JP2003229473A - 半導体ウエハの処理方法及びこれに用いるウエハキャリア - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウエハとその保持材との剥離を容易に行うこ
とができ作業効率良くウエハの処理を行うことができる
半導体ウエハの処理方法及びこの処理方法に用いて好適
なウエハキャリアを提供する。 【解決手段】 半導体ウエハ１の表面に、その直径より
やや大きいウエハ保持材３をワックス２により貼り付
け、半導体ウエハ１の裏面に対して加工及び／又は膜形
成を行い、その後、側面の内側にガイド２２が形成され
たウエハキャリアに、半導体ウエハ１を挿入し、ウエハ
キャリアごと半導体ウエハ１をワックス溶剤に浸漬し
て、ワックス２を溶解して半導体ウエハ１とウエハ保持
材３とを剥離し、その後半導体ウエハ１を取り出す。ま
た、上記ウエハキャリアとして、ガイド２２が鉛直方向
に対して傾斜して形成され、傾斜部の水平方向に対する
傾斜角が６０°以上９０°未満であるウエハキャリアを
構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハの処
理方法、及びこの処理方法に用いて好適な半導体ウエハ
等のウエハを保持するためのウエハキャリアに係わり、
特に化合物半導体のウエハに適用して好適なものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、化合物半導体の半導体ウエハを製
造する際には、研削時のダメージ防止のためにウエハ表
面に保護テープを貼り付けた後、ウエハ裏面の研削工
程、テープ剥離工程の各工程を順次行っていた。このと
きには、ウエハ裏面の研削工程後のウエハ厚さが２００
μｍ以上あったため、問題なく各工程を行うことができ
た。

【０００３】その後、ウエハ仕上げ厚さが１００μｍ以
下であり、ウエハの裏面にＧａＡｓ・Ｔｉ−Ａｕ・Ａｕ
メッキ膜等を形成した製品が要求されるようになった。
このときには、ウエハが薄くなることにより、保護テー
プだけでは補強効果が充分ではなく、裏面の研削工程や
裏面への金属膜（Ｔｉ−Ａｕ膜，Ａｕメッキ膜等）の形
成工程及びハンドリング等におけるウエハの割れを生じ
やすくなる。

【０００４】そのため、このウエハの割れを防止する対
策として、ウエハの保持材となるガラス基板をワックス
でウエハ表面に貼り付け、その後に裏面研削を行う製造
工程が導入された。

【０００５】この場合には、裏面研削・裏面金属形成後
に、ボイルしたワックス溶剤内でワックスを溶かすこと
により、ウエハをガラス基板から剥離していた。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ガラス
基板にワックスで貼り付けたウエハを、一般的に用いら
れているウエハキャリアにセットすると、ワックスをワ
ックス溶剤で溶かしガラス基板から半導体ウエハを剥離
する際に、ウエハとガラス基板とのズレ量が少なく、ウ
エハキャリアから半導体ウエハを取り出せなくなる問題
がある。

【０００７】これは、一般的に用いられているウエハキ
ャリアにおいては、ウエハを挿入するための平行に形成
されたガイドのピッチが小さくなっており（例えば直径
１００ｍｍのインチウエハ用キャリアでは４．７６ｍ
ｍ）、ワックスが溶解しても、ウエハとガラス基板とが
貼り付いたままでズレないためと、ウエハキャリア内に
ある傾斜部の傾斜が緩くてウエハを受ける位置とガラス
基板を受ける位置にあまり差ができないためである。

【０００８】上述のようにウエハキャリアを使用する
と、ウエハとガラス基板とのズレ量が小さくなるため、
ワックスが溶解してもウエハとガラス基板が分離してい
るかわからない等の問題がある。

【０００９】このため、従来はウエハキャリアを使用せ
ずに特別な器具を用いて１枚ずつウエハとガラス基板と
を剥離処理していた。そのため、非常に作業効率が悪く
非生産的であった。

【００１０】上述した問題の解決のために、本発明にお
いては、ウエハとその保持材との剥離を容易に行うこと
ができ作業効率良くウエハの処理を行うことができる半
導体ウエハの処理方法及びこの処理方法に用いて好適な
ウエハキャリアを提供するものである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体ウエハの
処理方法は、半導体ウエハの表面に、この半導体ウエハ
の直径よりやや大きいウエハ保持材をワックスにより貼
り付け、半導体ウエハの裏面に対して加工及び／又は膜
形成を行い、その後、断面形状が、上面側の幅広の部分
と下面側の幅狭の部分と幅広の部分及び幅狭の部分との
間の傾斜部とを有し、幅広の部分の幅はウエハ保持材よ
り大きく、幅狭の部分の幅は半導体ウエハの直径より小
さく、傾斜部の水平方向に対する傾斜角が６０°以上９
０°未満であり、側面の内側にガイドが形成されたウエ
ハキャリアに、半導体ウエハを挿入し、ウエハキャリア
ごと半導体ウエハをワックス溶剤に浸漬して、ワックス
を溶解して半導体ウエハとウエハ保持材とを剥離し、そ
の後半導体ウエハを取り出すものである。

【００１２】本発明のウエハキャリアは、ウエハを保持
するためのものであり、側面の内側に鉛直方向に対して
傾斜したガイドが形成され、断面形状が、上面側の幅広
の部分と、下面側の幅狭の部分と、幅広の部分及び幅狭
の部分の間の傾斜部とを有して成り、幅狭の部分の幅は
保持されるべきウエハの直径より小さく、幅広の部分の
幅は保持されるべきウエハの直径より大きく、傾斜部の
水平方向に対する傾斜角は６０°以上９０°未満である
ものである。

【００１３】上述の本発明の半導体ウエハの処理方法に
よれば、半導体ウエハにウエハ保持材を貼り付けて加工
及び／又は膜形成を行うことにより、加工による衝撃や
膜形成による温度変化に対して、保持材で補強して半導
体ウエハが割れないようにすることができる。また、断
面形状の傾斜部の水平方向に対する傾斜角が６０°以上
９０°未満であり、側面の内側にガイドが形成されたウ
エハキャリアに半導体ウエハを挿入して、ウエハキャリ
アごとワックス溶剤液槽に浸漬させることにより、ウエ
ハキャリアに多数の半導体ウエハを収納して一括して処
理を行うことができると共に、傾斜部の傾斜が大きいの
でワックスが溶解して剥離した半導体ウエハとウエハ保
持材とのズレ量を大きくすることができる。

【００１４】上述の本発明のウエハキャリアの構成によ
れば、断面形状の傾斜部の水平方向に対する傾斜角が６
０°以上９０°未満であることにより、傾斜部の傾斜が
大きいので、ワックスが溶解して剥離した上述の半導体
ウエハとウエハ保持材とのズレ量を大きくすることが可
能になる。また、ガイドが傾斜して形成されていること
により、例えばウエハ保持材にワックス溶解促進のため
に貫通孔が形成されている場合に、ワックス溶剤の流れ
る方向と貫通孔の方向とを斜めにしてワックス溶剤を貫
通孔に浸透させやすくすることができる。

【００１５】

【発明の実施の形態】本発明は、半導体ウエハの表面
に、この半導体ウエハの直径よりやや大きいウエハ保持
材をワックスにより貼り付け、半導体ウエハの裏面に対
して加工及び／又は膜形成を行い、その後、断面形状
が、上面側の幅広の部分と下面側の幅狭の部分と幅広の
部分及び幅狭の部分との間の傾斜部とを有し、幅広の部
分の幅はウエハ保持材より大きく、幅狭の部分の幅は半
導体ウエハの直径より小さく、傾斜部の水平方向に対す
る傾斜角が６０°以上９０°未満であり、側面の内側に
ガイドが形成されたウエハキャリアに、半導体ウエハを
挿入し、ウエハキャリアごと半導体ウエハをワックス溶
剤に浸漬して、ワックスを溶解して半導体ウエハとウエ
ハ保持材とを剥離し、その後半導体ウエハを取り出す半
導体ウエハの処理方法である。

【００１６】また本発明は、上記半導体ウエハの処理方
法において、ウエハキャリアのガイドが鉛直方向に対し
て２０〜３０°の範囲内の傾斜角で傾斜して形成され、
半導体ウエハをウエハ保持材側が下になるようにウエハ
キャリアに挿入する。

【００１７】また本発明は、上記半導体ウエハの処理方
法において、ウエハ保持材は全面に多数の貫通孔が形成
されている構成とする。

【００１８】本発明は、ウエハを保持するためのウエハ
キャリアであって、側面の内側に鉛直方向に対して傾斜
したガイドが形成され、断面形状が、上面側の幅広の部
分と、下面側の幅狭の部分と、幅広の部分及び幅狭の部
分の間の傾斜部とを有して成り、幅狭の部分の幅は保持
されるべきウエハの直径より小さく、幅広の部分の幅は
保持されるべきウエハの直径より大きく、傾斜部の水平
方向に対する傾斜角は６０°以上９０°未満であるウエ
ハキャリアである。

【００１９】また本発明は、上記ウエハキャリアにおい
て、ガイドが鉛直方向に対して２０〜３０°の範囲内の
傾斜角で傾斜して形成されている構成とする。

【００２０】以下、本発明の具体的な実施の形態とし
て、半導体ウエハの処理方法を説明する。まず、図１Ａ
に断面図で示すように、半導体ウエハ１の表面に、半導
体ウエハ１の保持材となるガラス基板３をワックス２に
より貼り付ける。ガラス基板３の大きさは、半導体ウエ
ハ１よりもやや大きくする。また、この図１Ａに示す構
造（以下ウエハ構造体１０と呼ぶことにする）を上から
見た平面図を図１Ｂに示す。ガラス基板３には、図１Ａ
及び図１Ｂに示すように、基板面に垂直な貫通孔３Ｈが
全面に多数形成されている。貫通孔３Ｈの径は、好まし
くは０．５〜１ｍｍとする。

【００２１】次に、このウエハ構造体１０の半導体ウエ
ハ１の裏面に対して、加工及び／又は膜形成を行う。例
えば裏面を研削する加工や、例えば裏面に金属膜例えば
Ｔｉ−Ａｕ膜及びＡｕメッキ膜を順次成膜する工程を行
う。

【００２２】このように半導体ウエハ１の裏面に成膜さ
れた金属膜は、例えば裏面電極、放熱材、半導体ウエハ
１の補強等の目的で使用することができる。

【００２３】このとき、半導体ウエハ１にガラス基板３
を貼り付けてウエハ構造体１０を構成していることによ
り、加工による衝撃や膜形成による温度変化に対して、
ガラス基板３で補強して半導体ウエハ１が割れないよう
にすることができる。

【００２４】上述した半導体ウエハ１の裏面に対する加
工及び／又は膜形成を行った後、以下のようにして半導
体ウエハ１をガラス基板３から剥離する。まず、ウエハ
構造体１０をウエハキャリアに収納する。ウエハキャリ
アには通常ウエハを挿入させて保持するためのガイドが
平行に形成され、多数のウエハを収納することができる
ようになっている。そして、ウエハ構造体１０をこのウ
エハキャリアごと、ワックス溶剤液槽内のボイルしたワ
ックス溶剤に浸漬する。これにより、ワックス２が溶解
して半導体ウエハ１とガラス基板３とが剥離する。その
後、ウエハキャリアをワックス溶剤液槽から取り出し、
剥離したガラス基板３を除去して、半導体ウエハ１に対
して洗浄を行ってワックス溶剤や不要な付着物を除去す
る。

【００２５】ところで、一般的に用いられているウエハ
キャリアにおいては、ウエハキャリアの斜視図を図６に
示すように、ウエハキャリア５１に対して、ガイド５２
が鉛直方向に形成されているため、ウエハを挿入する角
度が９０°（鉛直方向）となっている。このため、この
ような構成のウエハキャリア５１を用いて、半導体ウエ
ハ１とガラス基板３との剥離を行うと、ワックス２の溶
解促進用としてガラス基板３全面に形成した貫通孔３Ｈ
の向きと、ワックス溶剤の流れる方向とがほぼ垂直とな
ってしまうため、貫通孔３Ｈをガラス基板３に形成した
効果即ちワックス２の溶解促進の効果が小さくなってし
まう。また、ワックス２の溶解の前後におけるウエハキ
ャリア５１の断面図をそれぞれ図７Ａ及び図７Ｂに示
す。前述したようにウエハキャリア５１内の傾斜部５４
の傾斜があまり大きくなく（水平方向に対する傾斜角が
例えば４０〜５０°程度である）、かつガイド５２のピ
ッチが狭いために、剥離した半導体ウエハ１とガラス基
板３とのズレ量が図７Ｂに示すように小さくなることか
ら、半導体ウエハ１を取り出せなくなる問題が生じる。

【００２６】そこで、本実施の形態では、さらに従来の
一般的なウエハキャリア５１とは異なる構成のウエハキ
ャリアを使用する。本実施の形態で使用するウエハキャ
リアの概略構成図（斜視図）を図２Ａに示す。このウエ
ハキャリア２１は、その側面内壁にウエハを挿入して保
持するためのガイド２２が平行に形成されている。この
ガイド２２によって、多数の半導体ウエハ１を保持して
ウエハキャリア２１内に収納することができる。

【００２７】また、図２Ａのウエハキャリア２１の内壁
のガイド２２付近の側面図を図２Ｂに示す。本実施の形
態では、図２Ａ及び図２Ｂに示すように、ウエハキャリ
ア２１のガイド２２を傾斜させて形成する。より好まし
くは、ガイド２２を水平方向に対して６０〜７０°傾斜
させる、即ち鉛直方向に対する傾斜角度θを２０〜３０
°の範囲内とする。

【００２８】さらに、ウエハキャリア２１の断面図を図
３に示す。特に本実施の形態では、図３に示すように、
上面側の幅広の部分（幅Ｄ１）２３と下面側の幅狭の部
分（幅Ｄ２）２５とこれら幅広の部分２３及び幅狭の部
分２５の間の斜面となった傾斜部２４とを有して成るウ
エハキャリア２１の内部において、傾斜部２４の水平方
向に対する傾斜角αを６０°以上９０°未満とする。こ
のように傾斜部２４の傾斜角αが６０°以上と大きくな
っていることにより、ワックス２が溶解して剥離した半
導体ウエハ１とガラス基板３について、ガラス基板３を
受ける位置２４Ａと半導体ウエハ１を受ける位置２４Ｂ
とを離して、半導体ウエハ１とガラス基板３とのズレ量
を大きくすることができる。これにより、治具によって
ガラス基板３を容易に除去することができるようにな
る。

【００２９】また、半導体ウエハ１が薄くなっているこ
とにより、特に半導体ウエハ１の直径が大きいと、ガラ
ス基板３から剥離した後に反りを生じやすくなる。半導
体ウエハ１に反りを生じることにより、ガイド２２に半
導体ウエハ１及びガラス基板３が引っかかりやすくな
る。そこで、ウエハキャリア２１のガイド２２のピッチ
Ｐを広げて、従来のウエハキャリア５１のガイド５２の
ピッチ（４．７６ｍｍ）の例えば２倍（９．５２ｍｍ）
にする。これにより、ワックス２が溶解した後にウエハ
１とガラス基板３がスムースに分離される。

【００３０】具体的に例えば直径１００ｍｍの半導体ウ
エハ１を用いる場合には、ガラス基板３を半導体ウエハ
１より例えば４〜６ｍｍ大きくして、ウエハキャリア２
１の傾斜部２４においてガラス基板３を受ける位置２４
Ａより半導体ウエハ１を受ける位置２４Ｂを例えば８〜
１０ｍｍ深く、幅が例えば４〜６ｍｍ狭くなるように形
成する。これらの数値は、半導体ウエハ１の大きさに対
応して、それぞれ適切な値に設定する。

【００３１】尚、本実施の形態のウエハキャリア２１に
おいては、ウエハ構造体１０の挿入並びに半導体ウエハ
１のガラス基板３からの分離を支障なく行うために、幅
広の部分２３の幅Ｄ１＞ガラス基板３の大きさ＞半導体
ウエハ１の直径Ｄ＞幅狭の部分２５の幅Ｄ２、という大
小関係が成り立つようにする。この大小関係は、従来の
一般的なウエハキャリア５１を使用する場合にも同様に
成り立つようにするものである。

【００３２】ここで、ワックス溶剤液槽を含む半導体ウ
エハの処理装置の一形態の概略構成図を図４に示す。図
４に示すように、処理室例えばクリーンルーム３０内
に、ワックス溶剤液槽３１、有機洗浄槽３２、純水流水
洗浄槽３３を配置して処理装置を構成する。

【００３３】そして、図２及び図３に示したウエハキャ
リア２１を用い、図４に示した装置において、例えば次
のようにして、ワックス２の溶解及び半導体ウエハ１と
ガラス基板３との剥離を行う。この場合、ワックス溶剤
液槽３１を、下部よりバブリングのできる機能を有する
構成とすることが望ましい。

【００３４】まず、半導体ウエハ１側を上にして、ウエ
ハキャリア２１のガイド２２にウエハ構造体１０を挿入
する。即ちガラス基板３が下側即ちバブリングの当たる
方向に挿入される。

【００３５】そして、ウエハキャリア２１ごと、ワック
ス溶剤液槽３１内のボイルしたワックス溶剤（液温７５
〜１１０℃）中に入れ、バブリングしながらワックス２
の溶解を待つ。

【００３６】このとき、図５に示すように、ウエハキャ
リア２１のガイド２２が傾斜していることにより、ガラ
ス基板３の貫通孔３Ｈの方向と、矢印で示すワックス溶
剤のバブリングの方向とが垂直ではなく斜めに交差する
方向となる。これにより、ワックス溶剤が貫通孔３Ｈに
浸透しやすくなり、ワックス２の溶解促進効果を発揮さ
せることができる。

【００３７】ワックス２が溶解すると、半導体ウエハ１
とガラス基板３が分離するので、ガラス基板３を治具で
取り除く。

【００３８】そして、ウエハキャリア２１にセットした
全ての半導体ウエハ１についてガラス基板３を取り除い
たら、半導体ウエハ１のみをウエハキャリア２１に残し
て有機洗浄槽３２に漬ける。有機洗浄後に、純水流水洗
浄槽３３に浸してウエハ１を洗浄する。そして、洗浄後
に半導体ウエハ１の乾燥を行う。

【００３９】尚、上述の治具によるガラス基板３の取り
出しは、ワックス溶剤等の液にウエハキャリア２１が浸
漬されている状態で行う方が、ガラス基板３の取り出し
が容易になる。

【００４０】上述の本実施の形態によれば、ウエハキャ
リア２１内の傾斜部２４の水平方向に対する傾斜角αが
６０°以上９０°未満とされていることにより、傾斜部
２４におけるガラス基板３を受ける位置２４Ａと半導体
ウエハ１を受ける位置２４Ｂを離すことができる。これ
により、ワックス２が溶解して半導体ウエハ１及びガラ
ス基板３が分離した後の、半導体ウエハ１とガラス基板
３とのズレ量を大きくすることができ、ガラス基板３を
治具により容易に除去することが可能になる。また、半
導体ウエハ１とガラス基板３の分離状態が一目でわかる
ので、作業者が処理装置に張り付く必要がなくなり、そ
の点でも作業効率の向上を図ることができる。

【００４１】さらに、ウエハキャリア２１のガイド２２
のピッチＰを広くしていることにより、剥離後の半導体
ウエハ１に反りを生じていても半導体ウエハ１とガラス
基板３がスムースに分離される。

【００４２】また、本実施の形態によれば、ウエハキャ
リア２１のガイド２２を鉛直方向に対して２０〜３０°
（水平方向に対して６０〜７０°）傾斜させて形成して
いることにより、ワックス２を溶剤で溶かす際にワック
ス２の溶解促進用としているガラス基板３に開けてある
貫通孔３Ｈを有効に活用してワックス２の溶解促進効果
を発揮できる。これにより、より短い時間でワックス２
を溶解させガラス基板３から半導体ウエハ１を剥離する
ことが可能になる。また、いったん傾斜したガイド２２
が形成されたウエハキャリア２１を作製すれば、繰り返
し使用できることから、図６に示すような一般的なウエ
ハキャリア５１を使用した場合と比較して、製造コスト
の増大はウエハキャリアの費用の差分だけでありわずか
で済む。

【００４３】そして、ウエハキャリア２１を使用して
も、問題なく半導体ウエハ１のガラス基板３からの剥離
を行うことが可能になるため、多数（例えば十数枚）の
半導体ウエハ１を一括して処理することができ、生産効
率を向上することができる。

【００４４】従って、上述の実施の形態は、特に厚さ１
００μｍ以下の半導体ウエハ１を使用する化合物半導体
のウエハの処理に適用して特に有効である。

【００４５】上述の実施の形態では、半導体ウエハ１の
保持材としてガラス基板３を使用したが、他の材料から
成る保持材を使用しても良い。ガラス基板３は、貫通孔
３Ｈを開ける加工が容易である利点を有する。

【００４６】本発明は、上述の実施の形態に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他
様々な構成が取り得る。

【００４７】

【発明の効果】上述の本発明によれば、ウエハと保持材
とがスムースに分離され、ウエハキャリアから保持材を
取り除くのが容易になる。そして、ウエハキャリアを使
用して、半導体ウエハを保持材から剥離する処理を多数
の半導体ウエハに対して一括して行うことができ、生産
効率の向上を図ることができる。ウエハと保持材の分離
状態が一目でわかるため、作業者が常に装置に張り付か
なくてもよくなり、作業効率の向上を図ることができ
る。

【００４８】さらに、ウエハキャリアのガイドを傾斜し
て形成した構成としたときには、保持材例えばガラス基
板に開けてある貫通孔が、ワックス溶解促進の効果とし
て発揮される。これにより、ワックスの溶解を促進して
処理に要する時間を短縮することができるため、効率の
向上を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】半導体ウエハにガラス基板を貼り付けたウエハ
構造体の概略構成図である。 Ａ 断面図である。 Ｂ ガラス基板側から見た平面図である。

【図２】 本発明のウエハキャリアの一実施の形態の概略構成図で
ある。Ａ 斜視図である。 Ｂ ガイド付近を示す側面図である。

【図３】図２のウエハキャリアの断面図である。

【図４】ワックス溶剤処理装置の一形態の概略構成を示
す図である。

【図５】ワックス溶剤処理工程における図１のウエハ構
造体の状態を示す断面図である。

【図６】従来の一般的なウエハキャリアの斜視図であ
る。

【図７】Ａ、Ｂ ワックス溶剤処理工程における図６の
ウエハキャリア内でのウエハの状態を示す断面図であ
る。

【符号の説明】

１ 半導体ウエハ、２ ワックス、３ ガラス基板、３
Ｈ 貫通孔、１０ ウエハ構造体、２１ ウエハキャリ
ア、２２ ガイド、３１ ワックス溶剤液槽、３２ 有
機洗浄液槽、３３ 純水流水洗浄槽

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 3E096 AA06 BA16 BB04 CA09 CB03 DA05 DB06 DB08 FA12 FA27 FA30 5F031 CA02 DA01 EA07 EA19 HA02 HA05 HA42 HA73 HA80 MA22 MA23 MA28 NA02

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体ウエハの表面に、該半導体ウエハ
   の直径よりやや大きいウエハ保持材をワックスにより貼
   り付け、 上記半導体ウエハの裏面に対して、加工及び／又は膜形
   成を行い、 その後、断面形状が、上面側の幅広の部分と、下面側の
   幅狭の部分と、該幅広の部分及び該幅狭の部分との間の
   傾斜部とを有し、幅広の部分の幅は上記ウエハ保持材よ
   り大きく、幅狭の部分の幅は上記半導体ウエハの直径よ
   り小さく、傾斜部の水平方向に対する傾斜角が６０°以
   上９０°未満であり、側面の内側にガイドが形成された
   ウエハキャリアに、上記半導体ウエハを挿入し、 上記ウエハキャリアごと上記半導体ウエハをワックス溶
   剤に浸漬して、上記ワックスを溶解して上記半導体ウエ
   ハと上記ウエハ保持材とを剥離し、 その後上記半導体ウエハを取り出すことを特徴とする半
   導体ウエハの処理方法。
2. 【請求項２】 上記ウエハキャリアの上記ガイドは、鉛
   直方向に対して２０〜３０°の範囲内の傾斜角で傾斜し
   て形成され、上記半導体ウエハを上記ウエハ保持材側が
   下になるように上記ウエハキャリアに挿入することを特
   徴とする請求項１に記載の半導体ウエハの処理方法。
3. 【請求項３】 上記ウエハ保持材は、全面に多数の貫通
   孔が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の
   半導体ウエハの処理方法。
4. 【請求項４】 ウエハを保持するためのウエハキャリア
   であって、 側面の内側に鉛直方向に対して傾斜したガイドが形成さ
   れ、 断面形状が、上面側の幅広の部分と、下面側の幅狭の部
   分と、上記幅広の部分及び上記幅狭の部分の間の傾斜部
   とを有して成り、 上記幅狭の部分の幅は、保持されるべきウエハの直径よ
   り小さく、 上記幅広の部分の幅は、保持されるべきウエハの直径よ
   り大きく、 上記傾斜部の水平方向に対する傾斜角は６０°以上９０
   °未満であることを特徴とするウエハキャリア。
5. 【請求項５】 上記ガイドが鉛直方向に対して２０〜３
   ０°の範囲内の傾斜角で傾斜して形成されていることを
   特徴とする請求項４に記載のウエハキャリア。