CZ286853B6 - Výztužný kelímek - Google Patents

Výztužný kelímek Download PDF

Info

Publication number
CZ286853B6
CZ286853B6 CZ1993642A CZ64293A CZ286853B6 CZ 286853 B6 CZ286853 B6 CZ 286853B6 CZ 1993642 A CZ1993642 A CZ 1993642A CZ 64293 A CZ64293 A CZ 64293A CZ 286853 B6 CZ286853 B6 CZ 286853B6
Authority
CZ
Czechia
Prior art keywords
crucible
reinforcing
segments
reinforcement
walls
Prior art date
Application number
CZ1993642A
Other languages
English (en)
Other versions
CZ64293A3 (en
Inventor
Julius Wegmeth
Bernd Schmidt
Original Assignee
Sgl Carbon Aktiengesellschaft
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sgl Carbon Aktiengesellschaft filed Critical Sgl Carbon Aktiengesellschaft
Publication of CZ64293A3 publication Critical patent/CZ64293A3/cs
Publication of CZ286853B6 publication Critical patent/CZ286853B6/cs

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/10Crucibles or containers for supporting the melt
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S117/00Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10S117/90Apparatus characterized by composition or treatment thereof, e.g. surface finish, surface coating
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10Apparatus
    • Y10T117/1024Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
    • Y10T117/1032Seed pulling
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10Apparatus
    • Y10T117/1024Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
    • Y10T117/1032Seed pulling
    • Y10T117/1052Seed pulling including a sectioned crucible [e.g., double crucible, baffle]

Abstract

Protilehlé plochy výztužného kelímku (3), které ohraničují štěrbiny (10, 10', 10'') mezi sousedními segmenty (2, 2', 2''), se v provozním stavu v obvodovém směru výztužného kelímku (3) stále překrývají, přičemž tyto plochy nejméně v oblasti bočních stěn (11) výztužného kelímku (3) protínají plochu definovanou střední osou (M) a největším vnějším poloměrem výztužného kelímku (3). Použití výztužného kelímku (3) může být např. pro výrobu krystalů tažením z kelímku. Kelímkové segmenty (2, 2', 2'') se vyrábí řezy, které se na plášťových plochách bočních stěn (11) výztužného kelímku (3), ještě nerozděleného na segmenty (2, 2', 2''), nasazují rovnoběžně se středovou osou (M) výztužného kelímku (3) pod úhlem (.alfa.) k ploše, která je definovaná středovou osou (M) výztužného kelímku (3) a největším vnějším poloměrem výztužného kelímku (3), přičemž tyto řezy se provádí vycházejíc od místa nasazení na boční stěně (11) až ke středové ose (M) ve tvaru oblouku a úhel (.alfa.) je větší než 0.degrŕ

Description

Oblast techniky
Vynález se týká výztužného kelímku z nejméně dvou segmentů, u kterého jsou segmenty odděleny štěrbinami, které probíhají v oblasti bočních stěn kelímku až ke kelímkovému dnu svisle a prostupují rovněž kelímkové dno. Dále se vynález týká použití tohoto kelímku a způsob jeho výroby.
Dosavadní stav techniky
Výztužné kelímky výše popsaného typu slouží k uložení a vyztužení jednodílných kelímků, které jsou provozovány při teplotách nad jejich mez deformace a obsahují taveniny látek. Tyto výztužné kelímky musí být schopny vyrovnávat rozpínání a smršťování vyztužovacího tavícího kelímku a sestávají tudíž z nejméně dvou segmentů, vzniklých kolmým dělením. Přídavně musí splňovat funkci jímače pro přenášení tepelné energie na vyztužovací taviči kelímek. Vzhledem k materiálu jsou na ně kladeny vysoké požadavky. Musí být tvarově stále při teplotách nad tavící nebo reakční teplotou, která panuje v zařízení, a nesmí vytvářet taveniny s materiálem vyztužovaného tavícího kelímku reagovat chemicky a nemají vydávat znečišťující látky rušící průběh procesu.
Hlavním oborem použití výztužných kelímků je výroba krystalů z taveniny, zejména monokrystalů, například germania, křemíku nebo binárních sloučenin pro průmysl polovodičů způsobem tažení z kelímku. Vynález bude dále pomocí příkladů popsán na základě nejčastěji používaného způsobu Czochralského. Přesný popis tohoto způsobu nebo jiných tažení z kelímku zde nebude uveden a bude pouze uvedena příslušná literatura, např. Winnacker/Kuchler: Chem. technologie, 4. vydání, svazek 3, str. 424 až 427 a 452 až 460, nakl. Carl Hanser, Mnichov/Vídeň 1983, jakož i Ullmann: Encyklopedie průmyslové chemie, 5. vydání, svazek A8, str. 121 ff., VCH Verlaggeschellschaft Weinheim 1987 a tam uvedená literatura. Použití výztužného kelímku podle předloženého vynálezu však není omezeno na výše uvedené způsoby. Platí pro všechny způsoby, při kterých tavící kelímky zahřívané zvnějšku nepřímo, zejména zářením, jsou obklopeny výztužným kelímkem.
Při variantě způsobu tažení z kelímku je v prvním, uvnitř zařízení uspořádaném, kelímku tavenina nějakého prvku, jako křemíku, ze které se pomocí do taveniny ponořeného, ponejvíce tyčovitého monokrystalu jako očkovacího nebo mateřského krystalu při otáčení vytahuje tyč monokrystalu. Tento první kelímek je obvykle z křemene a zejména při tažení křemíkových monokrystalů je teplota tak vysoká, že se kelímek z křemene stane plastickým a potřebuje vnější tvarově stálou výztuhu. Jako výztuha se přednostně používají grafitové kelímky, které musí být vytvořeny z více dílů, neboť kelímek z křemene se při změnách teploty smršťuje, příp. rozpíná, a výztužný kelímek musí tyto pohyby provádět s ním. Zvláště při ochlazení dochází k rozpínání kelímku z křemene, které by bylo kritické. Vnitřní uspořádání kelímku se uvede vyhřívacími zařízeními na žádanou teplotu tavení a na ní se udržuje. Přednostně se při tom používá ohřev zářením. Uspořádáním alespoň jednoho ohřívacího prvku obklopujícího v odstupu kelímky se zahřívá přímým průtokem proudu nebo indukčně a přenáší v podstatě zářením teplo na výztužný kelímek, působící také jako jímač, přes který se teplo přenáší v podstatě vedením na vyztužovaný taviči kelímek a taveninu.
Tím jsou dány problémy pro tažení krystalů, na které jsou kladeny nejvyšší požadavky na čistotu a bezchybnost krystalové stavby. Jedna část záření dopadá štěrbinami oddělujícími segmenty výztužného prvku kelímku přímo na kelímek obsahující taveninu a způsobuje na nich přímí ozařovaná pásma, oproti pásmům kelímku ohřívaným segmenty jímače nepřímo a tedy
-1 CZ 286853 B6 rovnoměrně, tzn. teplotní nerovnoměrnosti a tím chybné proudy s turbulencemi v tavenině, které vedou k nepravidelnostem při růstu krystalků a k nežádoucímu pohlcování nečistot jako kyslíku. Jiný problém vzniká, což je v praxi nejčastější případ, je-li vyztužovaný kelímek z křemenného skla a výztužný kelímek z uhlíku, zejména grafitu. V pásmech, ve kterých se hrany dělících štěrbin segmentů dotýkají kelímku z křemene, probíhají při přímém působení tepelného záření na kelímek z křemene zesílené reakce mezi uhlíkem výztužného kelímku a křemenem při vyvíjení oxidu uhelnatého a oxidu křemnatého. Těmito procesy se kelímek z křemene a výztužný kelímek podél dělicích štěrbin zeslabí a jejich životnost je zkrácena, což značně zvýší náklady na provádění způsobu.
V německém patentovém spise č. 40 07 053 je popsán výztužný kelímek z grafitu pro tažení křemíkových monokrystalů z křemenných kelímků, který je opatřen na své vnitřní ploše, na horním okraji a na styčných plochách segmentů, ochrannou vrstvou ze spojovací výplně a v ní uloženými protaženými nekonečnými uhlíkovými vlákny, která podle jednoho možného způsobu provedení může jako plnivo přídavně obsahovat uhlíkový nebo grafitový prach. Účelem tohoto vynálezu bylo vytvořit výztužný kelímek pro křemenný kelímek, který je odolný proti napadení křemíkem, oxidem křemnatým a oxidem křemičitým. Popisované řešení sice zmenší obecný problém reakce navzájem se dotýkajících materiálů a produktů této reakce s grafitovým výztužným kelímkem, netýká se však zvláštních problémů, které vznikají přímým tepelným ozařováním stěny křemenného kelímku podél dělicích štěrbin segmentů výztužného kelímku a tyto problémy také nemůže tudíž řešit.
Podstata vynálezu
Úkolem předloženého vynálezu je proto vytvořit výztužný kelímek, sestávající ze segmentů, pro vyztužený kelímek obsahující taveninu, který je tvarován tak, že vyztužený kelímek již není vystaven záření vystupujícímu zvyhřívacího ústrojí obklopujícího výztužný kelímek v oblasti dělicích štěrbin, nacházejících se v oblasti pláště mezi segmenty výztužného kelímku.
Vynález řeší tento úkol tím, že vytváří výztužný kelímek z nejméně dvou segmentů, u kterého jsou segmenty odděleny štěrbinami, které probíhají v oblasti bočních stěn kelímku až ke kelímkovému dnu svisle a prostupují rovněž kelímkové dno. Podle vynálezu se protilehlé plochy, které ohraničují štěrbiny, mezi sousedními segmenty v provozním stavu v obvodovém směru výztužného kelímku stále překrývají, přičemž tyto plochy nejméně v oblasti bočních stěn vyztuženého kelímku protínají plochu, definovanou střední osou a největším vnějším poloměrem výztužného kelímku.
Jiné řešení výztužného kelímku podle vynálezu spočívá vtom, že protilehlé plochy, které ohraničují štěrbiny mezi sousedními segmenty, vznikly prostřednictvím řezů, které přiléhají na povrchu pláště výztužného kelímku rovnoběžně ke střední rovině výztužného kelímku v úhlu k na tomto místě prostřednictvím střední osy a největším vnějším průměrem výztužného kelímku definované ploše a jsou vedeny obloukovitě ke střední ose výztužného kelímku a že se plochy tohoto typu, které se nacházejí ve vertikálně nasměrované části stěn výztužného kelímku, stále překrývají a plochy tohoto typu, které leží ve dnu výztužného kelímku, jsou způsobem odpovídajícím vedení řezů zahnuty a nepřekrývají se.
Výhodné provedení spočívá vtom, že protilehlé plochy, ohraničují segmenty od sousedního segmentu, jsou vytvořeny doplňkové a že se v provozním stavu směru obvodu výztužného kelímku stále překrývají.
Jiné výhodné provedení podle vynálezu spočívá v tom, že vyztužovací kelímek sestává ze tří segmentů stejného tvaru.
-2CZ 286853 B6
Další výhodné provedení podle vynálezu spočívá v tom, že výztužný kelímek sestává z elektrografítu.
Výhodně může výztužný kelímek sestávat z uhlíku vyztuženého uhlíkovými vlákny.
Výztužný kelímek rovněž může podle jiného výhodného provedení podle vynálezu sestávat ze sklovitého uhlíku.
Přednostně sestává výztužný kelímek podle vynálezu z uhlíkatého materiálu vyčištěného plynem.
Dále je předmětem vynálezu i použití výztužného kelímku podle kteréhokoli předcházejícího nároku pro způsob výroby krystalů tažením z kelímku.
Vynález dále vytváří způsob výroby vyztužovacího kelímku z nejméně dvou segmentů, které jsou odděleny prostřednictvím štěrbin, které probíhají svisle v oblasti bočních stěn kelímku až ke kelímkovému dnu a prostupují rovněž kelímkové dno, přičemž podle vynálezu se kelímkové segmenty vyrábí řezy, které se na plášťových plochách bočních stěn výztužného kelímku, ještě nerozděleného na segmenty, nasazují rovnoběžně se středovou osou vyztužovacího kelímku pod úhlem k ploše, která je definovaná středovou osou kelímku a největším vnějším poloměrem vyztužovacího kelímku, přičemž tyto řezy se provádí vycházejíc od místa nasazení na boční stěně až ke středové ose ve tvaru oblouku a úhel je větší než 0° a menší než 90°.
Vlivem uspořádání, u kterého navzájem protilehlé plochy ohraničují segmenty se v obvodovém směru výztužného kelímku překrývají, nedopadá tepelné záření vyvíjené vyhřívacím ústrojím obklopujícím kelímek v celém rozsahu pláště na stěnu tavícího kelímku obsahujícího taveninu. Tím jsou odstraněny škodlivé účinky tepelného záření, které dříve vznikaly v oblastech štěrbin nacházejících se mezi segmenty výztužného kelímku.
Segmenty, ze kterých mohou být sestaveny výztužné kelímky podle vynálezu, mohou být vyrobeny příslušnými o sobě známými keramickými tvarovacími a výrobními postupy a v případě potřeby následným opracováním polotovarů nebo z plného materiálu třískovým obráběním.
Při výrobě výztužných kelímků podle vynálezu se napřed vyrobí celé kelímky a ty se potom řezáním nebo jinými kroky třískového obrábění svisle rozdělí na nejméně dva segmenty následujícím postupem. V místech, ve kterých má být plášť kelímku rozdělen, se rovnoběžně se střední osou kelímku, ale v úhlu odlišném od 90° k povrchu pláště, na povrchu pláště nasadí řezy a vedou se v oblouku, pronikajíc také dno kelímku, až ke střední ose. Segmenty výztužného kelímku vzniklé těmito řezy mají na štěrbinách pronikajících stěnou kelímku doplňkové plochy, které se překrývají a stíní vyztužovaný kelímek před dopadajícím zářením. Stupeň překrytí se určí úhlem vztaženým na povrchu pláště kelímku, ve kterém je řez veden. Určí se případ od případu podle příslušných okolností. U dna kelímku nevznikají při tomto způsobu na štěrbinách překrývající se hraniční plochy mezi segmenty. To však není výhodné, protože tyto štěrbiny mohou být zakryty přídržným a podpěrným kusem, uspořádaným na dnu výztužného kelímku a držícím segmenty výztužného kelímku v jejich polohách. Kde takovéto zakrytí není možné nebo je možné jen částečně, je negativní působení tepelného záření na výztužný kelímek následkem šikmého úhlu dopadu a s tím spojeného stupně absorpce nepatrné. Při tomto způsobu může být výhodně každá dělicí štěrbina vytvořena v jednom pracovním kroku jedním jednoduchým řezným nástrojem s velkou přesností.
Výztužný kelímek může sestávat ze dvou, tří nebo více segmentů. Výhodná forma provedení sestává ovšem ze tří segmentů stejného tvaru. Takovýto výztužný kelímek je možno vyrobit racionálně, snadno se s ním zachází a dostatečně vyrovnává roztažení a smrštění vyztužovaného kelímku.
-3CZ 286853 B6
Výztužné kelímky jsou podle vynálezu výhodně z uhlíku. Vzhledem k dobré obrobitelnosti, schopnosti absorpce tepelného záření, dobré tepelné vodivosti a chemické neaktivně se ve většině případů doporučuje použít elektrografitu. Jako další materiály z uhlíku přicházejí v úvahu uhlík vyztužený uhlíkovými vlákny a sklovitý uhlík.
Pro výrobu vysoce čistých krystalů musí být materiály, ze kterých sestávají reakční prostory použitých zařízení, rovněž odpovídajícím způsobem čisté. Je tudíž účelné vyčistit uhlíkové části, určené pro výrobu výztužných kelímků, čisticím procesem provedeným při vysokých teplotách plyny, obsahujícími halogeny.
Nejvíce rozšířený způsob tohoto čištění spočívá v čištění grafitu plyny během procesu grafitizace.
Od popisu způsobů výroby uvedených uhlíkatých materiálů je upuštěno, protože jsou známé ze stávajícího stavu techniky, i každému odborníkovi, a mohou být nalezeny v literatuře.
Vynálezem se sníží opotřebení výztužných kelímků, sníží se opotřebení vyztužovaných tavících kelímků, sníží se nebezpečí znečištění taveniny, ze které mají být taženy krystaly, dosáhne se větší rovnoměrnosti teploty stěny tavícího kelímku a racionální výroby výztužných kelímků zlepšených zvýšenou přesností provedení pomocí vedení řezu v oblouku.
Třetí a čtvrtá výhoda působí přímo kladně na jakost vyráběných tyčí krystalů, první dvě snižují náklady při tažení krystalů a poslední umožňuje výrobu zlepšených provedení výztužných kelímků s vysokou přesností.
Přehled obrázků na výkresech
Vynález bude blíže vysvětlen prostřednictvím konkrétních příkladů provedení, znázorněných na výkresech, na kterých představuje obr. 1 schematický svislý řez prvky zařízení pro tažení krystalů, které jsou důležité pro vynález, obr. 2,2a výztužný kelímek dosavadního typu ve svislém řezu a v půdoryse, obr. 3, 3a výztužný kelímek podle vynálezu se štěrbinami probíhajícími obloukovitě od pláště kelímku kjeho středu ve svislém řezu a v půdorysu a obr. 4,4a základní princip vynálezu srovnávající znázorněním cesty záření u dosavadního výztužného kelímku a u výztužného kelímku podle vynálezu.
Příklady provedení vynálezu
Na obr. 1 je znázorněn tavící kelímek 1 obsahující neznázoměnou taveninu z křemíku, zhotovený z křemenného skla a obklopený výztužným kelímkem 3 z grafitu, který sestává ze tří segmentů 2, 2’, 2”, přičemž v řezu jsou znázorněny pouze dva segmenty 2, 2”. Segmenty 2, 2’, 2” jsou upevněny ve své poloze přídržným kusem 4, zasahujícím do profilu dna 12 výztužného kelímku 3, takže mohou během procesu tažení krystalu vyrovnávat pohyby vyztužovaného tavícího kelímku 1. Sestava tavícího kelímku 1, výztužného kelímku 3 a přídržného kusu 4 je uložena na hřídeli 7, kterým může být při tažení krystalu udržována v otáčení. Pro vyvíjení a udržování tepla, potřebného k tavení, jsou kelímky L 3 opatřeny zářivým ohřívacím zařízením 8, například grafitovým vyhřívacím prvkem ve tvar meandru. Tepelné záření vystupující z tohoto ohřívacího zařízení 8 je pohlcováno výztužným kelímkem 3 a z něho je teplo dále rovnoměrně převáděno na
-4CZ 286853 B6 taviči kelímek 1 a na jeho obsah. Všechny dosud popsané i některé neznázoměné součásti zařízení, jako otočná, do křemíkové taveniny ponořená tažná tyč krystalu, přívodní ústrojí ochranného plynu, kiyty nebo zařízení pro přívod materiálů, se nacházejí v uzavřené nádrži s vícenásobnou izolační stěnou 9.
Obr. 2 a 2a znázorňují výztužný kelímek 3 podle známého stavu techniky, sestávající ze tří segmentů 2, 2’, 2”, u kterého tepelné paprsky mohou pronikat štěrbinami 10, 10’, 10” ve stěně 11 výztužného kelímku 3, protože leží ve směru radiální přímky R.
Na obr. 3 a 3a je znázorněno provedení výztužného kelímku 3 podle vynálezu, který sestává ze tří segmentů 2, 2’, 2”. Svisle uspořádané, zakřivením opatřené štěrbiny 10, 10’. 10” pronikají zde stěnu 11 výztužného kelímku 3 v úhlu a vzhledem k radiální přímce R. Jsou vymezeny řezem nasazeným na stěně 11 výztužného kelímku 3 a vedeným v oblouku ke střední ose M výztužného kelímku 3. Dno 12 výztužného kelímku 3 pronikají štěrbiny 10,10’, 10” svisle.
Obr. 4 a 4a znázorňují účinek vynálezu. Na obr. 4 procházejí tepelné paprsky 13, dopadající radiálně na stěnu 11 výztužného kelímku 3 štěrbinou 10, oddělující segmenty 2, 2”. Mohou dopadat na neznázoměný taviči kelímek 1. Na obr. 4a je pronikání tepelných paprsků 13 štěrbinami 10 zamezeno pásmem 14 překrytí segmentů 2, 2”. Taviči kelímek 1, uložený ve výztužném kelímku 3 a neznázoměný na obr. 4a, tedy nemůže být zasažen tepelnými paprsky 13, vystupujícími z ohřívacího zařízení 8 a dopadajícími kolmo na stěnu 11 výztužného kelímku 3.

Claims (10)

PATENTOVÉ NÁROKY
1. Výztužný kelímek, sestávající z nejméně dvou segmentů (2, 2’, 2”), u kterého jsou segmenty (2, 2’, 2”) odděleny štěrbinami (10, 10’, 10”), které probíhají v oblasti bočních stěn (11) výztužného kelímku (3) až ke kelímkovému dnu (12) svisle a prostupují rovněž kelímkové dno (12), vyznačující se tím, že se protilehlé plochy, které ohraničují štěrbiny (10, 10’, 10”) mezi sousedními segmenty (2, 2’, 2”) v provozním stavu v obvodovém směru výztužného kelímku (3) stále překrývají, přičemž tyto plochy nejméně v oblasti bočních stěn (11) výztužného kelímku (3) protínají plochu definovanou střední osou (M) a největším vnějším poloměrem výztužného kelímku (3).
2. Výztužný kelímek, sestávající z nejméně dvou segmentů (2, 2’, 2”), u kterého jsou segmenty (2, 2’, 2”) odděleny štěrbinami (10, 10’, 10”), které probíhají v oblasti bočních stěn (11) výztužného kelímku (3) až ke kelímkovému dnu (12) svisle a prostupují rovněž kelímkové dno (12), vyznačující se tím, že protilehlé plochy, které ohraničují štěrbiny (10, 10’, . 10”) mezi sousedními segmenty (2, 2’, 2”), jsou vytvořeny prostřednictvím řezů, které přiléhají na povrchu pláště výztužného kelímku (3) rovnoběžně ke střední rovině (M) výztužného kelímku (3) v úhlu k na tomto místě prostřednictvím střední osy (M) a největším vnějším průměrem výztužného kelímku (3) definované ploše a jsou vedeny obloukovitě ke střední ose (M) výztužného kelímku (3), a že se ty plochy, které se nacházejí ve vertikálně nasměrované části stěn (11) výztužného kelímku (3), stále překrývají a ty plochy, které leží ve dnu (12) výztužného kelímku (3), jsou způsobem odpovídajícím vedení řezů zahnuty a nepřekrývají se.
3. Výztužný kelímek podle nároku 1, vyznačující se tím, že protilehlé plochy, ohraničující segment (2, 2’, 2”) od sousedního segmentu (2, 2’, 2”), jsou vytvořeny doplňkově a že se v provozním stavu ve směru obvodu výztužného kelímku (3) stále překrývají.
-5CZ 286853 B6
4. Výztužný kelímek podle nároků 1,2a 3, vyznačující se tím, že sestává ze tří segmentů (2, 2’, 2”) stejného tvaru.
5. Výztužný kelímek podle nároků 1, 2, 3 nebo 4, vyznačující se tím, že sestává z elektrografitu.
6. Výztužný kelímek podle nároků 1, 2, 3 nebo 4, vyznačující se tím, že sestává z uhlíku vyztuženého uhlíkovými vlákny.
7. Výztužný kelímek podle nároků 1,2, 3 nebo 4, vyznačující se tím, že sestává ze sklovitého uhlíku.
8. Výztužný kelímek podle jednoho nebo více z předcházejících nároků laž7, vyznačující se tím, že sestává z uhlíkatého materiálu vyčištěného plynem.
9. Použití výztužného kelímku podle kteréhokoli předcházejícího nároku pro způsob výroby krystalů tažením z kelímku.
10. Způsob výroby vyztužovacího kelímku, sestávajícího z nejméně dvou segmentů (2, 2’, 2”), které jsou odděleny prostřednictvím štěrbin (10, 10’, 10”), které probíhají svisle v oblasti bočních stěn (11) výztužného kelímku (3) až ke kelímkovému dnu (12) a prostupují rovněž kelímkové dno (12), vyznačující se tím, že kelímkové segmenty (2, 2’, 2”) se vyrábí řezy, které se na plášťových plochách bočních stěn (11) výztužného kelímku (3), ještě nerozděleného na segmenty (2, 2’, 2”), nasazují rovnoběžně se středovou osou (M) kelímku (3) pod úhlem (a) k ploše, která je definovaná středovou osou (M) výztužného kelímku (3) a největším vnějším poloměrem vyztuženého kelímku (3), přičemž tyto řezy se provádí vycházejíc od místa nasazení na boční stěně (11) až ke středové ose (M) ve tvaru oblouku a úhel (a) je větší než 0° a menší než 90°.
CZ1993642A 1991-09-12 1992-08-26 Výztužný kelímek CZ286853B6 (cs)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4130253A DE4130253C2 (de) 1991-09-12 1991-09-12 Mehrteiliger Stütztiegel und Verfahren zu seiner Herstellung
PCT/EP1992/001956 WO1993005205A1 (de) 1991-09-12 1992-08-26 Mehrteiliger stütztiegel

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CZ64293A3 CZ64293A3 (en) 1994-01-19
CZ286853B6 true CZ286853B6 (cs) 2000-07-12

Family

ID=6440387

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CZ1993642A CZ286853B6 (cs) 1991-09-12 1992-08-26 Výztužný kelímek

Country Status (8)

Country Link
US (1) US5372090A (cs)
EP (1) EP0557480B1 (cs)
KR (1) KR100198874B1 (cs)
CZ (1) CZ286853B6 (cs)
DE (1) DE4130253C2 (cs)
ES (1) ES2064300T3 (cs)
FI (1) FI113378B (cs)
WO (1) WO1993005205A1 (cs)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19723070A1 (de) * 1997-06-02 1998-12-03 Siemens Ag Vorrichtung und Verfahren zum Schmelzen und Kristallisieren von Stoffen
EP0892091A1 (en) * 1997-07-03 1999-01-20 MEMC Electronic Materials, Inc. Graphite support vessels having a low concentration of calcium impurities and use thereof for production of single-crystal silicon
DE19806863A1 (de) * 1998-02-19 1999-08-26 Herbst Bremer Goldschlaegerei Verfahren zum Schmelzen von Gußwerkstoffen und vorzugsweise zur Durchführung des Verfahrens dienender Schmelztiegel
DE19830785A1 (de) * 1998-07-09 2000-01-13 Wacker Siltronic Halbleitermat Stütztiegel zur Stützung von Schmelztiegeln
FR2804132B1 (fr) * 2000-01-20 2002-06-07 Lorraine Carbone Porte-creuset pour le tirage de monocristaux
FR2804131A1 (fr) * 2000-01-20 2001-07-27 Lorraine Carbone Porte-creuset pour le tirage de monocristaux
US20020124792A1 (en) * 2001-01-09 2002-09-12 Hariprasad Sreedharamurthy Crystal puller and method for growing single crystal semiconductor material
JP3617466B2 (ja) * 2001-03-16 2005-02-02 三菱住友シリコン株式会社 単結晶引上げ装置
DE10321785A1 (de) * 2003-05-14 2004-12-16 Sgl Carbon Ag Dauerhafter CFC-Stütztiegel für Hochtemperaturprozesse beim Ziehen von Halbleiterkristallen
KR100995927B1 (ko) * 2008-10-16 2010-11-22 한국에너지기술연구원 실리콘 전자기 유도 용융용 흑연 도가니 및 이를 이용한 실리콘 용융 정련 장치
KR101063250B1 (ko) * 2008-10-16 2011-09-07 한국에너지기술연구원 실리콘 전자기 유도 용융용 흑연 도가니 및 이를 이용한 실리콘 용융 정련 장치
CN102115909A (zh) * 2010-10-13 2011-07-06 浙江舒奇蒙能源科技有限公司 一种三瓣石墨坩埚单晶炉
JP5870406B2 (ja) * 2012-05-29 2016-03-01 東海カーボン株式会社 坩堝保持具および坩堝保持具の製造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5320522A (en) * 1976-08-10 1978-02-24 Toshiba Corp Pulse width modulated circuit for d.c. motor control circuit
JPS549172A (en) * 1977-06-24 1979-01-23 Toshiba Corp Method of producing single crystal
JPS57170892A (en) * 1981-04-10 1982-10-21 Toshiba Ceramics Co Ltd Crucible holder made of graphite for manufacture of silicon single crystal
JPS5895693A (ja) * 1981-11-30 1983-06-07 Toshiba Ceramics Co Ltd 単結晶引上げ用黒鉛ルツボ
JPS6163593A (ja) * 1984-09-05 1986-04-01 Toshiba Corp 化合物半導体単結晶の製造装置
DE3743952A1 (de) * 1986-12-26 1988-07-07 Toshiba Ceramics Co Einrichtung zum ziehen von siliziumeinkristallen mit einem waermeisolierzylinder und verfahren zur herstellung des materials desselben
JPS6454319A (en) * 1987-08-26 1989-03-01 Sumitomo Electric Industries Measuring method for temperature of molten metal
JP2579951B2 (ja) * 1987-09-14 1997-02-12 株式会社東芝 半導体単結晶の製造装置
JPS6479093A (en) * 1987-09-22 1989-03-24 Nippon Steel Corp Pulling up device for single crystal rod
SU1487514A1 (ru) * 1987-10-19 1990-10-15 Gnii Pi Redkometa Подставка под кварцевый тигель ;
DE4007053A1 (de) * 1989-03-21 1990-09-27 Schunk Kohlenstofftechnik Gmbh Graphittiegel, verfahren zu seiner herstellung und verwendung
JPH03174390A (ja) * 1989-12-01 1991-07-29 Nippon Steel Corp 単結晶の製造装置
JPH03228892A (ja) * 1990-01-31 1991-10-09 Japan Silicon Co Ltd 半導体製造装置

Also Published As

Publication number Publication date
CZ64293A3 (en) 1994-01-19
EP0557480B1 (de) 1995-05-17
FI932128A0 (fi) 1993-05-11
EP0557480A1 (en) 1993-09-01
ES2064300T3 (es) 1995-08-01
DE4130253C2 (de) 2001-10-04
FI932128A (fi) 1993-05-11
FI113378B (fi) 2004-04-15
KR100198874B1 (en) 1999-06-15
US5372090A (en) 1994-12-13
KR930702558A (ko) 1993-09-09
WO1993005205A1 (de) 1993-03-18
ES2064300T1 (es) 1995-02-01
DE4130253A1 (de) 1993-03-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CZ286853B6 (cs) Výztužný kelímek
US6117402A (en) Device for manufacturing single crystals
KR102505546B1 (ko) 반도체 결정 성장 장치
KR20010020451A (ko) 서셉터로서 유용한 고순도 합성물
US3453352A (en) Method and apparatus for producing crystalline semiconductor ribbon
US5308446A (en) Fused quartz member for use in semiconductor manufacture
KR850001944B1 (ko) 결정성 실리콘체의 연속적 제조방법
US20210071316A1 (en) Crystal growth apparatus
KR850001942B1 (ko) 반도체재료의 연속 제조방법
US20100037817A1 (en) Floating zone melting apparatus
TW201531598A (zh) 用於控制晶體成長裝置中的溫度均勻性的技術
JPS63315589A (ja) 単結晶製造装置
JP7101224B2 (ja) 半導体結晶成長装置
US20210010155A1 (en) Semiconductor crystal growth apparatus
JP6642349B2 (ja) シリコン単結晶の製造方法及びこれに用いる黒鉛シート並びに石英ルツボ支持容器
KR20050021459A (ko) 대구경 sic 웨이퍼 및 그 제조 방법
Tatartchenko 10 Sapphire Crystal Growth and Applications
US6984263B2 (en) Shallow melt apparatus for semicontinuous czochralski crystal growth
JP7101225B2 (ja) 半導体結晶成長装置
US4238274A (en) Method for avoiding undesirable deposits in crystal growing operations
US4116642A (en) Method and apparatus for avoiding undesirable deposits in crystal growing operations
JP2020138887A (ja) 単結晶育成装置及び単結晶育成方法
JP2009051679A (ja) 単結晶育成装置、単結晶育成方法
JP3640940B2 (ja) 半導体単結晶製造装置
JPH07223894A (ja) 半導体単結晶製造装置

Legal Events

Date Code Title Description
IF00 In force as of 2000-06-30 in czech republic
MK4A Patent expired

Effective date: 20120826