DE102014001363B3 - Verfahren zur Erzeugung von Texturen oder von Polituren auf der Oberfläche von monokristallinen Siliciumwafern - Google Patents

Verfahren zur Erzeugung von Texturen oder von Polituren auf der Oberfläche von monokristallinen Siliciumwafern Download PDF

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erzeugung von Texturen oder von Polituren auf der Oberfläche von monokristallinen Siliciumwafern durch anisotrope Ätzprozesse. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Erzeugung von Texturen oder von Polituren auf der Oberfläche von monokristallinen Siliciumwafern zu entwickeln, bei dem preiswerte leicht zugängliche nicht-toxische Rohstoffe eingesetzt werden können, das energiesparend nahe Raumtemperatur durchführbar ist, in dem gleichzeitig die Reinigung und die Texturierung bzw. Polierung der Waferoberfläche geschieht, bei dem weniger toxische Abgase freigesetzt werden und geringere Abwassermengen entstehen, mit dem eine höhere Abtragsrate als beim Einsatz von alkalischen Lösungen erreicht werden kann, sodass eine In-Line Prozessierung möglich ist und welches sowohl auf SiC-Slurry-gesägten als auch Diamantdraht-gesägten Siliciumwafern vergleichbare Texturen erzeugt. Überraschend wurde gefunden, dass bei der Verwendung von wässrigen Gemischen aus Flusssäure (HF), Salzsäure (HCl) und einem zugesetzten Oxidationsmittel als Ätzlösungen bei der Behandlung von monokristallinen Silicium(100)-Wafern Pyramiden mit quadratischer Grundfläche erzeugt werden. Bevorzugt wurden Ammoniumperoxodisulfat ((NH4)2S2O8), Wasserstoffperoxid (H2O2), Kaliumpermanganat (KMnO4), Ozon (O3), und Salpetersäure (HNO3) als Oxidationsmittel eingesetzt.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erzeugung von Texturen oder von Polituren auf der Oberfläche von monokristallinen Siliciumwafern durch anisotrope Ätzprozesse.
  • Siliciumwafer werden während der Prozessierung nasschemischen Ätzschritten unterzogen. Monokristalline Siliciumwafer werden mit alkalischen Medien, wie wässrigen Kaliumhydroxid-, Natriumhydroxid- oder Tetramethylammoniumhydroxid-Lösungen, behandelt. Dabei werden die Siliciumatome von verschiedenen Kristallebenen unterschiedlich schnell abgetragen, der Ätzvorgang erfolgt anisotrop. Diese Anisotropie hat beim Ätzen unterschiedlich orientierter Siliciumwafer folgende Auswirkungen:
    • – Silicium(111)-Oberflächen werden kaum angegriffen.
    • – Auf Silicium(100)-Oberflächen werden Pyramiden mit quadratischer Grundfläche gebildet, die z. B. bei Silicium-Solarzellen die Lichtreflexion minimieren.
    • – Auf Silicium(110)-Oberflächen entstehen rechtwinklige Gräben, wie sie in der Mikromechanik und Mikrofluidik Anwendung finden.
  • Zur gleichmäßigen Texturierung werden den alkalischen Lösungen Additive, meist i-Propanol (IPA), zugesetzt.
  • Verfahren zur Herstellung von Siliciumoberflächen mit pyramidaler Textur, z. B. DE 10 2008 014 166 B3 , EP 2 605 289 A2 , beschreiben die Verwendung von alkalischen Lösungen zur Behandlung von monokristallinen Siliciumwafern. Ein Nachteil von alkalischen Ätzbädern ist die geringe Reaktivität gegenüber Silicium bei Raumtemperatur. Um wirtschaftliche Abtragsraten zu erzielen, ist eine Temperaturerhöhung und damit ein hoher Energieeintrag notwendig. Die maximale Temperatur liegt wegen des Siedepunkts des IPA bei ca. 80°C. Eine Reinigung der Siliciumwaferoberfläche, z. B. von Metallkontaminationen, durch basische Lösungen findet nur bedingt statt. Dies macht einen zusätzlichen Prozessschritt notwendig.
  • Bisher wurden anisotrope Ätzprozesse nur bei der Behandlung von Siliciumwafern mit alkalischen Lösungen beobachtet. Saure Lösungen zur Erzeugung solcher Texturen sind nicht bekannt und werden von der Fachwelt ausgeschlossen, z. B. [Seidel, H.; Csepregi, L.; Neuberger, A. & Baumgärtel, H. Anisotropic Etching of Crystalline Silicon in Alkaline Solutions: I. Orientation Dependence and Behavior of Passivation Layers. J. Electrochem. Soc. 1990, 137, 3612–3626]. In bekannten sauren Ätzsystemen (HF-HNO3) liegt ein isotroper Ätzprozess vor. Diese sind daher zur Erzeugung von Pyramiden auf monokristallinen Siliciumwafern ungeeignet. Zur Erzeugung von Texturen und Polituren auf polykristallinen Siliciumwafern werden andererseits bevorzugt saure Lösungen verwendet. In US 2003/0 119 332 A1 wird ein Verfahren zur Texturierung von Siliziumoberflächen beschrieben, bei dem eine saure Lösung bestehend aus HF, HNO3 oder H2SO4 oder H3PO4 und einem Oxydationsmittel zum Einsatz kommt. Als Oxydationsmittel werden unter anderen Wasserstoffperoxid und Ammoniumperoxodisulfat genannt. In US 2013/0 130 508 A1 wird eine saure Ätzlösung zur Texturierung von Silizium-Wafern offenbart, die aus HNO3 und einer oberflächenaktiven Komponente besteht. Nachteilig sind dabei die enorme Toxizität der Lösung sowie die Freisetzung nitroser Gase (NOx). Dadurch wird eine kostenintensive Aufbereitung notwendig. Bisherige Veröffentlichungen zu Untersuchungen von sauren Lösungen aus Flusssäure, Salzsäure und zugesetzten Oxidationsmitteln, z. B. DE 43 25 543 A1 , zeigten lediglich die reinigende Wirkung und prinzipielle Eignung zum Ätzen auf, nicht aber die Texturierung von Siliciumoberflächen, speziell die Erzeugung von Pyramidenstrukturen.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Erzeugung von Texturen oder von Polituren auf der Oberfläche von monokristallinen Siliciumwafern zu entwickeln, bei dem preiswerte leicht zugängliche nicht-toxische Rohstoffe eingesetzt werden können, das energiesparend nahe Raumtemperatur durchführbar ist, in dem gleichzeitig die Reinigung und die Texturierung bzw. Polierung der Waferoberfläche geschieht, bei dem weniger toxische Abgase freigesetzt werden und geringere Abwassermengen entstehen, mit dem eine höhere Abtragsrate als beim Einsatz von alkalischen Lösungen erreicht werden kann, sodass eine In-Line Prozessierung möglich ist und welches sowohl auf SiC-Slurry-gesägten als auch Diamantdraht-gesägten Siliciumwafern vergleichbare Texturen erzeugt.
  • Überraschend wurde gefunden, dass bei der Verwendung von Gemischen aus Flusssäure (HF), Salzsäure (HCl) und einem zugesetzten Oxidationsmittel als Ätzlösungen bei der Behandlung von monokristallinen (100)-Siliciumwafern Pyramiden mit quadratischer Grundfläche erzeugt werden. Bevorzugt wurden Ammoniumperoxodisulfat ((NH4)2S2O8), Wasserstoffperoxid (H2O2), Kaliumpermanganat (KMnO4), Ozon (O3), und Salpetersäure (HNO3) als Oxidationsmittel eingesetzt. Erfindungsgemäß werden Badzusammensetzungen verwendet, die
    • – c(HF) = 0,1 bis 10 mol/L, bevorzugt 1 bis 7 mol/L,
    • – c(HCl) = 1 bis 10 mol/L, bevorzugt 4 bis 9 mol/L und
    • – c(Oxidationsmittel) = 0,1 bis 2 mol/L, bevorzugt 0,4 bis 1,2 mol/L
    enthalten. Die Ätzlösung kann zusätzlich Chlorid-haltige Salze wie Natriumchlorid (NaCl), Kaliumchlorid (KCl) und/oder Ammoniumchlorid (NH4Cl) enthalten.
  • Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren sind monokristalline (100)-Siliciumwafer, unabhängig von deren Vorbehandlung, behandelbar. Einsetzbar sind speziell as-cut Diamantdraht-gesägte, as-cut SiC-Slurry-gesägte, vorgereinigte, vortexturierte oder vorpolierte (100)-Siliciumwafer.
  • Weiterhin lassen sich durch Veränderung der Anteile der Badkomponenten gleichmäßig texturierte oder polierte Oberflächen bilden. Temperaturerhöhungen führen zur Steigerung der Abtragsraten.
  • Die Erfindung wird durch folgende Ausführungsbeispiele verdeutlicht:
  • Beispiel 1 – Texturierung von monokristallinen Siliciumoberflächen
  • Bei dem Einsatz folgender Badzusammensetzung
    • – c(HF) = 3 mol/L,
    • – c(H2O2) = 0,8 mol/L und
    • – c(HCl) = 7,9 mol/L
    und bei Einhaltung folgender Verfahrensparameter
    • – Behandlungsdauer t = 30 min,
    • – Behandlungstemperatur ϑ = 20°C
    werden mittlere Abtragsraten von r = 8,5 nm/s erhalten.
  • Beispiel 2 – Polieren von monokristallinen Siliciumoberflächen
  • Bei dem Einsatz folgender Badzusammensetzung
    • – c(HF) = 3 mol/L,
    • – c(APS) = 0,8 mol/L und
    • – c(HCl) = 3 mol/L
    und bei Einhaltung folgender Verfahrensparameter
    • – Behandlungsdauer t = 120 min,
    • – Behandlungstemperatur ϑ = 20°C
    werden mittlere Abtragsraten von r = 0,5 nm/s erhalten.
  • Weitere Beispiele sind in nachfolgender Tabelle zusammengestellt:
    Figure DE102014001363B3_0001

    (1) DW – Diamond-Wire, Diamantdraht-gesägt
    (2) SiC – Siliciumcarbid-Slurry-gesägt

Claims (5)

  1. Verfahren zur Erzeugung von Texturen oder von Polituren auf der Oberfläche von monokristallinen Siliciumwafern, indem die Oberfläche einem Ätzprozess unterworfen wird, gekennzeichnet dadurch, dass ein wässriges Gemisch aus Flusssäure (HF), Salzsäure (HCl) und einem Oxidationsmittel als Ätzlösung eingesetzt wird.
  2. Verfahren zur Erzeugung von Texturen oder von Polituren auf der Oberfläche von monokristallinen Siliciumwafern nach Anspruch 1, gekennzeichnet dadurch, dass die Ätzlösung folgende Konzentrationen an Flusssäure, Salzsäure und Oxidationsmittel enthält: c(HF) = 0,1 bis 10 mol/L, c(HCl) = 1 bis 10 mol/L und c(Oxidationsmittel) = 0,1 bis 2 mol/L.
  3. Verfahren zur Erzeugung von Texturen oder Polituren auf der Oberfläche von monokristallinen Siliciumwafern nach Anspruch 1 und 2, gekennzeichnet dadurch, dass die Ätzlösung als Oxidationsmittel Ammoniumperoxodisulfat ((NH4)2S2O8), Wasserstoffperoxid (H2O2), Kaliumpermanganat (KMnO4), Ozon (O3) oder Salpetersäure (HNO3) enthält.
  4. Verfahren zur Erzeugung von Texturen oder von Polituren auf der Oberfläche von monokristallinen Siliciumwafern nach Anspruch 1 bis 3, gekennzeichnet dadurch, dass der Ätzlösung Chlorid-haltige Salze zugesetzt sind.
  5. Verfahren zur Erzeugung von Texturen oder von Polituren auf der Oberfläche von monokristallinen Siliciumwafern nach Anspruch 1 bis 4, gekennzeichnet dadurch, dass der Ätzlösung Natriumchlorid (NaCl), Kaliumchlorid (KCl) und/oder Ammoniumchlorid (NH4Cl) zugesetzt sind.
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104962998A (zh) * 2015-07-08 2015-10-07 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 基于金刚线切割的硅片的制绒预处理方法及硅片制绒方法
CN104962999A (zh) * 2015-07-08 2015-10-07 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 基于金刚线切割的硅片的制绒方法、硅片制绒品及硅片制绒预处理液
CN105154982A (zh) * 2015-07-08 2015-12-16 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 多晶黑硅制绒处理液、应用其进行多晶硅片制绒的方法以及多晶黑硅制绒品
DE102016105866B3 (de) * 2016-03-31 2017-07-06 Technische Universität Bergakademie Freiberg Siliziumwafer, Verfahren zum Strukturieren eines Siliziumwafers und Solarzelle
DE102017212442A1 (de) 2017-07-20 2019-01-24 Singulus Technologies Ag Verfahren und Vorrichtung zum Texturieren einer Oberfläche eines multikristallinen Diamantdraht-gesägten Siliziumsubstrats unter Verwendung von ozonhaltigem Medium
CN110098107A (zh) * 2019-05-13 2019-08-06 浙江贝盛光伏股份有限公司 一种实现多晶硅印刷工序异常片品质合格的工艺
WO2021110220A1 (de) * 2019-12-06 2021-06-10 Hanwha Q Cells Gmbh Verfahren zur behandlung eines halbleiterwafers
DE102022122705A1 (de) 2022-09-07 2024-03-07 Technische Universität Bergakademie Freiberg, Körperschaft des öffentlichen Rechts Verfahren zur Erzeugung von Texturen, Strukturen oder von Polituren auf der Oberfläche von Silizium

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106340569A (zh) * 2016-09-27 2017-01-18 南昌大学 一种金刚石线锯切割太阳电池用多晶硅片制绒的预处理方法
DE102017110297A1 (de) 2016-12-30 2018-07-05 RENA Technologies GmbH Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung einer Objektoberfläche mittels einer Behandlungslösung
CN107195705A (zh) * 2017-06-16 2017-09-22 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种太阳能电池的制备方法
CN107275445A (zh) * 2017-08-04 2017-10-20 常州天合光能有限公司 一种多晶硅太阳能电池片隔离返工工艺
CN107675263A (zh) * 2017-09-15 2018-02-09 东方环晟光伏（江苏）有限公司 单晶硅金字塔结构绒面的优化方法
CN109326683A (zh) * 2018-09-16 2019-02-12 苏州润阳光伏科技有限公司 单晶硅片碱抛清洗方法
CN112599634A (zh) * 2020-12-03 2021-04-02 江苏日托光伏科技股份有限公司 一种太阳能晶硅电池制绒方法、混合酸洗方法及混合酸洗药液
CN113451444B (zh) * 2021-06-30 2024-03-01 安徽华晟新能源科技股份有限公司 太阳能电池片的制造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4325543A1 (de) * 1993-07-29 1995-02-02 Wacker Chemitronic Verfahren und Vorrichtung zur naßchemischen Behandlung von Siliciummaterial
US20030119332A1 (en) * 1999-12-22 2003-06-26 Armin Kuebelbeck Method for raw etching silicon solar cells
DE102008014166B3 (de) * 2008-03-14 2009-11-26 Rena Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Siliziumoberfläche mit pyramidaler Textur
US20130130508A1 (en) * 2011-09-02 2013-05-23 Air Products And Chemicals, Inc. Compositions and Methods for Texturing of Silicon Wafers
EP2605289A2 (de) * 2010-08-12 2013-06-19 Dongwoo Fine-Chem Co., Ltd. Textur-ätzmittel für kristalline silizium-wafer und textur-ätzverfahren (1)

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101539047B1 (ko) 2008-12-24 2015-07-23 인텔렉츄얼 키스톤 테크놀로지 엘엘씨 광기전력 변환 소자 및 그의 제조방법
DE102009014562A1 (de) 2009-03-16 2010-09-23 Schmid Silicon Technology Gmbh Aufreinigung von metallurgischem Silizium
US20110079250A1 (en) 2009-10-01 2011-04-07 Mt Systems, Inc. Post-texturing cleaning method for photovoltaic silicon substrates
DE102011050136A1 (de) 2010-09-03 2012-03-08 Schott Solar Ag Verfahren zum nasschemischen Ätzen einer Siliziumschicht
US20120295447A1 (en) 2010-11-24 2012-11-22 Air Products And Chemicals, Inc. Compositions and Methods for Texturing of Silicon Wafers
US20130252427A1 (en) 2012-03-26 2013-09-26 Sunpreme, Ltd. Method for cleaning textured silicon wafers
US20130192303A1 (en) 2012-01-27 2013-08-01 Memc Qualitative crystal defect evaluation method

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4325543A1 (de) * 1993-07-29 1995-02-02 Wacker Chemitronic Verfahren und Vorrichtung zur naßchemischen Behandlung von Siliciummaterial
US20030119332A1 (en) * 1999-12-22 2003-06-26 Armin Kuebelbeck Method for raw etching silicon solar cells
DE102008014166B3 (de) * 2008-03-14 2009-11-26 Rena Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Siliziumoberfläche mit pyramidaler Textur
EP2605289A2 (de) * 2010-08-12 2013-06-19 Dongwoo Fine-Chem Co., Ltd. Textur-ätzmittel für kristalline silizium-wafer und textur-ätzverfahren (1)
US20130130508A1 (en) * 2011-09-02 2013-05-23 Air Products And Chemicals, Inc. Compositions and Methods for Texturing of Silicon Wafers

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
SEIDEL, H. [et al.]: Anisotropic etching of crystalline silicon in alkaline solutions. In: Journal of the Electrochemical Society, 137, 1990, 11, 3612-3626. *

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104962998A (zh) * 2015-07-08 2015-10-07 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 基于金刚线切割的硅片的制绒预处理方法及硅片制绒方法
CN104962999A (zh) * 2015-07-08 2015-10-07 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 基于金刚线切割的硅片的制绒方法、硅片制绒品及硅片制绒预处理液
CN105154982A (zh) * 2015-07-08 2015-12-16 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 多晶黑硅制绒处理液、应用其进行多晶硅片制绒的方法以及多晶黑硅制绒品
DE102016105866B3 (de) * 2016-03-31 2017-07-06 Technische Universität Bergakademie Freiberg Siliziumwafer, Verfahren zum Strukturieren eines Siliziumwafers und Solarzelle
WO2017167867A1 (de) 2016-03-31 2017-10-05 Technische Universität Bergakademie Freiberg Siliziumwafer, verfahren zum strukturieren eines siliziumwafers und solarzelle
DE102017212442A1 (de) 2017-07-20 2019-01-24 Singulus Technologies Ag Verfahren und Vorrichtung zum Texturieren einer Oberfläche eines multikristallinen Diamantdraht-gesägten Siliziumsubstrats unter Verwendung von ozonhaltigem Medium
WO2019016282A1 (de) 2017-07-20 2019-01-24 Singulus Technologies Ag Verfahren und vorrichtung zum texturieren einer oberfläche eines multikristallinen diamantdraht-gesägten siliziumsubstrats unter verwendung von ozonhaltigem medium
CN110098107A (zh) * 2019-05-13 2019-08-06 浙江贝盛光伏股份有限公司 一种实现多晶硅印刷工序异常片品质合格的工艺
WO2021110220A1 (de) * 2019-12-06 2021-06-10 Hanwha Q Cells Gmbh Verfahren zur behandlung eines halbleiterwafers
DE102022122705A1 (de) 2022-09-07 2024-03-07 Technische Universität Bergakademie Freiberg, Körperschaft des öffentlichen Rechts Verfahren zur Erzeugung von Texturen, Strukturen oder von Polituren auf der Oberfläche von Silizium

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