CN113820198A - 半导体硅片表面金属回收率及设备的检测方法 - Google Patents
半导体硅片表面金属回收率及设备的检测方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113820198A CN113820198A CN202111165702.1A CN202111165702A CN113820198A CN 113820198 A CN113820198 A CN 113820198A CN 202111165702 A CN202111165702 A CN 202111165702A CN 113820198 A CN113820198 A CN 113820198A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon wafer
- metal
- standard
- recovery
- pipette
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 223
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 222
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 220
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 220
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 220
- 238000011084 recovery Methods 0.000 title claims abstract description 170
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 77
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 85
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 21
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000012086 standard solution Substances 0.000 claims description 27
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 25
- 238000011109 contamination Methods 0.000 claims description 19
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 12
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 11
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 6
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 claims description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 164
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 24
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 21
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 2
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 238000010835 comparative analysis Methods 0.000 description 1
- 238000012864 cross contamination Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000001095 inductively coupled plasma mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000008213 purified water Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
- G01N1/28—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
- G01N1/40—Concentrating samples
- G01N1/4055—Concentrating samples by solubility techniques
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
- G01N1/28—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
- G01N1/34—Purifying; Cleaning
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/62—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating the ionisation of gases, e.g. aerosols; by investigating electric discharges, e.g. emission of cathode
- G01N27/626—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating the ionisation of gases, e.g. aerosols; by investigating electric discharges, e.g. emission of cathode using heat to ionise a gas
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P10/00—Technologies related to metal processing
- Y02P10/20—Recycling
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Pathology (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Biomedical Technology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
本发明公开了半导体硅片的表面金属回收率及设备的检测方法，所述方法包括：(1)制备指定金属浓度C0的标准硅片和回收液，所述回收液包括2‑5wt％的HF、50‑72wt％的HNO3和超纯水；(2)利用所述回收液对所述标准硅片进行处理得到收集液，采用金属回收装置收集所述收集液，将所述收集液送至金属含量测试装置进行分析，得到所述标准硅片的第一次回收金属浓度C1；(3)所述标准硅片的金属回收率RA＝C1/C0*100％。相比多次搜集金属的方法，本发明的只搜集一次金属的方法准确性更高；同时，采用本发明的回收液既可以避免对硅片的腐蚀，也可以满足各离子的溶解度的需求。
Description
技术领域
本发明属于半导体硅片技术领域，具体涉及一种半导体硅片表面金属回收率及设备的检测方法。
背景技术
半导体硅片的金属污染会对集成电路带来恶劣的影响，主要体现在以下几个方面：①导致集成电路器件出现漏电流(leak current)，进而导致器件的失效；②导致少数载流子寿命降低，尤其在高温制程中，表面金属(如Cu、Ni、Fe等)会扩散到硅片内部，在带隙中形成深能级，降低P-N结的反向击穿电压，影响器件性能；③金属污染会严重影响GOI(GateOxide Integrity，栅极氧化层的完整性)，大大地降低器件的可靠性，实验证明金属污染会严重影响GOI的TZDB(time-zero dielectric breakdown，零时刻介质击穿)和TDDB(time-dependent dielectric breakdown，随时间变化的介质击穿)参数。
金属污染来源很广，包含人员、机台、原物料、装载容器、环境等。金属污染涉及过程较多，包含硅片制造(长晶、腐蚀、研磨、抛光、退火等)、晶圆加工(扩散、植入、蚀刻等)的各个制程中。监控各个制程/设备中的金属污染，进而改善现状是大多数主流半导体公司的做法。目前，半导体公司采用气相分解仪(vapor phase decomposition，VPD)与电感耦合等离子质谱仪(inductively coupled plasma mass spectrometry，ICP-MS)联用技术。其中气相分解仪用于收集硅片的表面金属，电感耦合等离子质谱仪用于量化溶液中的金属含量。
金属回收率受较多因素的影响，如回收液的配方、回收液的体积、回收次数等。在金属分析过程中，气相分解仪中硅片表面金属的收集至关重要，会直接影响测试结果。若表面金属收集不佳，测试结果偏低，则会导致较高金属污染的硅片往后流转，导致产品良率降低、产品品质异常。
如何准确的获得实际生产过程中硅片表面金属的回收率，是目前急需要解决的技术问题。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的目的在于提出一种半导体硅片表面金属回收率及设备的检测方法，采用(2-5wt％)HF+(50-72wt％)HNO3的回收液和仅收集一次回收液的方式，收集并能准确地测得标准硅片表面金属的回收率，从而有效解决了现有技术中表面金属收集不佳，测试结果偏低，导致较高金属污染的硅片往后流转，导致产品良率降低以及产品品质异常的技术问题。
为实现上述目的，在本发明的一个方面，本发明提出了一种检测半导体硅片的表面金属回收率的方法。根据本发明的实施例，所述方法包括：
(1)制备指定金属浓度C0的标准硅片和回收液，所述回收液包括2-5wt％的HF、50-72wt％的HNO3和超纯水；
(2)利用所述回收液对所述标准硅片进行处理得到收集液，采用金属回收装置收集所述收集液，将所述收集液送至金属含量测试装置进行分析，得到所述标准硅片的第一次回收金属浓度C1；
(3)所述标准硅片的金属回收率RA＝C1/C0*100％。
根据本发明实施例的检测半导体硅片的表面金属回收率的方法，第一，本发明使用已知金属浓度C0的硅片，使用金属回收装置搜集金属(只搜集一次)后，送至金属含量测试装置进行，计算得到所述标准硅片的第一次回收的金属浓度C1，回收率RA＝C1/C0*100％，相比多次搜集金属的方法，本发明的只搜集一次金属的方法准确性更高；在实际应用过程中，金属回收装置在搜集被污染硅片表面的金属时，也只进行一次搜集，因此，本发明方法更接近金属回收装置的实际应用过程。第二，本发明采用(2-5wt％)HF+(50-72wt％)HNO3的回收液既可以避免对硅片的腐蚀，也可以满足各离子的溶解度的需求，发明人发现，Ca、Cu、Sr、Ba和Pb等金属在HF+H2O2的溶解度和离子化较低，但在HF+HNO3中的溶解度和离子化较高；且如果HNO3的含量大于72wt％，回收液会严重蚀刻硅片，会增加硅片的粗糙度，进而影响回收液的回收；如果HNO3的含量小于50wt％，则Ca、Cu、Sr、Ba和Pb等金属的溶解度和离子化较低，同样会造成回收率降低。
另外，根据本发明上述实施例的检测半导体硅片的表面金属回收率的方法还可以具有如下附加的技术特征：
在本发明的一些实施例中，在步骤(1)中，所述指定金属浓度C0为5×109-1×1013atoms/cm2。
在本发明的一些实施例中，在步骤(1)中，所述制备指定金属浓度C0的标准硅片包括：
(1-1)制备一定浓度的污染标准液；
(1-2)清洁硅片，然后将所述标准硅片置于局部洁净空间中；
(1-3)将所述污染标准液滴在所述硅片表面并干燥，得到指定金属浓度C0的标准硅片。
在本发明的一些实施例中，所述污染标准液中的金属包括：Li、Na、Mg、Al、K、Ca、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Sr、Mo、Ag、Ba、W和Pb中的至少之一。
在本发明的一些实施例中，所述污染标准液中每种金属的浓度为10-50ppb。
在本发明的一些实施例中，所述污染标准液中还包括酸，所述酸在所述污染标准液中的体积含量小于3％，其中，所述酸包括：HNO3、HF和HCl中的至少之一。
在本发明的一些实施例中，所述污染标准液中还包括同位素86Sr、53Cr或60Ni，所述同位素86Sr、53Cr或60Ni的浓度为10-50ppb。
在本发明的一些实施例中，在步骤(1-3)中，采用自动化系统将所述污染标准液滴在所述硅片表面，所述自动化系统包括载台、移液管、载台控制单元和移液管控制单元，所述载台控制单元用于控制所述载台上的所述硅片以所述硅片的中心为圆心进行转动，所述移液管控制单元用于控制所述移液管在所述硅片上径向移动。
在本发明的一些实施例中，所述自动化系统将所述污染标准液滴在所述硅片表面的具体过程包括：
(a)将所述硅片放置在所述载台的指定位置；
(b)使移液管吸取指定体积的所述污染标准液；
(c)同时开启所述移液管控制单元和所述载台控制单元，所述移液管控制单元依据径向步长信息控制所述移液管在所述硅片上做径向移动，当移动到指定的径向步长位置时所述移液管停止运动，所述载台控制单元依据角度信息控制所述硅片以所述硅片的中心为圆心转动，当转动到指定的角度位置时，所述硅片停止转动，滴液，依此循环；
(d)滴液完成后，静置干燥，得到指定金属浓度C0的标准硅片。
在本发明的另一个方面，本发明提出了一种设备的检测方法。根据本发明的实施例，利用上述实施例所述的方法来检测所述设备，当标准硅片的金属回收率RA为60-120％时，则判定所述设备运行正常，所述设备包括所述金属回收装置和所述金属含量测试装置。
根据本发明实施例的设备的检测方法，第一，本发明使用已知金属浓度C0的硅片，使用金属回收装置搜集金属(只搜集一次)后，送至金属含量测试装置进行，计算得到所述标准硅片的第一次回收的金属浓度C1，回收率RA＝C1/C0*100％，相比多次搜集金属的方法，本发明的只搜集一次金属的方法准确性更高；在实际应用过程中，金属回收装置在搜集被污染硅片表面的金属时，也只进行一次搜集，因此，本发明方法更接近金属回收装置的实际应用过程。第二，本发明采用(2-5wt％)HF+(50-72wt％)HNO3的回收液既可以避免对硅片的腐蚀，也可以满足各离子的溶解度的需求，发明人发现，Ca、Cu、Sr、Ba和Pb等金属在HF+H2O2的溶解度和离子化较低，但在HF+HNO3中的溶解度和离子化较高；且如果HNO3的含量大于72wt％，回收液会严重蚀刻硅片，会增加硅片的粗糙度，进而影响回收液的回收；如果HNO3的含量小于50wt％，则Ca、Cu、Sr、Ba和Pb等金属的溶解度和离子化较低，同样会造成回收率降低。
另外，根据本发明上述实施例的设备的检测方法还可以具有如下附加的技术特征：
在本发明的一些实施例中，所述标准硅片中的金属至少包括两种，且其中一种为Cu，当所述Cu的回收率RA为60％-120％且除所述Cu以外的其他金属的回收率RA为80％-120％时，则判定所述设备运行正常。
本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1为本发明检测半导体硅片表面金属回收率的方法流程图；
图2为本发明一个实施例中局部洁净空间的示意图；
图3为本发明一个实施例中收集标准硅片表面金属的过程示意图；
图4为本发明一个实施例中污染标准硅片的自动化系统的结构示意图；
图5为本发明中不同回收液下标准硅片表面金属Ca的回收率的对比图；
图6为本发明中不同回收液下标准硅片表面金属Sr的回收率的对比图；
图7为本发明中不同回收液下标准硅片表面金属Ba的回收率的对比图；
图8为本发明中不同回收液下标准硅片表面金属Pb的回收率的对比图；
图9为本发明中不同回收液下标准硅片表面金属Cu的回收率的对比图；
图10为本发明中在一定配比回收液下标准硅片表面金属回收率的结果图；
图11为本发明实施例2-8的标准硅片表面金属Ca的回收率曲线图；
图12为本发明实施例2-8的标准硅片表面金属Cu的回收率曲线图；
图13为本发明实施例2-8的标准硅片表面金属Sr的回收率曲线图；
图14为本发明实施例2-8的标准硅片表面金属Ba的回收率曲线图；
图15为本发明实施例2-8的标准硅片表面金属Pb的回收率曲线图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
相关技术中定义了三种评价硅片表面金属回收率的方法：
方法A：使用已知金属浓度的硅片，使用金属回收装置收集金属后，送至金属含量测试装置分析，回收率RA＝C1/C0*100％；
方法B：使用未知金属浓度的硅片，使用金属回收装置连续收集3次后并逐次送至金属含量测试装置分析，回收率RB＝C1/(C1+C2+C3)*100％；
方法C：使用未知金属浓度的硅片，使用金属回收装置连续收集2次并逐次送至金属含量测试装置分析，回收率RC＝(C1-C2)/C1*100％；
其中C0是硅片的已知金属浓度，C1是第一次收集的金属浓度，C2是第二次收集的金属浓度，C3是第三次收集的金属浓度。
通过对上述三种评价金属回收率的方法对比分析可知：评价金属回收率的方法A需准备已知金属浓度的硅片，评价回收率的方法B和C需经过多次回收。
如硅片表面Cu浓度为1E10 atoms/cm2，第一次收集Cu浓度为0.4E10 atoms/cm2，第二次收集Cu浓度为0.04E10 atoms/cm2，第三次收集Cu浓度为0.01E10 atoms/cm2，则RA＝0.4E10/1E10*100％＝40％，RB＝0.4E10/(0.4E10+0.04E10+0.01E10)*100％＝89％，RC＝(0.4E10-0.04E10)/0.4E10*100％＝90％。在已知硅片表面Cu浓度的前提下，实际上采用二次收集后金属回收率为44％，三次收集后金属回收率为45％，与上述评价方法B和C的结果相差很大。因此，为准确地得到硅片表面金属回收率，建议采用评价金属回收率的方法A。
在采用上述金属回收率的方法A的前提下，首先应判定该控制金属回收率的方法具有回收硅片表面金属的能力，才可用于实际生产中半导体硅片的金属回收。
因此，在本发明的一个方面，本发明提出了一种检测半导体硅片的表面金属回收率的方法。参考附图1，所述方法包括：
S100：制备指定金属浓度C0的标准硅片和回收液
根据本发明的一个具体实施例，指定金属浓度C0为5×109-1×1013atoms/cm2可得到符合实际半导体生产的硅片污染水平。发明人发现，如果指定金属浓度C0过小，会造成标准硅片更容易受外界环境影响，测试结果容易出现波动；如果指定金属浓度C0过大，可能会造成金属回收装置的机台污染，从而出现交叉污染。
需要说明的是，上述指定金属浓度C0是每种金属的浓度。
怎么制作指定浓度的标准硅片，在现有的经验中，通常会将硅片直接浸泡于含有标准溶液的槽中，再拿出甩干，通过抽样检测来代表所有硅片的金属含量。采用上述方法制作标准硅片具有以下缺点：①标准溶液易污染，且每种金属在硅片上的浓度不一致；②无法保证每个硅片的表面金属含量一致，与实际浓度有偏差，无法制作出指定浓度的硅片。
本发明改进了制作流程，制备指定金属浓度C0的标准硅片包括：
S110：制备一定浓度的污染标准液
污染标准液中每种金属的浓度为10-50ppb，既能减少干燥所需时间，又能有效地保证称量的准确性。发明人发现，如果污染标准液的金属浓度过低，会造成污染标准液的体积过大，极大地增加干燥所需时间，增大硅片受污染的风险；如果污染标准液的金属浓度过高，会造成污染标准液的体积过小，导致在移取污染标准液时，极大地影响称量的准确性。
在本发明的实施例中，上述污染标准液中金属的种类并不受特别限制，可适用于各种类型的金属污染。实施例中，金属选自碱金属、过渡金属、重金属和稀有金属中的至少之一。具体的金属包括：Li、Na、Mg、Al、K、Ca、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Sr、Mo、Ag、Ba、W和Pb中的至少之一。
本发明的又一个实施例，污染标准液中还包括同位素86Sr、53Cr或60Ni，同位素86Sr、53Cr或60Ni的浓度为10-50ppb。因上述同位素不易被外界污染，通过监控金属同位素的回收率可准确地监测硅片表面金属回收率。如采用同位素86Sr作为污染标准液的指定金属，因锶在地壳中丰度为3.7×102％，且86Sr占锶元素的丰度仅11.9％，则86Sr不易在实验过程中被容器、环境及人员污染，可通过监测同位素86Sr的金属回收率达到监测半导体硅片表面金属回收率。
需要说明的是，标准硅片的指定金属浓度C0的单位atoms/cm2与污染标准液中每种金属的浓度的单位ppb之间的关系如下：
其中，w的单位就是ppb，N的单位就是atoms/cm2，其中atoms/cm2含义是每单位面积上的原子数。
本发明的具体实施例中，污染标准液中还包括酸，酸在污染标准液中的体积含量小于3％，有效地保证每种金属在酸溶液中溶解度和离子化均较好，保证每种金属离子的稳定性。
在本发明的实施例中，上述酸的具体种类并不受特别限制，本领域人员可根据实际需要加以选择。优选地，上述酸包括：HNO3、HF和HCL中的至少之一，更优选酸为HNO3。
S120：清洁硅片后，将硅片置于局部洁净空间中
在该步骤中，使用单片式清洗机清洁硅片，保证硅片的洁净度，将硅片放入局部洁净空间(参考附图2)。局部洁净空间中包含风机过滤单元，风机过滤单元一般包含超高效过滤器，其在额定风量下，在颗粒的最小粒径为0.1-0.05微米下的过滤效率不低于99.9995％，过滤效果可达到class 1。其中，class 1表示1ft3的过滤气体中粒径大于0.5μm的粒子少于1个，由此该局部洁净空间提供了一个无尘环境，同时避免外界干扰。
S130：将污染标准液滴在硅片表面，干燥，以便得到指定金属浓度C0的标准硅片。
在该步骤中，在上述局部洁净空间中，将污染标准液滴在硅片表面，干燥，以便得到指定金属浓度C0的标准硅片。
本发明的具体实施例，可使用高精度移液枪移取污染标准液，均匀地滴在硅片表面，制作标准硅片。其中，高精度移液枪移取污染标准液的总滴数以及每滴的体积并不受限制，但应尽量保证每滴污染标准液的体积一致。依据污染标准液的体积及浓度，根据公式(1)可计算出标准硅片的指定金属浓度C0。
本发明的又一具体实施例，参考附图4，采用自动化系统将污染标准液滴在硅片表面，来制作标准硅片。该自动化系统包括载台8、移液管1、移液管控制单元和载台控制单元，载台控制单元用于控制载台上的硅片以硅片的中心为圆心进行转动，移液管控制单元用于控制移液管在硅片上径向移动。
采用上述自动化系统将污染标准液滴在硅片表面的方法，包括以下步骤：
(a)将硅片100放置在载台8的指定位置；
(b)使移液管1吸取指定体积的污染标准液；
(c)同时开启移液管控制单元和载台控制单元，移液管控制单元依据径向步长信息控制移液管在硅片上做径向移动，当移动到指定的径向步长位置时移液管停止运动，载台控制单元依据角度信息控制硅片以硅片的中心为圆心转动，当转动到指定的角度位置时，硅片停止转动，滴液，依此循环；
(d)滴液完成后，静置干燥，得到指定金属浓度C0的标准硅片。
其中，移液管控制单元包括依次相连的移液管臂2、立柱3、皮带4、第一联轴器5、第一电机6和第一控制模块7，其中，立柱3和皮带4之间通过齿轮连接，皮带4和第一联轴器5之间通过齿轮连接，移液管1设在移液管臂2的下方；第一控制模块7中包括硅片100的坐标信息以及设定滴液在硅片100上的径向步长信息，且第一控制模块7根据径向步长信息间接控制移液管1在硅片100上径向移动。具体来说，第一控制模块7控制第一电机6移动，第一电机6带动第一联轴器5移动，第一联轴器5通过齿轮带动皮带4移动，皮带4通过齿轮带动立柱3移动，立柱3带动移液管臂2移动，移液管臂2带动移液管1移动，由此，第一控制模块7根据径向步长信息间接控制移液管1在硅片100上径向移动。
载台控制单元包括依次相连的第二联轴器9、第二电机10和第二控制模块11，其中，载台8和第二联轴器9通过齿轮连接，硅片100放置在载台8的中心位置；第二控制模块11包括设定滴液在硅片100上的角度信息，第二控制模块11用于间接控制载台8以载台8的中心为圆心作旋转运动。具体来说，第二控制模块11控制第二电机10旋转，第二电机10带动第二联轴器9旋转，第二联轴器9通过齿轮带动载台8旋转，由此，第二控制模块11间接控制载台8进行转动，从而带动载台8的硅片100以硅片100的中心为圆心进行转动。
由此，通过采用上述自动化系统制备得到指定金属浓度C0的标准硅片，避免清洗干净的硅片被其它不可控因素再次污染，同时，采用第一控制模块7控制移液管1在硅片100上径向运动和第二控制模块11控制硅片100作旋转运动相结合，使移液管1经过硅片100的所有位置，可以在任意设定位置停留滴液，从而达到在硅片表面均匀滴液的目的。
制备上述回收液就将2-5wt％的HF、50-72wt％的HNO3和余量的UPW(ultrapurified water超纯水)混合均匀摇晃即可。
S200：利用回收液对标准硅片进行处理得到收集液，采用金属回收装置回收收集液，将收集液送至金属含量测试装置进行分析，得到标准硅片的第一次回收金属浓度C1
在该步骤中，利用回收液对标准硅片进行处理得到收集液，采用金属回收装置回收收集液，将收集液送至金属含量测试装置进行分析，计算得到标准硅片的第一次回收的金属浓度C1。
本发明采用(2-5wt％)HF+(50-72wt％)HNO3的回收液既可以避免对硅片的腐蚀，也可以满足各离子的溶解度的需求。发明人发现，Ca、Cu、Sr、Ba和Pb等金属在HF+H2O2的溶解度和离子化较低，但在HF+HNO3中的溶解度和离子化较高；且如果HNO3的含量大于72wt％，回收液会严重蚀刻硅片，会增加硅片的粗糙度，进而影响回收液的收集；如果HNO3的含量小于50wt％，则Ca、Cu、Sr、Ba和Pb等金属的溶解度和离子化较低，同样会造成回收率降低。
根据本发明的又一个具体实施例，参考附图3，采用金属回收装置回收收集液，具体过程包括：
(a)将标准硅片置于HF环境中；
在本发明的实施例中，将标准硅片置于HF环境中的时间与表面氧化膜的厚度有关，一般2-5分钟即可。采用本发明的控制方法使得污染金属直接形成于标准硅片的表面，在后续转移标准硅片过程中，其表面易形成自然氧化层，必须除去硅片表面的氧化层，才可收集到实际的污染金属，此外表面处的自然氧化层呈亲水性不易回收收集液。所以，此处HF的作用一方面及时去除硅片表面的自然氧化层，另一方面使得标准硅片表面呈疏水性，为后续能充分地回收到收集液做准备，进一步地提高硅片表面金属的回收率。
(b)将标准硅片置于旋转台上，在标准硅片的中心滴下回收液，旋转；
(c)在标准硅片的边缘回收收集液。
需要说明的是，所用回收液的体积与标准硅片的尺寸有关，12寸硅片所用回收液的体积在200-300μL左右，8寸硅片所用回收液的体积在180-220μL左右。
根据本发明的又一个具体实施例，标准硅片的旋转速度为10-20mm/s，由此，既可以得到合格的回收率，也达到一定的分析产能，如果旋转速度过小，会大大地降低金属收集的时效性，进而影响分析产能，如果旋转速度过大，会造成各金属的回收率无法满足要求。
S300：标准硅片的金属回收率RA＝C1/C0*100％。
根据本发明实施例的检测半导体硅片的表面金属回收率的方法，第一、本发明使用已知金属浓度C0的硅片，使用金属回收装置收集金属(只搜集一次)后，送至金属含量测试装置分析，得到标准硅片第一次回收的金属浓度C1，回收率RA＝C1/C0*100％，相比多次收集金属的方法，本发明的只搜集一次金属的方法准确性更高，且在实际应用比较广泛。第二、本发明采用(2-5wt％)HF+(50-72wt％)HNO3的回收液既可以避免对硅片的腐蚀，也可以满足各离子的溶解度的需求。
在本发明的另一个方面，本发明提出了一种设备的检测方法。根据本发明的实施例，利用上述实施例的方法来检测设备，当标准硅片的金属回收率RA为60-120％时，则判定设备运行正常，该设备包括所述金属回收装置和所述金属含量测试装置。
根据本发明的又一个具体实施例，污染标准液中的金属至少包括两种，且其中一种为Cu金属，当Cu的回收率RA为60％-120％且除Cu以外其他金属的回收率RA为80％-120％时，则判定该控制方法具有回收硅片表面金属的能力，可用于实际生产中半导体硅片的金属回收。相较于其他元素，Cu元素的扩散系数较高，则其回收率可能会稍低。
下面详细描述本发明的具体实施例，需要说明的是下面描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。另外，如果没有明确说明，在下面的实施例中所采用的所有试剂均为市场上可以购得的，或者可以按照本文或已知的方法合成的，对于没有列出的反应条件，也均为本领域技术人员容易获得的。
实施例1
(1)制备指定金属浓度C0的标准硅片(硅片为12寸，直径300mm)，各金属元素的已知浓度C0如表1所示。
表1
一些实施例中，采用手动方式来制备指定金属浓度C0标准硅片，具体包括步骤如下：
①使用10ppm含有目标金属元素浓度的标准溶液，稀释500倍后，得到20ppb的污染标准物(每种金属的浓度均为20ppb)，污染标准物中的金属如表1所示，在配置过程中需要加入少量的高纯HNO3(约1v％左右)，保证各金属离子的稳定性；
②使用单片式清洗机清洁硅片，保证硅片的洁净度；
③将硅片放入局部洁净空间；
④使用高精度移液枪移取10uL 20ppb污染标准液，均匀地滴在硅片表面，尽量保证每滴标准品体积一致；
⑤在局部洁净空间放置0.5h以上干燥，即可得到已知金属浓度C0的标准硅片。
另一些实施例中，采用自动化系统来制备指定金属浓度C0标准硅片，具体包括如下步骤：
①设置第一控制模块中硅片的坐标信息(0㎜，0°)、(75㎜，0°)、(75㎜，90°)、(75㎜，180°)和(75㎜，270°)，同时设定滴液在硅片上的径向步长信息(25000步，30000步)，设置第二控制模块中的设定滴液在硅片100上的角度信息(0°，90°，180°，270°)。
②将硅片100放置在载台8的中心位置；
③使移液管吸取10uL的污染标准液；
④同时开启移液管控制单元和载台控制单元，移液管控制单元依据径向步长信息控制移液管在硅片上做径向移动，当移动到指定的径向步长位置时移液管停止运动，载台控制单元依据角度信息控制硅片以硅片的中心为圆心转动，当转动到指定的角度位置时，硅片停止转动，滴液，依此循环；
⑤滴液完成后，静置干燥，便可制作出指定金属浓度C0的标准硅片。
同时按照HF:HNO3:UPW＝2.5:62:35.5的质量比，将上述各物质混合均匀摇晃，得到回收液。其中，HF采用的是浓度为49％的HF溶液；HNO3采用的是浓度为55％的HNO3溶液，规格<10ppt；UPW规格<1ppt。
(2)利用上述回收液对标准硅片进行处理得到收集液，采用VPD收集含有标准硅片的表面金属的收集液，将收集液送至ICP-MS分析，得到标准硅片第一次回收的金属浓度C1，则标准硅片的金属回收率RA＝C1/C0*100％，其中采用VPD回收含有标准硅片的表面金属的收集液，具体过程如下：
将标准硅片置于HF环境中，并将其置于旋转台上，在标准硅片的中心滴220uL回收液同时旋转，旋转速度为20mm/s，在硅片的边缘收集回收液。
计算得到Ca、Sr、Ba、Pb和Cu的回收率如附图5-9所示。需要说明的是，本实施例的测试方法对应附图5-9中的方法A。从如图5-9中可指Ca、Sr、Ba、Pb和Cu的回收率的平均值分别约为106.4％、102.1％、101.8％、102.4％、82.2％。此外在上述附图中，在同一种测试方法且同一种回收液中有多个点，代表在该条件下进行了多个平行实验，每一个点代表一个回收率计算结果。
实施例2
该实施例中，采用2wt％的HF、50wt％的HNO3和超纯水的回收液，其他内容均与实施例1相同，计算得到Ca、Sr、Ba、Pb和Cu的回收率如附图11～15所示。从附图中可知，Ca、Sr、Ba、Pb和Cu的回收率的平均值分别约为86.0％，87.7％，85.9％，86.8％，75.7％。
实施例3
该实施例中，采用2wt％的HF、62wt％的HNO3和超纯水的回收液，其他内容均与实施例1相同，计算得到Ca、Sr、Ba、Pb和Cu的回收率如附图11～15所示。从附图中可知，Ca、Sr、Ba、Pb和Cu的回收率的平均值分别约99.4％，97.6％，98.1％，98.3％，87.1％。
实施例4
该实施例中，采用2wt％的HF、72wt％的HNO3和超纯水的回收液，其他内容均与实施例1相同，计算得到Ca、Sr、Ba、Pb和Cu的回收率如附图11～15所示。从附图中可知，Ca、Sr、Ba、Pb和Cu的回收率的平均值分别约103.3％，101.8％，101.5％，101.4％，86.2％。
实施例5
该实施例中，采用5wt％的HF、50wt％的HNO3和超纯水的回收液，其他内容均与实施例1相同，计算得到Ca、Sr、Ba、Pb和Cu的回收率如附图11～15所示。从附图中可知，Ca、Sr、Ba、Pb和Cu的回收率的平均值分别约88.0％，89.7％，87.9％，88.8％，77.7％。
实施例6
该实施例中，采用5wt％的HF、62wt％的HNO3和超纯水的回收液，其他内容均与实施例1相同，计算得到Ca、Sr、Ba、Pb和Cu的回收率如附图11～15所示。从附图中可知，Ca、Sr、Ba、Pb和Cu的回收率的平均值分别约101.6％，101.1％，101.9％，100.9％，84.4％。
实施例7
该实施例中，采用5wt％的HF、72wt％的HNO3和超纯水的回收液，其他内容均与实施例1相同，计算得到Ca、Sr、Ba、Pb和Cu的回收率如附图11～15所示。从附图中可知，Ca、Sr、Ba、Pb和Cu的回收率的平均值分别约102.4％，102.1％，100.3％，99.8％，84.2％。
实施例8
该实施例中，采用3.5wt％的HF、62wt％的HNO3和超纯水的回收液，其他内容均与实施例1相同，计算得到Ca、Sr、Ba、Pb和Cu的回收率如附图11～15所示。从附图中可知，Ca、Sr、Ba、Pb和Cu的回收率的平均值分别约100.9％，100.8％，101.0％，100.9％，86.2％。
从实施例1-8计算得到的回收率可以看出，实施例1、3、6和8的各金属回收率的一致性较好，即HNO3浓度为62wt％时，其采用对应的回收液得到各金属回收率的一致性较好，其中实施例8的各金属回收率的一致性最好，因HF浓度对各金属回收率的影响比较微弱，在HNO3浓度都为62wt％时随着HF浓度增加，回收率会轻微的增加。
对比例1
该对比例分别采用方法A、B和C来测试硅片金属回收率，该对比例中采用的回收液为HF和H2O2的混合液，HF和H2O2的质量比为2:28，其中，HF采用的是浓度为49％的HF溶液，规格<10ppt；H2O2采用的是浓度为35％的H2O2溶液，规格<10ppt；UPW规格<1ppt。其他内容均与实施例1相同，计算得到的Ca、Sr、Ba、Pb和Cu的回收率如附图10所示。从该图中可以看出，采用方法B和C计算得到的各金属的回收率均可达到75％-125％，而Ca,Cu,Sr,Ba,Pb五种金属在方法A下，无法达到75％-125％，这也说明了这些金属元素无法全部被机台回收，仍有一定比例的残留在硅片表面。由此，可以看到通过方法A计算的金属回收率可以正确的反映机台实际的回收效果，而方法B、C无法正确的反映机台实际的回收效果。
对比例2
使用不同的回收液，分别采用方法A、B和C来测试硅片金属回收率，其中回收液配方如下：
HF:H2O2:UPW＝12.5:17.5:70；
HF:H2O2:UPW＝5:28:67；
HF:HNO3:UPW＝2.5:25:72.5；
HF:HNO3:UPW＝2.5:62:35.5；
HF:H2O2:HNO3:UPW＝2:20:50:28。
以上回收液中的各成分的比例均为质量比，HF采用的是浓度为49％的HF溶液，规格<10ppt；H2O2采用的是浓度为35％的H2O2溶液，规格<10ppt；HNO3采用的是浓度为55％的HNO3溶液，规格<10ppt；UPW规格<1ppt。
需要说明的是，在本对比例中针对HF:HNO3:UPW＝2.5:62:35.5的回收液，只采用方法B和C来测试硅片金属回收率。
其他内容均与实施例1相同。计算得到的各金属的回收率如附图5-9所示。
从附图5-9以及附图11-15可以看出，实施例1至8的检测方法得到的标准硅片表面金属回收率均在60％-120％之间，各金属的回收率一致性比较好。而对比例2的测试方法得到的标准硅片表面金属回收率无法达到在60％-120％之间，且各金属的回收率一致性较差。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
Claims (11)
1.一种检测半导体硅片表面金属回收率的方法，其特征在于，包括：
(1)制备指定金属浓度C0的标准硅片和回收液，所述回收液包括2-5wt％的HF、50-72wt％的HNO3和超纯水；
(2)利用所述回收液对所述标准硅片进行处理得到收集液，采用金属回收装置收集所述收集液，将所述收集液送至金属含量测试装置进行分析，得到所述标准硅片的第一次回收金属浓度C1；
(3)所述标准硅片的金属回收率RA＝C1/C0*100％。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述指定金属浓度C0为5×109-1×1013atoms/cm2。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述制备指定金属浓度C0的标准硅片包括：
(1-1)制备一定浓度的污染标准液；
(1-2)清洁硅片，然后将所述标准硅片置于局部洁净空间中；
(1-3)将所述污染标准液滴在所述硅片表面并干燥，得到指定金属浓度C0的标准硅片。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述污染标准液中的金属包括：Li、Na、Mg、Al、K、Ca、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Sr、Mo、Ag、Ba、W和Pb中的至少之一。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述污染标准液中每种金属的浓度为10-50ppb。
6.根据权利要求3至5任意一项所述的方法，其特征在于，所述污染标准液中还包括酸，所述酸在所述污染标准液中的体积含量小于3％，其中，所述酸包括：HNO3、HF和HCl中的至少之一。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述污染标准液中还包括同位素86Sr、53Cr或60Ni，所述同位素86Sr、53Cr或60Ni的浓度为10-50ppb。
8.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在步骤(1-3)中，采用自动化系统将所述污染标准液滴在所述硅片表面，所述自动化系统包括载台、移液管、载台控制单元和移液管控制单元，所述载台控制单元用于控制所述载台上的所述硅片以所述硅片的中心为圆心进行转动，所述移液管控制单元用于控制所述移液管在所述硅片上径向移动。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述自动化系统将所述污染标准液滴在所述硅片表面包括：
(a)将所述硅片放置在所述载台的指定位置；
(b)使移液管吸取指定体积的所述污染标准液；
(c)同时开启所述移液管控制单元和所述载台控制单元，所述移液管控制单元依据径向步长信息控制所述移液管在所述硅片上做径向移动，当移动到指定的径向步长位置时所述移液管停止运动，所述载台控制单元依据角度信息控制所述硅片以所述硅片的中心为圆心转动，当转动到指定的角度位置时，所述硅片停止转动，滴液，依此循环；
(d)滴液完成后，静置干燥，得到指定金属浓度C0的标准硅片。
10.一种设备的检测方法，其特征在于，利用权利要求1-9中任一项的方法来检测所述设备，当标准硅片的金属回收率RA为60-120％时，则判定所述设备运行正常，所述设备包括所述金属回收装置和所述金属含量测试装置。
11.根据权利要求10所述的检测方法，其特征在于，所述标准硅片中的金属至少包括两种，且其中一种为Cu，当所述Cu的回收率RA为60％-120％且除所述Cu以外的其他金属的回收率RA为80％-120％时，则判定所述设备运行正常。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111165702.1A CN113820198B (zh) | 2021-09-30 | 2021-09-30 | 半导体硅片表面金属回收率及设备的检测方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111165702.1A CN113820198B (zh) | 2021-09-30 | 2021-09-30 | 半导体硅片表面金属回收率及设备的检测方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113820198A true CN113820198A (zh) | 2021-12-21 |
| CN113820198B CN113820198B (zh) | 2023-12-26 |
Family
ID=78919980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111165702.1A Active CN113820198B (zh) | 2021-09-30 | 2021-09-30 | 半导体硅片表面金属回收率及设备的检测方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113820198B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117191932A (zh) * | 2023-11-06 | 2023-12-08 | 山东有研艾斯半导体材料有限公司 | 一种硅片表面金属回收率的测试方法及系统 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06192861A (ja) * | 1992-12-01 | 1994-07-12 | Piyuaretsukusu:Kk | シリコンウェハの表面処理法 |
| US5635463A (en) * | 1995-03-17 | 1997-06-03 | Purex Co., Ltd. | Silicon wafer cleaning fluid with HN03, HF, HCl, surfactant, and water |
| US20030073240A1 (en) * | 2000-01-26 | 2003-04-17 | Michihiro Mizuno | Method for evaluating concentration of metallic impurities in silicon wafer |
| JP2005303094A (ja) * | 2004-04-14 | 2005-10-27 | Sumco Corp | シリコンウェーハのゲッタリング効率を評価する方法 |
| CN1851016A (zh) * | 2006-05-30 | 2006-10-25 | 姜益群 | 硅废弃片表面金属的去除和贵金属银铂金的回收方法 |
| KR20150077095A (ko) * | 2013-12-27 | 2015-07-07 | 주식회사 엘지실트론 | 표준 웨이퍼 제조 방법 |
| CN106841364A (zh) * | 2015-12-03 | 2017-06-13 | 有研半导体材料有限公司 | 一种vpd用金属回收液及其配制方法 |
-
2021
- 2021-09-30 CN CN202111165702.1A patent/CN113820198B/zh active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06192861A (ja) * | 1992-12-01 | 1994-07-12 | Piyuaretsukusu:Kk | シリコンウェハの表面処理法 |
| US5635463A (en) * | 1995-03-17 | 1997-06-03 | Purex Co., Ltd. | Silicon wafer cleaning fluid with HN03, HF, HCl, surfactant, and water |
| US20030073240A1 (en) * | 2000-01-26 | 2003-04-17 | Michihiro Mizuno | Method for evaluating concentration of metallic impurities in silicon wafer |
| JP2005303094A (ja) * | 2004-04-14 | 2005-10-27 | Sumco Corp | シリコンウェーハのゲッタリング効率を評価する方法 |
| CN1851016A (zh) * | 2006-05-30 | 2006-10-25 | 姜益群 | 硅废弃片表面金属的去除和贵金属银铂金的回收方法 |
| KR20150077095A (ko) * | 2013-12-27 | 2015-07-07 | 주식회사 엘지실트론 | 표준 웨이퍼 제조 방법 |
| CN106841364A (zh) * | 2015-12-03 | 2017-06-13 | 有研半导体材料有限公司 | 一种vpd用金属回收液及其配制方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117191932A (zh) * | 2023-11-06 | 2023-12-08 | 山东有研艾斯半导体材料有限公司 | 一种硅片表面金属回收率的测试方法及系统 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113820198B (zh) | 2023-12-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6164133A (en) | Method and apparatus for pre-processing of semiconductor substrate surface analysis | |
| US20170069515A1 (en) | Apparatus for measuring impurities on wafer and method of measuring impurities on wafer | |
| CN109935528A (zh) | 一种硅片表面处理方法 | |
| CN113820198B (zh) | 半导体硅片表面金属回收率及设备的检测方法 | |
| US20220362815A1 (en) | Wafer wet cleaning system | |
| US6562728B2 (en) | Surface treatment method of germanium-containing semiconductor substrate that includes immersion of the substrate in chemical solutions to remove foreign matter | |
| TWI635275B (zh) | 清淨度評價方法、洗淨條件決定方法以及矽晶圓之製造方法 | |
| JP5446160B2 (ja) | 再生シリコンウェーハの製造方法 | |
| CN113845917B (zh) | 弯曲晶圆的清洗液及清洗方法 | |
| CN110618132B (zh) | 一种检测硅片背面软损伤密度的方法 | |
| CN111868888B (zh) | 掺硼p型硅晶片的蚀刻方法、金属污染评价方法及制造方法 | |
| CN117393452B (zh) | 采集晶圆表面金属的方法 | |
| CN117191932A (zh) | 一种硅片表面金属回收率的测试方法及系统 | |
| CN117168942A (zh) | 一种检测硅片表面金属的取样方法 | |
| EP3890002B1 (en) | Substrate analyzing method and substrate analyzing device | |
| US11742230B2 (en) | Contaminant detection tools including nebulizer and related methods | |
| CN115910829A (zh) | 用于分析Silicon Ingot结晶缺陷的Cu-Haze评价系统 | |
| CN112539982B (zh) | 一种硅片样片的制作方法和硅片样片 | |
| JP2772035B2 (ja) | ウエハ表面の不純物量の測定方法 | |
| JPH07193035A (ja) | シリコンウェハー表面の不純物元素の回収方法 | |
| CN117753050A (zh) | 一种衬底表面金属杂质的萃取方法 | |
| Fyen et al. | Point of use HF purification for silicon surface preparation by ion exchange | |
| CN115009620A (zh) | 一种用于超高纯氢氟酸包装容器的清洗方法 | |
| CN114496730A (zh) | 一种晶片清洗方法 | |
| Kweskin et al. | Enhanced Point of Use Filtration for Cleaning without Small Particle Addition |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: 221004 No.1 Xinxin Road, Xuzhou Economic and Technological Development Zone, Jiangsu Province Applicant after: Zhonghuan Leading (Xuzhou) Semiconductor Materials Co.,Ltd. Address before: 221004 No.1 Xinxin Road, Xuzhou Economic and Technological Development Zone, Jiangsu Province Applicant before: XUZHOU XINJING SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
|
| CB02 | Change of applicant information | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20230525 Address after: 221004 No.1 Xinxin Road, Xuzhou Economic and Technological Development Zone, Jiangsu Province Applicant after: Zhonghuan Leading (Xuzhou) Semiconductor Materials Co.,Ltd. Applicant after: Zhonghuan leading semiconductor materials Co.,Ltd. Address before: 221004 No.1 Xinxin Road, Xuzhou Economic and Technological Development Zone, Jiangsu Province Applicant before: Zhonghuan Leading (Xuzhou) Semiconductor Materials Co.,Ltd. |
|
| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |