ES2220968T3 - Disposicion de circuito convertidor de corriente. - Google Patents

Disposicion de circuito convertidor de corriente.

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ES2220968T3 ES96810765T ES96810765T ES2220968T3 ES 2220968 T3 ES2220968 T3 ES 2220968T3 ES 96810765 T ES96810765 T ES 96810765T ES 96810765 T ES96810765 T ES 96810765T ES 2220968 T3 ES2220968 T3 ES 2220968T3
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Abstract

SE DA A CONOCER UNA DISPOSICION DE CIRCUITO RECTIFICADOR DE CORRIENTE. DEBIDO A QUE DEBEN SER CONTROLADAS LAS APLICACIONES GTO, LOS DIODOS ANTIPARALELOS EN COMPORTAMIENTO DE CORRIENTE DE RETORNO MUESTRAN UN DV/DT DESDE 2 KV/{MI}S HASTA 10 KV/{MI}S Y ENTRE LA FUENTE DE TENSION CONTINUA Y LOS GTO SE HA PREVISTO UN DESARROLLO LIBRE INDUCTIVO INFERIOR, PUDIENDO SER OPERADAS LAS APLICACIONES GTO Y LOS DIODOS ANTIPARALELOS SIN CIRCUITO DE PROTECCION.

Description

Disposición de circuito convertidor de corriente.
Campo técnico
La invención se refiere al campo de la electrónica de potencia. Parte de una disposición de circuito convertidor de corriente según el preámbulo de la primera reivindicación.
Estado de la técnica
Tales disposiciones de circuito se describen, por ejemplo, en el Artículo "Efficient Snubbers for Voltaje Source GTO Inverters" de W. McMurray, IEEE Transactions on Power Electronics, Vol. PE-2, Nº 3, Julio de 1987. Se trata en este caso de disposiciones de circuito convertidor de corriente con al menos dos GTO conectados en serie, que están conectados en una fuente de tensión continua y que forman una conexión de carga con el punto nodal común. Además, en paralelo con los GTO están previstos los llamados diodos antiparalelos, que reciben el flujo de corriente después de la conmutación. Para proteger los GTO durante la conmutación frente a flancos de corriente y de tensión demasiado altos, debe preverse un circuito de protección (en inglés "Snubber"). Éste comprende según el estado de la técnica, como se representa en el Artículo mencionado, una red comparativamente costosa de inductividades, condensadores, resistencias y diodos, que está dispuesta en paralelo y en serie con los GTO y los diodos antiparalelos. El Artículo "An Overview of Low-Loss Snubber Technology for Transistor Converters" de A. Ferraro, IEEE 1982, páginas 466-467 publica otras variantes del circuito de protección.
Se publica en el documento DE-A1-3 244 623 una disposición de circuito convertidor de corriente según el preámbulo de la primera reivindicación.
En la solicitud de patente europea EP-A1-0 489 945 y en la solicitud internacional PCT WO 93/09600 se describe la llamada "activación dura" de un GTO y se indican disposiciones de circuito para unidades de activación correspondientes. Con respecto a estas dos solicitudes se entiende por el concepto "activación dura" la activación del GTO con una corriente de puerta que está configurada de tal forma que la ampliación de desconexión IA/IGpeak es claramente menor que 3 y que resulta un gradiente de la tensión del ánodo de al menos 1 kV/\mus.
Pero los módulos de fases GTO constituidos de acuerdo con el estado de la técnica indicado anteriormente -entendiendo por ellos aquella parte del convertidor de corriente que se necesita para una fase de un sistema de tensión alterna- presentan siempre todavía un grado comparativamente alto de complejidad. Los motivos son los siguientes:
-
la alta medida de circuitos de protección, que son necesarios para la limitación de la subida empinada de la corriente y de la tensión durante la conexión y desconexión de los GTO y de los diodos;
-
la interacción entre las medidas de circuitos de protección (los condensadores para la limitación de dV/dt forman circuitos oscilantes con las bobinas para la limitación de dl/dt);
-
la repercusión de interferencias que proceden del circuito intermedio de alimentación sobre la fase respectiva por medio de corrientes de desplazamiento en los condensadores dV/dt, que puede conducir a inyecciones perturbadoras de portadores de carga en los diodos del circuito de protección (Snubber);
-
la combinación de las propiedades de muchos componentes individuales para formar una estructura general compleja (módulo de fases, convertidor), en la propiedad de un elemento individual (GTO, activación del GTO, diodo, circuito de protección, parásitos del circuito intermedio, no se modifica, en general, sin poner en peligro otros elementos.
Por lo tanto, los módulos de fases GTO son grandes, costosos e intensivos de desarrollo. Sólo en unos pocos casos se consigue satisfacer el deseo del cliente de modularidad y servicio sencillo de una manera efectiva y con un sobregasto tolerable.
En la solicitud de patente alemana no publicada anteriormente P 195 23 095.7 (DE 19523095) se consigue reducir la red del circuito de protección. Allí se emplean GTOs, como se describen en la patente de los Estados Unidos US Nº 4.345.095. Pero debe preverse siempre por cada derivación todavía un condensador de protección que limita la subida de la tensión. Pero precisamente los condensadores son comparativamente caros y ocupan mucho espacio. Por lo tanto, sería deseable una disposición de circuito, en la que se pueda prescindir totalmente de una red de circuito de protección.
Representación de la invención
El cometido de la invención es indicar una disposición de circuito convertidor de corriente, que se puede constituir de forma modular, de coste favorable y pequeño. Los efectos parasitarios del tipo descrito deben excluirse en gran medida desde el principio a través del circuito, para reducir el riesgo y los costes de desarrollo a una medida, como se conoce actualmente ya de convertidores IGBT de las clases inferiores de la tensión y de la potencia. Especialmente los conmutadores de semiconductores de potencia deben poder accionarse sin red de circuito de protección.
Este cometido se soluciona en una disposición de circuito convertidor de corriente del tipo mencionado al principio por medio de las características de la primera reivindicación. Por lo tanto, el núcleo de la invención consiste en que
-
los tiristores (GTO1, GTO2) son activados con una activación dura. Especialmente, la relación entre la corriente del ánodo I_{A} y una corriente de puerta máxima I_{Gpico}, I_{A}/I_{Gpico}, debe ser menor o igual a 1, y la corriente de puerta debe elevarse tan rápidamente que se alcance el valor máximo I_{Gpico} dentro de un tiempo de subida tr menos o igual a 2 \mus, con preferencia menor o igual a 1 \mus;
-
la inductividad total L_{G} del circuito de activación de cada tiristor (GTO1, GTO2) desconectable debe seleccionarse tan pequeña que se aplique L_{G} \leq V_{GR}/ (I_{Gpico}/tr), correspondiendo V_{GR} a la tensión de bloqueo de retorno de la puerta respectiva de los tiristores (GTO1, GTO2) que se pueden desconectar,
-
está previsto circuito de marcha libre entre la fuente de tensión y el circuito en serie de los tiristores (GTO1, GTO2) que se pueden desconectar, y en que
-
los diodos que se encuentran antiparalelos con respecto a los tiristores presentan un comportamiento de la corriente de retorno con un flanco de tiempo de la tensión dV/dt de 2 kV/\mus a 10 kV/\mus.
Esta combinación de medidas posibilita la indicación de un circuito, que puede trabajar sin los condensadores de protección necesarios hasta ahora. De esta manera, se ahorran componentes. Esto posibilita una reducción de costes y requiere un volumen de construcción reducido. Además, se reducen las pérdidas del convertidor a través de la supresión de energías almacenadas. Las pérdidas en caso de carga parcial, con el circuito según la invención, son aproximadamente proporcionales a la corriente de carga, y se anula las posibilidades de repercusión parasitaria. De esta manera, son posibles costes más reducidos de desarrollo, un riesgo menor y un grado alto de normalización.
El circuito de marcha libre comprende un condensador, una inductividad, un diodo y una resistencia, estando el condensador en paralelo al circuito en serie de los tiristores que se pueden desconectar.
Se indican diferentes ejemplos de realización para el circuito de marcha libre. En el caso más sencillo está previsto un circuito de marcha libre por cada derivación. Partes o incluso todo el circuito de marcha libre se pueden utilizar también para una pluralidad de derivaciones. De esta manera, se obtienen circuitos, que están caracterizados por una estructura extraordinariamente compacta.
Otros ejemplos de realización se deducen a partir de las reivindicaciones dependientes.
Breve descripción de los dibujos
A continuación se explica en detalle la invención con la ayuda de ejemplos de realización con relación a los dibujos.
En este caso:
La figura 1 muestra un diagrama de conexiones equivalente de una disposición de circuito convertidor de corriente según la invención.
La figura 2 muestra la curva de la corriente y la curva de la tensión del comportamiento de la corriente de retorno de los diodos antiparalelos.
La figura 3 muestra una segunda forma de realización de la invención.
La figura 4 muestra una tercera forma de realización de la invención.
La figura 5 muestra una variante de la forma de realización según la figura 1.
Los signos de referencia utilizados en los dibujos y su significado se indican de forma resumida en la lista de signos de referencia. En principio, las partes iguales en las figuras están provistas con los mismos signos de referencia.
Modos de realización de la invención
La figura 1 muestra una derivación de una disposición de circuito convertidor de corriente 1 según la invención. Con GTO1 y GTO2 se designan dos tiristores que se pueden desconectar, que están conectados en serie. El punto nodal común medio forma una fase o conexión de carga, en la que se pueden conectar, por ejemplo, las conexiones de fases de un motor síncrono. Entre los tiristores que se pueden desconectar y una fuente de tensión continua, que se forma especialmente por medio de un circuito intermedio de tensión continua Uzk de un convertidor, está dispuesto un circuito de marcha libre 2.
Los GTOs del circuito según la invención son activados con activación dura. Se ha podido mostrar que a través de la activación dura es posible conseguir los valores de desconexión marcados a través de las posibilidades térmicas de los GTO (generación y disipación de calor) para la mayoría de las aplicaciones en el funcionamiento sin condensadores que limitan el gradiente del circuito de seguridad, es decir, el gradiente de la tensión.
En oposición a la invención, en el estado de la técnica son necesarios siempre todavía condensadores de protección en paralelo a los GTOs.
En oposición al documento EP-A1-0 489 945 mencionado al principio, en el que no es posible todavía un funcionamiento sin circuito de protección, la relación entre la corriente del ánodo I_{A} y una corriente de puerta máxima I_{Gpico}, I_{A}/I_{Gpico}, debe ser menor o igual a 1, y la corriente de puerta debe elevarse tan rápidamente que se alcance el valor máximo I_{Gpico} dentro de un tiempo de subida tr menos o igual a 2 \mus, con preferencia menor o igual a 1 \mus;
Con este fin, también la inductividad total L_{G} del circuito de activación de cada tiristor GTO debe seleccionarse tan pequeña que se aplique L_{G} \leq V_{GR}/ (I_{Gpico}/tr), correspondiendo V_{GR} a la tensión de bloqueo de retorno de la puerta. Este objetivo se consigue para GTOs de alta corriente, por ejemplo, con una estructura, como se describe en el documento US 5.345.096 mencionado al principio.
En general, por medio de este tipo de activación se consigue que la corriente del cátodo alcance el valor cero durante la desconexión, antes de que se eleve la tensión del ánodo.
Antiparalelos a los GTOs están previstos diodos antiparalelos D1, D2. Éstos se pueden integrar también en el GTO en el caso de un GTO conductor de retorno. Estos diodos requieren una limitación de dl/dt, que se alcanza de una manera conocida a través de la inductividad L. Los diodos deben conmutarse de nuevo sin condensador de protección o circuito de protección contra esta carga inductiva (comportamiento de corriente de retorno, "Recuperación de retorno"). Los diodos muestran un comportamiento de corriente de retorno, como se representa en la parte superior de la figura 2. En el caso de aceptación de la tensión, la corriente fluye en primer lugar una vez en sentido opuesto durante un periodo de tiempo determinado. Solamente entonces se eleva la tensión con una inclinación determinada de los flancos dV/dt. Por lo tanto, se emplean en la invención diodos especialmente sintonizados (por ejemplo, a través del diseño de vida útil por medio de radiación con protones o radiación con helio), que se ajustan con preferencia de tal forma que su dV/dt está durante la conmutación bajo carga plena en el intervalo de 2 kV/\mus... 10 kV/\mus (ver la figura 2).
El funcionamiento sin circuito de protección de los GTOs y de los diodos antiparalelos conduce, especialmente en el caso del diseño para pérdidas de conmutación pequeñas, a dV/dt altas y a procesos de conmutación correspondientemente rápidos con dl/dt alta. Por lo tanto, es necesaria una estructura inductiva extremadamente baja (inductividad de dispersión del circuito total < 100 ... 200 nH). El circuito intermedio y las resistencias de marcha libre no permiten, en general, una estructura inductiva reducida de este tipo. Por lo tanto, de acuerdo con la invención, es necesario un circuito que permita la introducción de un desbordamiento inductivo reducido. El condensador de desbordamiento C está dimensionado en su tamaño de tal forma que limite de una manera eficaz las sobretensiones transitorias, pero no influya en una medida esencial sobre la marcha libre de la inductividad. De esta manera, resulta un condensador con C = 1 \muF a 3 \muF para la mayoría de las aplicaciones en el intervalo de 3kA de corriente de desconexión.
Por lo tanto, entre la fuente de la tensión continua Uzk y los conmutadores está previsto un circuito de marcha libre rápida 2. En el caso más sencillo (figura 1), este circuito comprende un condensador C, que está dispuesto en paralelo a los GTOs y un circuito en serie, puenteado por una inductividad, formado por una resistencia R y por un diodo D, estando conectada la resistencia R o bien el condensador C, por una parte, con el cátodo del diodo y, por otra parte, con la conexión positiva o bien con la conexión negativa, respectivamente, de la fuente de tensión continua.
En la figura 1 solamente se representa una derivación de un convertidor de corriente. En general, están previstas varias derivaciones o módulos de fases y a cada módulo de fases se asocia un circuito de marcha libre. Las formas de realización especialmente preferidas permiten utilizar en común estos elementos, además, para varios módulos de fases.
En la figura 3 se utilizan en común la resistencia de marcha libre R y el condensador de desbordamiento C de varios módulos de fases. Pero para cada derivación está prevista una inductividad. Esta forma de realización presenta las siguientes ventajas:
-
número más reducido de componentes,
-
concentración de la potencia de calor en una resistencia, es decir, menor gasto de refrigeración especialmente en el caso de refrigeración por agua, elevada fiabilidad con respecto a la conducción de agua y el diseño de la resistencia (más robusto),
-
constitución modular compacta.
En la forma de realización según la figura 4, se utilizan en común la inductividad L, la resistencia R, el condensador de desbordamiento C y el diodo D. Las ventajas de este circuito son:
-
gasto extremadamente reducido,
-
diseño compacto,
-
peso y volumen de construcción mínimos (solamente una inductividad, desplazamientos mínimos).
Pero en este circuito, antes de la conmutación de una fase, debe estar concluido el proceso de conmutación de una fase precedente, hasta el punto de que solamente fluya todavía una corriente reducida en la resistencia de marcha libre R.
Pero los circuitos de marcha libre pueden estar dispuestos, como se muestra a modo de ejemplo en la figura 5 para una derivación, entre el polo negativo del circuito intermedio de la tensión continua y los tiristores que se pueden desconectar. El diodo D debe emplearse entonces con polaridad invertida. El resto del circuito es simétrico de espejo.
En general, a través de las medidas tomadas de acuerdo con la invención se obtiene la posibilidad de construir un convertidor de corriente, que no requiere circuito de protección de los tiristores que se pueden desconectar y de los diodos antiparalelos.
El convertidor de corriente puede presentar también la forma de un inversor de tres puntos. En este caso, están previstos al menos cuatro conmutadores por derivación y por medio de la conexión correspondiente de los conmutadores y del circuito intermedio de tensión continua no sólo se puede conectar la tensión positiva y la tensión negativa del circuito intermedio sino también cero voltios en la conexión de la carga, que se forma de nuevo a través de los nodos medios comunes del circuito en serie de los conmutadores. La función y la estructura de un inversor de tres puntos se conocen a partir de muchas citas de la literatura y no es necesario explicarlas aquí de nuevo.
Lista de signos de referencia
\dotable{\tabskip\tabcolsep#\hfil\+#\hfil\tabskip0ptplus1fil\dddarstrut\cr}{
 1 \+ Disposición de circuito convertidor\cr  \+ de corriente\cr  2
\+ Circuito de marcha libre\cr  GTO1, GTO2 \+ Tiristores que se
pueden desconectar\cr  D1, D2 \+ Diodos antiparalelos\cr  D \+ Diodo
de marcha libre\cr  L \+ Inductividad\cr  R \+ Resistencia de marcha
libre\cr  C \+ Condensador\cr  Uzk \+ Fuente de tensión
continua\cr}

Claims (6)

1. Disposición de circuito convertidor de corriente (1) con al menos una derivación con un número par de tiristores (GTO1, GTO2) conectados en serie, que se pueden desconectar y con diodos antiparalelos (D1, D2), que están conectados antiparalelos a los tiristores (GTO1, GTO2) que se pueden desconectar, estando conectada la o cada derivación en una fuente de tensión continua (Uzk) y formando un punto nodal común medio de la o de cada derivación una conexión de carga, caracterizada porque
-
los tiristores (GTO1, GTO2) que se pueden desconectar son activados con activación dura, y en particular de tal manera que la relación entre la corriente del ánodo I_{A} y una corriente de puerta máxima I_{Gpico}, I_{A}/I_{Gpico}, es menor o igual a 1, y la corriente de puerta se eleva tan rápidamente que se alcanza el valor máximo I_{Gpico} dentro de un tiempo de subida tr menos o igual a 2 \mus, con preferencia menor o igual a 1 \mus;
-
la inductividad total L_{G} del circuito de activación de cada tiristor (GTO1, GTO2) desconectable es seleccionada tan pequeña que se aplica L_{G} \leq V_{GR}/ (I_{Gpico}/tr), correspondiendo V_{GR} a la tensión de bloqueo de retorno de la puerta respectiva de los tiristores (GTO1, GTO2) que se pueden desconectar,
-
está previsto circuito de marcha libre entre la fuente de tensión y el circuito en serie de los tiristores (GTO1, GTO2) que se pueden desconectar, y
-
los diodos que se encuentran antiparalelos con respecto a los tiristores presentan un comportamiento de la corriente de retorno con un flanco de tiempo de la tensión dV/dt de 2 kV/\mus a 10 kV/\mus.
2. Disposición de circuito según la reivindicación 1, caracterizada porque el circuito de marcha libre (2) está previsto para cada derivación y el circuito de marcha libre comprende un condensador (C), una resistencia (R), un diodo (D) y una inductividad (L), estando conectados la resistencia (R) y el diodo (D) en serie y entre el polo positivo de la fuente de tensión continua (Uzk) y el circuito en serie de tiristores (GTO1, GTO2) que se pueden desconectar, la inductividad (L) se encuentra en paralelo al circuito en serie de la resistencia (R) y el diodo (D), y el condensador (C) está conectado, por una parte, con el punto nodal común del circuito en serie de la resistencia (R) y del diodo (D) y, por otra parte, con el polo negativo de la fuente de tensión continua (Uzk).
3. Disposición de circuito según la reivindicación 1, caracterizado porque el circuito de marcha libre (2) está previsto para cada derivación y el circuito de marcha libre comprende un condensador (C), una resistencia (R), un diodo (D) y una inductividad (L), estando conectados la resistencia (R) y el diodo (D) en serie y entre el polo negativo de la fuente de tensión continua (Uzk) y el circuito en serie de tiristores (GTO1, GTO2) que se pueden desconectar, la inductividad (L) se encuentra en paralelo al circuito en serie de la resistencia (R) y el diodo (D) y el condensador (C) está conectado, por una parte, con el punto nodal común del circuito en serie de la resistencia (R) y del diodo (D) y, por otra parte, con el polo positivo de la fuente de tensión continua (Uzk).
4. Disposición de circuito según la reivindicación 2 ó 3, caracterizado porque están previstas al menos 3 derivaciones y la resistencia (R) y el condensador (C) de los circuitos de marcha libre de las derivaciones están agrupados para formar en cada caso un componente común.
5. Disposición de circuito según la reivindicación 4, caracterizada porque también las inductividades (L) de los circuitos de marcha libre (2) de las derivaciones están agrupados para formar un componente común.
6. Disposición de circuito según una de las reivindicaciones 1 a 5, caracterizada porque cada derivación presenta al menos cuatro tiristores que se pueden desconectar y diodos antiparalelos, y porque los tiristores que se pueden desconectar están conectados con la fuente de tensión continua (Uzk) de tal forma que sobre la base de esta configuración se forma un inversor de tres puntos.
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