EP2255390A1 - Verfahren zur herstellung einer siliziumoberfläche mit pyramidaler textur - Google Patents

Verfahren zur herstellung einer siliziumoberfläche mit pyramidaler textur

Info

Publication number
EP2255390A1
EP2255390A1 EP09718901A EP09718901A EP2255390A1 EP 2255390 A1 EP2255390 A1 EP 2255390A1 EP 09718901 A EP09718901 A EP 09718901A EP 09718901 A EP09718901 A EP 09718901A EP 2255390 A1 EP2255390 A1 EP 2255390A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
ozone
etching solution
silicon
silicon surface
treatment
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
EP09718901A
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Jürgen Schweckendiek
Ahmed Abdelbar Eljaouhari
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rena GmbH
Original Assignee
Rena GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=40719992&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=EP2255390(A1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Rena GmbH filed Critical Rena GmbH
Publication of EP2255390A1 publication Critical patent/EP2255390A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • H01L21/30608—Anisotropic liquid etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0236—Special surface textures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0236—Special surface textures
    • H01L31/02363—Special surface textures of the semiconductor body itself, e.g. textured active layers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Definitions

  • the invention relates to a method for producing a silicon surface with pyramidal texture according to the preamble of claim 1.
  • Another possibility is to carry out the further etching step using oxidizing acids. Even such a further etching step causes additional effort. Apart from that, too, different qualities of the sawn silicon wafers can not be sufficiently compensated for. Another disadvantage is that in this case, highly concentrated oxidizing acids must be used, the handling of which is dangerous.
  • the object of the present invention is to eliminate the disadvantages of the prior art.
  • a method for producing a silicon surface with a pyramidal texture is to be specified, which is as simple and inexpensive to carry out.
  • silicon surfaces having a predetermined pyramidal texture can thus be produced without a change in the composition and / or concentration of the etching solution.
  • the silicon surface in a process for producing a silicon surface having a pyramidal texture, is treated with ozone before contacting with the etching solution.
  • Silicon surfaces treated in this way exhibit a particularly homogeneous pyramidal texture even with a different quality after a subsequent treatment with an etching solution. Ie. the pyramids thus produced on the silicon surface have a relatively narrow size distribution.
  • the proposed method can be carried out easily and inexpensively.
  • the term "quality" is understood in particular to mean a chemical surface quality of the silicon wafers.
  • the different chemical surface properties of silicon wafers result from the use of different liquids used in sawing. As liquids can z. As oil or glycol can be used. Depending on the type of liquid used, the sawn silicon wafers are subsequently cleaned differently.
  • the silicon surface may therefore differ in its quality in particular in that it is hydrophobic or hydrophilic, or that residues of a preceding cleaning step adhere thereto.
  • the silicon surface is treated in the gas phase with ozone.
  • ozone concentration in the gas phase is greater than 20 g / m 3 .
  • the gas phase may expediently have an air humidity of 60 to 95%, preferably 75 to 85%.
  • the silicon surface with an ozone-containing gas phase, or an ozone-containing liquid is acted upon, it has proved advantageous to use the treatment at a temperature ranging from 15 ° C to 60 0 C, preferably 20 0 C to 40 0 C. perform.
  • the treatment is conveniently carried out for a period of 15 seconds to 60 minutes, preferably 3 to 40 minutes. In general, it has been shown that a treatment time in the range of 3 to 10 minutes already leads to very good results.
  • the treatment with ozone according to the invention takes place after the production of the silicon wafer by means of sawing.
  • the silicon wafers are cut in a conventional manner parallel to the ⁇ 100> surface.
  • the silicon wafers produced by means of sawing can be wet-cleaned before the treatment according to the invention with ozone. This step serves to remove any scraper residues adhering to the silicon surface.
  • the treatment with ozone takes place in this case after wet cleaning.
  • the ozone-treated silicon wafers can subsequently be dried and packaged. Ie. they form an intermediate product ready for sale, which is subsequently treated with the etching solution at the customer according to its specific requirements for the production of the pyramidal texture.
  • the treatment step according to the invention with ozone is carried out starting from supplied silicon wafers in a continuous, quasi-continuous or in a batch process together with the etching step.
  • a tank for receiving the etching solution upstream of another basin for receiving ozone-added deionized water can be provided in an etching and cleaning line.
  • a z. B. be provided with a lid closable container in which the silicon wafer are brought into contact with an ozone-containing gas phase.
  • the etching solution may contain KOH or NaOH as an ingredient.
  • one or more alcohols preferably isopropanol, may be added to the etching solution.
  • the temperature of the etching solution is suitably in the range 70 0 C to 90 0 C.
  • the etching time depending on the desired size of the to be produced on the silicon surface pyramids in the range between 5 minutes and 20 minutes. Exemplary embodiments are explained in more detail below:
  • a carrier containing 100 silicon wafers is placed in a container.
  • the container is closed with a lid.
  • a humidity in the container is adjusted by introducing steam into a value in the range of 85 to 95% relative humidity.
  • the water vapor can also be generated in the container.
  • an ozone concentration of 20 to 40 g / m 3 is set in the container by supplying ozone.
  • the SiIi zium wafers are applied for about 15 minutes with the aforementioned gas phase.
  • the interior of the container is purged with nitrogen or oxygen.
  • the lid is opened and the silicon wafers accommodated in the carrier are subsequently immersed in an etching solution to produce the pyramidal texture without further intermediate steps.
  • a carrier containing 100 silicon wafers is submerged in a tank filled with deionized water.
  • the deionized water is added ozone in a concentration of about 10 ppm.
  • the water temperature is 25 ° C to 30 0 C.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Siliziumoberfläche mit pyramidaler Textur, bei dem ein die Siliziumoberfläche aufweisender Silizium-Wafer in eine Ätzlösung getaucht wird. Zur Erzeugung einer möglichst homogenen pyramidalen Textur wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, dass die Siliziumoberfläche vor dem Inkontaktbringen mit der Ätzlösung mit Ozon behandelt wird.

Description

Beschreibung
Verfahren zur Herstellung einer Siliziumoberfläche mit pyramidaler Textur
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Siliziumoberfläche mit pyramidaler Textur nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Ein solches Verfahren ist beispielsweise aus der EP 0 944 114 Bl bekannt. Zur Herstellung einer Siliziumoberfläche mit pyramidaler Textur bei Solarzellen wird vorgeschlagen, dass ein in einer Ätzlösung enthaltener Isopropanolanteil größer als ein Ethylenglykolanteil ist. Damit soll eine vorgegebene Py- ramidengrößenverteilung innerhalb einer gewissen Streuung einstellbar sein.
In der Praxis hat es sich allerdings gezeigt, dass bei Verwendung ein und derselben Ätzlösung je nach Qualität der zu bearbeitenden Siliziumoberfläche sich unterschiedliche Pyra- midengrößenverteilung ergeben. Zur Herstellung einer einheitlichen Pyramidengrößenverteilung ist es in der Praxis notwendig, die Rezeptur der Ätzlösung an die Qualität der jeweils zu bearbeitenden Siliziumoberfläche anzupassen. Neben einer Änderung der Rezeptur müssen u. U. auch die Ätzdauer und die
Temperatur variiert werden. Die Einstellung geeigneter Parameter zur Herstellung einer gewünschten Pyramidengrößenver- teilung ist mitunter langwierig und aufwendig.
Ein weiterer Nachteil herkömmlicher Verfahren zur Herstellung einer pyramidalen Textur auf einer Siliziumoberfläche besteht darin, dass an der Siliziumoberfläche anhaftende Verunreinigungen unerwünschte Texturänderungen verursachen. Derartige Texturänderungen führen zu einer visuell unregelmäßig erscheinenden Siliziumoberfläche. Eine solche Silizium- oberflache wird als mangelhaft angesehen.
Um den vorgenannten Nachteilen entgegenzuwirken ist es nach dem Stand der Technik auch bekannt, dem zur Herstellung der pyramidalen Textur erforderlichen Schritt der Behandlung mit einer alkalischen Ätzlösung einen weiteren Ätzschritt vorzuschalten. Dabei wird der gesägte Silizium-Wafer zunächst mit einer hochkonzentrierten alkalischen Lösung geätzt. Ein solcher vorgeschalteter weiterer Ätzschritt erfordert einen zusätzlichen Aufwand. Abgesehen davon können damit Unterschiede in der Qualität der gesägten Silizium-Wafer nicht immer vollständig kompensiert werden.
Eine weitere Möglichkeit besteht darin, den weiteren Ätzschritt unter Verwendung oxidierender Säuren durchzuführen. Auch ein solcher weiterer Ätzschritt verursacht zusätzlichen Aufwand. Abgesehen davon können auch damit unterschiedliche Qualitäten der gesägten Silizium-Wafer nicht ausreichend kompensiert werden. Ein weiterer Nachteil besteht darin, dass in diesem Fall hochkonzentrierte oxidierende Säuren verwendet werden müssen, deren Handhabung gefährlich ist.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, die Nachteile nach dem Stand der Technik zu beseitigen. Es soll insbesondere ein Verfahren zur Herstellung einer Siliziumoberfläche mit pyramidaler Textur angegeben werden, welches möglichst einfach und kostengünstig durchführbar ist. Nach einem weiteren Ziel der Erfindung sollen damit unabhängig von der Qualität der Silizium-Wafer ohne eine Änderung der Zusammensetzung und/oder Konzentration der Ätzlösung Siliziumoberflächen mit einer vorgegebenen pyramidalen Textur hergestellt werden können. Diese Aufgabe wird durch die Merkmale des Anspruchs 1 gelöst. Zweckmäßige Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den Merkmalen der Ansprüche 2 bis 14.
Nach Maßgabe der Erfindung wird bei einem Verfahren zur Herstellung einer Siliziumoberfläche mit pyramidaler Textur die Siliziumoberfläche vor dem Inkontaktbringen mit der Ätzlösung mit Ozon behandelt. Derart behandelte Siliziumoberflächen zeigen auch bei einer unterschiedlichen Qualität nach einer nachfolgenden Behandlung mit einer Ätzlösung eine besonders homogene pyramidale Textur. D. h. die auf der Siliziumoberfläche derart hergestellten Pyramiden weisen eine relativ enge Größenverteilung auf. Es ist insbesondere nicht erforderlich, in Abhängigkeit der Qualität der zu behandelnden Silizium- Wafer eine Zusammensetzung der Ätzlösung oder weitere Parameter, wie die Temperatur oder die Ätzdauer, zu ändern. Das vorgeschlagene Verfahren lässt sich einfach und kostengünstig durchführen.
Unter dem Begriff "Qualität" wird insbesondere eine chemische Oberflächenbeschaffenheit der Silizium-Wafer verstanden. Die unterschiedliche chemische Oberflächenbeschaffenheit des Si- lizium-Wafer ergibt sich aus der Verwendung unterschiedlicher beim Sägen verwendeter Flüssigkeiten. Als Flüssigkeiten kön- nen z. B. Öl oder auch Glykol verwendet werden. Je nach Art der verwendeten Flüssigkeit werden die gesägten Silizium- Wafer nachfolgend unterschiedlich gereinigt. Die Siliziumoberfläche kann sich in ihrer Qualität also insbesondere darin unterscheiden, dass sie hydrophob oder hydrophil ist, oder dass daran Rückstände eines vorangegangenen Reinigungsschritts anhaften.
Nach einer besonders vorteilhaften Gestaltung wird die Siliziumoberfläche in der Gasphase mit Ozon behandelt. Ein sol- eher Behandlungsschritt kann schnell und einfach durchgeführt werden. Ein nachfolgende Trocknung der Siliziumoberfläche ist nicht erforderlich. Es hat sich hier als vorteilhaft erwiesen, dass die Ozonkonzentration in der Gasphase größer 20 g/m3 ist. Die Gasphase kann zweckmäßigerweise eine Luft- feuchtigkeit von 60 bis 95 %, vorzugsweise 75 bis 85 %, aufweisen.
Nach einer alternativen Ausgestaltung ist es aber auch möglich, den Silizium-Wafer zur Behandlung mit Ozon in deioni- siertes Wasser zu tauchen, dem Ozon in einer Konzentration von mehr als 1 ppm, vorzugsweise 3 bis 50 ppm, zugesetzt ist.
Unabhängig davon, ob die Siliziumoberfläche mit einer ozonhaltigen Gasphase oder eine ozonhaltigen Flüssigkeit beauf- schlagt wird, hat es sich als vorteilhaft erwiesen, die Behandlung bei einer Temperatur im Bereich von 15°C bis 600C, vorzugsweise 200C bis 400C durchzuführen. Die Behandlung wird zweckmäßigerweise für eine Zeitdauer von 15 Sekunden bis 60 Minuten, vorzugsweise 3 bis 40 Minuten, durchgeführt. Im AlI- gemeinen hat es sich gezeigt, dass eine Behandlungsdauer im Bereich von 3 bis 10 Minuten bereits zu sehr guten Ergebnissen führt.
Nach einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung erfolgt die erfindungsgemäße Behandlung mit Ozon nach der Herstellung der Silizium-Wafer mittels Sägen. Dabei werden die Silizium-Wafer in herkömmlicher Weise parallel zur <100>-Fläche geschnitten. Die mittels Sägen hergestellten Silizium-Wafer können vor der erfindungsgemäßen Behandlung mit Ozon nass gereinigt werden. Dieser Schritt dient der Entfernung eventuell an der Siliziumoberfläche anhaftender Sägerückstände. Die Behandlung mit Ozon erfolgt in diesem Fall nach der Nassreinigung. Es ist aber auch denkbar, den vorgenannten Nassreinigungsschritt mit dem erfindungsgemäßen Behandlungsschritt mit Ozon zu kombi- nieren. In diesem Fall würde die Nassreinigung also mit einer wässrigen Flüssigkeit erfolgen, welcher Ozon zugesetzt ist.
Die mit Ozon behandelten Silizium-Wafer können nachfolgend getrocknet und verpackt werden. D. h. sie bilden ein verkaufs fertiges Zwischenprodukt, welches nachfolgend beim Kunden entsprechend dessen spezifischen Anforderungen zur Herstellung der pyramidalen Textur mit der Ätzlösung behandelt wird.
Andererseits wird es in vielen Fällen allerdings so sein, dass der erfindungsgemäße Behandlungsschritt mit Ozon ausgehend von gelieferten Silizium-Wafern in einem kontinuierlichen, quasikontinuierlichen oder in einem Batch-Verfahren zu- sammen mit dem Ätzschritt durchgeführt wird. Dabei kann in einer Ätz- und Reinigungslinie einem Becken zur Aufnahme der Ätzlösung stromaufwärts ein weiteres Becken zur Aufnahme von mit Ozon versetztem deionisiertem Wasser vorgesehen sein. Alternativ kann auch ein z. B. mit einem Deckel verschließbarer Behälter vorgesehen sein, in dem die Silizium-Wafer mit einer Ozon-haltigen Gasphase in Kontakt gebracht werden. Dazu ist es beispielsweise möglich, die zu behandelnden Siliziumoberflächen mit Ozon und Wasserdampf zu beaufschlagen oder mit Ozon-haltigem Wasserdampf anzublasen.
Die derart mit Ozon behandelten Silizium-Wafer werden nachfolgend in herkömmlicher Weise beispielsweise in eine alkalische Ätzlösung getaucht. Dabei kann die Ätzlösung als Bestandteil KOH oder NaOH enthalten. Ferner können der Ätzlö- sung ein oder mehrere Alkohole, vorzugsweise Isopropanol, zugesetzt sein. Die Temperatur der Ätzlösung beträgt zweckmäßigerweise im Bereich von 700C bis 900C. Die Ätzzeit beträgt je nach gewünschter Größe der auf der Siliziumoberfläche herzustellenden Pyramiden im Bereich zwischen 5 Minuten und 20 Mi- nuten. Nachfolgend werden Ausführungsbeispiele näher erläutert:
Beispiel 1 :
Ein Carrier, in dem 100 Silizium-Wafer aufgenommen sind, wird in einen Behälter gestellt. Der Behälter wird mit einem Deckel verschlossen. Anschließend wird eine Luftfeuchtigkeit im Behälter durch Einleiten von Wasserdampf auf einen Wert im Bereich von 85 bis 95 % relative Luftfeuchte eingestellt. Alternativ kann der Wasserdampf auch im Behälter erzeugt werden. Ferner wird im Behälter durch Zuführen von Ozon eine Ozonkonzentration von 20 bis 40 g/m3 eingestellt. Die SiIi- zium-Wafer werden etwa 15 Minuten mit der vorgenannten Gas- phase beaufschlagt. Anschließend wird der Innenraum des Behälters mit Stickstoff oder Sauerstoff gespült. Der Deckel wird geöffnet und die im Carrier aufgenommenen Silizium-Wafer werden nachfolgend - ohne weitere Zwischenschritte - zur Herstellung der pyramidalen Textur in eine Ätzlösung ge- taucht.
Beispiel 2 :
Ein Carrier, in dem 100 Silizium-Wafer aufgenommen sind, wird in ein Becken untergetaucht, welches mit deionisiertem Wasser gefüllt ist. Dem deionisiertem Wasser ist Ozon in einer Konzentration von etwa 10 ppm zugesetzt. Die Temperatur des Wassers beträgt 25°C bis 300C. Nach einer Behandlungsdauer von 10 Minuten wird der Carrier aus dem Behandlungsbad herausge- hoben und - ohne weitere Zwischenschritte - zur Herstellung einer pyramidalen Textur in eine Ätzlösung getaucht.

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zur Herstellung einer Siliziumoberfläche mit pyramidaler Textur, bei dem ein die Siliziumoberfläche auf- weisender Silizium-Wafer in eine Ätzlösung getaucht wird,
dadurch gekennzeichnet, dass
die Siliziumoberfläche vor dem Inkontaktbringen mit der Ätz- lösung mit Ozon behandelt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Siliziumoberfläche in der Gasphase mit Ozon behandelt wird.
3. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Ozonkonzentration in der Gasphase > 20 g/m3 ist.
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Gasphase eine Luftfeuchtigkeit von 60 bis 95 %, vorzugs- weise 75 bis 85 %, aufweist.
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Silizium-Wafer zur Behandlung mit Ozon in deionisiertes Wasser getaucht wird, dem Ozon in einer Konzentration vom mehr als 1 ppm, vorzugsweise 3 bis 50 ppm, zugesetzt ist.
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Behandlung bei einer Temperatur im Bereich von 150C bis 600C, vorzugsweise 200C bis 400C, durchgeführt wird.
7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Behandlung für eine Zeitdauer von 15 Sekunden bis 60 Minuten, vorzugsweise 3 bis 40 Minuten, durchgeführt wird.
8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Behandlung mit Ozon nach der Herstellung der Silizium- Wafer mittels Sägen erfolgt.
9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Silizium-Wafer nach dem Sägen nass gereinigt werden.
10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Behandlung mit Ozon nach der Nassreinigung erfolgt.
11. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die mit Ozon behandelten Silizium-Wafer getrocknet und verpackt werden.
12. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Ätzlösung eine alkalische Ätzlösung ist.
13. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Ätzlösung als Hauptbestandteil KOH oder NaOH enthält.
14. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Ätzlösung Alkohol, vorzugsweise Isopropanol, enthält.
EP09718901A 2008-03-14 2009-03-12 Verfahren zur herstellung einer siliziumoberfläche mit pyramidaler textur Withdrawn EP2255390A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102008014166A DE102008014166B3 (de) 2008-03-14 2008-03-14 Verfahren zur Herstellung einer Siliziumoberfläche mit pyramidaler Textur
PCT/EP2009/001784 WO2009112261A1 (de) 2008-03-14 2009-03-12 Verfahren zur herstellung einer siliziumoberfläche mit pyramidaler textur

Publications (1)

Publication Number Publication Date
EP2255390A1 true EP2255390A1 (de) 2010-12-01

Family

ID=40719992

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP09718901A Withdrawn EP2255390A1 (de) 2008-03-14 2009-03-12 Verfahren zur herstellung einer siliziumoberfläche mit pyramidaler textur

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20110045673A1 (de)
EP (1) EP2255390A1 (de)
KR (1) KR101153200B1 (de)
CN (1) CN101965642B (de)
DE (1) DE102008014166B3 (de)
MY (1) MY151555A (de)
TW (1) TWI430354B (de)
WO (1) WO2009112261A1 (de)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130247967A1 (en) * 2012-03-23 2013-09-26 Scott Harrington Gaseous ozone (o3) treatment for solar cell fabrication
DE102014001363B3 (de) 2014-01-31 2015-04-09 Technische Universität Bergakademie Freiberg Verfahren zur Erzeugung von Texturen oder von Polituren auf der Oberfläche von monokristallinen Siliciumwafern
US9837259B2 (en) 2014-08-29 2017-12-05 Sunpower Corporation Sequential etching treatment for solar cell fabrication
DE102016105866B3 (de) 2016-03-31 2017-07-06 Technische Universität Bergakademie Freiberg Siliziumwafer, Verfahren zum Strukturieren eines Siliziumwafers und Solarzelle
DE102017114097A1 (de) 2017-06-26 2018-12-27 Technische Universität Bergakademie Freiberg Verfahren zum Strukturieren eines diamantdrahtgesägten, multikristallinen Siliziumwafers und Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle
CN107675263A (zh) * 2017-09-15 2018-02-09 东方环晟光伏（江苏）有限公司 单晶硅金字塔结构绒面的优化方法
EP3739637A1 (de) 2019-05-15 2020-11-18 Meyer Burger (Germany) GmbH Verfahren zur herstellung texturierter solarwafer
DE102019133386A1 (de) 2019-12-06 2021-06-10 Hanwha Q Cells Gmbh Verfahren zur Behandlung eines Halbleiterwafers
DE102022122705A1 (de) 2022-09-07 2024-03-07 Technische Universität Bergakademie Freiberg, Körperschaft des öffentlichen Rechts Verfahren zur Erzeugung von Texturen, Strukturen oder von Polituren auf der Oberfläche von Silizium

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4137123A (en) * 1975-12-31 1979-01-30 Motorola, Inc. Texture etching of silicon: method
DE3375820D1 (en) * 1982-12-31 1988-04-07 Beaupere Sarl All-purpose table for measuring internal and external dimensions
US5181985A (en) * 1988-06-01 1993-01-26 Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fur Elektronik-Grundstoffe Mbh Process for the wet-chemical surface treatment of semiconductor wafers
US4918030A (en) * 1989-03-31 1990-04-17 Electric Power Research Institute Method of forming light-trapping surface for photovoltaic cell and resulting structure
ES2068304T3 (es) * 1990-09-28 1995-04-16 Siemens Solar Gmbh Mordentado estructural quimico-humedo de silicio.
JP3274389B2 (ja) * 1996-08-12 2002-04-15 株式会社東芝 半導体基板の洗浄方法
US7404863B2 (en) * 1997-05-09 2008-07-29 Semitool, Inc. Methods of thinning a silicon wafer using HF and ozone
DE19811878C2 (de) * 1998-03-18 2002-09-19 Siemens Solar Gmbh Verfahren und Ätzlösung zum naßchemischen pyramidalen Texturätzen von Siliziumoberflächen
US6230720B1 (en) * 1999-08-16 2001-05-15 Memc Electronic Materials, Inc. Single-operation method of cleaning semiconductors after final polishing
EP1132951A1 (de) * 2000-03-10 2001-09-12 Lucent Technologies Inc. Verfahren zur Reinigung von Silizium vor der Gate Oxidierung
US6867150B2 (en) * 2002-03-18 2005-03-15 Sumitomo Precision Products Co., Ltd. Ozone treatment method and ozone treatment apparatus
JP2004228475A (ja) * 2003-01-27 2004-08-12 Renesas Technology Corp 半導体ウェハの処理装置およびその処理装置を用いた写真製版工程を有する半導体装置の製造方法
JP4424039B2 (ja) * 2004-04-02 2010-03-03 株式会社Ｓｕｍｃｏ 半導体ウェーハの製造方法
RU2340979C1 (ru) * 2004-10-28 2008-12-10 Мимасу Семикондактор Индастри Ко., Лтд Способ производства полупроводниковой подложки, полупроводниковая подложка для солнечных установок и раствор для травления

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See references of WO2009112261A1 *

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100138998A (ko) 2010-12-31
TWI430354B (zh) 2014-03-11
TW200939336A (en) 2009-09-16
KR101153200B1 (ko) 2012-06-18
DE102008014166B3 (de) 2009-11-26
CN101965642A (zh) 2011-02-02
CN101965642B (zh) 2013-09-25
WO2009112261A1 (de) 2009-09-17
MY151555A (en) 2014-06-13
US20110045673A1 (en) 2011-02-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2255390A1 (de) Verfahren zur herstellung einer siliziumoberfläche mit pyramidaler textur
DE60304389T2 (de) Prozess und Zusammensetzung für Rückstandentfernung von der Mikrostruktur eines Objekts
DE60212937T2 (de) Verfahren zum Entfernen von Rückständen von der Mikrostruktur eines Objektes
WO2009071333A2 (de) Textur- und reinigungsmedium zur oberflächenbehandlung von wafern und dessen verwendung
EP2335275B1 (de) Verfahren zur chemischen behandlung eines substrats
EP1733421A2 (de) Wässrige lösung zur entfernung von post-etch residue
DE2848691A1 (de) Verfahren und gas zur behandlung von halbleiter-bauelementen
DE19806406C1 (de) Verfahren zum Rauhätzen einer Halbleiter-Oberfläche
EP3055401B1 (de) Verwendung von mehrphasensflüssigkeiten zur vernetzten fotoresist-stripping
WO2008022671A1 (de) Verfahren zum texturieren von siliziumwafern zur herstellung von solarzellen
DE112010003101B4 (de) Verfahren zur Oberflächenbehandlung eines Wafers
DE69933025T2 (de) Reinigungsflüssigkeit und reinigungsverfahren für halbleiterbearbeitungsmaschinenkomponente
DE69635427T2 (de) Verfahren zum Trocknen von Substraten
EP2432862B1 (de) Voc- reduzierte, mildalkalische wässrige reinigungslösung mit nichtionischen tensiden sowie dessen konzentrat
DE10227867A1 (de) Zusammensetzung zum Entfernen von Sidewall-Residues
DE102004062355A1 (de) Verfahren zum Behandeln einer Halbleiterscheibe mit einem gasförmigen Medium sowie damit behandelte Halbleiterscheibe
DE102008044646B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe
DD260951A5 (de) Verfahren zum korrosionsschutz
DE102014117276A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur unterseitigen Behandlung eines Substrats
DE69632107T2 (de) Reinigungslösung für Halbleiteranordnung und Reinigungsmethode
DE112018001115T5 (de) Verfahren zum Reinigen eines Halbleiterwafers
EP0230903A2 (de) Verfahren zur Reinigung von Aluminiumbehältern
DE10207558B4 (de) Verfahren zum Trennen einer Verbindung zwischen scheibenförmigen Gegenständen
EP2772528B1 (de) Verfahren zur Entfernung eines isocyanat-basierten Rückstands
DE102007058876A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Bearbeitung von Waferoberflächen

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

17P Request for examination filed

Effective date: 20100913

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO SE SI SK TR

AX Request for extension of the european patent

Extension state: AL BA RS

DAX Request for extension of the european patent (deleted)
GRAP Despatch of communication of intention to grant a patent

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOSNIGR1

INTG Intention to grant announced

Effective date: 20140708

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: THE APPLICATION IS DEEMED TO BE WITHDRAWN

18D Application deemed to be withdrawn

Effective date: 20141119