JP2004309295A - バンプ高さ測定方法及び測定装置 - Google Patents
バンプ高さ測定方法及び測定装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004309295A JP2004309295A JP2003102843A JP2003102843A JP2004309295A JP 2004309295 A JP2004309295 A JP 2004309295A JP 2003102843 A JP2003102843 A JP 2003102843A JP 2003102843 A JP2003102843 A JP 2003102843A JP 2004309295 A JP2004309295 A JP 2004309295A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bump
- wafer
- bump height
- laser beam
- detected
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
【課題】測定再現性の高いバンプ高さ測定方法及び装置を提供すること。
【解決手段】バンプ電極の形成されたウエハ1に対し、所定角度で一軸方向に走査するレーザー光3a、3bを照射し、ウエハ1からの反射光5a、5bの結像位置を所定頻度で検出し、この結像位置の変位量を演算処理することによりバンプ高さに変換するバンプ高さ測定方法であって、レーザー光3a、3bの照射と反射光5a、5bの結像位置の検出を2以上の系で行い、各系の間でウエハ1における被検出位置がズレを有する。
【選択図】 図1
【解決手段】バンプ電極の形成されたウエハ1に対し、所定角度で一軸方向に走査するレーザー光3a、3bを照射し、ウエハ1からの反射光5a、5bの結像位置を所定頻度で検出し、この結像位置の変位量を演算処理することによりバンプ高さに変換するバンプ高さ測定方法であって、レーザー光3a、3bの照射と反射光5a、5bの結像位置の検出を2以上の系で行い、各系の間でウエハ1における被検出位置がズレを有する。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、三角測量法を用いた高さ測定方法及び装置に係り、特に半導体装置におけるバンプの高さ測定方法及び装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置の製造工程において、いわゆる前工程の最終工程が、各チップのパッド電極上に金属突起電極(バンプ)を形成するバンプ形成工程である。
【0003】
一般に、バンプ形成工程中のQC(Quality Control)工程や払い出し検査工程におけるバンプの高さの測定には、三角測量法が用いられている。これは、図5に示すように、レーザー光源4から照射されたレーザー光3をバンプ9の形成されたウエハ1に対して斜め上方向から走査し、反射光5を受光検出部6に結像させ、所定の頻度で結像位置を検出する。このとき、図6に示すように、レーザー光がバンプ電極で反射した場合(反射光5)と、ウエハ下地で反射した場合(反射光5’)とで受光検出部での結像位置に変位dが生じるため、この変位量を所定の演算によりバンプ高さに変換する、というものである。
【0004】
この手法は、レーザー光の走査により測定を行うことから、高速測定が可能であり、演算処理能力などを考慮して1〜数μm毎に検出、演算処理(測定処理)を迅速に行うことができる。また、図7に示すように、バンプ高さデータと対応するウエハ座標との相関を取ることにより、バンプ9の両端部の座標を検出し、バンプ幅Wを測定することも可能である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら半導体素子の微細化に伴い、バンプ電極も小型化している。図8(a)に従来の、(b)に小型化したバンプを示す。同じ頻度で測定を行うと、バンプ電極1個あたりの測定データ数が減少するため、測定再現性の低下を引き起こすという問題が生じていた。これはすなわち、測定装置に起因するバンプ高さ測定値のばらつきが大きくなってしまうことを意味する。
【0006】
一方、バンプ高さのばらつき低減の要求も、微細化に伴いさらに厳しくなったことから、実際のバンプ高さのばらつきがスペック内であっても測定値がばらつき、オーバーキルされてしまうなど、測定装置起因のばらつきの影響が無視できなくなってきた。
【0007】
また、バンプ電極1個あたりの測定データ数の減少により、同様にバンプ端部検知精度も悪化するため、バンプ幅の測定再現性も悪化してしまう。例えば、図9(a)に従来の、(b)に小型化したバンプを示すように、ステージにウエハを載置する際のウエハアライメント時の誤差δによるバンプ幅測定値に対する誤差ΔW/Wも大きくなる。
【0008】
そこで、測定再現性を向上させるには、検出頻度を増加させれば良いが、演算処理速度には限界がある。また、レーザー光の走査速度を低下させることで、検出頻度を増加させることも考えられるが、処理能力が低下してしまうので、測定装置の追加投資が必要となり、コストアップの弊害が生じる。
【0009】
本発明は、従来のバンプ高さ測定方法及び装置における欠点を取り除き、測定再現性の高いバンプ高さ測定方法及び装置を提供することを目的とするものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明のバンプ高さ測定方法は、バンプ電極の形成されたウエハに対し、所定角度で一軸方向に走査するレーザー光を照射し、ウエハからの反射光の結像位置を所定頻度で検出し、この結像位置の変位量を演算処理することによりバンプ高さに変換するバンプ高さ測定方法であって、レーザー光の照射と反射光の結像位置の検出を2以上の系で行い、各系の間でウエハにおける被検出位置がズレを有することを特徴とするものである。
【0011】
また、本発明のバンプ高さ測定方法においては、被検出位置は、レーザー光の走査方向において実質的に等間隔とすることを特徴としている。
【0012】
そして、本発明のバンプ高さ測定方法においては、各系間で前記被検出位置が前記レーザー光の走査方向と垂直方向に所定の間隔を有することを特徴としている。
【0013】
さらに、本発明のバンプ高さ測定装置は、バンプ電極の形成されたウエハを載置するステージと、ウエハに対して所定角度でレーザー光を照射するレーザー光源と、レーザー光をウエハの一軸方向に走査させる走査機構と、ウエハからの反射光を結像させ、所定頻度で結像位置を検出する受光検出部と、結像位置の変位量をバンプ高さに変換する演算処理部を備え、レーザー光源とこれに対応する前記受光検出部からなるユニットを2以上有し、ウエハにおける被検出位置がズレを有するよう、各ユニットの位置を制御する機構を具備することを特徴とするものである。
【0014】
また、本発明のバンプ高さ測定装置においては、被検出位置が、レーザー光の走査方向において実質的に等間隔となるように、各ユニットの位置を制御することを特徴としている。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施形態について、図を参照して説明する。
【0016】
(実施形態1)
図1に本実施形態のバンプ高さ測定装置を示す。図に示すように、ウエハ1がステージ2上に載置されており、ウエハ1上方には、このウエハ1に対して所定の角度でレーザー光3a、3bを照射する2つのレーザー光源4a、4bと、ウエハ1からのそれぞれの反射光5a、5bを結像させ、所定の頻度で結像位置を検出する2つの受光検出ユニット6a、6bが設置されている。そしてこれらレーザー光源4a、4b及び受光検出ユニット6a、6bは装置内でそれぞれ所定位置にレーザー光3a、3bの照射角度をわずかに変えるよう固定され、2つの受光検出ユニット6a、6bによるウエハ1上の(サンプリング位置)が略等間隔となるように制御、最適化されている。さらに、ステージ2下方にステージ2を駆動する走査機構7が設置されている。
【0017】
このようなバンプ高さ測定装置により、以下のようにバンプ高さが測定される。先ず、ステージ2上にウエハ1を載置し、位置合せを行う。そして、図2に示すように、レーザー光源4aと受光検出ユニット6aからなる測定ユニット8a(測定系A)において、ウエハ1に対して所定の角度となるようにレーザー光源4aよりレーザー光3aを照射し、ステージ2を走査機構7により駆動することにより、レーザー光3aをウエハ1の1軸方向に走査させる。レーザー光3aはウエハ1表面、或いはバンプ表面を反射し、受光検出ユニット6aにおいてその反射光5aを結像、その位置が検出される。このとき、ウエハ1上の被検出位置が、例えばレーザーの走査方向に間隔T=2μmとなるように、走査速度、検出頻度を設定する。
【0018】
一方、レーザー光源4bと受光検出ユニット6bからなる測定ユニット8b(測定系B)においても同様に機能、設定されている。ここで、測定ユニット8a、8bにおいて、レーザー光3a、3bの照射角度をわずかに変えて設置することにより被検出位置にズレが設けられている。被検出位置は、測定系Aにより検出された位置と測定系Bにより検出された位置が交互になっており、例えばその間隔T’=T/2=1μmに設定されている。ここで、被検出位置が等間隔になっていることが効率的に再現性の向上を図る上で好ましいが、少なくとも被検出位置の測定系が交互になっていれば効果は得られる。また、本実施形態において、被検出位置の間隔を1μmとしたが、バンプサイズ(数10〜数100μm)により例えば0.5〜5μm程度に適宜設定することも可能である。
【0019】
検出されたデータは、系ごとに演算処理され、最終的に両方のデータが統合処理される。
【0020】
本実施形態においては、測定ユニットを2セットとしたが、3セット以上でも良い。その場合は、被検出位置の間隔Tn=T/n(n:セット数)となっていることが好ましい。このとき、セット数が多い程情報量が増えるが、装置コストの上昇を招くので、適宜最適化する必要がある。
【0021】
また、レーザー光の照射角度をわずかに変えるよう制御することにより、系ごとの被検出位置にズレを設けているが、物理的にずらす方法であれば特に限定されるものではない。或いはレーザー光の干渉を考慮した上で、検出のタイミングをずらしてもよく、タイミングを制御することにより微調整しても良い。
【0022】
本実施形態により、バンプ電極の小型化に伴う測定再現性の低下を、処理速度を低下させることなく抑制することができる。そして、測定装置に起因する良品チップのオーバーキルが抑えられ、バンプ形成工程の歩留りの向上を図ることができる。また、バンプ幅の測定再現性も向上するため、的確なフィードバックが可能となる。
【0023】
(実施形態2)
実施形態2は、実施形態1と同様の装置を用いるが、図3に示すように、2つの系による被検出位置のズレをレーザー走査方向に垂直方向にも設ける点で異なっている。このとき、垂直方向のずらし量Dは、バンプサイズにより数μm〜数10μm程度に適宜設定することができる。
【0024】
尚、本実施形態において、測定ユニットを2セットとしたが、図4に示すように3セット以上でも良い。その場合は、被検出位置のユニット毎の垂直方向のずらし量D’=D/(n−1)(D:トータルのずらし量、n:セット数)となっていることが好ましい。このとき、同様にセット数が多い程情報量が増えるが、装置コストの上昇を招くので、適宜最適化する必要がある。
【0025】
本実施形態により、実施形態1の効果に加え、垂直方向のズレにより、バンプ内の凹凸情報を把握することができるので、例えばバンプ内に突発的に発生する異常突起(コブ)や、陥没不良の検出感度を向上させることが可能となる。このようなバンプ内の凹凸情報検出の観点では、垂直方向のずれのみでも効果は得られる。
【0026】
【発明の効果】
本発明によれば、小型化したバンプ電極の高さを簡単な装置構成により高い精度で測定することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のバンプ高さ測定装置を示す図。
【図2】本発明のバンプ高さ測定方法の概念を示す図。
【図3】本発明のバンプ高さ測定方法の概念を示す図。
【図4】本発明のバンプ高さ測定方法の概念を示す図。
【図5】従来のバンプ高さ測定方法の概念を示す図。
【図6】三角測量法の概念を示す図。
【図7】バンプ幅測定方法の概念を示す図。
【図8】従来のバンプ高さ測定方法を示す図。
【図9】従来のバンプ高さ測定方法を示す図。
【符号の説明】
1 ウエハ
2 ステージ
3、3a、3b レーザー光
4、4a、4b レーザー光源
5、5a、5b 反射光
6、6a、6b 受光検出ユニット
7 走査機構
8a、8b 測定ユニット
9 バンプ
【発明の属する技術分野】
本発明は、三角測量法を用いた高さ測定方法及び装置に係り、特に半導体装置におけるバンプの高さ測定方法及び装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置の製造工程において、いわゆる前工程の最終工程が、各チップのパッド電極上に金属突起電極(バンプ)を形成するバンプ形成工程である。
【0003】
一般に、バンプ形成工程中のQC(Quality Control)工程や払い出し検査工程におけるバンプの高さの測定には、三角測量法が用いられている。これは、図5に示すように、レーザー光源4から照射されたレーザー光3をバンプ9の形成されたウエハ1に対して斜め上方向から走査し、反射光5を受光検出部6に結像させ、所定の頻度で結像位置を検出する。このとき、図6に示すように、レーザー光がバンプ電極で反射した場合(反射光5)と、ウエハ下地で反射した場合(反射光5’)とで受光検出部での結像位置に変位dが生じるため、この変位量を所定の演算によりバンプ高さに変換する、というものである。
【0004】
この手法は、レーザー光の走査により測定を行うことから、高速測定が可能であり、演算処理能力などを考慮して1〜数μm毎に検出、演算処理(測定処理)を迅速に行うことができる。また、図7に示すように、バンプ高さデータと対応するウエハ座標との相関を取ることにより、バンプ9の両端部の座標を検出し、バンプ幅Wを測定することも可能である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら半導体素子の微細化に伴い、バンプ電極も小型化している。図8(a)に従来の、(b)に小型化したバンプを示す。同じ頻度で測定を行うと、バンプ電極1個あたりの測定データ数が減少するため、測定再現性の低下を引き起こすという問題が生じていた。これはすなわち、測定装置に起因するバンプ高さ測定値のばらつきが大きくなってしまうことを意味する。
【0006】
一方、バンプ高さのばらつき低減の要求も、微細化に伴いさらに厳しくなったことから、実際のバンプ高さのばらつきがスペック内であっても測定値がばらつき、オーバーキルされてしまうなど、測定装置起因のばらつきの影響が無視できなくなってきた。
【0007】
また、バンプ電極1個あたりの測定データ数の減少により、同様にバンプ端部検知精度も悪化するため、バンプ幅の測定再現性も悪化してしまう。例えば、図9(a)に従来の、(b)に小型化したバンプを示すように、ステージにウエハを載置する際のウエハアライメント時の誤差δによるバンプ幅測定値に対する誤差ΔW/Wも大きくなる。
【0008】
そこで、測定再現性を向上させるには、検出頻度を増加させれば良いが、演算処理速度には限界がある。また、レーザー光の走査速度を低下させることで、検出頻度を増加させることも考えられるが、処理能力が低下してしまうので、測定装置の追加投資が必要となり、コストアップの弊害が生じる。
【0009】
本発明は、従来のバンプ高さ測定方法及び装置における欠点を取り除き、測定再現性の高いバンプ高さ測定方法及び装置を提供することを目的とするものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明のバンプ高さ測定方法は、バンプ電極の形成されたウエハに対し、所定角度で一軸方向に走査するレーザー光を照射し、ウエハからの反射光の結像位置を所定頻度で検出し、この結像位置の変位量を演算処理することによりバンプ高さに変換するバンプ高さ測定方法であって、レーザー光の照射と反射光の結像位置の検出を2以上の系で行い、各系の間でウエハにおける被検出位置がズレを有することを特徴とするものである。
【0011】
また、本発明のバンプ高さ測定方法においては、被検出位置は、レーザー光の走査方向において実質的に等間隔とすることを特徴としている。
【0012】
そして、本発明のバンプ高さ測定方法においては、各系間で前記被検出位置が前記レーザー光の走査方向と垂直方向に所定の間隔を有することを特徴としている。
【0013】
さらに、本発明のバンプ高さ測定装置は、バンプ電極の形成されたウエハを載置するステージと、ウエハに対して所定角度でレーザー光を照射するレーザー光源と、レーザー光をウエハの一軸方向に走査させる走査機構と、ウエハからの反射光を結像させ、所定頻度で結像位置を検出する受光検出部と、結像位置の変位量をバンプ高さに変換する演算処理部を備え、レーザー光源とこれに対応する前記受光検出部からなるユニットを2以上有し、ウエハにおける被検出位置がズレを有するよう、各ユニットの位置を制御する機構を具備することを特徴とするものである。
【0014】
また、本発明のバンプ高さ測定装置においては、被検出位置が、レーザー光の走査方向において実質的に等間隔となるように、各ユニットの位置を制御することを特徴としている。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施形態について、図を参照して説明する。
【0016】
(実施形態1)
図1に本実施形態のバンプ高さ測定装置を示す。図に示すように、ウエハ1がステージ2上に載置されており、ウエハ1上方には、このウエハ1に対して所定の角度でレーザー光3a、3bを照射する2つのレーザー光源4a、4bと、ウエハ1からのそれぞれの反射光5a、5bを結像させ、所定の頻度で結像位置を検出する2つの受光検出ユニット6a、6bが設置されている。そしてこれらレーザー光源4a、4b及び受光検出ユニット6a、6bは装置内でそれぞれ所定位置にレーザー光3a、3bの照射角度をわずかに変えるよう固定され、2つの受光検出ユニット6a、6bによるウエハ1上の(サンプリング位置)が略等間隔となるように制御、最適化されている。さらに、ステージ2下方にステージ2を駆動する走査機構7が設置されている。
【0017】
このようなバンプ高さ測定装置により、以下のようにバンプ高さが測定される。先ず、ステージ2上にウエハ1を載置し、位置合せを行う。そして、図2に示すように、レーザー光源4aと受光検出ユニット6aからなる測定ユニット8a(測定系A)において、ウエハ1に対して所定の角度となるようにレーザー光源4aよりレーザー光3aを照射し、ステージ2を走査機構7により駆動することにより、レーザー光3aをウエハ1の1軸方向に走査させる。レーザー光3aはウエハ1表面、或いはバンプ表面を反射し、受光検出ユニット6aにおいてその反射光5aを結像、その位置が検出される。このとき、ウエハ1上の被検出位置が、例えばレーザーの走査方向に間隔T=2μmとなるように、走査速度、検出頻度を設定する。
【0018】
一方、レーザー光源4bと受光検出ユニット6bからなる測定ユニット8b(測定系B)においても同様に機能、設定されている。ここで、測定ユニット8a、8bにおいて、レーザー光3a、3bの照射角度をわずかに変えて設置することにより被検出位置にズレが設けられている。被検出位置は、測定系Aにより検出された位置と測定系Bにより検出された位置が交互になっており、例えばその間隔T’=T/2=1μmに設定されている。ここで、被検出位置が等間隔になっていることが効率的に再現性の向上を図る上で好ましいが、少なくとも被検出位置の測定系が交互になっていれば効果は得られる。また、本実施形態において、被検出位置の間隔を1μmとしたが、バンプサイズ(数10〜数100μm)により例えば0.5〜5μm程度に適宜設定することも可能である。
【0019】
検出されたデータは、系ごとに演算処理され、最終的に両方のデータが統合処理される。
【0020】
本実施形態においては、測定ユニットを2セットとしたが、3セット以上でも良い。その場合は、被検出位置の間隔Tn=T/n(n:セット数)となっていることが好ましい。このとき、セット数が多い程情報量が増えるが、装置コストの上昇を招くので、適宜最適化する必要がある。
【0021】
また、レーザー光の照射角度をわずかに変えるよう制御することにより、系ごとの被検出位置にズレを設けているが、物理的にずらす方法であれば特に限定されるものではない。或いはレーザー光の干渉を考慮した上で、検出のタイミングをずらしてもよく、タイミングを制御することにより微調整しても良い。
【0022】
本実施形態により、バンプ電極の小型化に伴う測定再現性の低下を、処理速度を低下させることなく抑制することができる。そして、測定装置に起因する良品チップのオーバーキルが抑えられ、バンプ形成工程の歩留りの向上を図ることができる。また、バンプ幅の測定再現性も向上するため、的確なフィードバックが可能となる。
【0023】
(実施形態2)
実施形態2は、実施形態1と同様の装置を用いるが、図3に示すように、2つの系による被検出位置のズレをレーザー走査方向に垂直方向にも設ける点で異なっている。このとき、垂直方向のずらし量Dは、バンプサイズにより数μm〜数10μm程度に適宜設定することができる。
【0024】
尚、本実施形態において、測定ユニットを2セットとしたが、図4に示すように3セット以上でも良い。その場合は、被検出位置のユニット毎の垂直方向のずらし量D’=D/(n−1)(D:トータルのずらし量、n:セット数)となっていることが好ましい。このとき、同様にセット数が多い程情報量が増えるが、装置コストの上昇を招くので、適宜最適化する必要がある。
【0025】
本実施形態により、実施形態1の効果に加え、垂直方向のズレにより、バンプ内の凹凸情報を把握することができるので、例えばバンプ内に突発的に発生する異常突起(コブ)や、陥没不良の検出感度を向上させることが可能となる。このようなバンプ内の凹凸情報検出の観点では、垂直方向のずれのみでも効果は得られる。
【0026】
【発明の効果】
本発明によれば、小型化したバンプ電極の高さを簡単な装置構成により高い精度で測定することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のバンプ高さ測定装置を示す図。
【図2】本発明のバンプ高さ測定方法の概念を示す図。
【図3】本発明のバンプ高さ測定方法の概念を示す図。
【図4】本発明のバンプ高さ測定方法の概念を示す図。
【図5】従来のバンプ高さ測定方法の概念を示す図。
【図6】三角測量法の概念を示す図。
【図7】バンプ幅測定方法の概念を示す図。
【図8】従来のバンプ高さ測定方法を示す図。
【図9】従来のバンプ高さ測定方法を示す図。
【符号の説明】
1 ウエハ
2 ステージ
3、3a、3b レーザー光
4、4a、4b レーザー光源
5、5a、5b 反射光
6、6a、6b 受光検出ユニット
7 走査機構
8a、8b 測定ユニット
9 バンプ
Claims (5)
- バンプ電極の形成されたウエハに対し、所定角度で一軸方向に走査するレーザー光を照射し、前記ウエハからの反射光の結像位置を所定頻度で検出し、この結像位置の変位量を演算処理することによりバンプ高さに変換するバンプ高さ測定方法であって、
前記レーザー光の照射と前記反射光の結像位置の検出を2以上の系で行い、各系の間で前記ウエハにおける被検出位置がズレを有することを特徴とするバンプ高さ測定方法。 - 前記被検出位置は、前記レーザー光の走査方向において実質的に等間隔とすることを特徴とする請求項1記載のバンプ高さ測定方法。
- 各系間で前記被検出位置が前記レーザー光の走査方向と垂直方向に所定の間隔を有することを特徴とする請求項1記載のバンプ高さ測定方法。
- バンプ電極の形成されたウエハを載置するステージと、
前記ウエハに対して所定角度でレーザー光を照射するレーザー光源と、
前記レーザー光を前記ウエハの一軸方向に走査させる走査機構と、
前記ウエハからの反射光を結像させ、所定頻度で結像位置を検出する受光検出部と、
前記結像位置の変位量をバンプ高さに変換する演算処理部を備え、
前記レーザー光源とこれに対応する前記受光検出部からなるユニットを2以上有し、
前記ウエハにおける被検出位置がズレを有するよう、各ユニットの位置を制御する機構を具備することを特徴とするバンプ高さ測定装置。 - 前記被検出位置が、前記レーザー光の走査方向において実質的に等間隔となるように、前記各ユニットの位置を制御することを特徴とする請求項4記載のバンプ高さ測定装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003102843A JP2004309295A (ja) | 2003-04-07 | 2003-04-07 | バンプ高さ測定方法及び測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003102843A JP2004309295A (ja) | 2003-04-07 | 2003-04-07 | バンプ高さ測定方法及び測定装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004309295A true JP2004309295A (ja) | 2004-11-04 |
Family
ID=33466160
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003102843A Pending JP2004309295A (ja) | 2003-04-07 | 2003-04-07 | バンプ高さ測定方法及び測定装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004309295A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009172723A (ja) * | 2008-01-25 | 2009-08-06 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削加工装置及び切削加工方法 |
CN105737773A (zh) * | 2010-11-12 | 2016-07-06 | Ev 集团 E·索尔纳有限责任公司 | 用于测量晶片堆叠的层厚度和晶格缺陷的测量装置和方法 |
US10008424B2 (en) | 2010-11-12 | 2018-06-26 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Measuring device and method for measuring layer thicknesses and defects in a wafer stack |
-
2003
- 2003-04-07 JP JP2003102843A patent/JP2004309295A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009172723A (ja) * | 2008-01-25 | 2009-08-06 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削加工装置及び切削加工方法 |
CN105737773A (zh) * | 2010-11-12 | 2016-07-06 | Ev 集团 E·索尔纳有限责任公司 | 用于测量晶片堆叠的层厚度和晶格缺陷的测量装置和方法 |
US10008424B2 (en) | 2010-11-12 | 2018-06-26 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Measuring device and method for measuring layer thicknesses and defects in a wafer stack |
CN105737773B (zh) * | 2010-11-12 | 2019-04-19 | Ev 集团 E·索尔纳有限责任公司 | 用于测量晶片堆叠的层厚度和晶格缺陷的测量装置和方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9804103B2 (en) | Inspection method, template substrate, and focus offset method | |
KR101885392B1 (ko) | 검사 장치, 검사 방법, 노광 방법, 및 반도체 디바이스의 제조 방법 | |
US9542586B2 (en) | Pattern inspection apparatus and pattern inspection method | |
US9557277B2 (en) | Inspection apparatus and inspection method | |
JP2013236112A (ja) | 基板処理方法、基板処理装置、露光装置、測定検査装置、処理装置、コンピュータ・システム、プログラム及び情報記録媒体 | |
JP2009300426A (ja) | レチクル欠陥検査装置およびレチクル欠陥検査方法 | |
US8937714B2 (en) | Inspecting apparatus and inspecting method | |
US7511828B2 (en) | Three-dimensional shape measuring unit, processing unit, and semiconductor device manufacturing method | |
EP3343169B1 (en) | Apparatus and method for measuring surface roughness distribution | |
JP2009168581A (ja) | 被検査体の検査装置 | |
JP2000252203A (ja) | アライメントマーク及びアライメント方法 | |
JP2013015491A (ja) | 光学式検査装置、検査システムおよび座標管理用ウエハ | |
JP2008196974A (ja) | 突起物の高さ測定装置及び高さ測定方法 | |
JP6386732B2 (ja) | 検出装置、検出方法、及びリソグラフィ装置 | |
WO2010067491A1 (ja) | 半導体ウェハ検査装置 | |
JP2004309295A (ja) | バンプ高さ測定方法及び測定装置 | |
JP6684992B2 (ja) | 突起検査装置及びバンプ検査装置 | |
JPH11153549A (ja) | 表面検査方法及びその方法を用いる表面検査装置 | |
JP2007115801A (ja) | マーク位置計測装置、マーク位置計測方法、露光装置、及び露光方法 | |
JP4382315B2 (ja) | ウェーハバンプの外観検査方法及びウェーハバンプの外観検査装置 | |
JP4106836B2 (ja) | 検査装置 | |
JP3414975B2 (ja) | 位置ずれ量測定装置 | |
US20130286386A1 (en) | Optical surface defect inspection apparatus and optical surface defect inspection method | |
JPH0922866A (ja) | 位置合せ装置および方法 | |
JP2005055217A (ja) | 高さ測定方法 |