EP3035047A1 - Messeinrichtung und verfahren zur messung von schichtdicken und fehlstellen eines waferstapels - Google Patents

Messeinrichtung und verfahren zur messung von schichtdicken und fehlstellen eines waferstapels Download PDF

Info

Publication number
EP3035047A1
EP3035047A1 EP16153569.5A EP16153569A EP3035047A1 EP 3035047 A1 EP3035047 A1 EP 3035047A1 EP 16153569 A EP16153569 A EP 16153569A EP 3035047 A1 EP3035047 A1 EP 3035047A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
wafer
wafer stack
measuring
measuring device
stack
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
EP16153569.5A
Other languages
English (en)
French (fr)
Other versions
EP3035047B1 (de
Inventor
Markus Wimplinger
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
EV Group E Thallner GmbH
Original Assignee
EV Group E Thallner GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by EV Group E Thallner GmbH filed Critical EV Group E Thallner GmbH
Priority to EP19156059.8A priority Critical patent/EP3514529B1/de
Priority to EP16153569.5A priority patent/EP3035047B1/de
Publication of EP3035047A1 publication Critical patent/EP3035047A1/de
Application granted granted Critical
Publication of EP3035047B1 publication Critical patent/EP3035047B1/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
    • G01N29/04—Analysing solids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
    • G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
    • G01B11/0625—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating with measurement of absorption or reflection
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/24—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures
    • G01B11/2441—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures using interferometry
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B17/00—Measuring arrangements characterised by the use of infrasonic, sonic or ultrasonic vibrations
    • G01B17/02—Measuring arrangements characterised by the use of infrasonic, sonic or ultrasonic vibrations for measuring thickness
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B17/00—Measuring arrangements characterised by the use of infrasonic, sonic or ultrasonic vibrations
    • G01B17/02—Measuring arrangements characterised by the use of infrasonic, sonic or ultrasonic vibrations for measuring thickness
    • G01B17/025—Measuring arrangements characterised by the use of infrasonic, sonic or ultrasonic vibrations for measuring thickness for measuring thickness of coating
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B7/00—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques
    • G01B7/02—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B7/06—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
    • G01N29/04—Analysing solids
    • G01N29/043—Analysing solids in the interior, e.g. by shear waves
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
    • G01N29/22—Details, e.g. general constructional or apparatus details
    • G01N29/26—Arrangements for orientation or scanning by relative movement of the head and the sensor
    • G01N29/265—Arrangements for orientation or scanning by relative movement of the head and the sensor by moving the sensor relative to a stationary material
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
    • G01N29/22—Details, e.g. general constructional or apparatus details
    • G01N29/26—Arrangements for orientation or scanning by relative movement of the head and the sensor
    • G01N29/27—Arrangements for orientation or scanning by relative movement of the head and the sensor by moving the material relative to a stationary sensor
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
    • G01N29/22—Details, e.g. general constructional or apparatus details
    • G01N29/26—Arrangements for orientation or scanning by relative movement of the head and the sensor
    • G01N29/275—Arrangements for orientation or scanning by relative movement of the head and the sensor by moving both the sensor and the material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers
    • G01N21/9505—Wafer internal defects, e.g. microcracks
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2291/00—Indexing codes associated with group G01N29/00
    • G01N2291/02—Indexing codes associated with the analysed material
    • G01N2291/023—Solids
    • G01N2291/0231—Composite or layered materials
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2291/00—Indexing codes associated with group G01N29/00
    • G01N2291/02—Indexing codes associated with the analysed material
    • G01N2291/028—Material parameters
    • G01N2291/02854—Length, thickness
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2291/00—Indexing codes associated with group G01N29/00
    • G01N2291/02—Indexing codes associated with the analysed material
    • G01N2291/028—Material parameters
    • G01N2291/0289—Internal structure, e.g. defects, grain size, texture
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2291/00—Indexing codes associated with group G01N29/00
    • G01N2291/04—Wave modes and trajectories
    • G01N2291/044—Internal reflections (echoes), e.g. on walls or defects
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2291/00—Indexing codes associated with group G01N29/00
    • G01N2291/26—Scanned objects
    • G01N2291/269—Various geometry objects
    • G01N2291/2697—Wafer or (micro)electronic parts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like

Definitions

  • the present invention relates to a method for measuring and / or detecting layer thicknesses and defects of one or more layers of a wafer stack at a plurality of measuring points distributed on the wafer stack according to patent claim 1.
  • MEMS micro-electro-mechanical
  • 3D ICs This refers to a chip system consisting of several layers of transistors ("active layers”), which are interconnected by means of contacts passing through the silicon. These vias are known in the industry as through silicon vias or TSVs for short.
  • Wafers are therefore advantageously temporarily mounted on a support so that a reliable handling of the thin wafer, which usually has a thickness of ⁇ 150 .mu.m, but usually ⁇ 100 .mu.m and often ⁇ 80 or even ⁇ 50 .mu.m, is ensured.
  • the wafer is released again from the carrier. These two methods are called temporary bonding and debonding.
  • the product wafer is bonded to the carrier by means of suitable bonding technology, which is known to the person skilled in the art, onto the carrier.
  • This bonding step is generally carried out so that the first main surface of the product wafer on which the chip structures are constructed, is oriented so that this surface with the temporary Adhesive comes into contact, and this adhesive layer subsequently makes contact with the carrier wafer.
  • the temporary glue joint meet certain quality criteria.
  • requirements for the adhesive material which are known in the art. These include, among other things, the ability of the adhesive to tolerate certain process conditions that may occur during backside processing. These include temperature stability, compatibility with vacuum environment (no outgassing), stability of the adhesive to chemicals such as solvents, acids and bases, compatibility with various mechanical loads or electromagnetic waves (for example, irradiation with light of a specific wavelength) and various combinations of these parameters .
  • temperature stability compatibility with vacuum environment (no outgassing)
  • stability of the adhesive to chemicals such as solvents, acids and bases
  • compatibility with various mechanical loads or electromagnetic waves for example, irradiation with light of a specific wavelength
  • the carrier wafer and the adhesive layer are located between the wafer support and the abrasive (grinding wheel, grinding wheel, etc.).
  • the thickness of the carrier wafer and the adhesive layer now enter into the uniformity of the final, thinned product wafer.
  • the defects they would lead to insufficient mechanical support of the wafer during a grinding process and any subsequent polishing process, which could result in damage to the wafer, or at least unevenness in the wafer thickness targeted during thinning.
  • This unevenness is caused by the mechanical flexibility of the base created by these imperfections.
  • the wafer would, for example, bend / bulge into these defects during grinding, and thus a less pronounced erosion would take place at these locations, which would subsequently result in a locally increased thickness of the thinned wafer.
  • This effect would be more pronounced the smaller the target thickness of the thinned wafer is, as this becomes more flexible with decreasing thickness. In the end, this can even lead to breakage of the wafer during thinning.
  • Such fracture events represent a great danger for grinding and / or polishing processes, since the resulting relatively large pieces of material can cause further damage to the entire wafer, but also to the grinding wheel / grinding wheel and / or the polishing device.
  • imperfections can also lead to errors during the remaining backside process steps. It should be noted here by way of example only that gases trapped in such imperfections during process steps that take place in vacuum chambers may cause the thinned silicon wafer to burst at those locations during such process steps. In addition to the loss of the chip located at this point, this would also cause further problems, since the resulting particles would contaminate the plant used in the bursting, and possibly other manufacturing equipment and possibly also quality problems on further, processed on this system Wafers would entail.
  • the basic idea of the present invention is, on the one hand, to recognize deviations with respect to the abovementioned quality criteria at the earliest possible time in the processing of wafers in order to minimize any loss of product wafers for that reason alone. This can be ensured, in particular, by measuring / detecting the layer thickness and / or defects of individual layers of the wafer stack, specifically, in a timely manner, before the wafer stack is ground. It is particularly important to monitor the geometrical parameters of the carrier wafer as this serves to mechanically support the product wafer and to come to rest during the grinding process between the wafer support, which may serve as the reference plane or reference surface, and the abrasive.
  • Timely in the aforementioned sense means that in the processing chain of wafer stacks are as few wafer stack in the processing chain in front of said wafer stack, ie between the measuring step / detection step and including the grinding step, in particular a maximum of five, preferably a maximum of three, more preferably a maximum.
  • the measuring step / detection step in a measurement / detection module also metrology module
  • the grinding step spatially separated in a, in particular adjacent, grinding module are executed.
  • the measuring step / detection step and the grinding step are carried out according to the invention in-line. It may well be that the investigation of the wafer stack was completed before the previous wafer was finished, so it is still in the grinding module. The measured wafer stack must then "wait" until it can advance.
  • the measuring step / detection step takes place close to the temporary bonding step. This will ensures that, in the case of errors occurring during the temporary bonding step, the amount of material that has been processed incorrectly is reduced. This offers the advantage that the amount of material, in particular the number of bonded wafer stacks, which have to be fed to a rework, can be reduced, which brings economic and logistical advantages.
  • the measurement takes place in any case before the grinding of the wafer. As already stated, the grinding process represents a non-reversible process which can lead to a catastrophic failure and in particular to a total loss of individual, bonded wafer stacks.
  • Such an integrated solution is commonly referred to in the industry as in-line integration or in-line metrology.
  • This can be realized in accordance with the present invention in combination with any of the prior art known temporary bonding solutions.
  • a temporary bonding system for thermoplastic or UV-curable adhesive such systems usually one or more coating modules for the application of the adhesive and a or a plurality of bonding modules, between which the wafers to be processed are moved by means of an automatic wafer handling device, which is in particular part of the system.
  • heating modules can additionally be integrated in the system, which serve to expel the solvent from the adhesive layer.
  • suitable, known in the art Justagevorraumen for aligning the wafer in such systems.
  • a basic idea of the invention is to detect defects in the adhesive layer as well as the adhesive layer thickness and any fluctuations in this adhesive layer thickness.
  • a further aspect of the invention is that the acquired values can be automatically evaluated as data in order to automatically make a decision about further processing or removal of the wafer from the process chain.
  • Another central aspect of the invention is to integrate the subject invention in an automatic processing device for the temporary bonding of product wafers. In this way, a complete analysis of each product wafer is to be made possible without reducing the productivity rate of the processing device.
  • the acquisition / measurement thus takes place "in-line", ie as "in-line metrology”. Accordingly, according to one embodiment of the measuring device according to the invention, it is provided that it can be used in a wafer processing system, in particular in-line.
  • the measuring device is designed to work without mechanical action on the wafer stack, in particular with a distance H from the wafer stack, the measurement / detection by the measuring device, in particular contactless, can be carried out with particular care.
  • a fluid means provided on the wafer stack, which is suitable for transmitting ultrasonic waves.
  • a release agent in particular a membrane, is provided for shielding the wafer stack of the liquid. The release agent must be suitable for transmitting the ultrasonic waves.
  • the space below the membrane can be evacuated with preference, so that the membrane rests as homogeneously and flat as possible on the wafer stack.
  • the use of a vacuum is essential, since only the ambient pressure ensures that the membrane completely conforms to the wafer stack 8. If that were not the case, air-filled cavities could falsify the measurement result since air would at least largely reflect sound waves.
  • the measuring device in particular the transmitter and the receiver, at the same time for detecting the layer thicknesses and defects, in particular with a layer resolution ⁇ 10 .mu.m, preferably ⁇ 1 .mu.m, more preferably ⁇ 0.1 .mu.m, can be used.
  • a layer resolution ⁇ 10 .mu.m, preferably ⁇ 1 .mu.m, more preferably ⁇ 0.1 .mu.m, can be used.
  • the layer resolution is meant in the transverse direction to the reference plane R, ie a depth resolution or vertical resolution or thickness resolution.
  • the diameter D of the measuring signal is advantageously between 1 ⁇ m and 100 ⁇ m, in particular between 5 ⁇ m and 50 ⁇ m, preferably between 10 ⁇ m and 30 ⁇ m.
  • the above diameter D corresponds, for example, to the diameter of the laser beam.
  • the measuring device adjacent measuring points within a grid with a distance X or Y of less than 5mm, preferably less than 3mm, more preferably less than 1mm, most preferably less 0.5mm, measurable are. So there is a nationwide, grid-like detection of the entire wafer stack, so that virtually all defects can be detected as completely as possible.
  • a width resolution of the measurement signal in the lateral direction is advantageously between 0.1 ⁇ m and 50 ⁇ m, in particular between 1 ⁇ m and 30 ⁇ m, preferably between 10 ⁇ m and 20 ⁇ m.
  • a laser beam should measure at a specific measuring point. He will not hit the measuring point exactly, but will deviate by deltaX / deltaY. deltaX and deltaY corresponds to the width resolution.
  • the width resolution in particular the extent, ie width or Diameter of a defect detected. The better the width resolution, the more measurements need to be made. It is therefore possible to set an optimum between rapid measurement and detection of all possible defects. The thinner the target thickness of the wafer or wafer stack, the more critical are already small imperfections.
  • the measurement / detection in two stages, in particular by a first fast and coarse measuring device and an optional second, very precise measuring device.
  • the second measuring device only pass through wafer stacks which have been classified as possibly critical in the first measuring device.
  • the second measuring device is not provided in-line, so that the process flow is not disturbed as far as possible.
  • One of the evaluation as possibly classified in the first measuring device as critical wafer stack is thus spun off the process flow, at least temporarily.
  • the presented method can be used in-situ and / or in-line.
  • In situ refers to the application of the method during a technological / physical / chemical processing step. Examples include the thinning back of a structured wafer, or edge zone etching in a chemical bath.
  • In-line means the application of the method in a process module, which is upstream of another process module or downstream.
  • the first module may be a bonding station in one embodiment of the invention.
  • the following module would then be in a typical case in this case Embodiment of the presented here measuring device to measure a wafer stack. While a wafer stack is bonded in the bonding station, one of the previously bonded wafer stacks is advantageously measured / recorded in the timely, previously imbedded wafer stack according to the above explanations for the term timely wafer stack.
  • In-line therefore differs from in-situ in that a separation of the method according to the invention is carried out in a separate module, but which was system-integrated into a processing chain with further processing steps
  • the measuring device according to the invention is provided with a, preferably fixed to the transmitter and the receiver, preferably fixed interferometer, in particular white light interferometer to measure the distance to a surface at least one of the measuring points.
  • FIG. 8 a wafer processing apparatus according to the invention for processing a wafer stack 8 is shown, which consists of a structure wafer 1, a connection layer 2 and a wafer 3.
  • the structure wafer 1 has been introduced into the surface of the structure wafer 1 at a transition 15 between the structure wafer 1 and the connection layer 2 Contacts 14 and protruding from the surface bumps 13, which may consist of metal alloys.
  • the structure wafer 1 may also be formed without structures, just as the wafer 3 may be formed with structures.
  • the wafer stack 8 is fixed to the surface of the structure wafer 1 opposite flat side on a receiving surface 16 of a receptacle 12, here a chuck.
  • the connecting layer 2 is formed as a temporary adhesive and by means of this, the structure wafer 1 is temporarily bonded to the wafer 3.
  • a further transition 18 lies correspondingly between the connection layer 2 and the wafer 3.
  • the device further has a measuring device 11, which is movable relative to the wafer stack 8 along a reference plane R.
  • Decisive is the execution of a relative movement, so that a movement of the wafer stack 8, in particular by movement of the receptacle 12, is also conceivable. It is crucial that the relative movement between the measuring device 11 and the wafer stack 8 can be detected, for example in an X-Y coordinate system spanning the reference plane R.
  • the function of the measuring device 11 is in different versions in the FIGS. 1 to 4 shown.
  • the FIG. 5 shows the possible problems that may arise when connecting wafers.
  • the connection layer 2 may have an inhomogeneous layer thickness.
  • the wafers 1, 3 would be the same thickness everywhere.
  • FIG. 5 shows that also the wafers 1, 3 can have an inhomogeneous thickness distribution.
  • the wafers may have defects 4, so-called "voids".
  • the measuring device 11 consists of a housing 5 in which a transmitter 9 and a receiver 10 are arranged on its underside. These are aligned in the direction of the wafer stack 8, in particular parallel to the reference plane R. The measurement is based on that waves are coupled into the bonded wafer stack 8 by means of the transmitter 9 and the reflections at the individual transitions 15, 18 between the different materials with the Receiver 10 are detected.
  • the receiver 10 is designed as a signal detector for detecting the signals in the form of electromagnetic waves or ultrasonic waves.
  • Suitable signal waves are, in particular, electromagnetic waves with a suitable wavelength, in which sufficient transparency of the wafers 1, 3 used and of the adhesive material of the bonding layer 2 is present.
  • a suitable wavelength in which sufficient transparency of the wafers 1, 3 used and of the adhesive material of the bonding layer 2 is present.
  • this may be, for example, light in the infrared range or X-radiation.
  • light in the visible range and with the use of suitable glasses would also be suitable in the UV range.
  • the signal source for the electromagnetic radiation can be arranged in particular in the housing 5, in particular integrated in the transmitter 9.
  • sound waves are suitable, in particular waves in the ultrasonic range from 100 kHz to 800 MHz, preferably 100 MHz to 400 MHz.
  • a light source with electromagnetic radiation in the infrared range in particular 1050 nm to 10 ⁇ m, preferably 1300 nm light wavelength.
  • the optics of the measuring device is designed so that the beam of electromagnetic waves can be focused and directed onto the wafer stack 8.
  • the measurement / detection takes place by contact coupling.
  • This type of contact coupling is carried out according to the invention, especially in the use of ultrasonic waves.
  • a distance H between the transmitter-receiver unit and the wafer stack 8 is provided.
  • ultrasonic measurement by means of the liquid 7 is applied to the wafer stack 8 before the measurement and the housing 5 with the ultrasound generator dives into the liquid 7 to transmit the ultrasonic waves to the wafer stack 8 and a measurement by the transmitter 9 and the receiver 10 to enable.
  • the transmitter 9 can be designed as the ultrasound generator.
  • the application of the liquid 7 takes place regularly through the housing 5 itself.
  • the housing 5 has a feed line 25, via which the, in particular continuous, inflow of the liquid 7 takes place from a liquid reservoir.
  • a membrane 6 is provided between the liquid 7 and the wafer stack 8 in order to protect the wafer stack 8 from the liquid 7.
  • the membrane 6 is so elastic that it can adapt to the topography of the surface of the wafer stack 8.
  • the coupling of the measuring signal then takes place through the liquid 7 and through the membrane 6 into the wafer stack 8.
  • the space below the membrane 6 is preferably evacuated and is evacuated before the measurement takes place.
  • the evacuation has the advantage that the air pressure on the side of the housing 5 presses the membrane 6 onto the surface of the wafer 3. This will ensures that the membrane covers the surface of the wafer 3 without the formation of cavities and thereby Signaleinkopllung only via solids and / or liquids, in particular without gas phase takes place.
  • the membrane 6 serves as a liquid storage by a tub-shaped liquid reservoir 27 is formed by a circumferential membrane wall 26.
  • a closed circuit is provided between the liquid reservoir 27 and the supply line 25. This makes a very clean implementation of the measurement / detection possible.
  • the device with respect to the liquid handling includes only the trough-shaped liquid reservoir 27 and on a circuit for the liquid entirely, in particular at least during the measuring process dispensed.
  • the supply and the optionally provided, in particular for the facilitation of maintenance, provided drainage of the liquid to / from the liquid reservoir 27 in this case by suitable, not shown in the figures means for liquid supply and liquid discharge.
  • the reflected signals at the transitions 15, 18 and at the receiving surface 16 in the form of electromagnetic waves or ultrasonic waves are evaluated by means of a respective suitable receiver 10 and leave taking into account the propagation velocity of the waves in the various materials of the structure wafer 1, the connecting layer 2 and Wafers 3 a precise inference to the material thickness d1 of the wafer 3 or d2 of the connecting layer 2 and d3 of the structure wafer 1 to.
  • a precise detection of the thicknesses and the thickness uniformity of the layers of the wafer stack 8 So the structure wafer 1, the connection layer 2 and the wafer 3 possible.
  • the layer thicknesses can be determined in a spatially resolved manner at corresponding measuring points.
  • a movement is made relative to the transmitter 9 and the receiver 10. This can be accomplished either by moving the wafer stack 8 or the transceiver unit or a combination of the two motion possibilities.
  • an arrangement is selected in which the fewest possible axes are required, in particular by a traversing device for the movement of the wafer stack along an X and a Y-axis, ie parallel to the reference plane R.
  • the measuring device is preferably rigidly mounted.
  • FIGS. 6a to 6c The most important grid methods for detecting the entire wafer stack 8 are shown in FIG. 6a is detected meandering. Meander-shaped scans have the advantage that a very fast departure of the detection path can take place. has a negative effect on the recording. Another type of scan makes a line scan according to FIG. 6b This Scanart can be realized by a linear drive, whereby a possible game of translation units of the linear drive, in particular a backlash is minimized. This variant is particularly advantageous in particular in the two-stage measuring method described above, in particular in the second measuring device.
  • a further alternative consists in a constant advancement of the housing 5 with a rotating wafer stack 8 towards the center of the wafer stack 8. This results in a spiral detection.
  • the above-mentioned screening methods have in common that the screening takes place continuously.
  • the continuous measuring signals of the individual measuring points are determined by an evaluation unit accordingly converted and evaluated.
  • the time for scanning a wafer stack, in particular for measuring devices according to the invention integrated in-line is less than 180 seconds, preferably less than 100 seconds, more preferably less than 60 seconds.
  • the inspection times can also be considerably longer. It is quite possible that such measurements take longer than 10 minutes, in many cases longer than 20 minutes or 30 minutes.
  • the measuring device detects the different transitions or cutting planes 15, 16, 18 by interference and can thereby infer the layer thicknesses d1, d2, d3.
  • the determination of the layer thicknesses d1, d2, d3 takes place indirectly via the detection of peaks at the transitions 15, 16, 18 by interference. Based on the difference of these peaks, the thickness of the respective layer bounded by the transitions 15, 16, 18 is calculable.
  • the evaluation unit carries out this calculation automatically. It should be noted that the measured layer thickness is linearly dependent on the refractive index of the layer. This is because the electromagnetic waves in different materials differ propagate rapidly, and the signal transit time through the layers affects linearly the position / distance of the peaks detected by the receiver. In a preferred embodiment, without a corresponding correction, the layer thickness measured for a layer for higher refractive index (n) layers appears higher by the factor of the refractive index (n).
  • the measured layer thickness would be d2 * n, while the measured layer thickness in the range of any voids present in the adhesive layer would be d2 * 1.
  • the refractive index (n) for various materials can be determined by methods known to those skilled in the art. Usually, these values also depend on the wavelength of the electromagnetic signal used. However, for IR light with a wavelength of 1300nm, the refractive index for common thermoplastic adhesives, for example, in the range between 1.2 and 2.5, can be mostly between 1.3 and 2, more typically between 1.4 and 1.9.
  • FIGS. 7a to 7c represents the respective distance (distance) to the left wafer stack edge.
  • FIG. 7c provides the Layer thickness d2 (thickness) of the connection layer 2 as a function of the distance (distance) along the wafer stack 8.
  • the layer thickness of the connection layer 2 varies in the example shown between 37 and 42 microns. In this case, this thickness value represents the value measured for the adhesive thickness without correction by the refractive index. That is, the real glue thickness would be calculated in this case by dividing the thickness value shown by the refractive index.
  • all corresponding algorithms are meant that can detect a signal deviation from the thickness.
  • these evaluation algorithms are also combined with suitable algorithms, which, for example, also take into account the areal extent of such defects.
  • the areal extent of the imperfections can be determined by an evaluation of the total thickness values collected in the X / Y coordinate system according to the evaluation techniques just described. Any intermediate values not measured can advantageously be determined by interpolation.
  • the measurement / detection takes place independently of the distance H of the transmitter 9 / receiver 10 from the wafer stack 8, since the measured values for the thicknesses of the individual layers are calculated by differential calculation based on the reflections at the individual transitions.
  • the measuring points are in a suitable coordinate system (see FIG. 10 ), which later facilitates analysis and data processing.
  • the coordinate system for the measuring point detection corresponds to a local coordinate system assigned to the wafer to be inspected. Suitable coordinate systems would be, for example, a Cartesian coordinate system or a polar coordinate system.
  • the measuring points are placed close enough together to detect typically expected defects (imperfections) with an attached safety. In particular, it is desirable to detect defects of a size that would result in the above-described catastrophic failure cases in the subsequent processing.
  • the layer resolution should preferably be better than 10 ⁇ m, more preferably better than 1 ⁇ m, most preferably better than 0.1 ⁇ m.
  • the diameter D of the measurement signal according to FIG. 10 is advantageously between 1 .mu.m and 100 .mu.m, in particular between 5 .mu.m and 50 .mu.m, preferably between 10 .mu.m and 30 .mu.m.
  • the above diameter D corresponds, for example, to the diameter of the laser beam.
  • the width resolution of the measurement signal in the lateral direction, ie parallel to the reference plane R is between 0.1 .mu.m and 50 .mu.m, in particular between 1 .mu.m and 30 .mu.m, preferably between 10 .mu.m and 20 .mu.m.
  • the typically occurring wavelengths of the thickness variation are also taken into account when setting the measuring point grid. Based on the considerations described above, it has proven to be advantageous to set a measuring point approximately every 1 to 3 mm. In order to be able to detect defects even more reliably, it is even more ideal to set a measuring point every 0.8 mm or every 0.5 mm or even better every 0.25 mm. For particularly sensitive applications with very low target wafer thicknesses, it can also be advantageous to set a measuring point every 0.1 mm.
  • Metallizations may be present, for example, by contacts 14 on the surface or inside the wafer.
  • the bumps 13 are made of metal alloys that are also opaque to IR. Furthermore, the wafer can be doped. Doping almost always occurs in structural wafers and reduces infrared transparency.
  • the receiving surface 16 of the receptacle 12 can be measured before the wafer stack 8 is deposited on the recording.
  • a surface unevenness of the receiving surface 16 is represented by a curvature.
  • the irregularity of the surface can have any other shape. This is measured with the white light interferometer 19.
  • the wafer stack 8 is placed on the receptacle 12. Subsequently, it is again measured by the white light interferometer 19 so that a second distance profile, that of the entire wafer stack 8, is obtained. The difference between the two distance profiles corresponds to the total height of the wafer stack 8.
  • the layer thickness d3 'in accordance with FIG. 8 are determined by subtracting from the total thickness of the wafer stack 8 the layer thicknesses d1 'of the wafer 3 and d2' of the bonding layer 2.
  • the white light interferometer scanner is only moved along the line beyond the edge of the wafer stack 8. It continuously measures the distance to the surface of the wafer stack 8 when it is above it or the distance to the receiving surface 16 when it moves beyond the wafer stack 8. If a change in the height of the entire system takes place during the actual infrared or ultrasound scanning, for example as a result of thermal fluctuations, the white-light interferometer scanner detects this due to the height fluctuation, since absolute distance can be determined. In contrast to the infrared scanner, which measures by means of interference only the peaks which result from interference at the interfaces 15, 16 and 18.
  • the infrared scanner is thus able to measure relative distances, ie thicknesses. It always needs at least two signals, from the difference of which the thickness of the respective layer can be calculated. The infrared scanner is therefore insensitive to "shocks" and thermal fluctuations.
  • the white-light interferometer scanner measures the distance to the transmitter-receiver unit. If its scan frequency over an entire scan line is much faster than the height change of the overall system, the height change of the overall system can be detected as a function of time.
  • Figure 7a shows a measured with a measuring device according to the invention wafer stack 8 with a diameter 300mm, in which several defects were found 4 with a depth shown in color.
  • a two-dimensional evaluation of the wafer stack 8 according to FIG Figure 7a is in FIG. 7b in the form of a diagram by the evaluation unit, wherein the line corresponding to the diagram in FIG Figure 7a is drawn.
  • FIG. 7b It can be seen how the defect 4 in the middle of the wafer stack looks in cross section.
  • the edge zone B of the wafer stack 8 during a chemical treatment process measured in situ.
  • the method of measurement is made Fig. 6c used. While chemicals 22 dissolve a Randzonenkleber 28 of the bonding layer 2, the progress in the solution process is continuously measurable by means of the measuring device 11. With preference, the method is applied to wafer stack 8, which only bonds the structure wafer and the carrier wafer at the edge. Those skilled in the art will know these techniques.
  • FIG. 12 shown further embodiment, by means of one of the above-described measuring devices defects 4 in a layer, in particular a mold 24, which electronic components 23, in particular dices, covered, detectable.
  • doping elements are elements of the third main group such as boron, indium, aluminum or gallium or elements of the fifth main group such as phosphorus, arsenic or antimony.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)
  • A Measuring Device Byusing Mechanical Method (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
  • Length Measuring Devices Characterised By Use Of Acoustic Means (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Meßeinrichtung sowie ein Verfahren zur Messung und/oder Erfassung von Schichtdicken und/oder Fehlstellen einer oder mehrerer Schichten eines Waferstapels an einer Vielzahl von am Waferstapel verteilten Messstellen sowie eine korrespondierende Waferbearbeitungsvorrichtung.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Messung und/oder Erfassung von Schichtdicken und Fehlstellen einer oder mehrerer Schichten eines Waferstapels an einer Vielzahl von am Waferstapel verteilten Messstellen gemäß Patentanspruch 1.
  • Die Entwicklung in der Halbleiterindustrie geht derzeit dahin, dass Wafer Bonding Prozesse zunehmend an Bedeutung gewinnen. So führen beispielsweise neuartige Funktionen wie Bewegungssensoren und / oder Orientierungssensoren in Mobiltelefonen und anderen portablen Geräten wie Spielkonsolen zu einem rasant steigenden Bedarf an Mikro- Elektro-Mechanischen (MEMS) Komponenten, die Beschleunigung und Drehraten detektieren können.
  • Hierzu sind folgende Druckschriften zum Stand der Technik bekannt: US 6 774 989 B1 , CA 2 314 305 A1 , US 6 234 025 B1, Shirai et al. "Thickness measurements of epitaxial layers of dobule epitaxial silicon wafers by farinfrared reflection", Journal of the Electromechanical Society, US 6 754 305 B1, Morath et al : "Ultrasonic multilayer metal film metrology", Solid State Technology, US 2008/021673 A1 , US 2006/066854 A1 und Shuangwu et al. "Temporary Bonding of Wafer to Carrier for 3D-Wafer Level Packaging".
  • Ein weiterer Bereich mit rasantem Wachstum sind Bauteile, die als sogenannte 3D ICs gefertigt werden. Darunter versteht man ein Chipsystem, das aus mehren Lagen mit Transistoren ("aktive Lagen") besteht, die untereinander mittels durch das Silizium führenden Kontakten verbunden sind. Diese Durchkontaktierungen werden in der Industrie "Through Silicon Vias" oder kurz "TSVs" genannt.
  • Um diese TSVs möglichst kostengünstig herstellen zu können, sowie weitere gewünschte Vorteile wie eine kleine Gesamtpackungsgröße realisieren zu können, ist es erforderlich, die Wafer vor oder nach der TSV Herstellung oder im Zuge der TSV Herstellung auf ein geeignetes Maß zu dünnen. Dementsprechend wird heute zwischen sogenannten Via-First-, Via-Middle- und Via-Last-Prozessen unterschieden. Hinsichtlich des Dünnens der Wafer stellt sich heraus, dass die angestrebten Zieldicken nicht mehr ausreichen, um den Wafer noch verlässlich von einem Prozessschritt zum nächsten bewegen zu können, da die mechanische Stabilität des Wafers, insbesondere bei den derzeit üblichen 300mm Wafern nicht mehr gegeben ist.
  • Wafer werden daher mit Vorteil temporär auf einen Träger montiert, damit eine verlässliche Handhabung des dünnen Wafers, welcher üblicherweise eine Dicke <150µm, zumeist jedoch <100µm und vielfach <80 oder sogar <50µm aufweist, gewährleistet wird. Nach dem Fertigstellen der notwendigen Prozessschritte wird der Wafer wieder vom Träger gelöst. Diese beiden Verfahren werden Temporary Bonding und Trennen (Debonding) genannt.
  • In einem ersten Prozessschritt wird dabei der Produktwafer auf den Träger mittels geeigneter Bonding Technologie, die dem Fachmann bekannt ist, auf den Träger gebondet. Dieser Bondingschritt erfolgt in der Regel so, dass die erste Hauptfläche des Produktwafers, auf welcher die Chipstrukturen aufgebaut sind, so orientiert wird, dass diese Fläche mit dem temporären Kleber in Kontakt kommt, und diese Kleberschicht in weiterer Folge den Kontakt mit dem Trägerwafer herstellt.
  • In fast allen Fällen erfolgt im Rahmen dieser Rückseitenbearbeitung jedoch ein mechanisches Dünnen des Produktwafers. Dies beinhaltet insbesondere Schleifschritte, bei dem eine definierte Dicke des Produktwafers durch Schleifen entfernt wird. Üblicherweise werden in diesem Zusammenhang einzelne Schleifschritte mit verschiedenen Schleifraten und / oder Körnungen der Schleifscheiben oder Schleifräder verwendet. Meistens gibt es einen ersten Schleifschritt mit einer höheren Materialabtragrate (Grobschleifen) und einen zweiten Schleifschritt mit einer niedrigeren Materialabtragrate (Feinschleifen).
  • Um die Qualität der finalen Chips, sowie die Integrität des temporär gebondeten Wafers im Zusammenhang mit den Rückseitenprozessschritten sicherzustellen, ist es erforderlich, dass die temporäre Kleberverbindung bestimmte Qualitätskriterien erfüllt. In diesem Zusammenhang gibt es eine Fülle von Anforderungen an das Klebematerial, welche dem Fachmann bekannt sind. Diese betreffen unter anderem die Fähigkeit des Klebers, bestimmte Prozessbedingungen, die während der Rückseitenbearbeitung auftreten können, tolerieren zu können. Dazu zählen unter anderem Temperaturstabilität, Kompatibilität mit Vakuumumgebung (kein Ausgasen), Stabilität des Klebers gegenüber Chemikalien wie Lösungsmitteln, Säuren und Basen, Kompatibilität mit diversen mechanischen Belastungen oder elektromagnetischen Wellen (zum Beispiel Bestrahlung mit Licht einer bestimmten Wellenlänge) sowie verschiedene Kombinationen aus diesen Parametern. Neben den Anforderungen an das Klebermaterial gibt es auch eine Fülle an Parametern, die die geometrische und mechanische Integrität der Kleberschicht betreffen. Insbesondere ist es für den Erfolg der Rückseitenprozessierung von enormer Bedeutung, dass die Kleberschicht eine genau definierte und wiederholbare Dicke aufweist, sowie keine Fehlstellen (englisch "Voids") aufweist.
  • Im Gegensatz zum Dünnen eines einzelnen Wafers befindet sich jedoch im Falle eines temporär gebondeten Wafers der Trägerwafer und die Kleberschicht zwischen der Waferauflage und dem Schleifmittel (Schleifrad, Schleifscheibe, etc.). Damit gehen nun die Dicke des Trägerwafers und der Kleberschicht mit in die Gleichmäßigkeit des finalen, gedünnten Produktwafers ein.
  • Es kann daher zusammengefasst gesagt werden, dass es notwendig ist, die Dickengleichmäßigkeit der Kleberschicht und zumeist auch den absoluten Dickenwert in einem Fertigungsprozess genau steuern und kontrollieren zu können. Für bestimmte Fälle - abhängig von der Steuerung des Schleifprozesses kann es auch notwendig sein, die Dicke des Trägerwafers - unter Umständen auch des gesamten, temporär gebondeten Stapels - zu kennen. Auf jeden Fall ist es aber notwendig, eine entsprechende Qualität der Kleberschicht hinsichtlich Dickengleichmäßigkeit und gegebenenfalls dem absoluten Dickenwert zu gewährleisten.
  • Hinsichtlich der Fehlstellen gilt, dass diese während einem Schleifprozess und einem etwaigen, darauf folgenden Polierprozess dazu führen würden, dass der Wafer unzureichend mechanisch unterstützt wird, und es dadurch zu Beschädigungen des Wafers oder zumindest Ungleichmäßigkeiten der beim Dünnen angestrebten Waferdicke kommen kann. Diese Ungleichmäßigkeit ist durch die mechanische Flexibilität der Unterlage verursacht, die durch diese Fehlstellen entsteht. In anderen Worten würde sich der Wafer beispielsweise während dem Schleifen in diese Fehlstellen biegen/durchwölben und somit an diesen Stellen ein weniger starker Abtrag erfolgen, was in weiterer Folge in einer lokal erhöhten Dicke des gedünnten Wafers resultieren würde. Dieser Effekt würde sich umso stärker auswirken, je geringer die Zieldicke des gedünnten Wafers ist, da dieser mit abnehmender Dicke flexibler wird. Dies kann letzten Endes sogar zum Bruch des Wafers während dem Dünnen führen. Derartige Bruchereignisse stellen eine große Gefahr für Schleif- und / oder Polierprozesse dar, da die dabei entstehenden relativ großen Materialstücke weitere Beschädigungen des gesamten Wafers, aber auch des Schleifrades / der Schleifscheibe und /oder der Poliervorrichtung nach sich ziehen können. Abgesehen von derartigen Problemen während dem Schleifen und / oder Polieren können derartige Fehlstellen auch zu Fehlern während der restlichen Rückseitenprozessschritte führen. Es sei hier nur als Beispiel angeführt, dass, in derartige Fehlstellen eingeschlossene Gase während Prozessschritten, welche in Vakuumkammern stattfinden, dazu führen können, dass der gedünnte Siliziumwafer während solchen Prozessschritten an diesen Stellen aufplatzt. Dies hätte neben dem Verlust des an dieser Stelle befindlichen Chips auch weitere Probleme zur Folge, da die dabei entstehenden Partikel die verwendete Anlage, in der das Aufplatzen stattfand, sowie unter Umständen andere Fertigungsanlagen kontaminieren würden und eventuell auch Qualitätsprobleme an weiteren, auf diesen Anlage prozessierten Wafern nach sich ziehen würden.
  • Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, Qualitätskriterien wie Fehlstellenfreiheit, Wiederholbarkeit und Gleichmäßigkeit der Kleberdicke zu optimieren und möglichst wenig Ausschuss bei der Herstellung beziehungsweise Bearbeitung von temporär gebondeten Waferstapeln zu gewährleisten.
  • Diese Aufgabe wird mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben. In den Rahmen der Erfindung fallen auch sämtliche Kombinationen aus zumindest zwei der in der Beschreibung, den Ansprüchen und/oder den Zeichnungen angegebenen Merkmale. Bei Wertebereichen sollen auch innerhalb der genannten Grenzen liegende Werte als Grenzwerte offenbart und in beliebiger Kombination beanspruchbar sein.
  • Grundgedanke der vorliegenden Erfindung ist es zum einen, bei der Bearbeitung von Wafern Abweichungen bezogen auf die obengenannten Qualitätskriterien zu einem frühest möglichen Zeitpunkt zu erkennen, um einen etwaigen Verlust von Produktwafern schon aus diesem Grund möglichst gering zu halten. Dies kann insbesondere dadurch gewährleistet werden, dass die Schichtdicke und/oder Fehlstellen einzelner Schichten des Waferstapels gemessen/erfasst werden, und zwar insbesondere zeitnahe bevor der Waferstapel geschliffen wird. Besonders wichtig ist es dabei, die geometrischen Parameter des Trägerwafers zu überwachen, da dieser der mechanischen Unterstützung des Produktwafers dient und während des Schleifprozesses zwischen der Waferauflage, die als Referenzebene oder Referenzfläche dienen kann, und dem Schleifmittel zu liegen kommt. Zeitnahe im vorgenannten Sinne bedeutet, dass in der Verarbeitungskette von Waferstapeln möglichst wenig Waferstapel in der Verarbeitungskette vor dem genannten Waferstapel, also zwischen dem Messschritt/Erfassungsschritt und einschließlich dem Schleifschritt sind, insbesondere maximal fünf, vorzugsweise maximal drei, noch bevorzugter maximal einer. Dabei kann es erfindungsgemäß vorgesehen sein, dass der Messschritt/Erfassungsschritt in einem Mess-/Erfassungsmodul (auch metrology-Modul) und der Schleifschritt räumlich getrennt in einem, insbesondere benachbarten, Schleifmodul ausgeführt werden. Der Messschritt/Erfassungsschritt und der Schleifschritt erfolgen erfindungsgemäß in-line. Es kann durchaus auch sein, dass die Untersuchung des Waferstapels abgeschlossen wurde, bevor der vorherige Wafer fertig geschliffen wurde, sich also noch im Schleifmodul befindet. Der gemessene Waferstapel muss dann "warten", bis er vorrücken kann.
  • In einer besonders vorteilhaften Ausführungsform erfolgt der Messschritt / Erfassungsschritt zeitnahe zum Temporary Bonding Schritt. Dadurch wird erreicht, dass im Falle von, beim Temporary Bonding Schritt auftretenden Fehlern, die Menge des fehlprozessierten Materials reduziert wird. Dies bietet den Vorteil, dass die Materialmenge, insbesondere die Anzahl der gebondeten Waferstapel, die einer Nachbearbeitung ("Rework") zugeführt werden müssen, reduziert werden kann, was ökonomische und logistische Vorteile mit sich bringt. Unter zeitnahe ist in diesem Zusammenhang zu verstehen, dass die Messung auf jeden Fall vor dem Schleifen der Wafer stattfindet. Wie bereits ausgeführt, stellt der Schleifprozess einen nicht reversiblen Prozess dar, der zu einem katastrophalen Fehler und insbesondere zu einem Totalverlust einzelner, gebondeter Waferstapel führen kann. Mit Vorteil bedeutet zeitnahe jedoch, dass maximal 10 weitere Waferstapel gebondet wurden bevor die Inspektion eines gegebenen Waferstapels erfolgt ist. Noch besser ist es, wenn diese Zahl auf weniger als 7 oder noch besser 5 oder 3 reduziert werden kann. Diese Zahlen beziehen sich auf einen Prozessablauf, in dem alle gebondeten Waferstapel nach dem Temporary Bonding Prozess, insbesondere unmittelbar nach dem Temporary Bonding Schritt dem erfindungsgemäßen Messschritt / Erfassungsschritt zugeführt werden. Diese soeben beschriebene Reduktion dieser Waferstapel, die im Prozessablauf auf den Inspektionsschritt warten lässt sich mit Vorteil mittels einer Konfiguration der Fertigungsumgebung erreichen, bei der die, den Temporary Bonding Schritt ausführende Vorrichtung räumlich möglichst nahe zur erfindungsgemäßen Messvorrichtung angeordnet ist. Insbesondere lässt sich das dadurch erreichen, die Messvorrichtung in ein Temporary Bonding Gerät zu integrieren. Eine derartige, integrierte Lösung wird in der Industrie üblicherweise als in-line Integration bzw. in-line Metrologie bezeichnet. Dies kann gemäß der vorliegenden Erfindung in Kombination mit jeglichen, aus dem Stand der Technik bekannten Temporary Bonding Lösungen realisiert werden. Beispielsweise ist es erfindungsgemäß denkbar, die Messvorrichtung in eine Temporary Bonding Anlage für thermoplastische oder UV-aushärtbare Kleber zu integrieren, wobei derartige Anlagen üblicherweise ein oder mehrere Beschichtungsmodule für das Aufbringen des Klebers sowie eine oder mehrere Bondmodule beinhalten, zwischen denen die, zu bearbeitenden Wafer mittels einer automatischen Wafer Handhabungsvorrichtung, die insbesondere Teil der Anlage ist, bewegt werden. Je nach verwendeter Kleberart können zusätzlich auch noch Heizmodule im System integriert sein, die zum Austreiben des Lösungsmittels aus der Kleberschicht dienen. Mit Vorteil ist es auch üblich, geeignete, dem Fachmann bekannte Justagevorrichtungen zum Ausrichten der Wafer in derartige Anlagen zu integrieren.
  • Daneben besteht ein Grundgedanke der Erfindung darin, Fehlstellen in der Kleberschicht sowie die Kleberschichtdicke und etwaige Schwankungen dieser Kleberschichtdicke zu erfassen.
  • Ein weiterer Aspekt der Erfindung besteht darin, dass die erfassten Werte als Daten automatisch auswertbar sind, um automatisiert eine Entscheidung über ein Weiterprozessieren oder ein Entfernen des Wafers aus der Prozesskette zu fällen.
  • Ein weiterer, zentraler Aspekt der Erfindung besteht darin, den Erfindungsgegenstand in ein automatisches Bearbeitungsgerät für das temporäre Bonden von Produktwafern zu integrieren. Auf diese Weise soll eine möglichst vollständige Analyse eines jeden Produktwafers ermöglicht werden, ohne die Produktivitätsrate des Bearbeitungsgerätes zu verringern. Die Erfassung/Messung erfolgt damit "in-line", also als "in-line-Metrologie". Entsprechend ist gemäß einer Ausführungsform der erfindungsgemäßen Messeinrichtung vorgesehen, dass diese in einer Waferbearbeitungsanlage, insbesondere in-line einsetzbar ist.
  • Dabei ist erfindungsgegenständlich ein modulartiger Aufbau der in-line für den Prozessablauf beziehungsweise die Prozesskette angeordneten Prozessmodule vorgesehen. Besonders vorteilhaft ist die Anwendung im Zusammenhang mit folgenden Modulen in einer Waferbearbeitungsanlage:
    • einem Belackungsmodul zur zumindest teilweisen Belackung des Waferstapels insbesondere mit einem Kleber, mit Vorteil einem temporären Kleber,
    • einem bond-Modul zum Verbinden der Waferschichten des Waferstapels,
    • einer erfindungsgemäßen Messeinrichtung in einem Inspektionsmodul,
    • einer Handhabungseinrichtung, insbesondere mit einem oder mehreren Roboterarmen, zur transportieren jedes Waferstapels innerhalb der Waferbearbeitungsanlage von einem Modul zum nächsten und
    • optional, einem Heizmittel zum Austreiben von Lösungsmittel.
  • Falls Abweichungen in diesem Zusammenhang insbesondere vor dem Rückdünnen des Produktwafers detektiert werden, ist es möglich, den Produktwafer beziehungsweise den Waferstapel einer Nachbesserung (englisch: "Rework") zu unterziehen. Dies stellt sich insbesondere so dar, dass der Produktwafer noch einmal vom Träger gelöst werden würde, und der gesamte Temporary Bonding Prozess noch einmal neu durchgeführt werden könnte. Für diesen Löseschritt können dafür eigens vorgesehene Anlagen oder in-line-Module verwendet werden. Insbesondere eignen sich dafür die Debonding Anlagen, die üblicherweise zum Ablösen des dünnen Produktwafers vom Träger verwendet werden. Gegebenfalls sind dazu bestimmte Prozessparameter für diese Debonding Anlage an die Erfordernisse des Debondens eines nicht gedünnten oder nicht vollständig gedünnten Produktwafers anzupassen. Dieser Rework Prozess ist im Sinne einer kosteneffizienten Fertigung von großer Bedeutung. Insbesondere Produktwafer oder Waferstapel, die einen sehr hohen Grad an Komplexität aufweisen, was für derartige 3D IC Waferstapel zu erwarten ist, haben in diesem Stadium einen sehr beträchtlichen Wert, da sie bereits weit im Fertigungsfluss fortgeschritten sind. Der Wert solcher Waferstapel übersteigt meist 1.000 Euro, teilweise sogar 10.000 Euro. Daher ist es erfindungsgemäß entscheidend, sogenannte katastrophale Fehler, die zu einem Totalverlust des Waferstapels führen würden, rechtzeitig beziehungsweise möglichst frühzeitig zu erkennen und diesen einem Rework Prozess zuzuführen, bevor die Waferstapel einen Prozessschritt durchlaufen, nach dem dieser Rework Prozess nicht mehr möglich wäre. In diesem Zusammenhang kann das Schleifen des Waferstapel zur Dickenreduktion auf jeden Fall als ein Schritt angesehen werden, nach dem ein derartiger Rework Prozess nicht mehr möglich wäre und im Umkehrschluss ein Totalverlust des Produktwafers drohen würde.
  • Soweit die Messeinrichtung ohne mechanische Einwirkung auf den Waferstapel, insbesondere mit einem Abstand H von dem Waferstapel beabstandet, arbeitend ausgebildet ist, kann die Messung/Erfassung durch die Messeinrichtung, insbesondere kontaktlos, besonders schonend erfolgen. Bei Anwendung von Ultraschallwellen erfolgt ein für die Ausbreitung der Ultraschallwellen erforderlicher Kontakt zwischen dem Waferstapel und der Messeinrichtung über ein auf dem Waferstapel vorgesehenes Fluidmittel, das zur Übertragung von Ultraschallwellen geeignet ist. Hierbei kann gemäß einer bevorzugten Ausführungsform vorgesehen sein, dass zwischen dem Fluidmittel und dem Waferstapel ein Trennmittel, insbesondere eine Membran, zur Abschirmung des Waferstapels von der Flüssigkeit vorgesehen ist. Das Trennmittel muss zur Übertragung der Ultraschallwellen geeignet sein. Der Raum unterhalb der Membran kann mit Vorzug evakuiert werden, so dass die Membran auf dem Waferstapel möglichst homogen und plan anliegt. Die Verwendung eines Unterdrucks ist unabdingbar, da erst der Umgebungsdruck dafür sorgt, dass die Membrane sich vollkommen an den Waferstapel 8 anschmiegt. Wäre dem nicht so, könnten luftgefüllte Hohlräume das Messergebnis verfälschen, da Luft Schallwellen zumindest weitgehend reflektieren würde.
  • Gemäß einer vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung ist vorgesehen, dass die Messeinrichtung, insbesondere der Sender und der Empfänger, gleichzeitig zur Erfassung der Schichtdicken und Fehlstellen, insbesondere mit einer Schichtenauflösung < 10µm, vorzugsweise < 1µm, noch bevorzugter < 0,1 µm, einsetzbar ist. Erfindungsgemäß ist es außerdem denkbar, mehrere Sender/Empfänger-Einheiten gleichzeitig, insbesondere nebeneinander angeordnet, einzusetzen, um die Oberfläche entsprechend schneller abrastern zu können. Die Schichtenauflösung ist in Querrichtung zur Referenzebene R gemeint, also eine Tiefenauflösung beziehungsweise vertikale Auflösung beziehungsweise Dickenauflösung.
  • Der Durchmesser D des Messsignals liegt mit Vorteil zwischen 1µm und 100µm, insbesondere zwischen 5µm und 50µm, vorzugsweise zwischen 10µm und 30µm. Bei einem Laserstrahl entspricht der obige Durchmesser D beispielsweise dem Durchmesser des Laserstrahls.
  • In einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung ist vorgesehen, dass mittels der Messeinrichtung benachbarte Messstellen innerhalb eines Rasters mit einem Abstand X bzw. Y von weniger als 5mm, vorzugsweise weniger als 3mm, noch bevorzugter weniger als 1mm, am bevorzugtesten weniger 0,5mm, messbar sind. Es erfolgt also eine flächendeckende, rasterartige Erfassung des gesamten Waferstapels, so dass praktisch alle Fehlstellen möglichst lückenlos erfasst werden können.
  • Eine Breitenauflösung des Messsignals in lateraler Richtung, also parallel zur Referenzebene R liegt mit Vorteil zwischen 0,1µm und 50µm, insbesondere zwischen 1µm und 30µm, vorzugsweise zwischen 10µm und 20µm. Ein Laserstrahl soll beispielsweise an einer bestimmten Messstelle messen. Er wird die Messstelle aber nicht genau treffen, sondern um deltaX/deltaY abweichen. deltaX und deltaY entspricht dabei der Breitenauflösung. Mit der Breitenauflösung wird insbesondere die Ausdehnung, also Breite oder Durchmesser einer Fehlstelle erfasst. Je besser die Breitenauflösung, desto mehr Messungen müssen durchgeführt werden. Es ist daher möglichst ein Optimum zwischen schneller Messung und Erfassung möglichst aller Fehlstellen einzustellen. Je dünner die Zieldicke des Wafers beziehungsweise Waferstapels ist, desto kritischer sind bereits kleine Fehlstellen.
  • Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist vorgesehen, dass die Messung/Erfassung zweistufig, insbesondere durch eine erste schnelle und grobe Messeinrichtung und eine optionale zweite, sehr präzise Messeinrichtung. Die zweite Messeinrichtung durchlaufen nur Waferstapel, die in der ersten Messeinrichtung als möglicherweise kritisch eingestuft worden sind. Die zweite Messeinrichtung ist nicht in-line vorgesehen, damit der Prozessfluss möglichst nicht gestört wird. Ein von der Auswerteeinheit als möglicherweise in der ersten Messeinrichtung als kritisch eingestufter Waferstapel wird also aus dem Prozessablauf zumindest zeitweise ausgegliedert.
  • Der Zusammenhang zwischen dem Punktrasterabstand, dem Durchmesser D des Messsignals und der Breitenauflösung ist in Fig. 9 dargestellt.
  • Die vorgestellte Methode kann in-situ und/oder in-line verwendet werden. Unter in-situ versteht man die Anwendung der Methode während eines technologischen / physikalischen / chemischen Verarbeitungsschritts. Genannt seien hierbei etwa das Rückdünnen eines Strukturwafers, oder das Randzonenätzen in einem chemischen Bad.
  • Unter in-line versteht man die Anwendung des Verfahrens in einem Prozessmodul, welches einem anderen Prozessmodul vorgelagert beziehungsweise nachgelagert ist. Das erste Modul kann bei einer erfindungsgemäßen Ausführungsform eine Bonding Station sein. Das nachfolgende Modul wäre dann in diesem Fall in einer typischen Ausführungsform die hier vorgestellte Messeinrichtung, um einen Waferstapel zu vermessen. Während in der Bonding Station ein Waferstapel gebondet wird, wird in der Messstation einer der zuvor gebondeten Waferstapel, mit Vorteil ein möglichst zeitnahe zuvor gebondeter Waferstapel gemäß obeilstehenden Erläuterungen für den Begriff zeitnahe, insbesondere ein unmittelbar zuvor gebondeter Waferstapel vermessen / erfasst. in-line unterscheidet sich daher von in-situ dadurch, dass eine Trennung des erfindungsgemäßen Verfahrens in ein eigenes Modul erfolgt, welches aber in eine Verarbeitungskette mit weiteren Bearbeitungsschritten systemintegriert wurde
  • Mit Vorteil ist weiterhin vorgesehen, dass die erfindungsgemäße Messeinrichtung mit einem, insbesondere mit dem Sender und dem Empfänger mechanisch gekoppelten, vorzugsweise fixierten, Interferometer, insbesondere Weißlichtinterferometer, zur Messung dessen Abstands zu einer Oberfläche an mindestens einer der Messstellen versehen ist.
  • Für die erfindungsgemäße Vorrichtung und das erfindungsgemäße Verfahren gelten die vorgenannten, zur Messeinrichtung beschriebenen Merkmale entsprechend.
  • Weitere Vorteile, Merkmale und Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus der Beschreibung bevorzugter Ausführungsbeispiele sowie anhand der Zeichnungen. Diese zeigen in:
    • Fig. 1:
    eine erfindungsgemäße Messeinrichtung in einer ersten Ausführungsform,
    Fig. 2:
    eine erfindungsgemäße Messeinrichtung in einer zweiten Ausführungsform,
    Fig. 3:
    eine erfindungsgemäße Messeinrichtung in einer dritten Ausführungsform,
    Fig. 4:
    eine erfindungsgemäße Meßeinrichtung in einer vierten Ausführungsform,
    Fig. 5:
    eine Veranschaulichung von möglichen Qualitätsmängeln eines Waferstapels,
    Fig. 6a - 6c:
    verschiedene erfindungsgemäße Verfahrensabläufe zur Messung/Erfassung mehrere Messstellen,
    Fig. 7a:
    eine Aufnahme eines durch Infrarotsignale mit der erfindungsgemäßen Messeinrichtung erfassten Waferstapels,
    Fig. 7b:
    ein Diagramm einer erfindungsgemäßen Vermessung/Erfassung einer Waferoberfläche,
    Fig. 8:
    eine schematische Darstellung einer erfindungsgemäßen Vorrichtung zur Bearbeitung eines Waferstapels,
    Fig. 9:
    eine schematische Darstellung der Erfassung einer Fehlstelle eines Waferstapels,
    Fig. 10:
    eine Aufnahme eines durch Ultraschallsignale mit der erfindungsgemäßen Messeinrichtung erfassten Waferstapels,
    Fig. 11:
    eine schematische Darstellung einer erfindungsgemäßen Vorrichtung zur Bearbeitung eines Waferstapels und
    Fig. 12:
    eine erfindungsgemäße Messeinrichtung in einer fünften Ausführungsform.
  • In den Figuren sind gleiche oder gleichwirkende Bauteile mit den gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet.
  • In Figur 8 ist eine erfindungsgemäße Waferbearbeitungsvorrichtung zur Bearbeitung eines Waferstapels 8 abgebildet, der aus einem Strukturwafer 1, einer Verbindungsschicht 2 und einem Wafer 3 besteht. Der Strukturwafer 1 weist an einem Übergang 15 zwischen dem Strukturwafer 1 und der Verbindungsschicht 2 in die Oberfläche des Strukturwafers 1 eingebrachte Kontakte 14 sowie aus der Oberfläche hervortretende Bumps 13 auf, die aus Metalllegierungen bestehen können. Der Strukturwafer 1 kann auch ohne Strukturen ausgebildet sein, ebenso wie der Wafer 3 mit Strukturen ausgebildet sein kann.
  • Der Waferstapel 8 ist seiner der Oberfläche des Strukturwafers 1 gegenüberliegenden Flachseite auf einer Aufnahmefläche 16 einer Aufnahme 12, hier ein Chuck, fixiert. Die Fixierung erfolgt über Vakuumbahnen 17 der Aufnahme 12.
  • Die Verbindungsschicht 2 ist als temporärer Kleber ausgebildet und mittels dieser ist der Strukturwafer 1 an den Wafer 3 temporär gebondet. Ein weiterer Übergang 18 liegt entsprechend zwischen der Verbindungsschicht 2 und dem Wafer 3.
  • Die Vorrichtung weist weiterhin eine Messeinrichtung 11 auf, die gegenüber dem Waferstapel 8 entlang einer Referenzebene R beweglich ist. Entscheidend ist die Ausführung einer Relativbewegung, so dass eine Bewegung des Waferstapels 8, insbesondere durch Bewegung der Aufnahme 12, ebenso denkbar ist. Entscheidend ist dabei, dass die Relativbewegung zwischen der Messeinrichtung 11 und dem Waferstapel 8 erfassbar ist, beispielsweise in einem die Referenzebene R aufspannenden X-Y-Koordinatensystem.
  • Die Funktion der Messeinrichtung 11 ist in verschiedenen Ausführungen in den Figuren 1 bis 4 dargestellt. Die Figur 5 zeigt die möglichen Probleme, die sich beim Verbinden von Wafern ergeben können. Beispielsweise kann die Verbindungsschicht 2 eine inhomogene Schichtdicke besitzen. Im Idealfall wären die Wafer 1, 3 überall gleich dick. Figur 5 zeigt, dass auch die Wafer 1, 3 eine inhomogene Dickenverteilung besitzen können. Weiterhin können die Wafer Fehlstellen 4, sogenannte "Voids", aufweisen.
  • Gemäß Figur 1 besteht die Messeinrichtung 11 aus einem Gehäuse 5, in welchem an dessen Unterseite ein Sender 9 und ein Empfänger 10 angeordnet sind. Diese sind in Richtung des Waferstapels 8 ausgerichtet, insbesondere parallel zu der Referenzebene R. Die Messung basiert darauf, dass Wellen in den gebondeten Waferstapel 8 mittels des Senders 9 eingekoppelt werden und die Reflektionen an den einzelnen Übergängen 15, 18 zwischen den verschiedenen Materialien mit dem Empfänger 10 erfasst werden. Der Empfänger 10 ist als Signaldetektor zur Detektion der Signale in Form von elektromagnetischen Wellen oder Ultraschallwellen ausgebildet.
  • Als Signalwellen eignen sich insbesondere elektromagnetische Wellen mit einer geeigneten Wellenlänge, bei der eine ausreichende Transparenz der verwendeten Wafer 1, 3 und des Klebermaterials der Verbindungsschicht 2 vorhanden ist. Für Siliziumwafer kann dies beispielsweise Licht im Infrarotbereich oder Röntgenstrahlung sein. Für Glaswafer würde sich Licht im sichtbaren Bereich und bei Verwendung geeigneter Gläser auch im UV-Bereich eignen.
  • Die Signalquelle für die elektromagnetische Strahlung kann insbesondere in dem Gehäuse 5 angeordnet sein, insbesondere im Sender 9 integriert. Alternativ zu elektromagnetischen Wellen eignen sich Schallwellen, insbesondere Wellen im Ultraschallbereich von 100 KHz bis 800 MHz, mit Vorzug 100 MHz bis 400 MHz.
  • Bevorzugt ist die Verwendung einer Lichtquelle mit elektromagnetischer Strahlung im Infrarotbereich, insbesondere 1050nm bis 10µm, vorzugsweise 1300nm Lichtwellenlänge. Die Optik der Messeinrichtung ist dabei so konzipiert, dass der Strahl elektromagnetischer Wellen fokussiert und auf den Waferstapel 8 geleitet werden kann.
  • Soweit sich der Sender 9 und der Empfänger 10 beziehungsweise das Gehäuse 5, wie bei den Ausführungsformen gemäß Figuren 2, 3 und 4 in direktem Kontakt mit dem Waferstapel 8 beziehungsweise einer auf dem Waferstapel 8 aufgebrachten Flüssigkeit 7 befinden, erfolgt die Messung/Erfassung durch Kontakteinkopplung. Diese Art der Kontakteinkopplung erfolgt erfindungsgemäß vor allem bei der Verwendung von Ultraschallwellen.
  • Bei der Verwendung von elektromagnetischen Wellen ist ein Abstand H zwischen der Sender-Empfänger-Einheit und dem Waferstapel 8 vorgesehen.
  • Im Falle der in Figur 3 gezeigten Ultraschallmessung mittels der Flüssigkeit 7 wird diese vor der Messung auf den Waferstapel 8 aufgebracht und das Gehäuse 5 mit dem Ultraschallgeber taucht in die Flüssigkeit 7, um die Ultraschallwellen auf den Waferstapel 8 zu übertragen und eine Messung durch den Sender 9 und den Empfänger 10 zu ermöglichen. Der Sender 9 kann dabei als der Ultraschallgeber ausgebildet sein. Das Aufbringen der Flüssigkeit 7 erfolgt regelmäßig durch das Gehäuse 5 selbst. Das Gehäuse 5 besitzt eine Zuleitung 25, über welche der, insbesondere kontinuierliche, Zufluss der Flüssigkeit 7 von einem Flüssigkeitsreservoir erfolgt.
  • In der Ausführungsform gemäß Figur 4 ist darüber hinaus vorgesehen, dass zwischen der Flüssigkeit 7 und dem Waferstapel 8 eine Membran 6 vorgesehen ist, um den Waferstapel 8 vor der Flüssigkeit 7 zu schützen. Die Membran 6 ist so elastisch, dass sie sich an die Topografie der Oberfläche des Waferstapels 8 anpassen kann. Auf der Oberfläche der Membran 6 wird die Flüssigkeit 7 aufgebracht. Die Einkopplung des Messsignals erfolgt dann durch die Flüssigkeit 7 sowie durch die Membran 6 hindurch in den Waferstapel 8. Der Raum unterhalb der Membran 6 ist vorzugsweise evakuierbar und wird evakuiert, bevor die Messung erfolgt. Die Evakuierung hat den Vorteil, dass der Luftdruck auf der Seite des Gehäuses 5 die Membran 6 auf die Oberfläche des Wafers 3 drückt. Dadurch wird gewährleistet, dass die Membrane die Oberfläche des Wafers 3 ohne Bildung von Hohlräumen bedeckt und dadurch eine Signaleinkopllung nur über Festkörper und/oder Flüssigkeiten, insbesondere ohne Gasphase, erfolgt.
  • In einer besonders vorteilhaften Variante der Ausführungsform gemäß Figur 4 dient die Membrane 6 als Flüssigkeitsspeicher, indem durch eine umlaufende Membranwand 26 ein wannenförmiges Flüssigkeitsreservoir 27 gebildet wird. In dieser besonderen Ausführungsform ist es daher erfindungsgemäß denkbar, dass ein geschlossener Kreislauf zwischen dem Flüssigkeitsreservoir 27 und der Zuleitung 25 vorgesehen ist. Dadurch ist eine sehr saubere Umsetzung der Messung/Erfassung möglich.
  • In einer besonders bevorzugten Ausführungsform ist es auch denkbar, dass die Vorrichtung hinsichtlich der Flüssigkeitshandhabung lediglich das wannenförmige Flüssigkeitsreservoir 27 beinhaltet und auf einen Kreislauf für die Flüssigkeit gänzlich, insbesondere zumindest während dem Messvorgang, verzichtet. Die Zufuhr und der gegebenenfalls, insbesondere zur Erleichterung von Wartungsarbeiten, vorgesehene Ablauf der Flüssigkeit zu / aus dem Flüssigkeitsreservoir 27 erfolgt in diesem Fall durch geeignete, in den Figuren nicht dargestellte Mittel zur Flüssigkeitszufuhr und Flüssigkeitsableitung.
  • Die an den Übergängen 15, 18 und an der Aufnahmefläche 16 reflektierten Signale in Form von elektromagnetischen Wellen oder Ultraschallwellen werden mittels eines jeweils geeigneten Empfängers 10 ausgewertet und lassen unter Berücksichtigung der Ausbreitungsgeschwindigkeit der Wellen in den verschiedenen Materialien des Strukturwafers 1, der Verbindungsschicht 2 und des Wafers 3 einen präzisen Rückschluss auf die Materialdicken d1 des Wafers 3 beziehungsweise d2 der Verbindungsschicht 2 und d3 des Strukturwafers 1 zu. Somit ist eine präzise Erfassung der Dicken und der Dickengleichmäßigkeit der Schichten des Waferstapels 8, also des Strukturwafers 1, der Verbindungsschicht 2 und des Wafers 3 möglich. Durch die Bewegung der Messeinrichtung über den gesamten Waferstapel 8 parallel beziehungsweise entlang der Referenzebene R können die Schichtdicken an entsprechenden Messstellen ortsaufgelöst bestimmt werden.
  • Wie oben beschrieben erfolgt zur Messung/Erfassung des Waferstapels 8 eine Bewegung relativ zu dem Sender 9 und dem Empfänger 10. Dies kann entweder durch Bewegen des Waferstapels 8 oder der Sender-Empfänger-Einheit oder eine Kombination der beiden Bewegungsmöglichkeiten erreicht werden. Vorzugsweise wird eine Anordnung gewählt, bei der möglichst wenig Achsen benötigt werden, insbesondere durch eine Verfahreinrichtung für die Bewegung des Waferstapels entlang einer X- und einer Y-Achse, also parallel zu der Referenzebene R. Die Messeinrichtung wird vorzugsweise starr montiert.
  • In den Figuren 6a bis 6c sind die wichtigsten Rastermethoden zur Erfassung des gesamten Waferstapels 8 dargestellt, wobei in Figur 6a mäanderförmig erfasst wird. Mäanderförmige Scans haben den Vorteil, dass ein sehr zügiges Abfahren der Erfassungsstrecke erfolgen kann. sich negativ auf die Aufzeichnung auswirkt. Eine weitere Scanart stellt ein Linienscan gemäß Figur 6b dar. Diese Scanart ist durch einen Linearantrieb realisierbar, wobei ein mögliches Spiel von Translationseinheiten des Linearantriebs, insbesondere ein Umkehrspiel, minimiert wird. Diese Variante ist insbesondere bei dem oben beschriebenen zweistufigen Messverfahren besonders vorteilhaft, insbesondere in der zweiten Messeinrichtung. Eine weitere Alternative besteht in einem konstanten Vorschub des Gehäuses 5 bei rotierendem Waferstapel 8 zum Zentrum des Waferstapels 8 hin. Hieraus ergibt sich eine spiralförmige Erfassung. Den vorgenannten Rastermethoden ist gemein, dass die Rasterung kontinuierlich erfolgt. Die kontinuierlichen Messsignale der einzelnen Messstellen werden durch eine Auswerteeinheit entsprechend umgerechnet und ausgewertet. Die Zeit zum Scannen eines Waferstapels, insbesondere für in-line integrierte, erfindungsgemäße Messeinrichtungen beträgt weniger als 180 Sekunden, vorzugsweise weniger als 100 Sekunden, noch bevorzugter weniger als 60 Sekunden. Für nicht in-line integrierte, insbesondere zusätzlich zu einer in-line integrierten Messeinrichtung vorgesehene, Messeinrichtungen, insbesondere Messeinrichtungen, die zum detaillierten Inspizieren von, insbesondere ausgegliederten, Waferstapel mit hoher Auflösung dienen, können die Inspektionszeiten auch erheblich länger sein. Es ist durchaus denkbar, dass derartige Messvorgänge länger als 10min, in vielen Fällen auch länger als 20min oder 30min dauern.
  • Befinden sich nun Fehlstellen 4 in der Kleberschicht 2 (Fig. 7a), so ist innerhalb dieser Fehlstelle 4 eine Weiterleitung der eingekoppelten Welle entweder gar nicht oder nur mit einer unterschiedlichen Ausbreitungsgeschwindigkeit möglich. Im Falle der akustischen Wellen ist deren Ausbreitung in Fehlstellen 4so gut wie gänzlich verhindert, so dass anhand der reflektierten Wellen sehr deutlich auf die Fehlstelle 4 rückgeschlossen werden kann (Fig. 10.).
  • Im Falle der elektromagnetischen Wellen und insbesondere Infrarotlicht detektiert dass Messgerät die unterschiedlichen Übergänge beziehungsweise Schnittebenen 15, 16, 18 durch Interferenz und kann dadurch auf die Schichtdicken d1, d2, d3 rückschließen. Die Ermittlung der Schichtdicken d1, d2, d3 erfolgt indirekt über das Detektieren von Peaks an den Übergängen 15, 16, 18 durch Interferenz. Auf Grundlage der Differenz dieser Peaks ist die Dicke der jeweiligen Schicht, die von den Übergängen 15, 16, 18 begrenzt wird, berechenbar. Die Auswerteeinheit führt diese Berechnung automatisch durch. Dabei ist zu beachten, dass die gemessene Schichtdicke linear vom Brechungsindex der Schicht abhängig ist. Dies rührt daher, dass sich die elektromagnetischen Wellen in verschiedenen Materialien unterschiedlich schnell ausbreiten, und die Signallaufzeit durch die Schichten die Lage / den Abstand der, vom Empfänger detektierten Peaks linear beeinflusst. In einer bevorzugten Ausführungsform erscheint ohne entsprechender Korrektur die, für eine Schicht gemessene Schichtdicke für Schichten mit höherem Brechungsindex (n) um den Faktor des Brechungsindexes (n) höher.
  • Beispielsweise wäre die gemessene Schichtdicke für eine Kleberschicht mit einer Dicke d2 im Bereich des Klebers d2 * n, während die gemessene Schichtdicke im Bereich etwaiger, in der Kleberschicht befindlicher Voids d2*1 betragen würde. Dies basiert auf der Tatsache, dass Luft und Vakuum einen Brechungsindex von annähernd 1 haben. Der Brechungsindex (n) für verschiedene Materialien lässt sich mit Methoden, die dem Fachmann bekannt sind, ermitteln. Üblicherweise sind diese Werte auch von der verwendeten Wellenlänge des elektromagnetischen Signals abhängig. Für IR Licht mit einer Wellenlänge von 1300nm kann der Brechungsindex für gängige thermoplastische Kleber beispielsweise im Bereich zwischen 1,2 und 2,5 zumeist jedoch zwischen 1,3 und 2, noch typischer jedoch zwischen 1,4 und 1,9 liegen.
  • Die vorbeschriebenen Effekte führen im Messergebnis für die Kleberschichtdicke zu einem abrupten Abfall der gemessenen Schichtdicke (Thickness) (Fig. 7b, Fig. 7c) im Bereich einer Fehlstelle, was einen Rückschluss auf die Fehlstelle 4 mittels geeigneter Auswertealgorithmen zulässt. Die X-Achse der Abbildungen/Diegramme aus Figuren 7a bis 7c stellt den jeweiligen Abstand (distance) zum linken Waferstapelrand dar.
  • Ein Beispiel der Umsetzung eines Auswertealgorithmus zeigt Fig. 7c. Die Auswerteeinheit ist so ausgelegt, dass ein frei definierbares Fenster einen Überwachungsbereich 21 innerhalb des Messbereichs überwacht. Treten Signale in den Überwachungsbereich 21 ein, wird eine entsprechende Aktion gesetzt. Dies sei anhand eines Beispiels erklärt. Figur 7c stellt die Schichtdicke d2 (thickness) der Verbindungsschicht 2 als Funktion des Abstandes (distance) entlang des Waferstapels 8 dar. Offensichtlich variiert die Schichtdicke der Verbindungsschicht 2 im dargestellten Beispiel zwischen 37 und 42 µm. Dieser Dickenwert repräsentiert in diesem Fall den, für die Kleberdicke gemessenen Wert ohne Korrektur durch den Brechungsindex. Das heißt, die reelle Kleberdicke würde sich in diesem Fall durch Division des dargestellten Dickenwertes durch den Brechungsindex errechnen lassen. In speziellen Ausführungsformen kann zwischen Bumps, Dices, Fehlstellen, Lunkern, etc. unterschieden werden. Diese sollten sich durch unterschiedliche Tiefe / Starke / Signalabweichungen auszeichnen. Hier seien alle entsprechenden Algorithmen gemeint, die eine Signalabweichung von der Dicke detektieren können. Mit Vorteil werden diese Auswertealgorithmen auch noch mit geeigneten Algorithmen kombiniert, die beispielsweise auch die flächenmäßige Ausdehnung derartiger Fehlstellen mit berücksiclltigen. Die flächenmäßige Ausdehnung der Fehlstellen lässt sich durch eine Auswertung der gesamten gesammelten Dickenwerte im X / Y Koordinatensystem entsprechend der soeben beschriebenen Auswertetechniken ermitteln. Etwaige, nicht gemessene Zwischenwerte sind mit Vorteil durch Interpolation bestimmbar.
  • Bei Infrarotmessung oder Ultraschallmessung erfolgt die Messung/Erfassung unabhängig vom Abstand H des Senders 9 / Empfängers 10 von dem Waferstapel 8, da die Messwerte für die Dicken der einzelnen Schichten durch Differenzrechnung basierend auf den Reflexionen an den einzelnen Übergängen erfolgt.
  • Um die Dickenverteilung der einzelnen zu messenden Schichten über den gesamten Wafer ermitteln zu können, ist es erforderlich, eine Vielzahl von Messpunkten über den Wafer verteilt aufzunehmen. Mit Vorteil sind die Messpunkte in einem geeigneten Koordinatensystem (siehe Figur 10) angeordnet, was später die Analyse und Datenverarbeitung erleichtert. Mit Vorteil korrespondiert das Koordinatensystem für die Messpunkterfassung mit einem lokalen, dem zu inspizierenden Wafer zugeordneten Koordinatensystem. Geeignete Koordinatensystem wären beispielsweise ein kartesisches Koordinatensystem oder ein Polarkoordinatensystem. Mit Vorteil werden die Messpunkte eng genug aneinander gelegt, um typischerweise zu erwartende Defekte (Fehlstellen) mit einer angebrachten Sicherheit zu erfassen. Insbesondere ist es wünschenswert, Defekte von einer Größe, die in den zuvor beschriebenen katastrophalen Fehlerfällen in der nachfolgenden Prozessierung resultieren würden, zu erfassen. Die Schichtenauflösung sollte vorzugsweise besser 10µm, noch bevorzugter besser als 1µm, am bevorzugtesten besser als 0,1µm sein.
  • Der Durchmesser D des Messsignals gemäß Figur 10 liegt mit Vorteil zwischen 1µm und 100µm, insbesondere zwischen 5µm und 50µm, vorzugsweise zwischen 10µm und 30µm. Bei einem Laserstrahl entspricht der obige Durchmesser D beispielsweise dem Durchmesser des Laserstrahls.
  • Die Breitenauflösung des Messsignals in lateraler Richtung, also parallel zur Referenzebene R liegt zwischen 0,1µm und 50µm, insbesondere zwischen 1µm und 30µm, vorzugsweise zwischen 10µm und 20µm.
  • Analog zu dem Vorgehen hinsichtlich Fehlstellen werden mit Vorteil auch die typischerweise auftretenden Wellenlängen der Dickenschwankung beim Festlegen des Messpunkterasters berücksichtigt. Basierend auf den zuvor beschriebenen Überlegungen hat es sich als vorteilhaft erwiesen, etwa alle 1 bis 3 mm einen Messpunkt zu setzen. Um Fehlstellen noch zuverlässiger erkennen zu können, ist es noch idealer, alle 0,8mm oder alle 0,5mm oder noch besser alle 0.25mm einen Messpunkt zu setzen. Für besonders sensible Anwendungen mit sehr geringen Zielwaferdicken kann es auch vorteilhaft sein alle 0,1 mm einen Messpunkt zu setzen.
  • Sehr oft ist es so, dass gewisse elektromagnetische Strahlen, wie beispielsweise Infrarot, nicht in der Lage sind, den Strukturwafer 1 zu durchdringen, da dieser entweder metallisiert, gedoped oder gebumpt ist. Metallisierungen können beispielsweise durch Kontakte 14 an der Oberfläche oder im Inneren des Wafers vorhanden sein. Die Bumps 13 bestehen aus Metalllegierungen, die ebenfalls für IR opak sind. Des Weiteren kann der Wafer gedoped sein. Eine Dotierung kommt vor allem bei Strukturwafern fast immer vor und reduziert die Infrarot-Transparenz.
  • Mittels eines zusätzlich zu der Messeinrichtung 11 oder in die Messeinrichtung 11 integrierten Interferometers 19 ist die Aufnahmefläche 16 der Aufnahme 12 messbar, bevor der Waferstapel 8 auf die Aufnahme abgelegt wird. In Figur 8 ist eine Oberflächenunebenheit der Aufnahmefläche 16 durch eine Wölbung dargestellt. Die Unregelmäßigkeit der Oberfläche kann aber jede andere Form aufweisen. Dies wird mit dem Weißlichtinterferometer 19 gemessen. Nach Vermessung des Abstandsprofils durch das Weißlichtinterferometer 19 wird der Waferstapel 8 auf die Aufnahme 12 gelegt. Anschließend wird durch das Weißlichtinterferometer 19 erneut gemessen, so dass ein zweites Abstandsprofil, und zwar das des gesamten Waferstapels 8, erhalten wird. Die Differenz beider Abstandsprofile entspricht der Gesamthöhe des Waferstapels 8.
  • Somit kann in Kombination mit der oben beschriebenen Messung/Erfassung der Übergänge 15, 18 durch entsprechende Berechnung auch die Schichtdicke d3' gemäß Figur 8 ermittelt werden, indem von der Gesamtdicke des Waferstapels 8 die Schichtdicken d1' des Wafers 3 und d2' der Verbindungsschicht 2 abgezogen werden.
  • Ein weiterer Vorteil ergibt sich durch die Verwendung des Weißlichtinterferometers als Scanner während des Scanprozesses mittels Infrarot oder Ultraschall. Der Weißlichtinterferometerscanner wird dabei nur entlang einer Linie über den Rand des Waferstapels 8 hinaus bewegt. Er misst dabei kontinuierlich den Abstand zur Oberfläche des Waferstapels 8, wenn er sich über diesem befindet beziehungsweise den Abstand zur Aufnahmefläche 16, wenn er über den Waferstapel 8 hinausfährt. Findet nun während des eigentlichen Infrarot oder Ultraschallscans eine Höhenänderung des gesamten Systems statt, beispielsweise durch Thermoschwankungen, erfasst der Weißlichtinterferometerscanner diese auf Grund der Höhenschwankung, da absolute Entfernung bestimmbar ist. Im Gegensatz zum Infrarotscanner, welcher mittels Interferenz nur die Peaks misst, welche sich durch Interferenz an den Interfaces 15, 16 und 18 ergeben. Der Infrarotscanner ist also in der Lage, relative Abstände, also Dicken zu messen. Er benötigt immer mindestens zwei Signale, aus deren Differenz die Dicke der jeweiligen Schicht berechnet werden kann. Der Infrarotscanner ist daher unempfindlich gegenüber "Erschütterungen" und Thermoschwankungen. Der Weißlichtinterferometerscanner misst dagegen den Abstand zur Sender-Empfänger-Einheit. Ist seine Scanfrequenz über eine gesamte Scanlinie viel schneller als die Höhenänderung des Gesamtsystems, kann die Höhenänderung des Gesamtsystems als Funktion der Zeit erfasst werden.
  • Figur 7a zeigt einen mit einer erfindungsgemäßen Messeinrichtung vermessenen Waferstapel 8 mit einem Durchmesser 300mm, bei dem mehrere Fehlstellen 4 mit einer farblich dargestellten Tiefe gefunden wurden. Eine zweidimensionale Auswertung des Waferstapels 8 gemäß Figur 7a ist in Figur 7b in Form eines Diagramms durch die Auswerteeinheit erfolgt, wobei die das Diagramm korrespondierende Linie in Figur 7a eingezeichnet ist. In der Figur 7b ist zu erkennen, wie die Fehlstelle 4 in der Mitte des Waferstapels im Querschnitt aussieht.
  • In einer weiteren Ausführungsform wird mittels einer der oben vorgestellten Messeinrichtungen die Randzone B des Waferstapels 8 während eines chemischen Behandlungsprozesses in-situ gemessen. Vorzugsweise wird dabei die Messmethode aus Fig. 6c verwendet. Während Chemikalien 22 einen Randzonenkleber 28 der Verbindungsschicht 2 auflösen, ist mittels der Messeinrichtung 11 kontinuierlich der Fortschritt im Lösungsprozess messbar. Mit Vorzug wird die Methode auf Waferstapel 8 angewandt, welche den Strukturwafer und den Trägerwafer nur am Rand bonden. Dem Fachmann auf dem Gebiet sind diese Techniken bekannt.
  • Gemäß einer in Figur 12 gezeigten weiteren Ausführungsform sind mittels einer der vorbeschriebenen Messeinrichtungen Fehlstellen 4 in einer Schicht, insbesondere einem Mold 24, welche elektronische Bauteile 23, insbesondere dices, verdeckt, detektierbar.
  • Erfindungsgemäß bevorzugte Dopingelemente sind Elemente der dritten Hauptgruppe wie Bor, Indium, Aluminium oder Gallium beziehungsweise Elemente der fünften Hauptgruppe wie Phosphor, Arsen oder Antimon.
    • Bezugszeichenliste
    • 1
    Strukturwafer
    2
    Verbindungsschicht
    3
    Wafer
    4
    Fehlstellen
    5
    Gehäuse
    6
    Membran
    7
    Flüssigkeit
    8
    Waferstapel
    9
    Sender
    10
    Empfänger
    11
    Messeinrichtung
    12
    Aufnahme
    13
    Bumps
    14
    Kontakte
    15
    Übergang
    16
    Aufnahmefläche
    17
    Vakuumbahnen
    18
    Übergang
    19
    Interferometer
    20
    Messsignal
    21
    Überwachungsbereich
    22
    Chemikalien
    23
    Elektronische Bauteile
    24
    Schicht
    25
    Zuleitung
    26
    Membranwand
    27
    Flüssigkeitsreservoir
    28
    Randzonenkleber
    R
    Referenzebene
    d1, d1'
    Schichtdicke
    d2, d2'
    Schichtdicke
    d3, d3'
    Schichtdicke
    H
    Abstand
    B
    Randzone

Claims (3)

  1. Verfahren zur Messung und/oder Erfassung von Schichtdicken und Fehlstellen einer oder mehrerer Schichten eines temporär gebondeten Waferstapels an einer Vielzahl von am Waferstapel verteilten Messstellen, mit folgendem Ablauf:
    - Anordnung einer Messeinrichtung zur Messung und/oder Erfassung der Schichtdicken und Fehlstellen der Schichten des Waferstapels an den Messstellen gegenüber einer Flachseite des Waferstapels,
    - Aussendung von Signalen in Form elektromagnetischer Wellen durch einen Sender der Messeinrichtung und Empfang der von dem Waferstapel reflektierten Signale durch einen Empfänger der Messeinrichtung,
    - Auswertung der vom Empfänger empfangenen Signale durch eine Auswerteeinheit, wobei von mindestens zwei Übergängen zwischen Schichten des Waferstapels reflektierte Signale von der Auswerteeinheit unterschieden und deren Abstände zueinander und/oder zu einer Referenzebene (R) ermittelt werden, und wobei die Bewegung des Waferstapels und/oder der Messeinrichtung parallel zur Referenzebene (R) und damit die Position jeder Messstelle entlang der Referenzebene (R) erfassbar ist.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem nach der Auswertung ein Schleifschritt, insbesondere räumlich getrennt von der Messeinrichtung, durchgeführt wird, soweit bei der Auswertung keine Abweichungen von Qualitätskriterien festgestellt werden.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der Waferstapel im Fall von Abweichungen von Qualitätskriterien einer Nachbesserung unterzogen wird.
EP16153569.5A 2010-11-12 2010-11-12 Messeinrichtung und verfahren zur messung von schichtdicken und fehlstellen eines waferstapels Active EP3035047B1 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP19156059.8A EP3514529B1 (de) 2010-11-12 2010-11-12 Messeinrichtung zur messung von schichtdicken und fehlstellen eines waferstapels
EP16153569.5A EP3035047B1 (de) 2010-11-12 2010-11-12 Messeinrichtung und verfahren zur messung von schichtdicken und fehlstellen eines waferstapels

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP10790722.2A EP2603790B1 (de) 2010-11-12 2010-11-12 Messeinrichtung und verfahren zur messung von schichtdicken und fehlstellen eines waferstapels
PCT/EP2010/006902 WO2012062343A1 (de) 2010-11-12 2010-11-12 Messeinrichtung und verfahren zur messung von schichtdicken und fehlstellen eines waferstapels
EP16153569.5A EP3035047B1 (de) 2010-11-12 2010-11-12 Messeinrichtung und verfahren zur messung von schichtdicken und fehlstellen eines waferstapels

Related Parent Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP10790722.2A Division-Into EP2603790B1 (de) 2010-11-12 2010-11-12 Messeinrichtung und verfahren zur messung von schichtdicken und fehlstellen eines waferstapels
EP10790722.2A Division EP2603790B1 (de) 2010-11-12 2010-11-12 Messeinrichtung und verfahren zur messung von schichtdicken und fehlstellen eines waferstapels

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP19156059.8A Division EP3514529B1 (de) 2010-11-12 2010-11-12 Messeinrichtung zur messung von schichtdicken und fehlstellen eines waferstapels
EP19156059.8A Division-Into EP3514529B1 (de) 2010-11-12 2010-11-12 Messeinrichtung zur messung von schichtdicken und fehlstellen eines waferstapels

Publications (2)

Publication Number Publication Date
EP3035047A1 true EP3035047A1 (de) 2016-06-22
EP3035047B1 EP3035047B1 (de) 2019-03-20

Family

ID=44209847

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP16153569.5A Active EP3035047B1 (de) 2010-11-12 2010-11-12 Messeinrichtung und verfahren zur messung von schichtdicken und fehlstellen eines waferstapels
EP10790722.2A Active EP2603790B1 (de) 2010-11-12 2010-11-12 Messeinrichtung und verfahren zur messung von schichtdicken und fehlstellen eines waferstapels
EP19156059.8A Active EP3514529B1 (de) 2010-11-12 2010-11-12 Messeinrichtung zur messung von schichtdicken und fehlstellen eines waferstapels

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP10790722.2A Active EP2603790B1 (de) 2010-11-12 2010-11-12 Messeinrichtung und verfahren zur messung von schichtdicken und fehlstellen eines waferstapels
EP19156059.8A Active EP3514529B1 (de) 2010-11-12 2010-11-12 Messeinrichtung zur messung von schichtdicken und fehlstellen eines waferstapels

Country Status (8)

Country Link
US (2) US10109538B2 (de)
EP (3) EP3035047B1 (de)
JP (1) JP5818904B2 (de)
KR (3) KR20130139251A (de)
CN (2) CN103221813B (de)
SG (1) SG188414A1 (de)
TW (1) TWI511219B (de)
WO (1) WO2012062343A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112629452A (zh) * 2020-11-17 2021-04-09 安徽力幕新材料科技有限公司 一种铝板带箔的专用测试台

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6113015B2 (ja) * 2013-07-24 2017-04-12 株式会社ディスコ 割れ厚さ検出装置
CN103691715B (zh) * 2013-12-30 2015-12-09 合肥京东方光电科技有限公司 一种基板清洗设备
DE102014103097A1 (de) * 2014-03-07 2015-09-10 Areva Gmbh Verfahren zur Prüfung eines Werkstücks mittels Ultraschall
DE102014106100A1 (de) * 2014-04-30 2015-11-05 Ev Group E. Thallner Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Vergleichmäßigen eines Substratstapels
FR3020683B1 (fr) 2014-04-30 2021-09-10 Menapic Dispositif et procede de caracterisation d'une interface d'une structure
CN104913746A (zh) * 2015-06-05 2015-09-16 邯郸新兴特种管材有限公司 一种冶金结合双金属复合管壁厚的测量方法
JP6420225B2 (ja) * 2015-11-11 2018-11-07 株式会社コベルコ科研 形状測定方法及び形状測定装置
US10794872B2 (en) * 2015-11-16 2020-10-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Acoustic measurement of fabrication equipment clearance
CN106767628B (zh) 2015-12-18 2019-04-19 深圳市汇顶科技股份有限公司 一种指纹传感器保护层的厚度检测方法及系统
JP6874692B2 (ja) * 2015-12-28 2021-05-19 株式会社ニコン 基板貼り合わせ装置および基板貼り合わせ方法
CN106979761B (zh) * 2016-01-18 2020-07-07 中国电力科学研究院 一种锂离子电池内部各层级厚度及表面形貌的检测方法
JP6723634B2 (ja) * 2016-01-20 2020-07-15 三菱重工業株式会社 隙間計測装置及び隙間計測方法
JP6816155B2 (ja) 2016-02-17 2021-01-20 エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー 計測装置および計測方法
CN108572368A (zh) * 2017-03-07 2018-09-25 台濠科技股份有限公司 运用红外线量测晶圆厚度的方法
CN108534655B (zh) * 2018-03-22 2024-01-09 中国南方电网有限责任公司超高压输电公司曲靖局 一种架空输电线路导地线覆冰测量系统及方法
CN108760885A (zh) * 2018-06-14 2018-11-06 德淮半导体有限公司 超声波扫描方法和超声波扫描装置
CN109216223A (zh) * 2018-09-03 2019-01-15 德淮半导体有限公司 晶圆键合能检测装置以及晶圆键合能的测量方法
GB2577688A (en) * 2018-10-01 2020-04-08 Tribosonics Ltd Method and apparatus for determining an intermediate layer characteristic
KR20210055100A (ko) * 2018-10-05 2021-05-14 소닉스, 인코퍼레이티드 초음파 검사용 시스템, 방법 및 장치
NL2021938B1 (en) * 2018-11-05 2020-05-15 Suss Microtec Lithography Gmbh Method for measuring a thickness of a layer, method for controlling a substrate processing device as well as substrate processing device
CN109579684A (zh) * 2018-11-07 2019-04-05 昌河飞机工业（集团）有限责任公司 一种检测壁板类零件中间区域贴胎度的方法
CN109300823B (zh) * 2018-11-28 2021-02-09 德淮半导体有限公司 超声波扫描系统以及用于对晶圆进行超声波扫描的方法
JP2020106277A (ja) * 2018-12-26 2020-07-09 株式会社ディスコ 厚み計測装置、及び厚み計測装置を備えた加工装置
US11486834B2 (en) 2018-12-27 2022-11-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Substrate inspection method and method of fabricating a semiconductor device using the same
KR20200081046A (ko) 2018-12-27 2020-07-07 삼성전자주식회사 하부막 두께의 비파괴적 측정 방법
JP7235500B2 (ja) * 2018-12-27 2023-03-08 株式会社ディスコ 厚み計測装置、及び厚み計測装置を備えた加工装置
CN113302727A (zh) * 2019-01-18 2021-08-24 Ev 集团 E·索尔纳有限责任公司 确定结合波的走向的测量装置及方法
CN110148569B (zh) * 2019-05-16 2021-08-24 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种键合结构的缺陷扫描方法及设备
WO2021131080A1 (ja) * 2019-12-27 2021-07-01 ボンドテック株式会社 接合方法、被接合物および接合装置
US11650183B2 (en) 2020-03-30 2023-05-16 Verifi Technologies, Llc System and method for real-time degree of cure evaluation in a material
US11726065B2 (en) 2020-03-30 2023-08-15 Verifi Technologies, Llc System and method for real-time visualization of defects in a material
US11860131B2 (en) 2020-03-30 2024-01-02 Verifi Technologies, Llc System and method for portable ultrasonic testing
US11754529B2 (en) 2020-03-30 2023-09-12 Verifi Technologies, Llc System and method for evaluating defects in a material
US11686707B2 (en) * 2020-03-30 2023-06-27 Verifi Technologies, Llc System and method for real-time visualization of defects in a material
JP7476057B2 (ja) 2020-09-11 2024-04-30 キオクシア株式会社 欠陥検査装置
EP3996130B1 (de) * 2020-11-09 2023-03-08 Siltronic AG Verfahren zum abscheiden einer epitaktischen schicht auf einer substratscheibe
CN112461169A (zh) * 2020-11-18 2021-03-09 郑州大学第一附属医院 标本定位装置
AU2021390451A1 (en) * 2020-12-01 2023-06-15 Verifi Technologies, Llc System and method for evaluating defects in a material
CN113358072B (zh) * 2021-06-03 2024-02-06 河南科技大学 一种板材层数的超声波测量设备及其测量方法
US11913772B2 (en) * 2022-03-17 2024-02-27 Intel Corporation Non-destructive gap metrology
US11828713B1 (en) * 2022-06-30 2023-11-28 Camtek Ltd Semiconductor inspection tool system and method for wafer edge inspection
CN117091489B (zh) * 2023-10-16 2023-12-22 青禾晶元(天津)半导体材料有限公司 一种复合结构的顶膜厚度检测装置及检测方法

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19525770C1 (de) * 1995-07-14 1996-08-29 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren und Vorrichtung zum Überprüfen der Verbindungen gebondeter Wafer
US6234025B1 (en) 1999-03-29 2001-05-22 Sandia Corporation Ultrasonic inspection apparatus and method using a focused wave device
CA2314305A1 (en) 2000-07-21 2002-01-21 National Research Council Of Canada Ultrasonic spectroscopy apparatus and method for determining thickness and other properties of multilayer structures
US6656755B1 (en) * 1999-11-17 2003-12-02 Denso Corporation Method for manufacturing semiconductor device by polishing
US6754305B1 (en) 1999-08-02 2004-06-22 Therma-Wave, Inc. Measurement of thin films and barrier layers on patterned wafers with X-ray reflectometry
US6774989B1 (en) 2002-01-16 2004-08-10 Advanced Micro Devices, Inc. Interlayer dielectric void detection
FR2864339A1 (fr) * 2003-12-23 2005-06-24 Commissariat Energie Atomique Dispositif et procede d'observation d'une interface de collage
US20060066854A1 (en) 2001-03-26 2006-03-30 Meeks Steven W Combined high speed optical profilometer and ellipsometer
US20080021673A1 (en) 2006-07-20 2008-01-24 Alexandre Blander Method for measuring thin layers in solid state devices
US20100182592A1 (en) * 2007-07-20 2010-07-22 Dall Aglio Carlo Apparatus and method for checking thickness dimensions of an element while it is being machined

Family Cites Families (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4366713A (en) * 1981-03-25 1983-01-04 General Electric Company Ultrasonic bond testing of semiconductor devices
JPS61111402A (ja) 1984-11-06 1986-05-29 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 位置検出装置
JPH02170008A (ja) 1988-12-23 1990-06-29 Sumitomo Electric Ind Ltd ヘテロ薄膜多層構造の半導体多層薄膜の膜厚測定法
US5029476A (en) 1989-09-07 1991-07-09 Westinghouse Electric Corp. Ultrasonic system for determining the profile of solid bodies
US5119678A (en) 1989-12-26 1992-06-09 General Electric Company Pulse echo and through transmission ultra-sound
JPH05187856A (ja) 1992-01-09 1993-07-27 Tonen Chem Corp 樹脂積層体の層厚測定方法
US5392113A (en) 1992-09-30 1995-02-21 Vlsi Technology, Inc. Semiconductor wafer defect monitoring
US5689641A (en) * 1993-10-01 1997-11-18 Vicor, Inc. Multimedia collaboration system arrangement for routing compressed AV signal through a participant site without decompressing the AV signal
JP3166466B2 (ja) 1993-12-10 2001-05-14 三菱マテリアル株式会社 張り合わせ半導体基板の製造方法および半導体基板の張り合わせ欠陥検査装置
JPH07190747A (ja) 1993-12-27 1995-07-28 Mitsui Toatsu Chem Inc 合成樹脂シートの歪測定方法
ATE258675T1 (de) * 1996-05-31 2004-02-15 Tropel Corp Interferometer zur dickevariationsmessung von halbleitersubstraten
JP3653918B2 (ja) 1997-02-14 2005-06-02 三菱住友シリコン株式会社 半導体ウェーハの表面段差の検出方法
US6180497B1 (en) * 1998-07-23 2001-01-30 Canon Kabushiki Kaisha Method for producing semiconductor base members
US6611064B1 (en) * 1998-07-28 2003-08-26 Hitachi Chemical Company, Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US6078397A (en) * 1999-04-20 2000-06-20 National Research Council Method and apparatus for mapping the wall thickness of tubes during production
JP2000310512A (ja) 1999-04-28 2000-11-07 Hitachi Ltd 薄膜の膜厚計測方法及びその装置並びにそれを用いた薄膜デバイスの製造方法及びその装置
JP2001226586A (ja) 2000-02-16 2001-08-21 Hitachi Chem Co Ltd 補強ウェハの製造方法及び電子部品
JP4671573B2 (ja) 2000-03-24 2011-04-20 オリンパス株式会社 基板搬送装置及び外観検査装置
JP2001349715A (ja) 2000-06-12 2001-12-21 Shin Etsu Chem Co Ltd ウェーハ平坦度測定装置及びウェーハ平坦度を測定する方法
JP2002134375A (ja) 2000-10-25 2002-05-10 Canon Inc 半導体基体とその作製方法、および貼り合わせ基体の表面形状測定方法
JP4810728B2 (ja) 2000-12-04 2011-11-09 株式会社ニコン 研磨状況モニタ方法及びその装置、研磨装置、並びに半導体デバイス製造方法
US7345751B2 (en) 2001-03-26 2008-03-18 Kla-Tencor Technologies Corporation Material independent optical profilometer
FR2830255B1 (fr) 2001-10-01 2004-10-22 Rhodia Industrial Yarns Ag Materiaux composites comprenant un materiau de renfort et comme matrice thermoplastique un polyamide etoile, article compose precurseur de ces materiaux et produits obtenus a partir de ces materiaux
US6472237B1 (en) 2001-10-26 2002-10-29 Motorola, Inc. Method and system for determining a thickness of a layer
US6704101B1 (en) 2002-01-16 2004-03-09 Advanced Micro Devices, Inc. Scatterometry based measurements of a moving substrate
CN1272621C (zh) 2002-10-30 2006-08-30 江苏大学 界面结合强度的远紫外激光划痕测量方法及装置
US6869894B2 (en) * 2002-12-20 2005-03-22 General Chemical Corporation Spin-on adhesive for temporary wafer coating and mounting to support wafer thinning and backside processing
JP2004309295A (ja) 2003-04-07 2004-11-04 Toshiba Corp バンプ高さ測定方法及び測定装置
US7799043B2 (en) 2003-12-01 2010-09-21 Boston Scientific Scimed, Inc. Cutting balloon having sheathed incising elements
FR2866119B1 (fr) * 2004-02-05 2006-09-15 Snecma Moteurs Procede de mesure de l'adherence d'un revetement sur un substrat
US7661315B2 (en) * 2004-05-24 2010-02-16 Sonix, Inc. Method and apparatus for ultrasonic scanning of a fabrication wafer
JP2006189380A (ja) 2005-01-07 2006-07-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の解析装置及びその解析方法
US20070148792A1 (en) 2005-12-27 2007-06-28 Marx David S Wafer measurement system and apparatus
US7681452B2 (en) * 2006-01-04 2010-03-23 General Electric Company Junior ultrasonic miniature air gap inspection crawler
US7662023B2 (en) * 2006-01-30 2010-02-16 Memc Electronic Materials, Inc. Double side wafer grinder and methods for assessing workpiece nanotopology
JP2007199013A (ja) 2006-01-30 2007-08-09 Disco Abrasive Syst Ltd 厚さ計測装置および研削装置
US7935424B2 (en) * 2006-04-06 2011-05-03 Lintec Corporation Adhesive sheet
US20080126014A1 (en) 2006-08-22 2008-05-29 Yuanting Cui Statistical method and automated system for detection of particulate matter on wafer processing chucks
JP2008083059A (ja) 2006-09-26 2008-04-10 David S Marx ウェーハの測定システム及び測定装置
JP5117039B2 (ja) 2006-12-01 2013-01-09 芝浦メカトロニクス株式会社 膜厚測定方法及び膜厚測定装置
JP5534406B2 (ja) 2007-09-26 2014-07-02 株式会社ニコン 表面検査方法および表面検査装置
EP2238618B1 (de) 2008-01-24 2015-07-29 Brewer Science, Inc. Verfahren zur umgekehrten montage eines systemwafers an einem trägersubstrat
US20090196489A1 (en) 2008-01-30 2009-08-06 Le Tuan D High resolution edge inspection
JP5147468B2 (ja) 2008-03-11 2013-02-20 キヤノン株式会社 計測装置および露光装置
JP2010164403A (ja) 2009-01-15 2010-07-29 Panasonic Corp 超音波測定方法
KR101073553B1 (ko) * 2010-03-09 2011-10-17 삼성모바일디스플레이주식회사 반도체 생산 공정에서 임계 치수 제어 방법 및 이를 지원하는 반도체 제조 라인
JP2012042431A (ja) 2010-08-23 2012-03-01 Sumco Corp 貼り合せウェーハの検査方法

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19525770C1 (de) * 1995-07-14 1996-08-29 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren und Vorrichtung zum Überprüfen der Verbindungen gebondeter Wafer
US6234025B1 (en) 1999-03-29 2001-05-22 Sandia Corporation Ultrasonic inspection apparatus and method using a focused wave device
US6754305B1 (en) 1999-08-02 2004-06-22 Therma-Wave, Inc. Measurement of thin films and barrier layers on patterned wafers with X-ray reflectometry
US6656755B1 (en) * 1999-11-17 2003-12-02 Denso Corporation Method for manufacturing semiconductor device by polishing
CA2314305A1 (en) 2000-07-21 2002-01-21 National Research Council Of Canada Ultrasonic spectroscopy apparatus and method for determining thickness and other properties of multilayer structures
US20060066854A1 (en) 2001-03-26 2006-03-30 Meeks Steven W Combined high speed optical profilometer and ellipsometer
US6774989B1 (en) 2002-01-16 2004-08-10 Advanced Micro Devices, Inc. Interlayer dielectric void detection
FR2864339A1 (fr) * 2003-12-23 2005-06-24 Commissariat Energie Atomique Dispositif et procede d'observation d'une interface de collage
US20080021673A1 (en) 2006-07-20 2008-01-24 Alexandre Blander Method for measuring thin layers in solid state devices
US20100182592A1 (en) * 2007-07-20 2010-07-22 Dall Aglio Carlo Apparatus and method for checking thickness dimensions of an element while it is being machined

Non-Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
MORATH C J ET AL: "ULTRASONIC MULTILAYER METAL FILM METROLOGY", SOLID STATE TECHNOLOGY, PENNWELL CORPORATION, TULSA, OK, US, vol. 40, no. 6, 1 June 1997 (1997-06-01), XP000656397, ISSN: 0038-111X *
MORATH ET AL.: "Ultrasonic multilayer metal film metrology", SOLID STATE TECHNOLOGY
SHIRAI ET AL.: "Thickness measurements of epitaxial layers of dobule epitaxial silicon wafers by farinfrared reflection", JOURNAL OF THE ELECTROMECHANICAL SOCIETY
SHUANGWU ET AL., TEMPORARY BONDING OF WAFER TO CARRIER FOR 3D-WAFER LEVEL PACKAGING
SHUANGWU M H ET AL: "Temporary Bonding of Wafer to Carrier for 3D-Wafer Level Packaging", ELECTRONICS PACKAGING TECHNOLOGY CONFERENCE, 2008. EPTC 2008. 10TH, IEEE, PISCATAWAY, NJ, USA, 9 December 2008 (2008-12-09), pages 405 - 411, XP031413839, ISBN: 978-1-4244-2117-6 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112629452A (zh) * 2020-11-17 2021-04-09 安徽力幕新材料科技有限公司 一种铝板带箔的专用测试台

Also Published As

Publication number Publication date
SG188414A1 (en) 2013-04-30
TW201232689A (en) 2012-08-01
EP3514529A1 (de) 2019-07-24
JP2014500952A (ja) 2014-01-16
EP3514529B1 (de) 2023-03-15
CN103221813B (zh) 2017-05-17
KR20130139251A (ko) 2013-12-20
US20160172254A1 (en) 2016-06-16
CN106996759B (zh) 2019-10-01
EP2603790A1 (de) 2013-06-19
EP2603790B1 (de) 2016-03-30
US10008424B2 (en) 2018-06-26
WO2012062343A1 (de) 2012-05-18
KR20160021301A (ko) 2016-02-24
CN103221813A (zh) 2013-07-24
CN106996759A (zh) 2017-08-01
KR20170120710A (ko) 2017-10-31
TWI511219B (zh) 2015-12-01
US10109538B2 (en) 2018-10-23
JP5818904B2 (ja) 2015-11-18
US20130228015A1 (en) 2013-09-05
KR101895183B1 (ko) 2018-09-04
EP3035047B1 (de) 2019-03-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2603790B1 (de) Messeinrichtung und verfahren zur messung von schichtdicken und fehlstellen eines waferstapels
EP2463892B1 (de) Einrichtung, Vorrichtung und Verfahren zur Ermittlung von Ausrichtungsfehlern
DE102015214136B4 (de) Waferbearbeitungsverfahren
EP2299472B1 (de) Vorrichtung zum Ausrichten zweier Substrate
DE102008004438B4 (de) Laserstrahlbearbeitungsvorrichtung
DE102006052694B4 (de) Waferprodukt und Herstellungsverfahren dafür
DE102006032431B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Detektion von mechanischen Defekten in einem aus Halbleitermaterial bestehenden Stabstück
EP2718094B1 (de) Verfahren und vorrichtung zur ermittlung der druckverteilung zum bonden
DE112004000769B4 (de) Laser-Chipschneidvorrichtung
DE10237540A1 (de) Fehlerinspektionsvorrichtung und Herstellungsverfahren einer Halbleitervorrichtung
WO2010037452A1 (de) Verfahren zum messen der dicke eines scheibenförmigen werkstücks
DE102020204746A1 (de) Überprüfvorrichtung und bearbeitungsvorrichtung mit derselben
EP2422364B1 (de) Vorrichtung zur ausrichtung und vorfixierung eines wafers
CH705370A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Inspektion eines Halbleiterchips vor der Montage.
DE102009010837A1 (de) Verfahren zur Inspektion von Wafern für Solarzellen auf Sägerillen
DE102022208279A1 (de) Waferbearbeitungsverfahren
DE102016218568B4 (de) Vorrichtung zur in situ Überprüfung der Qualität bei der generativen Fertigung von Bauteilen
DE102020211723A1 (de) Verfahren zum bearbeiten eines wafers und eine chipmessvorrichtung
WO2006072456A1 (de) Werkstückdickenmessung mit ultra- oder megaschall
DE102018119313B4 (de) Verfahren zum Bearbeiten eines Metall-Keramik-Substrats und Anlage zum Durchführen des Verfahrens
DE102014108399A1 (de) Sensoranordnung, Messanordnung und Verfahren
WO2013143677A1 (de) Handhabungseinheit für waferscheiben sowie verfahren zum aufnehmen einer waferscheibe
EP1721151B1 (de) Verfahren zur zerstörungsfreien fehlerdiagnose an verbundbauteilen mit einem kern aus einem metall- oder keramikschaum
WO2010037469A1 (de) Verfahren zum messen der dicke von in einer bearbeitungsmaschine bearbeiteten scheibenförmigen werkstücken
DE102023205164A1 (de) Bearbeitungsvorrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

AC Divisional application: reference to earlier application

Ref document number: 2603790

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: P

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: REQUEST FOR EXAMINATION WAS MADE

17P Request for examination filed

Effective date: 20161205

RBV Designated contracting states (corrected)

Designated state(s): AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: EXAMINATION IS IN PROGRESS

17Q First examination report despatched

Effective date: 20171124

GRAP Despatch of communication of intention to grant a patent

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOSNIGR1

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: GRANT OF PATENT IS INTENDED

INTG Intention to grant announced

Effective date: 20181031

GRAS Grant fee paid

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOSNIGR3

GRAA (expected) grant

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009210

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: THE PATENT HAS BEEN GRANTED

AC Divisional application: reference to earlier application

Ref document number: 2603790

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: P

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: B1

Designated state(s): AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR

REG Reference to a national code

Ref country code: GB

Ref legal event code: FG4D

Free format text: NOT ENGLISH

REG Reference to a national code

Ref country code: CH

Ref legal event code: EP

REG Reference to a national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: R096

Ref document number: 502010015877

Country of ref document: DE

REG Reference to a national code

Ref country code: AT

Ref legal event code: REF

Ref document number: 1111059

Country of ref document: AT

Kind code of ref document: T

Effective date: 20190415

REG Reference to a national code

Ref country code: IE

Ref legal event code: FG4D

Free format text: LANGUAGE OF EP DOCUMENT: GERMAN

REG Reference to a national code

Ref country code: NL

Ref legal event code: MP

Effective date: 20190320

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: SE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20190320

Ref country code: NO

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20190620

Ref country code: FI

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20190320

Ref country code: LT

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20190320

REG Reference to a national code

Ref country code: LT

Ref legal event code: MG4D

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: BG

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20190620

Ref country code: NL

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20190320

Ref country code: RS

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20190320

Ref country code: HR

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20190320

Ref country code: GR

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20190621

Ref country code: LV

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20190320

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: CZ

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20190320

Ref country code: RO

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20190320

Ref country code: IT

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20190320

Ref country code: SK

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20190320

Ref country code: AL

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20190320

Ref country code: EE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20190320

Ref country code: PT

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20190720

Ref country code: ES

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20190320

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: SM

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20190320

Ref country code: PL

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20190320

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: IS

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20190720

REG Reference to a national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: R097

Ref document number: 502010015877

Country of ref document: DE

PLBE No opposition filed within time limit

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009261

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: NO OPPOSITION FILED WITHIN TIME LIMIT

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: DK

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20190320

26N No opposition filed

Effective date: 20200102

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: SI

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20190320

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: TR

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20190320

REG Reference to a national code

Ref country code: CH

Ref legal event code: PL

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: CH

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20191130

Ref country code: LU

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20191112

Ref country code: LI

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20191130

Ref country code: MC

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20190320

REG Reference to a national code

Ref country code: BE

Ref legal event code: MM

Effective date: 20191130

GBPC Gb: european patent ceased through non-payment of renewal fee

Effective date: 20191112

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: GB

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20191112

Ref country code: IE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20191112

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: BE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20191130

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: CY

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20190320

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: HU

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT; INVALID AB INITIO

Effective date: 20101112

Ref country code: MT

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20190320

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: MK

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20190320

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: FR

Payment date: 20231124

Year of fee payment: 14

Ref country code: DE

Payment date: 20231120

Year of fee payment: 14

Ref country code: AT

Payment date: 20231117

Year of fee payment: 14