JP2005019999A - 半導体ウェハの湿式化学的表面処理法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体ウェハを
− 酸性液体で処理し、その際に、半導体ウェハのそれぞれの面で材料を最大で10μm除去し、その後で
− アルカリ性液体で処理し、その際に、先行する機械加工により損傷した結晶領域が少なくとも完全に除去される程度の量の材料を除去する、
半導体ウェハを湿式化学的に表面処理する方法。
【選択図】なし
Description
アルカリ性エッチングは(例えばシリコンの場合に)次の反応式により記載される:
Si + 2 OH− + H2O → SiO3 2− + H2
シミのないウェハを得るため及び十分に高い除去率を達成するために、このプロセスは高温で行わなければならない。この温度は少なくとも100℃に設定しなければならない、それというのも低い温度ではシミが形成されてしまい、このシミは付加的なポリシング工程でのみ再び除去することができ、半導体ウェハの製造コストは上昇してしまう。アルカリ性のエッチングは、一般に機械的な除去工程、例えばラッピング又は研磨工程の直後に行われる。このアルカリ性エッチングは、ウェハ表面の清浄化のため並びに機械的除去工程の際に損傷された結晶領域(ダメージ)の除去のために使用することができる。
Si + HNO3 → SiO2 + 2 HNO2
HNO2 → NO + NO2 + H2O
SiO2 + 6 HF → H2SiF6 + 2 H2O
このプロセスは低温で実施することができかつ更に金属を溶解する特性を有するため、従ってほぼ金属不純物不含の半導体ウェハを製造することができる。
− 酸性液体で処理し、その際に、半導体ウェハのそれぞれの面で材料を最大で10μm除去し、その後で
− アルカリ性液体で処理し、その際に、先行する機械加工により損傷した結晶領域が少なくとも完全に除去される程度の量の材料を除去する、
半導体ウェハを湿式化学的に表面処理する方法により解決される。
a) 半導体ウェハの表面に付着するパーティクルを除去するために適した第1の洗浄液で処理し、
b) 酸性液体で処理して、その際に半導体ウェハのそれぞれの面で材料が最大で10μm除去され、
c) 第1の洗浄液で処理し、
d) 半導体ウェハの表面から金属不純物を除去するために適した第2の洗浄液で処理し、
e) アルカリ性液体で処理し、その際に先行する機械加工により損傷された結晶領域が少なくとも完全に除去される程度の量の材料が除去される。
アルカリ性エッチングe)の直前に、有利に第2の洗浄液を用いた他の洗浄工程d)を実施するのが有利であり、この第2の洗浄液は半導体ウェハの表面から金属不純物を除去するために適している。この第2の洗浄液は、有利に水、フッ酸(HF)及びオゾン(O3)を含有する。有利に、雰囲気もこの洗浄液を介してオゾンを含有する。有利に、フッ酸の濃度は0.01%〜2%の範囲内にある。同様にこの液体はオゾンで飽和されているのが有利である。方法のこの段階での金属洗浄は、先行する工程の後に残留するか又は新たに加わった金属汚染物を高温でのアルカリエッチングで半導体ウェハ内へ拡散させることを回避するためにも有利である。
Claims (13)
- 半導体ウェハを
− 酸性液体で処理し、その際に、半導体ウェハのそれぞれの面で材料を最大で10μm除去し、その後で
− アルカリ性液体で処理し、その際に、先行する機械加工により損傷した結晶領域が少なくとも完全に除去される程度の量の材料を除去する、
半導体ウェハを湿式化学的に表面処理する方法。 - 半導体ウェハを、アルカリ性液体で処理する前に、半導体ウェハの表面上に付着するパーティクルを除去するために適した第1の洗浄液で少なくとも1回処理することを特徴とする、請求項1記載の方法。
- 半導体ウェハを、アルカリ性液体で処理する直前に、半導体ウェハの表面から金属汚染物を除去するために適した第2の洗浄液で処理することを特徴とする、請求項1又は2記載の方法。
- 半導体ウェハの表面を工程a)〜e)に記載された順序で:
a) 半導体ウェハの表面に付着するパーティクルを除去するために適した第1の洗浄液で処理し、
b) 酸性液体で処理し、その際に半導体ウェハのそれぞれの面で材料を最大で10μm除去し、
c) 第1の洗浄液で処理し、
d) 半導体ウェハの表面から金属不純物を除去するために適した第2の洗浄液で処理し、かつ
e) アルカリ性液体で処理し、その際に先行する機械加工により損傷された結晶領域が少なくとも完全に除去される程度の量の材料を除去する
ことを特徴とする、請求項3記載の方法。 - 酸性液体が水、フッ酸及び硝酸を含有することを特徴とする、請求項1から4までのいずれか1項記載の方法。
- 酸性液体で処理する間に半導体ウェハのそれぞれの面で材料を最大で5μm除去することを特徴とする、請求項1から5までのいずれか1項記載の方法。
- アルカリ性液体が水及びアルカリ金属水酸化物を含有することを特徴とする、請求項1から6までのいずれか1項記載の方法。
- アルカリ金属水酸化物が水酸化ナトリウム又は水酸化カリウムであることを特徴とする、請求項7記載の方法。
- 第1の洗浄液が水及び界面活性剤を含有することを特徴とする、請求項2又は4記載の方法。
- 第1の洗浄液を用いる処理を最高で90℃の温度で実施することを特徴とする、請求項2、4又は9記載の方法。
- 第1の洗浄液を用いる処理を、超音波を同時に作用させて実施することを特徴とする、請求項2、4、9又は10記載の方法。
- 第2の洗浄液が水、フッ酸及びオゾンを含有することを特徴とする、請求項3又は4記載の方法。
- 半導体ウェハがシリコンウェハであることを特徴とする、請求項1から12までのいずれか1項記載の方法。
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