JP2579951B2 - 半導体単結晶の製造装置 - Google Patents
半導体単結晶の製造装置Info
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- JP2579951B2 JP2579951B2 JP62228612A JP22861287A JP2579951B2 JP 2579951 B2 JP2579951 B2 JP 2579951B2 JP 62228612 A JP62228612 A JP 62228612A JP 22861287 A JP22861287 A JP 22861287A JP 2579951 B2 JP2579951 B2 JP 2579951B2
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- semiconductor single
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は引上げ法又は液体封止引上げ法による半導体
大型単結晶の製造装置、特にるつぼの支え治具に関する
ものである。
大型単結晶の製造装置、特にるつぼの支え治具に関する
ものである。
（従来の技術） 引上げ法又は液体封止引上げ法による半導体単結晶の
製造はIV族のSiやIII−Ｖ族の砒化ガリウム単結晶をは
じめとしてII−VI族まで盛んに行なわれている。その中
で大口径で長Ｒ化という単結晶の製造が要求されてい
る。
製造はIV族のSiやIII−Ｖ族の砒化ガリウム単結晶をは
じめとしてII−VI族まで盛んに行なわれている。その中
で大口径で長Ｒ化という単結晶の製造が要求されてい
る。
従来の液体封止引上げ法による例えばGaAs化合物半導
体単結晶製造装置及び製造方法について、第２図で説明
を行なう。高圧容器21内に化合物半導体単結晶原料及び
液体封止剤を収容した例えばPBNるつぼ22を設置する。
続いて高圧容器21内を高圧雰囲気ガス（アルゴン，窒素
等）で加圧した後、前記るつば22を同軸的に取囲むヒー
タ23により加熱し、前記原料を融解し又はIII族元素と
Ｖ族元素を直接合成させ前記るつぼ22内に原料融液24を
得る。次に種結晶25を降下させ原料融液24に接触させた
まま保持させ、次に種結晶25を回転させながら、所定の
速度で引上げを行ない化合物半導体単結晶を製造する。
なお従来装置では第２図が示すようにPBNるつぼ22を支
えるカーボン製の治具が底部26と側部27で一組となって
いる。
体単結晶製造装置及び製造方法について、第２図で説明
を行なう。高圧容器21内に化合物半導体単結晶原料及び
液体封止剤を収容した例えばPBNるつぼ22を設置する。
続いて高圧容器21内を高圧雰囲気ガス（アルゴン，窒素
等）で加圧した後、前記るつば22を同軸的に取囲むヒー
タ23により加熱し、前記原料を融解し又はIII族元素と
Ｖ族元素を直接合成させ前記るつぼ22内に原料融液24を
得る。次に種結晶25を降下させ原料融液24に接触させた
まま保持させ、次に種結晶25を回転させながら、所定の
速度で引上げを行ない化合物半導体単結晶を製造する。
なお従来装置では第２図が示すようにPBNるつぼ22を支
えるカーボン製の治具が底部26と側部27で一組となって
いる。
（発明が解決しようとする問題点） 従来の液体封止引上げ法による化合物半導体製造装置
には以下２つの問題がある。第１点は化合物半導体単結
晶原料をPBNるつぼに収容した後にそのるつぼを高圧容
器内まで持ち運ぶ際に、従来は原料の入った重いるつぼ
を手で持って持ち運んでいたために、るつぼに強く荷重
のかかる部分が発生し、例えば6kgの前記原料の収容さ
れたるつぼがしばしば割れてしまうことである。これは
該PBNるつぼ材が約2mmと薄くできていることにもよる。
には以下２つの問題がある。第１点は化合物半導体単結
晶原料をPBNるつぼに収容した後にそのるつぼを高圧容
器内まで持ち運ぶ際に、従来は原料の入った重いるつぼ
を手で持って持ち運んでいたために、るつぼに強く荷重
のかかる部分が発生し、例えば6kgの前記原料の収容さ
れたるつぼがしばしば割れてしまうことである。これは
該PBNるつぼ材が約2mmと薄くできていることにもよる。
第２点は化合物半導体単結晶の引上げ終了後、るつぼ
に残った内容物を該るつぼより取り除く作業で形状的に
持ちにくいために手をすべらせてるつぼを落として破損
させてしまうことがある。また同時にその内容物を取り
出すのに時間がかかり作業能率が悪くなってしまうこと
がよくあることである。
に残った内容物を該るつぼより取り除く作業で形状的に
持ちにくいために手をすべらせてるつぼを落として破損
させてしまうことがある。また同時にその内容物を取り
出すのに時間がかかり作業能率が悪くなってしまうこと
がよくあることである。
本発明の目的は例えば8kg以上の半導体原料を使用し
て化合物半導体単結晶を製造するにあたり化合物半導体
原料及び液体封止剤の収容されたPBNるつぼの破損を防
ぎ化合物半導体単結晶の製造に関わる作業が作業性良く
出来るような化合物半導体単結晶の製造装置を提供する
にある。
て化合物半導体単結晶を製造するにあたり化合物半導体
原料及び液体封止剤の収容されたPBNるつぼの破損を防
ぎ化合物半導体単結晶の製造に関わる作業が作業性良く
出来るような化合物半導体単結晶の製造装置を提供する
にある。
（問題点を解決するための手段） 本発明は引上げ法又は液体封止引上げ法による半導体
単結晶の製造において、半導体単結晶原料や添加物及び
液体封止剤を収容するPBNるつぼを支える底部と側部を
一組とした治具の改良に関するものである。
単結晶の製造において、半導体単結晶原料や添加物及び
液体封止剤を収容するPBNるつぼを支える底部と側部を
一組とした治具の改良に関するものである。
手段としては前記底部と側部の治具と補強材とが、例
えばネジ加工がなされてるつぼと共に締結し、一体化さ
れるものである。又持ち運びに便利なように一体化され
た治具の一部に手がかり部を設ける。
えばネジ加工がなされてるつぼと共に締結し、一体化さ
れるものである。又持ち運びに便利なように一体化され
た治具の一部に手がかり部を設ける。
（作用） このように構成された装置においては8kg以上の半導
体単結晶原料が収容されてもPBNるつぼには、負担はか
からずるつぼの破損はない。またるつぼの持ち運びが容
易となるとともに単結晶製造終了後、るつぼ内に残った
内容物の取り出し作業も、能率よく出来るようになる。
体単結晶原料が収容されてもPBNるつぼには、負担はか
からずるつぼの破損はない。またるつぼの持ち運びが容
易となるとともに単結晶製造終了後、るつぼ内に残った
内容物の取り出し作業も、能率よく出来るようになる。
（実施例） 以下、図面に示した砒化ガリウム単結晶製造装置の実
施例に基づいて本発明を詳細に説明する。
施例に基づいて本発明を詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す化合物半導体単結晶
の製造装置である。本実施例では前記製造装置のるつぼ
支持治具12は例えば次の様に改良されている。すなわち
厚さ2mmで直径150mm深さ150mmのPBNるつぼ11を支えるカ
ーボン製の支元台12と厚さ5mmの側部12′と補強材13と
がネジ加工により、るつぼと共に締結され、一体化され
ている。又側部の一部には運搬のための手がかり部、例
えば直径3cmの２つの穴13′を設けてある。原料充填
は、一体化されたるつぼに、例えば砒素4500g,Ga（4000
g）、液体封止剤600gを収容させる。一体化したるつぼ
を高圧容器内に配設し、次にアルゴンガスで加圧した後
るつぼ11を同軸的に取囲むヒーター15により加熱し、液
体封止剤で表面を覆った後原料を直接合成を行って融解
させるるつぼ11内に原料融液16を得た。次に種結晶17を
降下させ該原料融液16に接触させたまま10分間保持をさ
せ、種結晶17を回転させながら7mm/hの引上げ速度で引
上げを行ない直径約90mm,長さ約20cm重さ約7kgの砒化ガ
リウム単結晶を製造した。
の製造装置である。本実施例では前記製造装置のるつぼ
支持治具12は例えば次の様に改良されている。すなわち
厚さ2mmで直径150mm深さ150mmのPBNるつぼ11を支えるカ
ーボン製の支元台12と厚さ5mmの側部12′と補強材13と
がネジ加工により、るつぼと共に締結され、一体化され
ている。又側部の一部には運搬のための手がかり部、例
えば直径3cmの２つの穴13′を設けてある。原料充填
は、一体化されたるつぼに、例えば砒素4500g,Ga（4000
g）、液体封止剤600gを収容させる。一体化したるつぼ
を高圧容器内に配設し、次にアルゴンガスで加圧した後
るつぼ11を同軸的に取囲むヒーター15により加熱し、液
体封止剤で表面を覆った後原料を直接合成を行って融解
させるるつぼ11内に原料融液16を得た。次に種結晶17を
降下させ該原料融液16に接触させたまま10分間保持をさ
せ、種結晶17を回転させながら7mm/hの引上げ速度で引
上げを行ない直径約90mm,長さ約20cm重さ約7kgの砒化ガ
リウム単結晶を製造した。
単結晶製造終了後このるつぼ11を収容し、補強材13を
組み込んだまま支え台12を高圧容器14内より取り出し、
るつぼ11内に残った内容物をるつぼ11より取り出した
が、従来と比較して非常に持ち運びが容易となり作業性
が向上した。次に補強材13を取りはずし、空るつぼを支
え台12より取り出し洗浄を行なった。
組み込んだまま支え台12を高圧容器14内より取り出し、
るつぼ11内に残った内容物をるつぼ11より取り出した
が、従来と比較して非常に持ち運びが容易となり作業性
が向上した。次に補強材13を取りはずし、空るつぼを支
え台12より取り出し洗浄を行なった。
本発明の装置及び方法で単結晶の製造を前述同様の条
件で18回行なったがるつぼの破損は起こっていない。ま
た結晶の製造終了後のるつぼ内の内容物の取り出しの作
業時間が従来15分であったが５分に短縮された。
件で18回行なったがるつぼの破損は起こっていない。ま
た結晶の製造終了後のるつぼ内の内容物の取り出しの作
業時間が従来15分であったが５分に短縮された。
なお、上述した実施例では、III−Ｖ族単結晶のGaAs
についてのみ説明したが、InP,GaP等やIV族のGe,Si,さ
らにはII−VI族のCdTe,Cd−HgTe,ZnSe,ZnS,ZnO等の引上
げによる単結晶製造に用いることができる。
についてのみ説明したが、InP,GaP等やIV族のGe,Si,さ
らにはII−VI族のCdTe,Cd−HgTe,ZnSe,ZnS,ZnO等の引上
げによる単結晶製造に用いることができる。
本発明は以上説明したようにPBNるつぼを支えるカー
ボン製の台を一体式にし、該支え台上部め補強材とを一
体締結したことと、ささえ台に運搬するための２つ以上
の穴が開いていることにより次のことが効果として上げ
られる。
ボン製の台を一体式にし、該支え台上部め補強材とを一
体締結したことと、ささえ台に運搬するための２つ以上
の穴が開いていることにより次のことが効果として上げ
られる。
支え台中にPBNるつぼを入れ、該るつぼ内に化合物半
導体単結晶原料を収容し、補強材を組み込んだ後に支え
台を高圧容器内まで持ち込む際にるつぼにかかる負担が
非常に少なくなり、るつぼの破損がなくなる。
導体単結晶原料を収容し、補強材を組み込んだ後に支え
台を高圧容器内まで持ち込む際にるつぼにかかる負担が
非常に少なくなり、るつぼの破損がなくなる。
また単結晶を製造した後のるつぼ内に残った内容物の
取り出しの作業もるつぼを手をすべらせて破損させてし
まうことなく安全性良く出来るようになる。さらに作業
の能率の向上も計られる。このように本発明は大型半導
体単結晶の製造にとって不可欠である。
取り出しの作業もるつぼを手をすべらせて破損させてし
まうことなく安全性良く出来るようになる。さらに作業
の能率の向上も計られる。このように本発明は大型半導
体単結晶の製造にとって不可欠である。
第１図は本発明の化合物半導体大型単結晶製造装置の実
施例を示す断面図、第２図は従来の液体封止引上げ法に
よる化合物半導体単結晶製造装置の一例を示す断面図で
ある。 11,22……PBNるつぼ、12……支え台、13……補強材、1
4,21……高圧容器、15,23……ヒーター、16,24……原料
融液、17,25……種結晶、26……支え台底部、27……支
え台側部。
施例を示す断面図、第２図は従来の液体封止引上げ法に
よる化合物半導体単結晶製造装置の一例を示す断面図で
ある。 11,22……PBNるつぼ、12……支え台、13……補強材、1
4,21……高圧容器、15,23……ヒーター、16,24……原料
融液、17,25……種結晶、26……支え台底部、27……支
え台側部。
フロントページの続き (72)発明者 寺嶋 一高 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１ 株式 会社東芝総合研究所内 (56)参考文献 特開 昭60−21900（ＪＰ，Ａ) 特公 昭46−32403（ＪＰ，Ｂ２) 特公 昭45−428（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (1)
- 【請求項１】引上げ法又は液体封止引上げ法による半導
体単結晶製造装置において、原料を入れるるつぼを底部
及び側部から支えるように締結し、一体化するととも
に、高圧容器内から取り出し可能とする炉部材で保持
し、なおかつ該炉部材の一部に手がかり部を有すること
を特徴とする半導体単結晶の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62228612A JP2579951B2 (ja) | 1987-09-14 | 1987-09-14 | 半導体単結晶の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62228612A JP2579951B2 (ja) | 1987-09-14 | 1987-09-14 | 半導体単結晶の製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6472985A JPS6472985A (en) | 1989-03-17 |
| JP2579951B2 true JP2579951B2 (ja) | 1997-02-12 |
Family
ID=16879075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62228612A Expired - Lifetime JP2579951B2 (ja) | 1987-09-14 | 1987-09-14 | 半導体単結晶の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2579951B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4130253C2 (de) * | 1991-09-12 | 2001-10-04 | Sgl Carbon Ag | Mehrteiliger Stütztiegel und Verfahren zu seiner Herstellung |
| JPH0667528A (ja) * | 1992-08-20 | 1994-03-11 | Ricoh Co Ltd | 現像装置 |
| US8723467B2 (en) | 2004-05-06 | 2014-05-13 | Mechoshade Systems, Inc. | Automated shade control in connection with electrochromic glass |
| US8120292B2 (en) | 2004-05-06 | 2012-02-21 | Mechoshade Systems, Inc. | Automated shade control reflectance module |
| US8836263B2 (en) | 2004-05-06 | 2014-09-16 | Mechoshade Systems, Inc. | Automated shade control in connection with electrochromic glass |
| US8525462B2 (en) | 2005-03-08 | 2013-09-03 | Mechoshade Systems, Inc. | Automated shade control method and system |
| JP4780502B2 (ja) * | 2007-08-31 | 2011-09-28 | 株式会社向洋技研 | スポット溶接電極 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6021900A (ja) * | 1983-07-19 | 1985-02-04 | Agency Of Ind Science & Technol | 化合物半導体単結晶製造装置 |
-
1987
- 1987-09-14 JP JP62228612A patent/JP2579951B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6472985A (en) | 1989-03-17 |
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