DE102005010080A1 - Verfahren zum Herstellen einer Dünnschicht-Struktur - Google Patents

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Abstract

In einem makroporösen Stützstruktur-Substrat wird eine Opferschicht aufgebracht. Anschließend wird das Stützstruktur-Substrat rückseitig teilweise entfernt, so dass auf der Rückseite des Stützstruktur-Substrats ein Bereich der Opferschicht freigelegt wird. Auf der Rückseiten-Oberfläche des Stützstruktur-Substrats sowie auf dem freigelegten Bereich der Opferschicht wird eine Dünnschicht aufgebracht und die Opferschicht in den Poren wird selektiv zu der Dünnschicht entfernt, so dass die Porenböden von der Dünnschicht gebildet werden.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Dünnschicht-Struktur.
  • Bei vielen technischen Anwendungen werden heutzutage dünne freitragende Schichten (Fenster) benötigt. Zur Herstellung dieser sehr dünnen freitragenden Schichten (z.B. im Sub-Mikrometerbereich) ist eine Stützstruktur mit sehr kleinen Öffnungen (Größenordnungen: 10 μm) aber hoher Porosität nötig.
  • Bisher wurden Röntgenfenster entweder aus einem Material mit geringem Z (Kernladungszahl eines Atoms) wie Beryllium hergestellt, oder durch Auflegen, d.h. Aufbringen, eines z.B. organischen Films auf eine Stützstruktur (z.B. aus Silizium). Insbesondere Beryllium weist jedoch den erheblichen Nachteil auf, dass es Sondermüll darstellt und somit nur unter großen Unannehmlichkeiten zu entsorgen ist.
  • Ein weiteres Verfahren zur Herstellung von Röntgenfenstern ist in [1] beschrieben.
  • Das in [1] beschriebene Verfahren beruht darauf, in einem ersten Bereich 101 (vgl. 1) nicht vollständig durch eine Siliziumscheibe 100 sich hindurch erstreckende Poren 103 in die Siliziumscheibe 100 zu ätzen und die Wände der Poren mit einem Dünnfilm 104 zu beschichten. Danach werden die Poren 103 von der Rückseite der Siliziumscheibe 100 her mittels Ätzens so geöffnet, dass der Dünnfilm 104 erhalten bleibt. In einem zweiten Bereich 102 sind, wie in 1 gezeigt, Poren 103 vorgesehen, die sich in die Siliziumscheibe 100 hinein jedoch nicht vollständig hindurch erstrecken, so dass unterhalb der Poren 103 in dem zweiten Bereich 102 Substrat-Material der Siliziumscheibe 100 vorhanden ist, das die Stabilität des perforierten Werkstücks, d.h. der bearbeiteten Siliziumscheibe 100 erhöht.
  • Ferner ist aus [2], wie in 2a dargestellt ist, ein röntgenoptisches Bauelement bekannt, das einen Halbleiterwafer 200 aufweist, in welchen in Strahlrichtung verlaufende parallele Mikroporen 201 mit Durchmessern von 0,1 μm bis 100 μm, vorzugsweise 0,5 μm bis 20 μm eingeätzt sind. In die Mikroporen 201 wird eine dünne Schicht 202 eingebracht, die die Porenwände und Porenböden des Halbleiterwafers 200 stabilisiert.
  • In einem weiteren Schritt wird das Substratmaterial des Halbleiterwafers 200 auf dessen Rückseite so weit abgeschliffen (vgl. 2b), dass die in die Mikroporen 201 eingebrachte dünne Schicht 202 in Richtung der Rückseite des Halbleiterwafers 200 frei liegt.
  • Ein Nachteil der oben genannten Verfahren ist darin zu sehen, dass das Fenstermaterial in Poren mit sehr hohem Aspektverhältnis abgeschieden werden muss. Daher sind Dünnfilme, die gesputtert, aufgedampft oder mittels Plasma-CVD erzeugt werden, mit dieser Technologie nicht herstellbar, da sie nur geringe Eindringtiefen in Kavitäten haben. Nur SiO2-Dünnfilme und Si3N4-Dünnfilme konnten bisher erfolgreich in den Poren abgeschieden werden und somit konnten Fenster aus diesen Materialien mittels der beschriebenen Verfahren erzeugt werden.
  • Die oben genannten Schichten (SiO2-Dünnfilme und Si3N4-Dünnfilme) sind jedoch insbesondere für Röntgenfenster von Nachteil, da Silizium ein relativ schweres Element ist (Kernladungszahl Z > 10) und damit Röntgenlicht signifikant absorbiert.
  • Diamantfenster wären in diesem Zusammenhang von erheblichem Vorteil, da Diamant eine Kernladungszahl Z = 6 aufweist. Diamantfenster sind jedoch, insbesondere als massive Fenster, zu teuer.
  • Aus [3] ist ein Glas-Substrat, auch bezeichnet als Microchannel-Plate, bekannt, welches aus zwei verschiedenen Glas-Arten besteht, die gegeneinander selektiv ätzbar sind.
    •
  • Der Erfindung liegt das Problem zugrunde, ein kostengünstiges, einfaches und dennoch verlässliches Verfahren zum Herstellen einer Dünnschicht-Struktur selbst mit einer Porenstruktur mit großem Aspektverhältnis, zu schaffen.
  • Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer Dünnschicht-Struktur bereitgestellt, bei dem in einem makroporösen Stützstruktur-Substrat mit einer Mehrzahl von nicht durch die gesamte Dicke der Substrat-Schicht durchgehenden Poren auf der Oberfläche der Porenwände und der Porenböden des Stützstruktur-Substrats eine Opferschicht aufgebracht wird. Anschließend wird rückseitig das Stützstruktur-Substrat teilweise entfernt, so dass auf der Rückseite des Stützstruktur-Substrats ein Bereich der Opferschicht freigelegt wird. Auf der Rückseiten-Oberfläche des Stützstruktur-Substrats sowie auf dem freigelegten Bereich der Opferschicht wird eine Dünnschicht aufgebracht und die Opferschicht in den Poren wird selektiv zu der Dünnschicht entfernt, so dass die Porenböden von der Dünnschicht gebildet werden.
  • Dieses Verfahren hat den Vorteil, dass Dünnfilme beliebiger gewünschter Materialien mittels Sputtern, Aufdampfen oder mittels Plasma-Verfahren aufgebracht werden können, was bei den Verfahren gemäß dem Stand der Technik nicht funktioniert, weil die obigen Verfahren gemäß dem Stand der Technik mit Ausnahme der Materialien SiO2 und Si3N4 für das vollständige Aufbringen einer dünnen Schicht in den Poren zu geringe Eindringtiefen in Kavitäten haben.
  • Anschaulich kann ein Aspekt der Erfindung darin gesehen werden, dass bei dem Verfahren zum Herstellen einer Dünnschicht-Struktur eine Opferschicht in die Poren eingebracht wird bzw. auf den Seitenwänden der Poren und den Porenböden aufgebracht wird, wobei die Opferschicht aus einem anderen Material sein kann als die herzustellende Dünnschicht-Struktur.
  • Unter einer Opferschicht ist in diesem Zusammenhang eine Schicht zu verstehen, welche in der herzustellenden Dünnschicht-Struktur beispielsweise nicht mehr vorhanden ist, d.h. insbesondere vor Fertigstellen der Dünnschicht-Struktur vollständig oder teilweise entfernt wird. Die Opferschicht dient anschaulich als ein temporäres Trägerobjekt, auf welchem die die Dünnschicht-Struktur bildende Schicht auf einfache Weise aufgebracht werden kann, ohne dass die Dünnschicht-Struktur selbst in den Poren abgeschieden werden muss, da die Opferschicht aus dem Trägersubstrat zumindest teilweise heraussteht. Damit ist es ermöglicht, dass auch Material, welches gemäß dem Stand der Technik aufgrund zu geringer Eindringtiefe in die Poren nicht eingesetzt werden konnte zum Bilden der Dünnschicht-Struktur, nunmehr verwendet werden kann, da dieses Material nurmehr auf eine größere Fläche aufgebracht wird. Somit kann selbst Diamant für eine solche Dünnschicht-Struktur verwendet werden, was bei Röntgenfenstern große Vorteile bietet, wie oben beschrieben wurde.
  • Anschaulich werden gemäß einem Aspekt der Erfindung die gemäß dem Stand der Technik beschriebenen in den Poren aufgebrachten Dünnschichten als Substrat (sacrificial layer, d.h. Opferschicht) für weitere Depositions-Prozesse verwendet.
  • Bevorzugte Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Patentansprüchen
  • Gemäß einer Ausgestaltung der Erfindung ist es vorgesehen, ein Verfahren zum Auftragen der Opferschicht zu verwenden, bei dem diese mittels thermischen Oxidierens der Porenwände und der Porenböden gebildet wird.
  • Dieses Verfahren eignet sich insbesondere bei Verwendung von Silizium als Substrat-Material zur Bildung der Opferschicht selbst bei Poren mit großem Aspektverhältnis.
  • Gemäß einer anderen Ausgestaltung der Erfindung wird die Opferschicht mittels eines Chemical Vapor Deposition-Verfahrens auf die Porenwände und Porenböden des Stützstruktur-Substrats aufgebracht.
  • Auf diese Weise können auch andere Materialien zum Bedecken der Porenwände und der Porenböden verwendet werden, was zu einer großen Flexibilität in der Auswahl des für die Opferschicht verwendeten Materials führt.
  • Gemäß noch einer anderen Ausführungsform der Erfindung wird die Opferschicht mittels eines Atomlagenepitaxie-Verfahrens auf die Porenwände und Porenböden des Stützstruktur-Substrats aufgebracht.
  • Diese Alternative hat den Vorteil einer perfekten Kantenbedeckung und diese perfekt konforme Abscheidung kann bei Poren beliebigen Aspektverhältnisses eingesetzt werden.
  • In einer anderen Ausführungsform der Erfindung wird das Stützstruktur-Substrat aus Silizium-Material hergestellt, womit die Stützstruktur sehr kostengünstig herstellbar ist.
  • Als Opferschicht kann eine Siliziumdioxid-Schicht aufgebracht werden, die insbesondere mittels thermischen Oxidierens auf die Porenwände und Porenböden des Stützstruktur-Substrats aufgebracht wird.
  • Alternativ kann als Opferschicht eine Siliziumnitrid-Schicht aufgebracht werden, die beispielsweise mittels eines CVD-Verfahrens auf die Porenwände und Porenböden des Stützstruktur-Substrats aufgebracht wird.
  • In noch einer anderen Ausführungsform der Erfindung wird das Stützstruktur-Substrat aus Aluminium-Material (Al) hergestellt.
  • In einem anderen Ausführungsbeispiel ist die Opferschicht eine Aluminiumoxid-Schicht, die mittels eines ALD-Verfahrens auf die Porenwände und Porenböden des Stützstruktur-Substrats aufgebracht wird.
  • In einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel wird das teilweise rückseitige Entfernen des Stützstruktur-Substrats unter Verwendung eines Rück-Ätz-Verfahrens ausgeführt. Es können beliebige Ätzverfahren eingesetzt werden abhängig von der zu erreichenden Selektivität der zu ätzenden Materialien, beispielsweise ein Trockenätz-Verfahren, ein Nassätz-Verfahren oder auch ein Plasmaätz-Verfahren.
  • In einer anderen Ausführungsform der Erfindung wird die Dünnschicht mittels eines Sputter-Verfahrens oder eines Aufdampf-Verfahrens oder eines Plasma-CVD-Verfahrens aufgebracht.
  • Als Dünnschicht kann eine Diamant-Dünnschicht aufgebracht werden. Alternativ kann als Dünnschicht eine Metall-Dünnschicht aufgebracht werden.
  • Als Dünnschicht kann in einer anderen alternativen Ausgestaltung eine mehrere Teil-Dünnschichten aufweisende Schichtenfolge aufgebracht werden.
  • Die Opferschicht kann mittels Ätzens selektiv entfernt werden.
  • Ein Aspekt der Erfindung kann in der Verwendung der Dünnschichtfenster gemäß [1] (z.B. der dort beschriebenen Oxid- oder Nitrid-Fenster) als Substrat, anders ausgedrückt als Opferschicht (sacrificial layer), für weitere Depositions-Prozesse gesehen werden.
    •
  • Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert.
  • Es zeigen
  • 1 ein makroporöses Halbleiter-Stützstruktur-Substrat mit einem ersten Bereich mit durchgehenden Poren und einem zweiten Bereich mit nichtdurchgehenden Poren gemäß dem Stand der Technik, wobei die Porenwände mit einem Dünnfilm versehen sind;
  • 2a und 2b ein makroporöses Halbleiter-Stützstruktur-Substrat mit stabilisierender Schicht auf der Innenseite der Mikroporen des Stützstruktur-Substrats gemäß dem Stand der Technik, vor (2a) und nach teilweisem Entfernen (2b) des Substrats;
  • 3a bis 3e ein Prozessschema zum Herstellen einer Dünnschichtstruktur auf einem Stützstruktur-Substrat gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung; und
  • 4a bis 4f ein Prozessschema zum Herstellen einer Dünnschichtstruktur auf einem Microchannel-Plate Stützstruktur-Substrat gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung.
  • Bei einem Verfahren zum Herstellen einer Dünnschicht-Struktur gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung wird, wie in 3a gezeigt, ein Stützstruktur-Substrat 300 aus Silizium mit typischerweise 10 μm quadratischen Poren 301 und dazwischen liegenden Wänden 302 der Dicke d = 1 μm hergestellt. Dies bedeutet, dass die Poren 301 in dem Substrat in einem regelmäßigen Muster matrixartig in einem jeweiligen Abstand d von 1 μm (gerechnet von einander unmittelbar benachbarten Seitenwänden zweier benachbarter Poren 301) angeordnet sind.
  • Alternative Materialien für das Stützstruktur-Substrat 300 sind alle beliebigen geeigneten Halbleitermaterialien sowie Verbindungshalbleiter-Materialien (beispielsweise III-V-Verbindungshalbleiter-Materialien oder II-VI-Verbindungshalbleiter-Materialien), wie beispielsweise Gallium-Arsenid, Indium-Phosphid, etc.
  • Die Poren 301 werden gemäß diesem Ausführungsbeispiel der Erfindung durch elektrochemisches Ätzen des Stützstruktur-Substrats 300 in Flusssäure (HF) hergestellt.
  • Wie in 3b gezeigt, wird in den Poren 301 des Stützstruktur-Substrats 300 (z.B. mittels thermischen Oxidierens oder mittels eines CVD-Plasma-Verfahrens) eine homogene etwa 100 nm dicke Opferschicht 303 (SiO2-Schicht bei thermischem Oxidieren oder Si3N4-Schicht bei CVD-Plasma-Verfahren) erzeugt. Ferner wird auf der Rückseite des Stützstruktur-Substrats 300 eine zusätzliche Siliziumdioxid-Schicht 304 gebildet.
  • Wie in 3c gezeigt, wird die zusätzliche Siliziumdioxid-Schicht 304 entfernt und nach dem Entfernen der zusätzlichen Siliziumdioxid-Schicht 304 auf der Rückseite des Stützstruktur-Substrats 300 (z.B. mittels HF) wird das Stützstruktur-Substrat 300 auf der Rückseite zurückgeätzt (z.B. mittels Kaliumhydroxid (KOH)), bis die Opferschicht 303 in einem Porenboden-Bereich 305 zur Rückseite des Stützstruktur-Substrats 300 hin freiliegt. Gemäß diesem Ausführungsbeispiel der Erfindung wird im Wesentlichen der hemisphärische Teil der Opferschicht 303 freigelegt bis zum zylindrischen Teil der Opferschicht 303.
  • Wie in 3d gezeigt, wird als nächstes der gewünschte Dünnfilm 306 in der gewünschten Dicke (z.B. der Dicke von 150 nm z.B. mittels Sputtern, Bedampfen oder mittels Plasma-CVD) auf der rückseitigen Oberfläche des zurückgeätzten Stützstruktur-Substrats 300 und auf der Oberfläche des freigelegten Porenboden-Bereichs 305 aufgebracht. In diesem Zusammenhang ist darauf zu achten, dass es zwischen der exponierten Substrat-Oberfläche, d.h. der rückseitigen Oberfläche des zurückgeätzten Stützstruktur-Substrats 300 und dem Dünnfilmmaterial zu einer guten Haftung kommt (zum Beispiel durch einen kurzen HF-Dip direkt vor der Abscheidung).
  • Wie in 3e gezeigt, wird schließlich die Opferschicht 303 (z.B. eine Siliziumoxidschicht) entfernt (z.B. mittels Ätzens beispielsweise in HF), womit ein nur noch von dem zurückgeätzten Stützstruktur-Substrat 300 getragener und sonst freistehender Dünnfilm 306 erzeugt wird.
  • In einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung wird das poröse Stützstruktur-Substrat 300 aus Aluminium-Material hergestellt. Anschließend wird als Opferschicht eine Aluminiumoxid-Schicht unter Verwendung eines ALD-Verfahrens auf die Porenwände und Porenböden des Stützstruktur-Substrats aufgebracht.
  • Als nächstes wird nach dem Entfernen der Aluminiumoxid-Schicht auf der Rückseite des Stützstruktur-Substrats das Stützstruktur-Substrat auf der Rückseite selektiv zurückgeätzt, bis die Aluminiumoxid-Schicht am Porenboden zur Rückseite hin frei liegt.
  • Im nächsten Schritt wird dann der gewünschte Dünnfilm in der gewünschten Dicke (z.B. 150 nm beispielsweise mittels Sputterns, Bedampfens oder mittels Plasma-CVD) auf der Rückseite des Stützstruktur-Substrats aufgebracht. Hierbei ist darauf zu achten, dass es zwischen der exponierten Substrat-Oberfläche und dem Dünnfilmmaterial zu einer guten Haftung kommt (zum Beispiel durch einen kurzen HF-Dip direkt vor der Abscheidung).
  • In einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung wird, wie in 4a gezeigt, als Stützstruktur-Substrat ein Glas-Substrat 400 aus einer ersten Glasart, auch bezeichnet als Microchannel-Plate, verwendet, wie es in [3] beschrieben ist und welches eine Vielzahl von durchgehenden Mikro-Kanälen 401 aufweist.
  • Die Mikro-Kanäle 401 werden, wie in 4b gezeigt, auf der Rückseite des Glas-Substrats 400 durch Aufbringen einer Glas-Schicht 402 aus einer zweiten Glasart verschlossen, die gegen die erste Glasart des Glas-Substrats 400 selektiv ätzbar ist.
  • Als nächstes wird, wie in 4c gezeigt, eine dünne Schicht 403 als Opferschicht auf die Mikro-Kanal-Wände und Mikro-Kanal-Böden aufgebracht.
  • Im folgenden Schritt wird, wie in 4d gezeigt, die Glas-Schicht 402 auf der Rückseite des Glas-Substrats 400 entfernt, so dass die Opferschicht 403 in den Mikro-Kanälen 401 zur Rückseite des Glas-Substrats 400 hin frei liegt.
  • Anschließend wird, wie in 4e gezeigt, auf die Rückseite des Glas-Substrats 400 der gewünschte Dünnfilm 404 aus Beryllium, Bornitrid oder Diamant, z.B. mittels eines CVD-Verfahrens aufgebracht.
  • Schließlich wird, wie in 4f gezeigt, durch selektives Ätzen die Opferschicht 403 in den Poren entfernt, so dass eine freitragende Dünnfilm-Struktur auf der Rückseite des Stützstruktur-Substrats 400 entsteht.
  • Die Diamantschicht 404 ist beispielsweise nur wenige 10 μm dick und ebenso wie eine Bornitrid-Schicht oder eine Beryllium-Schicht, die allerdings giftig ist, aufgrund der niedrigen Kernladungszahl gut für die Verwendung als Röntgen-Fenster geeignet.
  • In noch einem anderen Ausführungsbeispiel wird als Dünnfilm eine Interferenzstruktur (Multi-Layer) aufgebracht. Diese Schichtenfolge weist mehrere Teilschichten auf, die aus verschiedenen Materialen bestehen können.
  • Im Allgemeinen ist der Vorteil der Prozessschemata gemäß den oben beschriebenen Ausführungsbeispielen der Erfindung, dass durch Verwenden einer Opferschicht in den Poren ein Substrat erzeugt wird, welches als Ausgangsbasis für beliebige Verfahren zum Aufbringen von Dünnfilmen auf der Rückseite des Stützstruktur-Substrats dient. Hierdurch ist das Verfahren im Gegensatz zu Verfahren zur Erzeugung von Dünnfilmen in Poren von Stützstruktur-Substraten gemäß dem Stand der Technik unabhängig von der Eindringtiefe der aufzubringenden Dünnfilmmaterialien in Kavitäten und ermöglicht somit auch die Verwendung von Dünnschicht-Materialien wie Diamant oder Bornitrid, die zum Beispiel wegen der niedrigeren Kernladungszahl von Kohlenstoff, Bor und Stickstoff wesentlich geeigneter für die Verwendung als Röntgenfenster sind als die bei den Verfahren nach dem Stand der Technik für Röntgenfenster verwendeten Materialen Siliziumoxid oder Siliziumnitrid.
  • In diesem Dokument sind folgende Veröffentlichungen zitiert:
    • 100
    Siliziumscheibe
    101
    erster Bereich Siliziumscheibe
    102
    zweiter Bereich Siliziumscheibe
    103
    Pore
    200
    Halbleiterwafer
    201
    Mikropore
    202
    dünne Schicht
    300
    Stützstruktur-Substrat
    301
    quadratischen Pore
    302
    Wand
    303
    Opferschicht
    304
    Siliziumdioxid-Schicht
    305
    Porenboden-Bereich
    306
    Dünnfilm
    400
    Glas-Substrat
    401
    Mikro-Kanal
    402
    Glas-Schicht
    403
    dünne Schicht
    404
    Dünnfilm

Claims (15)

  1. Verfahren zum Herstellen einer Dünnschicht-Struktur, • bei dem in einem makroporösen Stützstruktur-Substrat mit einer Mehrzahl von nicht durch die gesamte Dicke der Substrat-Schicht durchgehenden Poren auf der Oberfläche der Porenwände und der Porenböden des Stützstruktur-Substrats eine Opferschicht aufgebracht wird, • bei dem anschließend rückseitig das Stützstruktur-Substrat teilweise entfernt wird, so dass auf der Rückseite des Stützstruktur-Substrats ein Bereich der Opferschicht freigelegt wird, • bei dem auf der Rückseiten-Oberfläche des Stützstruktur-Substrats sowie auf dem freigelegten Bereich der Opferschicht eine Dünnschicht aufgebracht wird, • bei dem die Opferschicht in den Poren selektiv zu der Dünnschicht entfernt wird, so dass die Porenböden von der Dünnschicht gebildet werden.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Opferschicht mittels thermischen Oxidierens der Porenwände und der Porenböden gebildet wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Opferschicht mittels eines Chemical Vapor Deposition-Verfahrens auf die Porenwände und Porenböden des Stützstruktur-Substrats aufgebracht wird.
  4. Verfahren nach Anspruch 3, bei dem die Opferschicht mittels eines Atomlagenepitaxie-Verfahrens auf die Porenwände und Porenböden des Stützstruktur-Substrats aufgebracht wird.
  5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem das Stützstruktur-Substrat aus Silizium-Material hergestellt ist.
  6. Verfahren nach Anspruch 5, bei dem als Opferschicht eine Siliziumdioxid-Schicht aufgebracht wird, die insbesondere mittels thermischen Oxidierens auf die Porenwände und Porenböden des Stützstruktur-Substrats aufgebracht wird.
  7. Verfahren nach Anspruch 5, bei dem als Opferschicht eine Siliziumnitrid-Schicht aufgebracht wird, die insbesondere mittels eines CVD-Verfahrens auf die Porenwände und Porenböden des Stützstruktur-Substrats aufgebracht wird.
  8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem das Stützstruktur-Substrat aus Al-Material hergestellt ist.
  9. Verfahren nach Anspruch 8, bei dem die Opferschicht eine Aluminiumoxid-Schicht ist, die durch ein ALD-Verfahren auf die Porenwände und Porenböden des Stützstruktur-Substrats aufgebracht wird.
  10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, bei dem das teilweise rückseitige Entfernen des Stützstruktur-Substrats unter Verwendung eines Rück-Ätz-Verfahrens ausgeführt wird.
  11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, bei dem die Dünnschicht mittels eines Sputter-Verfahrens oder eines Aufdampf-Verfahrens oder eines Plasma-CVD-Verfahrens aufgebracht wird.
  12. Verfahren nach Anspruch 11, bei dem als Dünnschicht eine Diamant-Dünnschicht aufgebracht wird.
  13. Verfahren nach Anspruch 11, bei dem als Dünnschicht eine Metall-Dünnschicht aufgebracht wird.
  14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, bei dem als Dünnschicht eine mehrere Teil-Dünnschichten aufweisende Schichtenfolge aufgebracht wird.
  15. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 14, bei dem die Opferschicht mittels Ätzens selektiv entfernt wird.
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