FI124817B - Järjestelmät ja menetelmät tehovahvistimia varten, joissa on jännitettä nostava muuntaja, jossa on enemmän kuin yksi ensiökäämi - Google Patents

Järjestelmät ja menetelmät tehovahvistimia varten, joissa on jännitettä nostava muuntaja, jossa on enemmän kuin yksi ensiökäämi Download PDF

Info

Publication number
FI124817B
FI124817B FI20085015A FI20085015A FI124817B FI 124817 B FI124817 B FI 124817B FI 20085015 A FI20085015 A FI 20085015A FI 20085015 A FI20085015 A FI 20085015A FI 124817 B FI124817 B FI 124817B
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
metal layer
winding
primary
group
secondary winding
Prior art date
Application number
FI20085015A
Other languages
English (en)
Swedish (sv)
Other versions
FI20085015A (fi
FI20085015A0 (fi
Inventor
Chang Ho Lee
Kyu Hwan An
Ki Seok Yang
Jae Joon Chang
Wang Myong Woo
Youn Suk Kim
Hak Sun Kim
Ock Goo Lee
Dong Ho Lee
Hyung Wook Kim
Laskar Joy
Original Assignee
Samsung Electro Mech
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electro Mech filed Critical Samsung Electro Mech
Publication of FI20085015A0 publication Critical patent/FI20085015A0/fi
Publication of FI20085015A publication Critical patent/FI20085015A/fi
Application granted granted Critical
Publication of FI124817B publication Critical patent/FI124817B/fi

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/211—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M5/00—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases
    • H02M5/02—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases without intermediate conversion into dc
    • H02M5/04—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases without intermediate conversion into dc by static converters
    • H02M5/10—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases without intermediate conversion into dc by static converters using transformers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
    • H01F27/2804—Printed windings
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/32—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
    • H03F1/3211—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion in differential amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/195—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers
    • H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/45179—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45183—Long tailed pairs
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers
    • H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/45475—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using IC blocks as the active amplifying circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
    • H03F3/602—Combinations of several amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
    • H03F3/602—Combinations of several amplifiers
    • H03F3/604—Combinations of several amplifiers using FET's
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F17/00—Fixed inductances of the signal type 
    • H01F17/0006—Printed inductances
    • H01F2017/0046—Printed inductances with a conductive path having a bridge
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/537—A transformer being used as coupling element between two amplifying stages
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/541—Transformer coupled at the output of an amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/20—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F2203/21—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F2203/211—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
    • H03F2203/21139—An impedance adaptation circuit being added at the output of a power amplifier stage
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/20—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F2203/21—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F2203/211—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
    • H03F2203/21157—A filter circuit being added at the output of a power amplifier stage
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45704—Indexing scheme relating to differential amplifiers the LC comprising one or more parallel resonance circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45706—Indexing scheme relating to differential amplifiers the LC comprising one or more series resonance circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45731—Indexing scheme relating to differential amplifiers the LC comprising a transformer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor
    • Y10T29/49071—Electromagnet, transformer or inductor by winding or coiling

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

Järjestelmät ja menetelmät tehovahvistimia varten, joissa on jännitettä nostavamuuntaja, jossa on enemmän kuin yksi ensiökäämi. - System och förfaranden föreffektförstärkare med spänningen höjande multi-primära transformatorer.
AIKAISEMPI HAKEMUS
[0001] Esillä olevalle hakemukselle pyydetään etuoikeutta US Provisional -hakemuksesta nro 60/884,374, jonka hakemispäivä on 10.1.2007 ja nimitys"SYSTEMS AND METHODS FOR RADIO FREQUENCY (RF) POWER AMPLIFIERSWITH VOLTAGE BOOSTING MULTI-PRIMARY TRANSFORMERS" ja joka sisällytetääntällä viittauksella kokonaisuudessaan tähän esitykseen ikään kuin se olisi esitettytässä kokonaisuudessaan.
KEKSINNÖN ALA
[0002] Keksinnön suoritusmuodot liittyvät yleisesti tehovahvistimiin ja täsmälli¬semmin järjestelmiin ja menetelmiin jännitettä nostavia muuntajia varten, jotka kyt¬kevät yhden tai useamman tehovahvistimen kuormaan.
KEKSINNÖN TAUSTA
[0003] Matkaviestinalan kasvaessa räjähdysmäisesti on tehty monia yrityksiä mat-kaviestinsovellusten toimintojen (esim. pienikohinaisten vahvistimien, sekoittimien,jänniteohjattujen oskillaattorien jne.) integroimiseksi yhtä puolijohdeteknologiaakäyttämällä (esim. yhdelle sirulle). Tehovahvistimen täydellisessä integroinnissa yh¬den sirun pinnalle on kuitenkin monia erilaisia ongelmia. Erikoisesti suurikokoisettehonsovitusrakenteet vaativat paljon sirun pinta-alaa, ja jos sovitusrakenne hajau¬tetaan sirun koko pinnalle, tällöin tehovahvistimen suuri lähtöteho voi huonontaamatkaviestinsovelluksen muiden toimintojen suoritusominaisuuksia. Tämän vuoksijoissakin sovelluksissa tehovahvistimien sovitusrakenne on erotettava matkaviestin-sovelluksen muista toiminnoista yhdelle alueelle ja sovitusrakenteen kokonaiskoonon oltava kohtuullisen pieni ollakseen kustannustehokas riittävän suurella lähtötehontasolla. Täysin integroidun suuritehoisen tehovahvistinjärjestelmän toteuttamiseksitarvittaisiin siten parempia tehonsovitusratkaisuja.
[0003a] Julkaisusta US 6731166 B1 tunnetaan ennalta tehovahvistinjärjestelmä,jossa on joukko tehovahvistimia. Kukin tehovahvistin sisältää ainakin yhden lähtö-portin ja joukon ensiökäämejä. Kussakin ensiökäämissä on ensimmäinen lukumääräkierroksia ja jokainen ensiökäämi on kytketty tehovahvistimien joukon yhteen lähtö-porttiin. Kyseinen tehovahvistinjärjestelmä sisältää yhden ainoan toisiokäämin, jokaon kytketty induktiivisesti ensiökäämeihin.
[0003b] Julkaisuista US 2006091958 AI ja US 4105941 tunnetaan ennalta teho-vahvistinjärjestelmiä, joissa on joukko tehovahvistimia. Kukin tehovahvistin sisältääainakin yhden lähtöportin, joukon ensiökäämejä ja yhden ainoan toisiokäämin. Jo¬kainen ensiökäämi on kytketty tehovahvistimien joukon yhteen lähtöporttiin ja toi-siokäämi on kytketty induktiivisesti ensiökäämeihin. Toisiokäämin kierrosten luku¬määrää on suurempi kuin ensiökäämien kierrosten lukumäärä.
[0003c] Julkaisuissa US 2006232342 AI, US 6323733 Bl, WO 03049145 A2 ja JP2006238370 A kuvataan muita vahvistinjärjestelmiä.
KEKSINNÖN LYHYT YHTEENVETO
[0004] Keksinnön eräs muoto kohdistuu tehovahvistinjärjestelmään. Tehovahvistin¬järjestelmä voi sisältää joukon tehovahvistimia, jolloin jokainen tehovahvistin sisäl¬tää ainakin yhden lähtöportin. Tehovahvistinjärjestelmä voi sisältää myös joukonensiökäämejä, joissa jokaisessa on ensimmäinen lukumäärä kierroksia, jolloin jokai¬nen ensiökäämi on kytketty tehovahvistimien joukon ainakin yhteen lähtöporttiin, jayhden toisiokäämin, joka on kytketty induktiivisesti ensiökäämeihin, jolloin toisio-käämi sisältää toisen lukumäärän kierroksia, joka on suurempi kuin ensimmäinenkierrosten lukumäärä.
[0005] Keksinnön toinen muoto kohdistuu menetelmään tehovahvistinjärjestelmänaikaansaamiseksi. Menetelmä voi sisältää tehovahvistimien joukon aikaansaamisen,jolloin jokainen tehovahvistin sisältää ainakin yhden lähtöportin. Menetelmä voi si¬sältää myös kunkin tehovahvistimen ainakin yhden lähtöportin kytkemisen yhteenensiökäämeistä, jolloin jokainen näistä käämeistä sisältää ensimmäisen lukumääränkierroksia, ja ensiökäämien kytkemisen induktiivisesti ainoaan toisiokäämiin, jolloin toisiokäämi sisältää toisen lukumäärän kierroksia, joka on suurempi kuin ensimmäi¬nen kierrosten lukumäärä.
PIIRUSTUSTEN LYHYT SELITYS
[0006] Edellä olevan keksinnön yleisen selityksen jälkeen seuraavassa viitataanoheisiin piirustuksiin, jotka eivät ole välttämättä mittakaavassa ja joissa: [0007] Kuvio IA esittää keksinnön erään suoritusesimerkin mukaisen jännitettänostavan muuntajan piirikaaviota.
[0008] Kuvio IB esittää keksinnön erään suoritusesi merkin mukaista jännitettänostavaa muuntajaa, jota käytetään differentiaalivahvistimissa.
[0009] Kuvio 2A esittää esimerkkiä sijoittelukaaviosta keksinnön erään suori-tusesimerkin mukaiselle jännitettä nostavalle muuntajalle.
[0010] Kuvio 2B esittää esimerkkiä sijoittelukaaviosta keksinnön erään suoritus-esimerkin mukaisen jännitettä nostavan muuntajan eräälle esimerkille, jota voidaankäyttää differentiaalivahvistimissa.
[0011] Kuvio 3 esittää piirikaaviota keksinnön erään suoritusesimerkin mukaisenmuuntajan eräälle esimerkille, jossa käytetään yhtä tai useampaa virityslohkoa.
[0012] Kuvio 4 esittää esimerkkiä sijoittelukaaviosta keksinnön erään suoritus-esimerkin mukaisen muuntajan eräälle esimerkille, jossa käytetään yhtä tai useam¬paa virityslohkoa.
[0013] Kuvio 5A on kaavio keksinnön erään suoritusesimerkin mukaisen viritysloh-kon eräästä esimerkistä.
[0014] Kuvio 5B esittää toista kaaviota keksinnön erään suoritusesimerkin mukai¬sen virityslohkon eräästä esimerkistä.
[0015] Kuvio 5C esittää erästä toista kaaviota keksinnön erään suoritusesimerkinmukaisen virityslohkon eräästä esimerkistä.
[0016] Kuvio 6A esittää keksinnön erästä suoritusesimerkkiä, jossa joukko en-siökäämejä voi olla kytketty yhteen ainoaan toisiokäämiin.
[0017] Kuvio 6B esittää keksinnön erästä suoritusesi merkkiä, jossa joukko en-siökäämejä voi olla kytketty yhteen ainoaan toisiokäämiin.
[0018] Kuvio 7 esittää tehovahvistinjärjestelmää, joka sisältää keksinnön eräänsuoritusmuodon mukaisen muuntajan.
[0019] Kuvio 8 on esimerkki sijoittelu kaaviosta keksinnön erään suoritusesimerkinmukaisen muuntajan eräälle esimerkille, jossa käytetään kahta ensiökäämiä ja yhtäainoaa toisiokäämiä, jolloin kierroslukujen suhde yhdestä ensiökäämistä ainoaantoisiokäämiin on 1:2.
[0020] Kuvio 9 on esimerkki sijoittelukaaviosta keksinnön erään suoritusesimerkinmukaisen muuntajan eräälle esimerkille, jossa käytetään kolmea ensiökäämiä jayhtä ainoaa toisiokäämiä, jolloin kierroslukujen suhde yhdestä ensiökäämistä ai¬noaan toisiokäämiin on 1:2.
[0021] Kuvio 10 esittää esimerkkiä sijoittelukaaviosta keksinnön erään suoritus¬muodon mukaisen muuntajan eräälle esimerkille, jossa käytetään apukäämiä.
[0022] Kuvio 11 on esimerkki sijoittelukaaviosta keksinnön erään suoritusesimerkinmukaisen muuntajan eräälle esimerkille, jossa käytetään neljää ensiökäämiä ja yhtäainoaa toisiokäämiä, jolloin kierroslukujen suhde yhdestä ensiökäämistä ainoaantoisiokäämiin on 1:3.
[0023] Kuvio 12 esittää esimerkkiä planaarisesta substraatti rakenteesta keksinnönerään suoritusesimerkin mukaisen muuntajan erään esimerkin toteuttamiseksi.
[0024] Kuviot 13 ja 14 esittävät esimerkkejä pinotuista substraatti rakenteista kek¬sinnön eräiden suoritusesimerkkien mukaisten muuntajien eräiden esimerkkien to¬teuttamiseksi.
[0025] Kuvio 15 esittää esimerkkiä monikerrossubstraattirakenteesta keksinnönerään suoritusesimerkin mukaisen muuntajan erään esimerkin toteuttamiseksi.
[0026] Kuvio 16 esittää esimerkkiä keksinnön erään suoritusesimerkin mukaisenmuuntajan erään esimerkin toiminnan simulointituloksista.
[0027] Kuvio 17 esittää esimerkkiä tehovahvistimen, jossa käytetään keksinnönerään suoritusesimerkin mukaisia esimerkkimuuntajia, toiminnan mittaustuloksista.
KEKSINNÖN YKSITYISKOHTAINEN SELITYS
[0028] Keksinnön suoritusesimerkkejä selitetään seuraavassa täydellisemmin viit¬taamalla oheisiin piirustuksiin, joissa on esitetty joitakin mutta ei kaikkia keksinnönsuoritusmuotoja. Nämä keksinnöt voidaan toteuttaa monessa eri muodossa eikäkeksinnön tule katsoa rajoittuvan tässä esitettyihin suoritusmuotoihin, vaan nämäsuoritusmuodot on esitetty, jotta tämä esitys tyydyttäisi sovellettavan lain vaatimuk¬set. Vastaavat elementit on merkitty kaikkialla vastaavilla viitenumeroilla.
[0029] Keksinnön suoritusesimerkit voivat muodostaa tehovahvistinjärjestelmän,joka voi sisältää yhden tai useamman vahvistimen, joukon muuntajan ensiökääme-jä, joissa on Ni kierrosta, ja yhden muuntajan toisiokäämin, jossa on N2 kierrosta.Keksinnön erään suoritusmuodon mukaan kunkin ensiökäämin kierrosluvun suhdetoisiokäämin kierroslukuun voi olla Ni: N2, jossa Ni< N2, mikä nostaa kunkin en¬siökäämin jännitettä toisiokäämissä olennaisesti suhteessa N^Ni. Keksinnön eräänsuoritusesimerkin mukaan jokainen vahvistin voi sisältää differentiaalisen tulon, jokaon kytketty yhdessä järjestelmän tuloporttiin, ja jokainen ensiökäämeistä voi ollakytketty yhden vahvistimista differentiaaliseen lähtöön. Muuntajan ainoa toisiokäämivoi olla kytketty induktiivisesti muuntajan ensiökäämeihin ja muodostaa järjestelmänlähtöportin, johon voidaan kytkeä yksi tai useampia kuormia.
[0030] Kuvio IA esittää keksinnön erään suoritusesimerkin mukaisen jännitettänostavan muuntajan piiri kaavi ota. Täsmällisemmin kuvion IA muuntaja voi sisältääjoukon ensiökäämejä 113,114, joissa kussakin on Ni kierrostapa yhden ainoantoisiokäämin 115, jossa on N2 kierrosta. Ensiökäämit 113,114 voi olla kytketty in-duktiivisesti ainoaan toisiokäämiin 115. Keksinnön erään suoritusesimerkin mukaankaikkien ensiökäämien 113,114 indusoimat virrat voivat summautua samassa vai¬heessa toisiokäämiin 115. Toisiokäämi 115, jossa on N2 kierrosta, voi muodostaajärjestelmän lähtöportin 116 (Vout), johon voidaan kytkeä kuorma 117 (Rload).Keksinnön eräässä suoritusmuodossa kuorma 117 voi olla kytkin, multiplekseri, suo¬din, antenni tai jokin muu kuorma. Keksinnön erään suoritusmuodon mukaan kunkinensiökäämeistä 113,114 kierrosluvun suhde toisiokäämiin 115 voi olla Ni: N2, missäNi< N2, kunkin ensiökäämin 113,114 jännitteen nostamiseksi toisiokäämiin olennai¬sesti suhteessa N^Ni. Keksinnön eräässä esimerkissä, jossa N2 on 2 kierrosta ja Nion 1 kierros, kierroslukujen suhde on Vi ja ainoan toisiokäämin 115 jännite voi ollakertoimen 2 verran suurempi kunkin ensiökäämin 113,114 jännitteeseen verrattu¬na.
[0031] Kuten kuviosta IA edelleen ilmenee, keksinnön erään suoritusmuodon mu¬kaan ensiökäämit 113,114 voi olla kytketty asianomaiseen tehovahvistimeen AMP1,AMP2. Tehovahvistimessa AMP1 voi olla yksi tai useampi tulo, kuten differentiaalisettulot 101 (Vin 1+) ja 104 (Vin 1-), jolloin tulo 101 voi olla positiivinen signaalitulo jatulo 104 voi olla negatiivinen signaalitulo. Lisäksi vahvistimessa AMP1 voi olla lähtö¬jä, kuten lähdöt 109ja 110, jolloin lähtö 109 voi olla positiivinen lähtöjä lähtö 110voi olla negatiivinen lähtö. Keksinnön erään suoritusesimerkin mukaan lähdöt 109, 110 voi olla kytketty muuntajan ensiökäämiin 113.
[0032] Vastaavasti tehovahvistimessa AMP2 voi olla yksi tai useampi tulo, kutendifferentiaaliset tulot 105 (Vin 2+) ja 108 (Vin 2-), jolloin tulo 105 voi olla positiivi¬nen signaalitulo ja tulo 108 voi olla negatiivinen signaalitulo. Vastaavasti vahvisti¬messa AMP2 voi olla yksi tai useampi lähtö, kuten lähdöt 111 ja 112, jolloin lähtö 111 voi olla positiivinen lähtöjä lähtö 112 voi olla negatiivinen lähtö. Keksinnönerään suoritusesimerkin mukaan lähdöt 111,112 voi olla kytketty muuntajan en¬siökäämiin 114.
[0033] Keksinnön erään suoritusesimerkin mukaan kustakin vahvistimesta AMP1,AMP2 toisiokäämiin syötetty virta voi olla olennaisesti ii= (N/M) x i2/ missä i2 on toi-siokäämin virta, M on ensiökäämien 113,114 lukumäärä ja N kunkin ensiökäämin113, 114 kierrosten lukumäärän ja toisiokäämin 115 kierrosten lukumäärän suhde.Vastaavasti kustakin vahvistimesta AMP1, AMP2 toisiokäämiin 115 syötetty jännitevoi olla olennaisesti vi= (1/N) x v2, missä v2 on toisiokäämin jännite ja N kunkinensiökäämin 113, 114 kierrosten lukumäärän ja toisiokäämin 115 kierrosten luku¬määrän suhde.
[0034] On selvää, että vaikka kuviossa IA voi olla esitetty, että kuhunkin ensiö-käämiin 113,114 on kytketty vain yksi vahvistin (esim. AMP1 tai AMP2), keksinnönmuissa suoritusesimerkeissä ensiökäämiin 113, 114 voi olla kytketty useampi kuinyksi vahvistin. On selvää, että joissakin keksinnön suoritusmuodoissa toisio-käämiin115 induktiivisesti kytketyt ensiökäämit 113,114 voivat aikaansaada kuorman 117ja vahvistimien AMP1, AMP2 välisen impedanssisovituksen.
[0035] Kuviossa IB on esitetty keksinnön erään suoritusesimerkin mukainen jänni¬tettä nostava muuntaja, jota voidaan käyttää differentiaalivahvistimissa. Täsmälli¬semmin kuten kuviosta IB ilmenee, ensimmäinen vahvistin voi muodostua transisto¬reista 102, 103 ja toinen vahvistin voi muodostua transistoreista 106, 107, jotkavoivat sisältää metalli-oksidi-puolijohde-kenttävaikutustransistoreja (MOSFET), mu¬kaan luettuna komplementaariset metalli-oksidi-puolijohdetransistorit (CMOS). Kek¬sinnön eräässä toisessa suoritusmuodossa nämä transistorit 102 ja 103 voivat myössisältää bipolaarisia liitostransistoreja tai myös jonkin muun tyyppisiä transistoreja.
[0036] Kuten kuviossa IB on esitetty, keksinnön erään suoritusesimerkin mukaantransistorin 102 lähde voi olla kytketty transistorin 103 lähteeseen ja maadoitettu.Transistorin 102 hila voi vastaanottaa positiivisen signaalitulon 101 ja transistorin103 hila voi vastaanottaa negatiivisen signaalitulon 104. Keksinnön erään suori¬tusesimerkin mukaan transistorin 102 nielu voi antaa positiivisen lähdön 109 ja tran¬sistorin 103 nielu voi antaa negatiivisen lähdön 110. Vastaavasti keksinnön eräänsuoritusesimerkin mukaan transistorin 106 lähde voi olla kytketty transistorin 107lähteeseen ja maadoitettu. Transistorin 106 hila voi vastaanottaa positiivisen signaa¬litulon ja transistorin 107 hila voi vastaanottaa negatiivisen signaalitulon 108. Kek¬ sinnön erään suoritusesimerkin mukaan transistorin 106 nielu voi antaa positiivisenlähdön 111 ja transistorin 107 nielu voi antaa negatiivisen lähdön 112.
[0037] Kuten kuviosta IB edelleen ilmenee, kummassakin ensiökäämissä 113,114voi olla väliottoportti 118,119, jotka portit vastaavat jännitteitä Vddl ja Vdd2. Vä-liottoportit 118,119 voivat olla virtuaalisessa vaihtojännitemaassa, kun ensimmäi¬nen ja toinen differentiaalinen vahvistin kehittävät differentiaaliset signaalit asian¬omaisiin ensiökäämeihin 113,114. Differentiaalivahvistimien syöttöjännite voidaansyöttää keskiväliottoporttien 118,119 kautta. Keksinnön erään suoritusesimerkinmukaan keskiväliottoporttien 118,119 sijainnit voivat vastata asianomaisen en-siökäämin 113,114 keski- tai symmetriapistettä. Keksinnön toisessa suoritusesimer-kissä keskiväliottoporttien 118,119 paikat voivat kuitenkin poiketa keski- tai sym¬metria pisteestä differentiaalivahvistimien kehittämien differentiaalisten signaalienitseisarvoista riippuen.
[0038] Kuvio 2A esittää keksinnön erään suoritusesimerkin mukaista esimerkkiäsijoittelukaaviosta eräälle muuntajaesimerkille. Muuntajarakenne voi sisältää joukonensiökäämejä yhdistettynä yhteen ainoaan toisiokäämiin. Kuvion 2A mukaisesti ra¬kenteessa voi olla kaksi yksikierroksista ensiökäämiä 213, 214 ja yksi kaksikierroksi-nen toisiokäämi 215. Tehovahvistin AMP1 voi vastaanottaa tulot, kuten differentiaa¬liset tulot 201 (Vin 1+), 204 (Vin 1-), ja kehittää vastaavat differentiaaliset lähdöt209, 210 ensimmäiselle yksikierroksiselle ensiökäämille 213. Vastaavasti tehovahvis¬tin AMP2 voi vastaanottaa tulot, kuten differentiaaliset tulot 205 (Vin 2+), 208 (Vin2-), ja kehittää vastaavat differentiaaliset lähdöt 211, 212 ensimmäiselle yksikierrok¬siselle ensiökäämille 214. Keksinnön erään suoritusesimerkin mukaan kunkin en-siökäämin 213, 214 indusoimat vuot tai virrat voivat summautua samassa vaiheessatoisiokäämiin 215. Kaksikierroksinen toisiokäämi 215 voi olla kytketty järjestelmänlähtöporttiin 216 (Vout), johon voidaan kytkeä kuorma 217 (Rload).
[0039] Kuvio 2B esittää keksinnön erään suoritusesimerkin mukaista esimerkkiäsijoittelukaaviosta eräälle muuntajaesimerkille. Kuten kuviossa 2B on esitetty, en¬simmäinen differentiaalivahvistin voi muodostua transistoreista 202 ja 203 ja toinendifferentiaalivahvistin voi muodostua transistoreista 206, 207. Keksinnön erään suo¬ritusesimerkin mukaan differentiaalivahvistimien kehittämien differentiaalisten lähtö¬jen 209, 210 ja 211, 212 vaikutuksesta asianomaisen ensiökäämin 213, 214 väliot- toportissa 218, 219 voi olla virtuaalinen vaihtojännitemaa. Keksinnön erään suori-tusesimerkin mukaan differentiaalivahvistimien syöttöjännite voidaan syöttää portti¬en 218, 291 kautta.
[0040] Kuvio 3 esittää piirikaaviota keksinnön erään suoritusesimerkin mukaisenmuuntajan eräälle esimerkille, jossa käytetään yhtä tai useampaa virityslohkoa,erään esimerkin piirikaaviota. Täsmällisemmin kuvion 3 piirikaaviossa on esitettykaksi ensiökäämiä 113,114, joissa kummassakin on Ni kierrostapa yksi toisiokäämi115, jossa on N2 kierrosta. Keksinnön erään suoritusesimerkin mukaan ensimmäinenensiökäämi 113 voi olla kytketty yhteen tai useampaan ensimmäiseen tehovahvisti-meen, jotka voivat muodostua transistoreista 102, 103. Vastaavasti keksinnön eräänsuoritusesimerkin mukaan toinen ensiökäämi 114 voi olla kytketty yhteen tai use¬ampaan toiseen tehovahvistimeen, jotka voivat muodostua transistoreista 106, 107.Keksinnön erään suoritusesimerkin mukaan transistorit 102, 103, 106, 107 voivatolla MOSFET-transistoreja. Keksinnön toisissa suoritusesimerkeissä transistorit 102,103, 106,107 voivat kuitenkin olla bipolaarisia liitostransistoreja tai jonkin muuntyyppisiä transistoreja.
[0041] Keksinnön erään suoritusesimerkin mukaan transistoreista 102, 103 muo¬dostuva ensimmäinen tehovahvistin voi olla konfiguroitu differentiaaliseksi vahvisti¬meksi, jossa on positiivinen signaalitulo 101 ja negatiivinen signaalitulo 103. Keksin¬nön erään suoritusesimerkin mukaan ensimmäinen differentiaalivahvistin voi aikaan¬saada vastaanotettujen signaalitulojen 101 ja 104 perusteella vastaavan positiivisenlähdön 109 ja vastaavan negatiivisen lähdön 110. Keksinnön erään suoritusesimer¬kin mukaan lähdöt 109,110 voi olla kytketty ensimmäiseen ensiökäämiin 113. Vas¬taavasti keksinnön erään suoritusesimerkin mukaan transistoreista 106, 107 muo¬dostuva toinen tehovahvistin voi myös olla konfiguroitu differentiaaliseksi vahvisti¬meksi, jossa on positiivinen signaalitulo 105 ja negatiivinen signaalitulo 108. Toinendifferentiaalivahvistin voi aikaansaada vastaanotettujen signaalitulojen 105 ja 108perusteella vastaavan positiivisen lähdön 111 ja vastaavan negatiivisen lähdön 112.Keksinnön erään suoritusesimerkin mukaan lähdöt 111,112 voi olla kytketty toiseenensiökäämiin 114.
[0042] Keksinnön erään suoritusesimerkin mukaan molemmat ensiökäämit 113, 114 voi olla kytketty induktiivisesti toisiokäämiin 115. Keksinnön erään suoritus- esimerkin mukaan kummassakin ensiökäämissä 113,114 voi olla Ni kierrosta jatoisiokäämissä voi olla N2 kierrosta, jolloin N2> Ni toisiokäämin jännitteen nostami¬seksi ensiökäämeihin 113,114 verrattuna. Toisiokäämi voi muodostaa järjestelmänlähtöportin 116 (Vout), joka voidaan kytkeä esimerkiksi kuormaan 117 (Rload).
[0043] Keksinnön erään suoritusesimerkin mukaan käytettäessä differentiaalivah¬vistimia yhdessä ensiökäämien 113, 114 kanssa voidaan muodostaa vastaavat vä-liottoportit 118,119. Keksinnön erään suoritusesimerkin mukaan kumpikin väliotto-portti 118,119 voi olla virtuaalisessa vaihtojännitemaassa. Keksinnön erään suori¬tusesimerkin mukaan differentiaalivahvistimien syöttöjännite voidaan syöttää asian¬omaisten väliottoporttien 118,119 kautta. Keksinnön erään suoritusesimerkin mu¬kaan ensiökäämin 113 väliottoportissa 118 voi olla ensimmäinen virityslohko 320.Vastaavasti ensiökäämin 114 väliottoportissa 119 voi olla toinen virityslohko 321.Keksinnön erään suoritusesimerkin mukaan virityslohkoja 320, 321 voidaan käyttääohjaamaan, asettelemaan, suodattamaan tai muulla tavalla virittämään kytkennäntaajuuskaistoja.
[0044] Kuvio 4 esittää esimerkkiä keksinnön erään suoritusesimerkin mukaisestasijoittelukaaviosta muuntajan eräälle esimerkille, jossa käytetään yhtä tai useampaavirityslohkoa. Keksinnön erään suoritusesimerkin mukaan muuntaja voi sisältää jou¬kon ensiökäämejä, jotka on kytketty induktiivisesti toisiokäämiin. Kuten kuviossa 4on esitetty, muuntajassa voi olla kaksi ensiökäämiä 213, 214, joissa kummassakinon yksi kierros (Ni= 1), ja yksi ainoa toisiokäämi 215, jossa on kaksi kierrosta (N2=2). Ensiökäämi 213 voi olla kytketty ensimmäiseen vahvistimeen, kuten transisto¬reista 202, 203 muodostuvaan differentiaalivahvistimeen, jossa on positiivinen sig-naalitulo 201 ja negatiivinen signaalitulo 204. Ensimmäinen vahvistin voi antaa posi¬tiivisen lähdön 209 ja negatiivisen lähdön 210 ensiökäämiin 213. Vastaavasti ensiö¬käämi 214 voi olla kytketty toiseen vahvistimeen, kuten transistoreista 206, 207muodostuvaan differentiaalivahvistimeen, jossa on positiivinen signaalitulo 205 janegatiivinen signaalitulo 208. Toinen vahvistin voi antaa positiivisen lähdön 211 janegatiivisen lähdön 212 ensiökäämiin 214.
[0045] Keksinnön erään suoritusesimerkin mukaan differentiaalivahvistimien kehit¬tämien differentiaalisten lähtöjen 209, 210 ja 211, 212 vaikutuksesta asianomaistenensiökäämien 213, 214 keskiväliottoportteihin 218, 219 voi muodostua virtuaalinen vaihtojännitemaa. Keksinnön erään suoritusesimerkin mukaan differentiaalivahvisti¬men syöttöjännite voidaan syöttää porttien 218, 291 kautta. Keksinnön erään suori-tusesimerkin mukaan ensimmäiseen väliottoporttiin 218 voi olla kytketty ensimmäi¬nen virityslohko 420 ja toiseen väliottoporttiin 219 voi olla kytketty toinen viritysloh-ko 421. On selvää, että keksinnön erään suoritusesimerkin mukaan ensimmäinen jatoinen virityslohko 420, 421 voidaan tehdä saman (yhden tai useamman) substraa¬tin osaksi kuin muuntajarakenne tai erillisiksi moduuleiksi, jotka on kytketty muunta¬jan sijoittelu rakenteeseen.
[0046] Kuvioissa 3 ja 4 käytetyt virityslohkot voidaan toteuttaa keksinnön suori¬tusesi merkkien mukaan erilaisilla tavoilla. Keksinnön erään suoritusesimerkin mu¬kaan virityslohkot voivat käsittää resonanssi piirejä. Kuvioissa 5A, 5B ja 5C on esitet¬ty eräitä esimerkkejä resonanssipiireistä, joita voidaan käyttää muuntajien viritys-lohkoina keksinnön erään suoritusesimerkin mukaan.
[0047] Kuvio 5A on kaavio keksinnön erään suoritusesimerkin mukaisesta viritys-lohkon eräästä esimerkistä. Kuten kuviossa 5A on esitetty, virityslohko voi olla kek¬sinnön erään suoritusesimerkin mukaan resonanssipiiri, joka muodostuu kapasitiivi-sesta komponentista 501 ja induktiivisesta komponentista 502, jotka on kytkettysarjaan. Keksinnön erään suoritusesimerkin mukaan resonanssipiirin portti 500 voiolla kytketty ensiökäämin keskiväliottoporttiin. Keksinnön erään suoritusesimerkinmukaan kuvion 5A resonanssipiiriin voi liittyä resonanssitaajuus fn 503.
[0048] Kuvio 5B esittää toista kaaviota keksinnön erään suoritusesimerkin mukai¬sesta virityslohkon eräästä esimerkistä. Kuten kuviossa 5C on esitetty, virityslohkovoi olla keksinnön erään suoritusesimerkin mukaan resonanssipiiri, joka muodostuukapasitiivisesta komponentista 511 ja induktiivisesta komponentista 512, jotka onkytketty rinnan. Keksinnön erään suoritusesimerkin mukaan resonanssipiirin portti510 voi olla kytketty ensiökäämin keskiväliottoporttiin. Keksinnön erään suoritus-esimerkin mukaan kuvion 5A resonanssipiirillä voi olla resonanssitaajuus fn 513.
[0049] Kuvio 5C esittää erästä toista kaaviota keksinnön erään suoritusesimerkinmukaisesta virityslohkon eräästä esimerkistä. Kuten kuviossa 5C on esitetty, tässävirityslohkossa voi olla resonanssipiiri, jolla on joukko resonanssitaajuuksia, kutenresonanssitaajuudet fnl 527, fn2 528 ja fn3 529. Esimerkiksi kapasitiivinen kompo¬nentti 521 ja induktiivinen komponentti 522 voi olla kytketty sarjaan resonanssitaa- juuden fnl 527 aikaansaamiseksi. Vastaavasti kapasitiivinen komponentti 523 jainduktiivinen komponentti 524 voi olla kytketty sarjaan resonanssitaajuuden fn2 528aikaansaamiseksi. Lisäksi kapasitiivinen komponentti 525 voi olla kytketty sarjaaninduktiivisen komponentin 526 kanssa resonanssitaajuuden fn3 529 aikaansaami¬seksi. On selvää, että vaikka kuvio 5C esittää erästä tiettyä resonanssipiirin konfigu¬raatiota, keksinnön muut suoritusmuodot voivat sisältää keksinnön piiristä poikkea¬matta erityyppisiä sarja/rinnakkaisresonanssipiirejä. Keksinnön erään suoritusesi-merkin mukaan resonanssipiirin portti 520 voi olla kytketty ensiökäämin keskiväliot-toporttiin. Lisäksi vaikka virityslohkot on esitetty keski väl iottoporttei hi n kytketyiksi,keksinnön muissa suoritusmuodoissa virityslohkot voidaan kytkeä ensiökäämeihinmyös muihin kohtiin.
[0050] On selvää, että kuvioiden 5A - 5C kapasitiivisten ja induktiivisten kompo¬nenttien arvot ja parametrit voidaan valita siten, että saadaan yksi tai useampi ha¬luttu resonanssitaajuus. Keksinnön erään suoritusesimerkin mukaan virityslohkonmainittu yksi tai useampi resonanssitaajuus voi suodattaa yhden tai useamman re¬sonanssitaajuuden epäsuotavia harmonisia, minkä avulla voidaan vaikuttaa kytkey¬tyviin taajuuksiin.
[0051] Kuvio 6A esittää keksinnön suoritusesimerkkiä, jossa joukko ensiökäämejävoi olla kytketty yhteen ainoaan toisiokäämiin. Täsmällisemmin kuviossa 6A on esi¬tetty n ensiökäämiä 616a-n, joissa jokaisessa on Ni kierrosta. Ensiökäämit 616a-n,joiden lukumäärä on n, voi olla kytketty induktiivisesti ainoaan toisiokäämiin 619,jossa on N2 kierrosta, jolloin N2> Ni. Kunkin differentiaalisen tehovahvistimen 607a-n lähtö 610a-n, 611a-n voi olla kytketty asianomaiseen ensiökäämin 616a-n tuloon.Täsmällisemmin differentiaalivahvistimien positiiviset signaalilähdöt 610a-n ja vas¬taavat negatiiviset signaalilähdöt 611a-n voi olla kytketty asianomaisen ensiökäämin616a-n tuloon. Vahvistimissa, kuten differentiaalivahvistimissa 607a-n, voi olla posi¬tiiviset signaalitulot 601a-n ja vastaavat negatiiviset signaalitulot 602a-n. Keksinnönerään suoritusesimerkin mukaan kaikki useiden ensiökäämien 616a-n indusoimatvuot tai virrat voivat summautua samassa vaiheessa toisiokäämiin 619. Toisiokäämi619 voi muodostaa järjestelmän lähtöportin 620 (Vout), johon voidaan kytkeäkuorma 621 (Rload). Keskiväliottoporteissa 622a-n voi olla differentiaalivahvistinten607a-n differentiaalisten signaalien ensiökäämiin indusoima virtuaalinen vaihtojänni-temaa. Tämän vuoksi differentiaalivahvistimen syöttöjännite voidaan syöttää portti¬ en 622a-n kautta. Keksinnön erään suoritusesimerkin mukaan väliottoporteissa622a-n voi olla myös virityslohkot, jotka voivat sisältää tässä selitetyn mukaisestiresonanssipiirejä.
[0052] Kuviossa 6B on esitetty keksinnön suoritusesimerkki, jossa joukko en-siökäämejä voi olla kytketty yhteen ainoaan toisiokäämiin. Kuviossa 6B on esitetty,että muuntajien yhteydessä käytetyt vahvistimet voivat olla differentiaalivahvistimia.Kuten kuviossa 6B on esitetty, asianomaisiin ensiökäämeihin 616a-n kytkettyjä diffe¬rentiaalivahvistimia voi olla useita. Kuten kuviossa 6B on esitetty, keksinnön eräänsuoritusesimerkin mukaan ensimmäinen differentiaalivahvistin voi muodostua tran¬sistoreista 607a ja 608a. Vastaavasti toinen differentiaalivahvistin voi muodostuatransistoreista 607b ja 608b. Samalla tavalla n\s differentiaalivahvistin voi muodos¬tua transistoreista 607n ja 608n.
[0053] Kuviossa 7 on esitetty keksinnön erään suoritusesimerkin mukainen muun¬tajan sisältävä tehovahvistinjärjestelmä 700. Kuten kuviossa 7 on esitetty, tehovah-vistinjärjestelmä 700 voi sisältää symmetrointielimen 750, ensimmäisen asteen oh-jainvahvistimen 760, toisen asteen ohjainvahvistimet 770a ja 770b, tehovahvistimet780a ja 780b ja lähtömuuntajan 790.
[0054] Tehovahvistinjärjestelmän 700 toiminnan aikana symmetrointielimen 750tuloporttiin 701 voidaan tuoda tulosignaali. Keksinnön eräässä suoritusesimerkissäsymmetrointielin 750 voi olla muuntaja 702 (esim. muuntaja, jonka muuntosuhdeon 3:4) yksipäisen tulosignaalin muuntamiseksi differentiaalisiksi signaaleiksi 703,704. On selvää että yksipäinen tulosignaali voi olla keksinnön erään suoritusesimer¬kin mukaan kantataajuinen signaali tai radiotaajuinen signaali. Keksinnön erään suo¬ritusesimerkin mukaan symmetrointielin 750 voi myös toimia tasajännitteen estopii-rinä. Ensimmäisen asteen ohjainvahvistin 760 voi olla invertoiva vahvistin, joka vah¬vistaa differentiaalisia signaaleja 703, 704 vahvistettujen differentiaalisten signaalien706, 707 kehittämiseksi. Vahvistetut differentiaaliset signaalit 706,707 voidaan an¬taa lähtönä ensimmäisen vaiheen ohjainvahvistimelta 760 ja syöttää tuloina toisenasteen ohjainvahvistimille 770a, 770b, jotka kehittävät tällöin vastaavat vahvistetutlähdöt 710, 711 ja 712, 713. Keksinnön erään suoritusesimerkin mukaan asian¬omaisten toisen asteen ohjainvahvistimien 508, 509 lähdöt 710, 711 ja 712, 713voidaan tämän jälkeen syöttää tehovahvistimille 780a, 780b. Keksinnön erään suori- tusesimerkin mukaan tehovahvistimissa 780a, 780b voidaan käyttää kaskodtopolo¬giaa niiden saamiseksi kestämään paremmin submikronityyppisten CMOS-kompo-nenttien jännitekuormituksia. Keksinnön erään suoritusesimerkin mukaan tehovah-vistin 780a voi sisältää pinon CMOS-laitteita 714 ja 715, jotka voivat olla yhteisläh-dekytkettyjä CMOS-transistoreja. Lisäksi keksinnön erään suoritusesimerkin mukaantehovahvistin 780a voi sisältää myös CMOS-laitteet 718, 719, jotka voivat olla yh-teishilakytkettyjä transistoreja. Vastaavasti keksinnön erään suoritusesimerkin mu¬kaan tehovahvistin 780b voi sisältää pinon CMOS-laitteita 716 ja 717, jotka voivatolla yhteislähdekytkettyjä CMOS-transistoreja. Keksinnön erään suoritusesimerkinmukaan tehovahvistin 780b voi sisältää myös CMOS-laitteet 720, 721, jotka voivatolla yhteishilakytkettyjä transistoreja. Tehovahvistimen 780a lähdöt voidaan antaalähtöihin 722, 723, ja tehovahvistimen 780b lähdöt voidaan antaa lähtöihin 724, 725. Keksinnön erään suoritusesimerkin mukaan tehovahvistimien 780a, 780b vah¬vistusta voidaan säätää tehovahvistimen ohjausportista 732, joka voi antaa esijän-nitteen yhteishilakytkettyjen transistorien 718, 719 ja 720, 721 hiloille.
[0055] Kuten kuviosta 7 edelleen ilmenee, lähtöihin 722, 723 ja 724, 725 voi ollakytketty lähtömuuntajan 790 ensiökäämit 726, 727. Muuntajaa 790 käyttämälläkaikkien ensiökäämien 726, 727 antamat lähtötehot voidaan yhdistää induktiivisestitoisiokäämiin 728. Keksinnön erään suoritusesimerkin mukaan jokaisessa ensiökää-missä 726, 727 voi olla Ni kierrosta ja toisiokäämissä 728 voi olla N2 kierrosta, jol¬loin N2> Ni toisiokäämin 728 jännitteen nostamiseksi. Keksinnön erään suoritus-esimerkin mukaan ensiökäämit 726, 727 voi olla kytketty esimerkiksi rinnan vuon taivirtojen summaamiseksi samassa vaiheessa toisiokäämiin 728. Keskiväliottoportit730 ja 731 voivat olla virtuaalisessa vaihtojännitemaassa, kun differentiaalivahvisti¬mien, kuten vahvistimien 780a, 780b, differentiaaliset signaalit syötetään ensiökää-meille 726, 727. Tämän vuoksi keksinnön erään suoritusesimerkin mukaan differen¬tiaalivahvistimen syöttöjännite voidaan syöttää porttien 730, 731 kautta. Keskiväliot-toporteissa 730, 731 voi olla lisäksi tai vaihtoehtoisesti yksi tai useampi tässä selite¬tyn kaltainen virityslohko. Keksinnön erään suoritusesimerkin mukaan muuntaja 790voi olla valmistettu piisubstraatille, vaikka myös muita substraatteja voidaan käyttääkeksinnön piiristä poikkeamatta.
[0056] Muuntajan sijoittelukaavion suoritusesimerkkejä [0057] Kuvioissa 8- 11 on esitetty erilaisia esimerkkejä sijoittelukaavioista keksin¬nön suoritusesimerkkien mukaisten jännitettä nostavien muuntajien toteuttamiseksi.Keksinnön erään suoritusesimerkin mukaan muuntajan ensiökäämit ja ainoa toisio-käämi voi olla kiedottu spatiaalisesti toisiinsa substraatin pinnalla muuntajan koko¬naispinta-alan pienentämiseksi.
[0058] Kuviossa 8 on esitetty esimerkki keksinnön erään suoritusesimerkin mukai¬sesta sijoittelukaaviosta muuntajalle, joka voi sisältää kaksi yksikierroksista en-siökäämiä 807, 808 ja yhden kaksikierroksisen toisiokäämin 809. Kuviossa 8 kahtayksikierroksista ensiökäämiä 807, 808 ja yhtä kaksikierroksista toisiokäämiä 809voidaan käyttää differentiaalisista positiivisista porteista 801, 803 ja vastaavista ne¬gatiivisista porteista 802, 804 muodostuvien kahden differentiaalisen parin virtojenyhdistämiseen. Keksinnön erään suoritusesimerkin mukaan ensiökäämien 807, 808magnetoinnin magneettisesti indusoimat virrat voidaan summata samassa vaiheessatoisiokäämiin 809. Keksinnön erään suoritusesimerkin mukaan muuntaja voidaansuunnitella siten, että ensiökäämien 807, 808 virrat ovat samansuuntaisia itseku-moutumisen estämiseksi.
[0059] Kuviossa 9 on esitetty esimerkki keksinnön erään suoritusesimerkin mukai¬sesta sijoittelukaaviosta muuntajalle, joka voi sisältää kolme yksikierroksista en¬siökäämiä 909, 910, 911 ja yhden kaksikierroksisen toisiokäämin 912. Kolmea yksi¬kierroksista ensiökäämiä 909, 910, 911 ja yhtä kaksikierroksista toisiokäämiä 912voidaan käyttää differentiaalisista positiivisista porteista 901, 903, 905 ja vastaavistanegatiivisista porteista 902, 904, 906 muodostuvien kolmen differentiaalisen parinvirtojen yhdistämiseen. Keksinnön erään suoritusesimerkin mukaan kolmen en-siökäämin 909, 910, 911 magnetoinnin magneettisesti indusoimat virrat voidaansummata samassa vaiheessa toisiokäämiin 912. Keksinnön erään suoritusesimerkinmukaan muuntaja voidaan suunnitella siten, että ensiökäämien 909, 910,911 virratovat samansuuntaisia itsekumoutumisen estämiseksi.
[0060] Kuviossa 10 on esitetty keksinnön erään suoritusesimerkin mukaisen sijoit-telukaavion eräs esimerkki tehovahvistinjärjestelmän muuntajan eräälle esimerkille,jossa on apukäämi, joka on muuntajan vieressä tai olennaisesti sulkee sisäänsäosan muuntajasta. Kuviossa 10 on erikoisesti esitetty esimerkki sijoittelukaaviostakuvion 9 muuntajalle, jossa on lisäksi apukäämi 1002. Keksinnön erään suoritus- esimerkin mukaan apukäämi 1002 voi olla kytketty muuntajaan ensiökäämien 909,910, 911 ja toisiokäämin 912 välisen kytkennän voimakkuuden havaitsemiseksi. Onselvää, että kuviossa 10 esitetty apukäämi 1002 voi olla erilainen keksinnön eri suo-ritusesimerkeissä. Esimerkiksi muuntajan yhdelle sivulle sen viereen voidaan sijoit¬taa tehon havaitseva apukäämi kytkennän voimakkuuden havaitsemiseksi. Erääntoisen esimerkin mukaan tehon havaitseva apukäämi voidaan sijoittaa muuntajanyhden sivun tai useamman kuin yhden sivun viereen kytkennän voimakkuuden ha¬vaitsemiseksi. Lisäksi vaikka apukäämi on esitetty kuvion 9 esimerkkimuuntajaanliittyvänä, apukäämiä voidaan käyttää keksinnön suoritusesimerkkien mukaan sa¬malla tavalla muissa muuntajissa, mukaan luettuna tässä esitetyt muuntajat.
[0061] Kuviossa 11 on esitetty esimerkki fyysisestä sijoittelukaaviosta muuntajalle,joka sisältää neljä yksikierroksista ensiökäämiä 1111,1112,1113, 1114 ja yhdenkolmikierroksisen toisiokäämin 1115. Neljää yksikierroksista ensiökäämiä 1111, 1112,1113,1114 ja yhtä kolmikierroksista toisiokäämiä 1115 voidaan käyttää diffe¬rentiaalisista positiivisista porteista 1101, 1103, 1105, 1107 ja vastaavista negatiivi¬sista porteista 1102, 1104, 1106, 1108 muodostuvien neljän differentiaalisen parinvirtojen yhdistämiseen. Keksinnön erään suoritusesimerkin mukaan kolmen en-siökäämin 1111,1112, 1113,1114 magnetoinnin magneettisesti indusoimat virratvoidaan summata samassa vaiheessa toisiokäämiin 1115. Muuntaja voidaan suunni¬tella siten, että ensiökäämien virrat ovat samansuuntaisia itsekumoutumisen estämi¬seksi.
[0062] On selvää, että keksinnön mukaisissa muuntajissa voi olla joukko en-siökäämejä, joissa on Ni kierrosta, ja yksi toisiokäämi, jossa on N2 kierrosta. Keksin¬nön erään suoritusesimerkin mukaan N2> Ni toisiokäämin jännitteen nostamiseksi.Vaikka kuvioissa 8 - 11 on esitetty esimerkkeinä muuntajia, joissa on 2, 3 tai 4 en¬siökäämiä, on selvää, että keksinnön muissa suoritusmuodoissa voi olla kuvioissa8-11 esitettyjä enemmän ensiökäämejä.
[0063] Keksinnön erään suoritusesimerkin mukaan tässä esitetyt muuntajien sijoi-tuskaaviot voidaan toteuttaa käyttämällä planaarista rakennetta, pinottua rakennet¬ta tai kerrosrakennetta. Planaarisessa rakenteessa kaikki ensiökäämit voi olla sijoi¬tettu vierekkäin. Toisiokäämi, jossa on enemmän kuin yksi kierros, voi kuitenkin ollasijoitettu kahden ensiökäämin väliin, niin että yksi ensiökäämeistä ei ole minkääntoisen ensiökäämin vieressä. Esimerkiksi kuten kuvion 12 planaarisessa substraatti- rakenteessa on esitetty, ensimmäinen ensiökäämi voidaan valmistaa kokonaan en¬simmäiseen metallikerrokseen 1202 ja myös toinen ensiökäämi voidaan valmistaapääasiassa samaan ensimmäiseen metallikerrokseen siten, että ylivienti/limitysosatjohdetaan käyttämällä yhtä tai useampaa läpivienti reikää 1204. Vastaavasti moni-kierroksinen toisiokäämi voidaan myös valmistaa olennaisesti ensiökäämien välisellepinnalle johtamalla ylivientiosat yhtä tai useampaa läpivientireikää 1204 käyttämällä.
[0064] Keksinnön erään toisen suoritusesimerkin mukaan muuntajien sijoittelukaa-viot voidaan toteuttaa pinottua rakennetta käyttämällä. Pinotun rakenteen eräässäesimerkissä kaikki ensiökäämit voi olla sijoitettu samaan metallikerrokseen keske¬nään vierekkäin ja lähelle toisiaan ja toisiokäämi voi olla sijoitettu toiseen metalliker¬rokseen. Esimerkiksi kuvion 13 pinotussa substraattirakenteessa keksinnön erääntoisen suoritusesimerkin mukaan ensiökäämit voi olla muodostettu metallikerrok¬seen 1302 ja toisiokäämi voi olla muodostettu metallikerrokseen 1304.
[0065] Keksinnön erään toisen suoritusesimerkin mukaan muuntaja, jossa on usei¬ta ensiökäämejä, voidaan toteuttaa toisenlaisena pinottuna rakenteena, jossa kaikkiensiökäämit voi olla sijoitettu rinnakkain eri kerroksiin, mutta ensiökäämien kerrok¬set eivät ole pystysuunnassa lähellä toisiaan, jolloin monikierroksinen toisiokäämi voiolla sijoitettu kahden ensiökäämikerroksen väliin, jolloin toisiokäämin kierrokset voi¬vat olla useissa kerroksissa, jotka on yhdistetty läpivientireikien avulla. Esimerkiksikuvion 14 pinotun substraatti rakenteen esimerkissä ensimmäinen ensiökäämi voiolla muodostettu metallikerrokseen 1402 ja toinen ensiökäämi voi olla muodostettutoiseen metallikerrokseen 1406. Keksinnön erään suoritusesimerkin mukaan ainoatoisiokäämi, jossa on useita kierroksia, voi olla muodostettu käyttämällä yhdistelmäämetalli kerroksista 1404 ja 1408, jotka on yhdistetty ainakin yhdellä läpivientireiällä1410.
[0066] Keksinnön erään toisen suoritusesimerkin mukaan muuntaja, jossa on usei¬ta ensiökäämejä, voidaan toteuttaa kerrosrakenteena. Kerrosrakenteessa jokainenensiökäämi voi olla valmistettu käyttämällä kahta tai useampaa kerrosta ja yhdistet¬ty läpivientirei'illä. Vastaavasti toisiokäämi voi olla valmistettu käyttämällä kahta taiuseampaa kerrosta ja yhdistetty läpivientirefillä. Esimerkiksi kuten kuviossa 15 onesitetty, ensimmäinen ensiökäämi voi olla valmistettu ensimmäisen metallikerroksen1502 ensimmäiseen osaan ja kolmannen metallikerroksen 1506 ensimmäiseen osaan ja kytketty ainakin yhdellä ensimmäisellä läpivientireiällä 1510. Vastaavastitoinen ensiökäämi voi olla valmistettu ensimmäisen metallikerroksen 1502 toiseenosaan ja kolmannen metallikerroksen 1506 toiseen osaan ja kytketty ainakin yhdellätoisella läpivientireiällä 1512. Keksinnön erään suoritusesimerkin mukaan ainoa toi-siokäämi voi olla valmistettu toiseen metallikerrokseen 1504 ja neljänteen metalli-kerrokseen 1508 ja kytketty ainakin yhdellä kolmannella läpivientireiällä 1514.
[0067] Keksinnön erään suoritusesimerkin mukaan tehovahvistimien pääosa jamuuntajan käämit voivat olla välimatkan päässä toisistaan muuntajan ja tehovahvis¬timien pääosan välisen magneettisen kytkennän pienentämiseksi ja siten epästabiili¬suuden todennäköisyyden pienentämiseksi. Keksinnön erään toisen suoritusesimer¬kin mukaan toisistaan erilleen sijoitetut muuntaja ja tehovahvistimien pääosa voiolla toteutettu erillisillä substraateilla erilaisilla teknologioilla. Muuntajan ja tehovah¬vistimien ei siten tarvitse rajoittua yhteen valmistusteknologiaan. Keksinnön erääntoisen suoritusesimerkin mukaan spatiaalisesti yhteenkiedottu muuntaja voi ollapienikokoinen. Muuntajia ja tehovahvistimia voidaan muuttaa monella tavalla kek¬sinnön piiristä poikkeamatta.
ESIMERKKI SIMULAATIO- JA KOETULOKSISTA
[0068] Kuviossa 16 on esitetty esimerkki keksinnön erään suoritusmuodon mukai¬sen esimerkkimuuntajan toiminnan simulaatiotuloksista. Täsmällisemmin esitettynäsimulaatiotulokset kuvaavat muuntajan vaimennusta (dB) taajuuden (GHz) funktio¬na. Kuviossa 16 käyrä 1602 edustaa muuntajaa, jossa käytetään keskiväliottoviritys-tä, ja käyrä 1604 edustaa muuntajaa, jossa ei käytetä keskiväliottoviritystä. Molem¬missa tapauksissa muuntajien vaimennukset perustoimintataajuudella ovat pienem¬piä kuin suurilla harmonisilla taajuuksilla. Keksiväliottoviritystä käyttävän muuntajantapauksessa vaimennus on suuri toisen ja kolmannen harmonisen taajuuden kohdal¬la.
[0069] Kuvio 17 esittää esimerkkiä mittaustuloksista tehovahvistimen eräälle esi¬merkille, jossa käytetään keksinnön erään suoritusmuodon mukaisia esimerkkimuun-tajia. Nämä mittaustulokset esittävät tällaisen esimerkkitehovahvistimen lähtötehoaja tehon lisäyksen hyötysuhdetta (PAE). Kuten kuviossa 17 on esitetty, mittaustulok¬set täyttävät tehovahvistimen vaaditut ominaisuudet taajuusalueella 1700 MHz - 2000 MHz. Lähtöteho 31,2 dBm taajuudella 1,8 GHz ja vastaava tehon lisäyksenhyötysuhde 41 % saavutettiin 3,3 V teholähteellä.
[0070] Tässä esitettyjen keksintöjen monet muunnokset ja muut suoritusmuodotovat mahdollisia tämän keksinnön alan asiantuntijalle edellä olevassa selityksessä janiihin liittyvissä piirustuksissa esitettyjen ajatuksien perusteella. Siten on selvää, ettäkeksintö ei rajoitu esitettyihin tiettyihin suoritusmuotoihin ja että tällaisten muun¬nosten ja suoritusmuotojen on tarkoitus sisältyä oheisten patenttivaatimusten piiriin.Vaikka tässä on käytetty spesifisiä termejä, niitä on käytetty vain yleisessä ja ha¬vainnollistavassa merkityksessä eikä keksinnön rajoittamiseksi.

Claims (21)

1. Tehovahvistinjärjestelmä, joka käsittää: joukon tehovahvistimia, jolloin kukin tehovahvistin (AMP1; AMP2) sisältää ainakinyhden lähtöportin (109, 110; 111, 112), joukon ensiökäämejä (113; 114), joissa kussakin on ensimmäinen lukumäärä (Ni)kierroksia, jolloin jokainen ensiökäämi (113; 114) on kytketty tehovahvistimien(AMP1; AMP2) joukon ainakin yhteen lähtöporttiin (109, 110; 111, 112), ja yhden ainoan toisiokäämin (115), joka on kytketty induktiivisesti ensiökäämeihin(113; 114), jolloin toisiokäämi (115) sisältää toisen lukumäärän (N2) kierroksia, jokaon suurempi kuin ensimmäinen kierrosten lukumäärä, jossa järjestelmässä jokainen ensiökäämeistä (113; 114) sisältää väliottoportin (118;119), ja joka järjestelmä käsittää lisäksi ainakin yhden virityslohkon (320; 321), jokaon kytketty ensiökäämin väliottoporttiin (118; 119), tunnettu siitä, että mainittu ainakin yksi virityslohko (320; 321) sisältää yhden tai useamman resonans-sipiirin.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen järjestelmä, jossa väliottoportti (118; 119) sisäl¬tää virtuaalisen vaihtojännitemaan.
3. Patenttivaatimuksen 1 mukainen järjestelmä, jossa mainittu yksi tai useampi re¬sonanssipa sisältää yhden tai useamman kapasitiivisen komponentin (511) ja yh¬den tai useamman induktiivisen komponentin (512), jotka on kytketty sarjaan tairinnan.
4. Patenttivaatimuksen 1 mukainen järjestelmä, jossa mainitussa ainakin yhdessävirityslohkossa (320; 321) käytetään resonanssipiirejä yhden tai useamman taajuus-komponentin korostamiseksi tai vaimentamiseksi selektiivisesti.
5. Patenttivaatimuksen 1 mukainen järjestelmä, jossa ensiökäämit (113; 114) onsijoitettu ainoan toisiokäämin (115) suhteen siten, että ensiökäämien toisiokäämiinindusoimat vuot tai virrat summautuvat samassa vaiheessa.
6. Patenttivaatimuksen 1 mukainen järjestelmä, jossa ainoa toisiokäämi (115) onlomitettu ensiökäämien (113; 114) väliin, joissa virran suunta on sama ja jossa en¬siökäämien joukko ja ainoa toisiokäämi on valmistettu käyttämällä (i) planaariraken-netta, (ii) pinottua rakennetta tai (iii) kerrosrakennetta.
7. Patenttivaatimuksen 6 mukainen järjestelmä, jossa ensiökäämien (113; 114)joukkoja ainoa toisiokäämi (115) on valmistettu käyttämällä planaarirakennetta,jossa on metallikerros, jolloin ensiökäämit (113; 114) on valmistettu metallikerrok-seen vierekkäisiksi ensiökäämeiksi ja jolloin toisiokäämi (115) on valmistettu mainit¬tuun metallikerrokseen ja sijoitettu ensiökäämien joukon vierekkäisten ensiökäämienväliin.
8. Patenttivaatimuksen 6 mukainen järjestelmä, jossa ensiökäämien (113; 114)joukko ja ainoa toisiokäämi (115) on valmistettu käyttämällä pinottua rakennetta,jossa on ensimmäinen metallikerros ja toinen metallikerros vastapäätä ensimmäistäkerrosta, jolloin ensiökäämien joukko on valmistettu ensimmäiseen metallikerrok¬seen ja ainoa toisiokäämi on valmistettu toiseen metallikerrokseen.
9. Patenttivaatimuksen 6 mukainen järjestelmä, jossa ensiökäämien joukko ja ainoatoisiokäämi on valmistettu käyttämällä pinottua rakennetta, jossa on ensimmäinenmetallikerros, toinen metallikerros, kolmas metallikerros ja neljäs metallikerros, jol¬loin kolmas metallikerros on ensimmäisen ja toisen metallikerroksen välissä ja jollointoinen metallikerros on kolmannen metallikerroksen ja neljännen metallikerroksenvälissä ja jolloin ensiökäämien joukon ensimmäinen ensiökäämi on valmistettu en¬simmäiseen metallikerrokseen, ensiökäämien joukon toinen ensiökäämi on valmis¬tettu toiseen metallikerrokseen ja ainoa toisiokäämi on valmistettu kolmanteen me¬tallikerrokseen ja neljänteen metallikerrokseen, jolloin kolmas metallikerros ja neljäsmetallikerros on kytketty ainakin yhden läpivientireiän avulla.
10. Patenttivaatimuksen 6 mukainen järjestelmä, jossa ensiökäämien joukko ja ai¬noa toisiokäämi on valmistettu käyttämällä kerrosrakennetta, jossa on ensimmäinenmetalli kerros, toinen metallikerros, kolmas metallikerros ja neljäs metallikerros, jol¬loin kolmas metallikerros on ensimmäisen ja toisen metallikerroksen välissä ja jollointoinen metallikerros on kolmannen metallikerroksen ja neljännen metallikerroksenvälissä, jolloin ensiökäämien joukon ensimmäinen ensiökäämi on valmistettu en¬simmäisen metallikerroksen ensimmäiseen osaan ja toisen metallikerroksen ensim¬mäiseen osaan, jolloin ensimmäisen metallikerroksen ensimmäinen osa ja toisenmetallikerroksen ensimmäinen osa on kytketty ainakin yhden läpivientireiän avulla,jolloin ensiökäämien joukon toinen ensiökäämi on valmistettu ensimmäisen metalli-kerroksen toiseen osaan ja toisen metallikerroksen toiseen osaan, jolloin ensimmäi¬sen metallikerroksen toinen osa ja toisen metallikerroksen toinen osa on kytkettyainakin yhden toisen läpivientireiän avulla ja jolloin ainoa toisiokäämi on valmistettukolmanteen metallikerrokseen ja neljänteen metallikerrokseen, jolloin kolmas metal¬likerros ja neljäs metallikerros on kytketty ainakin yhden kolmannen läpivientireiänavulla.
11. Patenttivaatimuksen 1 mukainen järjestelmä, jossa ensiökäämien joukko ja ai¬noa toisiokäämi muodostavat muuntajan, joka käsittää lisäksi apukäämin, joka onmuuntajan yhden tai useamman sivun vieressä, ensiökäämien joukon ja ainoan toi-siokäämin välisen kytkennän määrän havaitsemiseksi.
12. Menetelmä tehovahvistinjärjestelmän aikaansaamiseksi, joka käsittää:joukon tehovahvistimia (AMP1; AMP2) aikaansaamisen, jolloin jokainen tehovahvis-tin sisältää ainakin yhden lähtöportin (109,110; 111,112), jokaisen tehovahvistimen mainitun ainakin yhden lähtöportin kytkemisen yhteenensiökäämien (113; 114) joukosta, jolloin jokainen käämien joukosta sisältää en¬simmäisen lukumäärän kierroksia (Ni), missä jokainen ensiökäämien joukosta sisäl¬tää väliottoportin (118; 119) ja ensiökäämien joukon kytkemisen induktiivisesti ainoaan toisiokäämiin (115), jollointoisiokäämi sisältää toisen lukumäärän (N2) kierroksia, joka on suurempi kuin en¬simmäinen kierrosten lukumäärä; ainakin yhden virityslohkon (320; 321) kytkemisen ensiökäämien väliottoporttiin(118; 119); tunnettu siitä, että virityslohko (320; 321) sisältää yhden tai useamman resonanssipiirin.
13. Patenttivaatimuksen 12 mukainen menetelmä, jossa väliottoportti (118; 119)sisältää virtuaalisen vaihtojännitemaan.
14. Patenttivaatimuksen 12 mukainen menetelmä, jossa mainittu yksi tai useampiresonanssipiiri sisältää yhden tai useamman kapasitiivisen komponentin (511) jayhden tai useamman induktiivisen komponentin (512), jotka on kytketty sarjaan tairinnan.
15. Patenttivaatimuksen 12 mukainen menetelmä, jossa mainittu ainakin yksi viritys-lohko (320; 321) käyttää resonanssi piirejä yhden tai useamman taajuuskomponen-tin selektiiviseen korostamiseen tai vaimentamiseen.
16. Patenttivaatimuksen 12 mukainen menetelmä, jossa ainoa toisiokäämi (115) onlomitettu ensiökäämien (113; 114), joissa virran suunta on sama, väliin ja jossa en¬siökäämien joukko ja ainoa toisiokäämi on valmistettu käyttämällä (i) planaariraken-netta, (ii) pinottua rakennetta tai (iii) kerrosrakennetta.
17. Patenttivaatimuksen 16 mukainen menetelmä, jossa ensiökäämien (113; 114)joukkoja ainoa toisiokäämi (115) on valmistettu käyttämällä planaarirakennetta,jossa on metalli kerros, ja joka käsittää lisäksi ensiökäämien joukon valmistamisenmetalli kerrokseen vierekkäisiksi ensiökäämeiksi ja toisiokäämin valmistamisen mai¬nittuun metallikerrokseen siten, että toisiokäämi sijoitetaan ensiökäämien joukonvierekkäisten ensiökäämien väliin.
18. Patenttivaatimuksen 16 mukainen menetelmä, jossa ensiökäämien (113; 114)joukkoja ainoa toisiokäämi (115) on valmistettu käyttämällä pinottua rakennetta,jossa on ensimmäinen metallikerros ja toinen metallikerros vastapäätä ensimmäistä kerrosta, joka käsittää lisäksi ensiökäämien joukon valmistamisen ensimmäiseenmetallikerrokseen ja ainoan toisiokäämin valmistamisen toiseen metallikerrokseen.
19. Patenttivaatimuksen 16 mukainen menetelmä, jossa ensiökäämien (113; 114)joukkoja ainoa toisiokäämi (115) on valmistettu käyttämällä pinottua rakennetta,jossa on ensimmäinen metallikerros, toinen metallikerros, kolmas metallikerros janeljäs metallikerros, jolloin kolmas metallikerros on ensimmäisen ja toisen metalli-kerroksen välissä ja jolloin toinen metallikerros on kolmannen metallikerroksen janeljännen metallikerroksen välissä ja joka käsittää lisäksi: ensiökäämien joukon ensimmäisen ensiökäämin valmistamisen ensimmäiseen metal¬likerrokseen, ensiökäämien joukon toisen ensiökäämin valmistamisen toiseen metallikerrokseen jaainoan toisiokäämin valmistamisen kolmanteen metallikerrokseen ja neljänteen me¬tallikerrokseen, jolloin kolmas metallikerros ja neljäs metallikerros on kytketty aina¬kin yhden läpivientireiän avulla.
20. Patenttivaatimuksen 16 mukainen menetelmä, jossa ensiökäämien joukko jaainoa toisiokäämi on valmistettu käyttämällä kerrosrakennetta, jossa on ensimmäi¬nen metallikerros, toinen metallikerros, kolmas metallikerros ja neljäs metallikerros,jolloin kolmas metallikerros on ensimmäisen ja toisen metallikerroksen välissä jajolloin toinen metallikerros on kolmannen metallikerroksen ja neljännen metalliker¬roksen välissä, ja joka käsittä lisäksi: ensiökäämien joukon ensimmäisen ensiökäämin valmistamisen ensimmäisen metal¬likerroksen ensimmäiseen osaan ja toisen metallikerroksen ensimmäiseen osaan,jolloin ensimmäisen metallikerroksen ensimmäinen osa ja toisen metallikerroksenensimmäinen osa on kytketty ainakin yhden läpivientireiän avulla, ensiökäämien joukon toisen ensiökäämin valmistamisen ensimmäisen metallikerrok¬sen toiseen osaan ja toisen metallikerroksen toiseen osaan, jolloin ensimmäisenmetallikerroksen toinen osa ja toisen metallikerroksen toinen osa on kytketty ainakinyhden toisen läpivientireiän avulla ja ainoan toisiokäämin valmistamisen kolmanteen ja neljänteen metallikerrokseen,jolloin kolmas metallikerros ja neljäs metallikerros on kytketty ainakin yhden kol¬mannen läpivientireiän avulla.
21. Patenttivaatimuksen 12 mukainen menetelmä, jossa ensiökäämien joukko jaainoa toisiokäämi muodostavat muuntajan ja joka menetelmä käsittää lisäksi: apukäämin sijoittamisen muuntajan yhden tai useamman sivun viereen ensiökää¬mien joukon ja ainoan toisiokäämin välisen kytkennän määrän havaitsemiseksi.
FI20085015A 2007-01-10 2008-01-09 Järjestelmät ja menetelmät tehovahvistimia varten, joissa on jännitettä nostava muuntaja, jossa on enemmän kuin yksi ensiökäämi FI124817B (fi)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US88437407P 2007-01-10 2007-01-10
US88437407 2007-01-10
US96464607 2007-12-26
US11/964,646 US7675365B2 (en) 2007-01-10 2007-12-26 Systems and methods for power amplifiers with voltage boosting multi-primary transformers

Publications (3)

Publication Number Publication Date
FI20085015A0 FI20085015A0 (fi) 2008-01-09
FI20085015A FI20085015A (fi) 2008-07-11
FI124817B true FI124817B (fi) 2015-02-13

Family

ID=39591950

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI20085015A FI124817B (fi) 2007-01-10 2008-01-09 Järjestelmät ja menetelmät tehovahvistimia varten, joissa on jännitettä nostava muuntaja, jossa on enemmän kuin yksi ensiökäämi

Country Status (7)

Country Link
US (2) US7675365B2 (fi)
KR (1) KR100946118B1 (fi)
CN (1) CN101242159B (fi)
DE (1) DE102008003396B4 (fi)
FI (1) FI124817B (fi)
FR (1) FR2957211B1 (fi)
GB (1) GB2445677B (fi)

Families Citing this family (142)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7808356B2 (en) * 2004-08-31 2010-10-05 Theta Microelectronics, Inc. Integrated high frequency BALUN and inductors
US7675365B2 (en) * 2007-01-10 2010-03-09 Samsung Electro-Mechanics Systems and methods for power amplifiers with voltage boosting multi-primary transformers
US7616941B2 (en) * 2007-02-26 2009-11-10 Broadcom Corporation Method and system for improving efficiency over power control for linear and class AB power amplifiers
US7729683B2 (en) * 2007-02-26 2010-06-01 Broadcom Corporation Method and system for power amplifier (PA) with on-package matching transformer
US8085009B2 (en) 2007-08-13 2011-12-27 The Powerwise Group, Inc. IGBT/FET-based energy savings device for reducing a predetermined amount of voltage using pulse width modulation
US8619443B2 (en) 2010-09-29 2013-12-31 The Powerwise Group, Inc. System and method to boost voltage
US8810190B2 (en) 2007-09-14 2014-08-19 The Powerwise Group, Inc. Motor controller system and method for maximizing energy savings
US8698447B2 (en) 2007-09-14 2014-04-15 The Powerwise Group, Inc. Energy saving system and method for devices with rotating or reciprocating masses
US7576607B2 (en) * 2008-01-03 2009-08-18 Samsung Electro-Mechanics Multi-segment primary and multi-turn secondary transformer for power amplifier systems
US7812701B2 (en) 2008-01-08 2010-10-12 Samsung Electro-Mechanics Compact multiple transformers
US8044759B2 (en) 2008-01-08 2011-10-25 Samsung Electro-Mechanics Overlapping compact multiple transformers
US7777570B2 (en) * 2008-03-12 2010-08-17 Mediatek Inc. Transformer power combiner having secondary winding conductors magnetically coupled to primary winding conductors and configured in topology including series connection and parallel connection
US8994488B2 (en) 2008-03-12 2015-03-31 Mediatek Inc. Transformer power splitter having primary winding conductors magnetically coupled to secondary winding conductors and configured in topology including series connection and parallel connection
US7746174B2 (en) * 2008-06-12 2010-06-29 Samsung Electro-Mechanics Company, Ltd. Systems and methods for power amplifier with integrated passive device
US20100019858A1 (en) * 2008-07-22 2010-01-28 Star Rf, Inc. N:m transformer and impedance matching
KR101004943B1 (ko) * 2008-10-14 2010-12-28 삼성전기주식회사 무선통신용 송신 모듈
WO2010066955A1 (fr) 2008-12-11 2010-06-17 Yves Eray Circuit d'antenne rfid
WO2010070636A1 (en) * 2008-12-15 2010-06-24 Galtronics Corporation Ltd. Inductively coupled band selectable and tunable antenna
JP2010147574A (ja) * 2008-12-16 2010-07-01 Renesas Technology Corp 電力増幅器
IT1392575B1 (it) * 2008-12-30 2012-03-09 St Microelectronics Rousset Amplificatore con combinatore di potenza differenziale, a trasformatore attivo distribuito
US8666340B2 (en) * 2009-03-03 2014-03-04 Broadcom Corporation Method and system for on-chip impedance control to impedance match a configurable front end
US8462852B2 (en) 2009-10-20 2013-06-11 Intel Corporation Methods and apparatus for adaptively choosing a search range for motion estimation
US20110002387A1 (en) * 2009-07-03 2011-01-06 Yi-Jen Chiu Techniques for motion estimation
US8917769B2 (en) 2009-07-03 2014-12-23 Intel Corporation Methods and systems to estimate motion based on reconstructed reference frames at a video decoder
US9654792B2 (en) * 2009-07-03 2017-05-16 Intel Corporation Methods and systems for motion vector derivation at a video decoder
US9112452B1 (en) 2009-07-14 2015-08-18 Rf Micro Devices, Inc. High-efficiency power supply for a modulated load
US8665052B2 (en) * 2009-08-12 2014-03-04 Mediatek Inc. Transformer-based circuit with compact and/or symmetrical layout design
US8698446B2 (en) 2009-09-08 2014-04-15 The Powerwise Group, Inc. Method to save energy for devices with rotating or reciprocating masses
BR112012005097A2 (pt) 2009-09-08 2016-05-03 Powerwise Group Inc sistema de economia de energia e método para dispositivos com massas de alternância ou rotatórias
WO2011045312A1 (en) * 2009-10-12 2011-04-21 St-Ericsson (France) Sas Integrated transformer with multiple transformation ratios
CN201750521U (zh) * 2009-11-09 2011-02-16 邓克忠 可增益及除噪声的音源线
JP2011182107A (ja) * 2010-02-26 2011-09-15 Renesas Electronics Corp 電力増幅装置
US7944296B1 (en) * 2010-03-12 2011-05-17 Samsung Electro-Mechanics Company Low power mode amplification with a transformer output matching and a virtual ground
US8125276B2 (en) 2010-03-12 2012-02-28 Samsung Electro-Mechanics Sharing of inductor interstage matching in parallel amplification system for wireless communication systems
EP2782246B1 (en) 2010-04-19 2018-06-13 Qorvo US, Inc. Pseudo-envelope following power management system
US9099961B2 (en) 2010-04-19 2015-08-04 Rf Micro Devices, Inc. Output impedance compensation of a pseudo-envelope follower power management system
US8981848B2 (en) 2010-04-19 2015-03-17 Rf Micro Devices, Inc. Programmable delay circuitry
US9431974B2 (en) 2010-04-19 2016-08-30 Qorvo Us, Inc. Pseudo-envelope following feedback delay compensation
US8633766B2 (en) 2010-04-19 2014-01-21 Rf Micro Devices, Inc. Pseudo-envelope follower power management system with high frequency ripple current compensation
EP2385534B1 (en) 2010-05-05 2017-10-18 Nxp B.V. Integrated transformer
US8786381B2 (en) * 2010-06-28 2014-07-22 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Transformer structures for a power amplifier (PA)
KR101141471B1 (ko) * 2010-09-16 2012-05-04 삼성전기주식회사 트랜스포머
WO2012047738A1 (en) 2010-09-29 2012-04-12 Rf Micro Devices, Inc. SINGLE μC-BUCKBOOST CONVERTER WITH MULTIPLE REGULATED SUPPLY OUTPUTS
WO2012068258A2 (en) 2010-11-16 2012-05-24 Rf Micro Devices, Inc. Digital fast cordic for envelope tracking generation
EP2656610A4 (en) 2010-12-21 2015-05-20 Intel Corp SYSTEM AND METHOD FOR EXTENDED DMVD PROCESSING
WO2012106437A1 (en) 2011-02-02 2012-08-09 Rf Micro Devices, Inc. Fast envelope system calibration
WO2012109227A2 (en) 2011-02-07 2012-08-16 Rf Micro Devices, Inc. Group delay calibration method for power amplifier envelope tracking
US8624760B2 (en) 2011-02-07 2014-01-07 Rf Micro Devices, Inc. Apparatuses and methods for rate conversion and fractional delay calculation using a coefficient look up table
JP5691615B2 (ja) * 2011-02-21 2015-04-01 ソニー株式会社 信号処理装置、信号処理方法、および受信装置
KR101197904B1 (ko) 2011-04-04 2012-11-05 삼성전기주식회사 전력 결합기, 이를 갖는 전력 증폭 모듈 및 신호 송수신 모듈
US9247496B2 (en) 2011-05-05 2016-01-26 Rf Micro Devices, Inc. Power loop control based envelope tracking
US9379667B2 (en) 2011-05-05 2016-06-28 Rf Micro Devices, Inc. Multiple power supply input parallel amplifier based envelope tracking
US9246460B2 (en) 2011-05-05 2016-01-26 Rf Micro Devices, Inc. Power management architecture for modulated and constant supply operation
US9178627B2 (en) 2011-05-31 2015-11-03 Rf Micro Devices, Inc. Rugged IQ receiver based RF gain measurements
US9019011B2 (en) 2011-06-01 2015-04-28 Rf Micro Devices, Inc. Method of power amplifier calibration for an envelope tracking system
US8760228B2 (en) * 2011-06-24 2014-06-24 Rf Micro Devices, Inc. Differential power management and power amplifier architecture
WO2013012787A2 (en) 2011-07-15 2013-01-24 Rf Micro Devices, Inc. Modified switching ripple for envelope tracking system
US8952710B2 (en) 2011-07-15 2015-02-10 Rf Micro Devices, Inc. Pulsed behavior modeling with steady state average conditions
US9263996B2 (en) 2011-07-20 2016-02-16 Rf Micro Devices, Inc. Quasi iso-gain supply voltage function for envelope tracking systems
FR2978595A1 (fr) * 2011-07-28 2013-02-01 St Microelectronics Crolles 2 Transformateur du type symetrique-dissymetrique
US8624576B2 (en) 2011-08-17 2014-01-07 Rf Micro Devices, Inc. Charge-pump system for providing independent voltages
WO2013033700A1 (en) 2011-09-02 2013-03-07 Rf Micro Devices, Inc. Split vcc and common vcc power management architecture for envelope tracking
US8519814B2 (en) * 2011-09-30 2013-08-27 Intel Corporation Switchable transformer with embedded switches inside the windings
US8502598B2 (en) * 2011-09-30 2013-08-06 Intel Corporation Digitally-scalable transformer combining power amplifier
US8957728B2 (en) 2011-10-06 2015-02-17 Rf Micro Devices, Inc. Combined filter and transconductance amplifier
CN103959189B (zh) 2011-10-26 2015-12-23 射频小型装置公司 基于电感的并行放大器相位补偿
CN103988406B (zh) 2011-10-26 2017-03-01 Qorvo美国公司 射频(rf)开关转换器以及使用rf开关转换器的rf放大装置
US9484797B2 (en) 2011-10-26 2016-11-01 Qorvo Us, Inc. RF switching converter with ripple correction
US9024688B2 (en) 2011-10-26 2015-05-05 Rf Micro Devices, Inc. Dual parallel amplifier based DC-DC converter
US8975959B2 (en) 2011-11-30 2015-03-10 Rf Micro Devices, Inc. Monotonic conversion of RF power amplifier calibration data
US9250643B2 (en) 2011-11-30 2016-02-02 Rf Micro Devices, Inc. Using a switching signal delay to reduce noise from a switching power supply
US9515621B2 (en) 2011-11-30 2016-12-06 Qorvo Us, Inc. Multimode RF amplifier system
US9041365B2 (en) 2011-12-01 2015-05-26 Rf Micro Devices, Inc. Multiple mode RF power converter
US9280163B2 (en) 2011-12-01 2016-03-08 Rf Micro Devices, Inc. Average power tracking controller
US9256234B2 (en) 2011-12-01 2016-02-09 Rf Micro Devices, Inc. Voltage offset loop for a switching controller
US9041364B2 (en) 2011-12-01 2015-05-26 Rf Micro Devices, Inc. RF power converter
US8947161B2 (en) 2011-12-01 2015-02-03 Rf Micro Devices, Inc. Linear amplifier power supply modulation for envelope tracking
US9494962B2 (en) 2011-12-02 2016-11-15 Rf Micro Devices, Inc. Phase reconfigurable switching power supply
US9813036B2 (en) 2011-12-16 2017-11-07 Qorvo Us, Inc. Dynamic loadline power amplifier with baseband linearization
US9298198B2 (en) 2011-12-28 2016-03-29 Rf Micro Devices, Inc. Noise reduction for envelope tracking
TWI470926B (zh) * 2012-02-17 2015-01-21 Univ Nat Taiwan 具有折疊式變壓器的功率放大器及功率放大器網路
US8981839B2 (en) 2012-06-11 2015-03-17 Rf Micro Devices, Inc. Power source multiplexer
WO2014018861A1 (en) 2012-07-26 2014-01-30 Rf Micro Devices, Inc. Programmable rf notch filter for envelope tracking
US8624658B1 (en) * 2012-07-30 2014-01-07 Maxim Integrated Products, Inc. Frequency mixer having parallel mixer cores
JP5743978B2 (ja) * 2012-08-13 2015-07-01 株式会社東芝 電力増幅器および送信器
US9225231B2 (en) 2012-09-14 2015-12-29 Rf Micro Devices, Inc. Open loop ripple cancellation circuit in a DC-DC converter
US8779881B2 (en) * 2012-09-21 2014-07-15 Cambridge Silicon Radio Limited Varying inductance
US9197256B2 (en) 2012-10-08 2015-11-24 Rf Micro Devices, Inc. Reducing effects of RF mixer-based artifact using pre-distortion of an envelope power supply signal
KR101348267B1 (ko) * 2012-10-09 2014-01-09 주식회사 아이엠텍 초소형 cmos 전력 증폭기
JP5319006B2 (ja) * 2012-10-10 2013-10-16 ルネサスエレクトロニクス株式会社 電力増幅回路
US9207692B2 (en) 2012-10-18 2015-12-08 Rf Micro Devices, Inc. Transitioning from envelope tracking to average power tracking
US9627975B2 (en) 2012-11-16 2017-04-18 Qorvo Us, Inc. Modulated power supply system and method with automatic transition between buck and boost modes
US9431473B2 (en) 2012-11-21 2016-08-30 Qualcomm Incorporated Hybrid transformer structure on semiconductor devices
US9929696B2 (en) 2013-01-24 2018-03-27 Qorvo Us, Inc. Communications based adjustments of an offset capacitive voltage
US9178472B2 (en) 2013-02-08 2015-11-03 Rf Micro Devices, Inc. Bi-directional power supply signal based linear amplifier
DE102013101768A1 (de) * 2013-02-22 2014-08-28 Intel Mobile Communications GmbH Transformator und elektrische Schaltung
US10002700B2 (en) 2013-02-27 2018-06-19 Qualcomm Incorporated Vertical-coupling transformer with an air-gap structure
US9203353B2 (en) 2013-03-14 2015-12-01 Rf Micro Devices, Inc. Noise conversion gain limited RF power amplifier
WO2014152903A2 (en) 2013-03-14 2014-09-25 Rf Micro Devices, Inc Envelope tracking power supply voltage dynamic range reduction
US9634645B2 (en) 2013-03-14 2017-04-25 Qualcomm Incorporated Integration of a replica circuit and a transformer above a dielectric substrate
US9479118B2 (en) 2013-04-16 2016-10-25 Rf Micro Devices, Inc. Dual instantaneous envelope tracking
US9577683B2 (en) * 2013-04-22 2017-02-21 University Of Washington Through Its Center For Commercialization Systems, transceivers, receivers, and methods including cancellation circuits having multiport transformers
US9093978B2 (en) 2013-04-29 2015-07-28 Qualcomm Incorporated Multi-loop transformer having wideband frequency applications
US9160289B2 (en) * 2013-05-10 2015-10-13 Raytheon Company Broadband power amplifier having high efficiency
US9077310B2 (en) * 2013-05-30 2015-07-07 Mediatek Inc. Radio frequency transmitter, power combiners and terminations therefor
US9374005B2 (en) 2013-08-13 2016-06-21 Rf Micro Devices, Inc. Expanded range DC-DC converter
US9449753B2 (en) 2013-08-30 2016-09-20 Qualcomm Incorporated Varying thickness inductor
KR20160145694A (ko) 2014-04-16 2016-12-20 위트리시티 코포레이션 모바일 장치 분야의 무선 에너지 전송
US9906318B2 (en) 2014-04-18 2018-02-27 Qualcomm Incorporated Frequency multiplexer
US9614476B2 (en) 2014-07-01 2017-04-04 Qorvo Us, Inc. Group delay calibration of RF envelope tracking
US9922763B2 (en) * 2014-10-28 2018-03-20 Mediatek Singapore Pte. Ltd. Transformer with two transformation ratio
US20160125995A1 (en) * 2014-10-31 2016-05-05 Qualcomm Incorporated Array of interleaved 8-shaped transformers with high isolation between adjacent elements
KR102178526B1 (ko) * 2015-03-18 2020-11-16 삼성전기주식회사 전력 증폭기
USD773411S1 (en) 2015-04-27 2016-12-06 Witricity Corporation Resonator coil
USD769835S1 (en) 2015-05-15 2016-10-25 Witricity Corporation Resonator coil
USD770403S1 (en) * 2015-05-15 2016-11-01 Witricity Corporation Coil
USD770402S1 (en) * 2015-05-15 2016-11-01 Witricity Corporation Coil
DE102015212220A1 (de) 2015-06-30 2017-01-05 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Hochfrequenzverstärkeranordnung
US9912297B2 (en) 2015-07-01 2018-03-06 Qorvo Us, Inc. Envelope tracking power converter circuitry
US9941844B2 (en) 2015-07-01 2018-04-10 Qorvo Us, Inc. Dual-mode envelope tracking power converter circuitry
WO2017099578A1 (en) 2015-12-07 2017-06-15 Greenpeak Technologies B.V. On-chip balun circuit and multi-port antenna switch circuit
EP3182585B1 (en) * 2015-12-14 2020-07-22 Panthronics AG High-voltage digital power amplifier with sinusoidal output for rfid
USD814432S1 (en) 2016-02-09 2018-04-03 Witricity Corporation Resonator coil
US9973147B2 (en) 2016-05-10 2018-05-15 Qorvo Us, Inc. Envelope tracking power management circuit
US10186747B2 (en) * 2016-10-01 2019-01-22 Intel Corporation Transformer based on-package power combiner
CN106712782B (zh) * 2017-03-21 2022-06-17 麦堆微电子技术（上海）有限公司 一种毫米波单片集成发射功率分配电路
USD825503S1 (en) 2017-06-07 2018-08-14 Witricity Corporation Resonator coil
USD818434S1 (en) 2017-06-12 2018-05-22 Witricity Corporation Wireless charger
CN107579665B (zh) * 2017-09-30 2023-07-11 广东电网有限责任公司电力科学研究院 一种高压谐波电压源
US20190189734A1 (en) * 2017-12-20 2019-06-20 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Coupled t-coil
CN108270406B (zh) * 2018-01-25 2022-01-14 上海华虹宏力半导体制造有限公司 基于片上变压器的功率合成电路
US11005433B2 (en) * 2018-02-12 2021-05-11 Georgia Tech Research Corporation Continuous-mode harmonically tuned power amplifier output networks and systems including same
US10476437B2 (en) 2018-03-15 2019-11-12 Qorvo Us, Inc. Multimode voltage tracker circuit
US11195655B2 (en) * 2018-10-24 2021-12-07 Analog Devices International Unlimited Company Segmented winding techniques for a coupled inductor circuit
KR102098889B1 (ko) * 2018-11-22 2020-04-08 숭실대학교산학협력단 Rf 시스템을 위한 차동 전력증폭기
CN110324015A (zh) * 2019-07-26 2019-10-11 成都理工大学 一种高功率分布型有源变压合成功率放大器
CN110601668B (zh) * 2019-09-20 2024-03-08 重庆桴之科科技发展有限公司 一种面向车联网通信的高效功率放大器
US11574766B2 (en) 2020-04-17 2023-02-07 Analog Devices International Unlimited Company Techniques for a coupled inductor circuit
US11430600B2 (en) 2020-04-17 2022-08-30 Analog Devices International Unlimited Company Segmented winding center-tap techniques for a coupled inductor circuit
CN113593861A (zh) * 2021-08-09 2021-11-02 东南大学 一种阻抗转换比可调的两路功率合成片上变压器
CN114242403A (zh) * 2021-11-15 2022-03-25 南京矽力微电子技术有限公司 功率变换器，以及电感结构
CN116566329A (zh) * 2022-01-27 2023-08-08 锐石创芯(深圳)科技股份有限公司 巴伦、射频前端芯片和射频前端模组

Family Cites Families (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3060266A (en) * 1962-10-23 Stereophonic sound reproducing system
US2710312A (en) * 1952-05-20 1955-06-07 Acro Products Company Ultra linear amplifiers
US3815030A (en) * 1973-07-13 1974-06-04 Westinghouse Electric Corp Square wave driven power amplifier
US4105941A (en) 1977-08-11 1978-08-08 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Driver for reactive load
US4994760A (en) * 1985-02-14 1991-02-19 Signal One Corporation Apparatus and method for combining output signals from parallelly coupled power field effect transistors in high frequency amplifiers
US5091703A (en) * 1990-02-22 1992-02-25 Siemens Aktiengesellschaft Analog line connection
GB9019571D0 (en) * 1990-09-07 1990-10-24 Electrotech Instr Ltd Power transformers and coupled inductors with optimally interleaved windings
JP3141562B2 (ja) 1992-05-27 2001-03-05 富士電機株式会社 薄膜トランス装置
US5796165A (en) * 1996-03-19 1998-08-18 Matsushita Electronics Corporation High-frequency integrated circuit device having a multilayer structure
US5838723A (en) * 1996-03-28 1998-11-17 Micro Linear Corporation Dual 10BASE-T and 100BASE-TX transmission termination circuit
US6885275B1 (en) * 1998-11-12 2005-04-26 Broadcom Corporation Multi-track integrated spiral inductor
CA2279477A1 (en) 1999-07-30 2001-01-30 Robert Bisson Crest factor compensated driver
US6097273A (en) * 1999-08-04 2000-08-01 Lucent Technologies Inc. Thin-film monolithic coupled spiral balun transformer
US6476704B2 (en) * 1999-11-18 2002-11-05 The Raytheon Company MMIC airbridge balun transformer
US6396362B1 (en) * 2000-01-10 2002-05-28 International Business Machines Corporation Compact multilayer BALUN for RF integrated circuits
DE10035584A1 (de) * 2000-07-21 2002-01-31 Philips Corp Intellectual Pty Mobilfunkgerät
JP2005503679A (ja) * 2000-10-10 2005-02-03 カリフォルニア・インスティテュート・オブ・テクノロジー 分布型環状電力増幅器の構造
US6462950B1 (en) * 2000-11-29 2002-10-08 Nokia Mobile Phones Ltd. Stacked power amplifier module
US6466094B2 (en) * 2001-01-10 2002-10-15 Ericsson Inc. Gain and bandwidth enhancement for RF power amplifier package
US6577219B2 (en) * 2001-06-29 2003-06-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Multiple-interleaved integrated circuit transformer
JP3890947B2 (ja) * 2001-10-17 2007-03-07 松下電器産業株式会社 高周波半導体装置
US6614308B2 (en) * 2001-10-22 2003-09-02 Infineon Technologies Ag Multi-stage, high frequency, high power signal amplifier
US6731166B1 (en) 2001-11-26 2004-05-04 Analog Devices, Inc. Power amplifier system with multiple primary windings
US6801114B2 (en) * 2002-01-23 2004-10-05 Broadcom Corp. Integrated radio having on-chip transformer balun
US7042325B2 (en) * 2002-05-31 2006-05-09 International Rectifier Corporation Planar transformer arrangement
US7091813B2 (en) * 2002-06-13 2006-08-15 International Business Machines Corporation Integrated circuit transformer for radio frequency applications
US6737916B2 (en) * 2002-06-27 2004-05-18 Harris Corporation RF amplifier system having improved power supply
US7260152B2 (en) * 2002-08-07 2007-08-21 Spirent Communications Method and device for injecting a noise signal into a paired wire communication link
US6798295B2 (en) * 2002-12-13 2004-09-28 Cree Microwave, Inc. Single package multi-chip RF power amplifier
JP2004214258A (ja) * 2002-12-27 2004-07-29 Renesas Technology Corp 半導体モジュール
JP4012840B2 (ja) * 2003-03-14 2007-11-21 三菱電機株式会社 半導体装置
TWI220337B (en) * 2003-08-05 2004-08-11 Delta Electronics Inc Front-end module for wireless network system
JP2005175262A (ja) * 2003-12-12 2005-06-30 Renesas Technology Corp 半導体装置およびその製造方法
DE102004001094B4 (de) * 2004-01-05 2013-01-31 Infineon Technologies Ag Leistungsverstärkeranordnung
US7157965B1 (en) * 2004-06-21 2007-01-02 Qualcomm Incorporated Summing power amplifier
US7242245B2 (en) * 2004-07-08 2007-07-10 Amalfi Semiconductor, Inc. Method and apparatus for an improved power amplifier
US7091791B1 (en) * 2004-07-23 2006-08-15 Atheros Communications, Inc. Transformer implementation using bonding wires
US7129784B2 (en) * 2004-10-28 2006-10-31 Broadcom Corporation Multilevel power amplifier architecture using multi-tap transformer
US7372336B2 (en) 2004-12-31 2008-05-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Small-sized on-chip CMOS power amplifier having improved efficiency
US20060284698A1 (en) 2005-06-15 2006-12-21 Nokia Corporation Low-loss microstrip transmission line structure and a method for its implementation
US7288995B2 (en) * 2005-06-15 2007-10-30 Nokia Corporation Power amplifier of a transmitter
US7276420B2 (en) * 2005-07-11 2007-10-02 Freescale Semiconductor, Inc. Method of manufacturing a passive integrated matching network for power amplifiers
US7486167B2 (en) * 2005-08-24 2009-02-03 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Cross-coupled inductor pair formed in an integrated circuit
US7362182B2 (en) 2005-08-31 2008-04-22 Ge Security, Inc. Power amplifier
US7348656B2 (en) * 2005-09-22 2008-03-25 International Rectifier Corp. Power semiconductor device with integrated passive component
US20070069717A1 (en) 2005-09-28 2007-03-29 Cheung Tak S Self-shielded electronic components
US7675365B2 (en) 2007-01-10 2010-03-09 Samsung Electro-Mechanics Systems and methods for power amplifiers with voltage boosting multi-primary transformers
US8242872B2 (en) * 2007-05-18 2012-08-14 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Transformer with effective high turn ratio

Also Published As

Publication number Publication date
CN101242159A (zh) 2008-08-13
US7880547B2 (en) 2011-02-01
DE102008003396B4 (de) 2014-03-27
FR2957211A1 (fr) 2011-09-09
FI20085015A (fi) 2008-07-11
GB2445677B (en) 2011-12-07
KR20080065917A (ko) 2008-07-15
US20080164941A1 (en) 2008-07-10
DE102008003396A1 (de) 2008-07-31
FR2957211B1 (fr) 2016-05-06
CN101242159B (zh) 2011-09-21
KR100946118B1 (ko) 2010-03-10
US7675365B2 (en) 2010-03-09
GB0800400D0 (en) 2008-02-20
US20100148866A1 (en) 2010-06-17
FI20085015A0 (fi) 2008-01-09
GB2445677A (en) 2008-07-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FI124817B (fi) Järjestelmät ja menetelmät tehovahvistimia varten, joissa on jännitettä nostava muuntaja, jossa on enemmän kuin yksi ensiökäämi
KR101079425B1 (ko) 다중 세그먼트 1차측 권선 및 다중 턴 2차측 권선을 갖는 트랜스포머를 포함하는 전력증폭기 시스템 및 방법
JP5191530B2 (ja) 変圧器電力合成器
US7477114B2 (en) 3DB coupler
US9071198B2 (en) Amplifier circuit
KR101079474B1 (ko) 내부 정합 인덕터를 공유하는 무선 통신을 위한 병렬 증폭 장치
US9450545B2 (en) Dual-band semiconductor RF amplifier device
EP2433333B1 (en) Circuits and methods combining signal power
KR101004943B1 (ko) 무선통신용 송신 모듈
JP2008278345A (ja) 半導体装置
US20100244948A1 (en) Multiple-input and multiple-output amplifier using mutual induction in the feedback network
JP2012015798A (ja) 高周波電力増幅器
US20220321067A1 (en) Low noise amplifier incorporating sutardja transformer
JP5481357B2 (ja) 高周波処理回路
CN117353693B (zh) 一种差分阻抗变换器及电子设备
CN115565766A (zh) 一种带直流偏置端口结构的片上变压器以及其版图结构
CN116886055A (zh) 可改善毫米波频段线性失真的差分e类数字化功率放大器
Acar et al. Large signal and small signal building blocks for cellular infrastructure
Aoki Integrated Power Amplification

Legal Events

Date Code Title Description
FG Patent granted

Ref document number: 124817

Country of ref document: FI

Kind code of ref document: B