CN103779441A - 一种太阳电池片清洗回收处理工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种太阳电池片清洗回收处理工艺，属于化工技术领域。具体步骤包括：(1)将太阳能电池片分类后插入电池片承载盒；(2)放入硫酸中出除去铝背场；(3)放入王水中浸泡除去硅片上面银电极，并除去表面氮化硅膜，得到干净的硅片；(4)步骤(3)处理后的硅片用纯水冲洗干净后，用氢氧化钠中和硅片上的酸性物质；(5)利用超声波清洗，得硅片；(6)向步骤(3)的混合液中加入纯净的铝粉进行还原，得到含有银和铝的混合物，高温加热分离，得到纯度较高的银块。本发明整个过程工艺简单，能够有效地降低电池片、硅片生产成本，获得电池片的银，起到较好的回收效果，达到增效节约成本的目的。
Description
技术领域
本发明涉及一种太阳电池片清洗回收处理工艺，属于化工技术领域。
背景技术
随着可持续发展战略的提出，节能减排、提高可再生资源的利用显得尤为重要。在这样的一个大的社会发展背景下，太阳能光伏产业遇到了前所唯有的机遇。光伏产业的发展必将大大增加对硅料的需求，所以废硅料的回收再利用有利于降低太阳能材料成本，推动行业快速发展，加速进入低成本光伏发电时代。
硅太阳电池是在单晶或多晶衬底上通过清洗、表面组织机构化、扩散、去边、镀减发射膜、印刷电极、烧结等一系列工艺制作而成的，是一种能将太阳能转化成电能的一种装置。目前，在硅太阳能电池片的生产过程中不可避免地会产生转换效率很低的电池片和外观比较严重的花片。以往的低效片和比较严重的花片都只能压在仓库，不知如何处理。这样造成了很大的浪费和成本的提高。报废电池片是在生产过程产生的，有设备工艺、人员失误等造成，报废电池片不能达到投炉铸锭标准，必须对其酸洗处理。目前市场上酸洗一般为氢氟酸加氟化铵浸泡，处理成本高，处理效果差。通过盐酸浸泡、王水加氢氟酸浸泡再用混酸洗纯水冲洗干净可以投炉。报废电池片每一张电池片含有0.1到0.3g银，目前市场上酸洗一般为氢氟酸加氟化铵浸泡洗干净投炉使用，但银无法回收造成很大的浪费。
发明内容
本发明的目的在于提供一种太阳电池片清洗回收处理工艺，以便能够针对太阳能电池片进行回收利用，得到所需要的硅片和银块，化废为宝。
为了实现上述目的，本发明的技术方案如下。
一种太阳电池片清洗回收处理工艺，具体步骤包括：
(1)将太阳能电池片进行分类挑选，对于整块电池片或者完好性超过三分之一的电池片，表面采用工业酒精清洗干净，去除异物后插入电池片承载盒中，要求垂直插入，电池片之间的距离为5～15mm；
(2)将插有电池片的承载盒放入到装有硫酸中的槽体中浸泡1～10小时将铝背场去除，槽体加热温度为30～80℃，其中，硫酸浓度为40％～70％；
(3)将去除铝背场后的承载盒中的硅片用纯水冲洗干净，放入王水中浸泡1～10小时，去除硅片上面银电极；按照王水与氢氟酸体积比10～15∶1的比例，在王水中加入氢氟酸，将去除银电极的硅片置入浸泡1～10小时，去除表面氮化硅膜，得到干净的硅片；
(4)步骤(3)处理后的硅片用纯水冲洗干净后，用盐酸浸泡5～10个小时，然后用HNO3进行浸泡1～3小时，用氢氧化钠中和硅片上的酸性物质，然后使用纯水对硅片进行多次漂洗，以去除其上的反应后的剩余物，同时对漂洗后的液体进行pH值测量，漂洗过程直至所测量的漂洗后的液体pH值约为7时为止；
(5)漂洗完成后，利用超声波清洗，清洗完成后，用脱水机对硅片脱水后放入烘箱烘干，即得硅片。
(6)向步骤(3)的混合液中，加入纯净的铝粉进行还原，当反应结束后，得到含有银和铝混合物的，然后采用高温加热的方式，进行分离，得到纯度较高的银块。
上述步骤中，所述的纯水的电导率在16-18MΩ.cm。
本发明中，所涉及到的化学反应机理如下：
1、放入氢氟酸溶液内，其化学反应方程式如下
SiO2+4HF＝SiF4(g)+2H2O；
2、捞起放入硝酸溶液并搅拌，其化学反应方程式如下：
Si+4HNO3＝SiO2+4NO2+2H2O；
SiO2+4HF＝SiF4(g)+2H2O；
3、银栅线与王水反应：
Ag+HNO3+3HCl＝AgCl3+NO↑+2H2O；
AgCl3+HCl＝HAgCl4(四氯合银酸)；
溶液中的的强氧化剂同时也能很好的去除烧结之后形成的硅铝合金。溶液中盐酸的存在同时溶解了背电场并生成大量氢气。
2Al+6HCl＝2AlCl3+3H2↑；
而减反射膜氮化硅层则由氢氟酸去除，反应方程式如下：
Si3N4+4HF+9H2O＝3H2SiO3+4NH4F。
本发明的有益效果在于：通过加入不同的酸对电池片上面的铝、银、氮化硅进行处理，处理时可以得到充分反应，处理成本低，效率高，可使低效电池片得到充分利用。通过盐酸浸泡、王水加氢氟酸浸泡产生硝酸银用铝粉置换出来银，得到铝和银的混合物，可高温分离出铝和银，或者进一步加工成银铝浆料使用。而回收后的硅片完整的可以继续投入生产电池片，而碎片的或者非完整的可以作为太阳电池硅原料重新使用。整个过程工艺简单，能够有效地降低电池片生产成本，获得电池片的银，起到较好的回收效果，达到增效节约成本的目的。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明的具体实施方式进行描述，以便更好的理解本发明。
实施例1
一种太阳电池片清洗回收处理工艺，具体步骤包括：
(1)将太阳能电池片进行分类挑选，对于整块电池片或者完好性超过三分之一的电池片，表面采用工业酒精清洗干净，去除异物后插入电池片承载盒中，要求垂直插入，电池片之间的距离为5mm；
(2)将插有电池片的承载盒放入到装有硫酸中的槽体中浸泡1小时将铝背场除去，槽体加热温度为80℃，其中，硫酸浓度为70％；
(3)将去除铝背场后的承载盒中的硅片用纯水冲洗干净，放入王水中浸泡10小时，除去硅片上面的银电极；按照王水与氢氟酸体积比10∶1的比例，在王水中加入氢氟酸，将去除银电极的硅片置入浸泡1小时，去除表面氮化硅膜，得到干净的硅片；
(4)步骤(3)处理后的硅片用纯水冲洗干净后，用盐酸浸泡5个小时，然后用HNO3进行浸泡3小时，用氢氧化钠中和硅片上的酸性物质，然后使用纯水对硅片进行多次漂洗，以去除其上的反应后的剩余物，同时对漂洗后的液体进行pH值测量，漂洗过程直至所测量的漂洗后的液体pH值约为7时为止；
(5)漂洗完成后，利用超声波清洗，清洗完成后，用脱水机对硅片脱水后放入烘箱烘干，即得硅片。
(6)向步骤(3)的混合液中，加入纯净的铝粉进行还原，当反应结束后，得到含有银和铝的混合物，然后采用高温加热的方式，进行分离，得到纯度较高的银块。
上述步骤中，所述的纯水的电导率在16MΩ.cm。
实施例2
一种太阳电池片清洗回收处理工艺，具体步骤包括：
(1)将太阳能电池片进行分类挑选，对于整块电池片或者完好性超过三分之一的电池片，表面采用工业酒精清洗干净，去除异物后插入电池片承载盒中，要求垂直插入，电池片之间的距离为15mm；
(2)将插有电池片的承载盒放入到装有硫酸中的槽体中浸泡10小时将铝背场除去，槽体加热温度为30℃，其中，硫酸浓度为40％；
(3)将去除铝背场后的承载盒中的硅片用纯水冲洗干净，放入王水中浸泡1小时，去除硅片上面银电极；按照王水与氢氟酸体积比15∶1的比例，在王水中加入氢氟酸，将去除银电极的硅片置入浸泡10小时，去除表面氮化硅膜，得到干净的硅片；
(4)步骤(3)处理后的硅片用纯水冲洗干净后，用盐酸浸泡10个小时，然后用HNO3进行浸泡1小时，用氢氧化钠中和硅片上的酸性物质，然后使用纯水对硅片进行多次漂洗，以去除其上的反应后的剩余物，同时对漂洗后的液体进行pH值测量，漂洗过程直至所测量的漂洗后的液体pH值约为7时为止；
(5)漂洗完成后，利用超声波清洗，清洗完成后，用脱水机对硅片脱水后，放入烘箱烘干，即得硅片。
(6)向步骤(3)的混合液中，加入纯净的铝粉进行还原，当反应结束后，得到含有银和铝的混合物，然后采用高温加热的方式，进行分离，得到纯度较高的银块。
上述步骤中，所述的纯水的电导率在18MΩ.cm。
实施例3
一种太阳电池片清洗回收处理工艺，具体步骤包括：
(1)将太阳能电池片进行分类挑选，对于整块电池片或者完好性超过三分之一的电池片，表面采用工业酒精清洗干净，去除异物后插入电池片承载盒中，要求垂直插入，电池片之间的距离为8mm；
(2)将插有电池片的承载盒放入到装有硫酸中的槽体中浸泡6小时将铝背场除去，槽体加热温度为60℃，其中，硫酸浓度为60％；
(3)将去除铝背场后的承载盒中的硅片用纯水冲洗干净，放入王水中浸泡5小时，去除硅片上面的银电极；按照王水与氢氟酸体积比12∶1的比例，在王水中加入氢氟酸，将去除银电极的硅片置入浸泡6小时，去除表面氮化硅蓝膜，得到干净的硅片；所述氢氟酸指分析纯含量；
(4)步骤(3)处理后的硅片用纯水冲洗干净后，用盐酸浸泡6个小时，然后用HNO3进行浸泡3小时，用氢氧化钠中和硅片上的酸性物质，然后使用纯水对硅片进行多次漂洗，以去除其上的反应后的剩余物，同时对漂洗后的液体进行pH值测量，漂洗过程直至所测量的漂洗后的液体pH值约为7时为止；
(5)漂洗完成后，利用超声波清洗，清洗完成后，用脱水机对硅片脱水后，放入烘箱烘干，即得硅片。
(6)向步骤(3)的混合液中，加入纯净的铝粉进行还原，当反应结束后，得到含有银和铝的混合物，然后采用高温加热的方式，进行分离，得到纯度较高的银块。
上述步骤中，所述的纯水的电导率在17MΩ.cm。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
Claims (2)
1.一种太阳电池片清洗回收处理工艺，其特征在于：具体步骤包括：
(1)将太阳能电池片进行分类挑选，对于整块电池片或者完好性超过三分之一的电池片，表面采用工业酒精清洗干净，去除异物后插入电池片承载盒中，垂直插入，电池片之间的距离为5～15mm；
(2)将插有电池片的承载盒放入到装有硫酸中的槽体中浸泡1～10小时将铝背场除去，槽体加热温度为30～80℃，其中，硫酸浓度为40％～70％；
(3)将去除铝背场后的承载盒中的硅片用纯水冲洗干净，放入王水中浸泡1～10小时，去除硅片上面银电极；按照王水与氢氟酸体积比10～15∶1的比例，在王水中加入氢氟酸，将去除银电极的硅片放入浸泡1～10小时，去除表面氮化硅膜，得到干净的硅片；
(4)步骤(3)处理后的硅片用纯水冲洗干净后，用盐酸浸泡5～10小时，然后用HNO3进行浸泡1～3小时，用氢氧化钠中和硅片上的酸性物质，然后使用纯水对硅片进行多次漂洗，以去除其上的反应后的剩余物，同时对漂洗后的液体进行pH值测量，漂洗过程直至所测量的漂洗后的液体pH值约为7时为止；
(5)漂洗完成后，利用超声波清洗，清洗完成后，用脱水机对硅片脱水后，放入箱烘干，即得硅片；
(6)针对步骤(3)中的混合液中，加入过量的纯净铝粉进行还原，当反应结束后，得到含有银和铝的混合物，然后采用高温加热的方式，进行分离，得到纯度较高的银块。
2.根据权利要求1所述的一种太阳电池片清洗回收处理工艺，其特征在于：上述步骤中，所用纯水的电导率为16～18MΩ.cm。
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Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103920698A (zh) * | 2014-05-08 | 2014-07-16 | 刘景洋 | 一种废晶体太阳能硅电池片中资源分类回收方法 |
| CN104986769A (zh) * | 2014-12-17 | 2015-10-21 | 马鞍山明鑫光能科技有限公司 | 一种ic光刻片的原料回收清洗方法 |
| CN105206711A (zh) * | 2015-10-23 | 2015-12-30 | 乐山新天源太阳能科技有限公司 | 一种太阳能电池片加工方法 |
| CN105355710A (zh) * | 2015-10-23 | 2016-02-24 | 乐山新天源太阳能科技有限公司 | 一种太阳能电池片加工工艺 |
| CN105750297A (zh) * | 2016-02-22 | 2016-07-13 | 成都振中电气有限公司 | 太阳能电池板回收装置 |
| CN106744972A (zh) * | 2016-12-15 | 2017-05-31 | 中山市得高行知识产权中心（有限合伙） | 一种太阳能电池片碎片回收方法 |
| CN108339831A (zh) * | 2018-02-09 | 2018-07-31 | 中南大学 | 硅太阳电池的处置方法 |
| CN114956605A (zh) * | 2022-06-28 | 2022-08-30 | 安徽光智科技有限公司 | 石英管的回收再利用方法 |
| CN117174573A (zh) * | 2023-11-03 | 2023-12-05 | 山东有研艾斯半导体材料有限公司 | 一种去除晶圆表面铝金属膜的方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1851016A (zh) * | 2006-05-30 | 2006-10-25 | 姜益群 | 硅废弃片表面金属的去除和贵金属银铂金的回收方法 |
| CN101126121A (zh) * | 2007-10-16 | 2008-02-20 | 鞍钢股份有限公司 | 一种预还原复合烧结矿的生产方法 |
| CN102842648A (zh) * | 2012-08-12 | 2012-12-26 | 安阳市凤凰光伏科技有限公司 | 废太阳能电池片退银处理方法 |
| CN102851506A (zh) * | 2012-08-12 | 2013-01-02 | 安阳市凤凰光伏科技有限公司 | 废太阳能电池片退银回收方法 |
-
2013
- 2013-11-13 CN CN201310572107.9A patent/CN103779441A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1851016A (zh) * | 2006-05-30 | 2006-10-25 | 姜益群 | 硅废弃片表面金属的去除和贵金属银铂金的回收方法 |
| CN101126121A (zh) * | 2007-10-16 | 2008-02-20 | 鞍钢股份有限公司 | 一种预还原复合烧结矿的生产方法 |
| CN102842648A (zh) * | 2012-08-12 | 2012-12-26 | 安阳市凤凰光伏科技有限公司 | 废太阳能电池片退银处理方法 |
| CN102851506A (zh) * | 2012-08-12 | 2013-01-02 | 安阳市凤凰光伏科技有限公司 | 废太阳能电池片退银回收方法 |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103920698B (zh) * | 2014-05-08 | 2016-04-06 | 刘景洋 | 一种废晶体太阳能硅电池片中资源分类回收方法 |
| CN103920698A (zh) * | 2014-05-08 | 2014-07-16 | 刘景洋 | 一种废晶体太阳能硅电池片中资源分类回收方法 |
| CN104986769A (zh) * | 2014-12-17 | 2015-10-21 | 马鞍山明鑫光能科技有限公司 | 一种ic光刻片的原料回收清洗方法 |
| CN105206711B (zh) * | 2015-10-23 | 2017-03-29 | 乐山新天源太阳能科技有限公司 | 一种太阳能电池片加工方法 |
| CN105355710A (zh) * | 2015-10-23 | 2016-02-24 | 乐山新天源太阳能科技有限公司 | 一种太阳能电池片加工工艺 |
| CN105206711A (zh) * | 2015-10-23 | 2015-12-30 | 乐山新天源太阳能科技有限公司 | 一种太阳能电池片加工方法 |
| CN105750297A (zh) * | 2016-02-22 | 2016-07-13 | 成都振中电气有限公司 | 太阳能电池板回收装置 |
| CN106744972A (zh) * | 2016-12-15 | 2017-05-31 | 中山市得高行知识产权中心（有限合伙） | 一种太阳能电池片碎片回收方法 |
| CN108339831A (zh) * | 2018-02-09 | 2018-07-31 | 中南大学 | 硅太阳电池的处置方法 |
| CN114956605A (zh) * | 2022-06-28 | 2022-08-30 | 安徽光智科技有限公司 | 石英管的回收再利用方法 |
| CN114956605B (zh) * | 2022-06-28 | 2023-12-29 | 安徽光智科技有限公司 | 石英管的回收再利用方法 |
| CN117174573A (zh) * | 2023-11-03 | 2023-12-05 | 山东有研艾斯半导体材料有限公司 | 一种去除晶圆表面铝金属膜的方法 |
| CN117174573B (zh) * | 2023-11-03 | 2024-02-09 | 山东有研艾斯半导体材料有限公司 | 一种去除晶圆表面铝金属膜的方法 |
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