EP1854104A1 - Verfahren zum herstellen einer dünnschicht-struktur - Google Patents

Verfahren zum herstellen einer dünnschicht-struktur

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Publication number
EP1854104A1
EP1854104A1 EP06705966A EP06705966A EP1854104A1 EP 1854104 A1 EP1854104 A1 EP 1854104A1 EP 06705966 A EP06705966 A EP 06705966A EP 06705966 A EP06705966 A EP 06705966A EP 1854104 A1 EP1854104 A1 EP 1854104A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
support structure
layer
sacrificial layer
pore
structure substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
EP06705966A
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Volker Lehmann
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Qimonda AG
Original Assignee
Qimonda AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Qimonda AG filed Critical Qimonda AG
Publication of EP1854104A1 publication Critical patent/EP1854104A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J5/00—Details relating to vessels or to leading-in conductors common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J5/02—Vessels; Containers; Shields associated therewith; Vacuum locks
    • H01J5/18—Windows permeable to X-rays, gamma-rays, or particles
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials

Definitions

  • the invention relates to a method for producing a thin-film structure.
  • Micrometer range is a support structure with very small openings (orders of magnitude: 10 microns) but high porosity necessary.
  • X-ray windows were made of either a low Z (atomic number of atoms of an atom) material such as beryllium, or by laying, i. Applying, e.g. organic film on a support structure (e.g., silicon).
  • a support structure e.g., silicon
  • Beryllium in particular has the considerable disadvantage that it represents hazardous waste and thus can only be disposed of with great inconvenience.
  • the method described in [1] is based on etching in a first region 101 (see FIG. 1) not completely through a silicon wafer 100 extending through pores 103 in the silicon wafer 100 and to coat the walls of the pores with a thin film 104 , Thereafter, the pores 103 are opened from the back side of the silicon wafer 100 by etching so that the thin film 104 is maintained.
  • a second region 102 as shown in Fig.l, pores 103 are provided, which extend into the silicon wafer 100, but not completely through, so that below the pores 103 in the second region 102 substrate material of the silicon wafer 100 is present which increases the stability of the perforated workpiece, ie the machined silicon wafer 100.
  • an X-ray optical component is known that has a semiconductor wafer 200 in which parallel micropores 201 extending in the beam direction with diameters of 0.1 ⁇ m to
  • a thin layer 202 is introduced, which stabilizes the pore walls and pore bottoms of the semiconductor wafer 200.
  • the substrate material of the semiconductor wafer 200 is ground off on its back side (see FIG.2b) so that the thin layer 202 introduced into the micropores 201 is exposed towards the rear side of the semiconductor wafer 200.
  • a disadvantage of the above-mentioned methods is that the window material has to be deposited in very high aspect ratio pores. Therefore, thin films sputtered, vapor deposited or produced by plasma CVD can not be produced with this technology since they have only small penetration depths in cavities. Only SiO 2 thin films and Si 3 N 4 thin films have been successfully deposited in the pores, and thus windows made of these materials could be produced by the methods described.
  • MicroChannel plate which consists of two different types of glass, which are selectively etchable against each other.
  • a method for the production of self-supporting microstructures of thin flat parts or of membranes and the use of microstructures produced by this method as resistance grids in a device for measuring weak gas flows is known.
  • a support frame is first produced, the opening of which is covered on one side flush with an auxiliary layer.
  • the auxiliary layer is removed, for example, by etching.
  • the invention is based on the problem of providing a low-cost, simple yet reliable method for producing a thin-film structure even with a high-aspect ratio pore structure.
  • Support structure substrate is applied a sacrificial layer. Subsequently, the rear side of the support structure substrate is partially removed, so that on the back of the support structure substrate, a region of the sacrificial layer is exposed. On the back surface of the
  • an aspect of the invention can be seen in that in the method for producing a thin-film structure, a sacrificial layer is introduced into the pores or applied to the sidewalls of the pores and the pore bottoms, wherein the sacrificial layer can be made of a different material the thin-film structure to be produced.
  • a sacrificial layer is to be understood as a layer which, for example, is no longer present in the thin-film structure to be produced, i. especially completely or partially removed before completion of the thin-film structure.
  • the sacrificial layer serves illustratively as a temporary carrier object on which the thin-film structure-forming layer can be applied in a simple manner, without the thin-film structure itself having to be deposited in the pores, since the sacrificial layer protrudes at least partially out of the carrier substrate. This makes it possible that even material which could not be used in the pores according to the prior art due to insufficient penetration depth for forming the thin-film structure, can now be used, since this material is only applied to a larger area. Thus, even diamond can be used for such a thin-film structure, which offers great advantages in X-ray windows, as described above.
  • the pores applied according to the prior art are applied in the pores Thin films used as a substrate (sacrificial layer, ie sacrificial layer) for further deposition processes.
  • a method for applying the sacrificial layer in which this is formed by means of thermal oxidation of the pore walls and the pore floors.
  • This method is particularly suitable when using silicon as a substrate material for forming the sacrificial layer, even with pores with a high aspect ratio.
  • the sacrificial layer is applied to the pore walls and pore bottoms of the support structure substrate by means of a chemical vapor deposition method.
  • the sacrificial layer is applied to the pore walls and pore bottoms of the support structure substrate by an atomic layer epitaxy method.
  • This alternative has the advantage of perfect edge coverage, and this perfectly compliant deposition can be used on pores of any aspect ratio.
  • the support structure substrate made of silicon material, whereby the support structure is very inexpensive to produce.
  • a silicon dioxide layer can be applied, which is applied in particular by means of thermal oxidation on the pore walls and pore floors of the support structure substrate.
  • a silicon nitride layer can be applied as the sacrificial layer, which is applied, for example by means of a CVD method, to the pore walls and pore bottoms of the support structure substrate.
  • the support structure substrate is made of aluminum material (Al).
  • the sacrificial layer is an alumina layer applied to the pore walls and pore bottoms of the support structure substrate by an ALD process.
  • the partial backside removal of the support structure substrate is performed using a back-etch process.
  • Any etching method can be used depending on the selectivity of the materials to be etched, for example a dry etching method, a wet etching method or also a plasma etching method.
  • the thin film is applied by means of a sputtering process or a vapor deposition process or a plasma CVD process.
  • a diamond thin film can be applied.
  • a thin metal layer may be applied as a thin film.
  • a layer sequence having a plurality of partial thin layers can be applied as a thin layer.
  • the sacrificial layer can be selectively removed by etching.
  • One aspect of the invention may be seen in the use of the thin film windows of [1] (e.g., the oxide or nitride windows described therein) as a substrate, in other words sacrificial layers, for further deposition processes.
  • the thin film windows of [1] e.g., the oxide or nitride windows described therein
  • Figure 1 shows a macroporous semiconductor support structure substrate having a first region with through pores and a second region with non-pervious pores according to the prior art, wherein the pore walls are provided with a thin film;
  • Figures 2a and 2b a macroporous semiconductor support structure substrate with stabilizing layer on the
  • FIGS. 3a to 3e show a process diagram for producing a
  • FIGS. 4a to 4f show a process scheme for producing a thin-film structure on a MicroChannel-Plate support structure substrate according to another exemplary embodiment of the invention.
  • the pores 301 in the substrate are arranged in a regular pattern in a matrix-like manner at a respective spacing d of 1 ⁇ m (calculated from adjacent side walls of two adjacent pores 301).
  • Alternative materials for the support structure substrate 300 are any suitable semiconductor materials as well as compound semiconductor materials (eg, III-V compound semiconductor materials or II-VI compound semiconductor materials) such as gallium arsenide, indium phosphide, etc.
  • compound semiconductor materials eg, III-V compound semiconductor materials or II-VI compound semiconductor materials
  • the pores 301 are made in accordance with this embodiment of the invention by electrochemical etching of the support structure substrate 300 in hydrofluoric acid (HF).
  • HF hydrofluoric acid
  • a homogeneous sacrificial layer 303 SiO 2 layer with thermal oxidation or Si 3 N 4 layer
  • an additional silicon dioxide layer 304 is formed on the back side of the support structure substrate 300.
  • the additional silicon dioxide layer 304 is removed and after removal of the additional silicon dioxide layer 304 on the backside of the support structure substrate 300 (e.g., by RF), the back-up support substrate 300 is etched back
  • Thin film 306 in the desired thickness (e.g., 150 nm thick, e.g., by sputtering, vapor deposition or plasma CVD) is deposited on the back surface of the etched back support substrate 300 and on the surface of the exposed pore bottom region 305.
  • the sacrificial layer 303 e.g., a silicon oxide layer
  • the sacrificial layer 303 is removed (e.g., by etching, for example, in HF), thereby producing a thin film 306 supported only by the etched back support substrate 300 and otherwise free-standing.
  • the porous support structure substrate 300 is made of aluminum material. Subsequently, as an sacrificial layer, an alumina layer is applied to the pore walls and pore bottoms of the support structure substrate using an ALD method.
  • the support structure substrate on the back surface is selectively etched back until the alumina layer on the bottom of the pore is exposed to the backside.
  • the desired thin film in the desired thickness (eg 150 nm, for example by means of Sputtering, sputtering or plasma CVD) on the back of the support structure substrate. Care should be taken to ensure good adhesion between the exposed substrate surface and the thin film material (for example, by a short HF dip just before deposition).
  • a glass substrate 400 of a first type of glass also referred to as a support structure substrate, a glass substrate 400 of a first type of glass, also referred to as
  • MicroChannel plate used as described in [3] and having a plurality of continuous micro-channels 401. As shown in FIG. 4 b, the microchannels 401 are sealed on the rear side of the glass substrate 400 by applying a glass layer 402 of a second type of glass which is selectively etchable against the first type of glass of the glass substrate 400.
  • a thin layer 403 is deposited as a sacrificial layer on the microchannel walls and microchannel bottoms.
  • the glass layer 402 on the rear side of the glass substrate 400 is removed so that the sacrificial layer 403 in the microchannels 401 is exposed toward the rear side of the glass substrate 400.
  • the desired thin film 404 of beryllium, boron nitride or diamond e.g. applied by means of a CVD method.
  • the sacrificial layer 403 in the pores is removed by selective etching to form a self-supporting thin-film structure on the back side of the support structure substrate 400.
  • the diamond layer 404 is only a few 10 microns thick and, like a boron nitride layer or a beryllium layer, which is poisonous, is well suited for use as an X-ray window due to its low atomic number.
  • an interference structure (multi-layer) is applied as a thin film.
  • This layer sequence has several partial layers, which can consist of different materials.
  • the advantage of the process schemes according to the above-described embodiments of the invention is that by using a sacrificial layer in the pores, a substrate is created which serves as the starting basis for any
  • Method for applying thin films on the back of the support structure substrate is used.
  • the method is independent of the penetration depth of the applied
  • thin film materials in cavities and thus also allows the use of thin film materials such as diamond or boron nitride, which are much more suitable for use as X-ray windows than those in the prior art methods, for example because of the lower atomic number of carbon, boron and nitrogen X-ray windows used materials of silicon oxide or silicon nitride.

Landscapes

  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Confectionery (AREA)

Abstract

In einem makroporösen Stützstruktur-Substrat wird eine Opferschicht aufgebracht. Anschließend wird das Stützstruktur-Substrat rückseitig teilweise entfernt, so dass auf der Rückseite des Stützstruktur-Substrats ein Bereich der Opferschicht freigelegt wird. Auf der Rückseiten-Oberfläche des Stützstruktur-Substrats sowie auf dem freigelegten Bereich der Opferschicht wird eine Dünnschicht aufgebracht und die Opferschicht in den Poren wird selektiv zu der Dünnschicht entfernt, so dass die Porenböden von der Dünnschicht gebildet werden.

Description

Beschreibung
Verfahren zum Herstellen einer Dünnschicht-Struktur
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Dünnschicht-Struktur .
Bei vielen technischen Anwendungen werden heutzutage dünne freitragende Schichten (Fenster) benötigt. Zur Herstellung dieser sehr dünnen freitragenden Schichten (z.B. im Sub-
Mikrometerbereich) ist eine Stützstruktur mit sehr kleinen Öffnungen (Größenordnungen: 10 μm) aber hoher Porosität nötig.
Bisher wurden Röntgenfenster entweder aus einem Material mit geringem Z (Kernladungszahl eines Atoms) wie Beryllium hergestellt, oder durch Auflegen, d.h. Aufbringen, eines z.B. organischen Films auf eine Stützstruktur (z.B. aus Silizium).
Insbesondere Beryllium weist jedoch den erheblichen Nachteil auf, dass es Sondermüll darstellt und somit nur unter großen Unannehmlichkeiten zu entsorgen ist.
Ein weiteres Verfahren zur Herstellung von Röntgenfenstern ist in [1] beschrieben.
Das in [1] beschriebene Verfahren beruht darauf, in einem ersten Bereich 101 (vgl. Fig.l) nicht vollständig durch eine Siliziumscheibe 100 sich hindurch erstreckende Poren 103 in die Siliziumscheibe 100 zu ätzen und die Wände der Poren mit einem Dünnfilm 104 zu beschichten. Danach werden die Poren 103 von der Rückseite der Siliziumscheibe 100 her mittels Ätzens so geöffnet, dass der Dünnfilm 104 erhalten bleibt. In einem zweiten Bereich 102 sind, wie in Fig.l gezeigt, Poren 103 vorgesehen, die sich in die Siliziumscheibe 100 hinein jedoch nicht vollständig hindurch erstrecken, so dass unterhalb der Poren 103 in dem zweiten Bereich 102 Substrat-Material der Siliziumscheibe 100 vorhanden ist, das die Stabilität des perforierten Werkstücks, d.h. der bearbeiteten Siliziumscheibe 100 erhöht. Ferner ist aus [2] , wie in Fig.2a dargestellt ist, ein röntgenoptisches Bauelement bekannt, das einen Halbleiterwafer 200 aufweist, in welchen in Strahlrichtung verlaufende parallele Mikroporen 201 mit Durchmessern von 0,1 μm bis
100 μm, vorzugsweise 0,5 μm bis 20 μm eingeätzt sind. In die Mikroporen 201 wird eine dünne Schicht 202 eingebracht, die die Porenwände und Porenböden des Halbleiterwafers 200 stabilisiert.
In einem weiteren Schritt wird das Substratmaterial des Halbleiterwafers 200 auf dessen Rückseite so weit abgeschliffen (vgl. Fig.2b) , dass die in die Mikroporen 201 eingebrachte dünne Schicht 202 in Richtung der Rückseite des Halbleiterwafers 200 frei liegt.
Ein Nachteil der oben genannten Verfahren ist darin zu sehen, dass das Fenstermaterial in Poren mit sehr hohem Aspektverhältnis abgeschieden werden muss. Daher sind Dünnfilme, die gesputtert, aufgedampft oder mittels Plasma-CVD erzeugt werden, mit dieser Technologie nicht herstellbar, da sie nur geringe Eindringtiefen in Kavitäten haben. Nur Siθ2~ Dünnfilme und Si3N4 -Dünnfilme konnten bisher erfolgreich in den Poren abgeschieden werden und somit konnten Fenster aus diesen Materialien mittels der beschriebenen Verfahren erzeugt werden.
Die oben genannten Schichten (Siθ2-Dünnfilme und Si3N4~ Dünnfilme) sind jedoch insbesondere für Röntgenfenster von Nachteil, da Silizium ein relativ schweres Element ist
(Kernladungszahl Z > 10) und damit Röntgenlicht signifikant absorbiert .
Diamantfenster wären in diesem Zusammenhang von erheblichem Vorteil, da Diamant eine Kernladungszahl Z = 6 aufweist.
Diamantfenster sind jedoch, insbesondere als massive Fenster, zu teuer. Aus [3] ist ein Glas-Substrat, auch bezeichnet als MicroChannel-Plate, bekannt, welches aus zwei verschiedenen Glas-Arten besteht, die gegeneinander selektiv ätzbar sind.
Aus [4] ist ein Verfahren zur Herstellung von freitragenden Mikrostrukturen von dünnen Flachteilen oder von Membranen und die Verwendung nach diesem Verfahren hergestellter Mikrostrukturen als Widerstandsgitter in einer Einrichtung zur Messung schwacher Gasströmungen bekannt. Gemäß dem genannten Verfahren wird zunächst ein Trägerrahmen hergestellt, dessen Öffnung einseitig bündig von einer Hilfsschicht überspannt ist . Nach der Erzeugung der gewünschten Strukturen auf der gemeinsamen Ebene von Hilfsschicht und Trägerrahmen wird die Hilfsschicht zum Beispiel durch Ätzen entfernt.
Der Erfindung liegt das Problem zugrunde, ein kostengünstiges, einfaches und dennoch verlässliches Verfahren zum Herstellen einer Dünnschicht-Struktur selbst mit einer Porenstruktur mit großem Aspektverhältnis, zu schaffen.
Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer Dünnschicht- Struktur bereitgestellt, bei dem in einem makroporösen Stützstruktur-Substrat mit einer Mehrzahl von nicht durch die gesamte Dicke der Substrat-Schicht durchgehenden Poren auf der Oberfläche der Porenwände und der Porenböden des
Stützstruktur-Substrats eine Opferschicht aufgebracht wird. Anschließend wird rückseitig das Stützstruktur-Substrat teilweise entfernt, so dass auf der Rückseite des Stützstruktur-Substrats ein Bereich der Opferschicht freigelegt wird. Auf der Rückseiten-Oberfläche des
Stützstruktur-Substrats sowie auf dem freigelegten Bereich der Opferschicht wird eine Dünnschicht aufgebracht und die Opferschicht in den Poren wird selektiv zu der Dünnschicht entfernt, so dass die Porenböden von der Dünnschicht gebildet werden. Dieses Verfahren hat den Vorteil, dass Dünnfilme beliebiger gewünschter Materialien mittels Sputtern, Aufdampfen oder mittels Plasma-Verfahren aufgebracht werden können, was bei den Verfahren gemäß dem Stand der Technik nicht funktioniert, weil die obigen Verfahren gemäß dem Stand der Technik mit
Ausnahme der Materialien SiC>2 und Si3N4 für das vollständige Aufbringen einer dünnen Schicht in den Poren zu geringe Eindringtiefen in Kavitäten haben.
Anschaulich kann ein Aspekt der Erfindung darin gesehen werden, dass bei dem Verfahren zum Herstellen einer Dünnschicht-Struktur eine Opferschicht in die Poren eingebracht wird bzw. auf den Seitenwänden der Poren und den Porenböden aufgebracht wird, wobei die Opferschicht aus einem anderen Material sein kann als die herzustellende Dünnschicht- Struktur .
Unter einer Opferschicht ist in diesem Zusammenhang eine Schicht zu verstehen, welche in der herzustellenden Dünnschicht-Struktur beispielsweise nicht mehr vorhanden ist, d.h. insbesondere vor Fertigstellen der Dünnschicht-Struktur vollständig oder teilweise entfernt wird. Die Opferschicht dient anschaulich als ein temporäres Trägerobjekt, auf welchem die die Dünnschicht-Struktur bildende Schicht auf einfache Weise aufgebracht werden kann, ohne dass die Dünnschicht- Struktur selbst in den Poren abgeschieden werden muss, da die Opferschicht aus dem Trägersubstrat zumindest teilweise heraussteht. Damit ist es ermöglicht, dass auch Material, welches gemäß dem Stand der Technik aufgrund zu geringer Eindringtiefe in die Poren nicht eingesetzt werden konnte zum Bilden der Dünnschicht-Struktur, nunmehr verwendet werden kann, da dieses Material nurmehr auf eine größere Fläche aufgebracht wird. Somit kann selbst Diamant für eine solche Dünnschicht-Struktur verwendet werden, was bei Röntgenfenstern große Vorteile bietet, wie oben beschrieben wurde.
Anschaulich werden gemäß einem Aspekt der Erfindung die gemäß dem Stand der Technik beschriebenen in den Poren aufgebrachten Dünnschichten als Substrat (sacrificial layer, d.h. Opferschicht) für weitere Depositions-Prozesse verwendet.
Bevorzugte Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Patentansprüchen
Gemäß einer Ausgestaltung der Erfindung ist es vorgesehen, ein Verfahren zum Auftragen der Opferschicht zu verwenden, bei dem diese mittels thermischen Oxidierens der Porenwände und der Porenböden gebildet wird.
Dieses Verfahren eignet sich insbesondere bei Verwendung von Silizium als Substrat-Material zur Bildung der Opferschicht selbst bei Poren mit großem Aspektverhältnis .
Gemäß einer anderen Ausgestaltung der Erfindung wird die Opferschicht mittels eines Chemical Vapor Deposition- Verfahrens auf die Porenwände und Porenböden des Stützstruktur-Substrats aufgebracht .
Auf diese Weise können auch andere Materialien zum Bedecken der Porenwände und der Porenböden verwendet werden, was zu einer großen Flexibilität in der Auswahl des für die Opferschicht verwendeten Materials führt.
Gemäß noch einer anderen Ausführungsform der Erfindung wird die Opferschicht mittels eines Atomlagenepitaxie-Verfahrens auf die Porenwände und Porenböden des Stützstruktur-Substrats aufgebracht .
Diese Alternative hat den Vorteil einer perfekten Kantenbedeckung und diese perfekt konforme Abscheidung kann bei Poren beliebigen Aspektverhältnisses eingesetzt werden.
In einer anderen Ausführungsform der Erfindung wird das Stützstruktur-Substrat aus Silizium-Material hergestellt, womit die Stützstruktur sehr kostengünstig herstellbar ist. Als Opferschicht kann eine Siliziumdioxid-Schicht aufgebracht werden, die insbesondere mittels thermischen Oxidierens auf die Porenwände und Porenböden des Stützstruktur-Substrats aufgebracht wird.
Alternativ kann als Opferschicht eine Siliziumnitrid-Schicht aufgebracht werden, die beispielsweise mittels eines CVD- Verfahrens auf die Porenwände und Porenböden des Stützstruktur-Substrats aufgebracht wird.
In noch einer anderen Ausführungsform der Erfindung wird das Stützstruktur-Substrat aus Aluminium-Material (Al) hergestellt .
In einem anderen Ausführungsbeispiel ist die Opferschicht eine Aluminiumoxid-Schicht, die mittels eines ALD-Verfahrens auf die Porenwände und Porenböden des Stützstruktur-Substrats aufgebracht wird.
In einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel wird das teilweise rückseitige Entfernen des Stützstruktur-Substrats unter Verwendung eines Rück-Ätz-Verfahrens ausgeführt. Es können beliebige Ätzverfahren eingesetzt werden abhängig von der zu erreichenden Selektivität der zu ätzenden Materialien, beispielsweise ein Trockenätz-Verfahren, ein Nassätz-Verfahren oder auch ein Plasmaätz-Verfahren.
In einer anderen Ausführungsform der Erfindung wird die Dünnschicht mittels eines Sputter-Verfahrens oder eines Aufdampf-Verfahrens oder eines Plasma-CVD-Verfahrens aufgebracht .
Als Dünnschicht kann eine Diamant-Dünnschicht aufgebracht werden. Alternativ kann als Dünnschicht eine Metall- Dünnschicht aufgebracht werden. Als Dünnschicht kann in einer anderen alternativen Ausgestaltung eine mehrere Teil-Dünnschichten aufweisende Schichtenfolge aufgebracht werden.
Die Opferschicht kann mittels Ätzens selektiv entfernt werden.
Ein Aspekt der Erfindung kann in der Verwendung der Dünnschichtfenster gemäß [1] (z.B. der dort beschriebenen Oxid- oder Nitrid-Fenster) als Substrat, anders ausgedrückt als Opferschicht (sacrificial layer) , für weitere Depositions- Prozesse gesehen werden.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert .
Es zeigen
Figur 1 ein makroporöses Halbleiter-Stützstruktur-Substrat mit einem ersten Bereich mit durchgehenden Poren und einem zweiten Bereich mit nichtdurchgehenden Poren gemäß dem Stand der Technik, wobei die Porenwände mit einem Dünnfilm versehen sind;
Figuren 2a und 2b ein makroporöses Halbleiter-Stützstruktur- Substrat mit stabilisierender Schicht auf der
Innenseite der Mikroporen des Stützstruktur-Substrats gemäß dem Stand der Technik, vor (Figur 2a) und nach teilweisem Entfernen (Figur 2b) des Substrats;
Figuren 3a bis 3e ein Prozessschema zum Herstellen einer
Dünnschichtstruktur auf einem Stützstruktur-Substrat gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung; und
Figuren 4a bis 4f ein Prozessschema zum Herstellen einer Dünnschichtstruktur auf einem MicroChannel-Plate Stützstruktur-Substrat gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung. Bei einem Verfahren zum Herstellen einer Dünnschicht-Struktur gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung wird, wie in Fig.3a gezeigt, ein Stützstruktur-Substrat 300 aus Silizium mit typischerweise 10 μm quadratischen Poren 301 und dazwischen liegenden Wänden 302 der Dicke d = 1 μm hergestellt. Dies bedeutet, dass die Poren 301 in dem Substrat in einem regelmäßigen Muster matrixartig in einem jeweiligen Abstand d von 1 μm (gerechnet von einander unmittelbar benachbarten Seitenwänden zweier benachbarter Poren 301) angeordnet sind.
Alternative Materialien für das Stützstruktur-Substrat 300 sind alle beliebigen geeigneten Halbleitermaterialien sowie Verbindungshalbleiter-Materialien (beispielsweise III-V- Verbindungshalbleiter-Materialien oder II-VI- Verbindungshalbleiter-Materialien) , wie beispielsweise Gallium-Arsenid, Indium-Phosphid, etc.
Die Poren 301 werden gemäß diesem Ausführungsbeispiel der Erfindung durch elektrochemisches Ätzen des Stützstruktur- Substrats 300 in Flusssäure (HF) hergestellt.
Wie in Fig.3b gezeigt, wird in den Poren 301 des Stützstruktur-Substrats 300 (z.B. mittels thermischen Oxidierens oder mittels eines CVD-Plasma-Verfahrens) eine homogene etwa 100 nm dicke Opferschicht 303 (Siθ2-Schicht bei thermischem Oxidieren oder Si3N4 -Schicht bei CVD-Plasma- Verfahren) erzeugt. Ferner wird auf der Rückseite des Stützstruktur-Substrats 300 eine zusätzliche Siliziumdioxid- Schicht 304 gebildet.
Wie in Fig.3c gezeigt, wird die zusätzliche Siliziumdioxid- Schicht 304 entfernt und nach dem Entfernen der zusätzlichen Siliziumdioxid-Schicht 304 auf der Rückseite des Stützstruktur-Substrats 300 (z.B. mittels HF) wird das Stützstruktur-Substrat 300 auf der Rückseite zurückgeätzt
(z.B. mittels Kaliumhydroxid (KOH)), bis die Opferschicht 303 in einem Porenboden-Bereich 305 zur Rückseite des Stützstruktur-Substrats 300 hin freiliegt. Gemäß diesem Ausführungsbeispiel der Erfindung wird im Wesentlichen der heraisphärische Teil der Opferschicht 303 freigelegt bis zum zylindrischen Teil der Opferschicht 303.
Wie in Fig.3d gezeigt, wird als nächstes der gewünschte
Dünnfilm 306 in der gewünschten Dicke (z.B. der Dicke von 150 nm z.B. mittels Sputtern, Bedampfen oder mittels Plasma-CVD) auf der rückseitigen Oberfläche des zurückgeätzten Stützstruktur-Substrats 300 und auf der Oberfläche des freigelegten Porenboden-Bereichs 305 aufgebracht. In diesem Zusammenhang ist darauf zu achten, dass es zwischen der exponierten Substrat-Oberfläche, d.h. der rückseitigen Oberfläche des zurückgeätzten Stützstruktur-Substrats 300 und dem Dünnfilmmaterial zu einer guten Haftung kommt (zum Beispiel durch einen kurzen HF-Dip direkt vor der Abscheidung) .
Wie in Fig.3e gezeigt, wird schließlich die Opferschicht 303 (z.B. eine Siliziumoxidschicht) entfernt (z.B. mittels Ätzens beispielsweise in HF) , womit ein nur noch von dem zurückgeätzten Stützstruktur-Substrat 300 getragener und sonst freistehender Dünnfilm 306 erzeugt wird.
In einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung wird das poröse Stützstruktur-Substrat 300 aus Aluminium-Material hergestellt. Anschließend wird als Opferschicht eine Aluminiumoxid-Schicht unter Verwendung eines ALD-Verfahrens auf die Porenwände und Porenböden des Stützstruktur-Substrats aufgebracht .
Als nächstes wird nach dem Entfernen der Aluminiumoxid-Schicht auf der Rückseite des Stützstruktur-Substrats das Stützstruktur-Substrat auf der Rückseite selektiv zurückgeätzt, bis die Aluminiumoxid-Schicht am Porenboden zur Rückseite hin frei liegt.
Im nächsten Schritt wird dann der gewünschte Dünnfilm in der gewünschten Dicke (z.B. 150 nm beispielsweise mittels Sputterns, Bedampfens oder mittels Plasma-CVD) auf der Rückseite des Stützstruktur-Substrats aufgebracht. Hierbei ist darauf zu achten, dass es zwischen der exponierten Substrat- Oberfläche und dem Dünnfilmmaterial zu einer guten Haftung kommt (zum Beispiel durch einen kurzen HF-Dip direkt vor der Abscheidung) .
In einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung wird, wie in Fig.4a gezeigt, als Stützstruktur-Substrat ein Glas- Substrat 400 aus einer ersten Glasart, auch bezeichnet als
MicroChannel-Plate, verwendet, wie es in [3] beschrieben ist und welches eine Vielzahl von durchgehenden Mikro-Kanälen 401 aufweist . Die Mikro-Kanäle 401 werden, wie in Fig.4b gezeigt, auf der Rückseite des Glas-Substrats 400 durch Aufbringen einer Glas- Schicht 402 aus einer zweiten Glasart verschlossen, die gegen die erste Glasart des Glas-Substrats 400 selektiv ätzbar ist.
Als nächstes wird, wie in Fig.4c gezeigt, eine dünne Schicht 403 als Opferschicht auf die Mikro-Kanal-Wände und MikroKanal-Böden aufgebracht.
Im folgenden Schritt wird, wie in Fig.4d gezeigt, die Glas- Schicht 402 auf der Rückseite des Glas-Substrats 400 entfernt, so dass die Opferschicht 403 in den Mikro-Kanälen 401 zur Rückseite des Glas-Substrats 400 hin frei liegt.
Anschließend wird, wie in Fig.4e gezeigt, auf die Rückseite des Glas-Substrats 400 der gewünschte Dünnfilm 404 aus Beryllium, Bornitrid oder Diamant, z.B. mittels eines CVD- Verfahrens aufgebracht .
Schließlich wird, wie in Fig.4f gezeigt, durch selektives Ätzen die Opferschicht 403 in den Poren entfernt, so dass eine freitragende Dünnfilm-Struktur auf der Rückseite des Stützstruktur-Substrats 400 entsteht. Die Diamantschicht 404 ist beispielsweise nur wenige 10 μm dick und ebenso wie eine Bornitrid-Schicht oder eine Beryllium- Schicht, die allerdings giftig ist, aufgrund der niedrigen Kernladungszahl gut für die Verwendung als Röntgen-Fenster geeignet .
In noch einem anderen Ausführungsbeispiel wird als Dünnfilm eine Interferenzstruktur (Multi-Layer) aufgebracht. Diese Schichtenfolge weist mehrere Teilschichten auf, die aus verschiedenen Materialen bestehen können.
Im Allgemeinen ist der Vorteil der Prozessschemata gemäß den oben beschriebenen Ausführungsbeispielen der Erfindung, dass durch Verwenden einer Opferschicht in den Poren ein Substrat erzeugt wird, welches als Ausgangsbasis für beliebige
Verfahren zum Aufbringen von Dünnfilmen auf der Rückseite des Stützstruktur-Substrats dient. Hierdurch ist das Verfahren im Gegensatz zu Verfahren zur Erzeugung von Dünnfilmen in Poren von Stützstruktur-Substraten gemäß dem Stand der Technik unabhängig von der Eindringtiefe der aufzubringenden
Dünnfilmmaterialien in Kavitäten und ermöglicht somit auch die Verwendung von Dünnschicht-Materialien wie Diamant oder Bornitrid, die zum Beispiel wegen der niedrigeren Kernladungszahl von Kohlenstoff, Bor und Stickstoff wesentlich geeigneter für die Verwendung als Röntgenfenster sind als die bei den Verfahren nach dem Stand der Technik für Röntgenfenster verwendeten Materialen Siliziumoxid oder Siliziumnitrid.
In diesem Dokument sind folgende Veröffentlichungen zitiert:
[1] DE 198 20 756 Cl;
[2] DE 198 52 955 Al;
[3] MicroChannel Plate, Principle of Operation http : //hea-www. Harvard. edu/HRC/mcp/mcp . html , recherchiert am 15.02.2005;
[4] WO 00/59824
Bezugszeichenliste
100 Siliziumscheibe 101 erster Bereich Siliziumscheibe
102 zweiter Bereich Siliziumscheibe
103 Pore
200 Halbleiterwafer 201 Mikropore
202 dünne Schicht
300 Stutzstruktur-Substrat
301 quadratischen Pore 302 Wand
303 Opferschicht
304 Siliziumdioxid-Schicht
305 Porenboden-Bereich
306 Dünnfilm
400 Glas-Substrat
401 Mikro-Kanal
402 Glas-Schicht
403 dünne Schicht 404 Dünnfilm

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zum Herstellen einer Dünnschicht-Struktur,
• bei dem in einem makroporösen Stützstruktur-Substrat (300) mit einer Mehrzahl von nicht durch die gesamte Dicke der
Substrat-Schicht durchgehenden Poren (301) auf der Oberfläche der Porenwände (302) und der Porenböden (305) des Stützstruktur-Substrats (300) eine Opferschicht (303) aufgebracht wird, • bei dem anschließend rückseitig das Stützstruktur-Substrat (300) teilweise entfernt wird, so dass auf der Rückseite des Stützstruktur-Substrats (300) ein Bereich der Opferschicht (303) freigelegt wird,
• bei dem auf der Rückseiten-Oberfläche des Stützstruktur- Substrats (300) sowie auf dem freigelegten Bereich der
Opferschicht (303) eine Dünnschicht (306) aufgebracht wird,
• bei dem die Opferschicht (303) in den Poren selektiv zu der Dünnschicht 303 entfernt wird, so dass die Porenböden (305) von der Dünnschicht (306) gebildet werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Opferschicht (303) mittels thermischen Oxidierens der Porenwände (302) und der Porenböden (305) gebildet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Opferschicht (303) mittels eines Chemical Vapor Deposition-Verfahrens auf die Porenwände (302) und Porenböden (305) des StutzStruktur-Substrats (300) aufgebracht wird.
4. Verfahren nach Anspruch 3, bei dem die Opferschicht (303) mittels eines Atomlagenepitaxie-Verfahrens auf die Porenwände (302) und Porenböden (305) des Stützstruktur-Substrats (300) aufgebracht wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4 , bei dem das Stützstruktur-Substrat (300) aus Silizium-Material hergestellt ist.
6. Verfahren nach Anspruch 5 , bei dem als Opferschicht (303) eine Siliziumdioxid-Schicht aufgebracht wird, die insbesondere mittels thermischen Oxidierens auf die Porenwände (302) und Porenböden (305) des Stützstruktur-Substrats (300) aufgebracht wird.
7. Verfahren nach Anspruch 5 , bei dem als Opferschicht (303) eine Siliziumnitrid-Schicht aufgebracht wird, die insbesondere mittels eines CVD-
Verfahrens auf die Porenwände (302) und Porenböden (305) des Stützstruktur-Substrats (300) aufgebracht wird.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem das Stützstruktur-Substrat (300) aus AI-Material hergestellt ist.
9. Verfahren nach Anspruch 8 , bei dem die Opferschicht (303) eine Aluminiumoxid-Schicht ist, die durch ein ALD-Verfahren auf die Porenwände (302) und
Porenböden (305) des Stützstruktur-Substrats (300) aufgebracht wird.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, bei dem das teilweise rückseitige Entfernen des Stützstruktur- Substrats (300) unter Verwendung eines Rück-Ätz-Verfahrens ausgeführt wird.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, bei dem die Dünnschicht (306) mittels eines Sputter-Verfahrens oder eines Aufdampf-Verfahrens oder eines Plasma-CVD- Verfahrens aufgebracht wird.
12. Verfahren nach Anspruch 11, bei dem als Dünnschicht (306) eine Diamant-Dünnschicht aufgebracht wird.
13.Verfahren nach Anspruch 11, bei dem als Dünnschicht (306) eine Metall-Dünnschicht aufgebracht wird.
14.Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, bei dem als Dünnschicht (306) eine mehrere Teil-Dünnschichten aufweisende Schichtenfolge aufgebracht wird.
15.Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 14, bei dem die Opferschicht (303) mittels Ätzens selektiv entfernt wird.
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