JP2001349715A

JP2001349715A - ウェーハ平坦度測定装置及びウェーハ平坦度を測定する方法

Info

Publication number: JP2001349715A
Application number: JP2000175135A
Authority: JP
Inventors: Yoshiyuki Shiono; 嘉幸塩野; Yoshinori Kuwabara; 由則桑原
Original assignee: Shin Etsu Chemical Co Ltd
Current assignee: Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date: 2000-06-12
Filing date: 2000-06-12
Publication date: 2001-12-21

Abstract

(57)【要約】【課題】ウェーハ材質を問わずウェーハ全面の測定が
可能となり、フォトリソグラフィ工程でのステッパ使用
時との相関が良好で、またウェーハチャックの洗浄、メ
ンテナンスが容易であり、さらにウェーハチャック自身
の平坦度が測定でき、正確で繰り返し測定精度が高い、
ウェーハ平坦度測定装置及びウェーハ平坦度を測定する
方法を提供する。【解決手段】光プローブを用いたウェーハ平坦度測定
装置であって、該ウェーハ平坦度測定装置のウェーハを
固定する部分が静電チャックであることを特徴とするウ
ェーハ平坦度測定装置、及び光プローブを用いてウェー
ハ平坦度を測定する方法において、ウェーハを静電チャ
ックで固定した後、光プローブを用いてウェーハ平坦度
を測定することを特徴とするウェーハ平坦度を測定する
方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、板状の物質、特に
ウェーハを平面に固定して平坦度を正確に、精度良く測
定する装置及び方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ＬＳＩ製造技術において、ステッパを用
いたフォトリソグラフィ技術は必須の技術である。近
年、要求される線幅及びその公差も小さくなり、用いる
ウェーハ、例えばシリコンウェーハの平坦度向上が強く
要求されている。

【０００３】一方、弾性表面波デバイス及び擬似弾性表
面波デバイスは、電気信号を表面波に変換して信号処理
を行う回路素子であり、フィルタ、共振子、遅延線など
に用いられている。弾性表面波デバイス及び擬似弾性表
面波デバイスは、圧電性を有する単結晶を適当な単結晶
育成法、例えばタンタル酸リチウム単結晶はチョクラル
スキー法により育成され、この単結晶を円柱形状に加工
し、さらに一定の結晶面方位を有するウェーハ状に切断
し、弾性表面波又は擬似弾性表面波を送受信する電極を
形成するウェーハ面（以後、表面と記す）は鏡面加工が
施され、主としてＡｌからなる櫛形電極を一定の方位に
形成した後、チップ状に切り出すことによって作られて
いる。

【０００４】例えば、３３〜４６°Ｙカットタンタル酸
リチウム単結晶ウェーハは、数十ＭＨｚ〜数ＧＨｚでの
携帯電話用フィルタに多く使用されている。特に、数百
ＭＨｚ以上の周波数帯で使用されるフィルタでは、櫛形
電極の線幅が小さくなると同時にその公差も非常に小さ
いことが要求されている。この公差発生の原因はフォト
リソグラフィ時の焦点ズレが原因であり、その焦点ズレ
はウェーハ平坦度の優劣により大きく左右される。

【０００５】デバイスの生産性、歩留りの観点からウェ
ーハの最外周において無駄なくデバイスが作製できるこ
とは重要な項目であり、ウェーハ全面の平坦度が良いこ
とが求められると同時に、ウェーハ平坦度を正確に、精
度良く全面に亘って測定することが非常に重要となる。

【０００６】シリコンウェーハではＡＳＴＭＦ１５
３０−９４で示される非接触の測定が通常行われてい
る。特にＡＤ−Ｅ社製の静電容量方式が多く採用されて
いる。この方法はウェーハ表裏両側に一対のプローブセ
ンサを設け、ウェーハを回転させながら、プローブセン
サをウェーハ直径方向に移動させて表裏面のプロファイ
ルをとり、その変位の差を厚みに変換する。そして、理
想的な平面に吸着した状態を演算で作り、その理想的な
平面との差を平坦度とするものである。

【０００７】しかし、プローブセンササイズが４ｍｍ×
４ｍｍであり、測定点数が多くできないため、水平分解
能の面で不足する外周付近、特に外周から１ｍｍの部分
の測定が不可能であるという問題があった。また、図３
は理想平面と実際の真空ピンチャックの吸着状態を示し
たものであるが、図３に示すように、上記の方法で特に
問題となるのは、厚みから求めた平坦度と実際にステッ
パで使用される状態である吸着したときの平坦度が完全
には一致しないことであった（「電子材料」１９９９
年、２月号、５０頁〜５５頁参照）。すなわち、厚みか
ら求めた平坦度が良好であっても、実際のフォトリソグ
ラフィにおいて歩留りの悪いものが生じていた。さら
に、タンタル酸リチウム等の圧電性単結晶ウェーハは、
上記のような静電容量方式では測定できなかった。

【０００８】上記問題点を解決する方法としては、ウェ
ーハを真空ピンチャックで固定し、光プローブを用いた
平坦度測定方法がある。この方法は光プローブを用いる
ことにより、ウェーハ材質を問わずウェーハ全面の測定
が可能となる光干渉計、レーザ変位計等を用いた光学系
である。この場合、フォトリソグラフィ工程でのステッ
パ使用時と同様に、ウェーハ裏面を真空ピンチャックで
固定してウェーハ平坦度を測定することから、測定結果
とステッパ使用時との相関が非常に良好である。通常、
この真空ピンチャックはセラミックスで作製される。

【０００９】しかし、真空ピンチャックは洗浄、メンテ
ナンスに時間がかかるという問題を有していた。また、
真空ピンチャック自身の平坦度が測定できないため、ウ
ェーハ平坦度測定値がウェーハ自身の平坦度であるの
か、真空ピンチャックによるものであるのかの判断がで
きなかった。さらに、ウェーハの最外周は、幅の大小は
あるものの、原理的に反り上がってしまう。このような
問題により、ウェーハ本来の平坦度を正確に測定するこ
とができないという問題を有していた。そして、ウェー
ハの最外周の反り上がりが測定毎に変化するため、繰り
返し精度が悪いという問題も有していた。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような問
題点に鑑みてなされたもので、ウェーハ材質を問わずウ
ェーハ全面の測定が可能となり、フォトリソグラフィ工
程でのステッパ使用時との相関が良好で、またウェーハ
チャックの洗浄、メンテナンスが容易であり、さらにウ
ェーハチャック自身の平坦度が測定でき、正確で繰り返
し測定精度が高い、ウェーハ平坦度測定装置及びウェー
ハ平坦度を測定する方法を提供することを主目的とする
ものである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、光プローブを用いたウェーハ平坦度測定
装置であって、該ウェーハ平坦度測定装置のウェーハを
固定する部分が静電チャックであることを特徴とするウ
ェーハ平坦度測定装置である（請求項１）。

【００１２】このように、光プローブを用いたウェーハ
平坦度測定装置のウェーハを固定する部分を静電チャッ
クとすることによって、ウェーハ材質を問わずウェーハ
全面の平坦度の測定が可能となり、フォトリソグラフィ
工程でのステッパ使用時との相関が良好で、またウェー
ハチャックの洗浄、メンテナンスが容易である。そし
て、ウェーハチャック自身の平坦度が把握できるので、
ウェーハ自身の平坦度を正確に、再現性良く測定するこ
とができる。さらに、静電チャックはウェーハ全面を均
一にチャックするので、ウェーハの最外周の反り上がり
もなく、正確で高精度な平坦度の測定が可能な装置とな
る。

【００１３】そしてこの場合、前記静電チャックの材質
がセラミックスであることが好ましい（請求項２）。こ
のように、静電チャックの材質がセラミックスであれ
ば、耐久性が高いものとなり、被測定ウェーハを汚染す
ることもないし、この静電チャックの表面を研磨加工す
ることで測定装置として必要な平坦度も容易に得ること
ができる。

【００１４】また、本発明は、光プローブを用いてウェ
ーハ平坦度を測定する方法において、ウェーハを静電チ
ャックで固定した後、光プローブを用いてウェーハ平坦
度を測定することを特徴とするウェーハ平坦度を測定す
る方法である（請求項３）。

【００１５】このように、ウェーハを静電チャックで固
定することによって、フォトリソグラフィ工程でのステ
ッパ使用時と同様に静電チャックでウェーハを固定して
測定するので、測定結果とステッパ使用時との相関が良
好である。また、ウェーハチャックの平坦度が把握でき
るので、ウェーハ自身の平坦度を正確に、再現性良く測
定することができる。さらに、静電チャックはウェーハ
全面を均一にチャックするので、ウェーハの最外周の反
り上がりもなく、一層正確で高精度な平坦度の測定が可
能となる。また、光プローブを用いることによって、ウ
ェーハ材質を問わずウェーハ全面の平坦度の測定が可能
となる。

【００１６】この場合、ウェーハ平坦度を測定する前
に、前記静電チャックの形状を測定しておき、ウェーハ
平坦度の測定結果から前記静電チャックの形状を補正す
ることが好ましい（請求項４）。作製される静電チャッ
クの形状は固有の形状を有しているため、このようにウ
ェーハ平坦度を測定する前に、前記静電チャックの固有
の形状を測定しておき、ウェーハ平坦度の測定結果から
前記静電チャックの形状を補正すれば、ウェーハ自身の
平坦度を正確に、再現性良く測定することができ、結果
としてウェーハの品質向上を図ることができる。

【００１７】また、この場合、上記方法によって、弾性
表面波デバイス又は擬似弾性表面波デバイス用圧電性単
結晶ウェーハの平坦度を測定することができる（請求項
５）。このように、本発明の測定方法では、弾性表面波
デバイス又は擬似弾性表面波デバイス用圧電性単結晶ウ
ェーハの平坦度を、ウェーハ最外周の反り上がりもな
く、正確に、精度良く全面に亘って測定することができ
る。

【００１８】さらに、本発明では、上記方法によって測
定した平坦度が、ＴＴＶで３μｍ以下であることを特徴
とする弾性表面波デバイス又は擬似弾性表面波デバイス
用圧電性単結晶ウェーハも提供される（請求項６）。こ
のように、上記方法によって測定すれば、ウェーハ自身
の平坦度が正確に、精度良くあらわされるため、その平
坦度がＴＴＶで３μｍ以下の弾性表面波デバイス又は擬
似弾性表面波デバイス用圧電性単結晶ウェーハでは、ウ
ェーハの品質向上、及び良好なデバイス製造歩留りが実
現できる。

【００１９】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を説明
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。本
発明者等は、光プローブを用いたウェーハ平坦度測定装
置及びウェーハ平坦度を測定する方法において、ウェー
ハ本来の平坦度を正確に、精度良く全面に亘って測定す
るために、ウェーハチャック自身の平坦度が把握できる
静電チャックでウェーハを固定すればよいことを見出
し、本発明を完成するに至ったものである。

【００２０】以下、本発明のウェーハ平坦度測定装置及
びウェーハ平坦度を測定する方法を図面に基づいて説明
する。ここで、図１は、本発明のウェーハ平坦度測定装
置の一例を示す概略説明図である。図２は、本発明で採
用した静電チャックの構成の一例を示す縦断面図であ
る。

【００２１】まず、本発明のウェーハ平坦度測定装置に
ついて説明する。測定光学系としては光干渉計、レーザ
変位計等が用いられるが、本発明では斜入射レーザ干渉
方式を使用した。図１に示すように、本発明のウェーハ
平坦度測定装置は、Ｈｅ−Ｎｅレーザ発振器６、ビーム
拡大器７、コヒーレンスリミッタディスク８、光路変換
鏡９、コリメータレンズ１０、プリズム１１、ウェーハ
２を吸着させる静電チャック１、ガルボ１２、フレネル
レンズ１３、及びＣＣＤカメラ１４を具備する。

【００２２】そして、本発明のウェーハ平坦度測定装置
の特徴は、ウェーハを固定する部分が静電チャックであ
ることにある。この静電チャック１は、図２に示すよう
に、単極型の導電体層電極３を絶縁性誘電体層４で被覆
した板状構造を有する。この静電チャック１に外部電源
からリード線５を通して電極３に電圧を印加すると、絶
縁性誘電体層４の上面に置かれた試料、例えばウェーハ
２との間に静電力が発生し、ウェーハは強力に吸着され
る。この時、静電チャックが均一にウェーハの全面に吸
着できるように、静電チャックの有効吸着面の直径はウ
ェーハの直径より大きいものを使用するのが望ましい。

【００２３】静電チャックはウェーハとチャックの間に
静電力を発生させて吸着するものである。その吸着力は
電圧印加により、（１）誘電体を容量とするコンデンサ
を形成して、電極とウェーハの間に反対の電荷を誘起さ
せたいわゆるクーロン力と、（２）ウェーハと誘電体と
の界面の小さなギャップに微小電流が流れ、帯電分極し
て誘起されたいわゆるジョンセン・ラーベック力との２
種類よりなっている（「電子材料」１９９６年、７月
号、１頁〜７頁参照）。本発明では電極に単極型、誘電
体に低抵抗品を使用したが、単極型、低抵抗品は、双極
型、高抵抗品に比べてジョンセン・ラーベック力の効果
により静電吸着力が強く発生し、良好な吸着状態とな
る。

【００２４】この静電チャック１の材質には、シリコン
ゴム等の高分子やアルミナ等のセラミックス等を使用す
ることができるが、中でもセラミックスが好ましい。セ
ラミックスは、耐久性が高いものとなり、被測定ウェー
ハを汚染することもないし、また安価である。使用可能
なセラミックスとしては、アルミナ、窒化アルミニウ
ム、ＰＢＮ、窒化ケイ素、酸化ケイ素、炭化ケイ素等が
挙げられる。

【００２５】絶縁性誘電体層４は、導電体層電極３の両
面、又は導電体層電極３の両面と側面を被覆するか、あ
るいは同時に焼結して一体化するもので、セラミックス
焼結体又は溶射セラミックス等を使用することができ
る。また、絶縁性誘電体層４は静電吸着面となるため、
吸着するウェーハ等の試料に対して不純物とならないも
のが望ましい。

【００２６】また、導電体層電極３の材料としては、ア
ルミニウム、鉄、銅、銀、金、チタン、タングステン、
モリブデン、白金等の金属、グラファイト、カーボン、
炭化ケイ素、窒化チタン、炭化チタン等の導電性セラミ
ックス等を使用することができるが、熱膨張係数が絶縁
性誘電体層４にできるだけ近似しているものが望まし
い。また、電極の形式は、本発明では、被吸着体に一方
の電極を、絶縁性誘電体層４にもう片方の電極を形成し
た単極型を使用したが、絶縁性誘電体層４に二つの電極
を形成した双極型としてもよい。

【００２７】静電チャック１に静電力を発生させるため
には電極３に電圧を印加する必要があるため、電極３を
被覆する絶縁性誘電体層４の一部に電極３に通じる孔を
設け、外部電源から電極３にリード線を配している。こ
の電極３の材質が銅、白金、ニッケルメッキや金メッキ
を施したタングステン等のように半田付けが可能な場合
には、静電チャック使用温度以上の融点を持つ半田によ
って電極３にリード線５を半田付けする。また、この電
極３の材質がグラファイト、タングステン、窒化チタン
等のように半田付けが不可能な場合には、セラミックス
の熱膨張係数に合致した合金等でネジ付きピンを孔に通
して電極３に銀ロウ付けする。

【００２８】この静電チャックは、真空ピンチャックと
異なり全面が確実に基準面となると同時に平坦であるこ
とから、真空ピンチャックでは測定できなかったチャッ
ク自身の平坦度が測定できる。また、静電チャックはウ
ェーハの全面吸着が可能なことから、ウェーハの最外周
の反り上がりもなく、正確で高精度な平坦度の測定が可
能となる。

【００２９】次に、本発明では、上記したウェーハ平坦
度測定装置を用いて、以下のようにウェーハ平坦度を測
定する。まず、Ｈｅ−Ｎｅレーザ発振器６から発したレ
ーザ光は、ビーム拡大器７、コヒーレンスリミッタディ
スク８、光路変換鏡９、コリメータレンズ１０を経て、
プリズム面と静電チャック１上のウェーハ２の表面から
の反射光との干渉により干渉縞を作る。

【００３０】次いで、ガルボ１２を用いてレーザ光の入
射角を僅かに振ることで、この干渉縞をスキャンさせ
る。そして、この干渉縞のスキャンをフレネルレンズ１
３等を経てＣＣＤカメラ１４で捉え、画像ボード上の各
セルの信号を独自のアルゴリズムによって処理する。こ
こで、各ピクセルからの信号については正弦波状である
ため、各信号の位相差を比較することにより、高精度で
の平坦度測定が可能となる。

【００３１】ここで、ウェーハ平坦度を測定する前に、
静電チャックの表面形状を測定しておき、ウェーハ平坦
度の測定結果から静電チャックの固有の形状を補正する
ことにより、加工形状の異なる静電チャックであっても
ウェーハ自身の平坦度の正確な測定が可能となり、繰り
返し再現性の向上を図ることができる。

【００３２】また、本発明の方法によれば、ウェーハ自
身の平坦度が正確に、精度良く全面に亘って測定できる
ため、上記方法で弾性表面波デバイス又は擬似弾性表面
波デバイス用圧電性単結晶ウェーハの平坦度を測定する
ことにより、良好なデバイス製造が可能なウェーハを見
出すことができ、結果として高い生産性及び歩留りが実
現できる。

【００３３】すなわち、上記方法によって測定した平坦
度がＴＴＶで３μｍ以下、好ましくはＴＴＶで２μｍ以
下の弾性表面波デバイス又は擬似弾性表面波デバイス用
圧電性単結晶ウェーハは、確実に高平坦度を有し、フォ
トリソグラフィ工程における平坦度とも一致するので、
その製造歩留りの向上を確実に図ることができる。尚、
ＴＴＶ（ＴｏｔａｌＴｈｉｃｋｎｅｓｓＶａｒｉａ
ｔｉｏｎ）とは、図４に示すように、ウェーハ裏面を基
準としてウェーハ表面の最高点から最低点までの距離を
表わすものであり、この場合、ウェーハ表面の傾き補正
は行われない。

【００３４】本発明のウェーハ平坦度測定装置及びウェ
ーハ平坦度を測定する方法が適用されるウェーハとして
は、シリコンウェーハはもとより、ＧａＡｓ、ＧａＰ、
ＩｎＰ等の半導体ウェーハ、あるいはタンタル酸リチウ
ム、ニオブ酸リチウム、水晶、四ホウ酸リチウム、ラン
ガサイト等の弾性表面波デバイス又は擬似弾性表面波デ
バイス用圧電性単結晶ウェーハが挙げられる。

【００３５】

【実施例】以下、本発明の実施例及び比較例を示す。測
定光学系としては斜入射レーザ干渉方式である、ＴＲＯ
ＰＥＬ社製、ＳｕｐｅｒＳｅｌｅｃｔを用いた。これに
図２に示したような単極型で、絶縁性誘電体層として低
抵抗アルミナを用いた静電チャックを作製し、図１に示
したウェーハ平坦度測定装置に取り付けた。この静電チ
ャックは、直径１００ｍｍのウェーハを均一に吸着でき
るように、有効吸着面の直径が１２０ｍｍとなってい
る。

【００３６】この静電チャックの表面形状を測定光学系
で最初に測定しておき、後のウェーハ測定結果から静電
チャック固有の形状が補正されてウェーハ形状は出力さ
れた。以下の測定では直流電圧１ｋＶを印加し、ウェー
ハをチャックした。また、使用したウェーハは、シリコ
ンウェーハ（直径１００ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ、方位＜
１００＞）、及びタンタル酸リチウムウェーハ（直径１
００ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ、３６°Ｙカット）である。

【００３７】（実施例１、比較例１）＜シリコンウェーハとタンタル酸リチウムウェーハ＞シ
リコンウェーハ及びタンタル酸リチウムウェーハを各１
枚用意した。本発明の静電チャックでウェーハを固定し
て光プローブを用いた装置で各ウェーハを測定したとこ
ろ、シリコンウェーハ及びタンタル酸リチウムウェーハ
のウェーハ全面を測定することができた。比較例１とし
て、静電容量方式の装置（ＡＤ−Ｅ社製）で各ウェーハ
を測定したところ、タンタル酸リチウムウェーハは測定
できなかった。また、シリコンウェーハの外周から１ｍ
ｍの部分も測定できなかった。

【００３８】（実施例２、比較例２）＜ステッパ使用時との相関＞本発明の装置で測定したＴ
ＴＶ１μｍ以下のシリコンウェーハ５枚と、比較例２と
して静電容量方式の装置で測定したＴＴＶ１μｍ以下の
シリコンウェーハ５枚を用意した。各ウェーハに線幅
０．３μｍのラインアンドスペースのマスクを使用して
ステッパにて５ｍｍ×５ｍｍのサイトで露光し、各ウェ
ーハに形成されたパターン線幅の最大値と最小値の差を
評価した。本発明の装置で測定したＴＴＶ１μｍ以下の
シリコンウェーハ５枚の最大値と最小値の差は０．０２
μｍ、静電容量方式の装置で測定したＴＴＶ１μｍ以下
のシリコンウェーハ５枚の最大値と最小値の差は、０．
０６μｍであった。

【００３９】（実施例３、比較例３）＜繰り返し精度、作業性＞本発明の装置、及び比較例３
として測定光学系は同一でウェーハの保持を真空ピンチ
ャックとした装置で、同一のタンタル酸リチウムウェー
ハを３０回測定し、ＴＴＶの標準偏差を評価した。本発
明の装置での標準偏差は０．００６μｍ、真空ピンチャ
ックの場合の標準偏差は０．０１１μｍであった。ま
た、本発明の装置では異物が付着しても容易に除去でき
るが、真空ピンチャックの場合は除去に３倍の時間を要
した。

【００４０】（実施例４、比較例４）＜擬似弾性表面波デバイスの作製＞本発明の装置、及び
比較例４として測定光学系は同一でウェーハの保持を真
空ピンチャックとした装置で、加工後のタンタル酸リチ
ウムウェーハを測定した。各々の装置でＴＴＶ２μｍ以
下のウェーハを５枚ずつ用意し、１ポート共振器を１枚
のウェーハから５０個作製した。作製した各２５０個の
１ポート共振器の中心周波数をネットワークアナライザ
により測定し、中心周波数の標準偏差として最大値と最
小値の差を評価した。その結果、本発明の装置での標準
偏差は５４ｐｐｍ、真空ピンチャックの場合の標準偏差
は３５５ｐｐｍであった。

【００４１】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明
の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同
一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いか
なるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

【００４２】例えば、上記で説明したウェーハ平坦度測
定装置では、測定光学系としては斜入射レーザ干渉方式
を使用したが、光プローブを用いた光学系であってウェ
ーハの固定に静電チャックを使用するもので、いずれの
光学系を用いてもよい。また、本発明の装置では、セラ
ミックス製の静電チャックを用いたが、シリコンゴム等
の高分子系やセラミックスと高分子の両者を融合させた
もの等を使用してもよい。

【００４３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ウェーハ材質を問わずウェーハ全面の測定が可能とな
り、フォトリソグラフィ工程でのステッパ使用時との相
関が良好で、またウェーハチャックの洗浄、メンテナン
スが容易である。さらに、ウェーハチャック自身の平坦
度が測定でき、ウェーハ全面を均一にチャックすること
ができるので、外周の反り上がりもない。従って、ウェ
ーハの平坦度を正確に、再現性良く測定することができ
る。

【００４４】また、本発明のウェーハ平坦度測定装置で
測定されたウェーハ、特に弾性表面波デバイス又は擬似
弾性表面波デバイス用圧電性単結晶ウェーハはウェーハ
自身の平坦度が正確にあらわされるため、良好なデバイ
ス製造歩留りが実現できると共に、安価に高品質の弾性
表面波デバイス又は擬似弾性表面波デバイス用圧電性単
結晶ウェーハを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のウェーハ平坦度測定装置の一例を示す
概略説明図である。

【図２】本発明で採用した静電チャックの構成の一例を
示す縦断面図である。

【図３】理想平面と実際の真空ピンチャックの吸着状態
の一例を示す概略説明図である。

【図４】ＴＴＶを表わす概略説明図である。

【符号の説明】

１…静電チャック、２…ウェーハ、３…導電体層電
極、４…絶縁性誘電体層、５…リード線、６…Ｈｅ
−Ｎｅレーザ発振器、７…ビーム拡大器、８…コヒー
レンスリミッタディスク、９…光路変換鏡、１０…コ
リメータレンズ、１１…プリズム、１２…ガルボ、
１３…フレネルレンズ、１４…ＣＣＤカメラ。

フロントページの続きＦターム(参考） 2F065 AA47 BB03 CC19 EE00 FF52 GG05 HH12 JJ03 JJ26 LL09 LL10 LL46 PP11 2F069 AA54 BB15 DD25 GG07 MM02 RR03 4M106 AA01 BA05 CA24 DH01 DH32 DJ19 5J097 AA32 AA36 GG03 HA01 HB08 KK09

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光プローブを用いたウェーハ平坦度測定
装置であって、該ウェーハ平坦度測定装置のウェーハを
固定する部分が静電チャックであることを特徴とするウ
ェーハ平坦度測定装置。
【請求項２】前記静電チャックの材質がセラミックス
であることを特徴とする請求項１に記載したウェーハ平
坦度測定装置。
【請求項３】光プローブを用いてウェーハ平坦度を測
定する方法において、ウェーハを静電チャックで固定し
た後、光プローブを用いてウェーハ平坦度を測定するこ
とを特徴とするウェーハ平坦度を測定する方法。
【請求項４】ウェーハ平坦度を測定する前に、前記静
電チャックの形状を測定しておき、ウェーハ平坦度の測
定結果から前記静電チャックの形状を補正することを特
徴とする請求項３に記載したウェーハ平坦度を測定する
方法。
【請求項５】請求項３又は請求項４に記載した方法に
よって、弾性表面波デバイス又は擬似弾性表面波デバイ
ス用圧電性単結晶ウェーハの平坦度を測定することを特
徴とするウェーハ平坦度を測定する方法。
【請求項６】請求項３乃至請求項５のいずれか１項に
記載した方法によって測定した平坦度が、ＴＴＶで３μ
ｍ以下であることを特徴とする弾性表面波デバイス又は
擬似弾性表面波デバイス用圧電性単結晶ウェーハ。