JP2003228037A - 非金属基板の切断方法及び装置 - Google Patents

非金属基板の切断方法及び装置

Info

Publication number
JP2003228037A
JP2003228037A JP2003003041A JP2003003041A JP2003228037A JP 2003228037 A JP2003228037 A JP 2003228037A JP 2003003041 A JP2003003041 A JP 2003003041A JP 2003003041 A JP2003003041 A JP 2003003041A JP 2003228037 A JP2003228037 A JP 2003228037A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser
cutting
substrate
energy
crack
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2003003041A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4394354B2 (ja
Inventor
Hyakukin Kim
栢 均 金
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to KR2002-006009 priority Critical
Priority to KR1020020006009A priority patent/KR100786179B1/ko
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd, サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of JP2003228037A publication Critical patent/JP2003228037A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4394354B2 publication Critical patent/JP4394354B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B33/00Severing cooled glass
    • C03B33/09Severing cooled glass by thermal shock
    • C03B33/091Severing cooled glass by thermal shock using at least one focussed radiation beam, e.g. laser beam
    • C03B33/093Severing cooled glass by thermal shock using at least one focussed radiation beam, e.g. laser beam using two or more focussed radiation beams
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/14Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using a fluid stream, e.g. a jet of gas, in conjunction with the laser beam; Nozzles therefor
    • B23K26/1462Nozzles; Features related to nozzles
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36Removing material
    • B23K26/362Laser etching
    • B23K26/364Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36Removing material
    • B23K26/40Removing material taking account of the properties of the material involved
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D1/00Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor
    • B28D1/22Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor by cutting, e.g. incising
    • B28D1/221Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor by cutting, e.g. incising by thermic methods
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B33/00Severing cooled glass
    • C03B33/07Cutting armoured, multi-layered, coated or laminated, glass products
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B33/00Severing cooled glass
    • C03B33/10Glass-cutting tools, e.g. scoring tools
    • C03B33/105Details of cutting or scoring means, e.g. tips
    • C03B33/107Wheel design, e.g. materials, construction, shape
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FDEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH IS MODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THE DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY, COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g. SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133351Manufacturing of individual cells out of a plurality of cells, e.g. by dicing

Abstract

(57)【要約】 【課題】 レーザビームを利用した非金属基板切断方法
及び装置を提供する。 【解決手段】 初期クラックを形成した後、初期クラッ
クを伝播して非金属基板100に切断面110を形成し
た後、切断面と交差されるクラックを切断工程の停止な
しに連続的に形成することができるようにする。これに
より、チッピング抑制、切断不良最少化、工程進行速度
増加、工程不良発生頻度を最少化するなど多様な効果を
発揮できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はレーザビームを利用
して非金属基板を相当に精密に切断する非金属基板切断
方法及び装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】最近、半導体薄膜工程の技術開発に従っ
て高集積、高性能半導体製品を生産する半導体産業の発
達が著しい。このような、半導体製品は非メタル材料即
ち非金属材料のうちの一つである単結晶シリコンで製作
されたウェーハと呼ばれる純度が相当に高い基板上に数
〜数千万個の半導体素子が半導体薄膜工程によって集積
される。
【0003】このような半導体製品は多様な電子機器に
適用されデジタル信号の形態でデータを貯蔵したり、貯
蔵されたデータを相当に早い時間内に演算処理する役割
をする。
【0004】かつ、半導体技術分野は表示装置の技術開
発にも大きい影響を及ぼす。特に、半導体技術分野は、
表示装置のうちでも液晶を薄膜トランジスターで出力さ
れた電界により制御し、液晶の制御により制御された光
で映像をディスプレーする液晶表示装置の技術開発が急
速に進行している。
【0005】これら半導体製品と液晶表示装置は非メタ
ル基板、即ち純度が高いシリコン基板及びガラス基板に
形成される共通点を有している。
【0006】しかし、これら非メタル基板は衝撃に弱く
て割れやすいという短所を有しているが、一枚のウェー
ハまたは一枚の大型ガラス基板に複数個の半導体チップ
またはLCD単位セルを形成した後、個別化しやすいと
いう長所を有する。
【0007】半導体製品の場合、一枚のウェーハに数〜
数百個の半導体チップを同時に形成した後、個別化工程
を通じて個別化された半導体チップにパッケージ工程を
進行して半導体製品を製作する。
【0008】液晶表示装置の場合には、母基板と呼ばれ
る大型ガラス基板に少なくとも2個以上のLCD単位セ
ルを同時に形成した後、個別化工程によりLCD単位セ
ルを母基板から個別化させてアセンブリ工程を進行す
る。
【0009】この時、個別化工程は製品生産の殆ど最後
段階に属するので、個別化工程での不良、即ち、定常動
作すべき製品が定常的に作動しないことをもたらす切断
不良は、製品の量産性及び収率に大きい影響を及ぶこと
になる。
【0010】特に、液晶表示装置に使用される母基板の
場合、ガラス特性上結晶構造を有しないためにシリコン
ウェーハに比べて脆性が大きくて、切断過程でエッジに
形成された微細クラックによって後続工程が進行される
際に脆弱したところに沿って応力が急速に増幅されて、
所望でない部分が切断される不良が発生しやすい。
【0011】このような従来の問題点は、図1に示した
ように物理的にガラスクラックを形成するダイアモンド
カッター10を使用する過程で発生する。
【0012】具体的には、図1に示すように、ダイアモ
ンドカッター10は回転ディスク1、回転装置2及び移
送装置3により構成される。この時、回転ディスク1は
厚さが相当に薄い円板で円周面にはダイアモンド1aが
微細に植え付けられている。一方、回転ディスク1の回
転中心には、回転ディスク1を高速で回転させる回転装
置2が連結される。このような、回転ディスク1及び回
転装置2は移送装置3により移送される。
【0013】このような構成を有するダイアモンドカッ
ター10は、図1に示すように、ガラス基板7の表面に
微細な深さを有するスクライブ溝(scribe gr
oove)7aを形成する。この時、ガラス基板7の表
面に形成されたスクライブ溝7aは、図2に示すよう
に、切断する領域Lの境界に形成される。
【0014】この時、例えば、切断する領域Lが四角形
状を有し、これにより切断する境界が四カ所とする場
合、ダイアモンドカッター10は図2に示すように1−
2、3−4、5−6、7−8に沿って動き、切断する領
域Lの境界にスクライブ溝7aを形成する。
【0015】以後、文字xで表示された部分に弱い衝撃
を加えることにより、スクライブ溝7aから垂直方向へ
クラックが伝播され切断する領域Lは、図3に示すよう
に、ガラス基板7から完全に分離される。以下、切断す
る領域Lに符号8を付与し、切断基板と称する。
【0016】このように、ガラス基板7から分離された
切断基板8の一部分であるA部分を図4に示すように、
高倍率拡大すると、切断基板8の切断面8aが相当に荒
く、部分的にクラック8bが形成されていることが分か
る。
【0017】このように、切断面8aから発生したクラ
ック8bは、非常に微弱な衝撃により図5に示すよう
に、分離された切断基板8の内部に伝播され、結局、切
断基板8の一部が再び切断される問題点を有する。
【0018】また、ダイアモンドカッター10によるガ
ラス基板7の切断は、図1に示すように、多量のガラス
チップ7bを発生させ、周辺設備を激しく汚染させ、ガ
ラス基板7を洗浄しなければならないという問題点を有
する。
【0019】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、非金
属基板からLCDセルを分離するために、LCDセルの
うち、互いに向き合うエッジを優先1次カッティングし
て、部分切断されたLCDセルを非金属基板から製作し
た後、部分切断されたLCDセルのうちの不必要な部分
が付いているその他のエッジを2次カッティングして部
分切断LCDセルからLCDセルを分離する非金属基板
切断方法を提供することにある。
【0020】本発明の第2の目的は、非金属基板からL
CDセルを分離するために、LCDセルのうちに向き合
うエッジを優先1次カッティングして第1切断面を形成
し、LCDセルのうちの不必要な部分を再びカッティン
グするために、第1切断面と交差する第2切断面により
LCDセルを非金属基板から切断するとき、第2切断面
が第2切断面を横切って形成されることができる非金属
基板切断方法を提供することにある。
【0021】また、本発明の第3の目的は、非金属基板
を切断してLCDセルを形成する過程で、非金属基板の
チップの発生を最少化、非金属基板の切断工程を最少化
及び切断が開始される部分又は二つのクラックが交差す
る部分でも切断工程の中断なしに連続的な基板切断工程
が進行されることができるようにする非金属基板切断装
置を提供することにある。
【0022】
【課題を解決するための手段】本発明の第1目的を達成
するための非金属基板切断方法は、第1乃至第4エッジ
を有する四角形LCDセルがマトリックス状に配置され
た非金属基板を、前記LCDセルの対向する二つの第
1、第2エッジに沿う第1切断予定線に沿ってレーザビ
ームを利用して切断し、前記非金属基板から部分切断さ
れたLCDセルグループを分離する段階と、分離された
前記部分切断されたLCDセルグループを、その他二つ
の第3、第4エッジに沿う第2切断予定線に沿って前記
レーザビームを利用して切断して、前記部分切断された
LCDセルグループから前記LCDセルを完全に分離す
る段階とを含む。
【0023】また、本発明の前記第2目的を達成するた
めの非金属基板切断方法は、第1乃至第4エッジを有す
る四角形LCDセルがマトリックス状に配置された非金
属基板を、前記LCDセルに向き合う前記第1、第2エ
ッジに沿う第1切断予定線に沿ってレーザビームを利用
して切断し、前記第1、第2エッジに第1切断面を形成
する段階と、前記第1切断面を横切る方向へ形成された
第2切断予定線と交差する交差点から前記第2切断予定
線に沿って所定の長さほど第1エネルギーを有する前記
第1レーザビームを供給して交差クラックを形成する段
階と、前記第2切断予定線上に前記第1エネルギーより
小さい大きさの第2エネルギーを有する第2レーザビー
ムを供給しかつ冷却流体で冷却し、前記切断予定線に沿
って第1切断面に到達するまで第1スクライブクラック
を形成する段階と、前記交差クラックに前記第1エネル
ギーより小さい大きさの第2エネルギーを有する第2レ
ーザビームを供給しかつ冷却流体で冷却し、前記第2切
断予定線のその他の部分にわたり第2スクライブクラッ
クを形成する段階とを含む。
【0024】また、本発明の非金属基板切断装置は、非
金属基板のエッジ及び切断予定線と交差する切断開始点
から所定の長さほど、前記切断予定線に沿って第1エネ
ルギーを有する第1レーザビームを供給して初期クラッ
クを形成する第1レーザビーム供給装置と、前記初期ク
ラックから前記切断予定線の最後まで連続的に前記第1
エネルギーより小さい大きさの第2エネルギーを有する
第2レーザビームを供給しかつ冷却流体で冷却し、前記
切断予定線にスクライブクラックを形成するスクライブ
クラック形成装置とを含む。
【0025】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の望
ましい一実施形態を詳細に説明する。
【0026】図7は、本発明の望ましい一実施形態によ
りガラス基板100を精密に切断する切断メカニズムを
示す。
【0027】まず、図7に示すように、符号101はガ
ラス基板100のうちの切断される部分を示す切断予定
線である。この切断予定線101上には、第1レーザビ
ーム210、第2レーザビーム220、冷却流体24
0、第3レーザビーム230がこの順序で形成される。
【0028】この時、第1レーザビーム210は、ガラ
ス基板100に非接触、非衝撃方式により“初期クラッ
ク(initial crack)”又は“交差クラッ
ク(crossing crack)”を形成する役割
を有する。以下、本発明で頻繁に使用される用語“初期
クラック”は、切断予定線101に沿ってクラックが伝
播されることができるように形成される最初のクラック
を総称し、交差クラックはガラス基板100に予め形成
されたクラックを横切る線に沿ってその交差点から延び
るように用意されたクラックを総称する。
【0029】この初期クラックは、図8に示したように
ガラス基板100の滑らかな第1切断面103である縁
からガラス基板100の内部に向かう方向へクラックが
伝播されるようにする役割を有する。
【0030】一方、交差クラックは例えば、図13に示
すように、ガラス基板100上に予め形成された第1ク
ラック110を第2クラック120が横切って形成され
ることができるようにする。この時、交差クラックは第
1クラック110に塞がって一時的に切れる第2クラッ
ク120が第1クラック110を横切って繋がるように
する役割を有する。このような、交差クラックは、特
に、ガラス基板100の一部が交差される角を有するさ
らに小さい切片が切断されるようにする場合、特に有用
に使用される。
【0031】一方、交差クラック又は初期クラックをガ
ラス基板100に形成されるようにするための第1レー
ザビーム210は短時間内に十分なエネルギーをガラス
基板100に供給しなければならない。
【0032】以下、ガラス基板100に初期クラック又
は交差クラックが形成されるようにするに必要であるエ
ネルギーを以下、“第1エネルギー”と称する。
【0033】このように、第1エネルギーをガラス基板
100に供給するために、図7の第1レーザビーム21
0は特にYAGレーザを高調波化した3次高調波YAG
レーザビーム(3th harmonic YAG l
aser beam)又は4次高調波YAGレーザビー
ム(4th harmonic YAG laserb
eam)が使用される。
【0034】より具体的に、図6のグラフを参照する
と、ガラス基板100に第1エネルギーを指定された時
間内に供給するための3次高調波YAGレーザは、10
64nmの波長長さを有するYAGレーザを高調波化し
た355nmの波長の長さを有する。このような波長の
長さを有する3次高調波YAGレーザは一実施形態とし
て、ガラス基板(SAMSUNG CORNING
(株)1737GLASS)に10〜15%の吸収率を
有する。この時、3次高調波YAGレーザは10〜15
%にすぎない低い吸収率を有し、一方、高いパワーにレ
ーザビームを出力させることが容易であるので、指定さ
れた時間内に第1エネルギーをガラス基板100に供給
することができる。
【0035】一方、ガラス基板100に第1エネルギー
を指定された時間内に供給するための4次高調波YAG
レーザは、1064nmの波長の長さを有するYAGレ
ーザを高調波化して266nmの波長長さを有する。こ
のような、波長長さを有する4次高調波YAGレーザは
ガラス基板(SAMSUNG CORNING(株)1
737GLASS)に90%以上の高い吸収率を有す
る。ここで、4次高調波YAGレーザは90%以上の高
い吸収率を有することにより、低いパワーでのレーザビ
ームの出力が可能であり、指定された時間内に第1エネ
ルギーをガラス基板100に供給することができる。
【0036】図6のグラフAはガラス基板100の厚さ
が0.7mmでのYAGレーザビームの波長別透過率グ
ラフであり、グラフBはガラス基板100の厚さが1.
1mmでのYAGレーザビームの波長別透過率グラフで
ある。
【0037】一方、図7に示すように、詳細に説明した
第1レーザビーム210の進行方向を基準にして第1レ
ーザビーム210の後側に該当する切断予定線101に
は第2レーザビーム220が照射される。
【0038】この第2レーザビーム220は、“第2エ
ネルギー”をガラス基板100に供給する二酸化炭素レ
ーザビームが使用される。この時、第2エネルギーはガ
ラス基板100を完全に切断するには多少足りないよう
に調節される。
【0039】このような第2レーザビーム220は、切
断予定線101に向かう方向へは第1長さS1を有し、
切断予定線101と直交する方向へは第1長さS1より
短い第2長さS2を有する楕円形状を有する。
【0040】一方、第2レーザビーム220の進行方向
を基準にして、第2レーザビーム220の後側端部に
は、スポット形状に冷却流体240が供給される。この
時、冷却流体240は第2レーザビーム220により加
熱された切断予定線101の温度に比べて相対的に低い
多様な流体が使用されることができる。
【0041】このような、第2レーザビーム220及び
冷却流体240の作用により前述した初期クラックは切
断予定線101に沿って伝播され、スクライブクラック
が形成される。この時、スクライブクラックはガラス基
板100の表面から溝形状に所定深さを有する。このス
クライブクラックは、後述される第2切断面が形成され
るようにガイドする役割を有する。
【0042】一方、ガラス基板100からスクライブク
ラックに沿って所望である部分が完全に分離され第2切
断面が形成されるようにするために、ガラス基板に形成
されたスクライブクラックには再び第3レーザビーム2
30が照射される。この時、第3レーザビーム230は
二酸化炭素レーザビームで“第3エネルギー”をガラス
基板に供給する。この時、第3エネルギーはスクライブ
クラックがガラス基板100を切断する方向へ伝播され
るようにしてガラス基板100が切断されるようにす
る。
【0043】以下、前述した第1レーザビーム210、
第2レーザビーム220、冷却流体240及び第3レー
ザビーム230を利用してガラス基板を切断する方法を
二つの実施形態を通じて説明する。
【0044】〈第1実施形態〉以下、添付された図8乃
至図12には、ガラス基板100の第1切断面103か
らガラス基板100の内部に形成された“LCDセル”
を切断することができる方向へ第2切断面108が伝播
されるようにする方法を説明する。
【0045】まず、図8で符号100はガラス基板であ
り、符号103は第1切断面であり、符号210は第1
レーザビーム、符号220は第2レーザビーム、符号2
30は第3レーザビーム、符号240は冷却流体であ
る。
【0046】まず、図8に示すように、切断されるガラ
ス基板100が指定された位置にセッチングされる。続
いて、ガラス基板100は第1レーザビーム210に向
かう方法へ移送される。この時、符号G及び符号Hを連
結する線は、第1切断予定線101であり、この切断予
定線101は第1レーザビーム210、第2レーザビー
ム220、第3レーザビーム230と正確にアライン
(整合)される。またこの時、第1切断予定線101は
LCDセルのエッジとアラインされる。
【0047】ガラス基板100は続けて移送され、ガラ
ス基板100の第1切断面103のうちの第1切断予定
線101と交差される交差点104と第1レーザビーム
210が一致する瞬間、該交差点104には、第1レー
ザビーム210が照射される。この時、第1レーザビー
ム210は一実施形態として波長長さが266nmであ
る4次高調波YAGレーザが使用される。
【0048】他の実施形態として、第1レーザビーム2
10は4次高調波YAGレーザに比べて吸収率は低い
が、パワーが一層増加された3次高調波YAGレーザが
使用されてもよい。
【0049】この時、第1レーザビーム210が、交差
点104から第1切断予定線101に沿って所定の長
さ、例えば、図9に示すようにWの長さほど照射される
ことにより、図10に示すように初期クラック106が
形成される。
【0050】初期クラック106が形成された状態でか
つガラス基板100に照射された第1レーザビーム21
0の照射が停止された状態で、ガラス基板100は続け
て移送される。その後、ガラス基板100に形成された
初期クラック106は再び第2レーザビーム220の照
射位置に到達される。続いて、図11に示すように、第
2レーザビーム220は初期クラック106を通過して
第1切断予定線101に沿って照射される。これによ
り、初期クラック106を含む第1切断予定線101は
急速加熱される。
【0051】このような状態で、第2レーザビーム22
0が第1切断予定線101に沿って動く方向を基準にし
て、第2レーザビーム220の後方には冷却流体240
が供給される。この時、冷却流体240の温度は第2レ
ーザビーム220により加熱された温度と大きな差がで
きるようにする。
【0052】このように、ガラス基板100の第1切断
予定線101に第2レーザビーム220が照射された
後、冷却流体240が供給されることにより、冷却流体
240が供給された所から初期クラック106は第1切
断予定線101に沿って伝播される。
【0053】以下、このように初期クラック106から
第1切断予定線101に沿って伝播されたクラックを
“スクライブクラック107”と称する。この“スクラ
イブクラック107”はガラス基板100を完全に切断
するほどの深さを有せず、ガラス基板100の切断され
る部分を予めガイドする役割を有する。
【0054】前述したように、初期クラック106から
スクライブクラック107が形成されるようにした状態
で、スクライブクラック107は再び、クラック伝播過
程を通じてガラス基板100に第2切断面108が形成
されるようにして、ガラス基板100が複数個の切片に
分けられるようにする。
【0055】スクライブクラック107の伝播過程を図
12を参照してより詳細に説明すると、次のとおりであ
る。
【0056】第2切断面108を形成するためには、ガ
ラス基板100を続けて移送し、スクライブクラック1
07には再び第3レーザビーム230を照射する。この
時、スクライブクラック107は再び第3レーザビーム
230により急速加熱され、スクライブクラック107
は体積膨張される。体積膨張される過程で発生した熱応
力はスクライブクラック107が成長しつつ、再び伝播
されるようにする。
【0057】この過程でスクライブクラック107がガ
ラス基板100を完全に切断させ、スクライブクラック
107が位置した所で第2切断面108が形成されるよ
うにする。
【0058】図8乃至図12では、ガラス基板100の
縁として称される“第1切断面103”からガラス基板
100の内部へ初期クラック106が生成され、初期ク
ラック106の成長によりスクライブクラック107が
形成され、スクライブクラック107の成長により第2
切断面108を形成する方法が説明された。
【0059】一方、図13乃至図15では、ガラス基板
100に予め形成された“第2切断面”に“第3切断
面”が交差された状態に形成する方法が説明される。
【0060】この時、符号110は、ガラス基板100
に予め形成された第2切断面であり、符号210は第1
レーザビーム、符号220は第2レーザビーム、符号2
40は冷却流体、符号230は第3レーザビームであ
る。
【0061】まず、図13に示すように、第2切断面1
10を横切るように形成された第2切断予定線102に
は、第2レーザビーム220及び冷却流体240により
スクライブラインが形成され、第3レーザビーム230
により第3切断面120が形成され始める。
【0062】ガラス基板100がさらに移送され、第1
レーザビーム210と第2切断面110との間の間隔は
狭くなる。
【0063】次いで、第2切断面110と第2切断予定
線102の交差点119と第1レーザビーム210の照
射位置が一致されると同時に、第1レーザビーム210
は交差点119に照射され始めて、図14に示すように
W1の長さの間照射される。
【0064】この時、第1レーザビーム210は前述し
たように、3次又は4次高調波YAGレーザを使用する
ことができる。これにより、第2切断面110と第2切
断予定線102の交差点119から所定の長さW1の長
さにほぼ対応して交差クラック119aが形成される。
【0065】この時、第3切断面120の端部122は
交差クラック119aに到達しない状態である。この状
態で第3切断面120は続けて伝播され、第2切断面1
10に到達されるやすぐに停止される。しかし、第3切
断面120は交差点119から第3切断面120が形成
される方向へ新しく形成された交差クラック119aか
ら第2レーザビーム220及び冷却流体240の作用に
より新しい切断が開始される。以後、切断が開始され図
15に示したようにガラス基板100には第2切断面1
10に第3切断面120が交差された状態が形成され
る。
【0066】〈第2実施形態〉前述した第1実施形態で
はガラス基板100に予め形成された第2切断面110
を横切って、第3切断面120が形成されることができ
るようにする方法について説明した。
【0067】一方、実施形態2ではこれと他の方式によ
り、ガラス基板100に形成されたLCDセルをガラス
基板100から分離する方法が説明される。
【0068】図16に示すように、ガラス基板100に
は符号1乃至6で示した6個のLCDセルが示されてい
る。ここで、LCDセルはTFT基板、カラーフィルタ
基板又はこれらが合着された基板であってもよい。
【0069】このように、ガラス基板100に形成され
たLCDセル1、2、3、4、5、6のエッジを以下、
109a、109b、109c、109dと称する。
【0070】この時、ガラス基板100に形成されたL
CDセル1、2、3、4、5、6のうちの符号109a
または109bで示したエッジは、符号A、B、C、
D、E、Fで示した切断予定線に沿って切断される。
【0071】勿論、切断予定線A、B、C、D、E、F
とガラス基板100の縁部が交差する部分には、図7に
示すように第1レーザビーム210により初期クラック
が形成され、初期クラックは第2レーザビーム220に
より急速加熱された後、冷却流体240により冷却され
スクライブラインが形成される。続いて、スクライブラ
インには、第3レーザビーム230が供給され、LCD
セルはガラス基板100からスクライブラインに沿って
分離される。
【0072】しかし、図17に示したように、LCDセ
ル1、2、3、4、5、6は例えば、符号1及び4、符
号2及び5、符号3及び6という組み合わせで各々対に
なって分離される。ここで、符号150は一実施形態と
して、2個が一つの対よりなるLCDセルのエッジに付
いている不必要なガラス基板の一部を示す。
【0073】この時、LCDセル1、2、3、4、5、
6を図19に示したように、全て個別化するためにはL
CDセルの109b、109dで示したエッジに付いて
いる不必要であるガラス基板が除去されなければならな
い。
【0074】これのために、図18に示したように2個
のLCDセルが対からなるガラス基板は切断予定線G、
H、J、K、L、M、N、O、P、Q、Rに沿って切断
される。
【0075】勿論、この時、切断予定線G、H、J、
K、L、M、N、O、P、Q、Rとガラス基板100の
縁部が交差する部分には、図7に示したように、第1レ
ーザビーム210により初期クラックが形成される。こ
の時、初期クラックは第2レーザビーム220により急
速加熱された後、冷却流体240により冷却されスクラ
イブラインが形成される。続いて、スクライブラインに
は第3レーザビーム230が供給され、LCDセルはガ
ラス基板100からスクライブラインに沿って分離され
る。従って、図19に示したようにガラス基板100か
らはLCDセル1、2、3、4、5、6が分離される。
【0076】以下、前述した〈第1実施形態〉及び〈第
2実施形態〉により非金属基板の切断方法を具現するた
めの非金属基板切断装置を図20を参照して説明する
と、次のとおりである。
【0077】非金属基板切断装置500は全体的な面
で、第1レーザビーム供給装置510、第2レーザビー
ム供給装置520及び冷媒供給装置540により構成さ
れたスクライブクラック発生装置、第3レーザビーム発
生装置530、制御ユニット550及び基板移送装置5
60により構成される。
【0078】より具体的には、第1レーザビーム供給装
置510は、第1レーザビーム発生装置512及び周波
数変調装置514により構成される。
【0079】より詳細には、第1レーザビーム発生装置
512は一実施形態として1064nmの波長の長さを
有するYAGレーザを発生し、周波数変調装置514は
1064nmの長さを有する波長が266nm又は35
5nmの波長長さを有する4次又は3次の高調波YAG
レーザに変換する。この第1レーザビーム発生装置51
2は交差クラック又は初期クラックを発生させる。
【0080】一方、第2レーザビーム供給装置520
は、第2レーザビーム発生装置522及びレーザビーム
形状加工装置524により構成される。第2レーザビー
ム発生装置522は二酸化炭素レーザビームを発生さ
せ、レーザビーム形状加工装置524はレーザビームが
非金属基板に投影された形状が円形状から楕円形状にな
るように加工する。これを具現するためには、凸レンズ
及び凹レンズにより構成されたレンズグループを必要と
する。
【0081】一方、冷媒供給装置540は冷媒を指定さ
れた圧力及び温度で噴射するに適合した構成を有する。
最後に、第3レーザビーム供給装置530は二酸化炭素
レーザビームを発生させる第3レーザビーム発生装置5
32を含む。
【0082】以上、本発明の実施例によって詳細に説明
したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技
術分野において通常の知識を有するものであれば本発明
の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変
更できるであろう。
【0083】
【発明の効果】本発明によると、非金属基板を切断する
過程で発生する切断不良防止、切断工程数増加防止、非
金属基板を切断する過程で発生するチップ発生抑制、非
金属基板の連続的な切断の提供、切断に要する時間まで
も大きく短縮させるなどの多様な効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】 従来のダイアモンドカッターを利用してガラ
ス基板にスクライブ溝を形成することを示す概念図であ
る。
【図2】 従来のスクライブ溝が形成されたガラス基板
に衝撃を加えてガラス基板から切断基板を分離すること
を示す概念図である。
【図3】 従来の切断基板を示す概念図である。
【図4】 図3のA部円内の拡大図である。
【図5】 従来の切断基板に致命的なクラックが形成さ
れることを示す概念図である。
【図6】 本発明の一実施形態に関し第1レーザビーム
の波長別光透過度を示すグラフである。
【図7】 本発明の一実施形態による非金属切断メカニ
ズムを説明するための概念図である。
【図8】 本発明の一実施形態により非金属基板に初期
クラックを発生するために第1レーザビームに向かって
ガラス基板が移送されることを示す工程図である。
【図9】 本発明の一実施形態によりガラス基板の縁部
と切断予定線の交差点に第1レーザビームが照射される
ことを示す工程図である。
【図10】 本発明の一実施形態により交差点に初期ク
ラックが形成されたことを示す工程図である。
【図11】 本発明の一実施形態により初期クラックが
切断予定線に沿って伝播成長してスクライブラインが形
成されることを示す工程図である。
【図12】 本発明の一実施形態によりスクライブライ
ンが完全に切断されることを示す工程図である。
【図13】 本発明の一実施形態によりガラス基板に予
め形成された切断面に向かって、また他の切断面が接近
することを示す工程図である。
【図14】 本発明の一実施形態によりガラス基板に予
め形成された切断面と切断予定線の交差点から切断予定
線に沿って所定の長さで初期クラックが形成されること
を示す工程図である。
【図15】 本発明の一実施形態によりガラス基板に予
め形成された切断面に他の切断面が交差された状態に形
成されたことを示す工程図である。
【図16】 本発明の他の実施形態によりガラス基板に
形成された第1乃至第6セルの対向する両側エッジをレ
ーザビーム及び冷却流体で切断することを示す工程図で
ある。
【図17】 図16の工程により各々が2個のセルを含
むようにストライプ形態に部分切断されたガラス基板を
示す工程図である。
【図18】 図17で部分切断されたストライプ形態の
ガラス基板のうちの不必要である部分を再び切断するた
めの工程を示す工程図である。
【図19】 本発明の一実施形態によりガラス基板から
不必要である部分が全て除去された図面を示す工程図で
ある。
【図20】 本発明の一実施形態による非金属基板を切
断する非金属基板切断装置の概念図である。
【符号の説明】
100 ガラス基板 101 切断予定線 110、120 切断面 119 交差点 210 第1レーザビーム 220 第2レーザビーム 230 第3レーザビーム 240 冷却流体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H088 FA07 FA27 FA30 4E068 AD01 AE01 CA02 CA04 DA00

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】第1乃至第4エッジを有する四角形LCD
    セルがマトリックス状に配置された非金属基板を、前記
    LCDセルの対向する二つの第1、第2エッジに沿う第
    1切断予定線に沿ってレーザビームを利用して切断し、
    前記非金属基板から部分切断されたLCDセルグループ
    を分離する段階と、 分離された前記部分切断されたLCDセルグループを、
    その他二つの第3、第4エッジに沿う第2切断予定線に
    沿って前記レーザビームを利用して切断して、前記部分
    切断されたLCDセルグループから前記LCDセルを完
    全に分離する段階と、 を含むことを特徴とする非金属基板の切断方法。
  2. 【請求項2】前記部分切断されたLCDセルグループを
    形成する段階は、 前記非金属基板のエッジ及び前記第1切断予定線が交差
    する切断開始点から所定の長さほど、前記第1切断予定
    線に沿って第1エネルギーを有する第1レーザビームを
    供給して初期クラックを形成する段階と、 前記初期クラックから前記第1切断予定線の最後まで連
    続的に前記第1エネルギーより小さい大きさの第2エネ
    ルギーを有する第2レーザビームを供給しかつ冷却流体
    で冷却して、前記第1切断予定線にスクライブクラック
    を形成する段階と、 前記スクライブクラックに第3エネルギーを有する第3
    レーザビームを供給し、前記第1切断予定線に沿って切
    断面を形成する段階とを含むことを特徴とする請求項1
    に記載のレーザビームを利用した非金属基板の切断方
    法。
  3. 【請求項3】前記LCDセルを前記部分切断されたLC
    Dグループから分離する段階は、 前記非金属基板のエッジ及び前記第2切断予定線が交差
    する切断開始点から所定の長さほど前記第2切断予定線
    に沿って第1エネルギーを有する第1レーザビームを供
    給して初期クラックを形成する段階(i)と、 前記初期クラックから前記第2切断予定線の最後まで連
    続的に前記第1エネルギーより小さい大きさの第2エネ
    ルギーを有する第2レーザビームを供給しかつ冷却流体
    で冷却して、前記第2切断予定線にスクライブクラック
    を形成する段階(ii)とを含むことを特徴とする請求
    項1に記載のレーザビームを利用した非金属基板の切断
    方法。
  4. 【請求項4】前記段階(ii)以後に、前記スクライブ
    クラックに第3エネルギーを有する第3レーザビームを
    供給し、前記第2切断予定線に沿って切断面を形成する
    段階を含むことを特徴とする請求項3に記載のレーザビ
    ームを利用した非金属基板の切断方法。
  5. 【請求項5】前記第1レーザビームは、90%以上が前
    記非金属基板に吸収される波長を有することを特徴とす
    る請求項2に記載のレーザビームを利用した非金属基板
    の切断方法。
  6. 【請求項6】前記非金属基板はガラス基板であり、前記
    第1レーザビームは波長の長さが266nmである4次
    高調波YAGレーザであることを特徴とする請求項2に
    記載のレーザビームを利用した非金属基板の切断方法。
  7. 【請求項7】前記第1レーザビームは、10〜15%が
    前記非金属基板に吸収される波長を有することを特徴と
    する請求項2に記載のレーザビームを利用した非金属基
    板の切断方法。
  8. 【請求項8】前記非金属基板はガラス基板であり、前記
    第1レーザビームは発振波長の長さが355nmである
    3次高調波YAGレーザであることを特徴とする請求項
    7に記載のレーザビームを利用した非金属基板の切断方
    法。
  9. 【請求項9】第1乃至第4エッジを有する四角形LCD
    セルがマトリックス状に配置された非金属基板を、前記
    LCDセルの対向する第1、第2エッジに沿う第1切断
    予定線に沿ってレーザビームを利用して切断し、前記第
    1、第2エッジに第1切断面を形成する段階と、 前記第1切断面を横切る方向へ形成された第2切断予定
    線と交差する交差点から前記第2切断予定線に沿って所
    定の長さほど第1エネルギーを有する前記第1レーザビ
    ームを供給して交差クラックを形成する段階と、 前記第2切断予定線上に前記第1エネルギーより小さい
    大きさの第2エネルギーを有する第2レーザビームを供
    給しかつ冷却流体で冷却して、前記切断予定線に沿って
    第1切断面に到達するまで第1スクライブクラックを形
    成する段階と、 前記交差クラックに前記第1エネルギーより小さい大き
    さの第2エネルギーを有する第2レーザビームを供給し
    かつ冷却流体で冷却し、前記第2切断予定線のその他の
    部分にわたり第2スクライブクラックを形成する段階と
    を含むことを特徴とする非金属基板の切断方法。
  10. 【請求項10】前記第2スクライブクラックを形成する
    段階以後、前記第1、第2スクライブクラックには、第
    3エネルギーを有する第3レーザビームが照射され、前
    記第1、第2スクライブクラックに沿って第2切断面が
    形成される段階を含むことを特徴とする請求項9に記載
    の非金属基板の切断方法。
  11. 【請求項11】前記非金属基板はガラス基板であり、前
    記第1レーザビームは波長の長さが266nmである4
    次高調波YAGレーザであることを特徴とする請求項9
    に記載の非金属基板切断方法。
  12. 【請求項12】前記非金属基板はガラス基板であり、前
    記第1レーザビームは発振波長の長さが355nmであ
    る3次高調波YAGレーザであることを特徴とする請求
    項9に記載の非金属基板の切断方法。
  13. 【請求項13】非金属基板のエッジ及び切断予定線と交
    差する切断開始点から所定の長さほど、前記切断予定線
    に沿って第1エネルギーを有する第1レーザビームを供
    給して初期クラックを形成する第1レーザビーム供給装
    置と、 前記初期クラックから前記切断予定線の最後まで連続的
    に前記第1エネルギーより小さい大きさの第2エネルギ
    ーを有する第2レーザビームを供給しかつ冷却流体で冷
    却し、前記切断予定線にスクライブクラックを形成する
    スクライブクラック形成装置とを含むことを特徴とする
    非金属基板の切断装置。
  14. 【請求項14】前記スクライブクラックに第3エネルギ
    ーを有する第3レーザビームを供給し、前記切断予定線
    に沿って切断面を形成する第3レーザビーム供給装置を
    含むことを特徴とする請求項13に記載の非金属基板の
    切断装置。
  15. 【請求項15】前記第1エネルギーが前記非金属基板に
    加えられるようにするために、前記第1レーザビームは
    90%以上が前記非金属基板に吸収される波長を有する
    ことを特徴とする請求項13に記載の非金属基板の切断
    装置。
  16. 【請求項16】前記非金属基板はガラス基板であり、前
    記第1レーザビームは波長の長さが266nmである4
    次高調波YAGレーザであることを特徴とする請求項1
    5に記載の非金属基板の切断装置。
  17. 【請求項17】前記第1エネルギーが前記非金属基板に
    加えられるようにするために、前記第1レーザビームは
    10〜15%が前記非金属基板に吸収される波長を有す
    ることを特徴とする請求項13に記載の非金属基板切断
    装置。
  18. 【請求項18】前記非金属基板はガラス基板であり、前
    記第1レーザビームは波長の長さが355nmである3
    次高調波YAGレーザであることを特徴とする請求項1
    7に記載の非金属基板の切断装置。
  19. 【請求項19】前記第2レーザビーム及び第3レーザビ
    ームは二酸化炭素レーザビームであることを特徴とする
    請求項13に記載の非金属基板の切断装置。
JP2003003041A 2002-02-02 2003-01-09 非金属基板の切断方法及び装置 Active JP4394354B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2002-006009 2002-02-02
KR1020020006009A KR100786179B1 (ko) 2002-02-02 2002-02-02 비금속 기판 절단 방법 및 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003228037A true JP2003228037A (ja) 2003-08-15
JP4394354B2 JP4394354B2 (ja) 2010-01-06

Family

ID=27656366

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003003041A Active JP4394354B2 (ja) 2002-02-02 2003-01-09 非金属基板の切断方法及び装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6734391B2 (ja)
JP (1) JP4394354B2 (ja)
KR (1) KR100786179B1 (ja)
CN (1) CN1282228C (ja)
TW (1) TWI270430B (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012027272A (ja) * 2010-07-23 2012-02-09 Asahi Glass Co Ltd 表示パネルの製造方法、および表示パネル
WO2013152142A1 (en) * 2012-04-03 2013-10-10 Tannas Jr Lawrence E Apparatus and methods for resizing electronic displays
JP2016000691A (ja) * 2009-11-30 2016-01-07 コーニング インコーポレイテッド ガラス基板のレーザスクライブおよび分離方法

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4175636B2 (ja) * 2003-10-31 2008-11-05 株式会社日本製鋼所 ガラスの切断方法
JP4488733B2 (ja) * 2003-12-24 2010-06-23 三洋電機株式会社 回路基板の製造方法および混成集積回路装置の製造方法。
JP4536407B2 (ja) * 2004-03-30 2010-09-01 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び加工対象物
JP4440036B2 (ja) * 2004-08-11 2010-03-24 株式会社ディスコ レーザー加工方法
JP2006173428A (ja) * 2004-12-17 2006-06-29 Seiko Epson Corp 基板加工方法及び素子製造方法
JP2006315017A (ja) * 2005-05-11 2006-11-24 Canon Inc レーザ切断方法および被切断部材
DE102005027800A1 (de) * 2005-06-13 2006-12-14 Jenoptik Automatisierungstechnik Gmbh Vorrichtung zum mehrfachen Trennen eines flachen Werkstückes aus einem spröden Material mittels Laser
KR100822278B1 (ko) * 2005-06-14 2008-04-15 주식회사 에스에프에이 기판 제조 장치 및 방법
KR100972488B1 (ko) * 2005-12-29 2010-07-26 엘지디스플레이 주식회사 레이저를 이용한 액정표시소자 절단장치 및 절단방법, 이를이용한 액정표시소자 제조방법
JP5036276B2 (ja) * 2006-11-02 2012-09-26 株式会社ディスコ レーザー加工装置
CN101462822B (zh) * 2007-12-21 2012-08-29 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 具有通孔的脆性非金属工件及其加工方法
US8051679B2 (en) * 2008-09-29 2011-11-08 Corning Incorporated Laser separation of glass sheets
US8895892B2 (en) * 2008-10-23 2014-11-25 Corning Incorporated Non-contact glass shearing device and method for scribing or cutting a moving glass sheet
US9302346B2 (en) * 2009-03-20 2016-04-05 Corning, Incorporated Precision laser scoring
US8932510B2 (en) 2009-08-28 2015-01-13 Corning Incorporated Methods for laser cutting glass substrates
US8946590B2 (en) 2009-11-30 2015-02-03 Corning Incorporated Methods for laser scribing and separating glass substrates
CN101879665A (zh) * 2010-06-24 2010-11-10 浙江工业大学 脆性材料基板的激光切割方法
JP5696393B2 (ja) 2010-08-02 2015-04-08 日本電気硝子株式会社 ガラスフィルムの割断方法
US8720228B2 (en) 2010-08-31 2014-05-13 Corning Incorporated Methods of separating strengthened glass substrates
US9938180B2 (en) 2012-06-05 2018-04-10 Corning Incorporated Methods of cutting glass using a laser
KR101355807B1 (ko) * 2012-09-11 2014-02-03 로체 시스템즈(주) 비금속 재료의 곡선 절단방법
US9610653B2 (en) 2012-09-21 2017-04-04 Electro Scientific Industries, Inc. Method and apparatus for separation of workpieces and articles produced thereby
US20140084039A1 (en) * 2012-09-24 2014-03-27 Electro Scientific Industries, Inc. Method and apparatus for separating workpieces
CA2937354C (en) * 2014-01-20 2020-04-14 Smart Wave Technologies Corp. Methods of laser trace post processing and depaneling of assembled printed circuit boards
KR20200108200A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 셀, 이의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 표시 장치

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2712723B2 (ja) * 1990-03-07 1998-02-16 松下電器産業株式会社 レーザ切断方法
JP4396953B2 (ja) * 1998-08-26 2010-01-13 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. レーザ切断装置および切断方法
KR100300417B1 (ko) * 1999-01-18 2001-09-22 김순택 투명도전막이 형성된 유리의 절단장치
KR100631304B1 (ko) * 1999-12-24 2006-10-04 삼성전자주식회사 레이저 빔을 이용한 유리기판 절단 장치 및 그 방법
KR100347956B1 (ko) * 1999-12-29 2002-08-09 엘지전자주식회사 레이저빔을 이용한 유리 절단장치
JP2002172479A (ja) * 2000-09-20 2002-06-18 Seiko Epson Corp レーザ割断方法、レーザ割断装置、液晶装置の製造方法並びに液晶装置の製造装置
KR100381165B1 (ko) * 2000-12-01 2003-04-26 엘지전자 주식회사 유리 절단 장치 및 그 방법
KR20020047479A (ko) * 2000-12-13 2002-06-22 김경섭 비금속재료의 레이저 절단 방법
KR100701013B1 (ko) * 2001-05-21 2007-03-29 삼성전자주식회사 레이저 빔을 이용한 비금속 기판의 절단방법 및 장치

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016000691A (ja) * 2009-11-30 2016-01-07 コーニング インコーポレイテッド ガラス基板のレーザスクライブおよび分離方法
JP2012027272A (ja) * 2010-07-23 2012-02-09 Asahi Glass Co Ltd 表示パネルの製造方法、および表示パネル
WO2013152142A1 (en) * 2012-04-03 2013-10-10 Tannas Jr Lawrence E Apparatus and methods for resizing electronic displays

Also Published As

Publication number Publication date
CN1435291A (zh) 2003-08-13
KR100786179B1 (ko) 2007-12-18
TW200302760A (en) 2003-08-16
TWI270430B (en) 2007-01-11
US6734391B2 (en) 2004-05-11
KR20030065926A (ko) 2003-08-09
US20030146197A1 (en) 2003-08-07
JP4394354B2 (ja) 2010-01-06
CN1282228C (zh) 2006-10-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101998761B1 (ko) 투명 재료 내에 레이저 필라멘테이션을 형성하기 위한 방법 및 장치
JP2020079196A (ja) ディスプレイ用ガラス組成物のレーザ切断
US10144088B2 (en) Method and apparatus for laser processing of silicon by filamentation of burst ultrafast laser pulses
JP6734202B2 (ja) 脆性材料をスクライブして化学エッチングする方法およびシステム
CN104690428B (zh) 使用突发超快激光脉冲为脆性材料释放闭型部的方法
JP6465859B2 (ja) レーザを用いて平基板から輪郭形状を切り取るための装置及び方法
US8865568B2 (en) Workpiece cutting method
US20190352215A1 (en) Method and device for the laser-based machining of sheet-like substrates
JP6562819B2 (ja) SiC基板の分離方法
CN100488697C (zh) 激光束加工机
JP4932955B2 (ja) 切断起点領域形成の制御装置
TWI629249B (zh) Method for cutting tempered glass sheets
KR101432955B1 (ko) 절단방법, 가공대상물 절단방법 및 광투과성재료 절단방법
US8188404B2 (en) Laser processing method and laser processing apparatus
US8444906B2 (en) Method of cutting substrate
US8890027B2 (en) Laser processing method and laser processing system
US20170057017A1 (en) Cutting of brittle materials with tailored edge shape and roughness
KR100689314B1 (ko) 액정표시패널의 절단방법
US7638729B2 (en) Apparatus for cutting substrate and method using the same
CN101663125B (zh) 激光加工方法及切割方法以及具有多层基板的结构体的分割方法
US20180161918A1 (en) Shaping of brittle materials with controlled surface and bulk properties
JP5138219B2 (ja) レーザ加工方法
EP1610364B1 (en) Laser beam machining method
US7002660B2 (en) Liquid crystal displays
TWI320031B (en) Method of cutting a glass substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050830

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20060105

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20060106

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090616

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090915

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20091013

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20091015

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4394354

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121023

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131023

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131023

Year of fee payment: 4

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131023

Year of fee payment: 4

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250