WO2015113890A3 - Verfahren zur erzeugung von texturen oder von polituren auf der oberfläche von monokristallinen siliziumwafern - Google Patents

Verfahren zur erzeugung von texturen oder von polituren auf der oberfläche von monokristallinen siliziumwafern Download PDF

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erzeugung von Texturen oder von Polituren auf der Oberfläche von monokristallinen Siliziumwafern durch anisotrope Ätzprozesse. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Erzeugung von Texturen oder von Polituren auf der Oberfläche von monokristallinen Siliziumwafern zu entwickeln, bei dem preiswerte leicht zugängliche nicht-toxische Rohstoffe eingesetzt werden können, das energiesparend nahe Raumtemperatur durchführbar ist, in dem gleichzeitig die Reinigung und die Texturierung bzw. Polierung der Waferoberfläche geschieht, bei dem weniger toxische Abgase freigesetzt werden und geringere Abwassermengen entstehen, mit dem eine höhere Abtragsrate als beim Einsatz von alkalischen Lösungen erreicht werden kann, sodass eine In-Line Prozessierung möglich ist und welches sowohl auf SiC-Slurry- gesägten als auch Diamantdraht-gesägten Siliziumwafern vergleichbare Texturen erzeugt. Überraschend wurde gefunden, dass bei der Verwendung von wässrigen Gemischen aus Flusssäure (HF), Salzsäure (HC1) und einem zugesetzten Oxidationsmittel oder wässrigen Lösungen aus Flusssäure (HF) und zugeführtem Chlor (Cl2) als Ätzlösungen bei der Behandlung von monokristallinen Silizium(100) -Wafern Pyramiden mit quadratischer Grundfläche erzeugt werden. Bevorzugt wurden Ammoniumperoxodisulfat ((NH4) 2S2O8), Natriumperoxodisulfat (Na2S2O8), Wasserstoffperoxid (H2O2), Kaliumpermanganat (KMn O4), Ozon (O3), und Salpetersäure (HNO3) als Oxidationsmittel eingesetzt.
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