FI120118B - Förfarande för framställning av en aluminiumoxidfilm för användning i en halvledaranordning - Google Patents

Förfarande för framställning av en aluminiumoxidfilm för användning i en halvledaranordning Download PDF

Info

Publication number
FI120118B
FI120118B FI20002871A FI20002871A FI120118B FI 120118 B FI120118 B FI 120118B FI 20002871 A FI20002871 A FI 20002871A FI 20002871 A FI20002871 A FI 20002871A FI 120118 B FI120118 B FI 120118B
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
reaction chamber
gas
aluminum
layer
source material
Prior art date
Application number
FI20002871A
Other languages
English (en)
Finnish (fi)
Other versions
FI20002871A0 (sv
FI20002871A (sv
Inventor
Chan Lim
Kyong-Min Kim
Yong-Sik Yu
Original Assignee
Hyundai Electronics Ind
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hyundai Electronics Ind filed Critical Hyundai Electronics Ind
Publication of FI20002871A0 publication Critical patent/FI20002871A0/sv
Publication of FI20002871A publication Critical patent/FI20002871A/sv
Application granted granted Critical
Publication of FI120118B publication Critical patent/FI120118B/sv

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
    • C23C16/45534—Use of auxiliary reactants other than used for contributing to the composition of the main film, e.g. catalysts, activators or scavengers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/403—Oxides of aluminium, magnesium or beryllium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
    • H01L21/02178—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing aluminium, e.g. Al2O3
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
    • H01L21/31604—Deposition from a gas or vapour
    • H01L21/31616—Deposition of Al2O3
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
    • H01L21/31604—Deposition from a gas or vapour
    • H01L21/31616—Deposition of Al2O3
    • H01L21/3162—Deposition of Al2O3 on a silicon body

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Claims (35)

1. Förfarande för framstäiining av en aluminiumoxidfilrn för använd-ning I en halvledaranordning, kännetecknat av att förfarandet omfattar 5 steg, där man: a) framställer ett halvledande substrat (102) och piacerar det halvledande substratet i en reaktionskammare; b) matar ett aluminiumkäiimateriai och Nhh-gas samtidigt in i reaktionskammaren för att aborbera dessa pä det halvledande substratet; 10 c) avlägsnar oreagerat MTMA eller biprodukt genom att mata kvä- vegas In i reaktionskammaren eller genom vakuumrening; d) matar ett syrekällmaterial in i reaktionskammaren för att ab-sorbera detta pä det halvledande substratet; och e) avlägsnar oreagerad syrekälfa eller biprodukt genom att mata 15 kvävegas in i reaktionskammaren eller genom vakuumrening.
2. Förfarande enligt patentkrav 1, där stegen b) - e) upprepas genom användning av en atomskiktsutfällningsteknik (ALD) tills ett aluminium-skikt med en pä förhand bestämd tjocklek blidats pä det halvledande substratet. 20 3. Förfarande enligt patentkrav 1, där skiktningstemperaturen hälls vid 200 - 450 °C och skiktningstryckei hälls vid 50 - 300 mTorr.
4. Förfarande enligt patentkrav 1, där alumniurnkäjlmaterialet omfat-tar ett metallorganiskt materia! av trimetylaluminium (TMA) eller modifierat trimetyialuminium (MTMA). 25 5. Förfarande enligt patentkrav 1, där aluminiumkällmaterialet och NHs-gasen mätäs in i reaktionskammaren under 0,1 - 3 sekunder genom skilda matarror
6. Förfarande enligt patentkrav 5, där NFh-gasen mätäs under fö-rutsättningen att ströningshastigheten är20 -1 000 scm3/min. 30 7*. Förfarande enligt patentkrav 1, där syrekällmaterialet at förängat vatien.
8. Förfarande enligt patentkrav 5, där syrekällmaierialet mätäs tili reaktionskammaren under 0,1 - 3 sekunder.
9. Förfarande enligt patentkrav 7, där after steg e), förfarandet om- 35 fättar ytteriägare steg, där man; f) avlägsnar koipartiklar i aluminiumoxidfilmen; och g) värmebehandlar aluminiumoxidfiimen för komprirnering av denna vid 650 ~ 850 °C i an N2-rik atmosfär.
10. Förfarande enligt patentkrav 9, där steg f) utförs vid 300 - 450 °C genom användning av en metod, som är vald ur en grupp, tili vilken hör CV 5 plasma, NsO-plasma, Ex-PNT eller UV/O3.
11. Förfarande för framstälining av en aiuminiumoxidfilm för användning i en haiviedaranordning, k ä n net e c k n a t av att förfarandet öm-fattar steg, där man: a) framställer ett halviedande subsirat {102} och piacerar det halv- 10 iedande substratet i en reaktionskammare; b) matar ett aluminiumkällmateriäl in i reaktidnskammaren for att absorbera detta pä det halviedande substratet; c) avlägsnar oreagerat MTMA eller biprodukt genom att mata N2~ gas in i reaktionskammaren ejler genom vakuumrening; 15 d) matar ett syrekallmateriäl och NH3-gas in l reaktionskammaren för att absorbera dessa pä det halviedande substratet; och e) avlägsnar oreagerad syrekälia eller biprodukt genom att mata kvävegas in i reaktionskammaren eller genom vakuumrening.
12. Förfarande enligt patentkrav 11, där stegen b) - e) upprepäS 20 genom användning av en atofflskiktsutfällningsteknik (ALD) tills ett aluminium- skikt med en pä förhand bestämd tjocklek bildats pä det halviedande substratet.
13. Förfarande enligt patentkrav 11, där skiktningstemperaturen hails vid 200 - 450 °C och skiktningstrycket halls vid 50 - 300 mTorr. 25 14. Förfarande enligt patentkrav 11, där alumniumkallmaterialet är ett metaliorganiskt material av trimetyialuminium (TMA) eller modifierat trimety-ialuminium (MTMA).
15. Förfarande enligt patentkrav 11, där syrekällmaterialet och NH3-gasen mätäs in i reaktionskammaren under 0,1 - 3 sekunder genom skilda 30 matarrör.
16. Förfarande enligt patentkrav 15, där NH3-gasen mätäs under förutsättningen att strömngshastigheten är 20 -1 000 scm3/min.
17. Förfarande enligt patentkrav 11, där syrekällmaterialet ät förän- gat vatten. 35 18, Förfarande enligt patentkrav 17, där syrekällmaterialet mätäs tili reaktionskammaren under 0,1 - 3 sekunder. |
19. Förfarande enligt patentkrav 17, där after steg e), förfarandet omfattarytierligare steg, där man: f) avlägsnar koipartiklar i aluminiumoxidfilmen; och g) värmebehandlar aluminiurnGxidfilmen för komprimering av denha 5 vid 650 - 850 °C i en Nz-rik atmosfär.
20. Förfarande enligt patentkrav 19, där steg f) utförs vid 300 - 450 °C genom användning av en metod, som är vald ur en grupp, tili viiken hor 02-plasma, NzO-piasma, Ex~PNT elier UV/03.
21. Förfarande för framställning av en aluminiurnQxidfilm för anto vändning i en halviedaranordning, kanne tec k n a t av att förfarandet om- fattar steg, där man: a) framstäiler ett halvledande substrat (102) och placerar det halv-ledande substratet i en reaktionskammare; b) matar ett aluminiumkällrnaterial och NH3-gas in i reaktionskam- 15 maren samtididigt för att absofbera dessa pä det halvledande substratet; c) avlägsnar Oreagerat MTMA elier biprodukt genom att mata N2-gas in i reaktionskammaren elier genom vakuumrening; d) matar ett syrekäHmaterial och NH3-gas in i reaktionskammaren för att absorbera dessa pä det halvledande substratet; och 20 e) avlägsnar oreagerad syrekälia elier biprodukt genom att mata kvävegas in i reaktionskammaren elier genom vakuumrening.
22. Förfarande enligt patentkrav 21, där stegen b) - e) upprepas genom användning av en atomskiktsutfäilningsteknik (ALD) tills et aluminium-skikt med en pa förhand bestämd tjocklek bildats pä det halvledande sub- 25 stratet.
23. Förfarande enligt patentkrav 21, där skiktningstemperaturen halls vid 200 - 450 °C och skiktningstryeket hails vid 50 - 300 mTorr.
24. Förfarande enligt patentkrav 21, där alumniumkälimaterialet är ett metaltorganiskf material av trimetylaluminium (TMA) elier modifierat trimety- 30 falu.min.ium. (MTMA).
25. Förfarande enligt patentkrav 21, där syrekällmatenalet och NH3-gasen mätäs in i reaktionskammaren under 0,1 - 3 sekunder genom skilda matarrör, och aluminiumkällmaterialet och NH3-gasen mätäs in i reaktionskammaren under 0,1 - 3 sekunder genom skilda matarrör. 35 26. Förfarande enligt patentkrav 25, där NH3-gasen mätäs under förutsättningen att ströningshastigheten är 20 -1 000 scm3/mln.
27. Föifarande enifgt patentkrav 21, där syrekäilmaterialei ät förän- gai vatien.
28, Förfarande eniigt patentkrav 27, där syrekäilmatenatet mätäs tili reaktionskammaren under 0,1 - 3 sekunder. 5 29. Förfarande eniigt patentkrav 27, där efter steg e), förfarandet omfattar ytterligare steg, där man: f) avlägsnar kölpartikiar i aluminlumoxidfilmen; och g) värmebehandlar aluminiumoxidfilmen för kompnmenng av denna vid 650 - 850 °C I en N2-rik atmosfär. 10 30. Förfarande eniigt patentkrav 29, där steg f) utförs vid 300 - 450 °C genom användning av en nrcetod, som är vald ur en grupp, tili vilken hör 02-plasma, N2Q-plasma, Ex-PNT eller UV/O3.
31. Förfarande för framställning av en haivledaranordning, k ä n -n e t e c k n a f av att förlarandet omfattar steg, dir man: 15 a) framställer en aktiv matns (110), som är försedd med ett substrat (102), isoleringsomräden (104), grindllnje (113), grind oxid (112) och ett första isolerskikt (116); b) bildar efter varandra ett buffertskikt (118) och ett första ledande skikt (120) pä den aktiva matrisen; 20 c) biidar ett dielektriskt skikt av aiuminiumoxid (AI2O3) pä det första ledande skiktet genom användning av ALD-teknik under matande av reaktiv NHs-gas med en aluminlumkäiia och/elier syrekälla; d) biidar ett andra ledande skikt (124) pä det dielektriska skiktet och mönstrar det andra ledande skiktet, det dieiektriska skiktet, det första ledande 25 skiktet och buffertskiktet, varvid erhäiis en kondensatorstruktur; e) biidar ett vätebarriärskikt pä ytan av kondensatorstrukturen (150); f) biidar en bitlinje (144B) och en lokal förbindeise efter utfäilning av ett andra isolerskikt; och g) biidar ett passiveringsskikt (152) pä hela ytan. 30 32. Förfarande eniigt patentkrav 31, där grindoxiden framställs frän afuminiumoxid genom användning av ALD-teknik under matande av reaktiv NHs-gas med en aiuminiumkäiia och/el!er en syrekälla.
33. Förfarande eniigt patentkrav 32, där vätebarriärskiktet framställs frän aiuminiumoxid genom användning av ALD-teknik under matande av reak- 35 tiv NHg-gas med en aiuminiumkäiia och/eller en syrekälla.
34. Förfarande eniigt patentkrav 31, där after steg c), förfarandet omfattar ytterligare ett steg, där det dielektriska skiktet värmebehandias för komprimering av detta.
35. Förfarande entigt patentkrav 34, där steget för värmebehandiing 5 av det dielektriska skiktet uiförs vid 650 - S5Q °C i eri N2~rik omgivning.
FI20002871A 1999-12-29 2000-12-28 Förfarande för framställning av en aluminiumoxidfilm för användning i en halvledaranordning FI120118B (sv)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019990065029A KR100356473B1 (ko) 1999-12-29 1999-12-29 반도체 소자의 알루미늄 옥사이드 박막 형성 방법
KR19990065029 1999-12-29

Publications (3)

Publication Number Publication Date
FI20002871A0 FI20002871A0 (sv) 2000-12-28
FI20002871A FI20002871A (sv) 2001-06-30
FI120118B true FI120118B (sv) 2009-06-30

Family

ID=19632235

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI20002871A FI120118B (sv) 1999-12-29 2000-12-28 Förfarande för framställning av en aluminiumoxidfilm för användning i en halvledaranordning

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6723598B2 (sv)
JP (1) JP4324753B2 (sv)
KR (1) KR100356473B1 (sv)
DE (1) DE10065454B4 (sv)
FI (1) FI120118B (sv)
TW (1) TW466774B (sv)

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002222934A (ja) * 2001-01-29 2002-08-09 Nec Corp 半導体装置およびその製造方法
TWI229935B (en) * 2002-11-13 2005-03-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor device and method for fabricating the same
KR100520902B1 (ko) * 2002-11-20 2005-10-12 주식회사 아이피에스 알루미늄 화합물을 이용한 박막증착방법
JP4005602B2 (ja) * 2003-03-17 2007-11-07 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
US6806096B1 (en) * 2003-06-18 2004-10-19 Infineon Technologies Ag Integration scheme for avoiding plasma damage in MRAM technology
KR100695511B1 (ko) * 2004-06-07 2007-03-15 주식회사 하이닉스반도체 원자층 증착 방법을 이용한 반도체 소자의 Ａｌ₂Ｏ₃박막형성방법
US20050276922A1 (en) * 2004-06-10 2005-12-15 Henry Bernhardt Method of forming thin dielectric layers
KR100773755B1 (ko) * 2004-11-18 2007-11-09 주식회사 아이피에스 플라즈마 ａｌｄ 박막증착방법
JP4946145B2 (ja) * 2006-04-13 2012-06-06 富士通セミコンダクター株式会社 強誘電体メモリの製造方法
TW200841393A (en) * 2007-04-02 2008-10-16 Miin-Jang Chen Optoelectronic device and method of fabricating the same
US9373500B2 (en) 2014-02-21 2016-06-21 Lam Research Corporation Plasma assisted atomic layer deposition titanium oxide for conformal encapsulation and gapfill applications
US9997357B2 (en) 2010-04-15 2018-06-12 Lam Research Corporation Capped ALD films for doping fin-shaped channel regions of 3-D IC transistors
US9257274B2 (en) 2010-04-15 2016-02-09 Lam Research Corporation Gapfill of variable aspect ratio features with a composite PEALD and PECVD method
US8637411B2 (en) 2010-04-15 2014-01-28 Novellus Systems, Inc. Plasma activated conformal dielectric film deposition
US9892917B2 (en) 2010-04-15 2018-02-13 Lam Research Corporation Plasma assisted atomic layer deposition of multi-layer films for patterning applications
US9287113B2 (en) 2012-11-08 2016-03-15 Novellus Systems, Inc. Methods for depositing films on sensitive substrates
US9685320B2 (en) 2010-09-23 2017-06-20 Lam Research Corporation Methods for depositing silicon oxide
US20120128867A1 (en) * 2010-11-23 2012-05-24 Paulson Charles A Method of forming conformal barrier layers for protection of thermoelectric materials
US8927329B2 (en) * 2011-03-30 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing oxide semiconductor device with improved electronic properties
JP6192966B2 (ja) * 2013-04-01 2017-09-06 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム
US9437443B2 (en) * 2013-06-12 2016-09-06 Globalfoundries Inc. Low-temperature sidewall image transfer process using ALD metals, metal oxides and metal nitrides
US9214334B2 (en) * 2014-02-18 2015-12-15 Lam Research Corporation High growth rate process for conformal aluminum nitride
US9564312B2 (en) 2014-11-24 2017-02-07 Lam Research Corporation Selective inhibition in atomic layer deposition of silicon-containing films
US10566187B2 (en) 2015-03-20 2020-02-18 Lam Research Corporation Ultrathin atomic layer deposition film accuracy thickness control
US9773643B1 (en) 2016-06-30 2017-09-26 Lam Research Corporation Apparatus and method for deposition and etch in gap fill
US10062563B2 (en) 2016-07-01 2018-08-28 Lam Research Corporation Selective atomic layer deposition with post-dose treatment
US10037884B2 (en) 2016-08-31 2018-07-31 Lam Research Corporation Selective atomic layer deposition for gapfill using sacrificial underlayer
US10269559B2 (en) 2017-09-13 2019-04-23 Lam Research Corporation Dielectric gapfill of high aspect ratio features utilizing a sacrificial etch cap layer
US11374170B2 (en) 2018-09-25 2022-06-28 Applied Materials, Inc. Methods to form top contact to a magnetic tunnel junction
CN114959646A (zh) * 2022-04-08 2022-08-30 普乐新能源科技(徐州)有限公司 一种优异的ald镀膜工艺
CN116815165B (zh) * 2023-08-24 2023-11-28 无锡松煜科技有限公司 一种低反射率的氧化铝钝化膜的制备方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5833841A (ja) * 1981-08-24 1983-02-28 Hitachi Ltd 半導体装置
JPS62122133A (ja) * 1985-11-21 1987-06-03 Nec Corp 溶液塗布による薄膜の形成方法
JPH03237719A (ja) * 1990-02-14 1991-10-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体絶縁膜の形成方法
JPH0786269A (ja) * 1993-09-10 1995-03-31 Fujitsu Ltd アルミナ膜形成方法およびそれを用いた薄膜トランジスタの製造方法
KR100385946B1 (ko) * 1999-12-08 2003-06-02 삼성전자주식회사 원자층 증착법을 이용한 금속층 형성방법 및 그 금속층을장벽금속층, 커패시터의 상부전극, 또는 하부전극으로구비한 반도체 소자
US6287965B1 (en) * 1997-07-28 2001-09-11 Samsung Electronics Co, Ltd. Method of forming metal layer using atomic layer deposition and semiconductor device having the metal layer as barrier metal layer or upper or lower electrode of capacitor
KR100269306B1 (ko) * 1997-07-31 2000-10-16 윤종용 저온처리로안정화되는금속산화막으로구성된완충막을구비하는집적회로장치및그제조방법
US6305314B1 (en) * 1999-03-11 2001-10-23 Genvs, Inc. Apparatus and concept for minimizing parasitic chemical vapor deposition during atomic layer deposition
US6255122B1 (en) * 1999-04-27 2001-07-03 International Business Machines Corporation Amorphous dielectric capacitors on silicon
US6780704B1 (en) * 1999-12-03 2004-08-24 Asm International Nv Conformal thin films over textured capacitor electrodes
KR20020004539A (ko) * 2000-07-06 2002-01-16 박종섭 수소확산을 방지할 수 있는 강유전체 메모리 소자 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20010065160A (ko) 2001-07-11
DE10065454A1 (de) 2001-08-09
DE10065454B4 (de) 2010-04-08
US20010051444A1 (en) 2001-12-13
US6723598B2 (en) 2004-04-20
KR100356473B1 (ko) 2002-10-18
TW466774B (en) 2001-12-01
FI20002871A0 (sv) 2000-12-28
JP4324753B2 (ja) 2009-09-02
FI20002871A (sv) 2001-06-30
JP2001267316A (ja) 2001-09-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FI120118B (sv) Förfarande för framställning av en aluminiumoxidfilm för användning i en halvledaranordning
TW589684B (en) Method for depositing refractory metal layers employing sequential deposition techniques
JP2605465B2 (ja) 容量絶縁膜の形成方法
KR0167570B1 (ko) 반도체 디바이스에 있어서의 유전체막(誘電體膜)의 형성방법
JP2636755B2 (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
US6589886B2 (en) Method for manufacturing aluminum oxide film for use in a semiconductor device
TWI231314B (en) Method for manufacturing a titanium nitride thin film
KR960008150B1 (ko) 고융점 금속 질화물의 증착방법 및 고융점 금속 질화물을 함유하는 전도막의 형성방법
JPH11195648A (ja) 熱処理装置
US20060263523A1 (en) Atomic layer deposition methods of forming conductive metal nitride-comprising layers
JP2001148380A (ja) 半導体デバイスにメタル窒化物膜を統合するための方法及び装置
JPS62142770A (ja) タングステンシリサイドフィルムをデポジションする方法
JP2006057162A (ja) バリア膜の形成方法
US6620740B2 (en) Methods to form electronic devices
CN107924841A (zh) 气体供给部、衬底处理装置及半导体器件的制造方法
JPS60245231A (ja) 硼燐珪酸塩ガラスの蒸着方法
KR100451569B1 (ko) 수소배리어막을 구비한 반도체 장치의 제조 방법
JP4024624B2 (ja) 半導体装置の製造方法及び製造装置
CN110468388A (zh) 原子层沉积法形成氮化物膜的方法
WO2020154009A1 (en) Methods for depositing silicon nitride
JPH03209869A (ja) 容量絶縁膜の形成方法
JP2982863B2 (ja) 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
JP3176069B2 (ja) 一リン化チタン層の形成方法およびその使用
US20110121430A1 (en) Method for forming a silicon dioxide/metal oxide-nanolaminate with a desired wet etch rate
US6150226A (en) Semiconductor processing methods, methods of forming capacitors, methods of forming silicon nitride, and methods of densifying silicon nitride layers

Legal Events

Date Code Title Description
FG Patent granted

Ref document number: 120118

Country of ref document: FI

MM Patent lapsed