JPH0568380A - インバータ装置 - Google Patents

インバータ装置

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Publication number
JPH0568380A
JPH0568380A JP3125424A JP12542491A JPH0568380A JP H0568380 A JPH0568380 A JP H0568380A JP 3125424 A JP3125424 A JP 3125424A JP 12542491 A JP12542491 A JP 12542491A JP H0568380 A JPH0568380 A JP H0568380A
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JP
Japan
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capacitor
absorption
series
voltage
snubber
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JP3125424A
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English (en)
Inventor
Hideo Okayama
秀夫 岡山
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 自己消弧型半導体素子のオンオフ動作により
スナバ回路や電圧クランプ回路のエネルギー蓄積要素に
蓄えられるエネルギーを無駄に消費させることなく電源
に回生できるインバータ装置を得る。 【構成】 GTO1a、1bを有するインバータ装置の
ハーフブリッジに、スナバ回路とクランプ回路を一体化
した抵抗分を含まないクランプスナバ回路(アノードリ
アクトル3a、3b、スナバコンデンサ6、ダイオード
7a、7b、吸収コンデンサ11a、11b、ダイオー
ド14a、14b、回収コンデンサ15a、15b、リ
アクトル21a、21b)を接続すると共に、ハーフブ
リッジ内の過剰なエネルギーを直流電源12a、12b
に回生する電力回生装置16a、16bを備えた。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、自己消弧型半導体素子
に接続するスナバ回路に蓄えられたエネルギーを回生す
る機能を備えたインバータ装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】自己消弧型半導体素子、例えばGTOサ
イリスタなどから構成されたインバータ装置において、
自己消弧型半導体素子に加わる電圧、電流の急峻な立ち
上りによる破壊を防ぐ為に必ずスナバ回路が設けられ
る。また、自己消弧型半導体素子に加わる過電圧による
破壊を防ぐ為に電圧クランプ回路が設けられる。以下の
説明では、自己消弧型半導体素子をGTOサイリスタの
場合に限定して記述する。
【0003】図6はスナバ回路及び電圧クランプ回路を
備えた従来のGTOインバータ装置のハーフブリッジ構
成図である。正アームはGTO1aとフリーホイールダ
イオード2aにより構成され、負アームはGTO1bと
フリーホイールダイオード2bにより構成されている。
正アームのGTO1aには、アノードリアクトル3aと
ダイオード4a及び抵抗5aから構成される直列スナバ
回路と、スナバコンデンサ6aとダイオード7a及び抵
抗8aから構成される並列スナバ回路を備えている。負
アームのGTO1bについても同様である。
【0004】上記直列スナバ回路内のアノードリアクト
ル3a、3bはGTO1a、1bのオン動作における電
流上昇率を抑制し、並列スナバ回路内のスナバコンデン
サ6a、6bはGTO1a、1bのオフ動作における電
圧上昇率を抑制する。また、ハーフブリッジの接続点間
であるAB間に、コンデンサ9とダイオード10及び抵
抗11から構成される電圧クランプ回路が備えられてい
る。なお、12は直流電源、13は配線インダクタンス
である。
【0005】次に動作について説明する。正アームGT
O1aがオンしていて、直流電源12−インダクタンス
13−アノードリアクトル3a−GTO1a−出力端C
の経路により、出力端Cに矢印方向に負荷電流が流れ
て、スナバコンデンサ6aの電圧が0、スナバコンデン
サ6bの電圧が直流電源12の電圧に充電された状態か
ら、GTO1aをオフさせ、電流を遮断した場合を考え
る。GTO1aをオフさせると、遮断された電流はダイ
オード7a−スナバコンデンサ6aの経路にバイパスさ
れ、スナバコンデンサ6aを充電し、その充電電圧が直
流電源12の電圧以上になると、負荷電流は、リアクト
ル3b−フリーホイールダイオード2bの経路により流
れる。この過程において、アノードリアクトル3aの電
流はアノードリアクトル3a−ダイオード4a−抵抗5
a−アノードリアクトル3aの経路を還流し、アノード
リアクトル3aのエネルギーは抵抗5aで消費される。
また、スナバコンデンサ6bに蓄えられたエネルギーは
抵抗8bを通って放電、消費される。
【0006】GTO1aをオフした後にGTO1bをオ
ンした際、スナバコンデンサ6bにエネルギーが残留し
ている場合は、スナバコンデンサ6b−GTO1b−抵
抗8b−スナバコンデンサ6bの経路により、そのエネ
ルギーは全て抵抗8bで消費される。さらに、配線イン
ダクタンス13に蓄えられるエネルギーは電圧クランプ
回路内のコンデンサ9に過充電として吸収され、その
後、過充電分のエネルギーは抵抗11を通って放電され
る。従ってAB間に過電圧が印加されることはない。そ
して、GTO1bをオフした後GTO1aをオンする
と、スナバコンデンサ6aに蓄えられたエネルギーはス
ナバコンデンサ6a−抵抗8a−GTO1a−スナバコ
ンデンサ6aの経路により抵抗8aで消費され、スナバ
コンデンサ6bは直流電源12の電圧に充電され、アノ
ードリアクトル3aに過剰に蓄えられたエネルギーは抵
抗5aで消費されつつ、負荷電流は直流電源12−配線
インダクタンス13−アノードリアクトル3a−GTO
1a−出力端Cの経路により流れる。
【0007】次に、負荷電流が図中矢印の逆方向に流れ
ている場合のGTO1bのオン、オフ動作は、図中矢印
の方向に負荷電流が流れている場合のGTO1aのオ
ン、オフ動作と全く対称な為、説明を省略する。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】従来のインバータ装置
は以上のように構成されているので、GTOなどの自己
消弧型半導体素子のオンオフ動作により、直列スナバ回
路、並列スナバ回路及び電圧クランプ回路内のエネルギ
ー蓄積要素であるコンデンサ及びリアクトルに蓄えられ
たエネルギーが抵抗で消費されており、インバータ装置
の効率低下要因となり、また、これに伴い装置の大型化
及び装置内に設置される冷却装置の大型化を招く問題点
があった。
【0009】本発明は、上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、直列スナバ回路、並列スナバ回
路及び電圧クランプ回路内に蓄えられたエネルギーを抵
抗で消費することなく直流電源等に回生でき、それらの
回路の機能を損ねることなく動作するインバータ装置を
得ることを目的としている。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明に係るインバータ
装置は、構成要素に抵抗を含まず、スナバ回路と電圧ク
ランプ回路を一体化したクランプスナバ回路をハーフブ
リッジに接続し、さらに、そのハーフブリッジ内の過剰
なエネルギーを正負アーム毎に備えられた回収コンデン
サに導き、各々の回収コンデンサのエネルギーを直流電
源に回生できる電力回生装置を備えたものである。
【0011】
【作用】本発明によるインバータ装置は、クランプスナ
バ回路により、自己消弧型半導体素子に加わる急峻な電
圧、電流の立ち上がり及び過電圧を抑制し、さらに、ハ
ーフブリッジ内に抵抗を含まず電力回生装置を備えたこ
とにより、効率が向上し、装置の小形化を可能にする。
【0012】
【実施例】実施例1.以下、本発明の一実施例を図につ
いて説明する。図1は実施例に係るGTOインバータ装
置のハーフブリッジ構成図である。図1において、1
a、1bはGTO、2a、2bは逆並列接続されたフリ
ーホイールダイオード、3a、3bは電流上昇率抑制の
為のアノードリアクトル、6は電圧上昇率抑制の為のス
ナバコンデンサ、11a、11bはスナバコンデンサ6
に比較して静電容量の大きい電圧クランプの為の吸収コ
ンデンサ、7a、7bは吸収コンデンサ11a、11b
の充電極性を定めるダイオード、15a、15bはスナ
バコンデンサ6に比較して静電容量が大きく、吸収コン
デンサ11a、11bの過充電分のエネルギーを回収す
る為の回収コンデンサである。
【0013】また、14a、14bは吸収コンデンサ1
1a、11bの過充電分のエネルギーを回収コンデンサ
15a、15bに導き、かつ回収コンデンサ15a、1
5bの充電極性を定めるダイオード、12a、12bは
分割されたインバータ装置の直流電源、16a、16b
は回収コンデンサ15a、15bの各々から電力を取り
出し直流電源12a、12bに回生し、かつ、回収コン
デンサ15a、15bの電圧を一定に制御する機能を有
する電力回生装置、21a、21bはインピーダンス調
整リアクトルであり、上記吸収コンデンサ11a、11
bは上記直流電圧12a、12bとほぼ同じ電圧値に、
かつ常に図示極性に充電されている。
【0014】次に動作について説明する。ここでは、出
力端Cを負荷電流が図中矢印方向に流れている場合のG
TO1aのオン動作とオフ動作についてのみ説明する。
出力端Cを負荷電流が図中矢印と逆方向に流れている場
合のGTO1bのオンオフ動作は前述した場合の動作と
全く対称な為省略する。
【0015】今、GTO1a、1bがオフしており、ス
ナバコンデンサ6は図中点を付していない側を正極とし
て吸収コンデンサ11bと同電圧値に充電されていて、
負荷電流がアノードリアクトル3b−フリーホイールダ
イオード2b−出力端Cの経路により流れている状態を
初期状態としてGTO1aのオン動作を説明する。GT
O1aをオンさせると、直流電源12b−直流電源12
a−アノードリアクトル3a−GTO1a−出力端Cの
経路により負荷電流が供給され、フリーホイールダイオ
ード2bの電流は零となる。この時のGTO1aの電流
上昇率はアノードリアクトル3a、3bに抑制される。
さらに、GTO1aの電流は負荷電流以上となり、直流
電源12b−直流電源12a−アノードリアクトル3a
−GTO1a−スナバコンデンサ6−ダイオード7b−
吸収コンデンサ11b−アノードリアクトル3b−直流
電源12bの経路にその過剰な電流が流れることによ
り、スナバコンデンサ6は点を付した側を正極として、
吸収コンデンサ11aと同電圧値まで充電される。
【0016】その後、アノードリアクトル3a、3bに
蓄えられたエネルギーは、アノードリアクトル3a−吸
収コンデンサ11a−ダイオード7a−ダイオード7b
−吸収コンデンサ11b−アノードリアクトル3bの経
路により吸収コンデンサ11a、11bに吸収される。
吸収コンデンサ11a、11bはスナバコンデンサ6に
比較して静電容量は大きなものであり、電圧変動は抑制
されている。アノードリアクトル3a、3bのエネルギ
ーが吸収コンデンサ11a、11bに吸収される時、ス
ナバコンデンサ6は吸収コンデンサ11aの過充電され
た電圧と同じ電圧にアノードリアクトル3a−GTO1
a−スナバコンデンサ6−ダイオード7bの経路により
充電される。従って、GTO1aに印加される電圧は零
となる。
【0017】吸収コンデンサ11aの過充電分のエネル
ギはー吸収コンデンサ11a−アノードリアクトル3a
−直流電源12a−回収コンデンサ15a−ダイオード
14a−吸収コンデンサ11aの経路による吸収コンデ
ンサ11aの放電により回収コンデンサ15aに導かれ
る。この時、スナバコンデンサ6は吸収コンデンサ11
aの放電された電圧と同じ電圧だけ回収コンデンサ15
a−ダイオード14a−ダイオード7a−スナバコンデ
ンサ6−フリーホイールダイオード2aの経路により放
電される。従って、GTO1aに印加される電圧は零と
なり、来たるGTO1bのオフ動作に備えられる。ま
た、吸収コンデンサ11aの過充電分のエネルギーは吸
収コンデンサ11b−ダイオード14b−回収コンデン
サ15b−直流電源12b−アノードリアクトル3b−
吸収コンデンサ11bの経路による吸収コンデンサ11
bの放電により回収コンデンサ15bに導かれる。さら
に、電力回生装置16a、16bにより、各々の吸収コ
ンデンサ15a、15bから電力が取り出され、直流電
源12a、12bに回生される。以上がGTO1aのオ
ン動作の説明である。
【0018】次に、GTO1aがオン、GTO1bがオ
フしており、スナバコンデンサ6は図中点を付した側を
正極として吸収コンデンサ11aと同電圧値に充電され
ていて、負荷電流が直流電源12b−直流電源12a−
アノードリアクトル3a−GTO1a−出力端Cの経路
により流れている状態を初期状態としてGTO1aのオ
フ動作を説明する。GTO1aをオフさせると、GTO
1aを流れていた負荷電流は吸収コンデンサ11a−ダ
イオード7a−スナバコンデンサ6−出力端Cの経路に
バイパスされ、スナバコンデンサ6が点を付していない
側を正極として吸収コンデンサ11bと同電位まで充電
される。この時のGTO1aの電圧上昇率はスナバコン
デンサ6に抑制される。すると、アノードリアクトル3
b−フリーホイールダイオード2b−出力端Cの経路に
より負荷電流が流れることになる。
【0019】その後、アノードリアクトル3aに蓄えら
れたエネルギーはアノードリアクトル3a−吸収コンデ
ンサ11a−ダイオード7a−ダイオード7b−吸収コ
ンデンサ11b−アノードリアクトル3bの経路により
吸収コンデンサ11a、11bに吸収される。吸収コン
デンサ11a、11bはスナバコンデンサ6に比較して
静電容量は大きなものであり、電圧変動は抑制されてい
る。アノードリアクトル3aのエネルギーが吸収コンデ
ンサ11a、11bに吸収される時、スナバコンデンサ
6は吸収コンデンサ11aの過充電された電圧と同じ電
圧にアノードリアクトル3a−吸収コンデンサ11a−
ダイオード7a−スナバコンデンサ6−出力端Cの経路
により充電される。従って、GTO1bに印加される電
圧は零となる。
【0020】吸収コンデンサ11bの過充電分のエネル
ギーは吸収コンデンサ11b−回収コンデンサ15b−
直流電源12b−アノードリアクトル3b−吸収コンデ
ンサ11bの経路による吸収コンデンサ11bの放電に
より回収コンデンサ15bに導かれる。この時、スナバ
コンデンサ6は吸収コンデンサ11bの放電された電圧
と同じ電圧だけフリーホイールダイオード2b−スナバ
コンデンサ6−ダイオード7b−ダイオード14b−回
収コンデンサ15bの経路により放電される。従って、
GTO1bに印加される電圧は零となり、この状態で仮
にGTO1bをオンし、その期間に負荷電流の向きが逆
転し、GTO1bが次のオフ動作により負荷電流を遮断
した場合にも、安全にオフ動作が行われるよう備えられ
る。
【0021】また、吸収コンデンサ11aの過充電分の
エネルギーは吸収コンデンサ11a−アノードリアクト
ル3a−直流電源12a−回収コンデンサ15a−ダイ
オード14a−吸収コンデンサ11aの経路による吸収
コンデンサ11aの放電により、回収コンデンサ15a
に導かれる。さらに、電力回生装置16a、16bによ
り、各々の吸収コンデンサ15a、15bから電力が取
り出され、直流電源12a、12bに回生される。以上
がGTO1aのオフ動作の説明である。
【0022】さらに、GTO1a、1bのスイッチング
動作時に配線インダクタンス13に蓄えられたエネルギ
ーはアノードリアクトル3a、3bに蓄えられたエネル
ギーと同様に、一担、吸収コンデンサ11a、11bに
吸収され、回収コンデンサ15a、15bに導かれ、電
力回生装置16a、16bにより直流電源12a、12
bに回生されるため電圧クランプ回路としての機能も果
たす。
【0023】実施例2.図2は実施例2に係るインバー
タ装置のハーフブリッジ構成図で、図1における電力回
生装置16a、16bの一具体例を加えて示してある。
従って、ここでは電力回生装置16a、16bの動作に
ついて説明する。図中、17a、17bはGTO1a、
1bより耐圧の低い自己消弧型半導体素子を用いること
ができ、ここではIGBTを適用している。19a、1
9bはリアクトルであり、インピーダンスの大きなもの
を適用すれば、IGBT17a、17bは電流定格の小
さなもので良い。18a、18bはダイオードである。
【0024】先ず、回収コンデンサ15a、15bにつ
いて対称な為、回収コンデンサ15aについて説明す
る。回収コンデンサ15aが図示極性に充電されている
場合に、IGBT17aをオンすると、回収コンデンサ
15a−リアクトル19a−IGBT17aの経路によ
り回収コンデンサ15aが放電し、リアクトル19aに
エネルギーが移される。IGBT17aをオフすると、
リアクトル19a−ダイオード18a−直流電源12a
−リアクトル19aの経路により、リアクトル19aに
移されたエネルギーは直流電源12aに回生される。以
上の動作により、吸収コンデンサ15aの電力を取り出
し直流電源12aに回生可能である。
【0025】また、回収コンデンサ15aの電圧値によ
り、IGBT17aのオン幅を変化させることによって
回収コンデンサ15aの電圧値を一定に制御可能であ
る。従って、回収コンデンサ15aの電圧値を制御可能
ということは、吸収コンデンサ11aの電圧も制御可能
であると換言できる。
【0026】実施例3.図3は実施例3に係るインバー
タ装置のハーフブリッジ構成図であり、図1における電
力回生装置16a、16bの図2に示した以外の一具体
例を加えて示してある。図3ではリアクトル19a、1
9bの代替手段として変成器20a、20bを用いてい
る。IGBT17a、17bをスイッチングさせ、変成
器20a、20bの1次側に電流を流すことにより、2
次側を介してエネルギーが回生される。図2に示した電
力回生装置16a、16bとは構成は異るが、図3に示
した電力回生装置と同等の効果が得られる。なお、変成
器20a、20bの2次側に限流素子を接続しても良
い。
【0027】実施例4.図4は実施例4に係るインバー
タ装置のハーフブリッジ構成図であり、図3で示した電
力回生装置16a、16bの変成器20a、20bの2
次側を一括したものである。図4は2次側には交流電流
が流れる。この様なブリッジ整流器18a、18b、1
8c、18dを備えた変成器20a、20bの2次側の
構成を図3の変成器20a、20bの2次側に適用して
も同じ効果が得られる。また、ブリッジ整流器18a、
18b、18c、18dに共通な位置に限流素子を接続
しても良い。
【0028】実施例5.図5は実施例5に係るインバー
タ装置の3相ブリッジ構成図である。3相共通に回収コ
ンデンサ15a、15bを接続し、その回収コンデンサ
15a、15bの各々に電力回生装置16a、16bを
接続し、直流電源12a、12bに回生できる構成とし
ている。動作は図1と同様であるため省略する。
【0029】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、インバ
ータ装置のハーフブリッジにスナバ回路と電圧クランプ
回路を一体化したクランプスナバ回路を接続し、その構
成要素に抵抗を含まず、更にそのハーフブリッジ内の過
剰なエネルギーを電力回生装置により直流電源に回生で
きるように構成したので、自己消弧型半導体素子を確実
に保護でき、装置の高効率化及び小形化を図ることがで
きるインバータ装置が得られるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例1によるインバータ装置のハー
フブリッジ構成図である。
【図2】本発明の実施例2を示す構成図である。
【図3】本発明の実施例3を示す構成図である。
【図4】本発明の実施例4を示す構成図である。
【図5】本発明の実施例5を示す構成図である。
【図6】従来のインバータ装置のハーフブリッジ構成図
である。
【符号の説明】
1a、1b GTO(自己消弧型半導体素子) 2a、2b フリーホイールダイオード 3a、3b アノードリアクトル 6 スナバコンデンサ 7a、7b ダイオード 11a、11b 吸収コンデンサ 12a、12b 直流電源 14a、14b ダイオード 15a、15b 回収コンデンサ 16a、16b 電力回生装置 21a、21b リアクトル
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成3年8月27日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項1
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0005
【補正方法】変更
【補正内容】
【0005】次に動作について説明する。正アームGT
O1aがオンしていて、直流電源12−配線インダクタ
ンス13−アノードリアクトル3a−GTO1a−出力
端Cの経路により、出力端Cに矢印方向に負荷電流が流
れて、スナバコンデンサ6aの電圧が0、スナバコンデ
ンサ6bの電圧が直流電源12の電圧に充電された状態
から、GTO1aをオフさせ、電流を遮断した場合を考
える。GTO1aをオフさせると、遮断された電流はダ
イオード7a−スナバコンデンサ6aの経路にバイパス
され、スナバコンデンサ6aを充電し、その充電電圧が
直流電源12の電圧以上になると、負荷電流は、リアク
トル3b−フリーホイールダイオード2bの経路により
流れる。この過程において、アノードリアクトル3aの
電流はアノードリアクトル3a−ダイオード4a−抵抗
5a−アノードリアクトル3aの経路を還流し、アノー
ドリアクトル3aのエネルギーは抵抗5aで消費され
る。また、スナバコンデンサ6bに蓄えられたエネルギ
ーは抵抗8bを通って放電、消費される。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0006
【補正方法】変更
【補正内容】
【0006】GTO1aをオフした後にGTO1bをオ
ンした際、スナバコンデンサ6bにエネルギーが残留し
ている場合は、スナバコンデンサ6b−GTO1b−抵
抗8b−スナバコンデンサ6bの経路により、そのエネ
ルギーは全て抵抗8bで消費される。さらに、配線イン
ダクタンス13に蓄えられるエネルギーは電圧クランプ
回路内のコンデンサ11に過充電として吸収され、その
後、過充電分のエネルギーは抵抗9を通って放電され
る。従ってAB間に過電圧が印加されることはない。そ
して、GTO1bをオフした後GTO1aをオンする
と、スナバコンデンサ6aに蓄えられたエネルギーはス
ナバコンデンサ6a−抵抗8a−GTO1a−スナバコ
ンデンサ6aの経路により抵抗8aで消費され、スナバ
コンデンサ6bは直流電源12の電圧に充電され、アノ
ードリアクトル3aに過剰に蓄えられたエネルギーは抵
抗5aで消費されつつ、負荷電流は直流電源12−配線
インダクタンス13−アノードリアクトル3a−GTO
1a−出力端Cの経路により流れる。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0017
【補正方法】変更
【補正内容】
【0017】吸収コンデンサ11aの過充電分のエネル
ギーは吸収コンデンサ11a−アノードリアクトル3a
−直流電源12a−回収コンデンサ15a−ダイオード
14a−吸収コンデンサ11aの経路による吸収コンデ
ンサ11aの放電により回収コンデンサ15aに導かれ
る。この時、スナバコンデンサ6は吸収コンデンサ11
aの放電された電圧と同じ電圧だけ回収コンデンサ15
a−ダイオード14a−ダイオード7a−スナバコンデ
ンサ6−フリーホイールダイオード2aの経路により放
電される。従って、GTO1aに印加される電圧は零と
なり、来たるGTO1bのオフ動作に備えられる。ま
た、吸収コンデンサ11aの過充電分のエネルギーは吸
収コンデンサ11b−ダイオード14b−回収コンデン
サ15b−直流電源12b−アノードリアクトル3b−
吸収コンデンサ11bの経路による吸収コンデンサ11
bの放電により回収コンデンサ15bに導かれる。さら
に、電力回生装置16a、16bにより、各々の吸収コ
ンデンサ15a、15bから電力が取り出され、直流電
源12a、12bに回生される。以上がGTO1aのオ
ン動作の説明である。
【手続補正5】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0023
【補正方法】変更
【補正内容】
【0023】実施例2.図2は実施例2に係るインバー
タ装置のハーフブリッジ構成図で、図1における電力回
生装置16a、16bの一具体例を加えて示してある。
従って、ここでは電力回生装置16a、16bの動作に
ついて説明する。図中、17a、17bはGTO1a、
1bより耐圧の低い自己消弧型半導体素子を用いること
ができ、ここではIGBTを適用している。19a、1
9bはリアクトルであり、インダクタンスの大きなもの
を適用すれば、IGBT17a、17bは電流定格の小
さなもので良い。18a、18bはダイオードである。
【手続補正6】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図4
【補正方法】変更
【補正内容】
【図4】

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 直流電源を分割してなる正負直流母線間
    に電流上昇率抑制用リアクトルをそれぞれ介して直列に
    接続され、正負各アームを構成する一対の自己消弧型半
    導体素子と、各自己消弧型素子に逆並列接続される一対
    のダイオードからなるインバータ装置において、正側自
    己消弧型半導体素子のアノードと負側自己消弧型半導体
    素子のカソード間に、電圧クランプ用吸収コンデンサと
    この吸収コンデンサの充電極性を定める方向のダイオー
    ドからなる一対の第1の直列体をダイオードが直列とな
    る様に直列接続したものを接続し、かつこれら第1の直
    列体の接続点と正負アームの接続点との間に電圧上昇率
    抑制用コンデンサを接続し、上記第1の直列体の各々の
    吸収コンデンサとダイオードの接続点間に、上記各吸収
    コンデンサの過充電分のエネルギーを回収する回収コン
    デンサとインピーダンス調整リアクトル及び上記各回収
    コンデンサの充電極性を定める方向のダイオードからな
    る一対の第2の直列体を回収コンデンサが直列となる様
    に直列接続したものを接続すると共に、上記各回収コン
    デンサの各々から電力を取り出して、分割された直流電
    源に回生する一対の電力回生装置を備えたことを特徴と
    するインバータ装置。
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