CN103382578A - 单晶硅片表面的处理方法 - Google Patents

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刘志坚
王月
王磊
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曲爽
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本发明涉及一种太阳能电池生产中单晶硅片表面处理的技术，具体的说是一种使硅片表面处理洁净，方便硅片制绒的单晶硅片表面的处理方法，该方法是通过混酸处理、碱性溶液处理两个工艺步骤实现的，本发明方法，使硅片表面更加洁净，方便硅片的制绒，提高硅片外观效果和效率。

Description

单晶硅片表面的处理方法
技术领域
 本发明涉及一种太阳能电池生产中单晶硅片表面处理的技术，具体的说是一种使硅片表面处理洁净，方便硅片制绒的单晶硅片表面的处理方法。
背景技术
在硅片表面制绒的过程中，由于硅片切割后未及时清洗或者是硅片表面有清洗剂残留，硅片四周会因风干而导致表面脏污难以去除，在制绒后硅片表面脏污未去除区的出绒会较正常区域差而导致发白现象的产生，影响硅片的外观和效率，所以需改进硅片表面的预处理技术，使硅片表面洁净，保证制绒的顺利进行。
发明内容
本发明的目的是要提供一种单晶硅片表面的处理方法，使硅片表面更加洁净，方便硅片的制绒，提高硅片外观效果和效率。
本发明的目的是这样实现的：
1、混酸处理：在酸处理槽中加入60升电阻率为18兆欧的纯水，然后加入72升浓度为49%的电子级（EL级）氢氟酸（HF）和6升浓度为70%的电子级（EL级）硝酸（HNO3），在常温下将待处理的单晶硅片浸入该槽溶液中反应3-10分钟，待反应结束后放入漂洗槽中漂洗；
2、碱性溶液处理：经过漂洗后的单晶硅片进入碱性处理槽进行表面处理，在碱性处理槽中加入150升电阻率为18兆欧的纯水，升温至65℃，然后加入电子级（EL级）500g氢氧化钠(NaOH)和12升电子级（EL级）过氧化氢（H2O2）对单晶硅片表面进行再一次处理，反应温度为65℃，反应时间180~300秒。
本发明由于采用上述处理方法，使得经过处理的硅片表面更加洁净，硅片表面不会有表面脏污和清洗剂残留，方便硅片的制绒，硅片表面没有发白现象的产生，外观质量好和效率高，具有硅片表面洁净，保证制绒的顺利进行等优点。
附图说明
图1是本未经过表面处理的硅片制绒后的外观图。
图2是经过本发明表面处理的硅片制绒后的外观图。
具体实施方式
①、在酸处理槽中加入60升电阻率为18兆欧的纯水，然后加入72升浓度为49%的电子级（EL级）氢氟酸（HF）和6升浓度为70%的电子级（EL级）硝酸（HNO3）。使氢氟酸（HF）的浓度达到25.6%；硝酸（HNO3）浓度达到3.04%。混合均匀，温度控制在室温20-23℃，腐蚀3-10分钟，然后进行漂洗，漂洗后进入碱性处理槽中再次进行表面处理。
②、碱性处理槽内是含有0.25%氢氧化钠(NaOH)和6%过氧化氢（H2O2）的水溶液，反应温度为65℃，反应时间180~300秒。经过再一次漂洗后对单晶硅片进行制绒，制绒后的单晶硅表面如图2所示。
本方法中的硝酸及氢氟酸浓度，氢氧化钠的浓度和过氧化氢的浓度以及处理的时间和溶液温度并不只限于实施中所披露的取值范围，根据单晶硅片表面的情况及所要求的减重情况，可对所涉及的浓度、温度、时间等参数的取值进行适当调整。

Claims (1)

1.一种单晶硅片表面的处理方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：
①、混酸处理：在酸处理槽中加入60升电阻率为18兆欧的纯水，然后加入72升浓度为49%的电子级氢氟酸和6升浓度为70%的电子级硝酸，在常温下将待处理的单晶硅片浸入该槽溶液中反应3-10分钟，待反应结束后放入漂洗槽中漂洗；
②、碱性溶液处理：经过漂洗后的单晶硅片进入碱性处理槽进行表面处理，在碱性处理槽中加入150升电阻率为18兆欧的纯水，升温至65℃，然后加入电子级500g氢氧化钠和12升电子级过氧化氢对单晶硅片表面进行再一次处理，反应温度为65℃，反应时间180~300秒。
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