JPH03228892A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH03228892A JPH03228892A JP2294390A JP2294390A JPH03228892A JP H03228892 A JPH03228892 A JP H03228892A JP 2294390 A JP2294390 A JP 2294390A JP 2294390 A JP2294390 A JP 2294390A JP H03228892 A JPH03228892 A JP H03228892A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 17
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 9
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- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体単結晶インゴットを製造する場合に使
用する半導体製造装置に関するものである。
用する半導体製造装置に関するものである。
従来、この種の半導体製造装置は第８図に示すように構
成されている。これを同図および第９図に基づいて説明
すると、同図において、符号１で示すものは上方に開口
するチャンバー２をその内部に有する容器、３はこの容
器１内に設けられかつ棒体４に台座５を介して保持され
軸線に平行な分割面Ａをもつ２つの保持体３ａ、３ｂか
らなる保持器、６はこの保持器３によって保持され半導
体単結晶インゴット形成用の被溶融体７をその内部に有
する坩堝、８はこの坩堝６の周囲に前記保持器３を介し
て設けられ被溶融体７を溶融する加熱装置としてのヒー
タである。また、９はチョクラルスキー法等によって製
造された成長中の半導体単結晶インゴット、１０は前記
両保持体３ａ。
成されている。これを同図および第９図に基づいて説明
すると、同図において、符号１で示すものは上方に開口
するチャンバー２をその内部に有する容器、３はこの容
器１内に設けられかつ棒体４に台座５を介して保持され
軸線に平行な分割面Ａをもつ２つの保持体３ａ、３ｂか
らなる保持器、６はこの保持器３によって保持され半導
体単結晶インゴット形成用の被溶融体７をその内部に有
する坩堝、８はこの坩堝６の周囲に前記保持器３を介し
て設けられ被溶融体７を溶融する加熱装置としてのヒー
タである。また、９はチョクラルスキー法等によって製
造された成長中の半導体単結晶インゴット、１０は前記
両保持体３ａ。
３ｂ間に形成された間隙である。なお、前記台座５には
上方に開口する凹部５ａが設けられており、この凹部５
ａに嵌合する突出部３ｃが前記保持器３の下端部に設け
られている。
上方に開口する凹部５ａが設けられており、この凹部５
ａに嵌合する突出部３ｃが前記保持器３の下端部に設け
られている。
ところで、この種の半導体製造装置においては、保持器
３が２つの保持体３ａ、３ｂに分割形成されているが、
これは次に示す理由からである。すなわち、例えばシリ
コン等の被溶融体７が冷却によって固化すると、被溶融
体７の体積が１．０９倍の体積に膨張し、その固化が被
溶融体７の上方から下方に向かって進行するものである
ため、体積膨張による応力が坩堝６を外側に押し拡げる
ことによる保持器３の破損発生を防止するためである。
３が２つの保持体３ａ、３ｂに分割形成されているが、
これは次に示す理由からである。すなわち、例えばシリ
コン等の被溶融体７が冷却によって固化すると、被溶融
体７の体積が１．０９倍の体積に膨張し、その固化が被
溶融体７の上方から下方に向かって進行するものである
ため、体積膨張による応力が坩堝６を外側に押し拡げる
ことによる保持器３の破損発生を防止するためである。
しかるに、従来の半導体製造装置においては、ヒータ８
の加熱による被溶融体７内の熱分布に偏りが発生し、被
溶融体７内の熱対流が不均一に行われていた。これは、
保持体３ａ、３ｂの各分割面が被溶融体７の同化前にお
いて互いに密接しておらず、このため両保持体３ａ、３
ｂ間に形成された間隙１０からヒータ８の輻射熱が保持
器３内に漏洩して坩堝６内の被溶融体７を不均一に加熱
してしまうからである。この結果、半導体単結晶インゴ
ット９の成長に悪影響を及ぼして品質としての信頼性が
低下するという問題があった。
の加熱による被溶融体７内の熱分布に偏りが発生し、被
溶融体７内の熱対流が不均一に行われていた。これは、
保持体３ａ、３ｂの各分割面が被溶融体７の同化前にお
いて互いに密接しておらず、このため両保持体３ａ、３
ｂ間に形成された間隙１０からヒータ８の輻射熱が保持
器３内に漏洩して坩堝６内の被溶融体７を不均一に加熱
してしまうからである。この結果、半導体単結晶インゴ
ット９の成長に悪影響を及ぼして品質としての信頼性が
低下するという問題があった。
なお、長期間使用後における両保持体間の間隙１０は、
ヒータ８の加熱によって分割面が損傷を受けることから
増大することが判明している。
ヒータ８の加熱によって分割面が損傷を受けることから
増大することが判明している。
また、従来の半５導体製造装置には、保持器３を３個以
上の保持体（図示せず）に分割形成したものがあるが、
この場合にも略同様に上記不具合を解消できないことが
確認されている。
上の保持体（図示せず）に分割形成したものがあるが、
この場合にも略同様に上記不具合を解消できないことが
確認されている。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、半導
体単結晶インゴットを良好に成長させることができ、も
って品質としての信卸性を高めることができる半導体製
造装置を提供するものである。
体単結晶インゴットを良好に成長させることができ、も
って品質としての信卸性を高めることができる半導体製
造装置を提供するものである。
本発明に係る半導体製造装置は、坩堝の保持器を円周方
向に分割することにより複数の保持体に形成し、これら
保持体の分割面のうち各々が互いに隣接する２つの分割
面の一側分割面に切欠きを設け、この切欠き内に臨む凸
部を他側分割面に設けたものである。
向に分割することにより複数の保持体に形成し、これら
保持体の分割面のうち各々が互いに隣接する２つの分割
面の一側分割面に切欠きを設け、この切欠き内に臨む凸
部を他側分割面に設けたものである。
本発明においては、保持器によって加熱装置の加熱によ
る輻射熱を遮断して坩堝の加熱を均一に行うことができ
る。
る輻射熱を遮断して坩堝の加熱を均一に行うことができ
る。
以下、本発明の構成等を図に示す実施例によって詳細に
説明する。
説明する。
第１図は本発明に係る半導体製造装置の保持器を台座に
保持した状態を示す斜視図、第２図および第３図は同じ
く本発明における半導体製造装置の保持体を台座に保持
した状態を示す断面図と平面図で、同図以下において第
８図および第９図と同一の部材については同一の符号を
付し、詳細な説明は省略する。同図において、符号１１
で示すものは台座５の凹部５ａに嵌合する突出部１１ａ
を有する保持器で、円周方向に分割することにより２個
の保持体１２．１３からなり、前記チャンバー２内の前
記坩堝６を保持し得るように構成されている。そして、
前記保持体１２．１３の分割面のうち各々が互いに隣接
する２つの分割面の一側分割面には傾斜面１４ａ、１５
ａをもつ切欠き１４．１５が設けられており、他側分割
面には各＝５ 切欠き１４．１５内に臨む凸部１６．１７が設けられて
いる。なお、前記切欠き１４．１５のうち終端部は、前
記突出部１１ａの近傍に延在しており、保持状態におい
ては前記台座５の縁部より内側に位置付けられる。また
、１８は前記両保持体１２．１３間に形成された間隙で
ある。
保持した状態を示す斜視図、第２図および第３図は同じ
く本発明における半導体製造装置の保持体を台座に保持
した状態を示す断面図と平面図で、同図以下において第
８図および第９図と同一の部材については同一の符号を
付し、詳細な説明は省略する。同図において、符号１１
で示すものは台座５の凹部５ａに嵌合する突出部１１ａ
を有する保持器で、円周方向に分割することにより２個
の保持体１２．１３からなり、前記チャンバー２内の前
記坩堝６を保持し得るように構成されている。そして、
前記保持体１２．１３の分割面のうち各々が互いに隣接
する２つの分割面の一側分割面には傾斜面１４ａ、１５
ａをもつ切欠き１４．１５が設けられており、他側分割
面には各＝５ 切欠き１４．１５内に臨む凸部１６．１７が設けられて
いる。なお、前記切欠き１４．１５のうち終端部は、前
記突出部１１ａの近傍に延在しており、保持状態におい
ては前記台座５の縁部より内側に位置付けられる。また
、１８は前記両保持体１２．１３間に形成された間隙で
ある。
このように構成された半導体製造装置においては、保持
器１１によってヒータ８の加熱による輻射熱を遮断して
坩堝６の加熱を均一に行うことができる。
器１１によってヒータ８の加熱による輻射熱を遮断して
坩堝６の加熱を均一に行うことができる。
したがって、本実施例においては、ヒータ８の加熱によ
る被溶融体７内の熱対流が均一に行われるから、半導体
単結晶インゴット９を良好に成長させることができる。
る被溶融体７内の熱対流が均一に行われるから、半導体
単結晶インゴット９を良好に成長させることができる。
なお、本実施例においては、保持体１２．１３の各分割
面の外側に傾斜面１４ａ、 １５ａをもつ切欠き１４
．１５である場合を示したが、本発明はこれに限定され
るものではなく、例えば第４図に示すように保持体２１
．２２の各分割面の内側に切欠き２３．２４の傾斜面２
３ａ、２４ａをもつ場合であっても実施例と同様の効果
を奏する。
面の外側に傾斜面１４ａ、 １５ａをもつ切欠き１４
．１５である場合を示したが、本発明はこれに限定され
るものではなく、例えば第４図に示すように保持体２１
．２２の各分割面の内側に切欠き２３．２４の傾斜面２
３ａ、２４ａをもつ場合であっても実施例と同様の効果
を奏する。
同図において、符号５１は両保持体２１．２２間に形成
された段差である。
された段差である。
また、本発明における切欠き形状としては前述した実施
例に限定されず、第５図に示すように保持体２５．２６
の各分割面に断面Ｖ字状の切欠き２７．２８であっても
よく、この他第６図に示すように保持体２９．３０の各
分割面に段差３１゜３２を設けてなるもの、あるいは第
７図に示すように保持体３３．３４の各分割面に曲面状
の切欠き３５．３６を設けてなるものでも何等差し支え
ない。
例に限定されず、第５図に示すように保持体２５．２６
の各分割面に断面Ｖ字状の切欠き２７．２８であっても
よく、この他第６図に示すように保持体２９．３０の各
分割面に段差３１゜３２を設けてなるもの、あるいは第
７図に示すように保持体３３．３４の各分割面に曲面状
の切欠き３５．３６を設けてなるものでも何等差し支え
ない。
さらに、本発明における保持器の分割数は２個に限定さ
れず、３個以上の分割数であってもよいことは勿論であ
る。
れず、３個以上の分割数であってもよいことは勿論であ
る。
以上説明したように本発明によれば、坩堝の保持器を円
周方向に分割することにより複数の保持体に形成し、こ
れら保持体の分割面のうち各々が互いに隣接する２つの
分割面の一側分割面に切欠きを設け、この切欠き内に臨
む凸部を他側分割面に設けたので、保持器によって加熱
装置の加熱による輻射熱を遮断して坩堝の加熱を均一に
行うことができる。したがって、被溶融体内の熱対流が
均一に行われるから、半導体単結晶インゴットを良好に
成長させることができ、品質としての信頼性を高めるこ
とができる。
周方向に分割することにより複数の保持体に形成し、こ
れら保持体の分割面のうち各々が互いに隣接する２つの
分割面の一側分割面に切欠きを設け、この切欠き内に臨
む凸部を他側分割面に設けたので、保持器によって加熱
装置の加熱による輻射熱を遮断して坩堝の加熱を均一に
行うことができる。したがって、被溶融体内の熱対流が
均一に行われるから、半導体単結晶インゴットを良好に
成長させることができ、品質としての信頼性を高めるこ
とができる。
第１図は本発明に係る半導体製造装置の保持器を台座に
保持した状態を示す斜視図、第２図および第３図は同じ
く本発明における半導体製造装置の保持体を台座に保持
した状態を示す断面図と平面図、第４図〜第７図は他の
実施例における保持器を示す平面図、第８図は従来の半
導体製造装置を示す断面図、第９図はその坩堝の保持状
態を示す斜視図である。 １１・・・・保持器、１２．１３・・・・保持体、１４
．１５・・・・切欠き、１６．１７・・・・凸部。 代 理 人 大岩増雄
保持した状態を示す斜視図、第２図および第３図は同じ
く本発明における半導体製造装置の保持体を台座に保持
した状態を示す断面図と平面図、第４図〜第７図は他の
実施例における保持器を示す平面図、第８図は従来の半
導体製造装置を示す断面図、第９図はその坩堝の保持状
態を示す斜視図である。 １１・・・・保持器、１２．１３・・・・保持体、１４
．１５・・・・切欠き、１６．１７・・・・凸部。 代 理 人 大岩増雄
Claims (1)
- 保持器によって保持され半導体単結晶インゴット形成用
の被溶融体をその内部に有する坩堝と、この坩堝の周囲
に前記保持器を介して設けられ被溶融体を溶融する加熱
装置とを備えた半導体製造装置において、前記保持器を
円周方向に分割することにより複数の保持体に形成し、
これら保持体の分割面のうち各々が互いに隣接する２つ
の分割面の一側分割面に切欠きを設け、この切欠き内に
臨む凸部を他側分割面に設けたことを特徴とする半導体
製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2294390A JPH03228892A (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2294390A JPH03228892A (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03228892A true JPH03228892A (ja) | 1991-10-09 |
Family
ID=12096708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2294390A Pending JPH03228892A (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03228892A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1993005205A1 (de) * | 1991-09-12 | 1993-03-18 | Ringsdorff-Werke Gmbh | Mehrteiliger stütztiegel |
| EP0971054A1 (de) * | 1998-07-09 | 2000-01-12 | Wacker Siltronic Gesellschaft für Halbleitermaterialien Aktiengesellschaft | Stütztiegel zur Stützung von Schmelztiegeln |
| FR2804131A1 (fr) * | 2000-01-20 | 2001-07-27 | Lorraine Carbone | Porte-creuset pour le tirage de monocristaux |
| FR2804132A1 (fr) * | 2000-01-20 | 2001-07-27 | Lorraine Carbone | Porte-creuset pour le tirage de monocristaux |
| DE19717380B4 (de) * | 1996-05-20 | 2008-06-26 | Mitsubishi Materials Silicon Corp. | Verfahren zur Anbringung eines Schmelztiegels auf einer Halterung einer Einkristall-Ziehvorrichtung, sowie dabei verwendete Vorrichtung zum Zusammenfügen der Halterung und dabei verwendete Halterung |
| JP2011132083A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-07-07 | Denso Corp | 炭化珪素単結晶の製造装置およびそれを用いた炭化珪素単結晶の製造方法 |
-
1990
- 1990-01-31 JP JP2294390A patent/JPH03228892A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1993005205A1 (de) * | 1991-09-12 | 1993-03-18 | Ringsdorff-Werke Gmbh | Mehrteiliger stütztiegel |
| US5372090A (en) * | 1991-09-12 | 1994-12-13 | Ringsdorff-Werke Gmbh | Multipart support crucible and method for producing the same |
| DE19717380B4 (de) * | 1996-05-20 | 2008-06-26 | Mitsubishi Materials Silicon Corp. | Verfahren zur Anbringung eines Schmelztiegels auf einer Halterung einer Einkristall-Ziehvorrichtung, sowie dabei verwendete Vorrichtung zum Zusammenfügen der Halterung und dabei verwendete Halterung |
| EP0971054A1 (de) * | 1998-07-09 | 2000-01-12 | Wacker Siltronic Gesellschaft für Halbleitermaterialien Aktiengesellschaft | Stütztiegel zur Stützung von Schmelztiegeln |
| FR2804131A1 (fr) * | 2000-01-20 | 2001-07-27 | Lorraine Carbone | Porte-creuset pour le tirage de monocristaux |
| FR2804132A1 (fr) * | 2000-01-20 | 2001-07-27 | Lorraine Carbone | Porte-creuset pour le tirage de monocristaux |
| US6334898B1 (en) | 2000-01-20 | 2002-01-01 | Le Carbone Lorraine | Crucible holder for pulling monocrystals |
| WO2001053572A3 (fr) * | 2000-01-20 | 2002-03-07 | Lorraine Carbone | Porte-creuset pour le tirage de monocristaux |
| JP2011132083A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-07-07 | Denso Corp | 炭化珪素単結晶の製造装置およびそれを用いた炭化珪素単結晶の製造方法 |
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