TW574399B - A method of depositing a thin film on a substrate and a diamond film produced therefrom - Google Patents

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574399 A7 ------- B7____ 五、發明説明（i ) 發明範疇 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係有關一種於基板上藉雷射燒蝕目標形成薄膜 之方法，例如稱做脈衝雷射沉積（「PLD」）技術。本發明 特別適合形成鑽石膜但非限制性，本發明也可應用於形成 任何其它材料薄膜以及用於超導體薄膜生長法、光子裳置 及半導體電子裝置。 發明背景 多種採用PLD之技術用於製造高品質薄膜以及研究多 年。 PLD涉及導引脈衝雷射至置於腔室典型為真空腔室内 邛的目標材料。雷射能造成材料由目標表面燒蝕及蒸發成 為煙柱。煙柱係由原子、離子、分子及粒子混合物或簇集 組成。當材料被燒蝕時，煙柱擴散入腔室内。煙柱内部的 条發物能量典型係於數電子伏特（eV)至約數百£^_之範圍。 經由將基板置於煙柱的傳播方向，被燒蝕的材料成層沉積 於基板上而形成薄膜。 PLD用於製造薄膜之引人注目的優點已經有明確文獻 記載，但該等方法的缺點.可能妨礙高品質薄膜的形成。煙 柱内存在有顆粒狀物質造成所得薄膜品質低劣。已經發展 出多種減少煙柱内部微粒以及減少微粒沉積於基板之方 法。 國際專利公告案W099/13 127說明一種於真空室内藉 雷射脈衝蒸發目標之方法，雷射係聚焦成最理想強度俾由 煙柱中去除微粒。最理想強度係以雷射脈衝持續時間以及 本紙張尺度適用中國國家標準（_) A4規格（21〇><297公釐） * 4 崎 五、發明説明（2 ) 目標材料特徵定義。雷射脈衝重複率經預先決定因而可於 基板產生蒸發材料連續流。脈衝重複率典型係於千赫至數 百百萬赫之範圍；以及脈衝持續時間較佳為微微秒或亳微 秒。說明藉蒸發石墨目標形成薄膜。薄膜為邛3及邛2二^ 非晶形碳混合物。薄膜以5埃/秒沉積速率沉積於矽基板上 且幾乎不含任何微粒.。 W〇99/13127發明人Rode等人之PLD相關報告參考應 用物理學期刊85，第8號（1999年4月15日）4222頁。 國際專利公告案WOOO/22184說明一種使用短脈衝雷 射（1〇〇微微秒或以下）PLD薄膜特別仿鑽石碳薄膜之方 法。使用此種雷射據稱可產生由單原子離子組成的煙柱而 不含任何蔟集。使用高平均功率毫微微秒雷射可獲得高達 25微米/小時之沉積速率。 美國專利5,858,478說明一種PLD薄膜之方法，其中使 用脈衝雷射來由目標表面燒蝕材料。一屏障置於目標及基 板視線直線上，使用磁场來將被燒I虫材料煙柱内部的離子 彎曲朝向基板，而中性離子繼續通過基板。此種方法可避 免大型中性離子沉積於基.板上。 美國專利5，411，772說明一種雷射燒|虫目標用以形成 薄膜之方法。基板通常設置平行於被燒蝕材料煙柱傳播方 向。沉積腔室包括低背景壓力惰性氣體或反應性氣體俾輔 助煙柱的橫向擴散（相對於傳播方向之橫向擴散）。大型重 質粒子無法產生顯著橫向擴散而不可能沉積於基板上。 因此本發明之目的係提供經由選擇預定蒸發物能量製 本紙張尺度適用中國國豕標準（CNS) A4規格（210X297公箸） 574399

五、發明説明（3 ) 質不含微粒 種沉積薄膜於基板之 於第一特徵方面，本發明提供 方法，該方法包括·· 雷射燒钱一個目標夹而；犯+ #々 、 $成条發物煙柱於遠離目標 表面之傳播方向延伸；以及 設置基板於煙柱的傳播方向，讓煙柱内部的蒸發物沉 積於基板上； 其中雷射束係聚焦於目標表面前方有限距離，因而將 由該聚焦所得束之最小載面置於難”，因而對煙柱内 部之蒸發物提供較高能量。 較佳雷射燒餘係藉雷射束執行。另一具體實施例中， 雷射束為第二雷射束’雷射燒㈣藉第—雷射束執行。 本發明部分係基於觀察到有寬廣能量範圍之蒸發物並 不一定適合薄膜沉積。已知用於沉積薄膜獲得财鍵結的 種類’需要於基板上僅沉積才目關能量範圍的蒸發物。例如 用於碳薄膜之SP3鍵結，蒸發物之相關能量犯為約為丨〇〇 eV 至200 eV。具有較低能量之粒子或蒸發物主要產生邛2鍵結 帶有若干spJ鍵結。它方面’纟有較高能#之粒子或蒸發物 可能摧毀薄膜既有的鍵結而產生邛3與邛2鍵結的混合:蒸 發物之動能係依據目標上雷射通量、雷射波長及目標材料 決定。於石墨目標以及5 10毫微米波長雷射之例，為了獲得 具有能量50 eV至100 eV範圍之蒸發物，於目標表面之較佳 雷射通量為5x108-109瓦/平方厘米。但單獨調整此等參數不 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 6 五、發明説明（4 ) 一定能產生粒子之預定能量範圍。 本發明也源自於了解於雷射輕射與目標交互作用期間 可於煙柱内獲得-區蒸發物，其足夠允許有效吸收煙柱内 部的雷射能。該區的蒸發物密度稱做臨界密度。此種臨界 密度η係依據雷射波長；ί (微米）決定，可由公式量化 η吐蒸發物的能量吸收唯有於雷射：量:近 1〇10瓦/平方厘米或以上時才變顯著。於臨界密度區的雷射 能輸入將產生「震波」，該震波係以#立體角擴大。為了 獲得雷射能於該點最有效的輸人，雷射脈衝持續時間需大 於電子導熱率時間（約1毫微秒）。 當煙柱内部蒸發物密度於目標表面前方預定距離（以 厘米表示）： ^l3Sxl〇6( £ /Α),/2Δ t 此處：e為粒子能，單位ev A為粒子原子量 △ t為雷射脈衝上升時間（秒） 達到界在度（如此處定義）時，較佳於脈衝其間於雷 射通量達到最大值時，以.及雷射束較佳聚焦於臨界密度區 或内邛於煙柱產生震波，因而進行碰撞吸收。 ^ 、〔务物煙柱較佳包括臨界密度區（定義如此處），以及 田射束車乂仏係永焦於臨界密度區域内，讓煙柱產生震波。 ^界在度係依據雷射波長決定較佳高於叭⑺2】蒸發物/立 方厘米。於預定時間已經傳播超出臨界密度區的煙柱内部 “、、I物藉展波而朝向基板加速，而於預定時間煙柱内部蒸 7 574399

發明説明 向 但 達 电未傳播超出臨界密度區域的蒸發物係藉震波加速而朝向 表面形成薄膜需要的能量係根據目標材料以及欲形 成的薄膜改變。 y 、為達成此項目地，本發明提供一種藉雷射消蝕目標形 成’儿積煙柱之於基板上形成薄膜之方法，其中於煙柱之最 回在度區的雷射束通量係調整而獲得藉蒸發物之有效能量 吸收，讓蒸發物達成足夠能量俾沉積於基板上。基板之設 二襄月匕卩白起出預疋範圍以外的蒸發物不會沉積於基板 上。 ' ' & 雷射束之最小戴面較佳包括雷射束聚焦區域全體。雷 射束係藉透鏡聚焦，雷射束的焦點區域係定義為恰在透鏡 光學焦點前方與I方的雷射束區土或。焦點區中點係異位於 目標表面前方。距離係依據目標材料以及雷射通量決定， 但通常為1微米至1 〇毫米之範圍。 較佳雷射於目標上的戴面係大於雷射的最小截面。使 用較短焦距透鏡將可於焦點區達成更強而有力的通量，如 此提问於煙柱最緻密區的能量吸收。較佳焦距短於％厘米。 須了解被燒蝕的蒸發物具有於煙柱内部之某個速度範 圍。於較佳具體實施例中，速度之預定分量係讓蒸發物於 煙柱内部移域慢，藉該速度的預定分量可偏離傳播方 而避免沉積於基板上。此項速度係依據目標材料決定， 通常高於2000轉/分鐘，更佳大於5〇〇〇轉/分鐘且可高 40,000轉/分鐘。 較佳速度之預定分量係由目標的移動所提供，換言 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

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發明説明 =圓柱體目標的高速旋轉提供。更佳該速度的預定分量 貫質為目標表面之切線。 於第二特徵方面，本發明提供一種沉積薄膜 之方法，該方法包括： 雷射燒餘目標而形成蒸發物煙柱，煙柱内部具有某種 速度範圍，於遠離目標表面之傳播方向延伸； 聚焦雷射束於目標表面前方的有限距離，因而定位由 該聚焦所得雷射束之最錢㈣在.陳㈣，藉 内部之蒸發物提供較高能量； 設置基板於煙柱傳播方向；以及 .提供一種預定速度分量給蒸發物； 2中該基板係位在距目標表面之-段預定距離，讓藉 由預疋逮度分量造成煙柱内部移動較緩慢的蒸發物由傳播 方向偏轉，且防止其沉積於基板上。 〃幸乂U射燒姓係藉雷射束執行。另一具體實施例中， 雷射束為第二雷射束，以及雷射燒㈣、藉第-雷射束執行。 使用本發明方法產生的厚度典型係於原子層面厚度 (超薄薄膜）至薄膜範圍，·其厚度係受沉積速率及沉積時二 所限。 第将彳政方面’本發明提供一種沉積薄膜於基板之方 法，該方法包括： Μ射H虫目私而形成蒸發物煙柱，煙柱内部具有某種 逮度紅圍，於遠離目標表面之傳播方向延伸； 設置基板於煙柱傳播方向；以及 本 _ 標準（CNS) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

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發明説明 ^ΓΊ 4年 修 玉月 本 頁曰 雷射10為1G千赫、2G毫微秒、銅蒸氣雷射（CVL)、脈衝能 為母脈衝2*焦耳’雷射束波長510毫微米。目標16及基板 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 20奋納於腔室22較佳為真空腔室内。冑空較佳約為1〇_3托 |耳或更低為了 4造鑽石膜或仿鑽石膜，目標16係由石墨 1製成。 較佳目標16為圓柱形（第3圖）以其縱軸為中心旋轉，該 圓柱係於入射雷射束12軸線之法線方向延伸。目標16旋轉 可避免連續雷射脈衝撞擊目標表面17的同一點（免除形成 亢洞）田射束12或目標16可額外或另外於垂直於雷射束軸 線之平面被掃描以防止形成坑洞。 入射田射束可以與目標表面17夾角而被導引至目標16 上於較佳具體實施例中，目標16之直徑為40毫米，以其 軸線為中心以1〇4轉/分鐘的轉數旋轉。須了解目標16可具 有夕種適當形狀之任一者（適當形狀包括例如概略矩形、球 形或圓㈣），可以業界人士了解之任一種習知方式移動或

掃描。 雷射束12與目標16表面17交互作用形成被燒蝕材料的 雷射煙柱18(第2圖），該煙柱係朝向基板2()傳播且沉積於基 板上。第1圖之區域19顯示煙柱18朝向基板2〇的傳播方向。 基板20可方便地設置遠離目標16 %毫米。選擇此種距離之 基準纣娜如後。典型目標至基板距離係於數厘米至厘米 之範圍。基板20可視需要經加熱俾辅助薄膜沉積層黏著於 基板。但於本發明之若干具體實施例中無需加熱。 本發明部分係基於觀察為了製造高品質薄膜特別鑽石

而 面 射 方 10 574399 五、發明說明（9 而要〇口質良好的煙柱。於由目標之固體表面吸收後， 子成兒水煙柱，该電漿煙柱係由被激發的物種如原子、分 、私子離子、簇集以及微米大小的固體微粒混合物組 、存在有相$置微米大小的微粒對此種處理結果特別不 利。因此品質良好的煙柱係含有相當少量微米大小的微 其中原子及離子具有適合形成薄膜的能階。例如曾經 提識為了獲得鑽石結構切3碳·碳鍵，被燒姓的原子及離 子需具有約100〜至200 eV且較佳70_200〜範圍之能階。 g為了達成目標材料的蒸發及燒钱，雷射脈衝之通量能 係高於預定臨限值。已經證實石墨蒸發之臨限值通 量能量為30亳瓦/平方厘米（Danil〇v等人，量子電子期刊 \8(12曰)1988年12月丨㈣頁）。若目標材料為石墨，則脈衝能 量通量過低將導致形成石墨結構或其它非鑽石的碳膜， 當脈衝能量通量過高時，將導致污染材料粒子由目標表叫 射出且沉積於基板上，或基板被高能粒子衝撞受損。於本 發明之具體實施例中，當目標材料為石墨時，目標表面之 脈衝能量通量較佳係於5χ1〇Μ〇9瓦/平方厘米之範圍。 第2圖顯示使用具有低脈衝能及毫微秒脈衝持續時間 之脈衝雷射ίο製造品質良好的煙柱。於目標表面17之雷 通量係經由使用透鏡14將雷射束12聚焦於目標表面I?前 的有限距離d達成。距離(1較佳係在目標表面前方1微米至 宅米及最佳約0.46毫米之範圍。距離4係依據雷射通量及其 它參數決定。 ' 將透鏡14焦點置於目標表面17前方可有利於設置雷射 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公楚）

_计- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 或 焦 蒸 574399 五、發明説明（10 ) 束焦點區24於雷射煙★ 1 柱18内部。雷射束12焦點區24定義為 恰在透鏡14之光學焦點 ⑴乃汉傻方的雷射束12區域，此處 雷射束截面約略等於雷射束於光學焦點直徑。雷射束12載 面通常概略為圓形或橢圓形。結果雷射束之截面係大於最 小截面，因而小於目標表面上的最高能量集中。目標材料 藉雷射脈衝蒸發及燒钱，但被燒餘的蒸發物於煙柱本身内 部的能量並不夠高不足以形成鑽石膜。 設置透鏡14焦點區於目標表面17前方可提供額外能量 給蒸發物因而可形成鑽石膜。此種情況下，焦點_提高 雷射煙柱18之電聚溫度，煙柱内部的蒸發物㈣更活f 容後評述。換言之，雷射煙柱内部的18蒸發物具有雷射脈 衝撞擊目標表面17提供的初能。然後此種能量經由雷射煙 柱1 8與透叙14焦點區24的交互作用而提升。 於被燒蝕材料煙柱内部有一區，該區的蒸發密度為「臨 界密度」。於本說明書「臨界密度」一詞定義為蒸發物足 夠允許雷射能於煙柱内部被有效吸收。臨界密度^係依據雷 射波長λ (微米）決定，可參照公式η=ι·ιχ1〇2ΐ/ λ 2定量。較 佳具體實施例中，蒸發物的臨界密度為4χ1〇2ι蒸發物/立方 厘米。唯有於雷射通量接近l〇1G瓦/平方厘米或以上時蒸發 物的能量吸收才變顯著。 於臨界密度區的雷射能量輸入可產生「震波」效靡、 電漿波，該波於4;r立體角擴大，且取中於透鏡14的光學 點。於震波中心換言之，於雷射焦點以及臨界密度區的 發物吸收雷射能量而變成更為激發。已經通過焦、點區％車交 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐〉 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) I.訂—

五、發明説明（11 ) f快速的激發蒸發物係«波鋒端加速遠離 目標表面。未 焦點的較慢的較少激發的粒子之能量增高但受到震 波的後端影響而被回推朝向目標表面。 雷射束於臨界點之通量較佳為，瓦/平方厘米而可 南達1014瓦/平方厘米。本發明之特佳具體實施例中雷射束 通量約為1011瓦/平方厘米。 1由將雷射束聚焦於煙柱的臨界密度區，產生震波其 可有效作為速度m。具有足夠到達或通過臨界密度區 的粒子的％里提向且被加速朝向基板’而能量較低且較慢 的…、^物被推為朝向目標表面。用於製造鑽石膜，蒸發物 扣覃基板的速度較佳為3χ1〇6厘米/秒至9χ1 〇6厘米/秒。特佳 速度為5xl〇6厘米/秒。 i 本具體實施例之一操作實例中，於目標表面17之雷射 通里為1·5χ1〇9瓦/平方厘米，於目標表面17之點半徑為 4.6x10。厘米。聚焦透鏡14具有焦距丨5厘米以及焦點區中點 距離目標表面0.46毫米。蒸發物於臨界密度區之密度為 4χ1021蒸發物/立方厘米以及雷射通量接近1〇"瓦/平方厘 米0 焦點區長度（L)計算如下：

L-0.414f2 · Θ /D 此處·· f為透鏡焦距 Θ為雷射束的發散角；以及 D為透鏡之射束直徑。 使用短焦距透鏡較佳係短於35厘米，可獲得石黑基 ^ ^ 7¾ 14 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 574399 A7 五、發明説明（12 ) 的最理想雷射束通量；比較焦距較長的透鏡，於透鏡14的 焦點區24提供遠較強力密度來提升能量輸入雷射煙柱丨&的 效果。 瘵發物沉積於基板2〇係於第3圖舉例說明。如前述，雷 射束12聚焦於目標表面17前方短距離。目標16為以其縱軸 為軸旋轉的石墨圓柱體。 雷射束12與目標表面17之交互作用結果導致形成蒸發 物煙柱1 8其係朝向基板2〇傳播。不受任何屏障或外力的影 響，一定範圍的蒸發物係沉積於基板2〇上，但於本發明之 #它具體實施例可視需要採用屏障及外力。注意移動較慢 的換言之，能量較低的蒸發物為較重較大的顆粒，此乃製 造高品質薄膜時所不期望，而單一原子及離子的移動速2 相當快。 又 除了 W述速度過濾方法外，約束沉積於基板2〇上的蒸 ㈣類型之又-種方法係特別以目標的縱軸為軸高速旋轉 目標16。此種旋轉不僅可避免雷射脈衝連續撞擊目標表面 17的同一點（免除形成坑洞）同時也可提供顯著速度分量給 蒸發物。被燒蝕粒子之談速度分量較佳係相對於2標表= 17之切線方向。本發明之一具體實施例中，目標轉速為w 轉/分!童。此種轉速結果導致速度少於1〇4厘米/秒的粒子被 I 偏轉離開基板。目標的轉速較佳大於2000轉/分鐘，更佳大 於5000轉/分鐘且可高達40,000轉/分鐘。 須了解目標轉速可調整而與基板至目標表面距離相 應。例如若基板較為接近目標，則應提高轉速。 本紙張尺度適财關家格（21GX297公幻--—-——_

(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 五、發明説明（l5) 表面而於製程中由各材料產生蒸發物煙柱。同理，每詩 接受掃描時雷射束可維持固定。 田7 一 人士也了解雖然前文發明說明係針對使用單 一雷射，但本發明也可❹兩種或多種雷射或-種雷射分 成多數成分進行。當使用兩束雷射束時，—束雷射束可用 於由目標表面燒餘材料’而第二雷射束係聚焦於煙柱内部 用來如七文說明激發煙柱内部的蒸發物。 當使用多成分式目標時也可採用多道雷射束，各個雷 射束係針對個別材質表面。於多成分式目標使用多道雷射 束之具體實施财，各雷射束之通量可選擇適合該目標之 特別組成： 須了解於本說明書揭示及定義之本發明可擴展至由上 下文或圖示中敘述或顯然易見的兩種或兩種以上個別特色 的全部其它組合。全部此等不同組合皆構成本發明之其它 方面。 18 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 574399 A7 五、發明説明（16 ) 元件標號對照 10··· 雷射 12··· 脈衝束 14". 透鏡 16". 目標 17··· 目標表面 18··· 雷射煙柱 19··· 區域 20··· 基板 22··· 腔室 24··· 焦點區 26"· 執跡 28··· 軌跡 30·.· 屏幕 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 19 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

Claims (1)

1. 574399 公告本 A3 Β3 C8 D3 费正替ϋ 申請專利範圍 第90123241號專财請案申請專利範圍修正本 4 修正曰期：92年7月 1. 一種沉積薄膜於基材之方法，該方法包括： 雷射燒蝕一目標表面而形成一蒸發物煙柱，該蒸發 物以遠離該目標表面之傳播方向延伸；該煙柱包括一臨 界密度區域（定義如本文）： 將該基材置於該煙柱的傳播方向上，讓煙柱内部的 蒸發物沉積於該基材上； 其中一雷射束係聚焦於該目標表面前方一有限距 離因而使由該聚焦所得之束之最小截面位於該臨界密 度區域内部，藉此對該煙柱内部之蒸發物提供增強能 量，以及藉此於該煙柱中產生震波。 2·如申請專利範圍第㈣之方法，其中該目標表面的雷射 燒餘係藉該雷射束執行。 3·如申請專利範圍第！項之方法，其中於預定時間内已經 傳播超出該臨界密度區域的煙柱内部之蒸發物係藉由 該震波加速而朝向該基材，而於該預定時間内尚未傳播 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 超過該臨界密度區域的煙柱内部之蒸發物係藉震波加 速而朝向該目標表面。 4.如申請專利範圍第旧之方法，其中該雷射束之最小截 面實質上包括該雷射束的整個聚焦區域。 5·如申請專利範圍第β之方法，其中該雷射束為第二雷 射束以及該雷射燒蝕係藉第一雷射束執行。 6·如申請專利範圍第⑴項中任一項之方法，其進一步包

   經濟部智慧財產局員X消費合作社印製 574399 、申請專利範圍. 括對該蒸發物提供預$速度分量，因此由該速度分量造 成該煙柱㈣移動較慢的蒸發物由該㈣方向 = 可避免沉積於該基材上。 7.如申請專利範圍第6項之方法，其中該預定速度分量係 由該目標的移動所提供。 7' 8·如申請專㈣圍第7項之方法，其中該目標為圓柱體目 標，以及該目標的移動涉及該圓柱體目標的高速轉動。 9. 如申請專利範圍第6項之方法，其中該敎速度分量實 λ上係與該目標表面成切線方向。 10. —種沉積薄膜於基材上之方法，該方法包括： 雷射燒餘—目標表面而形成-蒸發物煙柱，於該煙 柱内具有速度範圍，該蒸發物以遠離該目標表面之 傳播方向延伸； 等雷射束5^焦於該目才票$面前方的一有限距離 處’因而使由該聚焦所得之束之最小截面位於該煙柱内 部’藉此對該煙柱内部之蒸發物提供增強能量； 將該基材置於該煙柱的傳播方向上；以及 提供一預定速度分量給該蒸發物； 其中該基材係位在距該目標表面一段預定距離 處，讓藉由該預定速度分量造成該煙柱内部移動較緩慢 的蒸發物由傳播方向偏轉，且防止其沉積於該基材上。 申”月專利圍第10項之方法，其中該目標表面的雷射 燒蝕係藉該雷射束執行。 12·如申請專利範圍第1G項之方法，其中該包括一個臨

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   、申請專利範圍. 界密度區域（定義如今文）以及該雷射束係聚焦於該臨 界ίδ、度區域内。 •如申明專利範圍第12項之方法，其中於煙柱内產生震 波。 如申吻專利範圍第13項之方法，其中於預定時間内已經 傳播超出該臨界密度區域的煙柱内部之蒸發物係藉由 該震波加速而朝向該基材，而於該預定時間内尚未傳播 超過該臨界密度區域的煙柱内部之蒸發物係藉由該震 波加速而朝向該目標表面。 15·如申請專利範圍第1〇項之方法，其中該雷射束為第二雷 射束以及該雷射燒|虫係藉第一雷射束執行。 Κ如申請專利範圍第10至15項中任一項之方法，其中該速 度預定分量係由該目標的移動所提供。 17·如申请專利範圍第16項之方法，其中該目標為圓柱體目 私，以及該目標的移動涉及該圓柱體目標的高速轉動。 U·如申請專利範圍第17項之方法，其中該速度分量實質係 與該目標表面成切線方向。 19·—種沉積薄膜於基材之方法，該方法包括·· 雷射燒蝕一目標而形成蒸發物煙柱，於該煙柱内部 具有一速度範圍，該蒸發物以遠離該目標表面之傳播方 向延伸； 將該基材置於該煙柱的傳播方向上；以及 於該蒸發物從該目標上被燒蝕時，提供一預定速度 分量給該蒸發物； ^ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4 規格（210 X 297公釐 ) 574399 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 葡 C8 —____ D8 — — 六、申請專利範圍 其中5亥基材係位在距該目標表面之一段預定距離 處，讓藉由該預定速度分量造成該煙柱内部移動較緩慢 的蒸發物由傳播方向偏轉，且防止其沉積於該基材上。 2〇·—種沉積薄膜於基材之方法，該方法係藉雷射燒蝕目標 而开成包括一臨界密度區域之蒸發物的沉積煙柱，其中 於該煙柱的臨界密度區域中的雷射束通量被調整以獲 得經由該蒸發物之有效能量吸收，使得該蒸發物可達成 ^夠能量以沉積於該基材上；該基材之設置位置係讓能 夏位準於預定範圍外的蒸發物不會沉積於該基材上。 21. 如申請專利範圍第20項之方法，其中該雷射束係聚焦於 該煙柱之臨界密度區域。 22. 如申請專利範圍第戰21項之方法，其中於該煙柱中產 生震波。 23·—種鑽石薄膜，其係經由如申請專利範圍第1至5、7至 15以及17至21項中任一項之方法所製得。 24.-種鑽石薄膜，其係由如申請專利範圍第6項之方法所 製得。 . 25·-種鑽石薄膜’其係由如中請專利範圍第μ項之方法所 製得。 26·-種鑽石薄膜’其係由如中請專利範圍第a項之方法所 製得。 本紙張尺度· tmm (cns)a4

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