JP3325030B2 - ３レベルインバータ装置 - Google Patents
３レベルインバータ装置Info
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
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- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/42—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
- H02M7/44—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
- H02M7/48—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M7/483—Converters with outputs that each can have more than two voltages levels
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- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
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- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/081—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/0814—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the output circuit
- H03K17/08144—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the output circuit in thyristor switches
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は自己消弧型半導体素子
を適用して構成される３レベルインバータ装置に関する
ものである。
を適用して構成される３レベルインバータ装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】図１５は従来の３レベルインバータ装置
（３相）の基本構成を示す構成図である。このような３
レベルインバータ装置は、例えばＩＥＥＥ ＴＲＡＮＳ
ＡＣＴＩＯＮ ＯＮ ＩＮＤＵＳＴＲＹ ＡＰＰＲＩＣ
ＡＴＩＯＮＳ ＶＯＬ．ＩＡ−１７，ＮＯ．５ １９８
１「Ａ Ｎｅｗ Ｎｅｕｔｒａｌ−Ｐｏｉｎｔ−Ｃｌａ
ｍｐｅｄ ＰＷＭ Ｉｎｖｅｒｔｅｒ」に示されてお
り、この３レベルインバータ装置は、例えば自己消弧型
半導体素子１ａ及びそれに逆並列接続されるフリーホイ
ールダイオード２ａからなる一組の回路に３レベルイン
バータ装置の直流電源３の正極Ｐと負極Ｎの間に４組直
列に接続されている。従って３レベルインバータ装置の
出力端子Ａとその直流電源３の正極Ｐ間の正アームと、
出力端子Ａと直流電源３の負極Ｎの間の負アームは、各
々２組直列に接続される構成になる。またこの３レベル
インバータ装置は直流電源３を分割する手段としてコン
デンサ４ａ，４ｂを用いており、直流電源３の中間電位
となる点Ｂと正アームの中点Ｃ及び負アームの中点Ｄ間
にそれぞれクランプダイオード５ａ，５ｂが接続されて
いる。近年自己消弧型半導体素子には逆並列されるフリ
ーホイールダイオードを含んだ逆導通型自己消弧型半導
体素子が開発されており、省略されることもあり得る。
（３相）の基本構成を示す構成図である。このような３
レベルインバータ装置は、例えばＩＥＥＥ ＴＲＡＮＳ
ＡＣＴＩＯＮ ＯＮ ＩＮＤＵＳＴＲＹ ＡＰＰＲＩＣ
ＡＴＩＯＮＳ ＶＯＬ．ＩＡ−１７，ＮＯ．５ １９８
１「Ａ Ｎｅｗ Ｎｅｕｔｒａｌ−Ｐｏｉｎｔ−Ｃｌａ
ｍｐｅｄ ＰＷＭ Ｉｎｖｅｒｔｅｒ」に示されてお
り、この３レベルインバータ装置は、例えば自己消弧型
半導体素子１ａ及びそれに逆並列接続されるフリーホイ
ールダイオード２ａからなる一組の回路に３レベルイン
バータ装置の直流電源３の正極Ｐと負極Ｎの間に４組直
列に接続されている。従って３レベルインバータ装置の
出力端子Ａとその直流電源３の正極Ｐ間の正アームと、
出力端子Ａと直流電源３の負極Ｎの間の負アームは、各
々２組直列に接続される構成になる。またこの３レベル
インバータ装置は直流電源３を分割する手段としてコン
デンサ４ａ，４ｂを用いており、直流電源３の中間電位
となる点Ｂと正アームの中点Ｃ及び負アームの中点Ｄ間
にそれぞれクランプダイオード５ａ，５ｂが接続されて
いる。近年自己消弧型半導体素子には逆並列されるフリ
ーホイールダイオードを含んだ逆導通型自己消弧型半導
体素子が開発されており、省略されることもあり得る。
【０００３】図１６に示す一般的な２レベルインバータ
装置（単相を図示）では、各相において直流電源電圧Ｅ
の全電圧と零電圧を出力することができるが、図１７
（単相を図示）に示す３レベルインバータ装置の各相に
おいて、直流電源電圧２Ｅの全電圧と中間電圧と零電圧
を出力することが可能である。その３つの電圧値の出力
方法を説明する。正アームの自己消弧型半導体素子１
ａ，１ｂのみオンさせると、直流電源３の正極Ｐと出力
端子Ａとが電気的に接続されることになり、出力端子Ａ
からは直流電源電圧２Ｅの全電圧が出力される。また出
力端子Ａの両側に接続されている自己消弧型半導体素子
１ｂ，１ｃのみオンさせると、直流電源３の中間電位と
なる点Ｂと出力端子Ａとが電気的に接続されることにな
り、出力端子Ａからは直流電源電圧２Ｅの中間電圧が出
力される。さらに負アームの自己消弧型半導体素子１
ｃ，１ｄのみオンさせると、直流電源３の負極Ｎと出力
端子Ａとが電気的に接続されることになり、出力端子Ａ
からは零電圧が出力される。
装置（単相を図示）では、各相において直流電源電圧Ｅ
の全電圧と零電圧を出力することができるが、図１７
（単相を図示）に示す３レベルインバータ装置の各相に
おいて、直流電源電圧２Ｅの全電圧と中間電圧と零電圧
を出力することが可能である。その３つの電圧値の出力
方法を説明する。正アームの自己消弧型半導体素子１
ａ，１ｂのみオンさせると、直流電源３の正極Ｐと出力
端子Ａとが電気的に接続されることになり、出力端子Ａ
からは直流電源電圧２Ｅの全電圧が出力される。また出
力端子Ａの両側に接続されている自己消弧型半導体素子
１ｂ，１ｃのみオンさせると、直流電源３の中間電位と
なる点Ｂと出力端子Ａとが電気的に接続されることにな
り、出力端子Ａからは直流電源電圧２Ｅの中間電圧が出
力される。さらに負アームの自己消弧型半導体素子１
ｃ，１ｄのみオンさせると、直流電源３の負極Ｎと出力
端子Ａとが電気的に接続されることになり、出力端子Ａ
からは零電圧が出力される。
【０００４】図１７に示された３レベルインバータ装置
を構成する自己消弧型半導体素子に、電圧上昇率及び電
流上昇率に制約のあるもの、例えばＧＴＯサイリスタ
（以下ＧＴＯと略す）を適用する場合、図１８に示すス
ナバ回路を接続しなければならない。すなわち、図中６
はＧＴＯ１に直列に接続されているので直列スナバ回路
といい、アノードリアクトル７、ダイオード８、抵抗器
９から構成されている。また図中１０はＧＴＯ１に並列
に接続されているので並列スナバ回路といい、スナバコ
ンデンサ１１、スナバダイオード１２、抵抗器１３から
構成されている。この基本構成は三菱電機技報ＶＯＬ．
５８ Ｎｏ．１２ １９８４「車両推進制御装置におけ
るＧＴＯの応用」に記載されている。このスナバ回路の
役割であるが、ＧＴＯ１のターンオン時にはアノードリ
アクトル７がエネルギを蓄えながらＧＴＯ１にかかる電
流上昇率を所望の値に抑制し、ＧＴＯ１のターンオフ時
にはスナバコンデンサ１１がエネルギを蓄えながらＧＴ
Ｏ１にかかる電圧上昇率を所望の値に抑制することにな
り、ＧＴＯ１のスイッチング時に素子が破壊されること
の無い様、保護回路として機能する。このスナバ回路で
はＧＴＯ１のスイッチングの度毎にスナバ回路の構成要
素であるアノードリアクトル７とスナバコンデンサ１１
に蓄えられたエネルギはそれぞれ抵抗器９，１３で消費
されることになる。
を構成する自己消弧型半導体素子に、電圧上昇率及び電
流上昇率に制約のあるもの、例えばＧＴＯサイリスタ
（以下ＧＴＯと略す）を適用する場合、図１８に示すス
ナバ回路を接続しなければならない。すなわち、図中６
はＧＴＯ１に直列に接続されているので直列スナバ回路
といい、アノードリアクトル７、ダイオード８、抵抗器
９から構成されている。また図中１０はＧＴＯ１に並列
に接続されているので並列スナバ回路といい、スナバコ
ンデンサ１１、スナバダイオード１２、抵抗器１３から
構成されている。この基本構成は三菱電機技報ＶＯＬ．
５８ Ｎｏ．１２ １９８４「車両推進制御装置におけ
るＧＴＯの応用」に記載されている。このスナバ回路の
役割であるが、ＧＴＯ１のターンオン時にはアノードリ
アクトル７がエネルギを蓄えながらＧＴＯ１にかかる電
流上昇率を所望の値に抑制し、ＧＴＯ１のターンオフ時
にはスナバコンデンサ１１がエネルギを蓄えながらＧＴ
Ｏ１にかかる電圧上昇率を所望の値に抑制することにな
り、ＧＴＯ１のスイッチング時に素子が破壊されること
の無い様、保護回路として機能する。このスナバ回路で
はＧＴＯ１のスイッチングの度毎にスナバ回路の構成要
素であるアノードリアクトル７とスナバコンデンサ１１
に蓄えられたエネルギはそれぞれ抵抗器９，１３で消費
されることになる。
【０００５】図１９は自己消弧型半導体素子１ａ，１
ｂ，１ｃ，１ｄの一例としてＧＴＯ１ａ，１ｂ，１ｃ，
１ｄを適用し、各ＧＴＯ１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄに図１
８に示した並列スナバ回路１０を接続した従来の３レベ
ルインバータ装置を示す構成図である。なお図１９では
図１５のコンデンサ４ａ，４ｂを等価的に直流電源３
ａ，３ｂに置換しており、分割された直流電源３ａ，３
ｂの電圧は各々電圧Ｅとする。原理的には図１９に示す
２つのアノードリアクトル７ａ，７ｂを挿入することに
より各相を構成するＧＴＯ１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄにか
かる電流上昇率を抑制することは可能であるが、中間電
位となる点Ｂからの接続経路にアノードリアクトル７ｃ
を挿入して、全てのアノードリアクトル７ａ，７ｂ，７
ｃに蓄えられたエネルギを電圧クランプ回路１４ａ，１
４ｂに一旦吸収させて抵抗器１７ａ，１７ｂで放電，消
費させるようにしている。前述した３つのレベルを出力
するために、３レベルインバータ装置を構成するＧＴＯ
１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄをスイッチングさせるのである
が、そのスイッチング動作の度毎にリアクトルやコンデ
ンサに蓄えられたエネルギが抵抗器で消費されることに
なる。
ｂ，１ｃ，１ｄの一例としてＧＴＯ１ａ，１ｂ，１ｃ，
１ｄを適用し、各ＧＴＯ１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄに図１
８に示した並列スナバ回路１０を接続した従来の３レベ
ルインバータ装置を示す構成図である。なお図１９では
図１５のコンデンサ４ａ，４ｂを等価的に直流電源３
ａ，３ｂに置換しており、分割された直流電源３ａ，３
ｂの電圧は各々電圧Ｅとする。原理的には図１９に示す
２つのアノードリアクトル７ａ，７ｂを挿入することに
より各相を構成するＧＴＯ１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄにか
かる電流上昇率を抑制することは可能であるが、中間電
位となる点Ｂからの接続経路にアノードリアクトル７ｃ
を挿入して、全てのアノードリアクトル７ａ，７ｂ，７
ｃに蓄えられたエネルギを電圧クランプ回路１４ａ，１
４ｂに一旦吸収させて抵抗器１７ａ，１７ｂで放電，消
費させるようにしている。前述した３つのレベルを出力
するために、３レベルインバータ装置を構成するＧＴＯ
１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄをスイッチングさせるのである
が、そのスイッチング動作の度毎にリアクトルやコンデ
ンサに蓄えられたエネルギが抵抗器で消費されることに
なる。
【０００６】図１９について動作を説明する。なお、説
明中に示す経路は図２０にまとめて記載している。まず
構成であるが、正アームはＧＴＯ１ａ，１ｂ、フリーホ
イールダイオード２ａ，２ｂにより、負アームはＧＴＯ
１ｃ，１ｄ、フリーホイールダイオード２ｃ，２ｄによ
り構成されている。５ａ，５ｂはクランプダイオードで
あり、１４ａ，１４ｂは電圧クランプ回路であり、各々
は望ましくは静電容量の大きなコンデンサ１５ａ，１５
ｂ、ダイオード１６ａ，１６ｂ、抵抗器１７ａ，１７ｂ
から構成されている。ＧＴＯ１ａについてはスナバコン
デンサ１１ａ，スナバダイオード１２ａ，抵抗器１３ａ
から構成される並列スナバ回路を備えており、他のＧＴ
Ｏ１ｂ，１ｃ，１ｄについても同様である。７ａ，７
ｂ，７ｃは直列スナバ回路の機能を有するアノードリア
クトルである。ここでは３レベルインバータ装置に接続
される図示されない負荷は誘導性負荷であり、負荷電流
のベクトルは、各ＧＴＯ１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄのスイ
ッチング動作中には変化しないものと仮定する。
明中に示す経路は図２０にまとめて記載している。まず
構成であるが、正アームはＧＴＯ１ａ，１ｂ、フリーホ
イールダイオード２ａ，２ｂにより、負アームはＧＴＯ
１ｃ，１ｄ、フリーホイールダイオード２ｃ，２ｄによ
り構成されている。５ａ，５ｂはクランプダイオードで
あり、１４ａ，１４ｂは電圧クランプ回路であり、各々
は望ましくは静電容量の大きなコンデンサ１５ａ，１５
ｂ、ダイオード１６ａ，１６ｂ、抵抗器１７ａ，１７ｂ
から構成されている。ＧＴＯ１ａについてはスナバコン
デンサ１１ａ，スナバダイオード１２ａ，抵抗器１３ａ
から構成される並列スナバ回路を備えており、他のＧＴ
Ｏ１ｂ，１ｃ，１ｄについても同様である。７ａ，７
ｂ，７ｃは直列スナバ回路の機能を有するアノードリア
クトルである。ここでは３レベルインバータ装置に接続
される図示されない負荷は誘導性負荷であり、負荷電流
のベクトルは、各ＧＴＯ１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄのスイ
ッチング動作中には変化しないものと仮定する。
【０００７】まず、ＧＴＯ１ａのターンオフ動作を説明
する。図中正アームのＧＴＯ１ａ，１ｂがオン，負アー
ムのＧＴＯ１ｃ，１ｄがオフしており、経路１により出
力端子Ａから図中矢印の方向に負荷電流が流れており、
スナバコンデンサ１１ａ，１ｂの電圧は各々零、スナバ
コンデンサ１１ｃ，１１ｄの電圧は各々分割された直流
電源３ａ，３ｂの電圧Ｅに充電された状態から、ＧＴＯ
１ａをターンオフさせ負荷電流を遮断し、ある一定の短
絡防止時間後にＧＴＯ１ｃをターンオンする場合を考え
る。ＧＴＯ１ａをターンオフさせると遮断された電流は
経路２にバイパスされスナバコンデンサ１１ａを充電
し、その充電電圧が分割された直流電源３ａの電圧Ｅ以
上になるとクランプダイオード５ａが導通して負荷電流
は経路３により流れる。この過程においてアノードリア
クトル７ａの電流は経路４を流れることになり、アノー
ドリアクトル７ａに蓄えられたエネルギはコンデンサ１
５ａに吸収される。またスナバコンデンサ１１ｃ，１１
ｄに蓄えられたエネルギは抵抗器１３ｃ，１３ｄを通っ
て経路５により負荷側に放電，消費される。ＧＴＯ１ａ
をターンオフして短絡防止時間後にＧＴＯ１ｃをターン
オンした際、スナバコンデンサ１１ｃ，１１ｄにエネル
ギが残っているが、経路６によりスナバコンデンサ１１
ｃのエネルギは全て抵抗器１３ｃで消費され、スナバコ
ンデンサ１１ｄは分割された直流電源電圧Ｅまで充電さ
れる。この過程を経て負荷電流は経路３により流れるこ
とになる。更にコンデンサ１５ａに過充電電圧として一
旦蓄えられたエネルギは抵抗器１７ａを通って放電され
る。
する。図中正アームのＧＴＯ１ａ，１ｂがオン，負アー
ムのＧＴＯ１ｃ，１ｄがオフしており、経路１により出
力端子Ａから図中矢印の方向に負荷電流が流れており、
スナバコンデンサ１１ａ，１ｂの電圧は各々零、スナバ
コンデンサ１１ｃ，１１ｄの電圧は各々分割された直流
電源３ａ，３ｂの電圧Ｅに充電された状態から、ＧＴＯ
１ａをターンオフさせ負荷電流を遮断し、ある一定の短
絡防止時間後にＧＴＯ１ｃをターンオンする場合を考え
る。ＧＴＯ１ａをターンオフさせると遮断された電流は
経路２にバイパスされスナバコンデンサ１１ａを充電
し、その充電電圧が分割された直流電源３ａの電圧Ｅ以
上になるとクランプダイオード５ａが導通して負荷電流
は経路３により流れる。この過程においてアノードリア
クトル７ａの電流は経路４を流れることになり、アノー
ドリアクトル７ａに蓄えられたエネルギはコンデンサ１
５ａに吸収される。またスナバコンデンサ１１ｃ，１１
ｄに蓄えられたエネルギは抵抗器１３ｃ，１３ｄを通っ
て経路５により負荷側に放電，消費される。ＧＴＯ１ａ
をターンオフして短絡防止時間後にＧＴＯ１ｃをターン
オンした際、スナバコンデンサ１１ｃ，１１ｄにエネル
ギが残っているが、経路６によりスナバコンデンサ１１
ｃのエネルギは全て抵抗器１３ｃで消費され、スナバコ
ンデンサ１１ｄは分割された直流電源電圧Ｅまで充電さ
れる。この過程を経て負荷電流は経路３により流れるこ
とになる。更にコンデンサ１５ａに過充電電圧として一
旦蓄えられたエネルギは抵抗器１７ａを通って放電され
る。
【０００８】次にＧＴＯ１ｂのターンオフ動作を説明す
る。図中正アームのＧＴＯ１ａがオフ、ＧＴＯ１ｂがオ
ン、負アームのＧＴＯ１ｃがオン、ＧＴＯ１ｄがオフし
ており、経路３により出力端子Ａに図中矢印の方向に負
荷電流が流れており、スナバコンデンサ１１ｂ，１１ｃ
の電圧は各々零，スナバコンデンサ１１ａ，１１ｄの電
圧は各々分割された直流電源３ａ，３ｂの電圧Ｅに充電
された状態から、ＧＴＯ１ｂをターンオフさせ負荷電流
を遮断し、ある一定の短絡防止時間後にＧＴＯ１ｄをタ
ーンオンする場合を考える。ＧＴＯ１ｂをターンオフさ
せると遮断された電流は経路７にバイパスされスナバコ
ンデンサ１１ｂを充電し、その充電電圧が分割された直
流電源３ｂの電圧Ｅ以上になると、フリーホイールダイ
オード２ｃ，２ｄが導通して負荷電流は経路８により流
れる。この過程においてアノードリアクトル７ｃの電流
は経路９を流れることになり、アノードリアクトル７ｃ
に蓄えられたエネルギはコンデンサ１５ｂに吸収され
る。またスナバコンデンサ１１ｄに蓄えられたエネルギ
は抵抗器１３ｄを通って経路１０により負荷側に放電，
消費される。ＧＴＯ１ｂをターンオフして短絡防止時間
後にＧＴＯ１ｄをターンオンした際、スナバコンデンサ
１１ｄにエネルギが残っている場合、経路１１によりそ
れらのエネルギは全て抵抗器１３ｄで消費される。この
過程を経て負荷電流は経路８により流れることになる。
更にコンデンサ１５ｂに過充電電圧として一旦蓄えられ
たエネルギは抵抗器１７ｂを通って放電される。
る。図中正アームのＧＴＯ１ａがオフ、ＧＴＯ１ｂがオ
ン、負アームのＧＴＯ１ｃがオン、ＧＴＯ１ｄがオフし
ており、経路３により出力端子Ａに図中矢印の方向に負
荷電流が流れており、スナバコンデンサ１１ｂ，１１ｃ
の電圧は各々零，スナバコンデンサ１１ａ，１１ｄの電
圧は各々分割された直流電源３ａ，３ｂの電圧Ｅに充電
された状態から、ＧＴＯ１ｂをターンオフさせ負荷電流
を遮断し、ある一定の短絡防止時間後にＧＴＯ１ｄをタ
ーンオンする場合を考える。ＧＴＯ１ｂをターンオフさ
せると遮断された電流は経路７にバイパスされスナバコ
ンデンサ１１ｂを充電し、その充電電圧が分割された直
流電源３ｂの電圧Ｅ以上になると、フリーホイールダイ
オード２ｃ，２ｄが導通して負荷電流は経路８により流
れる。この過程においてアノードリアクトル７ｃの電流
は経路９を流れることになり、アノードリアクトル７ｃ
に蓄えられたエネルギはコンデンサ１５ｂに吸収され
る。またスナバコンデンサ１１ｄに蓄えられたエネルギ
は抵抗器１３ｄを通って経路１０により負荷側に放電，
消費される。ＧＴＯ１ｂをターンオフして短絡防止時間
後にＧＴＯ１ｄをターンオンした際、スナバコンデンサ
１１ｄにエネルギが残っている場合、経路１１によりそ
れらのエネルギは全て抵抗器１３ｄで消費される。この
過程を経て負荷電流は経路８により流れることになる。
更にコンデンサ１５ｂに過充電電圧として一旦蓄えられ
たエネルギは抵抗器１７ｂを通って放電される。
【０００９】次にその状態からＧＴＯ１ｄをターンオフ
し、ある一定の短絡防止時間後にＧＴＯ１ｂをターンオ
ンすると、負荷電流は経路３により供給され始めると共
に、スナバコンデンサ１１ｂに蓄えられたエネルギは経
路１２により抵抗器１３ｂで消費されつつ電圧が零にな
るまで放電される。またスナバコンデンサ１１ｄは経路
１３により分割された直流電源３ｂの電圧Ｅに充電さ
れ、アノードリアクトル７ｂ，７ｃに過剰に蓄えられた
エネルギは経路１４によりコンデンサ１５ｂに吸収され
る。この過程を経て負荷電流は経路３により流れること
になる。更にコンデンサ１５ｂに過充電電圧として一旦
蓄えられたエネルギは抵抗器１７ｂを通って放電され
る。
し、ある一定の短絡防止時間後にＧＴＯ１ｂをターンオ
ンすると、負荷電流は経路３により供給され始めると共
に、スナバコンデンサ１１ｂに蓄えられたエネルギは経
路１２により抵抗器１３ｂで消費されつつ電圧が零にな
るまで放電される。またスナバコンデンサ１１ｄは経路
１３により分割された直流電源３ｂの電圧Ｅに充電さ
れ、アノードリアクトル７ｂ，７ｃに過剰に蓄えられた
エネルギは経路１４によりコンデンサ１５ｂに吸収され
る。この過程を経て負荷電流は経路３により流れること
になる。更にコンデンサ１５ｂに過充電電圧として一旦
蓄えられたエネルギは抵抗器１７ｂを通って放電され
る。
【００１０】次にその状態からＧＴＯ１ｃをターンオフ
し、ある一定の短絡防止時間後にＧＴＯ１ａをターンオ
ンすると、負荷電流は経路１により供給され始めると共
に、スナバコンデンサ１１ａ蓄えられたエネルギは経路
１５により抵抗器１３ａで消費されつつ電圧が零になる
まで放電される。またスナバコンデンサ１１ｃは経路１
６により分割された直流電源３ａの電圧Ｅに充電され、
アノードリアクトル７ａ，７ｃに過剰に蓄えられたエネ
ルギは経路１７によりコンデンサ１５ａに吸収される。
この過程を経て負荷電流は経路１により流れることにな
る。更にコンデンサ１５ａに過充電電圧として一旦蓄え
られたエネルギは抵抗器１７ａを通って放電される。
し、ある一定の短絡防止時間後にＧＴＯ１ａをターンオ
ンすると、負荷電流は経路１により供給され始めると共
に、スナバコンデンサ１１ａ蓄えられたエネルギは経路
１５により抵抗器１３ａで消費されつつ電圧が零になる
まで放電される。またスナバコンデンサ１１ｃは経路１
６により分割された直流電源３ａの電圧Ｅに充電され、
アノードリアクトル７ａ，７ｃに過剰に蓄えられたエネ
ルギは経路１７によりコンデンサ１５ａに吸収される。
この過程を経て負荷電流は経路１により流れることにな
る。更にコンデンサ１５ａに過充電電圧として一旦蓄え
られたエネルギは抵抗器１７ａを通って放電される。
【００１１】次に負荷電流が図中矢印の逆方向に流れて
いる場合の各ＧＴＯ１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄのスイッチ
ング動作についてであるが、図中矢印の方向に負荷電流
が流れている場合の各ＧＴＯ１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄの
スイッチング動作と全く対称な為説明を省略する。
いる場合の各ＧＴＯ１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄのスイッチ
ング動作についてであるが、図中矢印の方向に負荷電流
が流れている場合の各ＧＴＯ１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄの
スイッチング動作と全く対称な為説明を省略する。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】従来の３レベルインバ
ータ装置は以上のように構成されているので、構成部品
のうち抵抗器がその点数のかなりの割合を占めており、
またＧＴＯ等の自己消弧型半導体素子のオン，オフ動作
により直列スナバ回路，並列スナバ回路内のエネルギ蓄
積要素であるコンデンサ及びリアクトルに蓄えられたエ
ネルギが抵抗器で消費されており、この結果インバータ
装置の効率低下要因となり、３レベルインバータ装置の
高周波化が困難となり、３レベルインバータ装置内に設
置される冷却装置が大型化し、３レベルインバータ装置
自体も大型化するという問題点があった。
ータ装置は以上のように構成されているので、構成部品
のうち抵抗器がその点数のかなりの割合を占めており、
またＧＴＯ等の自己消弧型半導体素子のオン，オフ動作
により直列スナバ回路，並列スナバ回路内のエネルギ蓄
積要素であるコンデンサ及びリアクトルに蓄えられたエ
ネルギが抵抗器で消費されており、この結果インバータ
装置の効率低下要因となり、３レベルインバータ装置の
高周波化が困難となり、３レベルインバータ装置内に設
置される冷却装置が大型化し、３レベルインバータ装置
自体も大型化するという問題点があった。
【００１３】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、複数の直列スナバ回路及び並列
スナバ回路の構成要素である抵抗器を共通に接続するこ
とによって抵抗器の数を最小限にし、更に直列スナバ回
路、並列スナバ回路内に蓄えられていたエネルギを抵抗
器で消費することなく直流電源等に回生でき、それらの
回路が持つ自己消弧型半導体素子の保護機能を損ねるこ
となく動作する３レベルインバータ装置を得ることを目
的としている。
ためになされたもので、複数の直列スナバ回路及び並列
スナバ回路の構成要素である抵抗器を共通に接続するこ
とによって抵抗器の数を最小限にし、更に直列スナバ回
路、並列スナバ回路内に蓄えられていたエネルギを抵抗
器で消費することなく直流電源等に回生でき、それらの
回路が持つ自己消弧型半導体素子の保護機能を損ねるこ
となく動作する３レベルインバータ装置を得ることを目
的としている。
【００１４】
【課題を解決するための手段】この発明に係る３レベル
インバータ装置は、複数の直列スナバ回路及び並列スナ
バ回路の構成要素である抵抗器を共通に接続し、更に構
成要素に抵抗器を含まない構成とし、従来のスナバ回路
内に蓄えられ、かつ抵抗器で消費されていた過剰なエネ
ルギを回収するために回収コンデンサを備え、３レベル
インバータ装置を構成する自己消弧型半導体素子のスイ
ッチング動作によりその過剰なエネルギを回収コンデン
サに導き、その回収コンデンサに回収された過剰なエネ
ルギを取り出して直流電源等に回生できる電力回生装置
を備えたものである。
インバータ装置は、複数の直列スナバ回路及び並列スナ
バ回路の構成要素である抵抗器を共通に接続し、更に構
成要素に抵抗器を含まない構成とし、従来のスナバ回路
内に蓄えられ、かつ抵抗器で消費されていた過剰なエネ
ルギを回収するために回収コンデンサを備え、３レベル
インバータ装置を構成する自己消弧型半導体素子のスイ
ッチング動作によりその過剰なエネルギを回収コンデン
サに導き、その回収コンデンサに回収された過剰なエネ
ルギを取り出して直流電源等に回生できる電力回生装置
を備えたものである。
【００１５】
【作用】この発明においては、複数の直列スナバ回路及
び並列スナバ回路の構成要素である抵抗器を共通に接続
することにより、抵抗部品点数を最小限にし、３レベル
インバータ装置の構成の簡素化が可能となり、更に構成
要素に抵抗器を用いないで構成されるスナバ回路を適用
することにより、従来のスナバ回路と同様に自己消弧型
半導体素子に加わる急峻な電流、電圧の立上りを所望の
値に抑制し、従来のスナバ回路内に蓄えられ、かつ抵抗
器で消費されていた過剰なエネルギを回収するための回
収コンデンサに導き、その回収コンデンサに回収された
過剰なエネルギを取り出して、直流電源等に回生できる
電力回生装置を備えたので、３レベルインバータ装置を
高効率に駆動することが可能となる。
び並列スナバ回路の構成要素である抵抗器を共通に接続
することにより、抵抗部品点数を最小限にし、３レベル
インバータ装置の構成の簡素化が可能となり、更に構成
要素に抵抗器を用いないで構成されるスナバ回路を適用
することにより、従来のスナバ回路と同様に自己消弧型
半導体素子に加わる急峻な電流、電圧の立上りを所望の
値に抑制し、従来のスナバ回路内に蓄えられ、かつ抵抗
器で消費されていた過剰なエネルギを回収するための回
収コンデンサに導き、その回収コンデンサに回収された
過剰なエネルギを取り出して、直流電源等に回生できる
電力回生装置を備えたので、３レベルインバータ装置を
高効率に駆動することが可能となる。
【００１６】
【実施例】実施例１． 以下、この発明の一実施例を図について説明する。図１
は請求項１に対応するこの発明の３レベルインバータ装
置の実施例を示す構成図（単相を図示）である。図１に
おいては自己消弧型半導体素子１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ
の一例としてＧＴＯ１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄを適用して
おり、図１においてそれらは短絡防止時間を設ける必要
の無い理想スイッチとして扱うことが可能であるものと
する。なお、図１において、図１５及び図１９と対応す
る部分には同一符号を付して説明する。
は請求項１に対応するこの発明の３レベルインバータ装
置の実施例を示す構成図（単相を図示）である。図１に
おいては自己消弧型半導体素子１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ
の一例としてＧＴＯ１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄを適用して
おり、図１においてそれらは短絡防止時間を設ける必要
の無い理想スイッチとして扱うことが可能であるものと
する。なお、図１において、図１５及び図１９と対応す
る部分には同一符号を付して説明する。
【００１７】本実施例では、正アームは第１の自己消弧
型半導体素子としてのＧＴＯ１ａ，第２の自己消弧型半
導体素子としてのＧＴＯ１ｂ、フリーホイールダイオー
ド２ａ，２ｂ、アノードリアクトル７ａにより、負アー
ムは第３の自己消弧型半導体素子としてのＧＴＯ１ｃ、
第４の自己消弧型半導体素子としてのＧＴＯ１ｄ、フリ
ーホイールダイオード２ｃ，２ｄ、アノードリアクトル
７ｂにより構成されている。５ａ，５ｂは中間電位とな
る点ＢとＧＴＯ１ｂのアノード側の間及びＧＴＯ１ｃの
カソード側と中間電位となる点Ｂの間に夫々接続された
クランプダイオードである。ＧＴＯ１ａについてはスナ
バコンデンサ１１ａ，スナバダイオード１２ａから構成
される並列スナバ回路の機能を有する直列体を備えてお
り、他のＧＴＯ１ｂ，１ｃ，１ｄについても同様であ
る。アノードリアクトル７ａ，７ｂは直列スナバ回路の
機能を有し、夫々ＧＴＯ１ａと１ｂの間及びＧＴＯ１ｃ
と１ｄの間に接続されている。また１８ａ，１８ｂはス
ナバコンデンサ１１ａ，１１ｃ及びスナバコンデンサ１
１ｂ，１１ｄに共通な放電抵抗器であり、放電抵抗器１
８ａはスナバコンデンサ１１ａ及びスナバダイオード１
２ａの接続点とスナバコンデンサ１１ｃ及びスナバダイ
オード１２ｃの接続点との間に接続され、放電抵抗器１
８ｂはスナバコンデンサ１１ｂ及びスナバダイオード１
２ｂの接続点とスナバコンデンサ１１ｄ及びスナバダイ
オード１２ｄの接続点との間に接続される。なお図１で
は図１７のコンデンサ４ａ，４ｂを等価的に２つの直流
電源３ａ，３ｂに置換しており、分割された直流電源３
ａ，３ｂの電圧は各々電圧Ｅとする。ここでは３レベル
インバータ装置に接続される図示されない負荷は誘導性
負荷であり、負荷電流のベクトルは、各ＧＴＯ１ａ，１
ｂ，１ｃ，１ｄのスイッチング動作中には変化しないも
のと仮定する。
型半導体素子としてのＧＴＯ１ａ，第２の自己消弧型半
導体素子としてのＧＴＯ１ｂ、フリーホイールダイオー
ド２ａ，２ｂ、アノードリアクトル７ａにより、負アー
ムは第３の自己消弧型半導体素子としてのＧＴＯ１ｃ、
第４の自己消弧型半導体素子としてのＧＴＯ１ｄ、フリ
ーホイールダイオード２ｃ，２ｄ、アノードリアクトル
７ｂにより構成されている。５ａ，５ｂは中間電位とな
る点ＢとＧＴＯ１ｂのアノード側の間及びＧＴＯ１ｃの
カソード側と中間電位となる点Ｂの間に夫々接続された
クランプダイオードである。ＧＴＯ１ａについてはスナ
バコンデンサ１１ａ，スナバダイオード１２ａから構成
される並列スナバ回路の機能を有する直列体を備えてお
り、他のＧＴＯ１ｂ，１ｃ，１ｄについても同様であ
る。アノードリアクトル７ａ，７ｂは直列スナバ回路の
機能を有し、夫々ＧＴＯ１ａと１ｂの間及びＧＴＯ１ｃ
と１ｄの間に接続されている。また１８ａ，１８ｂはス
ナバコンデンサ１１ａ，１１ｃ及びスナバコンデンサ１
１ｂ，１１ｄに共通な放電抵抗器であり、放電抵抗器１
８ａはスナバコンデンサ１１ａ及びスナバダイオード１
２ａの接続点とスナバコンデンサ１１ｃ及びスナバダイ
オード１２ｃの接続点との間に接続され、放電抵抗器１
８ｂはスナバコンデンサ１１ｂ及びスナバダイオード１
２ｂの接続点とスナバコンデンサ１１ｄ及びスナバダイ
オード１２ｄの接続点との間に接続される。なお図１で
は図１７のコンデンサ４ａ，４ｂを等価的に２つの直流
電源３ａ，３ｂに置換しており、分割された直流電源３
ａ，３ｂの電圧は各々電圧Ｅとする。ここでは３レベル
インバータ装置に接続される図示されない負荷は誘導性
負荷であり、負荷電流のベクトルは、各ＧＴＯ１ａ，１
ｂ，１ｃ，１ｄのスイッチング動作中には変化しないも
のと仮定する。
【００１８】次に、図１について動作を説明する。なお
説明中に示す経路は図２にまとめて記載している。まず
ＧＴＯ１ａのターンオフ動作を説明する。図中正アーム
のＧＴＯ１ａ，１ｂがオン，負アームのＧＴＯ１ｃ，１
ｄがオフしており、経路１により出力端子Ａから図中矢
印の方向に負荷電流が流れており、スナバコンデンサ１
１ａ，１ｂの電圧は各々零、スナバコンデンサ１１ｃ，
１１ｄの電圧は各々分割された直流電源３ａ，３ｂの電
圧Ｅに充電された状態から、ＧＴＯ１ａをターンオフさ
せ負荷電流を遮断し、その直後にＧＴＯ１ｃをターンオ
ンする場合を考える。ＧＴＯ１ａをターンオフさせると
遮断された電流は経路２にバイパスされてスナバコンデ
ンサ１１ａを充電し、ＧＴＯ１ａにかかる電圧上昇率を
抑制する。その充電電圧が分割された直流電源３ａの電
圧Ｅに達すると、クランプダイオード５ａが導通して負
荷電流は経路３により流れる。この過程においてスナバ
コンデンサ１１ｃに蓄えられたエネルギは経路４により
放電抵抗器１８ａを通って零電圧まで放電される。その
直後はアノードリアクトル７ａにエネルギが過剰に蓄え
られているが、経路５によりそのエネルギは全て放電抵
抗器１８ａで消費される。この過程を経て負荷電流は経
路３により流れることになる。
説明中に示す経路は図２にまとめて記載している。まず
ＧＴＯ１ａのターンオフ動作を説明する。図中正アーム
のＧＴＯ１ａ，１ｂがオン，負アームのＧＴＯ１ｃ，１
ｄがオフしており、経路１により出力端子Ａから図中矢
印の方向に負荷電流が流れており、スナバコンデンサ１
１ａ，１ｂの電圧は各々零、スナバコンデンサ１１ｃ，
１１ｄの電圧は各々分割された直流電源３ａ，３ｂの電
圧Ｅに充電された状態から、ＧＴＯ１ａをターンオフさ
せ負荷電流を遮断し、その直後にＧＴＯ１ｃをターンオ
ンする場合を考える。ＧＴＯ１ａをターンオフさせると
遮断された電流は経路２にバイパスされてスナバコンデ
ンサ１１ａを充電し、ＧＴＯ１ａにかかる電圧上昇率を
抑制する。その充電電圧が分割された直流電源３ａの電
圧Ｅに達すると、クランプダイオード５ａが導通して負
荷電流は経路３により流れる。この過程においてスナバ
コンデンサ１１ｃに蓄えられたエネルギは経路４により
放電抵抗器１８ａを通って零電圧まで放電される。その
直後はアノードリアクトル７ａにエネルギが過剰に蓄え
られているが、経路５によりそのエネルギは全て放電抵
抗器１８ａで消費される。この過程を経て負荷電流は経
路３により流れることになる。
【００１９】次にＧＴＯ１ｂのターンオフ動作を説明す
る。図中正アームのＧＴＯ１ａがオフ、ＧＴＯ１ｂがオ
ン、負アームのＧＴＯ１ｃがオン、ＧＴＯ１ｄがオフし
ており、経路３により出力端子Ａに図中矢印の方向に負
荷電流が流れており、スナバコンデンサ１１ｂ，１１ｃ
の電圧は各々零，スナバコンデンサ１１ａ，１１ｄの電
圧は各々分割された直流電源３ａ，３ｂの電圧Ｅに充電
された状態から、ＧＴＯ１ｂをターンオフさせ負荷電流
を遮断し、その直後にＧＴＯ１ｄをターンオンする場合
を考える。ＧＴＯ１ｂをターンオフさせると遮断された
電流は経路６にバイパスされてスナバコンデンサ１１ｂ
を充電し、ＧＴＯ１ｂにかかる電圧上昇率を抑制する。
その充電電圧が分割された直流電源３ｂの電圧Ｅに達す
ると、フリーホイールダイオード２ｃ，２ｄが導通して
負荷電流は経路７により流れる。この過程においてスナ
バコンデンサ１１ｄに蓄えられたエネルギは経路８によ
り放電抵抗器１８ｂを通って零電圧まで放電される。そ
の直後はアノードリアクトル７ｂにエネルギが過剰に蓄
えられているが、経路９によりそのエネルギは全て抵抗
器１８ｂで消費される。この過程を経て負荷電流は経路
７により流れることになる。
る。図中正アームのＧＴＯ１ａがオフ、ＧＴＯ１ｂがオ
ン、負アームのＧＴＯ１ｃがオン、ＧＴＯ１ｄがオフし
ており、経路３により出力端子Ａに図中矢印の方向に負
荷電流が流れており、スナバコンデンサ１１ｂ，１１ｃ
の電圧は各々零，スナバコンデンサ１１ａ，１１ｄの電
圧は各々分割された直流電源３ａ，３ｂの電圧Ｅに充電
された状態から、ＧＴＯ１ｂをターンオフさせ負荷電流
を遮断し、その直後にＧＴＯ１ｄをターンオンする場合
を考える。ＧＴＯ１ｂをターンオフさせると遮断された
電流は経路６にバイパスされてスナバコンデンサ１１ｂ
を充電し、ＧＴＯ１ｂにかかる電圧上昇率を抑制する。
その充電電圧が分割された直流電源３ｂの電圧Ｅに達す
ると、フリーホイールダイオード２ｃ，２ｄが導通して
負荷電流は経路７により流れる。この過程においてスナ
バコンデンサ１１ｄに蓄えられたエネルギは経路８によ
り放電抵抗器１８ｂを通って零電圧まで放電される。そ
の直後はアノードリアクトル７ｂにエネルギが過剰に蓄
えられているが、経路９によりそのエネルギは全て抵抗
器１８ｂで消費される。この過程を経て負荷電流は経路
７により流れることになる。
【００２０】次にＧＴＯ１ｂのターンオン動作を説明す
る。図中正アームのＧＴＯ１ａ，１ｂがオフ，負アーム
のＧＴＯ１ｃ，１ｄがオンしており、経路７により出力
端子Ａから図中矢印の方向に負荷電流が流れており、ス
ナバコンデンサ１１ｃ，１ｄの電圧は各々零、スナバコ
ンデンサ１１ａ，１１ｂｄの電圧は各々分割された直流
電源３ａ，３ｂの電圧Ｅに充電された状態から、ＧＴＯ
１ｂをターンオフし、その直後にＧＴＯ１ｂをターンオ
ンすることを考える。ＧＴＯ１ｂをターンオンさせる
と、ＧＴＯ１ｂにかかる電流上昇率がアノードリアクト
ル７ｂに抑制されつつ、負荷電流は経路３により供給さ
れ始めると共に、スナバコンデンサ１１ｂに蓄えられた
エネルギは経路１０により放電抵抗器１８ｂで消費され
つつ電圧が零になるまで放電される。またスナバコンデ
ンサ１１ｄは経路１１により分割された直流電源３ｂの
電圧Ｅに充電され、アノードリアクトル７ｂに過剰に蓄
えられたエネルギは経路９により全て放電抵抗器１８ｂ
で消費される。この過程を経て負荷電流は経路３により
流れることになる。
る。図中正アームのＧＴＯ１ａ，１ｂがオフ，負アーム
のＧＴＯ１ｃ，１ｄがオンしており、経路７により出力
端子Ａから図中矢印の方向に負荷電流が流れており、ス
ナバコンデンサ１１ｃ，１ｄの電圧は各々零、スナバコ
ンデンサ１１ａ，１１ｂｄの電圧は各々分割された直流
電源３ａ，３ｂの電圧Ｅに充電された状態から、ＧＴＯ
１ｂをターンオフし、その直後にＧＴＯ１ｂをターンオ
ンすることを考える。ＧＴＯ１ｂをターンオンさせる
と、ＧＴＯ１ｂにかかる電流上昇率がアノードリアクト
ル７ｂに抑制されつつ、負荷電流は経路３により供給さ
れ始めると共に、スナバコンデンサ１１ｂに蓄えられた
エネルギは経路１０により放電抵抗器１８ｂで消費され
つつ電圧が零になるまで放電される。またスナバコンデ
ンサ１１ｄは経路１１により分割された直流電源３ｂの
電圧Ｅに充電され、アノードリアクトル７ｂに過剰に蓄
えられたエネルギは経路９により全て放電抵抗器１８ｂ
で消費される。この過程を経て負荷電流は経路３により
流れることになる。
【００２１】次にＧＴＯ１ａのターンオン動作を説明す
る。図中正アームのＧＴＯ１ａがオフ、ＧＴＯ１ｂがオ
ン、負アームのＧＴＯ１ｃがオン、ＧＴＯ１ｄがオフし
ており、経路３により出力端子Ａに図中矢印の方向に負
荷電流が流れており、スナバコンデンサ１１ｂ，１１ｃ
の電圧は各々零，スナバコンデンサ１１ａ，１１ｄの電
圧は各々分割された直流電源３ａ，３ｂの電圧Ｅに充電
された状態から、ＧＴＯ１ｃをターンオフし、その直後
にＧＴＯ１ａをターンオンする場合を考える。ＧＴＯ１
ｃをターンオフし、その直後にＧＴＯ１ａをターンオン
すると、ＧＴＯ１ｂにかかる電圧上昇率がアノードリア
クトル７ｂに抑制されつつ、負荷電流は経路１により供
給され始めると共に、スナバコンデンサ１１ａに蓄えら
れたエネルギは経路１２により放電抵抗器１８ａで消費
されつつ電圧が零になるまで放電される。またスナバコ
ンデンサ１１ｃは経路１３により分割された直流電源３
ａの電圧Ｅに充電され、アノードリアクトル７ａに過剰
に蓄えられたエネルギは経路５により全て放電抵抗器１
８ａで消費される。この過程を経て負荷電流は経路１に
より流れることになる。
る。図中正アームのＧＴＯ１ａがオフ、ＧＴＯ１ｂがオ
ン、負アームのＧＴＯ１ｃがオン、ＧＴＯ１ｄがオフし
ており、経路３により出力端子Ａに図中矢印の方向に負
荷電流が流れており、スナバコンデンサ１１ｂ，１１ｃ
の電圧は各々零，スナバコンデンサ１１ａ，１１ｄの電
圧は各々分割された直流電源３ａ，３ｂの電圧Ｅに充電
された状態から、ＧＴＯ１ｃをターンオフし、その直後
にＧＴＯ１ａをターンオンする場合を考える。ＧＴＯ１
ｃをターンオフし、その直後にＧＴＯ１ａをターンオン
すると、ＧＴＯ１ｂにかかる電圧上昇率がアノードリア
クトル７ｂに抑制されつつ、負荷電流は経路１により供
給され始めると共に、スナバコンデンサ１１ａに蓄えら
れたエネルギは経路１２により放電抵抗器１８ａで消費
されつつ電圧が零になるまで放電される。またスナバコ
ンデンサ１１ｃは経路１３により分割された直流電源３
ａの電圧Ｅに充電され、アノードリアクトル７ａに過剰
に蓄えられたエネルギは経路５により全て放電抵抗器１
８ａで消費される。この過程を経て負荷電流は経路１に
より流れることになる。
【００２２】次に負荷電流が図中矢印の逆方向に流れて
いる場合の各ＧＴＯ１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄのスイッチ
ング動作についてであるが、図中矢印の方向に負荷電流
が流れている場合の各ＧＴＯ１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄの
スイッチング動作と全く対称な為説明を省略する。
いる場合の各ＧＴＯ１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄのスイッチ
ング動作についてであるが、図中矢印の方向に負荷電流
が流れている場合の各ＧＴＯ１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄの
スイッチング動作と全く対称な為説明を省略する。
【００２３】実施例２． 図３は請求項２に対応するこの発明の３レベルインバー
タ装置の実施例を示す構成図（単相を図示）である。図
３においては自己消弧型半導体素子１ａ，１ｂ，１ｃ，
１ｄの一例としてＧＴＯ１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄを適用
している。
タ装置の実施例を示す構成図（単相を図示）である。図
３においては自己消弧型半導体素子１ａ，１ｂ，１ｃ，
１ｄの一例としてＧＴＯ１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄを適用
している。
【００２４】まず構成であるが、実施例１における図１
との相違する部分についてのみ記述すると、クランプダ
イオード５ａについては補助ＧＴＯ１ｅとそれに対して
スナバコンデンサ１１ｅ、スナバダイオード１２ｅから
構成される並列スナバ回路の機能を有する直列体を備え
ており、クランプダイオード５ｂについても同様であ
る。また放電抵抗器１８ａ，１８ｂはそれぞれスナバコ
ンデンサ１１ａ，１１ｃ，１１ｅ及びスナバコンデンサ
１１ｂ，１１ｄ，１１ｆに共通な放電抵抗器である。こ
こでも図１と同様に３レベルインバータ装置に接続され
る図示されない負荷は誘導性負荷であり、負荷電流のベ
クトルは、各ＧＴＯ１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄのスイッチ
ング動作中には変化しないものと仮定する。
との相違する部分についてのみ記述すると、クランプダ
イオード５ａについては補助ＧＴＯ１ｅとそれに対して
スナバコンデンサ１１ｅ、スナバダイオード１２ｅから
構成される並列スナバ回路の機能を有する直列体を備え
ており、クランプダイオード５ｂについても同様であ
る。また放電抵抗器１８ａ，１８ｂはそれぞれスナバコ
ンデンサ１１ａ，１１ｃ，１１ｅ及びスナバコンデンサ
１１ｂ，１１ｄ，１１ｆに共通な放電抵抗器である。こ
こでも図１と同様に３レベルインバータ装置に接続され
る図示されない負荷は誘導性負荷であり、負荷電流のベ
クトルは、各ＧＴＯ１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄのスイッチ
ング動作中には変化しないものと仮定する。
【００２５】次に図３について動作を説明する。なお説
明中に示す経路は図４にまとめて記載している。まずＧ
ＴＯ１ａのターンオフ動作を説明する。図中正アームの
ＧＴＯ１ａ，１ｂがオン，負アームのＧＴＯ１ｃ，１ｄ
および補助ＧＴＯ１ｅ，１ｆがオフしており、経路１に
より出力端子Ａから図中矢印の方向に負荷電流が流れて
おり、スナバコンデンサ１１ａ，１ｂ，１１ｆの電圧は
各々零、スナバコンデンサ１１ｃ，１１ｄ，１１ｅの電
圧は各々分割された直流電源３ａ，３ｂの電圧Ｅに充電
された状態から、ＧＴＯ１ａをターンオフさせて負荷電
流を遮断すると同時に補助ＧＴＯ１ｆをターンオンさ
せ、ある一定の短絡防止時間後にＧＴＯ１ｃをターンオ
ンさせると同時に補助ＧＴＯ１ｆをターンオフさせる場
合を考える。ＧＴＯ１ａをターンオフさせると遮断され
た負荷電流は経路２にバイパスされてスナバコンデンサ
１１ａを充電し、ＧＴＯ１ａにかかる電圧上昇率を抑制
する。その時スナバコンデンサ１１ａの充電電流と経路
３および経路４によるスナバコンデンサ１１ｃ及び１１
ｅの放電電流が負荷電流を分担することにより、スナバ
コンデンサ１１ｃ，１１ｅに蓄えられていた電荷は負荷
側に放電される。従って厳密にはＧＴＯ１ａにかかる電
圧上昇率はスナバコンデンサ１１ａ，１１ｃ，１１ｅの
合成静電容量により抑制されることになる。ＧＴＯ１ａ
をターンオフして短絡防止時間後にＧＴＯ１ｃをターン
オンさせると同時に補助ＧＴＯ１ｆをターンオフさせた
際、スナバコンデンサ１１ｃ，１１ｅにエネルギが残っ
ている場合、経路５によりスナバコンデンサ１１ｃのエ
ネルギが、また経路６によりスナバコンデンサ１１ｅの
エネルギが全て放電抵抗器１８ａで消費され、電圧零ま
で放電される。またスナバコンデンサ１１ａは分割され
た直流電源３ａの電圧Ｅまで充電される。その直後はア
ノードリアクトル７ａにエネルギが過剰に蓄えられてい
るが、経路７によりそのエネルギは全て放電抵抗器１８
ａで消費される。なおスナバコンデンサ１１ａの充電電
圧が電圧Ｅになるとクランプダイオード５ａが導通す
る。この過程を経て負荷電流は経路８により流れること
になる。この動作期間においてスナバコンデンサ１１
ａ，１１ｃ，１１ｅの電圧上昇率、および電圧下降率は
同じ値となる。
明中に示す経路は図４にまとめて記載している。まずＧ
ＴＯ１ａのターンオフ動作を説明する。図中正アームの
ＧＴＯ１ａ，１ｂがオン，負アームのＧＴＯ１ｃ，１ｄ
および補助ＧＴＯ１ｅ，１ｆがオフしており、経路１に
より出力端子Ａから図中矢印の方向に負荷電流が流れて
おり、スナバコンデンサ１１ａ，１ｂ，１１ｆの電圧は
各々零、スナバコンデンサ１１ｃ，１１ｄ，１１ｅの電
圧は各々分割された直流電源３ａ，３ｂの電圧Ｅに充電
された状態から、ＧＴＯ１ａをターンオフさせて負荷電
流を遮断すると同時に補助ＧＴＯ１ｆをターンオンさ
せ、ある一定の短絡防止時間後にＧＴＯ１ｃをターンオ
ンさせると同時に補助ＧＴＯ１ｆをターンオフさせる場
合を考える。ＧＴＯ１ａをターンオフさせると遮断され
た負荷電流は経路２にバイパスされてスナバコンデンサ
１１ａを充電し、ＧＴＯ１ａにかかる電圧上昇率を抑制
する。その時スナバコンデンサ１１ａの充電電流と経路
３および経路４によるスナバコンデンサ１１ｃ及び１１
ｅの放電電流が負荷電流を分担することにより、スナバ
コンデンサ１１ｃ，１１ｅに蓄えられていた電荷は負荷
側に放電される。従って厳密にはＧＴＯ１ａにかかる電
圧上昇率はスナバコンデンサ１１ａ，１１ｃ，１１ｅの
合成静電容量により抑制されることになる。ＧＴＯ１ａ
をターンオフして短絡防止時間後にＧＴＯ１ｃをターン
オンさせると同時に補助ＧＴＯ１ｆをターンオフさせた
際、スナバコンデンサ１１ｃ，１１ｅにエネルギが残っ
ている場合、経路５によりスナバコンデンサ１１ｃのエ
ネルギが、また経路６によりスナバコンデンサ１１ｅの
エネルギが全て放電抵抗器１８ａで消費され、電圧零ま
で放電される。またスナバコンデンサ１１ａは分割され
た直流電源３ａの電圧Ｅまで充電される。その直後はア
ノードリアクトル７ａにエネルギが過剰に蓄えられてい
るが、経路７によりそのエネルギは全て放電抵抗器１８
ａで消費される。なおスナバコンデンサ１１ａの充電電
圧が電圧Ｅになるとクランプダイオード５ａが導通す
る。この過程を経て負荷電流は経路８により流れること
になる。この動作期間においてスナバコンデンサ１１
ａ，１１ｃ，１１ｅの電圧上昇率、および電圧下降率は
同じ値となる。
【００２６】次にＧＴＯ１ｂのターンオフ動作を説明す
る。図中正アームのＧＴＯ１ａがオフ，ＧＴＯ１ｂがオ
ン，負アームのＧＴＯ１ｃがオン，ＧＴＯ１ｄがオフ、
さらに補助ＧＴＯ１ｅ，１ｆがオフしており、経路８に
より出力端子Ａから図中矢印の方向に負荷電流が流れて
おり、スナバコンデンサ１１ｂ，１１ｃ，１１ｅ，１１
ｆの電圧は各々零、スナバコンデンサ１１ａ，１１ｄの
電圧は各々分割された直流電源３ａ，３ｂの電圧Ｅに充
電された状態から、ＧＴＯ１ｂをターンオフさせて負荷
電流を遮断し、ある一定の短絡防止時間後にＧＴＯ１ｄ
をターンオンさせる場合を考える。ＧＴＯ１ｂをターン
オフさせると遮断された負荷電流は経路９にバイパスさ
れてスナバコンデンサ１１ｂを充電し、ＧＴＯ１ｂにか
かる電圧上昇率を抑制する。その時スナバコンデンサ１
１ｂの充電電流と経路１０によるスナバコンデンサ１１
ｄの放電電流及び経路１１によるスナバコンデンサ１１
ｆの充電電流が負荷電流を分担することにより、スナバ
コンデンサ１１ｄに蓄えられていた電荷は負荷側に放電
される。従って厳密にはＧＴＯ１ｂにかかる電圧上昇率
はスナバコンデンサ１１ｂ，１１ｄ，１１ｆの合成静電
容量により抑制されることになる。ＧＴＯ１ｂをターン
オフして短絡防止時間後にＧＴＯ１ｄをターンオンさせ
た際、スナバコンデンサ１１ｄにエネルギが残っている
場合、経路１２によりスナバコンデンサ１１ｄのエネル
ギは全て放電抵抗器１８ｂで消費され、電圧零まで放電
される。またスナバコンデンサ１１ｂ，１１ｆは分割さ
れた直流電源３ｂの電圧Ｅまで充電される。その直後は
アノードリアクトル７ｂにエネルギが過剰に蓄えられて
いるが、経路１３によりそのエネルギは全て放電抵抗器
１８ｂで消費される。なおスナバコンデンサ１１ｂの充
電電圧が電圧Ｅになるとフリーホイールダイオード２
ｃ，２ｄが導通する。この過程を経て負荷電流は経路１
４により流れることになる。この動作期間においてスナ
バコンデンサ１１ｂ，１１ｄ，１１ｆの電圧上昇率、お
よび電圧下降率は同じ値となる。
る。図中正アームのＧＴＯ１ａがオフ，ＧＴＯ１ｂがオ
ン，負アームのＧＴＯ１ｃがオン，ＧＴＯ１ｄがオフ、
さらに補助ＧＴＯ１ｅ，１ｆがオフしており、経路８に
より出力端子Ａから図中矢印の方向に負荷電流が流れて
おり、スナバコンデンサ１１ｂ，１１ｃ，１１ｅ，１１
ｆの電圧は各々零、スナバコンデンサ１１ａ，１１ｄの
電圧は各々分割された直流電源３ａ，３ｂの電圧Ｅに充
電された状態から、ＧＴＯ１ｂをターンオフさせて負荷
電流を遮断し、ある一定の短絡防止時間後にＧＴＯ１ｄ
をターンオンさせる場合を考える。ＧＴＯ１ｂをターン
オフさせると遮断された負荷電流は経路９にバイパスさ
れてスナバコンデンサ１１ｂを充電し、ＧＴＯ１ｂにか
かる電圧上昇率を抑制する。その時スナバコンデンサ１
１ｂの充電電流と経路１０によるスナバコンデンサ１１
ｄの放電電流及び経路１１によるスナバコンデンサ１１
ｆの充電電流が負荷電流を分担することにより、スナバ
コンデンサ１１ｄに蓄えられていた電荷は負荷側に放電
される。従って厳密にはＧＴＯ１ｂにかかる電圧上昇率
はスナバコンデンサ１１ｂ，１１ｄ，１１ｆの合成静電
容量により抑制されることになる。ＧＴＯ１ｂをターン
オフして短絡防止時間後にＧＴＯ１ｄをターンオンさせ
た際、スナバコンデンサ１１ｄにエネルギが残っている
場合、経路１２によりスナバコンデンサ１１ｄのエネル
ギは全て放電抵抗器１８ｂで消費され、電圧零まで放電
される。またスナバコンデンサ１１ｂ，１１ｆは分割さ
れた直流電源３ｂの電圧Ｅまで充電される。その直後は
アノードリアクトル７ｂにエネルギが過剰に蓄えられて
いるが、経路１３によりそのエネルギは全て放電抵抗器
１８ｂで消費される。なおスナバコンデンサ１１ｂの充
電電圧が電圧Ｅになるとフリーホイールダイオード２
ｃ，２ｄが導通する。この過程を経て負荷電流は経路１
４により流れることになる。この動作期間においてスナ
バコンデンサ１１ｂ，１１ｄ，１１ｆの電圧上昇率、お
よび電圧下降率は同じ値となる。
【００２７】次にＧＴＯ１ｂのターンオン動作を説明す
る。図中正アームのＧＴＯ１ａ，１ｂ及び補助ＧＴＯ１
ｅ，１ｆがオフ、負アームのＧＴＯ１ｃ，１ｄがオンし
ており、経路１４により出力端子Ａから図中矢印の方向
に負荷電流が流れており、スナバコンデンサ１１ｃ，１
１ｄ，１１ｅの電圧は各々零、スナバコンデンサ１１
ａ，１１ｂ，１１ｆの電圧は各々分割された直流電源３
ａ，３ｂの電圧Ｅに充電された状態から、ＧＴＯ１ｄを
ターンオフさせると同時に補助ＧＴＯ１ｅをターンオン
させ、ある一定の短絡防止時間後に補助ＧＴＯ１ｅをタ
ーンオンさせると同時にＧＴＯ１ｂをターンオンさせる
場合を考える。ここでＧＴＯ１ｄをターンオフさせる同
時に補助ＧＴＯ１ｅをターンオンさせても経路１４によ
り出力端子Ａから図中矢印の方向に負荷電流が流れてい
るために回路状態は変化しない。さて、補助ＧＴＯ１ｅ
をターンオフさせると同時にＧＴＯ１ｂをターンオンさ
せると、アノードリアクトル７ｂには分割された直流電
源３ｂの電圧Ｅが印加されてＧＴＯ１ｂにかかる電流上
昇率がアノードリアクトル７ｂに抑制されつつ、負荷電
流は経路８により供給され始める。その後ＧＴＯ１ｂに
流れる電流が負荷電流以上になるが、その過剰な電流は
経路１５と経路１６と経路１７に分流することになり、
スナバコンデンサ１１ｄは分割された直流電源３ｂの電
圧Ｅまで充電され、スナバコンデンサ１１ｆは電圧零ま
で分割された直流電源３ｂに放電される。その時経路１
８によりスナバコンデンサ１１ｂのエネルギが全て放電
抵抗器１８ｂで消費され、電圧零まで放電される。その
直後はアノードリアクトル７ｂにエネルギが過剰に蓄え
られているが、経路１３によりそのエネルギは全て抵抗
器１８ｂで消費される。この過程を経て負荷電流は経路
８により流れることになる。この動作期間においてスナ
バコンデンサ１１ｂ，１１ｄ，１１ｆの電圧上昇率、お
よび電圧下降率は同じ値となる。
る。図中正アームのＧＴＯ１ａ，１ｂ及び補助ＧＴＯ１
ｅ，１ｆがオフ、負アームのＧＴＯ１ｃ，１ｄがオンし
ており、経路１４により出力端子Ａから図中矢印の方向
に負荷電流が流れており、スナバコンデンサ１１ｃ，１
１ｄ，１１ｅの電圧は各々零、スナバコンデンサ１１
ａ，１１ｂ，１１ｆの電圧は各々分割された直流電源３
ａ，３ｂの電圧Ｅに充電された状態から、ＧＴＯ１ｄを
ターンオフさせると同時に補助ＧＴＯ１ｅをターンオン
させ、ある一定の短絡防止時間後に補助ＧＴＯ１ｅをタ
ーンオンさせると同時にＧＴＯ１ｂをターンオンさせる
場合を考える。ここでＧＴＯ１ｄをターンオフさせる同
時に補助ＧＴＯ１ｅをターンオンさせても経路１４によ
り出力端子Ａから図中矢印の方向に負荷電流が流れてい
るために回路状態は変化しない。さて、補助ＧＴＯ１ｅ
をターンオフさせると同時にＧＴＯ１ｂをターンオンさ
せると、アノードリアクトル７ｂには分割された直流電
源３ｂの電圧Ｅが印加されてＧＴＯ１ｂにかかる電流上
昇率がアノードリアクトル７ｂに抑制されつつ、負荷電
流は経路８により供給され始める。その後ＧＴＯ１ｂに
流れる電流が負荷電流以上になるが、その過剰な電流は
経路１５と経路１６と経路１７に分流することになり、
スナバコンデンサ１１ｄは分割された直流電源３ｂの電
圧Ｅまで充電され、スナバコンデンサ１１ｆは電圧零ま
で分割された直流電源３ｂに放電される。その時経路１
８によりスナバコンデンサ１１ｂのエネルギが全て放電
抵抗器１８ｂで消費され、電圧零まで放電される。その
直後はアノードリアクトル７ｂにエネルギが過剰に蓄え
られているが、経路１３によりそのエネルギは全て抵抗
器１８ｂで消費される。この過程を経て負荷電流は経路
８により流れることになる。この動作期間においてスナ
バコンデンサ１１ｂ，１１ｄ，１１ｆの電圧上昇率、お
よび電圧下降率は同じ値となる。
【００２８】次にＧＴＯ１ａのターンオン動作を説明す
る。図中正アームのＧＴＯ１ａ，１ｂ及び補助ＧＴＯ１
ｅ，１ｆがオフ、負アームのＧＴＯ１ｂ，１ｃがオンし
ており、経路８により出力端子Ａから図中矢印の方向に
負荷電流が流れており、スナバコンデンサ１１ａ，１１
ｂ，１１ｅ，１１ｆの電圧は各々零、スナバコンデンサ
１１ａ，１１ｄの電圧は各々分割された直流電源３ａ，
３ｂの電圧Ｅに充電された状態から、ＧＴＯ１ｃをター
ンオフさせ、ある一定の短絡防止時間後にＧＴＯ１ａを
ターンオンさせる場合を考える。ここでＧＴＯ１ｃをタ
ーンオフさせても経路８により出力端子Ａから図中矢印
の方向に負荷電流が流れているために回路状態は変化し
ない。さてＧＴＯ１ａをターンオンさせると、アノード
リアクトル７ａには分割された直流電源３ａの電圧Ｅが
印加されてＧＴＯ１ａにかかる電流上昇率がアノードリ
アクトル７ａに抑制されつつ、負荷電流は経路１により
供給され始める。その後ＧＴＯ１ａに流れる電流が負荷
電流以上になるが、その過剰な電流は経路１９と経路２
０と経路２１に分流することになり、スナバコンデンサ
１１ｃ，１１ｅは分割された直流電源３ａの電圧Ｅまで
充電される。その時経路２２によりスナバコンデンサ１
１ｃのエネルギが全て放電抵抗器１８ａで消費され、電
圧零まで放電される。その直後はアノードリアクトル７
ａにエネルギが過剰に蓄えられているが、経路７により
そのエネルギは全て抵抗器１８ａで消費される。この過
程を経て負荷電流は経路１により流れることになる。こ
の動作期間においてスナバコンデンサ１１ａ，１１ｃ
ｄ，１１ｅの電圧上昇率、および電圧下降率は同じ値と
なる。
る。図中正アームのＧＴＯ１ａ，１ｂ及び補助ＧＴＯ１
ｅ，１ｆがオフ、負アームのＧＴＯ１ｂ，１ｃがオンし
ており、経路８により出力端子Ａから図中矢印の方向に
負荷電流が流れており、スナバコンデンサ１１ａ，１１
ｂ，１１ｅ，１１ｆの電圧は各々零、スナバコンデンサ
１１ａ，１１ｄの電圧は各々分割された直流電源３ａ，
３ｂの電圧Ｅに充電された状態から、ＧＴＯ１ｃをター
ンオフさせ、ある一定の短絡防止時間後にＧＴＯ１ａを
ターンオンさせる場合を考える。ここでＧＴＯ１ｃをタ
ーンオフさせても経路８により出力端子Ａから図中矢印
の方向に負荷電流が流れているために回路状態は変化し
ない。さてＧＴＯ１ａをターンオンさせると、アノード
リアクトル７ａには分割された直流電源３ａの電圧Ｅが
印加されてＧＴＯ１ａにかかる電流上昇率がアノードリ
アクトル７ａに抑制されつつ、負荷電流は経路１により
供給され始める。その後ＧＴＯ１ａに流れる電流が負荷
電流以上になるが、その過剰な電流は経路１９と経路２
０と経路２１に分流することになり、スナバコンデンサ
１１ｃ，１１ｅは分割された直流電源３ａの電圧Ｅまで
充電される。その時経路２２によりスナバコンデンサ１
１ｃのエネルギが全て放電抵抗器１８ａで消費され、電
圧零まで放電される。その直後はアノードリアクトル７
ａにエネルギが過剰に蓄えられているが、経路７により
そのエネルギは全て抵抗器１８ａで消費される。この過
程を経て負荷電流は経路１により流れることになる。こ
の動作期間においてスナバコンデンサ１１ａ，１１ｃ
ｄ，１１ｅの電圧上昇率、および電圧下降率は同じ値と
なる。
【００２９】次に負荷電流が図中矢印の逆方向に流れて
いる場合の各ＧＴＯ１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄのスイッチ
ング動作についてであるが、図中矢印の方向に負荷電流
が流れている場合の各ＧＴＯ１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄの
スイッチング動作と全く対称な為説明を省略する。
いる場合の各ＧＴＯ１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄのスイッチ
ング動作についてであるが、図中矢印の方向に負荷電流
が流れている場合の各ＧＴＯ１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄの
スイッチング動作と全く対称な為説明を省略する。
【００３０】実施例３． 図５は請求項２に対応するこの発明の３レベルインバー
タ装置の他の実施例を示す構成図（単相を図示）であ
る。図５においては自己消弧型半導体素子１ａ，１ｂ，
１ｃ，１ｄの一例としてＧＴＯ１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ
を適用している。
タ装置の他の実施例を示す構成図（単相を図示）であ
る。図５においては自己消弧型半導体素子１ａ，１ｂ，
１ｃ，１ｄの一例としてＧＴＯ１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ
を適用している。
【００３１】まず構成であるが、実施例２における図３
との相違する部分についてのみ記述すると、クランプダ
イオード５ａについてはそれに対してスナバコンデンサ
１１ｅ、スナバダイオード１２ｅから構成される並列ス
ナバ回路の機能を有する直列体のみを備えており、クラ
ンプダイオード５ｂについても同様である。また出力端
子Ａから図中の方向に負荷電流が流れている場合に、図
３の回路動作と相違する図５の回路動作はＧＴＯ１ａの
ターンオフ動作であるため、ここではその動作について
のみ記述する。ここでも図１と同様に３レベルインバー
タ装置に接続される図示されない負荷は誘導性負荷であ
り、負荷電流のベクトルは、各ＧＴＯ１ａ，１ｂ，１
ｃ，１ｄのスイッチング動作中には変化しないものと仮
定する。
との相違する部分についてのみ記述すると、クランプダ
イオード５ａについてはそれに対してスナバコンデンサ
１１ｅ、スナバダイオード１２ｅから構成される並列ス
ナバ回路の機能を有する直列体のみを備えており、クラ
ンプダイオード５ｂについても同様である。また出力端
子Ａから図中の方向に負荷電流が流れている場合に、図
３の回路動作と相違する図５の回路動作はＧＴＯ１ａの
ターンオフ動作であるため、ここではその動作について
のみ記述する。ここでも図１と同様に３レベルインバー
タ装置に接続される図示されない負荷は誘導性負荷であ
り、負荷電流のベクトルは、各ＧＴＯ１ａ，１ｂ，１
ｃ，１ｄのスイッチング動作中には変化しないものと仮
定する。
【００３２】次に図５について動作を説明する。なお説
明中に示す経路は図６にまとめて記載している。以下Ｇ
ＴＯ１ａのターンオフ動作を説明する。図中正アームの
ＧＴＯ１ａ，１ｂがオン，負アームのＧＴＯ１ｃ，１ｄ
がオフしており、経路１により出力端子Ａから図中矢印
の方向に負荷電流が流れており、スナバコンデンサ１１
ａ，１１ｂ，１１ｆの電圧は各々零、スナバコンデンサ
１１ｃ，１１ｄ，１１ｅの電圧は各々分割された直流電
源３ａ，３ｂの電圧Ｅに充電された状態から、ＧＴＯ１
ａをターンオフさせて負荷電流を遮断し、ある一定の短
絡防止時間後にＧＴＯ１ｃをターンオンさせる場合を考
える。ＧＴＯ１ａをターンオフさせると遮断された負荷
電流は経路２にバイパスされてスナバコンデンサ１１ａ
を充電し、ＧＴＯ１ａにかかる電圧上昇率を抑制する。
その時スナバコンデンサ１１ａの充電電流と経路３及び
経路４によるスナバコンデンサ１１ｃ及び１１ｅの放電
電流が負荷電流を分担することにより、スナバコンデン
サ１１ｃ，１１ｅに蓄えられていた電荷は負荷側に放電
される。従ってスナバコンデンサ１１ｃの放電電流によ
りスナバコンデンサ１１ｆは充電されることになる。Ｇ
ＴＯ１ａをターンオフして短絡防止時間後にＧＴＯ１ｃ
をターンオンさせた際、スナバコンデンサ１１ｃ，１１
ｆにエネルギが残っているが、経路５によりスナバコン
デンサ１１ｃのエネルギが、また経路６によりスナバコ
ンデンサ１１ｆのエネルギが全て抵抗器１８ａ，１８ｂ
で消費され、電圧零まで放電される。またスナバコンデ
ンサ１１ａは分割された直流電源３ａの電圧Ｅまで充電
される。その直後はアノードリアクトル７ａ，７ｂにエ
ネルギが過剰に蓄えられているが、それぞれ経路７、経
路８によりそのエネルギは全て放電抵抗器１８ａ，１８
ｂで消費される。なおスナバコンデンサ１１ａの充電電
圧が電圧Ｅになるとクランプダイオード５ａが導通す
る。この過程を経て負荷電流は経路９により流れること
になる。なお全てのスナバコンデンサの放電方向を定め
るために、その放電経路にダイオードを挿入すると、回
路動作の安定化が期待できる。
明中に示す経路は図６にまとめて記載している。以下Ｇ
ＴＯ１ａのターンオフ動作を説明する。図中正アームの
ＧＴＯ１ａ，１ｂがオン，負アームのＧＴＯ１ｃ，１ｄ
がオフしており、経路１により出力端子Ａから図中矢印
の方向に負荷電流が流れており、スナバコンデンサ１１
ａ，１１ｂ，１１ｆの電圧は各々零、スナバコンデンサ
１１ｃ，１１ｄ，１１ｅの電圧は各々分割された直流電
源３ａ，３ｂの電圧Ｅに充電された状態から、ＧＴＯ１
ａをターンオフさせて負荷電流を遮断し、ある一定の短
絡防止時間後にＧＴＯ１ｃをターンオンさせる場合を考
える。ＧＴＯ１ａをターンオフさせると遮断された負荷
電流は経路２にバイパスされてスナバコンデンサ１１ａ
を充電し、ＧＴＯ１ａにかかる電圧上昇率を抑制する。
その時スナバコンデンサ１１ａの充電電流と経路３及び
経路４によるスナバコンデンサ１１ｃ及び１１ｅの放電
電流が負荷電流を分担することにより、スナバコンデン
サ１１ｃ，１１ｅに蓄えられていた電荷は負荷側に放電
される。従ってスナバコンデンサ１１ｃの放電電流によ
りスナバコンデンサ１１ｆは充電されることになる。Ｇ
ＴＯ１ａをターンオフして短絡防止時間後にＧＴＯ１ｃ
をターンオンさせた際、スナバコンデンサ１１ｃ，１１
ｆにエネルギが残っているが、経路５によりスナバコン
デンサ１１ｃのエネルギが、また経路６によりスナバコ
ンデンサ１１ｆのエネルギが全て抵抗器１８ａ，１８ｂ
で消費され、電圧零まで放電される。またスナバコンデ
ンサ１１ａは分割された直流電源３ａの電圧Ｅまで充電
される。その直後はアノードリアクトル７ａ，７ｂにエ
ネルギが過剰に蓄えられているが、それぞれ経路７、経
路８によりそのエネルギは全て放電抵抗器１８ａ，１８
ｂで消費される。なおスナバコンデンサ１１ａの充電電
圧が電圧Ｅになるとクランプダイオード５ａが導通す
る。この過程を経て負荷電流は経路９により流れること
になる。なお全てのスナバコンデンサの放電方向を定め
るために、その放電経路にダイオードを挿入すると、回
路動作の安定化が期待できる。
【００３３】実施例４． 図７は請求項３に対応するこの発明の３レベルインバー
タ装置の実施例を示す構成図（単相を図示）である。図
７においては自己消弧型半導体素子１ａ，１ｂ，１ｃ，
１ｄの一例としてＧＴＯ１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄを適用
している。
タ装置の実施例を示す構成図（単相を図示）である。図
７においては自己消弧型半導体素子１ａ，１ｂ，１ｃ，
１ｄの一例としてＧＴＯ１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄを適用
している。
【００３４】まず構成であるが、実施例２における図３
との相違する部分についてのみ記述すると、１９ａ，１
９ｂはそれぞれスナバコンデンサ１１ａ，１１ｃ，１１
ｅ及びスナバコンデンサ１１ｂ，１１ｄ，１１ｆに共通
な放電経路中に挿入さけた充電極性が定められ、望まし
くは静電容量の大きな回収コンデンサであり、２０ａ，
２０ｂは各々回収コンデンサ１９ａ，１９ｂからエネル
ギを取り出して分割された直流電源３ａ，３ｂに回生
し、回収コンデンサ１９ａ，１９ｂの充電電圧を一定電
圧値ｅに制御する機能を有する電力回生装置である。そ
の電圧値ｅは分割された直流電源３ａ，３ｂの電圧値Ｅ
の数分の１の値である。ここでも図１と同様に３レベル
インバータ装置に接続される図示されない負荷は誘導性
負荷であり、負荷電流のベクトルは、各ＧＴＯ１ａ，１
ｂ，１ｃ，１ｄのスイッチング動作中には変化せず、回
収コンデンサ１９ａ，１９ｂは電力回生装置２０ａ，２
０ｂにより常に定電圧ｅに保たれるものと仮定する。ま
た２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄは全てのスナバコン
デンサの放電方向を定めるためのダイオードである。
との相違する部分についてのみ記述すると、１９ａ，１
９ｂはそれぞれスナバコンデンサ１１ａ，１１ｃ，１１
ｅ及びスナバコンデンサ１１ｂ，１１ｄ，１１ｆに共通
な放電経路中に挿入さけた充電極性が定められ、望まし
くは静電容量の大きな回収コンデンサであり、２０ａ，
２０ｂは各々回収コンデンサ１９ａ，１９ｂからエネル
ギを取り出して分割された直流電源３ａ，３ｂに回生
し、回収コンデンサ１９ａ，１９ｂの充電電圧を一定電
圧値ｅに制御する機能を有する電力回生装置である。そ
の電圧値ｅは分割された直流電源３ａ，３ｂの電圧値Ｅ
の数分の１の値である。ここでも図１と同様に３レベル
インバータ装置に接続される図示されない負荷は誘導性
負荷であり、負荷電流のベクトルは、各ＧＴＯ１ａ，１
ｂ，１ｃ，１ｄのスイッチング動作中には変化せず、回
収コンデンサ１９ａ，１９ｂは電力回生装置２０ａ，２
０ｂにより常に定電圧ｅに保たれるものと仮定する。ま
た２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄは全てのスナバコン
デンサの放電方向を定めるためのダイオードである。
【００３５】次に図７について動作を説明する。なお説
明中に示す経路は図８にまとめて記載している。まずＧ
ＴＯ１ａのターンオフ動作を説明する。図中正アームの
ＧＴＯ１ａ，１ｂがオン，負アームのＧＴＯ１ｃ，１ｄ
及び補助ＧＴＯ１ｅ，１ｆがオフしており、経路１によ
り出力端子Ａから図中矢印の方向に負荷電流が流れてお
り、スナバコンデンサ１１ａ，１１ｂ，１１ｆの電圧は
各々零、スナバコンデンサ１１ｃ，１１ｄ，１１ｅの電
圧は各々分割された直流電源３ａ，３ｂの電圧Ｅと回収
コンデンサ１９ａ，１９ｂの電圧ｅとの和の電圧値に充
電された状態から、ＧＴＯ１ａをターンオフさせて負荷
電流を遮断すると同時に補助ＧＴＯ１ｆをターンオンさ
せ、ある一定の短絡防止時間後にＧＴＯ１ｃをターンオ
ンさせると同時に補助ＧＴＯ１ｆをターンオフさせる場
合を考える。ＧＴＯ１ａをターンオフさせると遮断され
た負荷電流は経路２にバイパスされてスナバコンデンサ
１１ａを充電し、ＧＴＯ１ａにかかる電圧上昇率を抑制
する。その時スナバコンデンサ１１ａの充電電流と回収
コンデンサ１９ａを含む経路３及び経路４によるスナバ
コンデンサ１１ｃ及び１１ｅの放電電流が負荷電流を分
担することにより、スナバコンデンサ１１ｃ，１１ｅに
蓄えられていた電荷は回収コンデンサ１９ａに回収され
つつ負荷側に放電される。従って厳密にはＧＴＯ１ａに
かかる電圧上昇率はスナバコンデンサ１１ａ，１１ｃ，
１１ｅの合成静電容量により抑制されることになる。Ｇ
ＴＯ１ａをターンオフして短絡防止時間後にＧＴＯ１ｃ
をターンオンさせると同時に補助ＧＴＯ１ｆをターンオ
フさせた際、スナバコンデンサ１１ｃ，１１ｄにエネル
ギが残っている場合、経路５によりスナバコンデンサ１
１ｃのエネルギが、また経路６によりスナバコンデンサ
１１ｅのエネルギが全て回収コンデンサ１９ａに回収さ
れ、電圧零まで放電される。またスナバコンデンサ１１
ａは分割された直流電源３ｂの電圧Ｅと回収コンデンサ
１９ａの電圧ｅとの和の電圧値まで充電される。その直
後はアノードリアクトル７ａにエネルギが過剰に蓄えら
れているが、経路７によりそのエネルギは全て回収コン
デンサ１９ａに回収される。なおスナバコンデンサ１１
ａの充電電圧が電圧Ｅになるとクランプダイオード５ａ
が導通する。この過程を経て負荷電流は経路８により流
れることになる。この動作期間においてスナバコンデン
サ１１ａ，１１ｃ，１１ｅの電圧上昇率、および電圧下
降率は同じ値となる。
明中に示す経路は図８にまとめて記載している。まずＧ
ＴＯ１ａのターンオフ動作を説明する。図中正アームの
ＧＴＯ１ａ，１ｂがオン，負アームのＧＴＯ１ｃ，１ｄ
及び補助ＧＴＯ１ｅ，１ｆがオフしており、経路１によ
り出力端子Ａから図中矢印の方向に負荷電流が流れてお
り、スナバコンデンサ１１ａ，１１ｂ，１１ｆの電圧は
各々零、スナバコンデンサ１１ｃ，１１ｄ，１１ｅの電
圧は各々分割された直流電源３ａ，３ｂの電圧Ｅと回収
コンデンサ１９ａ，１９ｂの電圧ｅとの和の電圧値に充
電された状態から、ＧＴＯ１ａをターンオフさせて負荷
電流を遮断すると同時に補助ＧＴＯ１ｆをターンオンさ
せ、ある一定の短絡防止時間後にＧＴＯ１ｃをターンオ
ンさせると同時に補助ＧＴＯ１ｆをターンオフさせる場
合を考える。ＧＴＯ１ａをターンオフさせると遮断され
た負荷電流は経路２にバイパスされてスナバコンデンサ
１１ａを充電し、ＧＴＯ１ａにかかる電圧上昇率を抑制
する。その時スナバコンデンサ１１ａの充電電流と回収
コンデンサ１９ａを含む経路３及び経路４によるスナバ
コンデンサ１１ｃ及び１１ｅの放電電流が負荷電流を分
担することにより、スナバコンデンサ１１ｃ，１１ｅに
蓄えられていた電荷は回収コンデンサ１９ａに回収され
つつ負荷側に放電される。従って厳密にはＧＴＯ１ａに
かかる電圧上昇率はスナバコンデンサ１１ａ，１１ｃ，
１１ｅの合成静電容量により抑制されることになる。Ｇ
ＴＯ１ａをターンオフして短絡防止時間後にＧＴＯ１ｃ
をターンオンさせると同時に補助ＧＴＯ１ｆをターンオ
フさせた際、スナバコンデンサ１１ｃ，１１ｄにエネル
ギが残っている場合、経路５によりスナバコンデンサ１
１ｃのエネルギが、また経路６によりスナバコンデンサ
１１ｅのエネルギが全て回収コンデンサ１９ａに回収さ
れ、電圧零まで放電される。またスナバコンデンサ１１
ａは分割された直流電源３ｂの電圧Ｅと回収コンデンサ
１９ａの電圧ｅとの和の電圧値まで充電される。その直
後はアノードリアクトル７ａにエネルギが過剰に蓄えら
れているが、経路７によりそのエネルギは全て回収コン
デンサ１９ａに回収される。なおスナバコンデンサ１１
ａの充電電圧が電圧Ｅになるとクランプダイオード５ａ
が導通する。この過程を経て負荷電流は経路８により流
れることになる。この動作期間においてスナバコンデン
サ１１ａ，１１ｃ，１１ｅの電圧上昇率、および電圧下
降率は同じ値となる。
【００３６】次にＧＴＯ１ｂのターンオフ動作を説明す
る。図中正アームのＧＴＯ１ａがオフ，ＧＴＯ１ｂがオ
ン，負アームのＧＴＯ１ｃがオン，ＧＴＯ１ｄがオフ、
さらに補助ＧＴＯ１ｅ，１ｆがオフしており、経路８に
より出力端子Ａから図中矢印の方向に負荷電流が流れて
おり、スナバコンデンサ１１ｂ，１１ｃ，１１ｅ，１１
ｆの電圧は各々零、スナバコンデンサ１１ａ，１１ｄの
電圧は各々分割された直流電源３ａ，３ｂの電圧Ｅと回
収コンデンサ１９ａ，１９ｂの電圧ｅとの和の電圧値に
充電された状態から、ＧＴＯ１ｂをターンオフさせて負
荷電流を遮断し、ある一定の短絡防止時間後にＧＴＯ１
ｄをターンオンさせる場合を考える。ＧＴＯ１ｂをター
ンオフさせると遮断された負荷電流は経路９にバイパス
されてスナバコンデンサ１１ｂを充電し、ＧＴＯ１ｂに
かかる電圧上昇率を抑制する。その時スナバコンデンサ
１１ｂの充電電流と回収コンデンサ１９ｂを含む経路１
０によるスナバコンデンサ１１ｄの放電電流及び経路１
１によるスナバコンデンサ１１ｆの充電電流が負荷電流
を分担することになり、スナバコンデンサ１１ｄに蓄え
られていた電荷は回収コンデンサ１９ｂに回収されつつ
負荷側に放電される。従って厳密にはＧＴＯ１ｂにかか
る電圧上昇率はスナバコンデンサ１１ｂ，１１ｄ，１１
ｆの合成静電容量により抑制されることになる。ＧＴＯ
１ｂをターンオフして短絡防止時間後にＧＴＯ１ｄをタ
ーンオンさせた際、スナバコンデンサ１１ｄにエネルギ
が残っている場合、経路１２によりスナバコンデンサ１
１ｄのエネルギは全て回収コンデンサ１９ｂに回収さ
れ、電圧零まで放電される。またスナバコンデンサ１１
ｂ，１１ｆは分割された直流電源３ａ，３ｂの電圧Ｅと
回収コンデンサ１９ａ，１９ｂの電圧ｅとの和の電圧値
まで充電される。その直後はアノードリアクトル７ｂに
エネルギが過剰に蓄えられているが、経路１３によりそ
のエネルギは全て回収コンデンサ１９ｂに回収される。
なおスナバコンデンサ１１ｂの充電電圧が電圧Ｅになる
とフリーホイールダイオード２ｃ，２ｄが導通する。こ
の過程を経て負荷電流は経路１４により流れることにな
る。この動作期間においてスナバコンデンサ１１ｂ，１
１ｄ，１１ｆの電圧上昇率、および電圧下降率は同じ値
となる。
る。図中正アームのＧＴＯ１ａがオフ，ＧＴＯ１ｂがオ
ン，負アームのＧＴＯ１ｃがオン，ＧＴＯ１ｄがオフ、
さらに補助ＧＴＯ１ｅ，１ｆがオフしており、経路８に
より出力端子Ａから図中矢印の方向に負荷電流が流れて
おり、スナバコンデンサ１１ｂ，１１ｃ，１１ｅ，１１
ｆの電圧は各々零、スナバコンデンサ１１ａ，１１ｄの
電圧は各々分割された直流電源３ａ，３ｂの電圧Ｅと回
収コンデンサ１９ａ，１９ｂの電圧ｅとの和の電圧値に
充電された状態から、ＧＴＯ１ｂをターンオフさせて負
荷電流を遮断し、ある一定の短絡防止時間後にＧＴＯ１
ｄをターンオンさせる場合を考える。ＧＴＯ１ｂをター
ンオフさせると遮断された負荷電流は経路９にバイパス
されてスナバコンデンサ１１ｂを充電し、ＧＴＯ１ｂに
かかる電圧上昇率を抑制する。その時スナバコンデンサ
１１ｂの充電電流と回収コンデンサ１９ｂを含む経路１
０によるスナバコンデンサ１１ｄの放電電流及び経路１
１によるスナバコンデンサ１１ｆの充電電流が負荷電流
を分担することになり、スナバコンデンサ１１ｄに蓄え
られていた電荷は回収コンデンサ１９ｂに回収されつつ
負荷側に放電される。従って厳密にはＧＴＯ１ｂにかか
る電圧上昇率はスナバコンデンサ１１ｂ，１１ｄ，１１
ｆの合成静電容量により抑制されることになる。ＧＴＯ
１ｂをターンオフして短絡防止時間後にＧＴＯ１ｄをタ
ーンオンさせた際、スナバコンデンサ１１ｄにエネルギ
が残っている場合、経路１２によりスナバコンデンサ１
１ｄのエネルギは全て回収コンデンサ１９ｂに回収さ
れ、電圧零まで放電される。またスナバコンデンサ１１
ｂ，１１ｆは分割された直流電源３ａ，３ｂの電圧Ｅと
回収コンデンサ１９ａ，１９ｂの電圧ｅとの和の電圧値
まで充電される。その直後はアノードリアクトル７ｂに
エネルギが過剰に蓄えられているが、経路１３によりそ
のエネルギは全て回収コンデンサ１９ｂに回収される。
なおスナバコンデンサ１１ｂの充電電圧が電圧Ｅになる
とフリーホイールダイオード２ｃ，２ｄが導通する。こ
の過程を経て負荷電流は経路１４により流れることにな
る。この動作期間においてスナバコンデンサ１１ｂ，１
１ｄ，１１ｆの電圧上昇率、および電圧下降率は同じ値
となる。
【００３７】次にＧＴＯ１ｂのターンオン動作を説明す
る。図中正アームのＧＴＯ１ａ，１ｂ及び補助ＧＴＯ１
ｅ，１ｆがオフ、負アームのＧＴＯ１ｃ，１ｄがオンし
ており、経路１４により出力端子Ａから図中矢印の方向
に負荷電流が流れており、スナバコンデンサ１１ｃ，１
１ｄ，１１ｅの電圧は各々零、スナバコンデンサ１１
ａ，１１ｂ，１１ｆの電圧は各々分割された直流電源３
ａ，３ｂの電圧Ｅと回収コンデンサ１９ａ，１９ｂの電
圧ｅとの和の電圧値に充電された状態から、ＧＴＯ１ｄ
をターンオフさせると同時に補助ＧＴＯ１ｅをターンオ
ンさせ、ある一定の短絡防止時間後に補助ＧＴＯ１ｅを
ターンオンさせると同時にＧＴＯ１ｂをターンオンさせ
る場合を考える。ここでＧＴＯ１ｄをターンオフさせる
と同時に補助ＧＴＯ１ｅをターンオンさせても経路１４
により出力端子Ａから図中矢印の方向に負荷電流が流れ
ているために回路状態は変化しない。さて補助ＧＴＯ１
ｅをターンオフさせると同時にＧＴＯ１ｂをターンオン
させると、アノードリアクトル７ｂには分割された直流
電源３ｂの電圧Ｅが印加されてＧＴＯ１ｂにかかる電流
上昇率がアノードリアクトル７ｂに抑制されつつ、負荷
電流は経路８により供給され始める。その後ＧＴＯ１ｂ
に流れる電流が負荷電流以上になるが、その過剰な電流
は経路１５と経路１６と経路１７に分流することにな
り、スナバコンデンサ１１ｄは分割された直流電源３ｂ
の電圧Ｅと回収コンデンサ１９ｂの電圧ｅとの和の電圧
値まで充電され、スナバコンデンサ１１ｆは蓄えていた
エネルギを回収コンデンサ１９ｂに回収しつつ電圧零ま
で分割された直流電源３ｂに放電される。その時経路１
８によりスナバコンデンサ１１ｂのエネルギが全て回収
コンデンサ１９ｂに回収され、電圧零まで放電される。
その直後はアノードリアクトル７ｂにエネルギが過剰に
蓄えられているが、経路７によりそのエネルギは全て回
収コンデンサ１９ｂに回収される。この過程を経て負荷
電流は経路８により流れることになる。この動作期間に
おいてスナバコンデンサ１１ｂ，１１ｄ，１１ｆの電圧
上昇率、および電圧下降率は同じ値となる。
る。図中正アームのＧＴＯ１ａ，１ｂ及び補助ＧＴＯ１
ｅ，１ｆがオフ、負アームのＧＴＯ１ｃ，１ｄがオンし
ており、経路１４により出力端子Ａから図中矢印の方向
に負荷電流が流れており、スナバコンデンサ１１ｃ，１
１ｄ，１１ｅの電圧は各々零、スナバコンデンサ１１
ａ，１１ｂ，１１ｆの電圧は各々分割された直流電源３
ａ，３ｂの電圧Ｅと回収コンデンサ１９ａ，１９ｂの電
圧ｅとの和の電圧値に充電された状態から、ＧＴＯ１ｄ
をターンオフさせると同時に補助ＧＴＯ１ｅをターンオ
ンさせ、ある一定の短絡防止時間後に補助ＧＴＯ１ｅを
ターンオンさせると同時にＧＴＯ１ｂをターンオンさせ
る場合を考える。ここでＧＴＯ１ｄをターンオフさせる
と同時に補助ＧＴＯ１ｅをターンオンさせても経路１４
により出力端子Ａから図中矢印の方向に負荷電流が流れ
ているために回路状態は変化しない。さて補助ＧＴＯ１
ｅをターンオフさせると同時にＧＴＯ１ｂをターンオン
させると、アノードリアクトル７ｂには分割された直流
電源３ｂの電圧Ｅが印加されてＧＴＯ１ｂにかかる電流
上昇率がアノードリアクトル７ｂに抑制されつつ、負荷
電流は経路８により供給され始める。その後ＧＴＯ１ｂ
に流れる電流が負荷電流以上になるが、その過剰な電流
は経路１５と経路１６と経路１７に分流することにな
り、スナバコンデンサ１１ｄは分割された直流電源３ｂ
の電圧Ｅと回収コンデンサ１９ｂの電圧ｅとの和の電圧
値まで充電され、スナバコンデンサ１１ｆは蓄えていた
エネルギを回収コンデンサ１９ｂに回収しつつ電圧零ま
で分割された直流電源３ｂに放電される。その時経路１
８によりスナバコンデンサ１１ｂのエネルギが全て回収
コンデンサ１９ｂに回収され、電圧零まで放電される。
その直後はアノードリアクトル７ｂにエネルギが過剰に
蓄えられているが、経路７によりそのエネルギは全て回
収コンデンサ１９ｂに回収される。この過程を経て負荷
電流は経路８により流れることになる。この動作期間に
おいてスナバコンデンサ１１ｂ，１１ｄ，１１ｆの電圧
上昇率、および電圧下降率は同じ値となる。
【００３８】次にＧＴＯ１ａのターンオン動作を説明す
る。図中正アームのＧＴＯ１ａ，負アームのＧＴＯ１ｄ
及び補助ＧＴＯ１ｅ，１ｆがオフ、正アームのＧＴＯ１
ｂ，負アームのＧＴＯ１ｃがオンしており、経路８によ
り出力端子Ａから図中矢印の方向に負荷電流が流れてお
り、スナバコンデンサ１１ｂ，１１ｃ，１１ｅ，１１ｆ
の電圧は各々零、スナバコンデンサ１１ａ，１１ｄの電
圧は各々分割された直流電源３ａ，３ｂの電圧Ｅと回収
コンデンサ１９ａ，１９ｂの電圧ｅとの和の電圧値に充
電された状態から、ＧＴＯ１ｃをターンオフさせ、ある
一定の短絡防止時間後にＧＴＯ１ａをターンオンさせる
場合を考える。ここでＧＴＯ１ｃをターンオフさせても
経路８により出力端子Ａから図中矢印の方向に負荷電流
が流れているために回路状態は変化しない。さてＧＴＯ
１ａをターンオンさせると、アノードリアクトル７ａに
は分割された直流電源３ａの電圧Ｅが印加されてＧＴＯ
１ａにかかる電流上昇率がアノードリアクトル７ａに抑
制されつつ、負荷電流は経路１により供給され始める。
その後ＧＴＯ１ａに流れる電流が負荷電流以上になる
が、その過剰な電流は経路１９と経路２０と経路２１に
分流することになり、スナバコンデンサ１１ｃ，１１ｅ
は分割された直流電源３ａの電圧Ｅと回収コンデンサ１
９ａの電圧ｅとの和の電圧値まで充電される。その時経
路２２によりスナバコンデンサ１１ａのエネルギが全て
回収コンデンサ１９ａに回収され、電圧零まで放電され
る。その直後はアノードリアクトル７ａにエネルギが過
剰に蓄えられているが、経路７によりそのエネルギは全
て回収コンデンサ１９ａに回収される。この過程を経て
負荷電流は経路１により流れることになる。この動作期
間においてスナバコンデンサ１１ａ，１１ｃ，１１ｅの
電圧上昇率、および電圧下降率は同じ値となる。
る。図中正アームのＧＴＯ１ａ，負アームのＧＴＯ１ｄ
及び補助ＧＴＯ１ｅ，１ｆがオフ、正アームのＧＴＯ１
ｂ，負アームのＧＴＯ１ｃがオンしており、経路８によ
り出力端子Ａから図中矢印の方向に負荷電流が流れてお
り、スナバコンデンサ１１ｂ，１１ｃ，１１ｅ，１１ｆ
の電圧は各々零、スナバコンデンサ１１ａ，１１ｄの電
圧は各々分割された直流電源３ａ，３ｂの電圧Ｅと回収
コンデンサ１９ａ，１９ｂの電圧ｅとの和の電圧値に充
電された状態から、ＧＴＯ１ｃをターンオフさせ、ある
一定の短絡防止時間後にＧＴＯ１ａをターンオンさせる
場合を考える。ここでＧＴＯ１ｃをターンオフさせても
経路８により出力端子Ａから図中矢印の方向に負荷電流
が流れているために回路状態は変化しない。さてＧＴＯ
１ａをターンオンさせると、アノードリアクトル７ａに
は分割された直流電源３ａの電圧Ｅが印加されてＧＴＯ
１ａにかかる電流上昇率がアノードリアクトル７ａに抑
制されつつ、負荷電流は経路１により供給され始める。
その後ＧＴＯ１ａに流れる電流が負荷電流以上になる
が、その過剰な電流は経路１９と経路２０と経路２１に
分流することになり、スナバコンデンサ１１ｃ，１１ｅ
は分割された直流電源３ａの電圧Ｅと回収コンデンサ１
９ａの電圧ｅとの和の電圧値まで充電される。その時経
路２２によりスナバコンデンサ１１ａのエネルギが全て
回収コンデンサ１９ａに回収され、電圧零まで放電され
る。その直後はアノードリアクトル７ａにエネルギが過
剰に蓄えられているが、経路７によりそのエネルギは全
て回収コンデンサ１９ａに回収される。この過程を経て
負荷電流は経路１により流れることになる。この動作期
間においてスナバコンデンサ１１ａ，１１ｃ，１１ｅの
電圧上昇率、および電圧下降率は同じ値となる。
【００３９】なおＧＴＯ１ａのターンオフ動作におい
て、ＧＴＯ１ｃのターンオン時にかかる電流上昇率が高
くなる場合には、補助リアクトル７ｃ，７ｄを挿入して
図９或は図１０の構成をとることにより対処することが
可能である。すなわち、図９においては、ＧＴＯ１ｂと
１ｃの間に補助リアクトル７ｃと７ｄを直列接続し、そ
の接地点より出力端子Ａを取り出す。また、図１０にお
いては、リアクトル７ａとＧＴＯ１ｂの間に補助リアク
トル７ｃを接続し、リアクトル７ｂとＧＴＯ１ｃの間に
補助リアクトル７ｄを接続する。当然ながら配線インダ
クタンスを利用することも可能である。しかしながらＧ
ＴＯ１ｃのターンオン時には、通常それに印加されてい
る電圧はスナバコンデンサ１１ｃの放電により直流電源
３ａの電圧Ｅに比較してかなり低く、また突入する電流
自体の値も低いため、ＧＴＯの持つ安全動作領域にある
と考えられる。
て、ＧＴＯ１ｃのターンオン時にかかる電流上昇率が高
くなる場合には、補助リアクトル７ｃ，７ｄを挿入して
図９或は図１０の構成をとることにより対処することが
可能である。すなわち、図９においては、ＧＴＯ１ｂと
１ｃの間に補助リアクトル７ｃと７ｄを直列接続し、そ
の接地点より出力端子Ａを取り出す。また、図１０にお
いては、リアクトル７ａとＧＴＯ１ｂの間に補助リアク
トル７ｃを接続し、リアクトル７ｂとＧＴＯ１ｃの間に
補助リアクトル７ｄを接続する。当然ながら配線インダ
クタンスを利用することも可能である。しかしながらＧ
ＴＯ１ｃのターンオン時には、通常それに印加されてい
る電圧はスナバコンデンサ１１ｃの放電により直流電源
３ａの電圧Ｅに比較してかなり低く、また突入する電流
自体の値も低いため、ＧＴＯの持つ安全動作領域にある
と考えられる。
【００４０】次に負荷電流が図中矢印の逆方向に流れて
いる場合の各ＧＴＯ１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄのスイッチ
ング動作についてであるが、図中矢印の方向に負荷電流
が流れている場合の各ＧＴＯ１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄの
スイッチング動作と全く対称な為説明を省略する。
いる場合の各ＧＴＯ１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄのスイッチ
ング動作についてであるが、図中矢印の方向に負荷電流
が流れている場合の各ＧＴＯ１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄの
スイッチング動作と全く対称な為説明を省略する。
【００４１】ここで電力回生装置２０ａ，２０ｂについ
て説明する。電力回生装置２０ａ，２０ｂ自体はこの発
明の主なるものではないが、適用可能である具体的な回
路を図７に接続することによって本発明回路が実現可能
であることを示す。図１１にその回路構成を示す。この
ように公知なバック型コンバータと呼ばれるもの等を適
用することにより、充電極性が定められる回収コンデン
サ１９ａ，１９ｂからエネルギを取り出して分割された
直流電源３ａ，３ｂなどに回生し、回収コンデンサ１９
ａ，１９ｂの充電電圧を一定値に制御するという電力回
生装置２０ａ，２０ｂの機能を満たすことが可能であ
る。この回路動作を正アームについて説明する。まず自
己消弧型半導体素子２２ａをオンさせて、回収コンデン
サ１９ａに蓄えられているエネルギを放電させる。この
ときダイオード２３ａは逆電圧が印加されることになる
ためにトランス２４ａの２次側には電流は流れず、その
放電されるエネルギはトランス２４ａ内に蓄えられる。
次に放電電流を遮断するため自己消弧型半導体素子２２
ａをオフすると、トランス２４ａに蓄えられたエネルギ
によりトランス２４ａの２次側に電流が流れ、分割され
た直流電圧３ａに回生されることになる。この自己消弧
型半導体素子２２ａのオン、オフ期間或はその周期を回
収コンデンサ１９ａの電圧により制御することで、回収
コンデンサ１９ａの充電電圧を一定値に保つことができ
る。なお負アームについても同様であるため省略する。
なお、図１１に示した回路以外にも、公知な直流−直流
電力変換回路を適用することにより同様の効果が得られ
ることは明らかである。また回収コンデンサ及び電力回
生装置を、自己消弧型半導体素子が１次側に接続され、
かつ２次側にダイオードブリッジ回路網が接続された変
成器に置換しても同様な効果が得られる。
て説明する。電力回生装置２０ａ，２０ｂ自体はこの発
明の主なるものではないが、適用可能である具体的な回
路を図７に接続することによって本発明回路が実現可能
であることを示す。図１１にその回路構成を示す。この
ように公知なバック型コンバータと呼ばれるもの等を適
用することにより、充電極性が定められる回収コンデン
サ１９ａ，１９ｂからエネルギを取り出して分割された
直流電源３ａ，３ｂなどに回生し、回収コンデンサ１９
ａ，１９ｂの充電電圧を一定値に制御するという電力回
生装置２０ａ，２０ｂの機能を満たすことが可能であ
る。この回路動作を正アームについて説明する。まず自
己消弧型半導体素子２２ａをオンさせて、回収コンデン
サ１９ａに蓄えられているエネルギを放電させる。この
ときダイオード２３ａは逆電圧が印加されることになる
ためにトランス２４ａの２次側には電流は流れず、その
放電されるエネルギはトランス２４ａ内に蓄えられる。
次に放電電流を遮断するため自己消弧型半導体素子２２
ａをオフすると、トランス２４ａに蓄えられたエネルギ
によりトランス２４ａの２次側に電流が流れ、分割され
た直流電圧３ａに回生されることになる。この自己消弧
型半導体素子２２ａのオン、オフ期間或はその周期を回
収コンデンサ１９ａの電圧により制御することで、回収
コンデンサ１９ａの充電電圧を一定値に保つことができ
る。なお負アームについても同様であるため省略する。
なお、図１１に示した回路以外にも、公知な直流−直流
電力変換回路を適用することにより同様の効果が得られ
ることは明らかである。また回収コンデンサ及び電力回
生装置を、自己消弧型半導体素子が１次側に接続され、
かつ２次側にダイオードブリッジ回路網が接続された変
成器に置換しても同様な効果が得られる。
【００４２】実施例５． 図１２は請求項３に対応するこの発明の３レベルインバ
ータ装置の他の実施例を示す構成図（単相を図示）であ
る。図１２においては自己消弧型半導体素子１ａ，１
ｂ，１ｃ，１ｄの一例としてＧＴＯ１ａ，１ｂ，１ｃ，
１ｄを適用している。本実施例は、図１の３レベルイン
バータ装置に請求項３に関連した実施例を適用したもの
である。すなわち、図１における放電抵抗器１８ａ，１
８ｂにおいて消費されていたエネルギを、図１２におい
て全て回収コンデンサ１９ａ，１９ｂに回収可能とした
ものである。回路の基本的な動作は実施例１において詳
細に記述しているためここでは省略する。
ータ装置の他の実施例を示す構成図（単相を図示）であ
る。図１２においては自己消弧型半導体素子１ａ，１
ｂ，１ｃ，１ｄの一例としてＧＴＯ１ａ，１ｂ，１ｃ，
１ｄを適用している。本実施例は、図１の３レベルイン
バータ装置に請求項３に関連した実施例を適用したもの
である。すなわち、図１における放電抵抗器１８ａ，１
８ｂにおいて消費されていたエネルギを、図１２におい
て全て回収コンデンサ１９ａ，１９ｂに回収可能とした
ものである。回路の基本的な動作は実施例１において詳
細に記述しているためここでは省略する。
【００４３】実施例６． 図１３は請求項３に対応するこの発明の３レベルインバ
ータ装置の他の実施例を示す構成図（単相を図示）であ
る。図１３においては自己消弧型半導体素子１ａ，１
ｂ，１ｃ，１ｄの一例としてＧＴＯ１ａ，１ｂ，１ｃ，
１ｄを適用している。本実施例は図５の３レベルインバ
ータ装置に請求項３に関連した実施例を適用したもので
ある。すなわち、図５における放電抵抗器１８ａ，１８
ｂにおいて消費されていたエネルギを、図１３において
全て回収コンデンサ１９ａ，１９ｂに回収可能としたも
のである。回路の基本的な動作は実施例２において詳細
に記述しているためここでは省略する。
ータ装置の他の実施例を示す構成図（単相を図示）であ
る。図１３においては自己消弧型半導体素子１ａ，１
ｂ，１ｃ，１ｄの一例としてＧＴＯ１ａ，１ｂ，１ｃ，
１ｄを適用している。本実施例は図５の３レベルインバ
ータ装置に請求項３に関連した実施例を適用したもので
ある。すなわち、図５における放電抵抗器１８ａ，１８
ｂにおいて消費されていたエネルギを、図１３において
全て回収コンデンサ１９ａ，１９ｂに回収可能としたも
のである。回路の基本的な動作は実施例２において詳細
に記述しているためここでは省略する。
【００４４】実施例７． 図１４は請求項３に対応するこの発明の３レベルインバ
ータ装置の他の実施例を示す構成図である。図１４にお
いては自己消弧型半導体素子１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄの
一例としてＧＴＯ１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄを適用してい
る。本実施例は、図７の３レベルインバータ装置が多相
インバータ構成となる場合に、電力回生装置２０ａ，２
０ｂを複数の相について共通に接続したものである。回
路の基本的な動作は実施例３において詳細に記述したも
のと全く同じであるためここでは省略する。なお、装置
が小型で電力回生装置２０ａ，２０ｂと回収コンデンサ
１９ａ，１９ｂの間の配線が短い場合は問題ないが、装
置が大型となって上記配線が長くなったときは、そのＬ
成分と回収コンデンサ１９ａ，１９ｂの容量とのＬＣ共
振により上記配線上に負電流が発生する。このような場
合、図１４に示すように、各アームの回収コンデンサ１
９ａ，１９ｂの放電方向を定めるダイオード２５ａ〜２
５ｄを上記配線上に挿入することにより、上記ＬＣ共振
による負電流を阻止し、回路動作の安定化を図ることが
できる。
ータ装置の他の実施例を示す構成図である。図１４にお
いては自己消弧型半導体素子１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄの
一例としてＧＴＯ１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄを適用してい
る。本実施例は、図７の３レベルインバータ装置が多相
インバータ構成となる場合に、電力回生装置２０ａ，２
０ｂを複数の相について共通に接続したものである。回
路の基本的な動作は実施例３において詳細に記述したも
のと全く同じであるためここでは省略する。なお、装置
が小型で電力回生装置２０ａ，２０ｂと回収コンデンサ
１９ａ，１９ｂの間の配線が短い場合は問題ないが、装
置が大型となって上記配線が長くなったときは、そのＬ
成分と回収コンデンサ１９ａ，１９ｂの容量とのＬＣ共
振により上記配線上に負電流が発生する。このような場
合、図１４に示すように、各アームの回収コンデンサ１
９ａ，１９ｂの放電方向を定めるダイオード２５ａ〜２
５ｄを上記配線上に挿入することにより、上記ＬＣ共振
による負電流を阻止し、回路動作の安定化を図ることが
できる。
【００４５】
【００４６】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、直列
スナバ回路及び並列スナバ回路の構成要素である抵抗器
を共通に接続するようにしたので、抵抗器の数を最小限
にし、装置が安価かつ小型化できる効果がある。更に直
列スナバ回路、並列スナバ回路内に蓄えられていたエネ
ルギを抵抗器で消費することなくそのエネルギを回収コ
ンデンサを介して電力回生装置により直列電源等に回生
できるようにしたので、装置の高効率化、高周波化が可
能となる効果がある。更にこの３レベルインバータ装置
を誘導電動機を駆動した場合、ランニングコストが減少
し、システム全体の省エネルギ効果があり、また現存す
る自己消弧型半導体素子の最大定格電圧を超える直流電
源を持つインバータ装置が容易に得られる効果もある。
スナバ回路及び並列スナバ回路の構成要素である抵抗器
を共通に接続するようにしたので、抵抗器の数を最小限
にし、装置が安価かつ小型化できる効果がある。更に直
列スナバ回路、並列スナバ回路内に蓄えられていたエネ
ルギを抵抗器で消費することなくそのエネルギを回収コ
ンデンサを介して電力回生装置により直列電源等に回生
できるようにしたので、装置の高効率化、高周波化が可
能となる効果がある。更にこの３レベルインバータ装置
を誘導電動機を駆動した場合、ランニングコストが減少
し、システム全体の省エネルギ効果があり、また現存す
る自己消弧型半導体素子の最大定格電圧を超える直流電
源を持つインバータ装置が容易に得られる効果もある。
【図１】 この発明による３レベルインバータ装置の一
実施例を示す構成図である。
実施例を示す構成図である。
【図２】 図１の動作説明に供するための表図である。
【図３】 この発明による３レベルインバータ装置の他
の実施例を示す構成図である。
の実施例を示す構成図である。
【図４】 図３の動作説明に供するための表図である。
【図５】 この発明による３レベルインバータ装置の他
の実施例を示す構成図である。
の実施例を示す構成図である。
【図６】 図５の動作説明に供するための表図である。
【図７】 この発明による３レベルインバータ装置の他
の実施例を示す構成図である。
の実施例を示す構成図である。
【図８】 図７の動作説明に供するための表図である。
【図９】 この発明による３レベルインバータ装置の他
の実施例を示す構成図である。
の実施例を示す構成図である。
【図１０】 この発明による３レベルインバータ装置の
他の実施例を示す構成図である。
他の実施例を示す構成図である。
【図１１】 この発明で用いられる電力回生装置の具体
的な回路を含めた一実施例による３レベルインバータ装
置を示す構成図である。
的な回路を含めた一実施例による３レベルインバータ装
置を示す構成図である。
【図１２】 この発明による３レベルインバータ装置の
他の実施例を示す構成図である。
他の実施例を示す構成図である。
【図１３】 この発明による３レベルインバータ装置の
他の実施例を示す構成図である。
他の実施例を示す構成図である。
【図１４】 この発明による３レベルインバータ装置の
他の実施例を示す構成図である。
他の実施例を示す構成図である。
【図１５】 従来の３レベルインバータ装置（３相）を
示す構成図である。
示す構成図である。
【図１６】 従来の２レベルインバータ装置を示す構成
図である。
図である。
【図１７】 従来の３レベルインバータ装置を示す構成
図である。
図である。
【図１８】 従来のスナバ回路を示す構成図である。
【図１９】 従来の３レベルインバータ装置に従来のス
ナバ回路を適用した構成図である。
ナバ回路を適用した構成図である。
【図２０】 図１９の動作説明に供するための表図であ
る。
る。
１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ ＧＴＯサイリスタ ３ａ，３ｂ 直流電源 ５ａ，５ｂ クランプダイオード ７ａ，７ｂ アノードリアクトル １１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ スナバコンデンサ １２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ スナバダイオード １８ａ，１８ｂ 放電抵抗器 １９ａ，１９ｂ 回収コンデンサ ２０ａ，２０ｂ 電力回生装置 Ａ 出力端子 Ｂ 中間電位となる点
Claims (4)
- 【請求項１】 中間電位となる点を有する直流電源の正
負母線間に、直列接続された自己消弧型半導体素子を正
アーム及び負アームとして接続し、上記正アームを構成
する第１と第２の自己消弧型半導体素子の直列接続点と
上記中間電位となる点を第１のダイオードを介して接続
し、上記負アームを構成する第３と第４の自己消弧型半
導体素子の直列接続点と上記中間電位となる点を第２の
ダイオードを介して接続し、上記正アームと上記負アー
ムとの接続点を出力端子とする３レベルインバータ装置
において、 上記第１と第２の自己消弧型半導体素子間及び上記第３
と第４の自己消弧型半導体素子間を夫々第１，第２のリ
アクトルを介して直列に接続し、各々の自己消弧型半導
体素子に並列に、ダイオードとコンデンサを直列に接続
してなる直列体を接続し、上記第１及び第３の自己消弧
型半導体素子に夫々並列に接続される上記直列体を構成
するダイオードとコンデンサの接続点を第１の放電抵抗
器を介して接続し、上記第２及び第４の自己消弧型半導
体素子に夫々並列に接続される上記直列体を構成するダ
イオードとコンデンサの接続点を第２の放電抵抗器を介
して接続したことを特徴とする３レベルインバータ装
置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の３レベルインバータ装
置において、正アームを構成する第１と第２の自己消弧
型半導体素子の直列接続点と中間電位となる点とを出力
端子に対して順方向に接続する第１のダイオードに並列
に、ダイオードとコンデンサを直列に接続した直列体の
み、もしくは該直列体並びに自己消弧型半導体素子を接
続し、第１及び第３の自己消弧型半導体素子の各々に並
列に接続された直列体を接続する第１の放電抵抗器を、
上記第１のダイオードに並列接続される直列体を構成す
るコンデンサの放電抵抗器となるよう接続し、負アーム
を構成する第３と第４の自己消弧型半導体素子の直列接
続点と上記中間電位となる点とを出力端子に対して逆方
向に接続する第２のダイオードに並列に、ダイオードと
コンデンサを直列に接続した直列体のみ、もしくは該直
列体並びに自己消弧型半導体素子を接続し、第２及び第
４の自己消弧型半導体素子の各々に並列に接続された直
列体を接続する第２の放電抵抗器を、上記第２のダイオ
ードに並列接続される直列体を構成するコンデンサの放
電抵抗器となるよう接続したことを特徴とする３レベル
インバータ装置。 - 【請求項３】 請求項１又は請求項２に記載の３レベル
インバータ装置において、第１及び第２の放電抵抗器の
各々を充電極性が定められるコンデンサに置換し、該コ
ンデンサからエネルギを取り出して直流電源などに回生
し、上記コンデンサの充電電圧を一定値に制御する機能
を有する電力回生装置を備えたことを特徴とする３レベ
ルインバータ装置。 - 【請求項４】 複数台接続された請求項３に記載の３レ
ベルインバータ装置と、上記複数台接続された３レベル
インバータ装置に共通に接続された電力回生装置とを備
えたことを特徴とする３レベルインバータ装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13493291A JP3325030B2 (ja) | 1991-06-06 | 1991-06-06 | ３レベルインバータ装置 |
| US07/893,326 US5383108A (en) | 1991-06-06 | 1992-06-03 | Inverter apparatus |
| KR1019920009654A KR950002079B1 (ko) | 1991-06-06 | 1992-06-04 | 전력변환장치 |
| DE4218662A DE4218662C2 (de) | 1991-06-06 | 1992-06-05 | Dreipunkt-Wechselrichter |
| TW081104765A TW220018B (ja) | 1991-06-06 | 1992-06-18 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13493291A JP3325030B2 (ja) | 1991-06-06 | 1991-06-06 | ３レベルインバータ装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04359679A JPH04359679A (ja) | 1992-12-11 |
| JP3325030B2 true JP3325030B2 (ja) | 2002-09-17 |
Family
ID=15139933
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13493291A Expired - Fee Related JP3325030B2 (ja) | 1991-06-06 | 1991-06-06 | ３レベルインバータ装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5383108A (ja) |
| JP (1) | JP3325030B2 (ja) |
| KR (1) | KR950002079B1 (ja) |
| DE (1) | DE4218662C2 (ja) |
| TW (1) | TW220018B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101984546B (zh) * | 2010-02-05 | 2013-03-06 | 深圳市科陆变频器有限公司 | 功率开关器件串联限压电路 |
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|---|---|---|---|---|
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| JP3153408B2 (ja) * | 1994-03-10 | 2001-04-09 | 株式会社日立製作所 | 直列多重電力変換器 |
| DE69610000T2 (de) * | 1995-02-14 | 2001-05-17 | Toshiba Kawasaki Kk | Leistungswandler |
| JP3262495B2 (ja) * | 1996-06-03 | 2002-03-04 | 株式会社東芝 | マルチレベルインバータ |
| JP3263317B2 (ja) * | 1996-06-18 | 2002-03-04 | 株式会社東芝 | スイッチングモジュールおよびモジュールを用いた電力変換器 |
| US5874826A (en) * | 1997-10-29 | 1999-02-23 | Lucent Technologies Inc. | Encapsulated modular boost converter and method of manufacture therefor |
| US5982646A (en) * | 1998-06-30 | 1999-11-09 | General Electric Company | Voltage clamp snubbers for three level converter |
| KR20070012972A (ko) | 2005-07-25 | 2007-01-30 | 삼성전자주식회사 | 표시 장치, 그 구동 장치 및 방법 |
| DE102005049208A1 (de) * | 2005-10-07 | 2007-04-12 | Siemens Ag | Schutzbeschaltung für abschaltbare Leistungshalbleiter |
| CN102282751B (zh) * | 2009-01-16 | 2014-04-16 | Abb技术有限公司 | 具有冗余开关单元的电压源换流器的经由烟火式闭合的机械开关的故障防护 |
| CN102832796A (zh) * | 2011-06-15 | 2012-12-19 | 力博特公司 | 缓冲电路和具有该缓冲电路的逆变器 |
| TWI436574B (zh) | 2011-07-13 | 2014-05-01 | Delta Electronics Inc | 直流交流轉換器 |
| US8665616B2 (en) * | 2012-05-16 | 2014-03-04 | National Taiwan University Of Science And Technology | Near zero current-ripple inversion or rectification circuits |
| WO2014147294A1 (en) | 2013-03-19 | 2014-09-25 | Merus Power Dynamics Oy | Method and apparatus for compensating non-active currents in electrical power networks |
| DE102013213986B4 (de) * | 2013-07-17 | 2016-02-04 | Siemens Aktiengesellschaft | Dreipunkt-Stromrichter |
| DE202013104510U1 (de) * | 2013-10-04 | 2013-11-14 | Abb Technology Ag | Halbleiterstapel für Umrichter mit Snubber-Kondensatoren |
| CN106160539B (zh) * | 2015-04-24 | 2018-10-23 | 郑州大学 | 一种采用交叠双电源供电的两级逆变器 |
| MX361850B (es) * | 2015-06-23 | 2018-12-18 | Nissan Motor | Inversor con capacidad de carga. |
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|---|---|---|---|---|
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| JPS6139866A (ja) * | 1984-07-27 | 1986-02-26 | Mitsubishi Electric Corp | インバ−タ |
| FI880817A (fi) * | 1987-07-17 | 1989-01-18 | Siemens Ag | Anordning foer koppling med laog foerlust av ett halvledarkopplingselement i en trepunktvaexelriktare. |
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| DE3915510A1 (de) * | 1989-05-10 | 1990-11-15 | Licentia Gmbh | Schaltungsanordnung zur verlustarmen beschaltung gate-gesteuerter leistungshalbleiterschalter eines stromrichters |
-
1991
- 1991-06-06 JP JP13493291A patent/JP3325030B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-06-03 US US07/893,326 patent/US5383108A/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-06-04 KR KR1019920009654A patent/KR950002079B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1992-06-05 DE DE4218662A patent/DE4218662C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-06-18 TW TW081104765A patent/TW220018B/zh active
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101984546B (zh) * | 2010-02-05 | 2013-03-06 | 深圳市科陆变频器有限公司 | 功率开关器件串联限压电路 |
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| KR950002079B1 (ko) | 1995-03-10 |
| DE4218662A1 (de) | 1993-01-14 |
| DE4218662C2 (de) | 1996-11-14 |
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| US5383108A (en) | 1995-01-17 |
| TW220018B (ja) | 1994-02-01 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |