EA200300390A1 - Способ осаждения тонких пленок посредством лазерной абляции - Google Patents

Способ осаждения тонких пленок посредством лазерной абляции

Info

Publication number
EA200300390A1
EA200300390A1 EA200300390A EA200300390A EA200300390A1 EA 200300390 A1 EA200300390 A1 EA 200300390A1 EA 200300390 A EA200300390 A EA 200300390A EA 200300390 A EA200300390 A EA 200300390A EA 200300390 A1 EA200300390 A1 EA 200300390A1
Authority
EA
Eurasian Patent Office
Prior art keywords
target
deposition
particles
jet
evaporated
Prior art date
Application number
EA200300390A
Other languages
English (en)
Other versions
EA006092B1 (ru
Inventor
Астжик Таманян
Григорий Таманян
Original Assignee
Эйджити Уан Пти Лтд
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Эйджити Уан Пти Лтд filed Critical Эйджити Уан Пти Лтд
Publication of EA200300390A1 publication Critical patent/EA200300390A1/ru
Publication of EA006092B1 publication Critical patent/EA006092B1/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/0605—Carbon
    • C23C14/0611—Diamond
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

Способ осаждения тонкой пленки на подложку (2), согласно которому осуществляют абляцию мишени (16) лазерным пучком (12) для создания струи (19) частиц испаряемого вещества, проходящей в направлении распространения от поверхности (17) мишени. Лазерный пучок фокусируют на конечном расстоянии (d) перед поверхностью (17) мишени и внутри струи (19), тем самым сообщая дополнительную энергию частицам испаряемого вещества в струе (19). Мишень можно также вращать с высокой скоростью, чтобы сообщать частицам испаряемого вещества предварительно определенную составляющую скорости, которая обуславливает отклонение более медленно движущихся частиц испаряемого вещества и препятствует их осаждению на подложке. Способ предназначен для формирования алмазной пленки и применяется в изготовлении микросхем, устройствах визуального отображения, преобразования солнечной энергии, оптики, фотоники, защитных поверхностях, медицине и инструментах для резки и сверления.Международная заявка была опубликована вместе с отчетом о международном поиске.
EA200300390A 2000-09-20 2001-09-20 Способ осаждения тонких пленок посредством лазерной абляции EA006092B1 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
AUPR0261A AUPR026100A0 (en) 2000-09-20 2000-09-20 Deposition of thin films by laser ablation
PCT/AU2001/001179 WO2002024972A1 (en) 2000-09-20 2001-09-20 Deposition of thin films by laser ablation

Publications (2)

Publication Number Publication Date
EA200300390A1 true EA200300390A1 (ru) 2003-10-30
EA006092B1 EA006092B1 (ru) 2005-08-25

Family

ID=3824329

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EA200300390A EA006092B1 (ru) 2000-09-20 2001-09-20 Способ осаждения тонких пленок посредством лазерной абляции

Country Status (14)

Country Link
US (1) US20040033702A1 (ru)
EP (1) EP1332239A4 (ru)
JP (1) JP2004509233A (ru)
KR (1) KR20030045082A (ru)
CN (1) CN1291059C (ru)
AU (1) AUPR026100A0 (ru)
CA (1) CA2456871A1 (ru)
EA (1) EA006092B1 (ru)
HK (1) HK1060158A1 (ru)
IL (1) IL154914A0 (ru)
MX (1) MXPA03002387A (ru)
MY (1) MY134928A (ru)
TW (1) TW574399B (ru)
WO (1) WO2002024972A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2685665C1 (ru) * 2017-11-17 2019-04-22 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Алтайский государственный университет" Способ получения тонких алмазных пленок

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050067389A1 (en) * 2003-09-25 2005-03-31 Greer James A. Target manipulation for pulsed laser deposition
EP1859071A4 (en) * 2005-02-23 2010-04-14 Picodeon Ltd Oy SEPARATION METHOD WITH PULSED LASER
JP4500941B2 (ja) * 2005-03-24 2010-07-14 独立行政法人産業技術総合研究所 クラスター膜製造方法および製造装置
CN1316058C (zh) * 2005-03-24 2007-05-16 上海交通大学 溅射TiO2使聚合物微流芯片表面改性的方法
JP5163920B2 (ja) * 2005-03-28 2013-03-13 住友電気工業株式会社 ダイヤモンド単結晶基板の製造方法及びダイヤモンド単結晶基板
FI20060181L (fi) * 2006-02-23 2007-08-24 Picodeon Ltd Oy Menetelmä tuottaa pintoja ja materiaalia laserablaation avulla
RU2467850C2 (ru) * 2006-02-23 2012-11-27 Пикодеон Лтд Ой Покрытие из нитрида углерода и изделие с таким покрытием
FI20060177L (fi) * 2006-02-23 2007-08-24 Picodeon Ltd Oy Menetelmä tuottaa hyvälaatuisia pintoja ja hyvälaatuisen pinnan omaava tuote
US20090176034A1 (en) * 2006-02-23 2009-07-09 Picodeon Ltd. Oy Surface Treatment Technique and Surface Treatment Apparatus Associated With Ablation Technology
FI20060178L (fi) * 2006-02-23 2007-08-24 Picodeon Ltd Oy Pinnoitusmenetelmä
US7608308B2 (en) * 2006-04-17 2009-10-27 Imra America, Inc. P-type semiconductor zinc oxide films process for preparation thereof, and pulsed laser deposition method using transparent substrates
RU2316612C1 (ru) * 2006-06-15 2008-02-10 ООО "Объединенный центр исследований и разработок" Способ получения пленочных покрытий посредством лазерной абляции
EP2065485B1 (en) * 2007-11-21 2011-05-18 OTB Solar B.V. Method and system for continuous or semi-continuous laser deposition.
PT2159300E (pt) * 2008-08-25 2012-03-08 Solmates Bv Método para depositar um material
TWI572389B (zh) 2009-11-10 2017-03-01 伊穆諾萊特公司 用於產生介質中之改變之儀器組及系統、用於產生光或固化之系統、輻射固化或可固化物品、微波或rf接受器及用於治療或診斷之系統
CN103014631B (zh) * 2012-12-19 2014-08-20 河北师范大学 一种彩色Pr(Sr0.1Ca0.9)2Mn2O7薄膜的制备方法
RU2527113C1 (ru) * 2013-03-04 2014-08-27 Игорь Валерьевич Белашов Способ нанесения аморфного алмазоподобного покрытия на лезвия хирургических скальпелей
CN103196774B (zh) * 2013-04-03 2015-02-18 大连理工大学 一种测量材料耐烧蚀特性的装置
US20150017758A1 (en) * 2013-07-11 2015-01-15 Mikhael Reginevich Systems, methods, and media for laser deposition
CN103668085A (zh) * 2013-11-29 2014-03-26 武汉理工大学 脉冲激光沉积装置
EP2910664B1 (en) * 2014-02-21 2019-04-03 Solmates B.V. Device for depositing a material by pulsed laser deposition and a method for depositing a material with the device
FI126769B (en) * 2014-12-23 2017-05-15 Picodeon Ltd Oy Lighthouse type scanner with a rotating mirror and a circular target
WO2016205750A1 (en) * 2015-06-18 2016-12-22 Kevin Kremeyer Directed energy deposition to facilitate high speed applications
RU2614330C1 (ru) * 2015-11-09 2017-03-24 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Алтайский государственный университет" Способ получения тонкой наноалмазной пленки на стеклянной подложке
CN111867842B (zh) 2017-11-15 2021-05-25 格拉纳特研究有限公司 金属熔滴喷射系统
CN108342697A (zh) * 2018-01-11 2018-07-31 中国科学院微电子研究所 一种脉冲激光沉积装置及其方法
GB2585621B (en) 2018-09-24 2022-11-16 Plasma App Ltd Carbon materials
RU197802U1 (ru) * 2019-05-06 2020-05-28 Федор Владимирович Кашаев Устройство для формирования наночастиц методом импульсной лазерной абляции мишени в жидкости
CN114311356A (zh) * 2021-12-31 2022-04-12 华侨大学 动能辅助激光诱导等离子体加工装置及方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63227766A (ja) * 1986-10-27 1988-09-22 Hitachi Ltd 超微粒子膜の形成方法
US4987007A (en) * 1988-04-18 1991-01-22 Board Of Regents, The University Of Texas System Method and apparatus for producing a layer of material from a laser ion source
DD274451A1 (de) * 1988-07-29 1989-12-20 Hochvakuum Dresden Veb Verfahren zur aufloesung bzw. entfernung von droplets aus dem plasmastrom einer lasergezuendeten vakuum-bogenentladung
US4981717A (en) * 1989-02-24 1991-01-01 Mcdonnell Douglas Corporation Diamond like coating and method of forming
DE3914476C1 (ru) * 1989-05-02 1990-06-21 Forschungszentrum Juelich Gmbh, 5170 Juelich, De
JP3255469B2 (ja) * 1992-11-30 2002-02-12 三菱電機株式会社 レーザ薄膜形成装置
WO1994026425A1 (en) * 1993-05-17 1994-11-24 Mcdonnell Douglas Corporation Laser absorption wave deposition process
JPH07166333A (ja) * 1993-12-16 1995-06-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd レーザ・アブレーション装置
US5411772A (en) * 1994-01-25 1995-05-02 Rockwell International Corporation Method of laser ablation for uniform thin film deposition
US5660746A (en) * 1994-10-24 1997-08-26 University Of South Florida Dual-laser process for film deposition
US5747120A (en) * 1996-03-29 1998-05-05 Regents Of The University Of California Laser ablated hard coating for microtools
US5858478A (en) * 1997-12-02 1999-01-12 The Aerospace Corporation Magnetic field pulsed laser deposition of thin films
AU6431199A (en) * 1998-10-12 2000-05-01 Regents Of The University Of California, The Laser deposition of thin films

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2685665C1 (ru) * 2017-11-17 2019-04-22 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Алтайский государственный университет" Способ получения тонких алмазных пленок

Also Published As

Publication number Publication date
US20040033702A1 (en) 2004-02-19
AUPR026100A0 (en) 2000-10-12
CN1291059C (zh) 2006-12-20
CN1461355A (zh) 2003-12-10
MXPA03002387A (es) 2003-10-14
KR20030045082A (ko) 2003-06-09
HK1060158A1 (en) 2004-07-30
TW574399B (en) 2004-02-01
EP1332239A1 (en) 2003-08-06
MY134928A (en) 2008-01-31
CA2456871A1 (en) 2002-03-28
IL154914A0 (en) 2003-10-31
EA006092B1 (ru) 2005-08-25
WO2002024972A1 (en) 2002-03-28
EP1332239A4 (en) 2007-01-10
JP2004509233A (ja) 2004-03-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EA200300390A1 (ru) Способ осаждения тонких пленок посредством лазерной абляции
US11345625B2 (en) Method and device for the laser-based machining of sheet-like substrates
US6864459B2 (en) High precision, rapid laser hole drilling
TWI592244B (zh) 於透明材料內部施行雷射絲化之方法與裝置
Charee et al. Dynamic features of bubble induced by a nanosecond pulse laser in still and flowing water
TWI260843B (en) Focusing an optical beam to two foci
CN1788916B (zh) 激光分段切割
JP4478184B2 (ja) レーザ割断方法およびレーザ加工装置
CN106132627A (zh) 用于对脆性材料进行划割并随后进行化学蚀刻的方法和系统
JP2006167804A5 (ru)
CN1301178C (zh) 半导体中微结构的紫外线激光烧蚀的图案化
CN102319960A (zh) 超短脉冲激光制作金属薄膜群孔的装置及其方法
JP2003228037A (ja) 非金属基板の切断方法及び装置
JP3077462B2 (ja) ガラスの切断方法
Yoshino et al. Micromachining with a high repetition rate femtosecond fiber laser
CN202185678U (zh) 超短脉冲激光制作金属薄膜群孔的装置
CA2258457A1 (en) Laser machining method and laser machining apparatus
Leong Modeling laser beam-rock interaction.
JPS63154280A (ja) レ−ザ加工装置
CN204893208U (zh) 一种激光加工系统
CN211708419U (zh) 超薄玻璃的激光成丝钻孔与超声波裂片装置
CN213410786U (zh) 一种超快激光透明材料的加工装置
Labin et al. Possibilities of using pulsed lasers and copper-vapour laser system (CVL and CVLS) in modern technological equipment
CN213410787U (zh) 一种超快绿光激光透明材料的加工装置
RU2747424C9 (ru) Способ разъединения полупроводниковой пластины, включающей несколько стопок солнечных элементов

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Lapse of a eurasian patent due to non-payment of renewal fees within the time limit in the following designated state(s)

Designated state(s): AM AZ BY KZ KG MD TJ TM

TC4A Change in name of a patent proprietor in a eurasian patent

Designated state(s): AM AZ BY KZ KG MD TJ TM

MM4A Lapse of a eurasian patent due to non-payment of renewal fees within the time limit in the following designated state(s)

Designated state(s): RU