB (1) | GB1573154A (fi) |
IT (1) | IT1111431B (fi) |
LU (1) | LU79149A1 (fi) |
MX (1) | MX147940A (fi) |
NL (1) | NL179042C (fi) |
NO (1) | NO143100C (fi) |
PL (1) | PL112933B1 (fi) |
RO (1) | RO75434A7 (fi) |
SE (1) | SE431866B (fi) |
SU (1) | SU878191A3 (fi) |
TR (1) | TR20091A (fi) |
ZA (1) | ZA781053B (fi) |
Families Citing this family (55)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4298650A (en) * | 1980-03-31 | 1981-11-03 | Eastman Kodak Company | Phosphorescent screens |
JPS5826052A (ja) * | 1981-08-06 | 1983-02-16 | Asahi Glass Co Ltd | アルカリ拡散防止酸化ケイ素膜付ガラス体 |
CA1245109A (en) * | 1983-10-31 | 1988-11-22 | Hsien-Kun Chu | Method of forming amorphous polymeric halosilane films and products produced therefrom |
GB8420534D0 (en) * | 1984-08-13 | 1984-09-19 | Pilkington Brothers Plc | Coated products |
US5165972A (en) * | 1984-08-13 | 1992-11-24 | Pilkington Plc | Coated glass |
JPS6195356A (ja) * | 1984-10-16 | 1986-05-14 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスクブランク |
JPS61116358A (ja) * | 1984-11-09 | 1986-06-03 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスク材料 |
JPS61161763U (fi) * | 1985-03-29 | 1986-10-07 | ||
US4661381A (en) * | 1985-10-07 | 1987-04-28 | Libbey-Owens-Ford Co. | Continuous vapor deposition method for producing a coated glass article |
JPH0521020Y2 (fi) * | 1985-12-05 | 1993-05-31 | ||
US4749430A (en) * | 1986-10-16 | 1988-06-07 | Shell Oil Company | Method of making an encapsulated assemblage |
US4869966A (en) * | 1986-10-16 | 1989-09-26 | Shell Oil Company | Encapsulated assemblage and method of making |
JPS6430458U (fi) * | 1987-08-13 | 1989-02-23 | ||
GB8814922D0 (en) * | 1988-06-23 | 1988-07-27 | Pilkington Plc | Coatings on glass |
ATE136253T1 (de) * | 1989-02-21 | 1996-04-15 | Libbey Owens Ford Co | Gegenstände aus beschichtetem glas |
US5328768A (en) * | 1990-04-03 | 1994-07-12 | Ppg Industries, Inc. | Durable water repellant glass surface |
US5171414A (en) * | 1990-12-10 | 1992-12-15 | Ford Motor Company | Method of making transparent anti-reflective coating |
US5106671A (en) * | 1990-12-10 | 1992-04-21 | Ford Motor Company | Transparent anti-reflective coating |
JP3139031B2 (ja) * | 1991-02-21 | 2001-02-26 | 日本板硝子株式会社 | 熱線遮蔽ガラス |
US5234748A (en) * | 1991-06-19 | 1993-08-10 | Ford Motor Company | Anti-reflective transparent coating with gradient zone |
CA2084247A1 (en) * | 1992-03-18 | 1993-09-19 | Francis Paul Fehlner | Lcd panel production |
ES2096864T3 (es) * | 1992-07-11 | 1997-03-16 | Pilkington Uk Ltd | Procedimiento para la preparacion de revestimientos reflectantes sobre vidrio y espejos preparados a partir del mismo. |
US5580364A (en) * | 1992-07-11 | 1996-12-03 | Libbey-Owens-Ford Co. | Method of producing a coated glass substrate exhibiting reflected color |
FR2695118B1 (fr) * | 1992-09-02 | 1994-10-07 | Air Liquide | Procédé de formation d'une couche barrière sur une surface d'un objet en verre. |
GB9400320D0 (en) * | 1994-01-10 | 1994-03-09 | Pilkington Glass Ltd | Coating on glass |
GB9400319D0 (en) * | 1994-01-10 | 1994-03-09 | Pilkington Glass Ltd | Coatings on glass |
GB9400323D0 (en) * | 1994-01-10 | 1994-03-09 | Pilkington Glass Ltd | Coatings on glass |
US5723172A (en) * | 1994-03-11 | 1998-03-03 | Dan Sherman | Method for forming a protective coating on glass |
US5665424A (en) * | 1994-03-11 | 1997-09-09 | Sherman; Dan | Method for making glass articles having a permanent protective coating |
CA2159296C (en) * | 1994-10-14 | 2007-01-30 | Michel J. Soubeyrand | Glass coating method and glass coated thereby |
CN1051534C (zh) * | 1994-11-22 | 2000-04-19 | 秦皇岛开发区蓝光玻璃新技术公司 | 浮法在线生产镀膜玻璃的方法 |
GB9500330D0 (en) * | 1995-01-09 | 1995-03-01 | Pilkington Plc | Coatings on glass |
US6055828A (en) * | 1997-12-30 | 2000-05-02 | Closure Medical Corporation | Treatment methods for glass medical adhesive applicators |
US6350397B1 (en) | 1999-03-10 | 2002-02-26 | Aspen Research Corporation | Optical member with layer having a coating geometry and composition that enhance cleaning properties |
AU2002306436A1 (en) * | 2001-02-12 | 2002-10-15 | Asm America, Inc. | Improved process for deposition of semiconductor films |
WO2003064345A1 (fr) * | 2002-01-31 | 2003-08-07 | Nippon Sheet Glass Company, Limited | Procede de production de plaque de verre a film mince et plaque de verre |
US6919133B2 (en) * | 2002-03-01 | 2005-07-19 | Cardinal Cg Company | Thin film coating having transparent base layer |
ATE344217T1 (de) * | 2002-03-01 | 2006-11-15 | Cardinal Cg Co | Dünnfilmbeschichtung mit einer transparenten grundierungsschicht |
WO2004009861A2 (en) * | 2002-07-19 | 2004-01-29 | Asm America, Inc. | Method to form ultra high quality silicon-containing compound layers |
US20050271893A1 (en) * | 2004-06-04 | 2005-12-08 | Applied Microstructures, Inc. | Controlled vapor deposition of multilayered coatings adhered by an oxide layer |
US7638167B2 (en) * | 2004-06-04 | 2009-12-29 | Applied Microstructures, Inc. | Controlled deposition of silicon-containing coatings adhered by an oxide layer |
US20050044894A1 (en) * | 2003-08-29 | 2005-03-03 | Douglas Nelson | Deposition of silica coatings on a substrate |
DE102004012977A1 (de) * | 2004-03-17 | 2005-10-06 | Institut für Neue Materialien Gemeinnützige GmbH | Kratzfestes optisches Mehrschichtsystem auf einem kristallinen Substrat |
US20050221003A1 (en) * | 2004-03-31 | 2005-10-06 | Remington Michael P Jr | Enhancement of SiO2 deposition using phosphorus (V) compounds |
US7879396B2 (en) * | 2004-06-04 | 2011-02-01 | Applied Microstructures, Inc. | High aspect ratio performance coatings for biological microfluidics |
US7966969B2 (en) * | 2004-09-22 | 2011-06-28 | Asm International N.V. | Deposition of TiN films in a batch reactor |
US7629267B2 (en) * | 2005-03-07 | 2009-12-08 | Asm International N.V. | High stress nitride film and method for formation thereof |
WO2007075369A1 (en) * | 2005-12-16 | 2007-07-05 | Asm International N.V. | Low temperature doped silicon layer formation |
US7691757B2 (en) | 2006-06-22 | 2010-04-06 | Asm International N.V. | Deposition of complex nitride films |
US7629256B2 (en) * | 2007-05-14 | 2009-12-08 | Asm International N.V. | In situ silicon and titanium nitride deposition |
US7833906B2 (en) | 2008-12-11 | 2010-11-16 | Asm International N.V. | Titanium silicon nitride deposition |
CN101618952B (zh) * | 2009-07-30 | 2011-08-17 | 杭州蓝星新材料技术有限公司 | 浮法在线生产透明导电膜玻璃的方法 |
CN102584023A (zh) * | 2012-02-22 | 2012-07-18 | 株洲旗滨集团股份有限公司 | 一种阳光控制镀膜玻璃的制备方法及其玻璃 |
CN104812717A (zh) * | 2012-11-26 | 2015-07-29 | 旭硝子株式会社 | 薄膜形成方法 |
CN106007395A (zh) * | 2016-05-11 | 2016-10-12 | 刘畅 | 一种用于厨卫电器的易清洁玻璃的制作方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2439689A (en) * | 1948-04-13 | Method of rendering glass | ||
DE395978C (de) * | 1921-05-28 | 1924-05-24 | Siemens & Halske Akt Ges | Verfahren zur Herstellung eines spiegelnden Siliziumbelages |
US3873352A (en) * | 1971-12-17 | 1975-03-25 | Owens Illinois Inc | Abrasion resistant one step glass coating with excellent labelability |
US3984608A (en) * | 1974-04-17 | 1976-10-05 | Kerr Glass Manufacturing Corporation | Glassware having improved resistance to abrasion |
GB1507465A (en) * | 1974-06-14 | 1978-04-12 | Pilkington Brothers Ltd | Coating glass |
-
1977
- 1977-03-01 GB GB8641/77A patent/GB1573154A/en not_active Expired
-
1978
- 1978-02-21 AU AU33487/78A patent/AU516481B2/en not_active Expired
- 1978-02-21 CA CA297,384A patent/CA1110119A/en not_active Expired
- 1978-02-22 ZA ZA00781053A patent/ZA781053B/xx unknown
- 1978-02-23 US US05/880,430 patent/US4188444A/en not_active Expired - Lifetime
- 1978-02-24 NL NLAANVRAGE7802090,A patent/NL179042C/xx not_active IP Right Cessation
- 1978-02-27 NO NO780671A patent/NO143100C/no unknown
- 1978-02-28 BE BE185557A patent/BE864413A/xx not_active IP Right Cessation
- 1978-02-28 BR BR7801209A patent/BR7801209A/pt unknown
- 1978-02-28 SE SE7802257A patent/SE431866B/sv not_active IP Right Cessation
- 1978-02-28 AR AR27127278A patent/AR217280A1/es active
- 1978-02-28 FR FR7805644A patent/FR2382511A1/fr active Granted
- 1978-02-28 IT IT6740478A patent/IT1111431B/it active
- 1978-02-28 DD DD20388278A patent/DD136045A6/xx not_active IP Right Cessation
- 1978-03-01 MX MX172611A patent/MX147940A/es unknown
- 1978-03-01 ES ES467480A patent/ES467480A1/es not_active Expired
- 1978-03-01 TR TR2009178A patent/TR20091A/xx unknown
- 1978-03-01 DE DE2808780A patent/DE2808780C2/de not_active Expired
- 1978-03-01 LU LU79149A patent/LU79149A1/xx unknown
- 1978-03-01 PL PL1978204996A patent/PL112933B1/pl unknown
- 1978-03-01 SU SU782586050A patent/SU878191A3/ru active
- 1978-03-01 CS CS781295A patent/CS212268B2/cs unknown
- 1978-03-01 JP JP2217078A patent/JPS53130717A/ja active Granted
- 1978-03-01 FI FI780699A patent/FI62522C/fi not_active IP Right Cessation
- 1978-03-01 DK DK93678A patent/DK149924C/da not_active IP Right Cessation
- 1978-03-01 RO RO9335978A patent/RO75434A7/ro unknown
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
FI62522B (fi) | Foerfarande foer belaeggande av glas med ett silikonhaltigt oeerdrag | |
FI89160B (fi) | Foerfarande foer att minska diffusion av alkalimetalljoner fraon glas till ett ovanpao belaeget skikt medelst ett spaerroeverdrag innehaollande kisel och syre, anvaendning av spaerroeverdraget och en elledande planglas, en ir-reflekterande planglas och en vaetskekristallvisningsanordning... | |
JP3476724B2 (ja) | 被覆されたガラス基体 | |
US4995893A (en) | Method of making coatings on glass surfaces | |
US5165972A (en) | Coated glass | |
EP0275662B1 (en) | Coatings on glass | |
SU1371499A3 (ru) | Устройство дл непрерывного осаждени покрыти из оксида металла | |
JP2940903B2 (ja) | 低放射率を与えるコーティングされた無色物品及びその製法 | |
BR0208966A (pt) | processo de deposição de vapor quìmico para aplicar um revestimento de óxido metálico dopado com antimÈnio a uma superfìcie sobre um substrato de vidro quente, processo de deposição de vapor quìmico para aplicar um revestimento de óxido de estanho dopado com antimÈnio a uma superfìcie sobre um substrato de vidro quente | |
EP0879802B1 (en) | Coating method | |
DE102008060923A1 (de) | Verfahren zur Beschichtung eines Substrats | |
CN101014547B (zh) | 沉积氧化铝涂层的方法 | |
JP2012020937A (ja) | ガラス基材上への酸化鉄コーティングの蒸着 | |
CN1782124B (zh) | 多孔低介电常数组合物、其制备方法及其使用方法 | |
KR920010068B1 (ko) | 규소 및 산소 함유 투명 장벽 피막을 갖는 유리 | |
KR20040040208A (ko) | 바인더를 이용한 질화붕소 후막의 제조방법 | |
FI89585C (fi) | Kontinuerligt aongavlagringsfoerfarande foer framstaellning av en belagd glasprodukt | |
CN118719509A (zh) | 一种Parylene涂层及其制备方法和应用 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM | Patent lapsed | ||
MM | Patent lapsed |
Owner name: PILKINGTON GLASS LIMITED |