FI113378B - Flerdelad stöddegel - Google Patents

Flerdelad stöddegel Download PDF

Info

Publication number
FI113378B
FI113378B FI932128A FI932128A FI113378B FI 113378 B FI113378 B FI 113378B FI 932128 A FI932128 A FI 932128A FI 932128 A FI932128 A FI 932128A FI 113378 B FI113378 B FI 113378B
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
crucible
segments
support
segment
respect
Prior art date
Application number
FI932128A
Other languages
English (en)
Finnish (fi)
Other versions
FI932128A (fi
FI932128A0 (fi
Inventor
Julius Wegmeth
Bernd Schmidt
Original Assignee
Sgl Carbon Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sgl Carbon Ag filed Critical Sgl Carbon Ag
Publication of FI932128A publication Critical patent/FI932128A/fi
Publication of FI932128A0 publication Critical patent/FI932128A0/fi
Application granted granted Critical
Publication of FI113378B publication Critical patent/FI113378B/sv

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/10—Crucibles or containers for supporting the melt
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10S117/90—Apparatus characterized by composition or treatment thereof, e.g. surface finish, surface coating
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10—Apparatus
    • Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
    • Y10T117/1032—Seed pulling
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10—Apparatus
    • Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
    • Y10T117/1032—Seed pulling
    • Y10T117/1052—Seed pulling including a sectioned crucible [e.g., double crucible, baffle]

Claims (10)

1. StÖddegel (3) av atminstone tvä segment (2, 2'), vid vilken segmenten (2) är ätskilda genom i degelns (3) 5 sidoväggsomräde (11) tili degelbottnen (12) väsentligen vertikalt gäende och även degelbottnen (12) genomgäende fo-gar (10), kännetecknad av att de motliggande, segmenten (2) mot respektive grannsegment (2', 2") avgränsande ytorna vid drift ständigt överlappar varandra i degelns (3) 10 omkretsriktning, och att dessa ytor atminstone i degelns (3) sidoväggsomräde (11) skär en av de av mittaxeln och degelns största ytterradie bestämda ytorna.
2. StÖddegel (3) enligt inledningsdelen i patent-kravet 1, kännetecknad av att de motliggande, segmen- 15 ten (2) mot respektive grannsegment avgränsande ytorna är komplementärt formade, och att dessa ytor har uppkommit genom pä degelns (3) mantelyta parallellt med degelns mittax-el i vinkel mot pä detta ställe av mittaxeln och degelns största ytterradie bestämda ytor börjande, bägformigt mot 20 degelns (3) mittaxel förda snitt, och att dessa ytor vid drift alltid överlappar varandra i degelns (3) omkretsrikt-: ning.
.· 3. StÖddegel (3) enligt patentkravet 1, känne - • | t e c k n a d av att de motstäende, segmenten (2) mot respek- : 25 tive grannsegment (2',2") avgränsande ytorna är komplemen- tärt formade och alltid överlappar varandra i degelns (3) k.! omkretsriktning. t · ·
4. StÖddegel (3) enligt patentkraven 1, 2 och 3, kännetecknad av att degeln (3) bestär av tre segment ···! 30 (2, 2', 2") med samma form.
*...· 5. StÖddegel (3) enligt patentkravet 1, 2, 3 eller ....j 4, kännetecknad av att degeln (3) bestär av elektro- .···. grafit.
6. StÖddegel (3) enligt patentkravet 1, 2, 3 eller 35 4, kännetecknad av att degeln (3) bestär av kolfiber- ·, *: förstärkt koi. 113378 12
7. Stöddegel (3) enligt patentkravet 1, 2, 3 eller 4, kännetecknad av att degeln (3) bestär av glasar-tigt koi.
8. Stöddegel (3) enligt ett eller flera av de före-5 gäende patentkraven 1 - 7, kännetecknad av att degeln (3) bestär av ett gasrenat kolmaterial.
9. Användning av en stöddegel (3) enligt nagot av patentkraven 1-8 vid degeldragningsförfarandet för fram-ställning av kristaller.
10 10. Förfarande för framställning av en stöddegel (3) av ätminstone tvä segment (2, 2'), vilka ätskiljas ge-nom i degelns sidoväggsomräde (11) tili degelbottnen (12) väsentligen vertikalt gäende och även degelbottnen (12) ge-nomgäende fogar (10, 10'), kännetecknat av att degel- 15 segmenten (2, 2') framställs genom snitt, vilka börjar pä mantelytan (11) av den ännu ej i segment (2, 2") uppdelade degeln (3) parallellt med degelns mittaxel i vinkel mot en yta, bestämd av degelns (3) mittaxel och största ytterradie vid snittets början, och att dessa snitt utförs bägformigt 20 frän börjestället pä degelmanteln (11) tili degelns (3) mittaxel. » * » * < »
FI932128A 1991-09-12 1993-05-11 Flerdelad stöddegel FI113378B (sv)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4130253 1991-09-12
DE4130253A DE4130253C2 (de) 1991-09-12 1991-09-12 Mehrteiliger Stütztiegel und Verfahren zu seiner Herstellung
EP9201956 1992-08-26
PCT/EP1992/001956 WO1993005205A1 (de) 1991-09-12 1992-08-26 Mehrteiliger stütztiegel

Publications (3)

Publication Number Publication Date
FI932128A FI932128A (fi) 1993-05-11
FI932128A0 FI932128A0 (fi) 1993-05-11
FI113378B true FI113378B (sv) 2004-04-15

Family

ID=6440387

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI932128A FI113378B (sv) 1991-09-12 1993-05-11 Flerdelad stöddegel

Country Status (8)

Country Link
US (1) US5372090A (sv)
EP (1) EP0557480B1 (sv)
KR (1) KR100198874B1 (sv)
CZ (1) CZ286853B6 (sv)
DE (1) DE4130253C2 (sv)
ES (1) ES2064300T3 (sv)
FI (1) FI113378B (sv)
WO (1) WO1993005205A1 (sv)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19723070A1 (de) * 1997-06-02 1998-12-03 Siemens Ag Vorrichtung und Verfahren zum Schmelzen und Kristallisieren von Stoffen
EP0892091A1 (en) * 1997-07-03 1999-01-20 MEMC Electronic Materials, Inc. Graphite support vessels having a low concentration of calcium impurities and use thereof for production of single-crystal silicon
DE19806863A1 (de) * 1998-02-19 1999-08-26 Herbst Bremer Goldschlaegerei Verfahren zum Schmelzen von Gußwerkstoffen und vorzugsweise zur Durchführung des Verfahrens dienender Schmelztiegel
DE19830785A1 (de) * 1998-07-09 2000-01-13 Wacker Siltronic Halbleitermat Stütztiegel zur Stützung von Schmelztiegeln
FR2804131A1 (fr) * 2000-01-20 2001-07-27 Lorraine Carbone Porte-creuset pour le tirage de monocristaux
FR2804132B1 (fr) * 2000-01-20 2002-06-07 Lorraine Carbone Porte-creuset pour le tirage de monocristaux
US20020124792A1 (en) * 2001-01-09 2002-09-12 Hariprasad Sreedharamurthy Crystal puller and method for growing single crystal semiconductor material
JP3617466B2 (ja) * 2001-03-16 2005-02-02 三菱住友シリコン株式会社 単結晶引上げ装置
DE10321785A1 (de) * 2003-05-14 2004-12-16 Sgl Carbon Ag Dauerhafter CFC-Stütztiegel für Hochtemperaturprozesse beim Ziehen von Halbleiterkristallen
KR101063250B1 (ko) 2008-10-16 2011-09-07 한국에너지기술연구원 실리콘 전자기 유도 용융용 흑연 도가니 및 이를 이용한 실리콘 용융 정련 장치
KR100995927B1 (ko) * 2008-10-16 2010-11-22 한국에너지기술연구원 실리콘 전자기 유도 용융용 흑연 도가니 및 이를 이용한 실리콘 용융 정련 장치
CN102115909A (zh) * 2010-10-13 2011-07-06 浙江舒奇蒙能源科技有限公司 一种三瓣石墨坩埚单晶炉
JP5870406B2 (ja) * 2012-05-29 2016-03-01 東海カーボン株式会社 坩堝保持具および坩堝保持具の製造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5320522A (en) * 1976-08-10 1978-02-24 Toshiba Corp Pulse width modulated circuit for d.c. motor control circuit
JPS549172A (en) * 1977-06-24 1979-01-23 Toshiba Corp Method of producing single crystal
JPS57170892A (en) * 1981-04-10 1982-10-21 Toshiba Ceramics Co Ltd Crucible holder made of graphite for manufacture of silicon single crystal
JPS5895693A (ja) * 1981-11-30 1983-06-07 Toshiba Ceramics Co Ltd 単結晶引上げ用黒鉛ルツボ
JPS6163593A (ja) * 1984-09-05 1986-04-01 Toshiba Corp 化合物半導体単結晶の製造装置
DE3743952A1 (de) * 1986-12-26 1988-07-07 Toshiba Ceramics Co Einrichtung zum ziehen von siliziumeinkristallen mit einem waermeisolierzylinder und verfahren zur herstellung des materials desselben
JPS6454319A (en) * 1987-08-26 1989-03-01 Sumitomo Electric Industries Measuring method for temperature of molten metal
JP2579951B2 (ja) * 1987-09-14 1997-02-12 株式会社東芝 半導体単結晶の製造装置
JPS6479093A (en) * 1987-09-22 1989-03-24 Nippon Steel Corp Pulling up device for single crystal rod
SU1487514A1 (ru) * 1987-10-19 1990-10-15 Gnii Pi Redkometa Подставка под кварцевый тигель ;
DE4007053A1 (de) * 1989-03-21 1990-09-27 Schunk Kohlenstofftechnik Gmbh Graphittiegel, verfahren zu seiner herstellung und verwendung
JPH03174390A (ja) * 1989-12-01 1991-07-29 Nippon Steel Corp 単結晶の製造装置
JPH03228892A (ja) * 1990-01-31 1991-10-09 Japan Silicon Co Ltd 半導体製造装置

Also Published As

Publication number Publication date
FI932128A (fi) 1993-05-11
DE4130253A1 (de) 1993-03-18
CZ64293A3 (en) 1994-01-19
DE4130253C2 (de) 2001-10-04
WO1993005205A1 (de) 1993-03-18
EP0557480B1 (de) 1995-05-17
KR930702558A (ko) 1993-09-09
FI932128A0 (fi) 1993-05-11
CZ286853B6 (cs) 2000-07-12
EP0557480A1 (en) 1993-09-01
KR100198874B1 (en) 1999-06-15
ES2064300T1 (es) 1995-02-01
US5372090A (en) 1994-12-13
ES2064300T3 (es) 1995-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FI113378B (sv) Flerdelad stöddegel
JP3388742B2 (ja) 合成ガラス質シリカ成形体の熱処理設備
US5441014A (en) Apparatus for pulling up a single crystal
US5858486A (en) High purity carbon/carbon composite useful as a crucible susceptor
EP2128308B1 (en) Floating zone melting apparatus
US3751539A (en) Use of vapor deposition to form a hollow tubular body closed on one end
JP2022518858A (ja) 半導体結晶成長装置
WO2002072926A1 (en) Hybrid crucible susceptor
KR910009130B1 (ko) 실리콘 단결정 성장(Pull-up)장치
Peech et al. Preparation of pure alkali halide crystals and some of their properties
CN111453979B (zh) 制造具有大横截面积的重型玻璃预制件的高强度焊接方法
GB870408A (en) Treatment of silicon
TW202217083A (zh) 具有用於覆蓋矽進料之蓋構件之晶體提拉系統及用於在坩鍋總成內生長矽熔體之方法
JP6055100B2 (ja) 方向性凝固の過程での溶融シリコン上の反応性カバーガラス
JP2009051679A (ja) 単結晶育成装置、単結晶育成方法
GB1559768A (en) Optical fibre preform manufacture
KR910009131B1 (ko) 실리콘 단결정 성장(Pull-up)장치
JP3640940B2 (ja) 半導体単結晶製造装置
CN217499488U (zh) 热场结构及单晶炉
JPH03290393A (ja) Ｓｉ単結晶製造用ルツボ
EP3754276A1 (en) Oven for the melting of precious metals in the jewellery sector
JPH11292685A (ja) シリコンナイトライド被覆により単結晶シリコン成長用のグラファイトサセプタの寿命を延長するための装置および方法
US6126742A (en) Method of drawing single crystals
KR20010031525A (ko) 도파관 섬유 인발방법 및 장치
Ursu et al. Growth of large ultratransparent KCl single crystals

Legal Events

Date Code Title Description
GB Transfer or assigment of application

Owner name: SGL CARBON AG

MA Patent expired