DE102019133386A1 - Verfahren zur Behandlung eines Halbleiterwafers - Google Patents
Verfahren zur Behandlung eines Halbleiterwafers Download PDFInfo
- Publication number
- DE102019133386A1 DE102019133386A1 DE102019133386.5A DE102019133386A DE102019133386A1 DE 102019133386 A1 DE102019133386 A1 DE 102019133386A1 DE 102019133386 A DE102019133386 A DE 102019133386A DE 102019133386 A1 DE102019133386 A1 DE 102019133386A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- cleaning
- conditioning
- aqueous solution
- subjected
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 68
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 33
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 claims abstract description 33
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims abstract description 11
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 8
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 16
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 58
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- -1 chloride (Cl - ) ions Chemical class 0.000 description 4
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 4
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 3
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 2
- BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N (2r,3r,4s,5r)-2-[6-[[2-(3,5-dimethoxyphenyl)-2-(2-methylphenyl)ethyl]amino]purin-9-yl]-5-(hydroxymethyl)oxolane-3,4-diol Chemical compound COC1=CC(OC)=CC(C(CNC=2C=3N=CN(C=3N=CN=2)[C@H]2[C@@H]([C@H](O)[C@@H](CO)O2)O)C=2C(=CC=CC=2)C)=C1 BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- QWPPOHNGKGFGJK-UHFFFAOYSA-N hypochlorous acid Chemical compound ClO QWPPOHNGKGFGJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000006259 organic additive Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-O oxonium Chemical compound [OH3+] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
- H01L31/02363—Special surface textures of the semiconductor body itself, e.g. textured active layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Behandlung eines Halbleiterwafers (1), aufweisend einen Schritt zum Reinigen und/oder Konditionieren einer Oberfläche (11) des Halbleiterwafers (1), bei dem die Oberfläche (11) mit einer wässrigen Lösung (2) in Kontakt gebracht wird, die Chlorid-Ionen und ein Oxidationsmittel enthält.
Description
- Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Behandlung eines Halbleiterwafers. Insbesondere betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Behandlung eines Halbleiterwafers, das einen Schritt zum Reinigen und/oder Konditionieren des Halbleiterwafers aufweist.
- Die Oberflächen des Halbleiterwafers können durch den Sägeprozess zur Herstellung des Wafers aus einem Ingot und/oder durch die Handhabung des Halbleiterwafers Kristalldefekte, Kristallschäden und/oder Verunreinigungen aufweisen. Die Tiefe der Kristallschäden und/oder die Art der Verunreinigungen sind von spezifischen Abläufen der vorangehenden Prozesse abhängig.
- Um hohe Solarzellenwirkungsgrade und eine mechanisch möglichst stabile Halbleiterwafer-Solarzelle zu erhalten, sollte der Halbleiterwafer im Bereich seiner Oberflächen möglichst wenig Verunreinigungen aufweisen. Zudem ist es zum Erzeugen einer homogenen Textur auf der Oberfläche des Halbleiterwafers nötig, die Oberfläche des Halbleiterwafers vor einem Texturschritt zu reinigen und/oder möglichst homogen zu konditionieren.
- Es sind zahlreiche Verfahren bekannt, um die Oberfläche des Halbleiterwafers zu reinigen und zu konditionieren. Diese werden oftmals mit nicht allgemein vereinbarten, aber Branchen-üblichen Abkürzungen wie SC1, pSC1, SCHMID clean bezeichnet. Aus der
DE 10 2008 014 166 B3 ist weiterhin bekannt, die Oberfläche mit Ozon ggf. in deionisiertem Wasser zu behandeln. Es besteht jedoch weiterhin ein Bedarf an einem verbesserten Verfahren zum Reinigen und/oder Konditionieren der Oberfläche des Halbleiterwafers, insbesondere vor einem Texturschritt, um einen hohen Solarzellenwirkungsgrad und eine mechanisch möglichst stabile Halbleiterwafer-Solarzelle zu erhalten. - Es ist daher eine Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zur Behandlung eines Halbleiterwafers mit einem Schritt zum Reinigen und/oder Konditionieren einer Oberfläche des Halbleiterwafers bereitzustellen, der die Oberfläche effektiv reinigt und/oder konditioniert.
- Die Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen und Modifikationen sind in den Unteransprüchen wiedergegeben.
- Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Behandlung eines Halbleiterwafers, aufweisend einen Schritt zum Reinigen und/oder Konditionieren einer Oberfläche des Halbleiterwafers, bei dem die Oberfläche mit einer wässrigen Lösung in Kontakt gebracht wird, die Chlorid-Ionen und ein Oxidationsmittel enthält. Die wässrige Lösung, die Chlorid-Ionen und ein Oxidationsmittel enthält, wird nachstehend auch als Reinigungs- bzw. Konditionierungslösung bezeichnet.
- Das Chlorid-Ionen/Oxidationsmittel-Gemisch ist sehr reaktiv und kann mit organischen und anorganischen Verunreinigungen wie beispielsweise Metallen, die an der Oberfläche des Halbleiterwafers anhaften, reagieren und sie in eine wasserlösliche Form überführen. Dadurch werden die Verunreinigungen effektiv von der Oberfläche des Halbleiterwafers entfernt. Die sich bei dem Gemisch bildenden aktiven Reinigungsspezies, wie z.B. HClO oder Cl2 können in situ in dem Schritt erzeugt werden, indem das Oxidationsmittel mit dem die Cl-Ionen enthaltenden Ausgangsmaterial in wässriger Lösung gemischt wird. Bevorzugt ist das Verfahren zum Reinigen und Konditionieren der Oberfläche des Halbleiterwafers ausgebildet.
- In einer bevorzugten Ausführungsform ist das Oxidationsmittel ausgewählt ist aus der Gruppe, bestehend aus H2O2 oder Ozon. Bevorzugt ist das Oxidationsmittel H2O2. Alternativ bevorzugt ist das Oxidationsmittel Ozon.
- Bevorzugt ist das Ausgangsmaterial, das die Cl-Ionen enthält, eine Flüssigkeit. Dadurch entfällt eine aufwändige Dosierung als Feststoff wie beispielsweise Natriumsalz. Bevorzugt stammen die Chlorid-Ionen aus in wässriger Lösung enthaltener HCl (Salzsäure). Die Summenformel kann als HCl(aq) wiedergegeben werden. HCl(aq), auch Chlorwasserstoffsäure genannt, ist eine wässrige Lösung von gasförmigem Chlorwasserstoff, der in Oxonium (H3O+)- und Chlorid (Cl-)-Ionen dissoziiert ist.
- In einer bevorzugten Ausführungsform wird über einen Ozonzusatz in eine wässrige Lösung mit 0,01-10,00 Gew.-% Cl-Ionen Anteil, wie Salzsäure, und 90,00-99,90 Gew.-% Wasser die Reinigungs- bzw. Konditionierungslösung erzeugt.
- In einer bevorzugten Ausführungsform wird über einen Wasserstoffzusatz von 1,00-10,00 Gew.-% in eine wässrige Lösung mit 0,01-10,00 Gew.-% Cl-Ionen Anteil, wie Salzsäure, und 80,00-90,00 Gew.-% Wasser die Reinigungs- bzw. Konditionierungslösung erzeugt.
- In einer bevorzugten Ausführungsform enthält die wässrige Lösung weiterhin HF (Flusssäure). Dadurch kann weiterhin eine verbesserte Oberflächenkonditionierung erreicht werden.
- Bevorzugt wird der Schritt zum Reinigen und/oder Konditionieren bei einer Temperatur im Bereich von 15°C bis 60°C, vorzugsweise 20°C bis 40°C durchgeführt. Das Inkontaktbringen der Oberfläche mit der wässrigen Lösung d.h. der Reinigungs- bzw. Konditionierungslösung wird bevorzugt über eine Zeitdauer von 15 Sekunden bis 60 Minuten, vorzugsweise 3 bis 40 Minuten, durchgeführt.
- Bevorzugt wird die Oberfläche des Halbleiterwafers nach dem Schritt zum Reinigen und/oder Konditionieren der Oberfläche des Halbleiterwafers einem Spülschritt unterzogen, in dem sie mit Wasser, bevorzugt Reinstwasser, gespült wird. Dadurch können die in dem Schritt zum Reinigen und/oder Konditionieren verwendete wässrige Lösung und die in wasserlösliche Formen überführten Verunreinigungen effektiv von der Oberfläche entfernt werden. Der Spülschritt kann durch Eintauchen, Einlegen, Besprühen oder Benetzen der dem Schritt zum Reinigen und/oder Konditionieren unterzogenen Oberfläche des Halbleiterwafers mit Wasser durchgeführt werden.
- Bevorzugt wird die Oberfläche des Halbleiterwafers nach dem Schritt zum Reinigen und/oder Konditionieren der Oberfläche des Halbleiterwafers oder nach dem Spülschritt einem Texturschritt unterzogen, in dem sie mit einer Texturlösung in Kontakt gebracht wird. Dadurch wird die Oberfläche einer Texturätzung unterzogen, die eine derart aufgeraute Halbleiterwafer-oberfläche erzeugt, dass wenigstens ein Teil des nicht in den Halbleiterwafer eintretenden Lichtes so reflektiert wird, dass dieses Licht weitere Male auf die Halbleiterwaferoberfläche trifft und danach möglichst in das Halbleitermaterial einkoppelt. Meist weist eine solche texturierte Oberfläche eine pyramidenartige Struktur auf. Der Texturschritt kann durch Eintauchen, Einlegen, Besprühen oder Benetzen der zu texturierenden Oberfläche des Halbleiterwafers mit der Texturlösung durchgeführt werden. Bei dem Schritt zum Reinigen und/oder Konditionieren der Oberfläche werden insbesondere Verunreinigungen von der Oberfläche des Halbleiterwafers entfernt, die bei einem Texturschritt maskierend wirken können. Daher ist diese Kombination dieser Verfahrensschritte sinnvoll.
- Bevorzugt umfasst der Texturschritt Behandeln des Halbleiterwafers mit alkalischer Lösung. Als alkalische Lösung kann eine wässrige Natriumhydroxid- und/oder Kaliumhydroxid-Lösung mit organischen Additiven eingesetzt werden. Die alkalische Texturierung verläuft anisotrop. Die Texturbedingungen wie Zeit und Temperatur hängen von der Art und Konzentration der Texturlösung ab.
- Der Texturschritt kann nicht nur ein- sondern auch mehrstufig erfolgen und eine Kombination von zwei oder mehr Texturarten darstellen. Beispielsweise umfasst der Texturschritt eine Sägeschadenätzung und eine alkalische Texturierung.
- In einer bevorzugten Ausführungsform wird der Halbleiterwafer einem Mono-Textur-Schritt unterzogen. Der Texturschritt kann auch derart durchgeführt werden, dass beide Oberflächen des Halbleiterwafers texturiert werden. Bevorzugt wird der Texturschritt aber einseitig durchgeführt, so dass der Halbleiterwafer einem Mono-Textur-Schritt unterzogen wird.
- Das Inkontaktbringen der wässrigen Lösung mit der Oberfläche des Halbleiterwafers in dem Schritt zum Reinigen und/oder Konditionieren der Oberfläche d.h. das Inkontaktbringen mit der Reinigungs- bzw. Konditionierungslösung kann durch Eintauchen, Einlegen, Besprühen oder Benetzen der Oberfläche des Halbleiterwafers mit der wässrigen Lösung durchgeführt werden. In einer bevorzugten Ausführungsform wird das Inkontaktbringen der Oberfläche des Halbleiterwafers durch Eintauchen des Halbleiterwafers in ein die wässrige Lösung d.h. die Reinigungs- bzw. Konditionierungslösung enthaltendes Bad durchgeführt. Dadurch werden die Verunreinigungen weiterhin effektiv von der Oberfläche entfernt.
- In einer bevorzugten Ausführungsform wird der Schritt zum Reinigen und/oder Konditionieren der Oberfläche des Halbleiterwafers nach der Herstellung des Halbleiterwafers mittels Sägen durchgeführt. Der in das Verfahren eingesetzte Halbleiterwafer ist daher bevorzugt sägerau. Der Halbleiterwafer kann alternativ bevorzugt weiterhin einem Ätzschritt vor dem Schritt zum Reinigen und/oder Konditionieren der Oberfläche unterzogen worden sein wie beispielsweise einem Sägeschadenätzschritt, einem Damage-Ätzschritt und/oder einem Politurätzschritt.
- Bevorzugt ist der Halbleiterwafer ein Silizium-Wafer. Silizium eignet sich hervorragend als Wafermaterial.
- In einer bevorzugten Ausführungsform wird das Verfahren in einer Batch Nassbank oder einer Inline Nassbank durchgeführt wird. Weiterhin ist es möglich, die vorstehenden Verfahrensschritte zeitlich entkoppelt durchzuführen. Vorzugsweise werden der Schritt zum Reinigen und/oder Konditionieren und Texturschritt und der dazwischengeschaltete Spülschritt hintereinander ohne einen dazwischen liegenden Schritt durchgeführt. Sie können in einer bevorzugten Ausführungsform in einer Anlage durchgeführt werden. Dadurch werden Kosten gespart und Handling vermieden.
- Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in den Zeichnungen rein schematisch dargestellt und wird nachfolgend näher beschrieben. Es zeigen rein schematisch und nicht maßstabsgerecht
-
1 bis3 jeweils einen Verfahrensschritt eines erfindungsgemäßen Verfahrens in einer Querschnittsansicht einer jeweiligen Anlage. -
1 bis3 zeigen jeweils einen Verfahrensschritt eines erfindungsgemäßen Verfahrens in einer Querschnittsansicht einer jeweiligen Anlage. Dem Verfahren wird eine Halbleiter-Wafer1 mit einer Oberfläche11 und einer weiteren Oberfläche12 unterzogen. Das Verfahren weist einen Schritt zum Reinigen und/oder Konditionieren der Oberfläche11 (1 ), einen optionalen Spülschritt (2 ) und einen Texturschritt (3 ) auf. - In
1 ist der Schritt zum Reinigen und/oder Konditionieren der Oberfläche11 des Halbleiterwafers1 gezeigt, bei dem die Oberfläche11 mit einer wässrigen Lösung2 d.h. einer Reinigungs- bzw. Konditionierungslösung in Kontakt gebracht wird, die in einem Bad3 der Anlage (nicht gezeigt) enthalten ist. Die Oberfläche11 wird in die wässrige Lösung2 getaucht, die Chlorid-Ionen und ein Oxidationsmittel wie H2O2 oder Ozon enthält. - Nach dem Schritt zum Reinigen und/oder Konditionieren der Oberfläche
11 des Halbleiterwafers1 wird die Oberfläche11 einem optionalen Spülschritt unterzogen, in dem sie in ein weiteres Bad6 getaucht wird, das Reinstwasser4 enthält, wie in2 gezeigt ist. Der Spülschritt kann ein mehrmaliges Eintauchen des Halbleiter-Wafers1 in das weitere Bad6 umfassen. - Nach dem Schritt zum Reinigen und/oder Konditionieren der Oberfläche
11 des Halbleiterwafers1 oder nach dem optionalen Spülschritt wird die Oberfläche11 einem Texturschritt unterzogen, in dem sie in ein noch weiteres, eine Texturlösung5 enthaltendes Bad7 getaucht wird, so dass die Oberfläche11 mit der Texturlösung5 in Kontakt gebracht wird und somit texturiert wird. - In dem gezeigten Verfahren wird die Oberfläche
11 dem Verfahren unterzogen, es können aber auch die Oberfläche11 und die weitere Oberfläche12 dem Verfahren oder einzelnen Verfahrensschritten gleichzeitig unterzogen werden, was hier nicht gezeigt ist. Dergleichen kann nicht nur ein einzelner Halbleiterwafer1 sondern können eine Mehrzahl am Halbleiterwafern1 dem Verfahren oder einzelnen Verfahrensschritten gleichzeitig unterzogen werden. - Nachfolgend wird ein Ausführungsbeispiel näher erläutert:
- Beispiel 1:
- Über einen Ozonzusatz in eine wässrige Lösung mit 0,01-10,00 Gew.-% Cl-Ionen Anteil, wie Salzsäure, und 90,00-99,90% Wasser wird die wässrige Lösung
2 als die Reinigungs- bzw. Konditionierungslösung erzeugt, in die ein oder mehrere Halbleiterwafer mit beiden Oberflächen in Kontakt gebracht werden. - Die Temperatur der wässrigen Lösung
2 beträgt 25°C bis 30°C. Nach einer Behandlungsdauer von 10 Minuten werden der oder die Halbleiter-Wafer, einem Spülschritt unterzogen, in dem sie mit Wasser bei einer Temperatur von 25°C bis 30°C gespült werden. Anschließend werden der Halbleiterwafer oder die Halbleiterwafer einem alkalischen Texturschritt unterzogen. - Bezugszeichenliste
-
- 1
- Halbleiterwafer
- 11
- Oberfläche
- 12
- weitere Oberfläche
- 2
- Lösung
- 3
- Bad
- 4
- Wasser
- 5
- Texturlösung
- 6
- weiteres Bad
- 7
- noch weiteres Bad
- ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
- Zitierte Patentliteratur
-
- DE 102008014166 B3 [0004]
Claims (10)
- Verfahren zur Behandlung eines Halbleiterwafers (1), aufweisend einen Schritt zum Reinigen und/oder Konditionieren einer Oberfläche (11) des Halbleiterwafers (1), bei dem die Oberfläche (11) mit einer wässrigen Lösung (2) in Kontakt gebracht wird, die Chlorid-Ionen und ein Oxidationsmittel enthält.
- Verfahren nach
Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass das Oxidationsmittel aus H2O2 oder Ozon besteht. - Verfahren nach
Anspruch 1 oder2 , dadurch gekennzeichnet, dass Chlorid-Ionen aus in der wässrigen Lösung enthaltener HCl (Salzsäure) stammen. - Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die wässrige Lösung (2) weiterhin HF (Flusssäure) enthält.
- Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche (11) des Halbleiterwafers (1) nach dem Schritt zum Reinigen und/oder Konditionieren der Oberfläche (11) des Halbleiterwafers (1) einem Spülschritt unterzogen wird, in dem sie mit Wasser (4) gespült wird.
- Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche (11) des Halbleiterwafers (1) nach dem Schritt zum Reinigen und/oder Konditionieren der Oberfläche (11) des Halbleiterwafers (1) oder nach dem Spülschritt einem Texturschritt unterzogen wird, in dem sie mit einer Texturlösung (5) in Kontakt gebracht wird.
- Verfahren nach
Anspruch 6 , dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterwafer einem Mono-Textur-Schritt unterzogen wird. - Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Inkontaktbringen der Oberfläche (11) des Halbleiterwafers (1) durch Eintauchen des Halbleiterwafers (1) in ein die wässrige Lösung (2) enthaltendes Bad (3) durchgeführt wird.
- Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterwafer (1) ein Silizium-Wafer ist.
- Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass es in einer Batch Nassbank oder einer Inline Nassbank durchgeführt wird.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102019133386.5A DE102019133386A1 (de) | 2019-12-06 | 2019-12-06 | Verfahren zur Behandlung eines Halbleiterwafers |
| PCT/DE2020/101029 WO2021110220A1 (de) | 2019-12-06 | 2020-12-04 | Verfahren zur behandlung eines halbleiterwafers |
| CN202080093902.8A CN114981931A (zh) | 2019-12-06 | 2020-12-04 | 用于处理半导体晶圆的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102019133386.5A DE102019133386A1 (de) | 2019-12-06 | 2019-12-06 | Verfahren zur Behandlung eines Halbleiterwafers |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE102019133386A1 true DE102019133386A1 (de) | 2021-06-10 |
Family
ID=74184315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE102019133386.5A Pending DE102019133386A1 (de) | 2019-12-06 | 2019-12-06 | Verfahren zur Behandlung eines Halbleiterwafers |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114981931A (de) |
| DE (1) | DE102019133386A1 (de) |
| WO (1) | WO2021110220A1 (de) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20180114691A1 (en) * | 2013-08-07 | 2018-04-26 | SolarWorld Americas, Inc. | Methods for etching as-cut silicon wafers and producing solar cells |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102008014166B3 (de) | 2008-03-14 | 2009-11-26 | Rena Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Siliziumoberfläche mit pyramidaler Textur |
| DE102011050136A1 (de) * | 2010-09-03 | 2012-03-08 | Schott Solar Ag | Verfahren zum nasschemischen Ätzen einer Siliziumschicht |
| DE102012107669B4 (de) * | 2012-08-21 | 2019-05-09 | Solarworld Industries Gmbh | Verfahren zur Behandlung der Oberfläche von vorgeätzten Silizium-Wafern sowie die Verwendung eines Silizium-Wafers in einer Solarzelle |
| DE102014001363B3 (de) * | 2014-01-31 | 2015-04-09 | Technische Universität Bergakademie Freiberg | Verfahren zur Erzeugung von Texturen oder von Polituren auf der Oberfläche von monokristallinen Siliciumwafern |
-
2019
- 2019-12-06 DE DE102019133386.5A patent/DE102019133386A1/de active Pending
-
2020
- 2020-12-04 WO PCT/DE2020/101029 patent/WO2021110220A1/de active Application Filing
- 2020-12-04 CN CN202080093902.8A patent/CN114981931A/zh active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20180114691A1 (en) * | 2013-08-07 | 2018-04-26 | SolarWorld Americas, Inc. | Methods for etching as-cut silicon wafers and producing solar cells |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN114981931A (zh) | 2022-08-30 |
| WO2021110220A1 (de) | 2021-06-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE69532060T2 (de) | Vor einer thermischen Behandlung ausgeführtes Reinigungsverfahren | |
| DE2706519C2 (de) | Verfahren zum Reinigen der Oberfläche von polierten Siliciumplättchen | |
| DE69916728T2 (de) | Verfahren zur Reinigung eines Halbleitersubstrats | |
| DE69816219T2 (de) | Reinigungsnachbehandlung | |
| DE102014111282A1 (de) | Verfahren zum sauren Ätzen von Silizium-Wafern | |
| EP0905796A1 (de) | Polykristallines Silicium | |
| DE112010002718T5 (de) | Verfahren zur reinigung eines siliciumwafers sowie verfahrenzur herstellung eines epitaktischen wafers unter verwendung des reinigungsverfahrens | |
| EP2338179B1 (de) | Verfahren zur behandlung von substraten und behandlungseinrichtung zur durchführung des verfahrens | |
| EP2335275A1 (de) | Verfahren zur chemischen behandlung eines substrats | |
| DE102007030957A1 (de) | Verfahren zum Reinigen einer Halbleiterscheibe mit einer Reinigungslösung | |
| CN1638058A (zh) | 半导体晶片的清洗方法 | |
| EP1890338A1 (de) | Verfahren zum Texturieren von Siliziumwafern zur Herstellung von Solarzellen | |
| DE102019133386A1 (de) | Verfahren zur Behandlung eines Halbleiterwafers | |
| DE112010004793B4 (de) | Reinigungsverfahren | |
| EP0305827A1 (de) | Verbessertes Verfahren zur Ultraschall-Reinigung von festen Formteilen | |
| DE19953152C1 (de) | Verfahren zur naßchemischen Oberflächenbehandlung einer Halbleiterscheibe | |
| DE102018206978A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung von geätzten Oberflächen eines Halbleitersubstrats unter Verwendung von ozonhaltigem Medium | |
| EP0946976B1 (de) | Wässrige reinigungslösung für ein halbleitersubstrat | |
| EP0742583A2 (de) | Verfahren zum Entfernen beschädigter Kristallbereiche von Siliziumscheiben | |
| DE102008040231A1 (de) | Polykristalliner Siliciumbruch hoher Reinheit und Reinigungsverfahren zu seiner Herstellung | |
| EP1005072B1 (de) | Verfahren zur nasschemischen Behandlung von Halbleiterscheiben | |
| DE102012107669B4 (de) | Verfahren zur Behandlung der Oberfläche von vorgeätzten Silizium-Wafern sowie die Verwendung eines Silizium-Wafers in einer Solarzelle | |
| DE112018004122T5 (de) | Verfahren zum Bewerten von Siliziumwafern und Verfahren zum Herstellen von Siliziumwafern | |
| DE2239145A1 (de) | Verfahren zur behandlung von halbleitermaterialien aus iii-v-verbindungen | |
| DE102013004848B4 (de) | Behandlungsflüssigkeit zur Hemmung eines Musterzusammenbruchs in einer Mikrostruktur und Verfahren zur Herstellung einer Mikrostruktur, bei der diese eingesetzt wird. |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R012 | Request for examination validly filed |