CN1851016A - 硅废弃片表面金属的去除和贵金属银铂金的回收方法 - Google Patents
硅废弃片表面金属的去除和贵金属银铂金的回收方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1851016A CN1851016A CNA2006100517013A CN200610051701A CN1851016A CN 1851016 A CN1851016 A CN 1851016A CN A2006100517013 A CNA2006100517013 A CN A2006100517013A CN 200610051701 A CN200610051701 A CN 200610051701A CN 1851016 A CN1851016 A CN 1851016A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- acid
- platinum
- silver
- metal
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 74
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 74
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 74
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 44
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 11
- GDYSGADCPFFZJM-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Pt].[Au] Chemical compound [Ag].[Pt].[Au] GDYSGADCPFFZJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 title 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 title 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 80
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 70
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 45
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims abstract description 45
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 39
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 39
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 38
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 14
- 229910001961 silver nitrate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 31
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 239000002699 waste material Substances 0.000 claims description 23
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 13
- 239000011133 lead Substances 0.000 claims description 13
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 13
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 13
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 13
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 12
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 9
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 6
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 claims description 5
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 abstract description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 abstract 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 41
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N copper(II) nitrate Chemical compound [Cu+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- FFRBMBIXVSCUFS-UHFFFAOYSA-N 2,4-dinitro-1-naphthol Chemical compound C1=CC=C2C(O)=C([N+]([O-])=O)C=C([N+]([O-])=O)C2=C1 FFRBMBIXVSCUFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004042 HAuCl4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- IHWJXGQYRBHUIF-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Pt] Chemical compound [Ag].[Pt] IHWJXGQYRBHUIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- -1 etc. Substances 0.000 description 1
- 239000003517 fume Substances 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P10/00—Technologies related to metal processing
- Y02P10/20—Recycling
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
本发明公开了一种硅废弃片表面金属的去除和贵金属银铂金的回收方法。它是将半导体器件和半导体集成电路废弃硅片浸入盐酸或稀硫酸中以去除比氢活泼的金属，用硝酸溶解硅片表面上的铜或银，用浓盐酸和浓硝酸的混合酸溶解硅片表面上的金和铂，再用氢氟酸和硝酸的混合酸溶解硅片表面上的金属硅化物，纯水洗净、甩干或烘干得到原料硅片。所得的硝酸银溶液中加比氢活泼的金属置换得到银，溶解金和铂的王水中加热或加碱除去过量的盐酸和硝酸，剩余溶液中加入铜置换得到金或铂。本发明有效去除了废弃硅片表面的金属杂质和金属硅化物，处理后的硅片可作为太阳能硅单晶的原料，也可进一步加工成太阳能电池硅片，同时又回收了贵金属，有利于资源的循环利用。
Description
技术领域
本发明涉及一种硅废弃片表面金属的去除和贵金属银铂金的回收方法
背景技术
在半导体分立器件(简称半导体器件)与半导体集成电路工业中，都会有因各种原因导致器件失效而产生的各种废弃硅片，其中有一部分硅片表面已经沉积有金属铝、铜、银、铂、金等，在将这部分废弃硅片回收利用时，首先要将这些硅片表面的金属去除干净，否则，这些硅片在后道的加工过程中就会有金属的沾污，严重影响硅片的质量。另一方面，硅片表面的贵金属银、铂、金资源十分珍贵，必须回收利用。
发明内容
本发明的目的是提供一种硅废弃片表面金属的去除和贵金属银铂金的回收方法。
方法的步骤如下：
1)将半导体器件和半导体集成电路废弃硅片浸入盐酸或稀硫酸中以去除镁、铝、锌、铁、镍、锡、铅比氢活泼的金属，用硝酸溶解硅片表面上的铜或银，用浓盐酸和浓硝酸的混合酸溶解硅片表面上的金和铂，再用氢氟酸和硝酸的混合酸溶解硅片表面上的金属硅化物，纯水洗净、甩干或烘干得到原料硅片，氧化反应温度为30～80℃；
2)将溶解有银的硝酸银溶液加热或加碱除去酸，所得的硝酸银溶液中加镁、铝、锌、铁、镍、锡、铅置换得到银；
3)溶解金和铂的浓盐酸和浓硝酸的混合酸中加热或加碱除去的盐酸和硝酸，剩余溶液中加入铜置换得到金或铂。
所述盐酸的浓度为10～30％。稀硫酸的浓度为10～60％。硝酸的浓度为10～70％。浓盐酸和浓硝酸的混合酸配比为3∶1～5∶1。氢氟酸和硝酸的混合酸的配比为1∶1～1∶10。
本发明有效去除了废弃硅片表面的金属杂质，处理后的硅片可作为太阳能硅单晶的原料，也可进一步加工成太阳能电池硅片，同时又回收了贵金属，有利于资源的循环利用。
具体实施方式
本发明工艺流程和技术要点
1.硅废弃片的分类
根据硅片表面的颜色将其分为二类，一类表面是银白色，一类表面有深浅不同的金黄色。硅片的分类有利于分别回收铜与银，金与铂。
2.表面金属的溶解和去除
1)盐酸或稀硫酸剥离轻金属
废弃硅片用专用的花蓝装载，置于盐酸或稀硫酸溶液内，金属活性顺序表中比氢活泼的金属都能与稀酸反应。
如
常见金属活动顺序如下
K Ca Na Mg Al Zn Fe Ni Sn Pb (H) Cu Hg Ag Pt Au
反应至无气体产生后，用水洗净。
盐酸或稀硫酸浓度选择既要考虑到有足够快的反应速度，同时要考虑到使用的方便与安全，由于浓盐酸的强挥发性和浓硫酸强脱水性与氧化性，建议使用的盐酸浓度为10～30％，稀硫酸的浓度为10～60％。
因为轻金属不回收，所以二类废弃片可在同一槽溶液中进行。
2)硝酸溶解铜或银
经过上述1)处理的硅废弃片，再用硝酸溶液并加热可溶解铜或银，HNO3的浓度为10～70％。铜或银与稀硝酸和浓硝酸反应如下：
硅片同样置花蓝内与硝酸溶液反应，由于金属与硝酸反应产生有害气体NO、NO2，所以，反应必须在通风橱内进行，尾气要用吸收塔吸收有害气体后排放。
二类废弃片或分次或分槽在不同的溶液中进行，这样铜与银就能分开溶解，分别回收。
3)浓盐酸和浓硝酸的混合酸(王水)溶解贵重金属金或铂
经过前述1)和2)二步处理，硅废弃片表面剩余的金属就是贵重金属金和铂，金和铂要用王水溶解，王水的配比为用36％的浓盐酸和65％浓硝酸按体积比4∶1配制，反应式为：
上述反应同样需要加热，二类废弃片或分槽或分次分别用王水溶解，可分别回收金和铂。
4)氢氟酸和硝酸混合酸剥离金属硅化物、硅氧化物、氮化物。
除去了轻金属和重金属的硅片表面，可能还残留有金属硅化物、硅氧化物、氮化物等，这些化合物除了与混酸反应而溶解外，既使不与混酸反应，由于氢氟酸和硝酸混合酸与表面的硅反应，随着支撑这些化合物的硅基体的溶解，这些化合物也会随反应而剥离。
反应后的硅片用纯水洗净，完整的硅片可用甩干机甩干，再进一步加工成太阳能电池硅片，也可用作原料硅片，破片可烘干得到原料硅片作为太阳能硅单晶锭或铸造多晶锭的原料。
3.银、铂、金的置换
上述2(2)步骤中所得的硝酸银和硝酸铜溶液中，加热或加NaOH中和，以去除过量硝酸，得硝酸银和硝酸铜溶液，再在硝酸银溶液中加Mg、Al、Zn、Fe、Ni、Sn、Pb等活泼金属，则置换出银。
如：
硝酸铜溶液中加Mg、Al、Zn、Fe、Ni Sn、Pb等活泼金属，则置换出铜。
上述2(3)步骤中所得的HAuCl4、HPtCl2溶液中，加热或加NaOH中和，以去除过量酸，得HAuCl4、HPtCl2溶液，再在此溶液中加Cu或Ag，则置换出金、铂。
如：
4.银、铂、金的提纯
上述3置换出的银中含有过量的Mg、Al、Zn、Fe、Ni、Sn、Pb等活泼金属，在所得的银中加盐酸或稀硫酸可以除去这些金属。
如：
上述3置换出的金、铂中含有过量的所加的铜或银，为除去过量的铜或银，在所得的金和铂中加硝酸并加热，得到提纯的金和铂。
如：
实施例1
1)将半导体器件和半导体集成电路废弃硅片浸入浓度为10％盐酸或稀硫酸的浓度为10％中以去除镁、铝、锌、铁、镍、锡、铅比氢活泼的金属，用浓度为10％硝酸溶解硅片表面上的铜或银，用3∶1的浓盐酸和浓硝酸的混合酸溶解硅片表面上的金和铂，再用1∶1的氢氟酸和硝酸的混合酸溶解硅片表面上的金属硅化物，纯水洗净、甩干或烘干得到原料硅片，氧化反应温度为30℃；
2)将溶解有银的硝酸银溶液加热或加碱除去酸，所得的硝酸银溶液中加镁、铝、锌、铁、镍、锡、铅置换得到银；
3)溶解金和铂的浓盐酸和浓硝酸的混合酸中加热或加碱除去的盐酸和硝酸，剩余溶液中加入铜置换得到金或铂。
实施例2
1)将半导体器件和半导体集成电路废弃硅片浸入浓度为30％盐酸或浓度为60％稀硫酸的中以去除镁、铝、锌、铁、镍、锡、铅比氢活泼的金属，用浓度为70％硝酸溶解硅片表面上的铜或银，用5∶1的浓盐酸和浓硝酸的混合酸溶解硅片表面上的金和铂，再用1∶10的氢氟酸和硝酸的混合酸溶解硅片表面上的金属硅化物，纯水洗净、甩干或烘干得到原料硅片，氧化反应温度为80℃；
2)将溶解有银的硝酸银溶液加热或加碱除去酸，所得的硝酸银溶液中加镁、铝、锌、铁、镍、锡、铅置换得到银；
3)溶解金和铂的浓盐酸和浓硝酸的混合酸中加热或加碱除去的盐酸和硝酸，剩余溶液中加入铜置换得到金或铂。
实施例3
1)将半导体器件和半导体集成电路废弃硅片浸入浓度为20％盐酸或浓度为40％稀硫酸的中以去除镁、铝、锌、铁、镍、锡、铅比氢活泼的金属，用浓度为40％硝酸溶解硅片表面上的铜或银，用4∶1的浓盐酸和浓硝酸的混合酸溶解硅片表面上的金和铂，再用1∶5的氢氟酸和硝酸的混合酸溶解硅片表面上的金属硅化物，纯水洗净、甩干或烘干得到原料硅片氧化反应温度为50℃；
2)将溶解有银的硝酸银溶液加热或加碱除去酸，所得的硝酸银溶液中加镁、铝、锌、铁、镍、锡、铅置换得到银；
3)溶解金和铂的浓盐酸和浓硝酸的混合酸中加热或加碱除去的盐酸和硝酸，剩余溶液中加入铜置换得到金或铂。
Claims (6)
1.一种硅废弃片表面金属的去除和贵金属银铂金的回收方法，其特征在于方法的步骤如下：
1)将半导体器件和半导体集成电路废弃硅片浸入盐酸或稀硫酸中以去除镁、铝、锌、铁、镍、锡、铅比氢活泼的金属，用硝酸溶解硅片表面上的铜或银，用浓盐酸和浓硝酸的混合酸溶解硅片表面上的金和铂，再用氢氟酸和硝酸的混合酸溶解硅片表面上的金属硅化物，纯水洗净、甩干或烘干得到原料硅片，氧化反应温度为30～80℃；
2)将溶解有银的硝酸银溶液加热或加碱除去酸，所得的硝酸银溶液中加镁、铝、锌、铁、镍、锡、铅置换得到银；
3)溶解金和铂的浓盐酸和浓硝酸的混合酸中加热或加碱除去的盐酸和硝酸，剩余溶液中加入铜置换得到金或铂。
2.根据权利要求1所述的一种硅废弃片表面金属的去除和贵金属银铂金的回收方法，其特征在于所述盐酸的浓度为10～30％。
3.根据权利要求1所述的一种硅废弃片表面金属的去除和贵金属银铂金的回收方法，其特征在于所述稀硫酸的浓度为10～60％。
4.根据权利要求1所述的一种硅废弃片表面金属的去除和贵金属银铂金的回收方法，其特征在于所述硝酸的浓度为10～70％。
5.根据权利要求1所述的一种硅废弃片表面金属的去除和贵金属银铂金的回收方法，其特征在于浓盐酸和浓硝酸的混合酸配比为3∶1～5∶1。
6.根据权利要求1所述的一种硅废弃片表面金属的去除和贵金属银铂金的回收方法，其特征在于所述的氢氟酸和硝酸的混合酸的配比为1∶1～1∶10。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB2006100517013A CN100347320C (zh) | 2006-05-30 | 2006-05-30 | 硅废弃片表面金属的去除和贵金属银铂金的回收方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB2006100517013A CN100347320C (zh) | 2006-05-30 | 2006-05-30 | 硅废弃片表面金属的去除和贵金属银铂金的回收方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1851016A true CN1851016A (zh) | 2006-10-25 |
| CN100347320C CN100347320C (zh) | 2007-11-07 |
Family
ID=37132518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB2006100517013A Expired - Fee Related CN100347320C (zh) | 2006-05-30 | 2006-05-30 | 硅废弃片表面金属的去除和贵金属银铂金的回收方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN100347320C (zh) |
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101397608B (zh) * | 2008-11-12 | 2010-06-09 | 中材科技股份有限公司 | 从废耐火材料中富集回收金属铂铑的方法 |
| CN102070146A (zh) * | 2010-11-26 | 2011-05-25 | 安阳市凤凰光伏科技有限公司 | 太阳能硅电池片碎料的处理方法 |
| CN102151668A (zh) * | 2010-11-24 | 2011-08-17 | 浙江芯能光伏科技有限公司 | 一种清洗废弃硅材料小方片的方法 |
| CN102351186A (zh) * | 2011-07-15 | 2012-02-15 | 浙江矽盛电子有限公司 | 一种表面具有金属镀层的硅料回收方法 |
| CN102543681A (zh) * | 2012-02-09 | 2012-07-04 | 上海先进半导体制造股份有限公司 | 芯片背面含金成分的金属的去除方法 |
| CN102643995A (zh) * | 2012-05-15 | 2012-08-22 | 四川大学 | 分离回收废旧电子电器中铜的方法 |
| CN102818980A (zh) * | 2012-08-13 | 2012-12-12 | 安阳市凤凰光伏科技有限公司 | 太阳电池硅衬底的质量检验方法 |
| CN102842648A (zh) * | 2012-08-12 | 2012-12-26 | 安阳市凤凰光伏科技有限公司 | 废太阳能电池片退银处理方法 |
| CN102851506A (zh) * | 2012-08-12 | 2013-01-02 | 安阳市凤凰光伏科技有限公司 | 废太阳能电池片退银回收方法 |
| CN103779441A (zh) * | 2013-11-13 | 2014-05-07 | 河南科技学院 | 一种太阳电池片清洗回收处理工艺 |
| CN103978021A (zh) * | 2014-05-08 | 2014-08-13 | 刘景洋 | 一种废晶体硅太阳能电池板拆解回收处理方法 |
| CN104726920A (zh) * | 2015-03-06 | 2015-06-24 | 西安电子科技大学 | 超薄通孔阳极氧化铝模板制备及其转移方法 |
| CN107034363A (zh) * | 2017-04-28 | 2017-08-11 | 西北有色金属研究院 | 一种从含锡镀金电子废料中快速回收金箔的方法 |
| CN108339831A (zh) * | 2018-02-09 | 2018-07-31 | 中南大学 | 硅太阳电池的处置方法 |
| CN110694644A (zh) * | 2019-10-22 | 2020-01-17 | 西安凯立新材料股份有限公司 | 一种用于乙炔氢氯化反应的金炭催化剂的回收方法 |
| CN110964909A (zh) * | 2018-09-28 | 2020-04-07 | 荆门市格林美新材料有限公司 | 一种废旧光伏组件的回收方法 |
| CN110964908A (zh) * | 2018-09-28 | 2020-04-07 | 荆门市格林美新材料有限公司 | 一种光伏组件的回收再利用方法 |
| CN110964907A (zh) * | 2018-09-28 | 2020-04-07 | 荆门市格林美新材料有限公司 | 一种废旧光伏组件的回收再利用方法 |
| CN110964906A (zh) * | 2018-09-28 | 2020-04-07 | 荆门市格林美新材料有限公司 | 一种光伏组件的回收方法 |
| CN111009595A (zh) * | 2019-12-10 | 2020-04-14 | 浙江晶科能源有限公司 | 废弃太阳能电池的处理方法及设备 |
| CN113820198A (zh) * | 2021-09-30 | 2021-12-21 | 徐州鑫晶半导体科技有限公司 | 半导体硅片表面金属回收率及设备的检测方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2138569C1 (ru) * | 1999-01-10 | 1999-09-27 | Нечаев Игорь Игоревич | Способ переработки силикатных материалов, содержащих тяжелые цветные металлы |
| CN100342044C (zh) * | 2004-10-28 | 2007-10-10 | 南京大学 | 一种从电子工业废渣中提取金、银、钯的工艺方法 |
-
2006
- 2006-05-30 CN CNB2006100517013A patent/CN100347320C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101397608B (zh) * | 2008-11-12 | 2010-06-09 | 中材科技股份有限公司 | 从废耐火材料中富集回收金属铂铑的方法 |
| CN102151668A (zh) * | 2010-11-24 | 2011-08-17 | 浙江芯能光伏科技有限公司 | 一种清洗废弃硅材料小方片的方法 |
| CN102151668B (zh) * | 2010-11-24 | 2013-03-06 | 浙江芯能光伏科技有限公司 | 一种清洗废弃硅材料小方片的方法 |
| CN102070146A (zh) * | 2010-11-26 | 2011-05-25 | 安阳市凤凰光伏科技有限公司 | 太阳能硅电池片碎料的处理方法 |
| CN102070146B (zh) * | 2010-11-26 | 2012-09-05 | 安阳市凤凰光伏科技有限公司 | 太阳能硅电池片碎料的处理方法 |
| CN102351186A (zh) * | 2011-07-15 | 2012-02-15 | 浙江矽盛电子有限公司 | 一种表面具有金属镀层的硅料回收方法 |
| CN102543681A (zh) * | 2012-02-09 | 2012-07-04 | 上海先进半导体制造股份有限公司 | 芯片背面含金成分的金属的去除方法 |
| CN102643995A (zh) * | 2012-05-15 | 2012-08-22 | 四川大学 | 分离回收废旧电子电器中铜的方法 |
| CN102842648A (zh) * | 2012-08-12 | 2012-12-26 | 安阳市凤凰光伏科技有限公司 | 废太阳能电池片退银处理方法 |
| CN102851506A (zh) * | 2012-08-12 | 2013-01-02 | 安阳市凤凰光伏科技有限公司 | 废太阳能电池片退银回收方法 |
| CN102818980A (zh) * | 2012-08-13 | 2012-12-12 | 安阳市凤凰光伏科技有限公司 | 太阳电池硅衬底的质量检验方法 |
| CN103779441A (zh) * | 2013-11-13 | 2014-05-07 | 河南科技学院 | 一种太阳电池片清洗回收处理工艺 |
| CN103978021B (zh) * | 2014-05-08 | 2016-08-24 | 刘景洋 | 一种废晶体硅太阳能电池板拆解回收处理方法 |
| CN103978021A (zh) * | 2014-05-08 | 2014-08-13 | 刘景洋 | 一种废晶体硅太阳能电池板拆解回收处理方法 |
| CN104726920A (zh) * | 2015-03-06 | 2015-06-24 | 西安电子科技大学 | 超薄通孔阳极氧化铝模板制备及其转移方法 |
| CN107034363A (zh) * | 2017-04-28 | 2017-08-11 | 西北有色金属研究院 | 一种从含锡镀金电子废料中快速回收金箔的方法 |
| CN107034363B (zh) * | 2017-04-28 | 2019-03-19 | 西北有色金属研究院 | 一种从含锡镀金电子废料中快速回收金箔的方法 |
| CN108339831A (zh) * | 2018-02-09 | 2018-07-31 | 中南大学 | 硅太阳电池的处置方法 |
| CN108339831B (zh) * | 2018-02-09 | 2020-11-24 | 中南大学 | 硅太阳电池的处置方法 |
| CN110964909A (zh) * | 2018-09-28 | 2020-04-07 | 荆门市格林美新材料有限公司 | 一种废旧光伏组件的回收方法 |
| CN110964908A (zh) * | 2018-09-28 | 2020-04-07 | 荆门市格林美新材料有限公司 | 一种光伏组件的回收再利用方法 |
| CN110964907A (zh) * | 2018-09-28 | 2020-04-07 | 荆门市格林美新材料有限公司 | 一种废旧光伏组件的回收再利用方法 |
| CN110964906A (zh) * | 2018-09-28 | 2020-04-07 | 荆门市格林美新材料有限公司 | 一种光伏组件的回收方法 |
| CN110694644A (zh) * | 2019-10-22 | 2020-01-17 | 西安凯立新材料股份有限公司 | 一种用于乙炔氢氯化反应的金炭催化剂的回收方法 |
| CN110694644B (zh) * | 2019-10-22 | 2022-05-27 | 西安凯立新材料股份有限公司 | 一种用于乙炔氢氯化反应的金炭催化剂的回收方法 |
| CN111009595A (zh) * | 2019-12-10 | 2020-04-14 | 浙江晶科能源有限公司 | 废弃太阳能电池的处理方法及设备 |
| CN113820198A (zh) * | 2021-09-30 | 2021-12-21 | 徐州鑫晶半导体科技有限公司 | 半导体硅片表面金属回收率及设备的检测方法 |
| CN113820198B (zh) * | 2021-09-30 | 2023-12-26 | 中环领先(徐州)半导体材料有限公司 | 半导体硅片表面金属回收率及设备的检测方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN100347320C (zh) | 2007-11-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1851016A (zh) | 硅废弃片表面金属的去除和贵金属银铂金的回收方法 | |
| CN100467631C (zh) | 从镀金印刷电路板废料中回收金和铜的方法 | |
| CN102277497A (zh) | 一种从废旧电路板中回收金、钯、铂、银的方法 | |
| CN1653198A (zh) | 铂族元素的分离方法 | |
| KR101567499B1 (ko) | Led 폐기물로부터 유가금속의 선별 회수 방법 | |
| CN1603432A (zh) | 一种从电子工业废渣中提取金、银、钯的工艺方法 | |
| CN101942567A (zh) | 一种含多价态复合型砷锑化合物阳极泥脱除砷和锑的方法 | |
| CN1596318A (zh) | 材料处理方法及装置 | |
| CN108588720B (zh) | 用于铜基钯镍合金镀层退镀的方法 | |
| CN1444259A (zh) | 半导体器件的制造方法 | |
| FR3028433A1 (fr) | Procede de recuperation de metaux contenus dans un substrat en silicium | |
| CN1530466A (zh) | 退锡或锡铅废液中回收锡的方法 | |
| JP2016520716A (ja) | 金属含有スクラップから金属を濃縮する方法 | |
| CN112919477B (zh) | 半导体废硅泥的二氧化硅再生方法 | |
| CN1752235A (zh) | Sb与Bi的分离回收方法 | |
| CN1114361A (zh) | 从铅阳极泥中回收银、金、锑、铜、铅的方法 | |
| JP2000191312A (ja) | シリコン粉末の精製方法 | |
| CN1810394A (zh) | 应用集成电路废弃硅片生产太阳能电池用硅片的制造方法 | |
| CN101035414A (zh) | 布线基板的制造方法 | |
| KR100586642B1 (ko) | Ｗｉｒｅ Ｓａｗ 슬러리로부터 실리콘 카바이드의 선택적 회수방법 | |
| JP2016514205A (ja) | 化合物半導体材料および／または裏面電極材料および／または透明導電性酸化物（ｔｃｏ）を含む廃棄材料から金属および／または半金属を回収するための湿式製錬方法 | |
| EP3388555B1 (fr) | Procédé de récupération sélective de l'argent en présence d'aluminium, par voie électrochimique et en solution aqueuse | |
| CN1200407A (zh) | 萃取和回收银的方法 | |
| KR20180063474A (ko) | Oled 폐기물로부터 유가금속의 선별횟수 방법 | |
| CN105441689A (zh) | 一种制备高纯金的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| EE01 | Entry into force of recordation of patent licensing contract |
Assignee: Jinko Solar Co., Ltd. Assignor: Jiang Yiqun Contract fulfillment period: 2010.1.5 to 2016.1.4 contract change Contract record no.: 2010330000042 Denomination of invention: Silicon waste-slice surface metal removal and noblemetal silver-platinum-gold recovery method Granted publication date: 20071107 License type: Exclusive license Record date: 2010.1.7 |
|
| LIC | Patent licence contract for exploitation submitted for record |
Free format text: EXCLUSIVE LICENSE; TIME LIMIT OF IMPLEMENTING CONTACT: 2010.1.5 TO 2016.1.4; CHANGE OF CONTRACT Name of requester: JINGKE ENERGY CO., LTD. Effective date: 20100107 |
|
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: ZHEJIANG TONWEL CO., LTD Free format text: FORMER OWNER: JIANG YIQUN Effective date: 20100921 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 310013 TO: 314200 |
|
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20100921 Address after: 2024, room 3, building 314200, north of prosperity Road, Pinghu Road, Pinghu Economic Development Zone, Jiaxing, Zhejiang Patentee after: Zhejiang Dongyuan Electronics Co., Ltd. Address before: Hangzhou City, Zhejiang province 310013 Ancient Jade Road 147 Cun Huang Hongnian Zhejiang University is seeking the science and Technology Building Room 720 Patentee before: Jiang Yiqun |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20071107 Termination date: 20150530 |
|
| EXPY | Termination of patent right or utility model |