DK171206B1 - Magasin til fastholdelse af skiveformede emner, navnlig halvlederskiver, ved den vådkemiske overfladebehandling i væskebade - Google Patents

Magasin til fastholdelse af skiveformede emner, navnlig halvlederskiver, ved den vådkemiske overfladebehandling i væskebade Download PDF

Info

Publication number
DK171206B1
DK171206B1 DK004092A DK4092A DK171206B1 DK 171206 B1 DK171206 B1 DK 171206B1 DK 004092 A DK004092 A DK 004092A DK 4092 A DK4092 A DK 4092A DK 171206 B1 DK171206 B1 DK 171206B1
Authority
DK
Denmark
Prior art keywords
struts
guide
disc
housing
magazine according
Prior art date
Application number
DK004092A
Other languages
English (en)
Other versions
DK4092D0 (da
DK4092A (da
Inventor
Maximilian Stadler
Guenter Schwab
Peter Romeder
Original Assignee
Wacker Siltronic Halbleitermat
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wacker Siltronic Halbleitermat filed Critical Wacker Siltronic Halbleitermat
Publication of DK4092D0 publication Critical patent/DK4092D0/da
Publication of DK4092A publication Critical patent/DK4092A/da
Application granted granted Critical
Publication of DK171206B1 publication Critical patent/DK171206B1/da

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/67086Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735Closed carriers
    • H01L21/67386Closed carriers characterised by the construction of the closed carrier

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Description

i DK 171206 B1
Opfindelsen angår et magasin til fastholdelse af skiveformede emner, navnlig halvlederskiver, ved den vådkemiske overfladebehandling i væskebade og med et med åbninger til ind- og udgang af badvæsken og organer til ind-5 føring i et væskebad forsynet cylindrisk hus og en i huset indførlig indsats til fastholdelse af emnerne, der skal behandles, i umiddelbar, tæt, flad stilling i forhold til hinanden.
Det er kendt, at skiveformede substrater, navnlig 10 enkrystallinske og polykrystallinske halvledersubstrater af eksempelvis silicium, germanium og forbindelseshalvledere som galliumarsenid og indiumphosphid eller oxidiske materialer som kvarts, rubin, spinell eller granat, eksempelvis gallium-gadolinium-granat, som de for det meste fremstilles 15 ved oversavning af stavformede emner, under fremstillingsprocessen og først og fremmest før videreforarbejdning til elektroniske konstruktionselementer underkastes mange slags rengørings- og ætsebehandlinger, som eksempelvis kan tjene til fjernelse af ødelagte krystalområder fra overfladen 20 eller også til den kemiske forandring af overfladen, navnlig f.eks. ved oxidation, oxidlagsfjernelse eller hydrofilering.
Det er væsentligt ved sådanne behandlingstrin, at rensnings- og ætseopløsningerne ved reaktionen fordeles ensartet og homogent over hele overfladen af skiverne. Herved 25 skal de nævnte rensnings- og ætseoperationer også forløbe på hele skiveoverfladen med i det væsentlige samme hastighed, så at eksempelvis uensartede ætsedybder undgås. Kun således kan f.eks. rene overflader med en mindst mulig planhedsvaria-tion og stor overfladeparallelitet opnås, som de kræves af 30 fremstillere af elektroniske konstruktionselementer for de : anvendte halvlederskiver.
For at opnå en sådan ensartet behandling af overfladen med rensnings- og ætseopløsningen kendes i teknikkens standpunkt allerede de mest forskellige indretninger som f.eks.
35 fra DE offentliggørelsesskrift nr. 3 306 331 og DD offentliggørelsesskrift nr. 220 859. Således består en dér beskreven 2 DK 171206 B1 udførelsesvariant i, at substratet, der skal ætses, fastholdes på en overflade med en sugekop, mens der overfor den anden overflade, som skal ætses, ved hjælp af rotation af skiver, som er forsynet med strømningskanaler, opnås en 5 gennemblanding af opløsningen. Herved er imidlertid kun bearbejdningen af den ene skiveoverflade mulig.
For imidlertid at kunne bearbejde begge overflader er der i DD offentliggørelsesskrift nr. 220 859 angivet en anordning, ved hvilken skiverne fastholdes i en ætsekurv i 10 lighed med et bur tilnærmelsesvis parallelt og med regelmæssige og ensartede afstande til hinanden og frit bevægelige, så at en bevægelse af skiverne, der skal ætses, i forhold til ætsekurven er mulig. Rotationen af ætsekurven fører herved til en gennemblanding af opløsningen og samtidig 15 til en bevægelse af skiven i forhold til ætsekurven, hvorved anlægspunktet af skiven på stavene i ætsekurven bestandig forandres. Denne udførelsesform kræver imidlertid, for at forøge gennemblandingen af behandlingsvæsken, tilsætning af ligeledes frit bevægelige, glatte men urundt formede af-20 standsskiver, som ligeledes bevæger sig i forhold til ætsekurven og skiverne, der skal bearbejdes. Herved forøges imidlertid samtidig risikoen for mekanisk beskadigelse af skiverne, kontamination på grund af materiale fra afstandsskiverne eller ætsekurven eller en uensartet ætsning med 25 ætsevæsken, såfremt afstandsskiverne ligger direkte på skiveoverfladerne af skiverne, der skal behandles, betragteligt.
Der må også regnes med en mekanisk beskadigelse af skiverne ved den i DE 4 005 542 Al beskrevne konstruktion af den bæreramme for en skivebærer. Af den samme grund viser 30 de i CVD-processer sædvanligvis anvendte kvartsbåde, som de eksempelvis er vist i EP 229 488 Al, sig uegnede til behandling af skiver i væskebade.
Sker som kendt fra DE offentliggørelsesskrift nr.
3 306 331, US 4 841 906 eller WO 90/14689 gennemblandingen 35 af behandlingsvæsken kun ved hjælp af skiverne selv eller ved hjælp af holdestængerne ved kanten af skiverne, frem- 3 DK 171206 B1 kommer der i dette kantområde en stærkere gennemblanding og større ætsningshastighed, der fører til linseformet tværsnit af skiverne. Ofte kan der også fastslås ringformede fortykkelser, der fremkommer på grund af stærkere ætsning ved 5 skivekanten eller i det indre af skiven.
Når det kommer til stykket, er derfor ved fremstillingen af halvlederskiver, navnlig betinget af den ugunstige fastholdelse af skiverne, den sædvanlige ætsefremgangsmåde forbundet med en forringelse af skivegeometrien. Denne ulempe 10 forøges ved tiltagende diameter af substratet og kommer navnlig på tale ved diametre større end 100 mm, som de mere og mere kræves til konstruktionseleroentfremstillingen.
Opfindelsen har derfor det formål at stille en fastholdelse til behandlingen af skiver i væskebade til rådighed, 15 med hvilken en dobbeltsidig, ensartet behandling med badvæsken er mulig, uden at der optræder inhomogene reaktionsforløb. Navnlig skal ved ætseprocesser leval itets forringel sen holdes mindst mulig, så at fremstillingen af skiver med plane og fladeparallelle overflader af høj kvalitet er mulig.
20 Dette formål opnås ved hjælp af en indsats, som er ejendommelig ved a) parallel anbringelse af styrestiverbundter 12 bestående af mindst to styrestivere 7 i ét plan, og b) mindst tre afstandsstivere 8, der er anbragt pas-25 ningsrigtigt i forhold til inderfladen af huscylinderen, og som fikserer mindst tre af planerne for styrestiverbundterne ved den ydre, mod huset vendende ende af styrestiverne i plan overfor hinanden liggende stilling således, at mellemrummene mellem planerne for styrestiverne tillader optagelse 30 af de skiveformede emner, der skal ætses, idet mindst én hovedstyrestiver 9 forbinder to afstandsstivere og mindst én bistyrestiver 10 forbinder en styrestiver med en afstandsstiver, og flertallet af styrestivere er knækkede eller bøjede, og 35 c) styrestiverne ved forbindelsesstederne 13 udgår i højst tre retninger, og 4 DK 171206 B1 d) forbindelsesstederne for styrestiverne ikke ligger på længdeaksen for det cylindriske hus, og e) diameteren af indsatsen svarer til 1,1 til 1,9 gange diameteren af det fastholdte, skiveformede emne, og 5 f) længden af sekanten til den omskrevne cirkelbue mellem mindst et par af de i det mindste tre afstandsstivere er større end eller lig med diameteren af af det skiveformede emne, der skal fastholdes, og længden af sekanten til den omskrevne cirkelbue mellem mindst et par af de i det mindste 10 tre afstandsstivere er mindre end radius af objektet, der skal fastholdes, og g) den indre lysningsbredde mellem to styrestiver-planer til fastholdelse af de skiveformede emner mindst svarer til to gange disses tykkelse.
15 Opfindelsen skal i det følgende beskrives ud fra en udførelsesform, idet der henvises til tegningen, på hvilken fig. 1 viser i perspektivisk delgengivelse en mulig udførelsesform for et ætsemagasin ifølge opfindelsen bestående af indsats og hus, og 20 fig. 2 et tværsnit i planet II-II af den i fig. 1 gengivne indsats.
Det i fig. l gengivne magasin tjener fordelagtigt til fastholdelse, indføring og bevægelse af skiveformede emner for f.eks. rene halvlederskiver af høj kvalitet, navn-25 lig siliciumskiver, i bade, der navnlig indeholder ætseop-løsninger. Magasinet består af et fortrinsvis cylinderformet hus 1 med gennemgangsåbninger 2 for gennemstrømningen af væsken og et lukkedæksel 3 for enden med organer 4, eksempelvis tappe, til indføring i væskebadet samt en indsats 5 til 30 fastholdning af de skiveformede emner 6 i umiddelbar, tæt, flad stilling i forhold til hinanden i huset 1 tilnærmelsesvis vinkelret på aksen for huscylinderen.
Som skiveformede emner 6 bearbejdes navnlig runde skiver. Mulig er også bearbejdningen af delvis ved periferien 35 affladede, tilnærmelsesvis runde skiver. Sådanne til dels også flere gange ved periferien affladede skiver er sædvan- 5 DK 171206 B1 lige i halvlederteknologien for at kendetegne doteringsgrad og krystalorientering. Fremgangsmåden udelukker imidlertid ikke også bearbejdningen af andre skiveformer, eksempelvis kun delvis runde, ovale eller polygonale skiver.
5 Indsatsen 5 er sammensat af styrestivere 7 og af standsstivere 8, som er forbundet med enderne af styrestiverne og nærmere bestemt i en foretrukken udførelsesform således, at alle er anbragt ækvitistant fra aksen for huscylinderen på cylinderkappen. Som diameter for huset har 10 1,1 til 1,9 gange skivediameteren vist sig som gunstig.
Fig. 2 viser et tværsnit gennem en foretrukken udførelsesform for indsatsen 5, ved hvilken mindst én hovedstyrestiver 9 forbinder to afstandsstivere 8. Der kan imidlertid også tænkes udførelsesformer med to eller flere hoved-15 styrestivere. Mindst én bistyrestiver 10 forbinder hovedstyrestiver 9 med en yderligere afstandsstiver 8'. Efter grenprincippet kan der også fra hver bistyrestiver 10 forløbe yderligere bistyrestivere 11 til afstandsstivere 8". Summen af hoved- og bistyrestivere, som ligger i ét plan og tjener 20 til ensidig styring af en skiveflade, betegnes i det følgende som et styrestiverbundt 12.
Antallet af bistyrestivere og hovedstyrestivere, som er forbundet ved forbindelsespunkterne 13, ligesom af afstandsstiverne er ganske vist principielt ikke begrænset 25 opadtil, men bør imidlertid hensigtsmæssigt holdes så lavt som muligt for at formindske antallet af kontaktpunkter med skiveoverfladerne. I det mindste er én hovedstyrestiver og én bistyrestiver nødvendig. Samme slags ender af styrestiverne forbindes ved hjælp af en afstandsstiver, så at der i 30 en udførelsesform med én hoved- og én bistyrestiver behøves tre afstandsstivere.
I en foretrukken udførelsesform foreligger én hovedstyrestiver, to bistyrestivere, der forbinder hovedstyrestiveren med afstandsstivere, og to bistyrestivere, som 35 forbinder de andre bistyrestivere med afstandsstivere. I regelen er antallet af afstandsstivere lig med summen af 6 DK 171206 B1 antallet af hovedstyrestivere og bistyrestivere plus en, og i denne foretrukne udførelsesform foreligger så seks afstandsstivere .
For at forhindre at de skiveformede emner falder ud 5 af indsatsen 5 ved indføring i huset 1, anbringes hensigtsmæssigt mindst to af afstandsstiverne 8 således, at deres afstand er mindre end skivediameteren, fortrinsvis omtrent svarer til skiveradien. Dette er navnlig vigtigt ved indsatse med få afstandsstivere, f.eks. tre. Fordelagtigt vælges i 10 det mindste ét af mellemrummene mellem to afstandsstivere, navnlig når der foreligger mange afstandsstivere, eksempelvis 5 til 10, så stort, at indføringen af skiverne er mulig, dvs. større end diameteren af runde, skiveformede legemer eller større end den mindste bredde af affladede skiver 15 eller skiver med en anden periferiform. Ved den i fig. 2 viste, foretrukne udførelsesform foreligger fire mellemrum, der er mindre end skivediameteren, og to, som er større.
Indsatsen dimensioneres fortrinsvis således, at den så vidt mulig pasningsnøjagtigt, dvs. med mindst mulig tole-20 rance, kan skydes ind i huset l, og kun et vist spillerum, men ikke bevægelse af indsatsen i forhold til huset er mulig. Afstanden mellem afstandsstiverne 8 og aksen for huscylinderen 1 vælges derfor hensigtsmæssigt kun lidt, dvs. i reglen indtil 4 mm, mindre end radius af huset. Indsatsen kan så 25 skydes præcist ind i huset, idet afstandsstiverne tjener til understøtning af indsatsen 5 i huset 1. I foretrukne udførelsesformer kan indsatsen holdes på plads ved hjælp af styr i huset, f.eks. styretappe.
Ved hjælp af afstandsstiverne forbindes et principielt 30 vilkårligt stort antal styrestiverbundter 12, der retter sig efter antallet af skiveformede emner 6, som skal bearbejdes, fortrinsvis 10 til 20, flademæssigt parallelt og med konstant afstand således med hinanden, at mellemrummet mellem to styrestiverbundter hvert kan tjene til optagelse 35 af et skiveformet emne. Som afstand af styrestiverbundterne fra hinanden (lysningsbredde) har mindst den dobbelte skive- 7 DK 171206 B1 tykkelse vist sig som gunstig, hensigtsmæssigt imidlertid navnlig en afstand på fra 5 til 30 mm. Antallet af skiver, til hvilket magasinet er beregnet, bestemmes hovedsagelig af faktorer som varmeudvikling ved ætsning, betjeningsven-5 lighed for personalet og størrelse af det anvendte bad.
Forbindelsen af afstandsstiverne 8 med styrestiver-bundterne 12 kan ske på forskellig art og måde. Fortrinsvis vælges en forbindelsesteknik, ved hvilken der fremkommer færrest mulige udsparinger, idet afløbet af det flydende 10 arbejdsmedium derved forstyrres. Gunstig har eksempelvis vist sig sammensvejsning, sammenskruning eller anvendelse af klemmenitter.
For formgivningen af styrestiverne har det knækkede eller bøjede forløb vist sig som gunstigt i forhold til et 15 lineært, der imidlertid ikke er udelukket. Særlig hensigtsmæssigt er det at knække hver stiver én gang, idet der så kan ske et tilfredsstillende afløb af behandlingsvæsken.
For at undgå uensartet befugtning af skiveoverfladen også under rotation af magasinet vælges fordelagtigt en udfø- 20 relsesform, ved hvilken alle eller i det mindste flertallet af knæksteder 14 er fjernet forskelligt langt fra aksen for huscylinderen. Navnlig forekommer det gunstigt som hovedstyrestiver at anvende en fortrinsvis omtrent i midten enkelt 65 til 125*, fortrinsvis 90°, knækket stav, som har en læng-25 de, der omtrent svarer til diameteren af huscylinderen.
Bistyrestiverne er fortrinsvis kortere end hovedstyrestiveren, idet knækstedet i reglen er anbragt udenfor midten. Knækvinklen er fortrinsvis større end 90°, fortrinsvis 100 til 160”. Forbindelsen af hoved- og bistyrestivere bør lige-30 ledes ske med færrest mulige udsparinger, og fortrinsvis er styrestiverbundtet støbt i ét stykke eller udfræset eller udsavet af en plade. Forbindelsesstederne 13 for styrestiverne med hinanden anbringes, med henblik på undgåelse af uregelmæssigheder i den homogene skivebearbejdning, forskel-35 ligt langt fra centrum for cylinderen, idet navnlig stiverne fra hvert forbindelsessted 13 kun udgår i tre retninger.
8 DK 171206 B1
Tværsnittet af styre- og afstandsstiverne kan vælges vilkårligt og kan eksempelvis være rektangulært, rundt, ovalt eller kvadratisk. Imidlertid har på grund af de bedre afløbsegenskaber navnlig et rektangulært tværsnit med af-5 rundede kanter vist sig gunstigt, hvorved en af kanterne er lokaliseret i retning mod en skiveoverflade og to derimod i planet for styrestiverbundet.
Fordelagtigt er det desuden at udføre styrestiverne konisk, idet også derved afdrypning af det flydende medium 10 fremmes. Navnlig er det hensigtsmæssigt, at lade den indsnævrede ende af konusen gå mod forbindelsespunktet 13. Som grad af konicitet har især 0,1 til 1,0 gange stiverdiameteren vist sig som fordelagtig.
Som materiale til indsatsen og huset har materialer 15 vist sig som gunstige, der er resistente mod rensnings- og ætsemidlerne og ikke virker kontaminerende for de anvendte halvledermaterialer. Derfor anvendes fortrinsvis plastmaterialer som især polyfluorethylen (PFA), polytetrafluorethylen (PTFE), tetrafluorethylen-hexafluorpropylen-copolymer (FEP), 20 ethylen-tetrafluorethylen-copolymer (ETFE), ethylen-chlor-trifluorethylen-copolymer (ECTFE) , polyvinyldifluorid (PVDF), polychlortrifluorethylen (PCTFE) og lignende.
Til optagelse af én eller flere indsatse 5 egner sig eksempelvis et cylinderformet hus 1, der f.eks. på lignende 25 måde som en vaskemaskinetromle i kappefladen er forsynet med et stort antal væskegennemgangsåbninger 2, hvis diameter andrager en brøkdel af skivediameteren. Fortrinsvis er disse åbninger cirkelformede.
Mindst én af endesiderne af huset 1 er udført som 30 aftageligt dæksel 3 for at muliggøre indføring og udtagning af indsatsene 5. Dækslet 3 kan være påsat eller påskruet huscylinderen 1, det er imidlertid hensigtsmæssigt at være opmærksom på så få udsparinger som muligt, så at en påsætningsforbindelse er gunstig.
35 I en foretrukken udførelsesform indeholder den indre flade af huscylinderen en mulighed for styring af indsatsen.
9 DK 171206 B1
Dette kan eksempelvis ske ved hjælp af to skinner parallelle med husaksen eller to tappe, mellem hvilke ved indforing af indsatsen en afstandsstiver indskydes. Begge endesider har fordelagtigt de fagmanden bekendte og til sædvanlige ætse-5 anlæg tilpassede midler 4 som f.eks. tappe eller tandkranse til at ophænge eller bevæge cylinderen, navnlig rotere den, i et væskebad.
For valget af væsken, eksempelvis et rensnings-, oxidations- eller ætsemiddel, er der ved anvendelsen af 10 opfindelsen ingen grænser sat. Som rensningsopløsninger tjener eksempelvis specielt renset vand eller vandige opløsninger af tensider og andre som rensningsmiddel tjenende stoffer. En sådan rensningsfremgangsmåde er eksempelvis beskrevet i DE offentliggørelsesskrift nr. 2 526 052.
15 Som ætseopløsninger finder eksempelvis vandige opløs ninger af syre som eksempelvis blandinger af flus- og salpetersyre, der til yderligere styring af ætseprocessen endvidere kan indeholde tilsætninger, men også alkaliske opløsninger anvendelse. Navnlig kommer også opløsninger til an-20 vendelse, der indeholder hydrogenperoxid eller ozon. Til anvendelse af opfindelsen kan de sædvanlige, fagmanden bekendte betingelser såsom temperatur- og trykområder samt tidsvarighed, under hvilke rensnings-, oxidations- og ætse-processer fuldføres, bibeholdes.
25 På typisk måde bliver med henblik på anvendelse af magasinet indsatsen ladet med det ved antallet af styre-stiverbundter fastlagte antal af skiveformede emner. Indsatsen skydes ind i det ensidigt lukkede hus, og den åbne endeside af huset lukkes med endesidedækslet. Huset med 30 indskudt indsats befæstes ved hjælp af holdeindretningen 4 til transportindretningen i et handelsgængs ætseanlæg og bringes i rensnings- eller ætsebadet, som eventuelt også kan være opvarmet eller efter lukning sat under tryk.
En ensartet behandling af substratoverfladen med 35 rensnings- eller ætseopløsningen kan f.eks. opnås, når materialeudvekslingshastighederne ved fasegrænsen fast/flydende 10 DK 171206 B1 på hele substratoverfladen er så ens som mulig, dvs. at opløste partikler fjernes så hurtigt som muligt fra substratoverfladen, at den brugte opløsning således ensartet og hurtigt erstattes af frisk opløsning og den holder, ved 5 hjælp af hvilken substratet indføres i opløsningen, dækker en mindst mulig del af overfladen i kortest mulig tid eller ensartet, så at der derved ingen uregelmæssigheder i ætse-processen forekommer.
Det i holdeindretningen ophængte magasin neddyppes 10 derfor fortrinsvis fuldstændig i rensnings- eller ætseopløs-ningen og bevæges, fortrinsvis drejes, i denne navnlig under skift af omdrejningsretning. Gennem gennemgangsåbningerne 2 bliver derved bestandig den i det indre af huset værende opløsning erstattet af frisk opløsning fra forrådet i rens-15 nings- eller ætsebadet. I det indre af huset sørger styrestiverne ved bevægelsen af huset for en kontinuerlig omlejring og gennemrøring af opløsningen, så at skiverne omspules ensartet. På grund af bevægelsen forandres derudover positionen af skiverne i forhold til styre- og afstandsstiverne, 20 hvorved der sker en bestandig forandring af anlægspunktet for skiverne, og dermed forbliver udvekslingen af behandlingsvæsken over hele skiveoverfladen konstant. Da forbindelsesstederne for styrestiverne er fjernet forskelligt langt fra huset og fra cylinderaksen, kommer disse punkter 25 ved rotationen bestandig i berøring med forskellige punkter på skiveoverfladen, hvormed igen en forskellig skivebefugt-ning undgås, som erfaringsmæssig fører til ringformede uplan-heder. Da lysningsbredden mellem styrestiverbundterne andrager flere gange skivetykkelsen, ligger skiverne i regelen 30 også hældende i magasinet, så at kun kanten tjener som anlægsflade.
Efter den foreskrevne behandlingstid løftes magasinet ved hjælp af transportindretningen op fra badet. Derved forlader rensnings- eller ætseopløsningen gennem gennemgangs-35 åbningerne 2 magasinets hus. Ved hjælp af knækstederne og den foretrukne koniske form af styrestiverne er der herved 11 DK 171206 B1 på fordelagtig måde sørget for en bedre dråbedannelse og et hurtigere afløb af opløsningen.
Den beskrevne proces kan vilkårligt ofte gentages med forskellige rensnings- og ætsebade, uden at der må ske 5 en åbning af magasinhuset.
Fordelene ved indretningen ifølge opfindelsen til fastholdelse af skiveformede emner beror på, at den til fastholdelse nødvendige anlægsflade ikke blot holdes så lille som mulig og er lokaliseret til kanten af skiverne, 10 men at den under behandlingsprocessen skifter hyppigst muligt, så at en størst mulig del af overfladen af halvleder-skiverne kommer i berøring med opløsningen i ensartet lang tid. Kontakten med halvledermaterialet begrænses til et minimum og fordeles på grund af formen af styrestiverne 15 over hele overfladen, så at der ingen lokal forskel lige ætse-hastigheder optræder.
Dannelsen af planheds- og parallelitetsfejl kan i videst omfang udelukkes ved, at strømningsforholdene og materialeudvekslingen inden i kammeret i den drejelige, 20 cylinderformede reaktionskurv på grund af indføringen af de specielt formede styrestivere er blevet forbedrede. Derved bliver omlejringen af opløsningen udvidet fra zonen ved kanten af skiven til hele volumenet i det indre af huset.
Fra udenfor huset kan opløsningerne ved dettes bevægelse 25 derudover bestandig udveksles. Den fortrinsvis vinkelformede og firkantede udførelse af styrestiverne fører til et let afløb af behandlingsopløsningerne efter fjernelse af magasinet fra badet, så at en uensartet bearbejdning af skiverne på grund af tilbageblivende opløsningsrester formindskes.
30 Anvendelsen af opfindelsen ved ætsning af halvleder-, især siliciumskiver, f.eks. i surt medium med blandinger af oxidiske syrer og HF med tilsætninger fører til, at den forringelse af skivernes geometri, der med sædvanlige magasiner hyppigt blev observeret, kan reduceres stærkt. Eksempelvis 35 kan de planheds- og parallelitetsfejl, der tidligere blev observeret ved ætsning, formindskes stærkt. Eksempelvis DK 171206 B1 12 forbedredes den Total Thickness Variation (TTV), dvs. absolutværdien af forskellen mellem de maksimale og minimale tykkelsesværdier for hele skivefladen, der tidligere lå i området fra 5 til 10 μιη, til mindre end 1 μιη.
5

Claims (10)

1. Magasin til fastholdelse af skiveformede emner, navnlig halvlederskiver, ved den vådkemiske overfladebehandling i væskebade, med 5 et cylindrisk hus (1) med åbninger (2) til ind- og udgang af væsken og organer (4) til indføring i et væskebad, og en i huset (1) indførlig indsats (5) til fastholdelse af emnerne (6), der skal behandles, i umiddelbar, tæt, flad stilling i forhold til hinanden i huset, kendete g-10 net ved en indsats med a) parallel anbringelse af styrestiverbundter (12) bestående af mindst to styrestivere (7) i ét plan, og b) mindst tre afstandsstivere (8) , der er anbragt pasningsrigtigt i forhold til inderfladen af huscylinderen 15 (1) , og som fikserer mindst tre af planerne for styrest iver bundterne ved den ydre, mod huset vendende ende af styrestiverne (7) i plan overfor hinanden liggende stilling således, at mellemrummene mellem planerne for styrestiverne (7) tillader optagelse af de skiveformede emner (16) der skal 20 ætses, idet mindst én hovedstyrestiver (9) forbinder to afstandsstivere (8) og mindst én bistyrestiver (10) forbinder en styrestiver (7) med en afstandsstiver (8), og flertallet af styrestiverne (7) er knækkede eller bøjede, og c) styrestiverne (7) ved forbindelsesstederne (13) 25 udgår i højst tre retninger, og d) forbindelsesstederne (13) for styrestiverne (7) ikke ligger på længdeaksen for det cylindriske hus, og e) diameteren af indsatsen (5)svarer til 1,1 til 1,9 gange diameteren af det fastholdte, skiveformede emne (6) , 30 og f) længden af sekanten til den omskrevne cirkelbue mellem mindst et par af de i det mindste tre afstandsstivere (8) er større end eller lig med diameteren af af det skiveformede emne (6) , der skal fastholdes, og længden af sekanten 35 til den omskrevne cirkelbue mellem mindst et par af de i det mindste tre afstandsstivere (8) er mindre end radius af DK 171206 B1 objektet (6), der skal fastholdes, og g) den indre lysningsbredde mellem to styrestiver-planer til fastholdelse af de skiveformede emner (6) mindst svarer til to gange disses tykkelse.
2. Magasin ifølge krav 1, kendetegnet ved, at huset (1) og indsatsen (5) er fremstillet af i forhold til de anvendte flydende faser resistent materiale.
3. Magasin ifølge krav 2, kendetegnet ved, at der som materiale anvendes ét eller flere plast- 10 materialer af gruppen tetrafluorethylen-hexafluorpropylen-copolymerisat (FEP), ethylen-tetrafluorethylen-copolymer (ETFE) , ethylen-chlortrifluorethylen-copolymer (ECTFE) , polychlortrifluorethylen (PCTFE), polyvinylidendifluorid (PVDF), polyfluorethylen (PFA) samt polytetrafluorethylen 15 (PTFE).
4. Magasin ifølge ethvert af kravene 1-3, ken detegnet ved, at fikseringen af styrestivere (7) og afstandsstivere (8) med hinanden sker ved sammensvejsning eller sammenskruning.
5. Magasin ifølge ethvert af kravene 1-4, ken detegnet ved, at styrestiverne (7) har et firkantet tværsnit med afrundede kanter, idet mindst én af kanterne er rettet i retning mod overfladen af emnet (6).
6. Magasin ifølge ethvert af kravene 1-5, k e n- 25 detegnet ved, at der foreligger seks afstandsstivere (8), en hoved- (9) og fire bistyrestivere (10).
7. Magasin ifølge ethvert af kravene 1-6, ken detegnet ved, at hver af styrestiverne (7) har et knæksted (14) med en vinkel på 70-160 grader, og at knæk- 30 stederne (14) er fjernet forskelligt langt fra befæstelsen af styrestiveren (7) til afstandsstiveren (8) , idet knækvinklen for hovedstyrestiveren (9) fortrinsvis andrager mere end 90 grader.
8. Magasin ifølge krav 7, kendetegnet 35 ved, at knækstedet (14) for hovedstyrestiveren (9) er anbragt i midten af stiveren. DK 171206 B1
9. Magasin ifølge ethvert af kravene 1 til 8, kendetegnet ved, at forbindelsesstederne (13) for styrestiverne (7) er fjernet forskelligt langt fra forbindelsesstedet for den pågældende afstandsstiver (8) med styresti- 5 veren (7).
10. Magasin ifølge ethvert af kravene 1-9, kendetegnet ved, at bistyrestiverne (10) indsnævres konisk. 10
DK004092A 1991-02-01 1992-01-13 Magasin til fastholdelse af skiveformede emner, navnlig halvlederskiver, ved den vådkemiske overfladebehandling i væskebade DK171206B1 (da)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4103084A DE4103084A1 (de) 1991-02-01 1991-02-01 Magazin zur halterung von scheibenfoermigen werkstuecken, insbesondere halbleiterscheiben, bei der nasschemischen oberflaechenbehandlung in fluessigkeitsbaedern
DE4103084 1991-02-01

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DK4092D0 DK4092D0 (da) 1992-01-13
DK4092A DK4092A (da) 1992-08-02
DK171206B1 true DK171206B1 (da) 1996-07-22

Family

ID=6424204

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DK004092A DK171206B1 (da) 1991-02-01 1992-01-13 Magasin til fastholdelse af skiveformede emner, navnlig halvlederskiver, ved den vådkemiske overfladebehandling i væskebade

Country Status (7)

Country Link
US (1) US5236548A (da)
EP (1) EP0497104B1 (da)
JP (1) JPH0821570B2 (da)
KR (1) KR960002997B1 (da)
DE (2) DE4103084A1 (da)
DK (1) DK171206B1 (da)
FI (1) FI920390A (da)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4305748A1 (de) * 1993-02-25 1994-09-01 Leybold Ag Vorrichtung zum Beschichten und/oder Ätzen von Substraten in einer Vakuumkammer
US5362353A (en) * 1993-02-26 1994-11-08 Lsi Logic Corporation Faraday cage for barrel-style plasma etchers
US5340437A (en) * 1993-10-08 1994-08-23 Memc Electronic Materials, Inc. Process and apparatus for etching semiconductor wafers
US6041938A (en) * 1996-08-29 2000-03-28 Scp Global Technologies Compliant process cassette
JP3111928B2 (ja) * 1997-05-14 2000-11-27 日本電気株式会社 金属膜の研磨方法
DE19856468C1 (de) * 1998-11-30 2000-06-15 Sico Jena Gmbh Quarzschmelze Verfahren zur Herstellung einer Haltevorrichtung für Halbleiterscheiben
US6099645A (en) * 1999-07-09 2000-08-08 Union Oil Company Of California Vertical semiconductor wafer carrier with slats
KR20010100613A (ko) * 2000-05-04 2001-11-14 마이클 디. 오브라이언 반도체패키지용 매거진
US7040209B2 (en) * 2001-09-27 2006-05-09 Mikronite Technologies, Inc. Tool fixtures for use in rotational processing
KR100675627B1 (ko) * 2002-10-10 2007-02-01 엘지.필립스 엘시디 주식회사 기판 수납용 카세트
JP4509501B2 (ja) * 2003-07-31 2010-07-21 Sumco Techxiv株式会社 円板状部材のエッチング方法及び装置
TWI430348B (zh) * 2008-03-31 2014-03-11 Memc Electronic Materials 蝕刻矽晶圓邊緣的方法
KR101104016B1 (ko) * 2008-11-04 2012-01-06 주식회사 엘지실트론 웨이퍼 처리 장치 및 이에 사용되는 배럴과, 웨이퍼 처리 방법
JP2012509599A (ja) * 2008-11-19 2012-04-19 エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド 半導体ウェーハのエッジを剥離する方法及びシステム
US8853054B2 (en) 2012-03-06 2014-10-07 Sunedison Semiconductor Limited Method of manufacturing silicon-on-insulator wafers
CN115881596B (zh) * 2023-03-08 2023-05-05 四川上特科技有限公司 一种晶圆承载框及晶圆分片装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1915714C3 (de) * 1969-03-27 1975-07-10 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Vorrichtung zum Xtzen von Halbleiterscheiben mit einem mit Ätzflüssigkeit gefüllten Gefäß und einem in die Ätzflüssigkeit eingetauchten, mit waagrechter Achse rotierenden Ätzkorb
US3727620A (en) * 1970-03-18 1973-04-17 Fluoroware Of California Inc Rinsing and drying device
US3808065A (en) * 1972-02-28 1974-04-30 Rca Corp Method of polishing sapphire and spinel
US3977926A (en) * 1974-12-20 1976-08-31 Western Electric Company, Inc. Methods for treating articles
DE2526052C2 (de) * 1975-06-11 1983-04-21 Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen Verfahren zum Reinigen polierter Halbleiterscheiben
JPS5339872A (en) * 1976-09-24 1978-04-12 Hitachi Ltd Etching method of wafers
JPS5437581A (en) * 1977-08-30 1979-03-20 Nec Corp Wafer etching device
JPS58166726A (ja) * 1982-03-29 1983-10-01 Shin Etsu Handotai Co Ltd ウエ−ハエツチング装置
DD220859A1 (de) * 1984-01-26 1985-04-10 Akad Wissenschaften Ddr Vorrichtung zum aetzen von scheibenfoermigen objekten
JPS62134936A (ja) * 1985-12-05 1987-06-18 アニコン・インコ−ポレ−テツド 腐食耐性をもつたウエ−フア−・ボ−ト及びその製造法
US4841906A (en) * 1986-11-12 1989-06-27 Heraeus Amersil, Inc. Mass transferable semiconductor substrate processing and handling full shell carrier (boat)
JPH02113331U (da) * 1989-02-27 1990-09-11
US5054418A (en) * 1989-05-23 1991-10-08 Union Oil Company Of California Cage boat having removable slats

Also Published As

Publication number Publication date
KR920017183A (ko) 1992-09-26
EP0497104A1 (de) 1992-08-05
FI920390A (fi) 1992-08-02
KR960002997B1 (ko) 1996-03-02
JPH04323825A (ja) 1992-11-13
DE4103084C2 (da) 1993-01-07
FI920390A0 (fi) 1992-01-29
JPH0821570B2 (ja) 1996-03-04
US5236548A (en) 1993-08-17
EP0497104B1 (de) 1995-04-05
DE59201798D1 (de) 1995-05-11
DK4092D0 (da) 1992-01-13
DK4092A (da) 1992-08-02
DE4103084A1 (de) 1992-08-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DK171206B1 (da) Magasin til fastholdelse af skiveformede emner, navnlig halvlederskiver, ved den vådkemiske overfladebehandling i væskebade
US6354794B2 (en) Method for automatically transferring wafers between wafer holders in a liquid environment
JP2012507881A (ja) 対象物の湿式処理装置及び方法、並びにそれに使用される流体拡散板及びバレル
JP3623315B2 (ja) 円形薄板状物の支持治具
TW201426847A (zh) 晶圓旋轉裝置及晶圓旋轉方法
TWI612602B (zh) 製程分離型基板處理裝置及處理方法
JP4889044B2 (ja) リコンウェーハ熱処理用石英ガラス治具及び該冶具が具備するウェーハ載置用部材の溝切面の形成方法
JPS61228629A (ja) ウエハ等薄板体の表面処理装置
JP2004343126A (ja) 半導体ウェハの前面および裏面を同時にポリッシングする方法
RU2530454C1 (ru) Способ и устройство для получения кромки полупроводниковых устройств
JPH09266194A (ja) 半導体ウエーハのエッチング方法
KR101726804B1 (ko) 반도체 제조공정에 사용하는 SiC 부재의 세정방법
JP2020102570A (ja) 半導体ウェーハの洗浄槽および洗浄方法
EP4287244A1 (en) Single wafer-type wafer cleaning device and method for controlling surface roughness of wafer using same
JP6099996B2 (ja) オゾン水を用いた洗浄方法及び洗浄装置
CN215965212U (zh) 一种用于单片湿处理制程的槽式工艺系统
JP2005225577A (ja) 基板処理装置
JPH06286869A (ja) 基板保持具
JPS6036676A (ja) 板状物処理装置
TWI427693B (zh) 移除基板層的方法
JP2003229473A (ja) 半導体ウエハの処理方法及びこれに用いるウエハキャリア
JP2004342932A (ja) ウエーハの洗浄方法
JP3923447B2 (ja) 板材のエッチング用治具およびエッチング方法
JP2000016821A (ja) 半導体ウエーハ処理用治具の製作方法及び治具
EP1138061A2 (en) Carrier for cleaning silicon wafers

Legal Events

Date Code Title Description
B1 Patent granted (law 1993)
PBP Patent lapsed