JPH10285953A - 電力変換装置 - Google Patents
電力変換装置Info
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- JPH10285953A JPH10285953A JP9089545A JP8954597A JPH10285953A JP H10285953 A JPH10285953 A JP H10285953A JP 9089545 A JP9089545 A JP 9089545A JP 8954597 A JP8954597 A JP 8954597A JP H10285953 A JPH10285953 A JP H10285953A
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- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
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Abstract
(57)【要約】
【課題】正極側に接続される回生コンデンサと、負極側
に接続される回生コンデンサとの充電電流が同じになる
ようにして同じ仕様の回生回路と回生コンデンサを採用
して装置のコストダウンに寄与する。 【解決手段】回生接続回路１４Ａ，１４Ｃを正極側の回
生線３２Ｃに接続し、回生接続回路１４Ｂ，１４Ｄを回
生線３２Ａに接続し、回生接続回路２３Ａを回生線３２
Ａに接続し、回生接続回路２３Ｃを回生線３２Ｃに接続
して構成することによって、回生線３２Ｃに接続される
回生接続回路が１４Ａ，１４Ｃ，２３Ｃ、負極側の回生
線３２Ａに接続される回生接続回路が１４Ｂ，１４Ｄ，
２３Ａと両者が平等になって、それぞれのスナバ回路か
ら回生回路に回生するエネルギーが同じになるので、回
生回路３Ａ，３Ｃと回生コンデンサ３１Ａ，３１Ｃとは
それぞれ同じ仕様のものを使用することができる。
に接続される回生コンデンサとの充電電流が同じになる
ようにして同じ仕様の回生回路と回生コンデンサを採用
して装置のコストダウンに寄与する。 【解決手段】回生接続回路１４Ａ，１４Ｃを正極側の回
生線３２Ｃに接続し、回生接続回路１４Ｂ，１４Ｄを回
生線３２Ａに接続し、回生接続回路２３Ａを回生線３２
Ａに接続し、回生接続回路２３Ｃを回生線３２Ｃに接続
して構成することによって、回生線３２Ｃに接続される
回生接続回路が１４Ａ，１４Ｃ，２３Ｃ、負極側の回生
線３２Ａに接続される回生接続回路が１４Ｂ，１４Ｄ，
２３Ａと両者が平等になって、それぞれのスナバ回路か
ら回生回路に回生するエネルギーが同じになるので、回
生回路３Ａ，３Ｃと回生コンデンサ３１Ａ，３１Ｃとは
それぞれ同じ仕様のものを使用することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、自己消弧型半導
体スイッチング素子を使用したインバータやコンバータ
などの電力変換装置、特にその自己消弧型半導体スイッ
チング素子のターンオフ、ターンオン特性を改善するた
めに使用されるスナバ回路のコンデンサに蓄積されたエ
ネルギーを回生する機能を持った電力変換装置に関す
る。
体スイッチング素子を使用したインバータやコンバータ
などの電力変換装置、特にその自己消弧型半導体スイッ
チング素子のターンオフ、ターンオン特性を改善するた
めに使用されるスナバ回路のコンデンサに蓄積されたエ
ネルギーを回生する機能を持った電力変換装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図４は自己消弧型半導体スイッチング素
子の一種であるＧＴＯサイリスタ素子を使用した電力変
換装置の回路図である。この図において、電力変換装置
は直流電源５から得られる直流を所定の周波数、電圧の
交流に変換して負荷６に供給するインバータとして図示
してある、直流電源５の代わりに直流負荷、交流負荷６
の代わりに交流電源として、交流電力から直流電力を得
るコンバータであってもよい。
子の一種であるＧＴＯサイリスタ素子を使用した電力変
換装置の回路図である。この図において、電力変換装置
は直流電源５から得られる直流を所定の周波数、電圧の
交流に変換して負荷６に供給するインバータとして図示
してある、直流電源５の代わりに直流負荷、交流負荷６
の代わりに交流電源として、交流電力から直流電力を得
るコンバータであってもよい。
【０００３】この電力変換装置は１Ｅ，１Ｆ，１Ｇ，１
Ｈの四つのアームから構成されている。なお、実際の電
力変換装置ではこれらの他にそれぞれの自己消弧型半導
体スイッチング素子のターンオン、ターンオフのための
パルスを生成するパルス発生器を含む制御装置とその付
属装置が含まれるが、これらはこの発明には関係ないの
で図示を省略してある。
Ｈの四つのアームから構成されている。なお、実際の電
力変換装置ではこれらの他にそれぞれの自己消弧型半導
体スイッチング素子のターンオン、ターンオフのための
パルスを生成するパルス発生器を含む制御装置とその付
属装置が含まれるが、これらはこの発明には関係ないの
で図示を省略してある。
【０００４】図の右側の二つのアーム１Ｅと１Ｆとは直
列接続されて直列アームＥを構成し、その直列接続点か
ら負荷６に接続される接続線が引き出される。直列アー
ムＥに並列に一括スナバ回路２Ｅが接続されて図の下端
が直流電源５の負極に、上端がアノードリアクトル４Ｅ
を介して直流電源５の正極に接続されている。一括スナ
バ回路２Ｅはコンデンサ２１Ｅとダイオード２２Ｅとの
直列回路とその接続点と直流電源５の正極側との間に挿
入された抵抗２３Ｅとからなっている。
列接続されて直列アームＥを構成し、その直列接続点か
ら負荷６に接続される接続線が引き出される。直列アー
ムＥに並列に一括スナバ回路２Ｅが接続されて図の下端
が直流電源５の負極に、上端がアノードリアクトル４Ｅ
を介して直流電源５の正極に接続されている。一括スナ
バ回路２Ｅはコンデンサ２１Ｅとダイオード２２Ｅとの
直列回路とその接続点と直流電源５の正極側との間に挿
入された抵抗２３Ｅとからなっている。
【０００５】アーム１Ｅは、自己消弧型半導体スイッチ
ング素子１１Ｅ、これに極性が逆に並列接続されたフリ
ーホイーリングダイオード１２Ｅ及び同じく並列に接続
された個別スナバ回路１３Ｅからなっており、個別スナ
バ回路１３Ｅの構成は、アーム１Ｆの個別スナバ回路１
３Ｆの構成と同じであり、個別スナバ回路１３Ｆはコン
デンサ１３１Ｆ、ダイオード１３２Ｆの直列回路及びダ
イオード１３２Ｆに並列接続された抵抗１３３Ｆとから
なる。個別スナバ回路１３Ｅは個別スナバ回路１３Ｆを
構成する回路要素の添字ＦをＥに換えたものである。
ング素子１１Ｅ、これに極性が逆に並列接続されたフリ
ーホイーリングダイオード１２Ｅ及び同じく並列に接続
された個別スナバ回路１３Ｅからなっており、個別スナ
バ回路１３Ｅの構成は、アーム１Ｆの個別スナバ回路１
３Ｆの構成と同じであり、個別スナバ回路１３Ｆはコン
デンサ１３１Ｆ、ダイオード１３２Ｆの直列回路及びダ
イオード１３２Ｆに並列接続された抵抗１３３Ｆとから
なる。個別スナバ回路１３Ｅは個別スナバ回路１３Ｆを
構成する回路要素の添字ＦをＥに換えたものである。
【０００６】図の左側の二つのアーム１Ｇ，１Ｈとその
付属回路から構成される直列アームＧは、前述の直列ア
ームＥと同じであり、添字ＥをＧに、ＦをＨに換えるだ
けなので重複する説明を省く。それぞれのアームの自己
消弧型半導体スイッチング素子１１Ｅ〜１１Ｈのオン、
オフの制御は、１１Ｅと１１Ｆは一方がオンのとき他方
はオフ、同じように、１１Ｇと１１Ｈも一方がオンのと
き他方はオフ、になるようになっている。それは、図の
直列に接続された自己消弧型半導体スイッチング素子が
同時にオンになると直流電源５を短絡して短絡電流が流
れるからである。
付属回路から構成される直列アームＧは、前述の直列ア
ームＥと同じであり、添字ＥをＧに、ＦをＨに換えるだ
けなので重複する説明を省く。それぞれのアームの自己
消弧型半導体スイッチング素子１１Ｅ〜１１Ｈのオン、
オフの制御は、１１Ｅと１１Ｆは一方がオンのとき他方
はオフ、同じように、１１Ｇと１１Ｈも一方がオンのと
き他方はオフ、になるようになっている。それは、図の
直列に接続された自己消弧型半導体スイッチング素子が
同時にオンになると直流電源５を短絡して短絡電流が流
れるからである。
【０００７】個別スナバ回路１３Ｅが設けられるのは、
自己消弧型半導体スイッチング素子１１Ｅのターンオフ
時に自己消弧型半導体スイッチング素子１１Ｅの端子間
電圧の時間変化率（ｄｖ／ｄｔ）を低減して許容値以下
にするためであり、アノードリアクトル４Ｅが設けられ
るのは、ターンオン時の自己消弧型半導体スイッチング
素子１１Ｅに流れ始める電流の時間変化率（ｄｉ／ｄ
ｔ）を許容値以下にするためであり、そして、一括スナ
バ回路２Ｅが設けられるのは自己消弧型半導体スイッチ
ング素子１１Ｅ又は１１Ｆのスイッチング時の電圧の跳
ね上がり電圧を許容値以下にするためである。
自己消弧型半導体スイッチング素子１１Ｅのターンオフ
時に自己消弧型半導体スイッチング素子１１Ｅの端子間
電圧の時間変化率（ｄｖ／ｄｔ）を低減して許容値以下
にするためであり、アノードリアクトル４Ｅが設けられ
るのは、ターンオン時の自己消弧型半導体スイッチング
素子１１Ｅに流れ始める電流の時間変化率（ｄｉ／ｄ
ｔ）を許容値以下にするためであり、そして、一括スナ
バ回路２Ｅが設けられるのは自己消弧型半導体スイッチ
ング素子１１Ｅ又は１１Ｆのスイッチング時の電圧の跳
ね上がり電圧を許容値以下にするためである。
【０００８】以下に、直列アームＥを基に自己消弧型半
導体スイッチング素子のターンオフ、ターンオン動作に
ついて説明する。図５は自己消弧型半導体スイッチング
素子１１Ｅがターンオフ動作をするときの電流、電圧の
時間的変化を示す波形図であり、上段は電流を、下段は
電圧を示す。そして、それぞれの電流ｉは回路要素を表
す添字を付けてその回路要素に流れる電流を示し、電圧
ｖも同じく回路要素を表す添字を付けてその回路要素の
両端の電圧を表す。
導体スイッチング素子のターンオフ、ターンオン動作に
ついて説明する。図５は自己消弧型半導体スイッチング
素子１１Ｅがターンオフ動作をするときの電流、電圧の
時間的変化を示す波形図であり、上段は電流を、下段は
電圧を示す。そして、それぞれの電流ｉは回路要素を表
す添字を付けてその回路要素に流れる電流を示し、電圧
ｖも同じく回路要素を表す添字を付けてその回路要素の
両端の電圧を表す。
【０００９】時点ｔ0 は自己消弧型半導体スイッチング
素子１１Ｅがオンの状態からオフの状態に移行する、い
わゆるターンオフの開始時点である。この時点の前まで
は自己消弧型半導体スイッチング素子１１Ｅに一定電流
が流れている、したがって、自己消弧型半導体スイッチ
ング素子１１Ｆはオフの状態にある。また、自己消弧型
半導体スイッチング素子１１Ｇ、１１Ｈのどちらか一方
がオンであるが、１１Ｅのターンオフ動作には無関係な
ので説明を省略する。
素子１１Ｅがオンの状態からオフの状態に移行する、い
わゆるターンオフの開始時点である。この時点の前まで
は自己消弧型半導体スイッチング素子１１Ｅに一定電流
が流れている、したがって、自己消弧型半導体スイッチ
ング素子１１Ｆはオフの状態にある。また、自己消弧型
半導体スイッチング素子１１Ｇ、１１Ｈのどちらか一方
がオンであるが、１１Ｅのターンオフ動作には無関係な
ので説明を省略する。
【００１０】時点ｔ0 において自己消弧型半導体スイッ
チング素子１１Ｅの電流ｉ11E は急激に減少し始め時点
ｔ1 で０になる。負荷電流は１１Ｅのターンオフという
微小時間においては一定とみなして良いので電流ｉ11E
の減少分は個別スナバ回路１３Ｅに転流してダイオード
１３２Ｅを介して電流ｉ131Eがコンデンサ１３１Ｅを充
電する。抵抗１３３Ｅに流れる電流は無視できる程度に
小さい。コンデンサ１３１Ｅが充電されることによって
その電圧は上昇する。この電圧は同時に図の下段に示す
自己消弧型半導体スイッチング素子１１Ｅの端子間電圧
ｖ11E でもある。この電圧ｖ11E が図示のように当初は
直線的に上昇し電流ｉ131Eの減少とともにその上昇速度
が小さくなる。
チング素子１１Ｅの電流ｉ11E は急激に減少し始め時点
ｔ1 で０になる。負荷電流は１１Ｅのターンオフという
微小時間においては一定とみなして良いので電流ｉ11E
の減少分は個別スナバ回路１３Ｅに転流してダイオード
１３２Ｅを介して電流ｉ131Eがコンデンサ１３１Ｅを充
電する。抵抗１３３Ｅに流れる電流は無視できる程度に
小さい。コンデンサ１３１Ｅが充電されることによって
その電圧は上昇する。この電圧は同時に図の下段に示す
自己消弧型半導体スイッチング素子１１Ｅの端子間電圧
ｖ11E でもある。この電圧ｖ11E が図示のように当初は
直線的に上昇し電流ｉ131Eの減少とともにその上昇速度
が小さくなる。
【００１１】時点ｔ2 までに電流ｉ131Eは減少するがそ
の減少分は一括スナバ回路２Ｅに転流し時点ｔ2 で電流
ｉ131Eが０になることによって、全ての電流が一括スナ
バ回路２Ｅに転流する。これと同時に負荷電流はアーム
１Ｆのフリーホイーリングダイオード１２Ｆに転流す
る。一括スナバ回路２Ｅの回路構成は接続される端子が
異なるだけで個別スナバ回路１３Ｅと基本回路は同じで
コンデンサ２１Ｅ、ダイオード２２Ｅ及び抵抗２３Ｅか
らなっている。一括スナバ回路２Ｅに転流した電流はコ
ンデンサ２１Ｅを充電して電圧を上昇させるが、時間と
ともに減少し、時点ｔ3 で一括スナバ回路２Ｅの電流は
０となってアーム１Ｅのターンオフ動作は終了する。タ
ーンオフ完了時の時点ｔ3 以降の電圧ｖ11E の値は直流
電源５の電圧ＶDCである。一方、個別スナバ回路のコン
デンサ１３１Ｅと、一括スナバ回路のコンデンサ２１Ｅ
には、ターンオフ完了時に直流電流５の電圧ＶDCを越え
る電圧が印加されているが、ターンオフ完了後、それぞ
れ抵抗１３３Ｅ，２３Ｅを介して直流電源５の電圧ＶDC
まで放電される。このとき抵抗１３３Ｅ，２３Ｅにジュ
ール損が発声する。
の減少分は一括スナバ回路２Ｅに転流し時点ｔ2 で電流
ｉ131Eが０になることによって、全ての電流が一括スナ
バ回路２Ｅに転流する。これと同時に負荷電流はアーム
１Ｆのフリーホイーリングダイオード１２Ｆに転流す
る。一括スナバ回路２Ｅの回路構成は接続される端子が
異なるだけで個別スナバ回路１３Ｅと基本回路は同じで
コンデンサ２１Ｅ、ダイオード２２Ｅ及び抵抗２３Ｅか
らなっている。一括スナバ回路２Ｅに転流した電流はコ
ンデンサ２１Ｅを充電して電圧を上昇させるが、時間と
ともに減少し、時点ｔ3 で一括スナバ回路２Ｅの電流は
０となってアーム１Ｅのターンオフ動作は終了する。タ
ーンオフ完了時の時点ｔ3 以降の電圧ｖ11E の値は直流
電源５の電圧ＶDCである。一方、個別スナバ回路のコン
デンサ１３１Ｅと、一括スナバ回路のコンデンサ２１Ｅ
には、ターンオフ完了時に直流電流５の電圧ＶDCを越え
る電圧が印加されているが、ターンオフ完了後、それぞ
れ抵抗１３３Ｅ，２３Ｅを介して直流電源５の電圧ＶDC
まで放電される。このとき抵抗１３３Ｅ，２３Ｅにジュ
ール損が発声する。
【００１２】前述のようにターンオフ完了後において、
個別スナバ回路１３Ｅのコンデンサ１３１Ｅ及び一括ス
ナバ回路２Ｅのコンデンサ２１Ｅは充電されたままの状
態になっているが、このうち個別スナバ回路１３Ｅのコ
ンデンサ１３１Ｅは、次の自己消弧型半導体スイッチン
グ素子１１Ｅのターンオン時に抵抗１３３Ｅを介して０
まで放電する。このとき、１３１Ｅに蓄積されていた充
電エネルギーは放電抵抗である抵抗１３３Ｅによってジ
ュール損として消費される。なお、この放電電流はター
ンオフの過程における電流ｉ131Eやｉ21E に比べてはる
かに小さな値なので図示を省略してある。
個別スナバ回路１３Ｅのコンデンサ１３１Ｅ及び一括ス
ナバ回路２Ｅのコンデンサ２１Ｅは充電されたままの状
態になっているが、このうち個別スナバ回路１３Ｅのコ
ンデンサ１３１Ｅは、次の自己消弧型半導体スイッチン
グ素子１１Ｅのターンオン時に抵抗１３３Ｅを介して０
まで放電する。このとき、１３１Ｅに蓄積されていた充
電エネルギーは放電抵抗である抵抗１３３Ｅによってジ
ュール損として消費される。なお、この放電電流はター
ンオフの過程における電流ｉ131Eやｉ21E に比べてはる
かに小さな値なので図示を省略してある。
【００１３】図６は自己消弧型半導体スイッチング素子
のターンオン動作を説明するための波形図であり、図５
と同じ要素については説明を省く。なお、図５の時点の
符号と図６の時点の符号は同じように時点ｔ0 〜時点ｔ
3 を付けてあるが互いに関係はない。図６において、時
点ｔ0 の前は自己消弧型半導体スイッチング素子１１Ｅ
はオフの状態なので、電流はフリーホイーリングダイオ
ード１２Ｆに流れている。時点ｔ0 で自己消弧型半導体
スイッチング素子１１Ｅのターンオンが開始されると、
その電流ｉ11E が上昇を始め、電流ｉ12F は減少し始め
て時点ｔ1 で０となり、電圧ｖ11F が上昇し始める。こ
の電圧ｖ11F によって個別スナバ回路１３Ｆのコンデン
サ１３１Ｆにダイオード１３２Ｆを介して充電電流ｉ
131Fが流れる。この電流ｉ131Fのピークとなる時点から
一括スナバ回路２Ｅのコンデンサ２１Ｅにダイオード２
２Ｅを介して充電電流ｉ21E が流れる。この充電電流ｉ
21Eは 時点ｔ2 でピークとなってその後減少して時点
ｔ3 で０となる。これらスナバ回路のコンデンサを充電
する電流はアーム１Ｅを介して供給されるので電流ｉ
11E は負荷電流の他にコンデンサ１３１Ｆの充電電流が
重畳した波形となる。電圧ｖ11F は前述のように時点ｔ
1 から上昇し時点ｔ2 でピーク値となって階段状に低下
し時点ｔ3 まで徐々に上昇した後階段状に低下する。こ
れらの現象は前述の図５における電圧ｖ11E の場合と類
似である。
のターンオン動作を説明するための波形図であり、図５
と同じ要素については説明を省く。なお、図５の時点の
符号と図６の時点の符号は同じように時点ｔ0 〜時点ｔ
3 を付けてあるが互いに関係はない。図６において、時
点ｔ0 の前は自己消弧型半導体スイッチング素子１１Ｅ
はオフの状態なので、電流はフリーホイーリングダイオ
ード１２Ｆに流れている。時点ｔ0 で自己消弧型半導体
スイッチング素子１１Ｅのターンオンが開始されると、
その電流ｉ11E が上昇を始め、電流ｉ12F は減少し始め
て時点ｔ1 で０となり、電圧ｖ11F が上昇し始める。こ
の電圧ｖ11F によって個別スナバ回路１３Ｆのコンデン
サ１３１Ｆにダイオード１３２Ｆを介して充電電流ｉ
131Fが流れる。この電流ｉ131Fのピークとなる時点から
一括スナバ回路２Ｅのコンデンサ２１Ｅにダイオード２
２Ｅを介して充電電流ｉ21E が流れる。この充電電流ｉ
21Eは 時点ｔ2 でピークとなってその後減少して時点
ｔ3 で０となる。これらスナバ回路のコンデンサを充電
する電流はアーム１Ｅを介して供給されるので電流ｉ
11E は負荷電流の他にコンデンサ１３１Ｆの充電電流が
重畳した波形となる。電圧ｖ11F は前述のように時点ｔ
1 から上昇し時点ｔ2 でピーク値となって階段状に低下
し時点ｔ3 まで徐々に上昇した後階段状に低下する。こ
れらの現象は前述の図５における電圧ｖ11E の場合と類
似である。
【００１４】電流ｉ11E の時点ｔ0 からの上昇時のｄｉ
／ｄｔは前述のように許容値があるのでアノードリアク
トル４Ｅによって抑制されている。時点ｔ3 以降は個別
スナバ回路１３Ｆのコンデンサ１３１Ｆと一括スナバ回
路２Ｅのコンデンサ２１Ｅには、直流電源５の電圧ＶDC
を越える電圧が印加されているが、図５のターンオフの
ときと同じようにターンオン終了後それぞれ抵抗１３３
Ｆ、２３Ｅを介して直流電源の電圧ＶDCまで放電され
る。このときに図５のターンオフと同様にジュール損が
発生する。また、この個別スナバ回路１３Ｆのコンデン
サ１３１Ｆは、次の自己消弧型半導体スイッチング素子
１１Ｆのターンオン時に抵抗１３３Ｆを介して０まで放
電され、このときジュール損が発生する。
／ｄｔは前述のように許容値があるのでアノードリアク
トル４Ｅによって抑制されている。時点ｔ3 以降は個別
スナバ回路１３Ｆのコンデンサ１３１Ｆと一括スナバ回
路２Ｅのコンデンサ２１Ｅには、直流電源５の電圧ＶDC
を越える電圧が印加されているが、図５のターンオフの
ときと同じようにターンオン終了後それぞれ抵抗１３３
Ｆ、２３Ｅを介して直流電源の電圧ＶDCまで放電され
る。このときに図５のターンオフと同様にジュール損が
発生する。また、この個別スナバ回路１３Ｆのコンデン
サ１３１Ｆは、次の自己消弧型半導体スイッチング素子
１１Ｆのターンオン時に抵抗１３３Ｆを介して０まで放
電され、このときジュール損が発生する。
【００１５】これらのジュール損は装置の周波数が高い
ほど、直流電圧が高いほど、素子電流が大きいほど大き
くなり、装置の効率の低下を招くとともに、ジュール損
による装置の過熱を防ぐための冷却機構も大きくなって
装置のコストアップの要因にもなる。このようなことか
ら、スナバ回路のコンデンサに蓄積されたエネルギーを
直流電源５に戻すいわゆるスナバ回生が行われる。
ほど、直流電圧が高いほど、素子電流が大きいほど大き
くなり、装置の効率の低下を招くとともに、ジュール損
による装置の過熱を防ぐための冷却機構も大きくなって
装置のコストアップの要因にもなる。このようなことか
ら、スナバ回路のコンデンサに蓄積されたエネルギーを
直流電源５に戻すいわゆるスナバ回生が行われる。
【００１６】なお、図から分かるように直列アームＥ，
Ｇはそれぞれ同じ回路構成なので、製作上も直列アーム
Ｅと直列アームＧとは同じものをそれぞれ単体としての
モジュールとして別々に製作し、これを図示のように接
続して１台の電力変換装置に組み立てるのが実際であ
る。図７は回生機能を持つ従来の電力変換装置の回路図
であり、図４と同じ回路要素には同じ符号を付けて重複
する説明を省く。また、直列アームＥ，Ｇに対応する直
列アームの符号をそれぞれＡ、Ｃとし、またアーム１
Ｅ，１Ｆ，１Ｇ，１Ｈに対応するアームも１Ａ，１Ｂ，
１Ｃ，１Ｄとしていて、それぞれに含まれる回路要素の
添字もそれぞれの直列アーム及びアームの符号の添字に
合わせて変えてある。したがって、英字の添字を除く数
字の符号が同じものは実質的に同じなのでこの場合も重
複する説明を省く。また、以下の説明に引用されない回
路要素に対しては符号の記載を省略してある。
Ｇはそれぞれ同じ回路構成なので、製作上も直列アーム
Ｅと直列アームＧとは同じものをそれぞれ単体としての
モジュールとして別々に製作し、これを図示のように接
続して１台の電力変換装置に組み立てるのが実際であ
る。図７は回生機能を持つ従来の電力変換装置の回路図
であり、図４と同じ回路要素には同じ符号を付けて重複
する説明を省く。また、直列アームＥ，Ｇに対応する直
列アームの符号をそれぞれＡ、Ｃとし、またアーム１
Ｅ，１Ｆ，１Ｇ，１Ｈに対応するアームも１Ａ，１Ｂ，
１Ｃ，１Ｄとしていて、それぞれに含まれる回路要素の
添字もそれぞれの直列アーム及びアームの符号の添字に
合わせて変えてある。したがって、英字の添字を除く数
字の符号が同じものは実質的に同じなのでこの場合も重
複する説明を省く。また、以下の説明に引用されない回
路要素に対しては符号の記載を省略してある。
【００１７】図７の図４と異なる点の一つは、図４での
スナバ回路のコンデンサを放電するための抵抗をダイオ
ードとインダクタとの直列回路からなる回生接続回路に
置き換えたこと、二つは、回生コンデンサ及び回生回路
を設けたことである。図の上の方の回生コンデンサ３１
Ｃは回生線３２Ｃと直流電源５の正極側との間に設けら
れていてこの回生コンデンサ３１Ｃの端子間電圧が回生
回路３Ｃに入力され、この回生回路３Ｃの出力端子は直
流電源５の両極に接続されている。回生線３２Ｃにはそ
れぞれのスナバ回路に接続されている回生接続回路２３
Ａ，１４Ａ，２３Ｃ，１４Ｃがそれぞれ接続されてい
る。
スナバ回路のコンデンサを放電するための抵抗をダイオ
ードとインダクタとの直列回路からなる回生接続回路に
置き換えたこと、二つは、回生コンデンサ及び回生回路
を設けたことである。図の上の方の回生コンデンサ３１
Ｃは回生線３２Ｃと直流電源５の正極側との間に設けら
れていてこの回生コンデンサ３１Ｃの端子間電圧が回生
回路３Ｃに入力され、この回生回路３Ｃの出力端子は直
流電源５の両極に接続されている。回生線３２Ｃにはそ
れぞれのスナバ回路に接続されている回生接続回路２３
Ａ，１４Ａ，２３Ｃ，１４Ｃがそれぞれ接続されてい
る。
【００１８】図の下の方の回生コンデンサ３１Ａは回生
線３２Ａと直流電源５の負極側との間に設けられていて
この回生コンデンサ３１Ａの端子間電圧が回生回路３Ａ
に入力されこの回生回路３Ａの出力端子は直流電源５の
両極に接続されている。回生線３２Ａにはそれぞれのス
ナバ回路に接続されている回生接続回路１４Ｂ，１４Ｄ
がそれぞれ接続されている。
線３２Ａと直流電源５の負極側との間に設けられていて
この回生コンデンサ３１Ａの端子間電圧が回生回路３Ａ
に入力されこの回生回路３Ａの出力端子は直流電源５の
両極に接続されている。回生線３２Ａにはそれぞれのス
ナバ回路に接続されている回生接続回路１４Ｂ，１４Ｄ
がそれぞれ接続されている。
【００１９】アーム１Ａの個別スナバ回路１３Ａに接続
されている回生接続回路１４Ａはインダクタ１４１Ａと
ダイオード１４２Ａとからなっており、他の回生接続回
路も同じ回路構成なのでこの回生接続回路１４Ａを例に
とって回生機能の説明をする。アーム１Ａがターンオン
すると電圧Ｖ11A は実質的に０になるから個別スナバ回
路１３Ａのコンデンサ１３１Ａは充電の状態から回生接
続回路１４Ａを通って回生コンデンサ３１Ｃを充電する
形で放電する。このとき、放電電流はインダクタ１４１
Ａによってその値が制限されて急激な電流の上昇が抑制
される。ダイオード１４２Ａは回生回路３Ｃを始めとす
る他の回路から電流が回生接続回路１４Ａを通じて個別
スナバ回路１３Ａに逆流しないように設けられている。
されている回生接続回路１４Ａはインダクタ１４１Ａと
ダイオード１４２Ａとからなっており、他の回生接続回
路も同じ回路構成なのでこの回生接続回路１４Ａを例に
とって回生機能の説明をする。アーム１Ａがターンオン
すると電圧Ｖ11A は実質的に０になるから個別スナバ回
路１３Ａのコンデンサ１３１Ａは充電の状態から回生接
続回路１４Ａを通って回生コンデンサ３１Ｃを充電する
形で放電する。このとき、放電電流はインダクタ１４１
Ａによってその値が制限されて急激な電流の上昇が抑制
される。ダイオード１４２Ａは回生回路３Ｃを始めとす
る他の回路から電流が回生接続回路１４Ａを通じて個別
スナバ回路１３Ａに逆流しないように設けられている。
【００２０】それぞれのスナバ回路のコンデンサが回生
接続回路を通って放電することによって回生コンデンサ
３１Ｃは充電されてその端子間電圧は上昇する。回生回
路３Ｃはインバータ又はチョッパからなっていて、回生
コンデンサ３１Ｃの電圧を直流電源５に回生するのに適
した電圧に変換して直流電源５に回生する。回生回路３
Ｃには四つの回生接続回路１４Ａ，１４Ｃ，２３Ａ，２
３Ｃが接続されているから、この回生回路３Ｃはこれら
四つの回生接続回路によって充電される。
接続回路を通って放電することによって回生コンデンサ
３１Ｃは充電されてその端子間電圧は上昇する。回生回
路３Ｃはインバータ又はチョッパからなっていて、回生
コンデンサ３１Ｃの電圧を直流電源５に回生するのに適
した電圧に変換して直流電源５に回生する。回生回路３
Ｃには四つの回生接続回路１４Ａ，１４Ｃ，２３Ａ，２
３Ｃが接続されているから、この回生回路３Ｃはこれら
四つの回生接続回路によって充電される。
【００２１】前述のようにそれぞれのスナバ回路のコン
デンサは自己消弧型半導体スイッチング素子のターンオ
ン、ターンオフごとに充電されるから回生回路３Ｃも継
続的に充電されるので回生もまた継続して行われる。回
生回路３Ａとこれに接続される回路の回生も回生回路３
Ｃと同様に行われる。図８は図７の電力変換装置の一つ
の素子がターンオフする時の波形図であり、前述の図５
と類似なので重複する説明は省く。図５における英字の
添字Ｅ，Ｆは図８ではＡ，Ｂであり、数字符号は共通で
ある。図８において、時点ｔ2 までは図５と同じであ
る。この時点ｔ2 で個別スナバ回路１３Ａのコンデンサ
１３１Ａの電流ｉ131Aは正から負に逆転する。それは、
電流ｉ131Aが正のときはダイオード１３２Ａを通って電
流が流れてコンデンサ１３１Ａを充電するのに対して、
負の電流は回生接続回路１４Ａを通って放電する放電電
流だからである。この放電電流は回生接続回路１４Ａを
通って回生コンデンサ３１Ｃに充電電流として流れ込
む。同じようにして、時点ｔ1 で流れ始めた一括スナバ
回路２Ａのコンデンサ２１Ａの充電電流は時点ｔ2 でピ
ークとなり、その後減少して時点ｔ3 で０となり、電流
ｉ131Aと同様に更に負の値となって流れ続けるがこの負
の電流は回生接続回路２３Ａを通って回生コンデンサ３
１Ｃを充電する充電電流となる。
デンサは自己消弧型半導体スイッチング素子のターンオ
ン、ターンオフごとに充電されるから回生回路３Ｃも継
続的に充電されるので回生もまた継続して行われる。回
生回路３Ａとこれに接続される回路の回生も回生回路３
Ｃと同様に行われる。図８は図７の電力変換装置の一つ
の素子がターンオフする時の波形図であり、前述の図５
と類似なので重複する説明は省く。図５における英字の
添字Ｅ，Ｆは図８ではＡ，Ｂであり、数字符号は共通で
ある。図８において、時点ｔ2 までは図５と同じであ
る。この時点ｔ2 で個別スナバ回路１３Ａのコンデンサ
１３１Ａの電流ｉ131Aは正から負に逆転する。それは、
電流ｉ131Aが正のときはダイオード１３２Ａを通って電
流が流れてコンデンサ１３１Ａを充電するのに対して、
負の電流は回生接続回路１４Ａを通って放電する放電電
流だからである。この放電電流は回生接続回路１４Ａを
通って回生コンデンサ３１Ｃに充電電流として流れ込
む。同じようにして、時点ｔ1 で流れ始めた一括スナバ
回路２Ａのコンデンサ２１Ａの充電電流は時点ｔ2 でピ
ークとなり、その後減少して時点ｔ3 で０となり、電流
ｉ131Aと同様に更に負の値となって流れ続けるがこの負
の電流は回生接続回路２３Ａを通って回生コンデンサ３
１Ｃを充電する充電電流となる。
【００２２】図９は図８の素子がターンオンする時の波
形図であり、前述の図６と類似なので重複する説明を省
く。この図において、時点ｔ2 までのそれぞれの波形は
図６のそれと同じである。時点ｔ2 の後アーム１Ｂの個
別スナバ回路１３Ｂのコンデンサ１３１Ｂの電流ｉ131B
が正から負に反転するが、この場合もこの負の電流13 1B
は図７の回生接続回路１４Ｂ、回生線３２Ａを通って回
生コンデンサ３１Ａを充電し、回生回路３Ａによって回
生される。時点ｔ3 では一括スナバ回路２Ａのコンデン
サ２１Ａの電流ｉ21A が正から負に反転して回生接続回
路２３Ａと回生線３２Ｃを通って回生コンデンサ３１Ｃ
を充電する。
形図であり、前述の図６と類似なので重複する説明を省
く。この図において、時点ｔ2 までのそれぞれの波形は
図６のそれと同じである。時点ｔ2 の後アーム１Ｂの個
別スナバ回路１３Ｂのコンデンサ１３１Ｂの電流ｉ131B
が正から負に反転するが、この場合もこの負の電流13 1B
は図７の回生接続回路１４Ｂ、回生線３２Ａを通って回
生コンデンサ３１Ａを充電し、回生回路３Ａによって回
生される。時点ｔ3 では一括スナバ回路２Ａのコンデン
サ２１Ａの電流ｉ21A が正から負に反転して回生接続回
路２３Ａと回生線３２Ｃを通って回生コンデンサ３１Ｃ
を充電する。
【００２３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、それぞれの
回生接続回路は図４のそれぞれのスナバ回路の抵抗の代
わりに置き換えたものであり、また、図４の説明で述べ
たように、実際に製作するときのモジュール構成が考慮
されてこのような回路構成になっている。そのために図
７の上の回生コンデンサ３１Ｃには四つの回生接続回路
１４Ｃ，２３Ｃ，１４Ａ，２３Ａが、下の回生コンデン
サ３１Ａには二つの回生接続回路１４Ｄ，１４Ｂが接続
される回路構成になっている。したがって、回生コンデ
ンサ３１Ａと回生回路３Ａの容量に比べて回生コンデン
サ３１Ｃと回生回路３Ｃの容量は大きくなければならな
い。それぞれごとに適した容量のものを使用すれば部品
点数が多くなり、部品の標準化のために大きい方の容量
に合わせて同じ仕様の回生回路や回生コンデンサを使用
すれば、コスト高になるという問題がある。
回生接続回路は図４のそれぞれのスナバ回路の抵抗の代
わりに置き換えたものであり、また、図４の説明で述べ
たように、実際に製作するときのモジュール構成が考慮
されてこのような回路構成になっている。そのために図
７の上の回生コンデンサ３１Ｃには四つの回生接続回路
１４Ｃ，２３Ｃ，１４Ａ，２３Ａが、下の回生コンデン
サ３１Ａには二つの回生接続回路１４Ｄ，１４Ｂが接続
される回路構成になっている。したがって、回生コンデ
ンサ３１Ａと回生回路３Ａの容量に比べて回生コンデン
サ３１Ｃと回生回路３Ｃの容量は大きくなければならな
い。それぞれごとに適した容量のものを使用すれば部品
点数が多くなり、部品の標準化のために大きい方の容量
に合わせて同じ仕様の回生回路や回生コンデンサを使用
すれば、コスト高になるという問題がある。
【００２４】この発明の目的はこのような問題を解決
し、直流電源の正極側に接続される回生コンデンサと、
負極側に接続される回生コンデンサとの充電電流が同じ
になるようにして同じ仕様の回生回路と回生コンデンサ
を採用してしかもコスト高にならないようにして装置の
コストダウンに寄与することのできる電力変換装置を提
供することにある。
し、直流電源の正極側に接続される回生コンデンサと、
負極側に接続される回生コンデンサとの充電電流が同じ
になるようにして同じ仕様の回生回路と回生コンデンサ
を採用してしかもコスト高にならないようにして装置の
コストダウンに寄与することのできる電力変換装置を提
供することにある。
【００２５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
にこの発明によれば、二つのアームが直列接続されてな
る直列アームが二つ並列接続されて直流側回路に接続さ
れ、それぞれの直列アームの中間点から引き出された二
つの端子が交流側回路に接続されてなり、それぞれのア
ームが、自己消弧型半導体スイッチング素子、この自己
消弧型半導体スイッチング素子に逆並列に接続されたフ
リーホイーリングダイオード、この逆並列回路に並列に
接続された個別スナバ回路からなり、それぞれの直列ア
ームに並列に接続された一括スナバ回路が設けられ、個
別スナバ回路と一括スナバ回路とがそれぞれダイオード
とコンデンサの直列回路からなり、直流電源の正極側と
負極側にそれぞれ回生回路とこの回生回路の入力端子に
並列に回生コンデンサが設けられ、これら回生コンデン
サの一方の端子が直流電源の正極又は負極に接続され他
方の端子がそれぞれの回生線に接続され、回生回路の出
力端子が直流電源に並列に接続されてなり、それぞれの
スナバ回路のコンデンサとダイオードとの接続点と回生
線とが、ダイオードとリアクトルの直列回路からなる回
生接続回路を介して接続されてなる電力変換装置におい
て、直流電源の正極に接続されるアームの個別スナバ回
路に接続された回生接続回路が正極側の回生コンデンサ
の回生線に接続され、直流電源の負極に接続されるアー
ムの個別スナバ回路に接続された回生接続回路が負極側
の回生コンデンサの回生線に接続され、二つの直列アー
ムのそれぞれの一括スナバ回路のうちの一方の一括スナ
バ回路の回生接続回路が正極側の回生線に接続され、他
方の一括スナバ回路の回生接続回路が負極側の回生線路
に接続されてなることによって、直流電源の正極側の回
生線に接続される回生接続回路と負極側の回生線に接続
される回生接続回路とが平等になって、それぞれのスナ
バ回路から回生回路に回生するエネルギーが同じになる
ことから、正極側と負極側の回生回路と回生コンデンサ
とは同じ仕様のものを使用することができる。
にこの発明によれば、二つのアームが直列接続されてな
る直列アームが二つ並列接続されて直流側回路に接続さ
れ、それぞれの直列アームの中間点から引き出された二
つの端子が交流側回路に接続されてなり、それぞれのア
ームが、自己消弧型半導体スイッチング素子、この自己
消弧型半導体スイッチング素子に逆並列に接続されたフ
リーホイーリングダイオード、この逆並列回路に並列に
接続された個別スナバ回路からなり、それぞれの直列ア
ームに並列に接続された一括スナバ回路が設けられ、個
別スナバ回路と一括スナバ回路とがそれぞれダイオード
とコンデンサの直列回路からなり、直流電源の正極側と
負極側にそれぞれ回生回路とこの回生回路の入力端子に
並列に回生コンデンサが設けられ、これら回生コンデン
サの一方の端子が直流電源の正極又は負極に接続され他
方の端子がそれぞれの回生線に接続され、回生回路の出
力端子が直流電源に並列に接続されてなり、それぞれの
スナバ回路のコンデンサとダイオードとの接続点と回生
線とが、ダイオードとリアクトルの直列回路からなる回
生接続回路を介して接続されてなる電力変換装置におい
て、直流電源の正極に接続されるアームの個別スナバ回
路に接続された回生接続回路が正極側の回生コンデンサ
の回生線に接続され、直流電源の負極に接続されるアー
ムの個別スナバ回路に接続された回生接続回路が負極側
の回生コンデンサの回生線に接続され、二つの直列アー
ムのそれぞれの一括スナバ回路のうちの一方の一括スナ
バ回路の回生接続回路が正極側の回生線に接続され、他
方の一括スナバ回路の回生接続回路が負極側の回生線路
に接続されてなることによって、直流電源の正極側の回
生線に接続される回生接続回路と負極側の回生線に接続
される回生接続回路とが平等になって、それぞれのスナ
バ回路から回生回路に回生するエネルギーが同じになる
ことから、正極側と負極側の回生回路と回生コンデンサ
とは同じ仕様のものを使用することができる。
【００２６】また、二つの直列アームの一方の直列アー
ムをＡ、他方の直列アームをＣとしたとき、直列アーム
Ａを主体として構成されて一体に製作されるモジュール
をモジュールＭＡ、直列アームＣを主体として構成され
で一体に製作されるたモジュールをモジュールＭＣと
し、これら二つのモジュールＭＡ，ＭＣが別個に製作さ
れ外部で電気的、機械的に接続されて構成される請求項
１記載の電力変換装置において、直流電源の正極に接続
された回生コンデンサとこの回生コンデンサの端子電圧
が入力される回生回路をモジュールＭＣに含め、直流電
源の負極に接続された回生コンデンサとこの回生コンデ
ンサの端子電圧が入力される回生回路をモジュールＭＡ
に含める。そうすると、モジュールＭＣとモジュールＭ
Ａとの一方を回路図上で１８０度回転させれば、半導体
素子を除いて両方のモジュールは同じ回路構成になるの
で、構造的に同じものとして製作することができる。半
導体素子は１８０度回転させなければ対応するものが同
じ極性であるが回転させたために対応する半導体素子同
士の極性が逆になる。半導体素子には外部構造が同じで
極性が反対のものや配置を反転させるだけで極性を逆に
できるものがあるので、これらを利用して半導体素子を
除く同じ構造の二つのモジュールに、半導体素子の極性
を互いに反対にしてそれぞれ取付ければ、二つのモジュ
ールＭＡ，ＭＣが得られる。また、二つのモジュールを
ＭＡ１，ＭＣ１としたとき、モジュールＭＡ１の回生線
に接続される回生接続回路をモジュールＭＡ１に含め、
モジュールＣ１２の回生線に接続される回生接続回路を
モジュールＭＣ１に含め、他の回路要素は、モジュール
ＭＡに含まれた回路要素をモジュールＭＡ１に、モジュ
ールＭＣに含まれた回路要素をモジュールＭＣ１にそれ
ぞれ含めるように構成し、それぞれの回生線を実際のモ
ジュールにおける冷却導体で構成すれば、同じモジュー
ルに含まれる回生接続回路のダイオードをこの冷却導体
に共通に取付ける構造を採用することができる。その場
合、インダクタも含めて回生接続回路全部を該当するモ
ジュールに含ませるのではなく、直列アームＡに属して
モジュールＭＣ１に含まれる回生接続回路のうちダイオ
ードだけをモジュールＭＣ１に含めてインダクタはモジ
ュールＭＡ１に含め、直列アームＣに属してモジュール
ＭＡ１に含まれる回生接続回路のうちダイオードだけを
モジュールＭＡ１に含めてインダクタはモジュールＭＣ
１に含めることにしてもよい。
ムをＡ、他方の直列アームをＣとしたとき、直列アーム
Ａを主体として構成されて一体に製作されるモジュール
をモジュールＭＡ、直列アームＣを主体として構成され
で一体に製作されるたモジュールをモジュールＭＣと
し、これら二つのモジュールＭＡ，ＭＣが別個に製作さ
れ外部で電気的、機械的に接続されて構成される請求項
１記載の電力変換装置において、直流電源の正極に接続
された回生コンデンサとこの回生コンデンサの端子電圧
が入力される回生回路をモジュールＭＣに含め、直流電
源の負極に接続された回生コンデンサとこの回生コンデ
ンサの端子電圧が入力される回生回路をモジュールＭＡ
に含める。そうすると、モジュールＭＣとモジュールＭ
Ａとの一方を回路図上で１８０度回転させれば、半導体
素子を除いて両方のモジュールは同じ回路構成になるの
で、構造的に同じものとして製作することができる。半
導体素子は１８０度回転させなければ対応するものが同
じ極性であるが回転させたために対応する半導体素子同
士の極性が逆になる。半導体素子には外部構造が同じで
極性が反対のものや配置を反転させるだけで極性を逆に
できるものがあるので、これらを利用して半導体素子を
除く同じ構造の二つのモジュールに、半導体素子の極性
を互いに反対にしてそれぞれ取付ければ、二つのモジュ
ールＭＡ，ＭＣが得られる。また、二つのモジュールを
ＭＡ１，ＭＣ１としたとき、モジュールＭＡ１の回生線
に接続される回生接続回路をモジュールＭＡ１に含め、
モジュールＣ１２の回生線に接続される回生接続回路を
モジュールＭＣ１に含め、他の回路要素は、モジュール
ＭＡに含まれた回路要素をモジュールＭＡ１に、モジュ
ールＭＣに含まれた回路要素をモジュールＭＣ１にそれ
ぞれ含めるように構成し、それぞれの回生線を実際のモ
ジュールにおける冷却導体で構成すれば、同じモジュー
ルに含まれる回生接続回路のダイオードをこの冷却導体
に共通に取付ける構造を採用することができる。その場
合、インダクタも含めて回生接続回路全部を該当するモ
ジュールに含ませるのではなく、直列アームＡに属して
モジュールＭＣ１に含まれる回生接続回路のうちダイオ
ードだけをモジュールＭＣ１に含めてインダクタはモジ
ュールＭＡ１に含め、直列アームＣに属してモジュール
ＭＡ１に含まれる回生接続回路のうちダイオードだけを
モジュールＭＡ１に含めてインダクタはモジュールＭＣ
１に含めることにしてもよい。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下この発明を実施例に基づいて
説明する。図１はこの発明の第１の実施例を示す回生機
能を持つ電力変換装置の回路図であり、図７と同じ回路
要素には同じ符号を付けて詳しい説明を省く。図１の図
７と異なる点は、図の右側の直列アームＡの一括スナバ
回路２Ａの回生接続回路２３Ａが図７では図の上の回生
線３２Ｃに接続されているに対して、図１では下の回生
線３２Ａに接続されている点である。これに伴って一括
スナバ回路２Ａの コンデンサ２１Ａとダイオード２２
Ａとの上下関係を反転させてある。コンデンサ２１Ａは
常に上が正、下が負になるように充電される、すなわ
ち、上から下の方向に充電電流が流れるから放電電流は
逆に下から上に流れる。したがって、回生接続回路２３
Ａのダイオード２３２Ａは図のように下から上の方に流
れるように設けられる。当然ながらこの方向は回生線３
２Ａに接続される他の回生接続回路のダイオード１４２
Ｂ，１４２Ｄと同じ方向である。
説明する。図１はこの発明の第１の実施例を示す回生機
能を持つ電力変換装置の回路図であり、図７と同じ回路
要素には同じ符号を付けて詳しい説明を省く。図１の図
７と異なる点は、図の右側の直列アームＡの一括スナバ
回路２Ａの回生接続回路２３Ａが図７では図の上の回生
線３２Ｃに接続されているに対して、図１では下の回生
線３２Ａに接続されている点である。これに伴って一括
スナバ回路２Ａの コンデンサ２１Ａとダイオード２２
Ａとの上下関係を反転させてある。コンデンサ２１Ａは
常に上が正、下が負になるように充電される、すなわ
ち、上から下の方向に充電電流が流れるから放電電流は
逆に下から上に流れる。したがって、回生接続回路２３
Ａのダイオード２３２Ａは図のように下から上の方に流
れるように設けられる。当然ながらこの方向は回生線３
２Ａに接続される他の回生接続回路のダイオード１４２
Ｂ，１４２Ｄと同じ方向である。
【００２８】回生線３２Ｃに接続される回生接続回路は
１４Ａ，１４Ｃ及び２３Ｃであり、回生線３２Ａに接続
される回生接続回路は１４Ｂ，１４Ｄ及び２３Ａであ
る。回生接続回路１４Ａ，１４Ｃ，１４Ｂ，１４Ｄが供
給する回生エネルギーは一般に全て同じであり、回生接
続回路２３Ａ，２３Ｃもそれぞれ同じである。したがっ
て、回生線３２Ｃを介して回生されるエネルギーと回生
線３２Ａを介して回生されるエネルギーとは同じとなる
から回生コンデンサ３１Ｃ，３１Ａ及び回生回路３Ａ，
３Ｃの仕様はそれぞれ同じもので良い。したがって、回
生回路や回生コンデンサを１種類に標準化して部品の種
類を低減することができる。
１４Ａ，１４Ｃ及び２３Ｃであり、回生線３２Ａに接続
される回生接続回路は１４Ｂ，１４Ｄ及び２３Ａであ
る。回生接続回路１４Ａ，１４Ｃ，１４Ｂ，１４Ｄが供
給する回生エネルギーは一般に全て同じであり、回生接
続回路２３Ａ，２３Ｃもそれぞれ同じである。したがっ
て、回生線３２Ｃを介して回生されるエネルギーと回生
線３２Ａを介して回生されるエネルギーとは同じとなる
から回生コンデンサ３１Ｃ，３１Ａ及び回生回路３Ａ，
３Ｃの仕様はそれぞれ同じもので良い。したがって、回
生回路や回生コンデンサを１種類に標準化して部品の種
類を低減することができる。
【００２９】この電力変換装置の回路構成の場合で直列
アームＡとＣをそれぞれ主体とするモジュールを構成し
た場合、直列アームＡを主体として構成されるモジュー
ルと直列アームＣを主体として構成されるモジュールと
は、回生回路、回生コンデンサ及び回生線の位置が違う
ことから、前述の図７の電力変換装置の場合と同様に二
つのモジュールは異なる構成にならざるを得ないが、こ
の実施例では更に回生接続回路２３Ａを回生線３２Ａに
接続する構成にしたために更に二つのモジュールの違い
が多くなって、二つのモジュールの構成を同じにして標
準化を計るという目的には反することになる。
アームＡとＣをそれぞれ主体とするモジュールを構成し
た場合、直列アームＡを主体として構成されるモジュー
ルと直列アームＣを主体として構成されるモジュールと
は、回生回路、回生コンデンサ及び回生線の位置が違う
ことから、前述の図７の電力変換装置の場合と同様に二
つのモジュールは異なる構成にならざるを得ないが、こ
の実施例では更に回生接続回路２３Ａを回生線３２Ａに
接続する構成にしたために更に二つのモジュールの違い
が多くなって、二つのモジュールの構成を同じにして標
準化を計るという目的には反することになる。
【００３０】図２はこの発明の第２の実施例を示す電力
変換装置の回路図であり、回路としては図１と全く同じ
であるが、実際に製作される際に二つのモジュールに組
み込まれる回路要素を区分けし、また、説明の簡易化の
ために図の右側の直列アームＡを左右反転して図示して
ある。なお、以後の説明に使用しない回路要素の符号の
記載を省略してある。この図において、直列アームＡは
モジュールＭＡを、直列アームＣはモジュールＭＣを構
成している。この図でモジュールＭＡだけを１８０度回
転させるとモジュールＭＣとは半導体素子の極性の違い
を除いて同じ構成になる。
変換装置の回路図であり、回路としては図１と全く同じ
であるが、実際に製作される際に二つのモジュールに組
み込まれる回路要素を区分けし、また、説明の簡易化の
ために図の右側の直列アームＡを左右反転して図示して
ある。なお、以後の説明に使用しない回路要素の符号の
記載を省略してある。この図において、直列アームＡは
モジュールＭＡを、直列アームＣはモジュールＭＣを構
成している。この図でモジュールＭＡだけを１８０度回
転させるとモジュールＭＣとは半導体素子の極性の違い
を除いて同じ構成になる。
【００３１】ところで、スナバ回路を必要とする装置の
自己消弧型半導体スイッチング素子は容量が大きい平型
素子が一般的に使用される。この平型素子は円板型をし
ていて両側を冷却導体で挟んで固定される。したがっ
て、この平型素子を反転することによって容易に極性を
反対にすることができる。それぞれのスナバ回路のダイ
オードは容量が小さいので例えばスタッド型素子が使用
される。スタッド型素子は陽極と陰極とで取付け構造が
違っている。例えば、一方の極が冷却導体にねじ込むボ
ルト部を持ち、他方がフレキシブルリードが接続された
構成のような場合、ボルト部を持つ側が陽極のものと陰
極のものとの両方の半導体素子が用意されている。
自己消弧型半導体スイッチング素子は容量が大きい平型
素子が一般的に使用される。この平型素子は円板型をし
ていて両側を冷却導体で挟んで固定される。したがっ
て、この平型素子を反転することによって容易に極性を
反対にすることができる。それぞれのスナバ回路のダイ
オードは容量が小さいので例えばスタッド型素子が使用
される。スタッド型素子は陽極と陰極とで取付け構造が
違っている。例えば、一方の極が冷却導体にねじ込むボ
ルト部を持ち、他方がフレキシブルリードが接続された
構成のような場合、ボルト部を持つ側が陽極のものと陰
極のものとの両方の半導体素子が用意されている。
【００３２】半導体素子はこのように、平型素子の場合
は取付けを反転するだけ、スタッド型素子の場合には同
じ構造で極性が逆の素子を使用することによって、半導
体素子の極性だけが逆でほかは同じ回路構成を持つ二つ
のモジュールの場合に、半導体素子を除いた回路要素及
び半導体素子を含む回路要素の取付け構造を同じにし
て、半導体素子を取付ける際に極性を変えることによっ
て、構造的には殆ど同じで回路的には別のモジュールを
製作することが可能である。このことから、図２のモジ
ュールＭＡとＭＣは、半導体素子やその他の回路要素を
取付ける構造及び半導体素子以外の回路要素は同じにし
て半導体素子を取付けるときの極性だけを逆にすること
によってそれぞれのモジュールを構成することができ
る。したがって、回路的には別ではあっても実質的には
標準化されたモジュールとして製作することができるこ
とから、前述の図１で述べたモジュール構成上での欠点
を解決することができる。
は取付けを反転するだけ、スタッド型素子の場合には同
じ構造で極性が逆の素子を使用することによって、半導
体素子の極性だけが逆でほかは同じ回路構成を持つ二つ
のモジュールの場合に、半導体素子を除いた回路要素及
び半導体素子を含む回路要素の取付け構造を同じにし
て、半導体素子を取付ける際に極性を変えることによっ
て、構造的には殆ど同じで回路的には別のモジュールを
製作することが可能である。このことから、図２のモジ
ュールＭＡとＭＣは、半導体素子やその他の回路要素を
取付ける構造及び半導体素子以外の回路要素は同じにし
て半導体素子を取付けるときの極性だけを逆にすること
によってそれぞれのモジュールを構成することができ
る。したがって、回路的には別ではあっても実質的には
標準化されたモジュールとして製作することができるこ
とから、前述の図１で述べたモジュール構成上での欠点
を解決することができる。
【００３３】図３はこの発明の第３の実施例を示す電力
変換装置の回路図であり、図２との違いは二つのモジュ
ールに含める回路要素を変えた点である。すなわち、図
２ではモジュールＭＡに含まれていたダイオード１４２
ＡをモジュールＭＣ１に、モジュールＭＣに含まれてい
たダイオード１４２ＤをモジュールＭＡ１にそれぞれ含
ませた点である、それ以外の回路要素は、図２における
モジュールＭＡのそれはモジュールＭＡ１に、モジュー
ルＭＣのそれはモジュールＭＣ１にそれぞれ含ませる。
このようにすることによって次のような利点がある。
変換装置の回路図であり、図２との違いは二つのモジュ
ールに含める回路要素を変えた点である。すなわち、図
２ではモジュールＭＡに含まれていたダイオード１４２
ＡをモジュールＭＣ１に、モジュールＭＣに含まれてい
たダイオード１４２ＤをモジュールＭＡ１にそれぞれ含
ませた点である、それ以外の回路要素は、図２における
モジュールＭＡのそれはモジュールＭＡ１に、モジュー
ルＭＣのそれはモジュールＭＣ１にそれぞれ含ませる。
このようにすることによって次のような利点がある。
【００３４】図２においてモジュールＭＡにあったダイ
オード１４２ＡをモジュールＭＣ１に含めると、図２に
おいてすでにモジュールＭＣに含まれていたダイオード
１４２Ｃと共通の冷却構造を採用することができる。す
なわち、これら二つのダイオード１４２Ａ，１４２Ｃは
同じ仕様のものが使えることと、これらの陽極側が回生
線３２Ｃに接続されて同電位になっていることから、回
生線３２Ｃに相当する導体を冷却導体とすれば前述のよ
うにダイオード１４２Ｃ，１４２Ａをこの冷却導体にま
とめて取付ける構造を採用することができる。もちろ
ん、ダイオード２３２Ｃも仕様が異なる可能性はあるが
陽極側がダイオード１４２Ｃ，１４２Ａと同じであるこ
とを利用して共通の冷却導体に取付ける構造を採用する
こともできる。ちなみに、図１の場合、ダイオード１４
２ＡはモジュールＭＡに含まれていて、このダイオード
１４２Ａと陽極側、陰極側ともに同じ配線に接続される
ダイオードはないからこのダイオード１４２Ａは単独で
冷却導体に取付ける構造を採用するしかない。
オード１４２ＡをモジュールＭＣ１に含めると、図２に
おいてすでにモジュールＭＣに含まれていたダイオード
１４２Ｃと共通の冷却構造を採用することができる。す
なわち、これら二つのダイオード１４２Ａ，１４２Ｃは
同じ仕様のものが使えることと、これらの陽極側が回生
線３２Ｃに接続されて同電位になっていることから、回
生線３２Ｃに相当する導体を冷却導体とすれば前述のよ
うにダイオード１４２Ｃ，１４２Ａをこの冷却導体にま
とめて取付ける構造を採用することができる。もちろ
ん、ダイオード２３２Ｃも仕様が異なる可能性はあるが
陽極側がダイオード１４２Ｃ，１４２Ａと同じであるこ
とを利用して共通の冷却導体に取付ける構造を採用する
こともできる。ちなみに、図１の場合、ダイオード１４
２ＡはモジュールＭＡに含まれていて、このダイオード
１４２Ａと陽極側、陰極側ともに同じ配線に接続される
ダイオードはないからこのダイオード１４２Ａは単独で
冷却導体に取付ける構造を採用するしかない。
【００３５】冷却導体を共通にすることができれば、冷
却構造、配線構造が簡素化されることによるコストダウ
ンが期待できる。図３の電力変換装置では回生接続回路
の中のダイオードだけを別のモジュールに含ませる構成
としたのであるが、インダクタも含めた回生接続回路を
別のモジュールに含ませる構成を採用することもでき
る。こうすることによる効果は特にないが不利な点も特
にないのでどちらを採用するかはこの発明とは関係しな
い要素によって決定される。
却構造、配線構造が簡素化されることによるコストダウ
ンが期待できる。図３の電力変換装置では回生接続回路
の中のダイオードだけを別のモジュールに含ませる構成
としたのであるが、インダクタも含めた回生接続回路を
別のモジュールに含ませる構成を採用することもでき
る。こうすることによる効果は特にないが不利な点も特
にないのでどちらを採用するかはこの発明とは関係しな
い要素によって決定される。
【００３６】
【発明の効果】この発明は前述のように、直流電源の正
極に接続されるアームの個別スナバ回路に接続された回
生接続回路を正極側の回生コンデンサの回生線に接続
し、直流電源の負極に接続されるアームの個別スナバ回
路に接続された回生接続回路を負極側の回生コンデンサ
の回生線に接続し、二つの直列アームのそれぞれの一括
スナバ回路のうちの一方の一括スナバ回路の回生接続回
路を正極側の回生線に接続し、他方の一括スナバ回路の
回生接続回路を負極側の回生線路に接続して構成するこ
とによって、直流電源の正極側の回生線に接続される回
生接続回路と負極側の回生線に接続される回生接続回路
とが平等になって、それぞれのスナバ回路から回生回路
に回生するエネルギーが同じになるので、正極側と負極
側の回生回路と回生コンデンサとは同じ仕様のものを使
用することができることから、部品種類の数が低減して
標準化とこれに伴う装置のコストダウンに寄与するとい
う効果が得られる。
極に接続されるアームの個別スナバ回路に接続された回
生接続回路を正極側の回生コンデンサの回生線に接続
し、直流電源の負極に接続されるアームの個別スナバ回
路に接続された回生接続回路を負極側の回生コンデンサ
の回生線に接続し、二つの直列アームのそれぞれの一括
スナバ回路のうちの一方の一括スナバ回路の回生接続回
路を正極側の回生線に接続し、他方の一括スナバ回路の
回生接続回路を負極側の回生線路に接続して構成するこ
とによって、直流電源の正極側の回生線に接続される回
生接続回路と負極側の回生線に接続される回生接続回路
とが平等になって、それぞれのスナバ回路から回生回路
に回生するエネルギーが同じになるので、正極側と負極
側の回生回路と回生コンデンサとは同じ仕様のものを使
用することができることから、部品種類の数が低減して
標準化とこれに伴う装置のコストダウンに寄与するとい
う効果が得られる。
【００３７】また、この電力変換装置を、二つの直列ア
ームの一方の直列アームをＡ、他方の直列アームをＣと
したとき、直列アームＡを主体として構成されて一体に
製作されるモジュールをモジュールＭＡ、直列アームＣ
を主体として構成されて一体に製作されるモジュールを
モジュールＭＣとし、これら二つのモジュールＭＡ，Ｍ
Ｃを別個に製作して外部で電気的、機械的に接続して構
成することとし、直流電源の正極に接続された回生コン
デンサとこの回生コンデンサの端子電圧が入力される回
生回路をモジュールＭＣに含め、直流電源の負極に接続
された回生コンデンサとこの回生コンデンサの端子電圧
が入力される回生回路をモジュールＭＡに含める。そう
すると、モジュールＭＣとモジュールＭＡとのどちらか
一方を回路図上で１８０度回転させれば、半導体素子を
別にして両方のモジュールは同じ回路構成になるので、
構造的に同じものとして製作することができる。半導体
素子は１８０度回転させなければ対応するもの同士が同
じ極性であるが回転させたために対応する半導体素子同
士の極性が逆になる。半導体素子には外部構造が同じで
極性が反対のものや配置を反転させるだけで極性を逆に
できるものがあるので、これらを利用して半導体素子を
除く同じ構造の二つのモジュールに、それぞれ半導体素
子の極性を互いに反対にして取付ければ、回路上異なる
二つのモジュールが得られるので、実質的には同じ構造
のモジュールとなり部品点数が更に低減する。また、二
つのモジュールをＭＡ１，ＭＣ１としたとき、モジュー
ルＭＡ１の回生線に接続される回生接続回路をモジュー
ルＭＡ１に含め、モジュールＭＣ１の回生線に接続され
る回生接続回路をモジュールＭＣ１に含め、他の回路要
素は、モジュールＭＡに含まれた回路要素をモジュール
ＭＡ１に、モジュールＭＣに含まれた回路要素をモジュ
ールＭＣ１にそれぞれ含めることにし、それぞれの回生
線を実際のモジュールにおける冷却導体で構成すれば、
同じモジュールに含まれる回生接続回路のダイオードを
この冷却導体に共通に取付ける構造を採用することがで
きるのでモジュールの構造が簡素になり、かつ部品点数
が低減する。その場合、インダクタも含めて回生接続回
路全部を該当するモジュールに含ませるのではなく、直
列アームＡに属してモジュールＭＣ１に含まれる回生接
続回路のうちのダイオードだけをモジュールＭＣ１に含
めてインダクタはモジュールＭＡ１に含め、直列アーム
Ｃに属してモジュールＭＡ１に含まれる回生接続回路の
うちダイオードだけをモジュールＭＡ１に含めてインダ
クタはモジュールＭＣ１に含めることにしても前述と同
じ効果が得られる。
ームの一方の直列アームをＡ、他方の直列アームをＣと
したとき、直列アームＡを主体として構成されて一体に
製作されるモジュールをモジュールＭＡ、直列アームＣ
を主体として構成されて一体に製作されるモジュールを
モジュールＭＣとし、これら二つのモジュールＭＡ，Ｍ
Ｃを別個に製作して外部で電気的、機械的に接続して構
成することとし、直流電源の正極に接続された回生コン
デンサとこの回生コンデンサの端子電圧が入力される回
生回路をモジュールＭＣに含め、直流電源の負極に接続
された回生コンデンサとこの回生コンデンサの端子電圧
が入力される回生回路をモジュールＭＡに含める。そう
すると、モジュールＭＣとモジュールＭＡとのどちらか
一方を回路図上で１８０度回転させれば、半導体素子を
別にして両方のモジュールは同じ回路構成になるので、
構造的に同じものとして製作することができる。半導体
素子は１８０度回転させなければ対応するもの同士が同
じ極性であるが回転させたために対応する半導体素子同
士の極性が逆になる。半導体素子には外部構造が同じで
極性が反対のものや配置を反転させるだけで極性を逆に
できるものがあるので、これらを利用して半導体素子を
除く同じ構造の二つのモジュールに、それぞれ半導体素
子の極性を互いに反対にして取付ければ、回路上異なる
二つのモジュールが得られるので、実質的には同じ構造
のモジュールとなり部品点数が更に低減する。また、二
つのモジュールをＭＡ１，ＭＣ１としたとき、モジュー
ルＭＡ１の回生線に接続される回生接続回路をモジュー
ルＭＡ１に含め、モジュールＭＣ１の回生線に接続され
る回生接続回路をモジュールＭＣ１に含め、他の回路要
素は、モジュールＭＡに含まれた回路要素をモジュール
ＭＡ１に、モジュールＭＣに含まれた回路要素をモジュ
ールＭＣ１にそれぞれ含めることにし、それぞれの回生
線を実際のモジュールにおける冷却導体で構成すれば、
同じモジュールに含まれる回生接続回路のダイオードを
この冷却導体に共通に取付ける構造を採用することがで
きるのでモジュールの構造が簡素になり、かつ部品点数
が低減する。その場合、インダクタも含めて回生接続回
路全部を該当するモジュールに含ませるのではなく、直
列アームＡに属してモジュールＭＣ１に含まれる回生接
続回路のうちのダイオードだけをモジュールＭＣ１に含
めてインダクタはモジュールＭＡ１に含め、直列アーム
Ｃに属してモジュールＭＡ１に含まれる回生接続回路の
うちダイオードだけをモジュールＭＡ１に含めてインダ
クタはモジュールＭＣ１に含めることにしても前述と同
じ効果が得られる。
【図１】この発明の第１の実施例を示す電力変換装置の
回路図
回路図
【図２】図１の電力変換装置のモジュール構成を示す回
路図
路図
【図３】図２とは異なる図１の電力変換装置のモジュー
ル構成を示す回路図
ル構成を示す回路図
【図４】回生機能を持たない従来の電力変換装置の回路
図
図
【図５】図４の電力変換装置の一つの素子がターンオフ
する時の電流、電圧の波形図
する時の電流、電圧の波形図
【図６】図４の電力変換装置の一つの素子がターンオン
する時の電流、電圧の波形図
する時の電流、電圧の波形図
【図７】回生機能を持つ従来の電力変換装置の回路図
【図８】図７の電力変換装置の一つの素子がターンオフ
する時の電流、電圧の波形図
する時の電流、電圧の波形図
【図９】図７の電力変換装置の一つの素子がターンオン
する時の電流、電圧の波形図
する時の電流、電圧の波形図
Ａ，Ｃ，Ｅ，Ｆ…直列アーム、１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１
Ｄ，１Ｅ，１Ｆ，１Ｇ，１Ｈ…アーム、１１Ａ，１１
Ｅ，１１Ｆ，１１Ｇ，１１Ｈ…自己消弧型半導体スイッ
チング素子、１２Ａ，１２Ｅ，１２Ｆ…フリーホイーリ
ングダイオード、１３Ａ，１３Ｅ，１３Ｆ…個別スナバ
回路、２Ａ，２Ｅ…一括スナバ回路、３Ａ，３Ｃ…回生
回路、３１Ａ，３１Ｃ…回生コンデンサ、３２Ａ，３２
Ｃ…回生線、１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，１４Ｄ，２３
Ａ，２３Ｃ…回生接続回路、ＭＡ，ＭＡ１，ＭＣ，ＭＣ
１…モジュール、４Ａ，４Ｃ…アノードリアクトル、５
…直流電源、６…負荷
Ｄ，１Ｅ，１Ｆ，１Ｇ，１Ｈ…アーム、１１Ａ，１１
Ｅ，１１Ｆ，１１Ｇ，１１Ｈ…自己消弧型半導体スイッ
チング素子、１２Ａ，１２Ｅ，１２Ｆ…フリーホイーリ
ングダイオード、１３Ａ，１３Ｅ，１３Ｆ…個別スナバ
回路、２Ａ，２Ｅ…一括スナバ回路、３Ａ，３Ｃ…回生
回路、３１Ａ，３１Ｃ…回生コンデンサ、３２Ａ，３２
Ｃ…回生線、１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，１４Ｄ，２３
Ａ，２３Ｃ…回生接続回路、ＭＡ，ＭＡ１，ＭＣ，ＭＣ
１…モジュール、４Ａ，４Ｃ…アノードリアクトル、５
…直流電源、６…負荷
Claims (4)
- 【請求項１】二つのアームが直列接続されてなる直列ア
ームが二つ並列接続されて直流側回路に接続され、それ
ぞれの直列アームの中間点から引き出された二つの端子
が交流側回路に接続されてなり、それぞれのアームが、
自己消弧型半導体スイッチング素子、この自己消弧型半
導体スイッチング素子に逆並列に接続されたフリーホイ
ールダイオード、この逆並列回路に並列に接続された個
別スナバ回路からなり、それぞれの直列アームに並列に
接続された一括スナバ回路が設けられ、個別スナバ回路
と一括スナバ回路とがそれぞれダイオードとコンデンサ
の直列回路からなり、直流電源の正極側と負極側にそれ
ぞれ回生回路とこの回生回路の入力端子に並列に回生コ
ンデンサが設けられ、これら回生コンデンサの一方の端
子が直流電源の正極又は負極に接続され他方の端子がそ
れぞれの回生線に接続され、回生回路の出力端子が直流
電源に並列に接続されてなり、それぞれのスナバ回路の
コンデンサとダイオードとの接続点と回生線とが、ダイ
オードとリアクトルの直列回路からなる回生接続回路を
介して接続されてなる電力変換装置において、直流電源
の正極に接続されるアームの個別スナバ回路に接続され
た回生接続回路が正極側の回生コンデンサの回生線に接
続され、直流電源の負極に接続されるアームの個別スナ
バ回路に接続された回生接続回路が負極側の回生コンデ
ンサの回生線に接続され、二つの直列アームのそれぞれ
の一括スナバ回路のうちの一方の一括スナバ回路の回生
接続回路が正極側の回生線に接続され、他方の一括スナ
バ回路の回生接続回路が負極側の回生線路に接続されて
なることを特徴とする電力変換装置。 - 【請求項２】二つの直列アームの一方の直列アームを
Ａ、他方の直列アームをＣとしたとき、直列アームＡを
主体として構成されて一体に製作されるモジュールをモ
ジュールＭＡ、直列アームＣを主体として構成されて一
体に製作されるモジュールをモジュールＭＣとし、これ
ら二つのモジュールＭＡ，ＭＣが別個に製作された上で
電気的、機械的に接続されて構成される請求項１記載の
電力変換装置において、 直流電源の正極に接続された回生コンデンサとこの回生
コンデンサの端子電圧が入力される回生回路をモジュー
ルＭＣに含め、直流電源の負極に接続された回生コンデ
ンサとこの回生コンデンサの端子電圧が入力される回生
回路をモジュールＭＡに含め、半導体素子を除いてモジ
ュールＭＣとモジュールＭＡとの一方を回路上で１８０
度回転させた状態で同じ構造とし、半導体素子の極性を
互いに反対にして取付けることを特徴とする電力変換装
置。 - 【請求項３】二つのモジュールをＭＡ１，ＭＣ１とした
とき、モジュールＭＡ１の回生線に接続される回生接続
回路をモジュールＭＡ１に含め、モジュールＭＣ１の回
生線に接続される回生接続回路をモジュールＭＣ１に含
め、他の回路要素は、モジュールＭＡに含まれた回路要
素をモジュールＭＡ１に、モジュールＭＣに含まれた回
路要素をモジュールＭＣ１に、それぞれ含めてなること
を特徴とする請求項２記載の電力変換装置。 - 【請求項４】請求項３記載の電力変換装置の、直列アー
ムＡに属してモジュールＭＣ１に含まれる回生接続回路
のうちのダイオードだけをモジュールＭＣ１に含めてイ
ンダクタはモジュールＭＡ１に含め、直列アームＣに属
してモジュールＭＡ１に含まれる回生接続回路のうちの
ダイオードだけをモジュールＭＡ１に含めてインダクタ
はモジュールＭＣ１に含めてなることを特徴とする電力
変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9089545A JPH10285953A (ja) | 1997-04-08 | 1997-04-08 | 電力変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9089545A JPH10285953A (ja) | 1997-04-08 | 1997-04-08 | 電力変換装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10285953A true JPH10285953A (ja) | 1998-10-23 |
Family
ID=13973795
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9089545A Pending JPH10285953A (ja) | 1997-04-08 | 1997-04-08 | 電力変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10285953A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006288110A (ja) * | 2005-04-01 | 2006-10-19 | Mitsubishi Electric Corp | 電力変換装置 |
| JP2006296090A (ja) * | 2005-04-11 | 2006-10-26 | Mitsubishi Electric Corp | 電力変換装置 |
| WO2013128631A1 (ja) * | 2012-03-02 | 2013-09-06 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 電力変換装置 |
| CN104145413A (zh) * | 2012-03-02 | 2014-11-12 | 东芝三菱电机产业系统株式会社 | 功率转换装置 |
| WO2024088530A1 (en) * | 2022-10-26 | 2024-05-02 | Huawei Digital Power Technologies Co., Ltd. | Switching cell for an electric power converter, method of operating a switching cell, and electric power converters |
-
1997
- 1997-04-08 JP JP9089545A patent/JPH10285953A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006288110A (ja) * | 2005-04-01 | 2006-10-19 | Mitsubishi Electric Corp | 電力変換装置 |
| JP2006296090A (ja) * | 2005-04-11 | 2006-10-26 | Mitsubishi Electric Corp | 電力変換装置 |
| JP4659508B2 (ja) * | 2005-04-11 | 2011-03-30 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置 |
| WO2013128631A1 (ja) * | 2012-03-02 | 2013-09-06 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 電力変換装置 |
| CN104145413A (zh) * | 2012-03-02 | 2014-11-12 | 东芝三菱电机产业系统株式会社 | 功率转换装置 |
| CN104160609A (zh) * | 2012-03-02 | 2014-11-19 | 东芝三菱电机产业系统株式会社 | 功率转换装置 |
| JPWO2013128631A1 (ja) * | 2012-03-02 | 2015-07-30 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 電力変換装置 |
| EP2822170A4 (en) * | 2012-03-02 | 2016-01-06 | Toshiba Mitsubishi Elec Inc | POWER CONVERTER |
| US9281740B2 (en) | 2012-03-02 | 2016-03-08 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation | Power conversion apparatus |
| CN104160609B (zh) * | 2012-03-02 | 2016-12-28 | 东芝三菱电机产业系统株式会社 | 功率转换装置 |
| CN104145413B (zh) * | 2012-03-02 | 2017-07-14 | 东芝三菱电机产业系统株式会社 | 功率转换装置 |
| WO2024088530A1 (en) * | 2022-10-26 | 2024-05-02 | Huawei Digital Power Technologies Co., Ltd. | Switching cell for an electric power converter, method of operating a switching cell, and electric power converters |
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