JPH05103481A - インバータ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 自己消弧型半導体素子に接続するスナバ回路
に蓄えられたエネルギーを電源等に回生する機能を備え
たインバータ装置において、高効率かつ確実な電圧上昇
率抑制、電流上昇率抑制、過電圧抑制を図る。 【構成】 コンデンサ１４ａ，１４ｂを各々直流電圧の
半値に充電し、コンデンサ６より静電容量の数値を大き
くして、コンデンサ１４ａ−ダイオード７ａ−ダイオー
ド７ｂ−コンデンサ１４ｂにより電圧クランプ回路を構
成し、リアクトル３ａ，３ｂによりＧＴＯ１ａ，１ｂの
オン時のｄｉ／ｄｔを抑制し、また、コンデンサ１４ａ
−ダイオード７ａ−コンデンサ６によりＧＴＯ１ａのｄ
ｖ／ｄｔを抑制する構成とした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、自己消弧型半導体素子
に接続するスナバ回路に蓄えられたエネルギーを電源等
に回生する機能を備えたインバータ装置に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】自己消弧型半導体素子、例えばＧＴＯサ
イリスタ（以下ＧＴＯに略す）などから構成されたイン
バータ装置において、自己消弧型半導体素子に加わる電
圧、電流の急峻な立ち上がりによる破壊を防ぐために必
ずスナバ回路を設ける。また、自己消弧型半導体素子に
加わる過電圧による破壊を防ぐために電圧クランプ回路
を設ける。以下、説明文では自己消弧型半導体素子の一
例としてＧＴＯを適用した場合について記述する。

【０００３】図７はスナバ回路及び電圧クランプ回路を
備えた従来のＧＴＯインバータ装置のハーフブリッジ構
成図である。正アームはＧＴＯ１ａ、フリーホイールダ
イオード２ａにより、負アームはＧＴＯ１ｂ、フリーホ
イールダイオード２ｂにより構成されている。正アーム
のＧＴＯ１ａについて、アノードリアクトル３ａ，ダイ
オード４ａ、抵抗５ａから構成される直列スナバ回路
と、スナバコンデンサ６ａ，ダイオード７ａ，抵抗８ａ
から構成される並列スナバ回路を備えている。負アーム
のＧＴＯ１ｂについても同様である。

【０００４】直列スナバ回路内のアノードリアクトル３
ａ，３ｂによりＧＴＯ１ａ，１ｂのオン動作におけるＧ
ＴＯ１ａ，１ｂに加わる電流上昇率を抑制し、並列スナ
バ回路内のスナバコンデンサ６ａ，６ｂによりＧＴＯ１
ａ，１ｂのオフ動作におけるＧＴＯ１ａ，１ｂに加わる
電圧上昇率を抑制する。また、ハーフブリッジの接続点
間であるＡＢ間にコンデンサ９、ダイオード１０、抵抗
１１から構成される電圧クランプ回路を備えている。

【０００５】１２は直流電源、１３は配線インダクタン
スであり、Ｃは出力端子である。また、アノードリアク
トル３ａ，３ｂは配線インダクタンスを代用することも
可能であるし、自己消弧型半導体素子の許容電流上昇率
の定格値によっては省略することも可能である。

【０００６】次に動作について説明するが、ここで示す
経路はまとめて図８に記載する。さて、正アームのＧＴ
Ｏ１ａがオン、負アームのＧＴＯ１ｂがオフしており、
経路ｒ１により出力端子Ｃに矢印の方向に負荷電流が流
れており、スナバコンデンサ６ａの電圧は零、スナバコ
ンデンサ６ｂの電圧は直流電源１２の電圧に充電された
状態から、ＧＴＯ１ａをオフさせ負荷電流を遮断した場
合を考える。

【０００７】ＧＴＯ１ａをオフさせると、遮断された電
流は経路ｒ２にバイパスされスナバコンデンサ６ａを充
電し、その充電電圧が直流電源１２の電圧以上になると
負アームのフリーホイールダイオード２ｂが導通して負
荷電流は経路ｒ３により流れる。また、ダイオード４ａ
が導通し、アノードリアクトル３ａの電流はｒ４を還流
し、アノードリアクトル３ａに蓄えられたエネルギーは
抵抗５ａで消費される。また、スナバコンデンサ６ｂに
蓄えられたエネルギーは抵抗８ｂを通り放電、消費され
る。

【０００８】ＧＴＯ１ａをオフした後にＧＴＯ１ｂをオ
ンした際、スナバコンデンサ６ｂにエネルギーが残って
いる場合は、経路ｒ５によりそのエネルギーはすべて抵
抗８ｂで消費される。更に、配線インダクタンス１３に
蓄えられたエネルギーは、電圧クランプ回路内のコンデ
ンサ９に過充電として一旦吸収され、その後過充電分の
エネルギーは抵抗１１を通って放電される。コンデンサ
９の静電容量はスナバコンデンサ６ａ，６ｂの静電容量
に比較して大きい方が望ましい。このクランプ作用によ
りＡＢ間に過電圧が印加されることはない。以上がＧＴ
Ｏ１ａのターンオフ動作である。

【０００９】次に、正アームのＧＴＯ１ａがオフ、負ア
ームのＧＴＯ１ｂがオンしており、経路ｒ３により出力
端子Ｃに矢印の方向に負荷電流が流れており、スナバコ
ンデンサ６ｂの電圧は零、スナバコンデンサ６ａの電圧
は直流電源１２の電圧に充電された状態から、ＧＴＯ１
ｂをオフした後にＧＴＯ１ａをオンさせる場合を考え
る。

【００１０】この状態ではＧＴＯ１ｂをオフしても回路
状態は変化しない。さて、ＧＴＯ１ａをオンすると、負
荷電流は経路ｒ３から経路ｒ１に転流し、さらに、ＧＴ
Ｏ１ａの電流が負荷電流を超えるが、その過剰な電流は
スナバコンデンサ６ｂの充電電流となり直流電源１２の
電圧に充電される。また、スナバコンデンサ６ａに蓄え
られたエネルギーは経路ｒ６により抵抗８ａで消費され
つつ電圧が零になるまで放電される。

【００１１】スナバコンデンサ６ａ，６ｂが所望の電圧
値に達すると、アノードリアクトル３ａ，３ｂに過剰に
蓄えられたエネルギーは各々経路ｒ７、経路ｒ４により
抵抗５ａ，５ｂで消費されつつ負荷電流は経路ｒ３によ
り流れる。なお、この場合の電圧クランプ回路の動作
は、ＧＴＯ１ａのターンオフ動作で説明したものと同じ
である。以上がＧＴＯ１ａのターンオン動作である。

【００１２】次に、負荷電流が図中矢印の逆方向に流れ
ている場合のＧＴＯ１ｂのオン、オフ動作であるが、図
中矢印の方向に負荷電流が流れている場合のＧＴＯ１ａ
のオン、オフ動作と全く対称なため説明を省略する。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】従来のインバータ装置
は以上のように構成されているので、ＧＴＯ等の自己消
弧型半導体素子のオン、オフ動作により直列スナバ回
路、並列スナバ回路、電圧クランプ回路内のエネルギー
蓄積要素であるコンデンサ及びリアクトルに蓄えられた
エネルギーが抵抗で消費されて損失となっていた。従っ
て、インバータ装置の効率低下要因となり、さらには自
己消弧型半導体素子における接合温度が上昇するためイ
ンバータ装置の高周波化が困難となり、インバータ装置
の定格が大きくなるとその損失が増大するためインバー
タ装置内に設置される冷却装置が大型化し、インバータ
装置自体も大型化するという問題点があった。

【００１４】本発明は、上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、直列スナバ回路、並列スナバ回
路、電圧クランプ回路内に蓄えられたエネルギーを抵抗
で消費することなく直流電源等に回生でき、それらの回
路の個々に持つ機能を損ねることなく動作するインバー
タ装置を得ることを目的としている。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明に係るインバータ
装置は、従来のスナバ回路と電圧クランプ回路を一体化
したスナバ回路をハーフブリッジに接続し、その構成要
素に抵抗を含まず、更にそのハーフブリッジ内の過剰な
エネルギーを正負アーム毎に備えられたコンデンサに導
き、それらの各々のコンデンサのエネルギーを直流電源
に回生するリアクトル、ダイオード、自己消弧型半導体
素子で構成されたチョッパ回路を備えたものである。

【００１６】

【作用】本発明によるインバータ装置は、スナバ回路、
電圧クランプ回路を一体化したスナバ回路により、自己
消弧型半導体素子に加わる急峻な電圧、電流の立ち上が
り及び過電圧を抑制し、更にハーフブリッジ内に抵抗を
含まず、ハーフブリッジ内の過剰なエネルギーをリアク
トル、ダイオード、自己消弧型半導体素子で構成された
チョッパ回路が接続されたコンデンサに導き、そのコン
デンサからチョッパ回路によりエネルギーを取り出し直
流電源に回生する。

【００１７】

【実施例】実施例１．以下、本発明の実施例を図につい
て説明する。図１は第１発明に係るインバータ装置のハ
ーフブリッジ構成図である。図１において、自己消弧型
半導体素子１ａ，１ｂの一例としてＧＴＯを適用してお
り、２ａ，２ｂは逆並列に接続されたフリーホイールダ
イオード、３ａ，３ｂは電流上昇率抑制のためのアノー
ドリアクトル、６は電圧上昇率抑制のためのスナバコン
デンサ、１４ａ，１４ｂは電圧クランプのためのもので
あり、スナバコンデンサ６に比較して充分静電容量の大
きい吸収コンデンサ、７ａ，７ｂは吸収コンデンサ１１
ａ，１１ｂの充電極性を定めるダイオードである。

【００１８】また、１５ａ，１５ｂはＧＴＯ１ａ，１ｂ
に比較して半値の耐圧で良い自己消弧型半導体素子であ
り、一例としてＧＴＯを適用している。１６ａ，１６ｂ
はダイオード、１７ａ，１７ｂはリアクトルであり、自
己消弧型半導体素子１５ａ、ダイオード１６ａ、リアク
トル１７ａは吸収コンデンサ１４ａに対するチョッパ回
路１８ａを構成する。吸収コンデンサ１４ｂに対しても
同様である。さらに、１２ａ，１２ｂは分割されたイン
バータ装置の直流電源であり、その電圧値は各々Ｅであ
り、Ａ，Ｂは直流母線のそれぞれ正側と負側、Ｃは出力
端子である。

【００１９】次に動作について説明する。ここでは出力
端子Ｃを負荷電流が図中矢印の方向に流れている場合の
ＧＴＯ１ａのオン動作とオフ動作についてのみ説明す
る。出力端子Ｃを負荷電流が図中矢印と逆方向に流れて
いる場合のＧＴＯ１ｂのオン動作とオフ動作の説明は前
述した場合の動作と全く対称なため省略する。なお、吸
収コンデンサ１４ａ，１４ｂは各々に接続されているチ
ョッパ回路１８ａ，１８ｂを構成する自己消弧型半導体
素子１５ａ，１５ｂにより直流電圧１２ａ，１２ｂとほ
ぼ同じ電圧値に、かつ常に図示した極性に充電されてい
るものとし、チョッパ回路１８ａ，１８ｂの回路動作は
ＧＴＯ１ａのオン動作とオフ動作の後に説明する。ここ
で示す経路はまとめて図２に記載する。

【００２０】さて、ＧＴＯ１ａがオフ、ＧＴＯ１ｂがオ
ンしており、スナバコンデンサ６は図中点を付していな
い側を正極として吸収コンデンサ１４ｂと同電位に充電
されており、負荷電流が経路Ｒ１により流れている状態
を初期状態として、ＧＴＯ１ｂをオフした後のＧＴＯ１
ａのオン動作を説明する。この状態ではＧＴＯ１ｂをオ
フしても回路状態は変化しない。次にＧＴＯ１ａをオン
させると経路Ｒ２により負荷電流が供給され、フリーホ
イールダイオード２ｂの電流は零になる。このとき、Ｇ
ＴＯ１ａの電流上昇率はアノードリアクトル３ａ，３ｂ
に抑制される。

【００２１】更に、ＧＴＯ１ａの電流は負荷電流以上と
なり、経路Ｒ３によりその過剰な電流が流れることにな
り、スナバコンデンサ６は点を付した側を正極として吸
収コンデンサ１４ａと同電圧値まで充電される。その後
ダイオード７ａが導通し、アノードリアクトル３ａ，３
ｂに蓄えられたエネルギーは経路Ｒ４により吸収コンデ
ンサ１４ａ，１４ｂに吸収される。

【００２２】吸収コンデンサ１４ａ，１４ｂはスナバコ
ンデンサ６に比較して静電容量は充分大きなものであ
り、経路Ｒ３、経路Ｒ４を流れる充電電流による電圧変
動は抑制されている。アノードリアクトル３ａ，３ｂの
エネルギーが吸収コンデンサ１４ａ，１４ｂに吸収され
るとき、スナバコンデンサ６は吸収コンデンサ１４ａの
過充電された電圧と同じ電圧に経路Ｒ３により充電され
る。従って、ＧＴＯ１ａに印加される電圧は零となり、
来るＧＴＯ１ａのオフ動作に備えられる。以上がＧＴＯ
１ａのオン動作の説明である。

【００２３】次に、ＧＴＯ１ａがオン、ＧＴＯ１ｂがオ
フしており、スナバコンデンサ６は図中点を付した側を
正極として吸収コンデンサ１４ａと同電圧値に充電され
ており、負荷電流が経路Ｒ２により流れている状態を初
期状態として、ＧＴＯ１ａのオフ動作を説明する。ＧＴ
Ｏ１ａをオフさせると、ＧＴＯ１ａを流れていた負荷電
流は経路Ｒ５にバイパスされ、スナバコンデンサ６が点
を付していない側を正極として吸収コンデンサ１４ｂと
同電位まで充電される。このときのＧＴＯ１ａの電圧上
昇率はスナバコンデンサ６に抑制される。この状態に達
すると、経路Ｒ１により負荷電流が流れることになる。

【００２４】その後、ダイオード７ｂが導通し、アノー
ドリアクトル３ａに蓄えられたエネルギーは経路Ｒ４に
より吸収コンデンサ１４ａ，１４ｂに吸収される。吸収
コンデンサ１４ａ，１４ｂはスナバコンデンサ６に比較
して充分大きな静電容量を持つため電圧変動は抑制され
ている。アノードリアクトル３ａのエネルギーが吸収コ
ンデンサ１４ａ，１４ｂに吸収される時、スナバコンデ
ンサ６は吸収コンデンサ１４ａの過充電された電圧と同
じ電圧に経路Ｒ５により充電される。従って、ＧＴＯ１
ｂに印加される電圧は零を保ち、この状態で仮にＧＴＯ
１ｂをオンし、そのＧＴＯ１ｂのオン期間に負荷電流の
向きが逆転してＧＴＯ１ｂに負荷電流が流れ、ＧＴＯ１
ｂが次のオフ動作により負荷電流を遮断した場合におい
ても、安全なオフ動作に備えられる。以上がＧＴＯ１ａ
のオフ動作の説明である。

【００２５】さらに、ＧＴＯ１ａ，１ｂのスイッチング
動作時に配線インダクタンス１３に蓄えられたエネルギ
ーはアノードリアクトル３ａ，３ｂに蓄えられたエネル
ギーと同様に、吸収コンデンサ１４ａ，１４ｂに吸収さ
れるため、電圧クランプ回路としての機能も果たす。

【００２６】次に、吸収コンデンサ１４ａに接続された
自己消弧型半導体素子１５ａ、ダイオード１６ａ、リア
クトル１７ａで構成されるチョッパ回路１８ａの動作に
ついて説明する。吸収コンデンサ１４ａの過充電分のエ
ネルギーを直流電源１２ａに回生する方法であるが、自
己消弧型半導体素子１５ａをオンさせると吸収コンデン
サ１４ａの放電経路が形成され、吸収コンデンサ１４ａ
のエネルギーがリアクトル１７ａに移される。自己消弧
型半導体素子１５ａをオフし、吸収コンデンサ１４ａの
放電経路を絶つと、ダイオード１６ａが導通し、リアク
トルの電流は経路Ｒ６を流れるため、リアクトル１７ａ
のエネルギー即ち吸収コンデンサ１４ａのエネルギーは
直流電源１２ａに回生される。

【００２７】従って、吸収コンデンサ１４ａの電圧を検
知して、自己消弧型半導体素子１５ａのスイッチング周
波数及び通流時間を制御すれば、吸収コンデンサ１４ａ
の充電電圧を所望の一定電圧に保つことが可能である。
また、吸収コンデンサ１４ｂに接続された自己消弧型半
導体素子１５ｂ、ダイオード１６ｂ、リアクトル１７ｂ
で構成されるチョッパ回路１８ｂの動作についての説明
は吸収コンデンサ１４ａのそれと同様なため省略する。

【００２８】実施例２．以下、第１発明の他の実施例を
図について説明する。図３は第１発明に係るインバータ
装置の三相構成図である。図３において、１ａ，１ｂは
ターンオン時にかかる急峻な電流上昇率に耐え得る自己
消弧型半導体素子であり、例えばＧＴＯ、ＩＧＢＴなど
を挙げることができる。この様な場合、直列スナバ回路
の構成要素であるアノードリアクトルを省略することが
可能であり、図３ではその場合において構成要素が最小
となる回路構成を示す。ここでは自己消弧型半導体素子
１ａ，１ｂの一例としてＧＴＯを示す。

【００２９】なお、１９はリアクトルまたは配線インダ
ンタンスである。図３では吸収コンデンサ１４ａ，１４
ｂとその各々に接続されるチョッパ回路１８ａ，１８ｂ
が三相全てに対し共通に用いられている。基本的な回路
動作は実施例１．と全く同様なためここでは省略する。
また三相に限らず多相構成の場合にも同様に適用できる
ことは明らかである。

【００３０】実施例３．図４は第１発明に係るインバー
タ装置のハーフブリッジ構成図であり、直流電圧１２
ａ，１２ｂの確立方法について示したものである。図４
では直流電圧１２をバランス抵抗２０ａ，２０ｂが接続
された平滑コンデンサ２１ａ，２１ｂを用いて分割して
おり、図１の直流電圧１２ａ，１２ｂと等価である。

【００３１】実施例４．図５は第１発明に係るインバー
タ装置のハーフブリッジ構成図であり、直流電圧１２
ａ，１２ｂの確立方法について示したものである。図５
において、直流電圧１２ａ，１２ｂは倍電圧整流回路２
２により供給されており、また、バランス抵抗２０ａ，
２０ｂが接続された平滑コンデンサ２１ａ，２１ｂを用
いた構成により、図１の直流電圧１２ａ，１２ｂと等価
である。ただし、２４は交流電源である。

【００３２】実施例５．図６は第２発明に係るインバー
タ装置のハーフブリッジ構成図であり、チョッパ回路１
８ａ，１８ｂを吸収コンデンサ１４ａ，１４ｂの放電抵
抗２３ａ，２３ｂに置換したものである。この場合、放
電抵抗２３ａ，２３ｂには、吸収コンデンサ１４ａ，１
４ｂが過充電となる度にその放電電流が流れることにな
る。吸収コンデンサ１４ａ，１４ｂに過剰に蓄えられた
エネルギーは分割された直流電圧１２ａ，１２ｂに回生
されるが、そのエネルギーは一部放電抵抗２３ａ，２３
ｂにおいて損失となる。なお基本的な回路動作は実施例
１．と全く同様なためここでは省略する。

【００３３】

【発明の効果】以上のように、第１発明によれば、イン
バータ装置にアノードリアクトル、スナバコンデンサ、
吸収コンデンサからなる、スナバ回路、電圧クランプ回
路を一体化したスナバ回路により、自己消弧過型半導体
素子に加わる急峻な電圧、電流の立ち上がり及び過電圧
を確実に抑制し、更にハーフブリッジ内に抵抗を含ま
ず、ハーフブリッジ内の過剰なエネルギーをリアクト
ル、ダイオード、自己消弧型半導体素子で構成されたチ
ョッパ回路が接続された吸収コンデンサに導き、その吸
収コンデンサからチョッパ回路によりエネルギーを取り
出し直流電源に回生できる構成としたので、高効率化、
高周波化、小型化が可能なインバータ装置が得られると
いう効果がある。さらにターンオン時にかかる急峻な電
流上昇率に耐え得る自己消弧型半導体素子を用いて本発
明によるインバータ装置を構成すると、吸収コンデンサ
及びチョッパ回路が多相について共通に用いることがで
きるため、更なる小型化が可能なインバータ装置が得ら
れる効果がある。

【００３４】また、第２発明によれば、吸収コンデンサ
に接続されるチョッパ回路をそのコンデンサの放電抵抗
に置換すると、放電抵抗で損失が発生するが、ハーフブ
リッジ内の過剰なエネルギーの大部分が回生され、また
装置を構成する部品点数の低減により、小型化が可能な
インバータ装置が得られる効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１発明の一実施例によるインバータ装置のハ
ーフブリッジ構成図である。

【図２】第１発明の他の実施例によるインバータ装置の
三相構成図である。

【図３】第１発明の他の実施例によるインバータ装置の
ハーフブリッジ構成図である。

【図４】第１発明の他の実施例によるインバータ装置の
三相構成図である。

【図５】第２発明の一実施例によるインバータ装置のハ
ーフブリッジ構成図である。

【図６】従来のインバータ装置のハーフブリッジ構成図
である。

【符号の説明】

１ａ，１ｂ 自己消弧型半導体素子 ２ａ，２ｂ ダイオード ３ａ，３ｂ リアクトル ６ コンデンサ ７ａ，７ｂ ダイオード １２ａ，１２ｂ 直流電源 １５ａ，１５ｂ コンデンサ １６ａ，１６ｂ ダイオード １７ａ，１７ｂ リアクトル

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【手続補正書】

【提出日】平成４年８月１９日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】特許請求の範囲

【補正方法】変更

【補正内容】

【特許請求の範囲】

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１９

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１９】次に動作について説明する。ここでは出力
端子Ｃを負荷電流が図中矢印の方向に流れている場合の
ＧＴＯ１ａのオン動作とオフ動作についてのみ説明す
る。出力端子Ｃを負荷電流が図中矢印と逆方向に流れて
いる場合のＧＴＯ１ｂのオン動作とオフ動作の説明は前
述した場合の動作と全く対称なため省略する。なお、吸
収コンデンサ１４ａ，１４ｂは各々に接続されているチ
ョッパ回路１８ａ，１８ｂを構成する自己消弧型半導体
素子１５ａ，１５ｂにより直流電圧１２ａ，１２ｂとほ
ぼ同じ、あるいは若干高い電圧値に、かつ常に図示した
極性に充電されているものとし、チョッパ回路１８ａ，
１８ｂの回路動作はＧＴＯ１ａのオン動作とオフ動作の
後に説明する。ここで示す経路はまとめて図２に記載す
る。

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２３

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２３】次に、ＧＴＯ１ａがオン、ＧＴＯ１ｂがオ
フしており、スナバコンデンサ６は図中点を付した側を
正極として吸収コンデンサ１４ａと同電圧値に充電され
ており、負荷電流が経路Ｒ２により流れている状態を初
期状態として、ＧＴＯ１ａのオフ動作を説明する。ＧＴ
Ｏ１ａをオフさせると、ＧＴＯ１ａを流れていた負荷電
流は経路Ｒ５にバイパスされ、スナバコンデンサ６が点
を付していない側を正極として吸収コンデンサ１４ｂと
同電位まで充電される。このときのＧＴＯ１ａの電圧上
昇率は、厳密にはスナバコンデンサ６と吸収コンデンサ
１４ａとの合成容量によって抑制されるが、スナバコン
デンサ６の静電容量が吸収コンデンサ１４ａのそれに比
較して充分大きい条件により等価的にスナバコンデンサ
６に抑制される。この状態に達すると、経路Ｒ１により
負荷電流が流れることになる。

【手続補正４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】図面の簡単な説明

【補正方法】変更

【補正内容】

【図面の簡単な説明】

【図１】第１発明の一実施例によるインバータ装置のハ
ーフブリッジ構成図である。

【図２】第１発明の一実施例である図１を説明するため
の電流経路をまとめた説明図である。

【図３】第１発明の他の実施例によるインバータ装置の
三相構成図である。

【図４】第１発明の他の実施例によるインバータ装置の
ハーフブリッジ構成図である。

【図５】第１発明の他の実施例によるインバータ装置の
ハーフブリッジ構成図である。

【図６】第２発明の一実施例によるインバータ装置のハ
ーフブリッジ構成図である。

【図７】従来のインバータ装置のハーフブリッジ構成図
である。

【図８】従来のインバータ装置を説明するための電流経
路をまとめた説明図である。

【符号の説明】 １ａ，１ｂ 自己消弧型半導体素子 ２ａ，２ｂ ダイオード ３ａ，３ｂ リアクトル ６ コンデンサ ７ａ，７ｂ ダイオード １２ａ，１２ｂ 直流電源 １５ａ，１５ｂ コンデンサ １６ａ，１６ｂ ダイオード １７ａ，１７ｂ リアクトル

【手続補正５】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図１

【補正方法】変更

【補正内容】

【図１】

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 正負直流母線間にリアクトルを介して直
   列に接続され、正負各アームを構成する一対の自己消弧
   型半導体素子と、それぞれの自己消弧型半導体素子に逆
   並列に接続される一対のダイオードからなり、直流母線
   間の電圧が分割され、中間電位点を持ち、正負アームの
   接続点を出力端子とするインバータ装置において、正ア
   ーム側自己消弧型半導体素子のアノードと負アーム側自
   己消弧型半導体素子のカーソド間にコンデンサとダイオ
   ードからなる２つの直列体をダイオードが直列となる様
   に直列接続し、その直列体同志の接続点と出力端子との
   間にコンデンサを接続し、正負直流母線間にリアクトル
   とダイオードからなる２つの直列体をリアクトルが直列
   となる様に直列接続し、その直列体同志の接続点と直流
   母線の中間電位点を接続し、正アームに接続されたコン
   デンサとダイオードからなる直列体のコンデンサとダイ
   オードの接続点と正アームに接続されたリアクトルとダ
   イオードからなる直列体のリアクトルとダイオードの接
   続点間に自己消弧型半導体素子を接続し、負アームに接
   続されたコンデンサとダイオードからなる直列体のコン
   デンサとダイオードの接続点と負アームに接続されたリ
   アクトルとダイオードからなる直列体のリアクトルとダ
   イオードの接続点間に自己消弧型半導体素子を接続した
   ことを特徴とするインバータ装置。
2. 【請求項２】 正負直流母線間にリアクトルを介して直
   列に接続され、正負各アームを構成する一対の自己消弧
   型半導体素子と、それぞれの自己消弧型半導体素子に逆
   並列に接続される一対のダイオードからなり、直流母線
   間の電圧が分割され、中間電位点を持ち、正負アームの
   接続点を出力端子とするインバータ装置において、正ア
   ーム側自己消弧型半導体素子のアノードと負アーム側自
   己消弧型半導体素子のカーソド間にコンデンサとダイオ
   ードからなる２つの直列体をダイオードが直列となる様
   に直列接続し、その直列体同志の接続点と出力端子との
   間にコンデンサを接続し、それら直列体を構成するダイ
   オードとコンデンサの接続点と直流母線の中間電位点を
   各々抵抗を介して接続したことを特徴とするインバータ
   装置。