KR920017183A - 액체함유 욕조내에서 습식 화학적 표면처리를 할때 디스크타입 가공편 특히 반도체 웨이퍼의 지지 매가진 - Google Patents

액체함유 욕조내에서 습식 화학적 표면처리를 할때 디스크타입 가공편 특히 반도체 웨이퍼의 지지 매가진 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

액체함유 욕조내에서 습식 화학적 표면처리를 할때 디스크타입 가공편 특히 반도체 웨이퍼의 지지 매가진
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 삽입체와 하우징을 구성하는 이 발명의 에칭매가진(etching magaxine)의 한 실시예를 나타낸 부분 사시도, 제2도는 제1도의 삽입체의 Ⅱ-Ⅱ평면의 단면도이다.

Claims (12)

  1. 액체의 출입구용 구멍(2)과 액체함유욕조에 액체를 유입시키는 수단(4)ㄹ 구비한 하우징(1)과, 서로 대향하여 직접 밀접하게 평면으로 처리시키는 디스크타입가공편을 지지하는 하우징(1)으로 들어가게 할수 있는 삽입체(insert)(5)를 구성시켜 액체함유욕조내에서 습식화학적 표면처리를 할때 디스크타입 가공편, 특히 반도체 웨이퍼를 지지하는 매가진(magaxine)에 있어서, 상기 삽입체는 (a)한 평면에서 적어도 두개의 가이드 스트릿(guide struts)(7)을 구성하는 팽행배열을 한 가이드 스트럿 에셈블리(guide struts assemblies)(12)와, (h)하우징실린더(housing cylider)의 내측면을 정밀하게 깨워지도록 배열시켜 그 하우징에 대항하며, 서로 평면으로 대향하는 가이드 스트럿의 외측단에서 가이드스트럿 어셈블리의 적어도 3개의 평면을 고정시켜 그 가이드 스트럿 평면사이의 갭(gap)에는 에칭처리를 한 디스크 타입 가공편을 수용하도록 하고 적어도 하나의 메인가이드 스트럿(main guide strut)(9)은 2개의 스페이싱 스트럿을 연결하며 적어도 하나의 보조가이드 스트럿(10)은 가이드 스트럿을 스페이싱 스트럿에 연결하고 대부분의 가이드 스트럿을 절접(fold)또는 절곡(bend)시키는 적어도 3개의 스페이싱 스트럿(8)과, (c)3방향미만의 링크포인트(linking point)(13)에 분기(divering)되는 가이드 스트럿과, (d)실린더형하우징의 종축상에 설정되지 아니한 가이드 스트럿의 링크 포인트와, (e)지지되는 디스크타입 가공편 직경의 1.1∼1.9배에 해당되는 삽입체 직경과, (f)지지되는 디스크타입 가공편의 직경보다 더 크거나 동일한, 스페이싱 스트럿의 적어도 2개 사이에서 외접하는 원형아아크의 시컨트(secant)길이와, 지지되는 목적물의 반경보다 더 작은 스페이싱 스트럿의 적어도 2개 사이에서 외접하는 원형아아크의 시컨트 길이와, (g)두께의 최소한 2배에 해당하는 디스크타입 가공편을 지지하는 두가이드 스트럿 평면사이의 내측순수거리(inner clear distance)를 구비함을 특징으로 하는 상기 매가진.
  2. 제1항에 있어서, 상기 하우징과 삽입체는 사용한 액상(liguid phases)에 저항성이 있는 재질로 제조합을 특징으로 하는 매가진.
  3. 제2항에 있어서, 상기 재질은 테트라플루오로에틸렌-헥사플루오로프로필렌 코폴리머(FEP), 에틸렌-테트라플루오로에틸렌 코폴리머(ETFE), 에틸렌-클로로트리플루오로에틸렌 코폴리머(ECTFE), 폴리비닐리덴디플루오리드(PVDF), 폴리플루오로에틸렌(PFA) 및 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE)으로 구성되는 그룹에서 하나 또는 그 이상의 플라스틱을 사용함을 특징으로 하는 매가진.
  4. 제1항에 있어서, 가이드 스트럿 및 스페이싱 스트럿은 용접(welding)및 스크류고정(screwing)에 의해 서로 고정시킴을 특징으로 하는 매가진.
  5. 제1항에 있어서, 상기 가이드 스트럿은 원형에지(rouded edges)를 가진 정방향단면을 가지며, 그 에지의 적어도 하나는 가공편(6)의 표면방향으로 안내됨을 특징으로 하는 상기 매가진.
  6. 제1항에 있어서, 상기 스페이싱스트럿 6개, 상기 메인가이드 스트럿 1개, 보조가이드 스트럿4개를 각각 가짐을 특징으로 하는 상기 매가진.
  7. 제1항에 있어서, 상기 가이드 스트럿 각각은 70-160도 각도의 킹크(kink)를 가지며, 그 킹크는 스페이싱 스트럿에 의한 가이드스트럿의 고정부분에서의 거리를 변화시키며, 그 메인가이드 스트럿은 90도 보다 더 큰 각으로 구성함을 특징으로 하는 상기 매가진.
  8. 제7항에 있어서, 상기 메인가이드스트럿의 킹크는 그 스트럿(strut)의 중심에 배치됨을 특징으로 하는 상기 매가진.
  9. 제1항에 있어서, 상기 가이드 스트럿의 링크포인트(13)는 그 관련 스페이싱스트럿과 가이드 스트럿의 링크 포인트에서의 거리를 변화시킴을 특징으로 하는 상기 매가진.
  10. 제1항에 있어서, 상기 보조가이드 스트럿은 원뿔형상으로 경사지게 구성함을 특징으로 하는 상기 매가진.
  11. 반도체 웨이퍼를 액체로 처리하는 청구범위 제1항 내지 제10항중 어느 한 항의 매가진의 사용.
  12. 반도체 웨이퍼의 에칭처리에 쓰이는 청구범위 제1항 내지 제11항중 어느 한 항의 매가진의 사용.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
KR1019920001631A 1991-02-01 1992-02-01 액욕조중에서 습식화학식 표면처리를 할때 디스크형상 가공품, 특히 반도체 웨이퍼를 지지하는 매가진 KR960002997B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010100613A (ko) * 2000-05-04 2001-11-14 마이클 디. 오브라이언 반도체패키지용 매거진

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4305748A1 (de) * 1993-02-25 1994-09-01 Leybold Ag Vorrichtung zum Beschichten und/oder Ätzen von Substraten in einer Vakuumkammer
US5362353A (en) * 1993-02-26 1994-11-08 Lsi Logic Corporation Faraday cage for barrel-style plasma etchers
US5340437A (en) * 1993-10-08 1994-08-23 Memc Electronic Materials, Inc. Process and apparatus for etching semiconductor wafers
US6041938A (en) * 1996-08-29 2000-03-28 Scp Global Technologies Compliant process cassette
JP3111928B2 (ja) * 1997-05-14 2000-11-27 日本電気株式会社 金属膜の研磨方法
DE19856468C1 (de) * 1998-11-30 2000-06-15 Sico Jena Gmbh Quarzschmelze Verfahren zur Herstellung einer Haltevorrichtung für Halbleiterscheiben
US6099645A (en) * 1999-07-09 2000-08-08 Union Oil Company Of California Vertical semiconductor wafer carrier with slats
US7040209B2 (en) * 2001-09-27 2006-05-09 Mikronite Technologies, Inc. Tool fixtures for use in rotational processing
KR100675627B1 (ko) * 2002-10-10 2007-02-01 엘지.필립스 엘시디 주식회사 기판 수납용 카세트
JP4509501B2 (ja) * 2003-07-31 2010-07-21 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 円板状部材のエッチング方法及び装置
US20090242126A1 (en) * 2008-03-31 2009-10-01 Memc Electronic Materials, Inc. Edge etching apparatus for etching the edge of a silicon wafer
KR101104016B1 (ko) * 2008-11-04 2012-01-06 주식회사 엘지실트론 웨이퍼 처리 장치 및 이에 사용되는 배럴과, 웨이퍼 처리 방법
US8735261B2 (en) * 2008-11-19 2014-05-27 Memc Electronic Materials, Inc. Method and system for stripping the edge of a semiconductor wafer
US8853054B2 (en) 2012-03-06 2014-10-07 Sunedison Semiconductor Limited Method of manufacturing silicon-on-insulator wafers
CN115881596B (zh) * 2023-03-08 2023-05-05 四川上特科技有限公司 一种晶圆承载框及晶圆分片装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1915714C3 (de) * 1969-03-27 1975-07-10 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Vorrichtung zum Xtzen von Halbleiterscheiben mit einem mit Ätzflüssigkeit gefüllten Gefäß und einem in die Ätzflüssigkeit eingetauchten, mit waagrechter Achse rotierenden Ätzkorb
US3727620A (en) * 1970-03-18 1973-04-17 Fluoroware Of California Inc Rinsing and drying device
US3808065A (en) * 1972-02-28 1974-04-30 Rca Corp Method of polishing sapphire and spinel
US3977926A (en) * 1974-12-20 1976-08-31 Western Electric Company, Inc. Methods for treating articles
DE2526052C2 (de) * 1975-06-11 1983-04-21 Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen Verfahren zum Reinigen polierter Halbleiterscheiben
JPS5339872A (en) * 1976-09-24 1978-04-12 Hitachi Ltd Etching method of wafers
JPS5437581A (en) * 1977-08-30 1979-03-20 Nec Corp Wafer etching device
JPS58166726A (ja) * 1982-03-29 1983-10-01 Shin Etsu Handotai Co Ltd ウエ−ハエツチング装置
DD220859A1 (de) * 1984-01-26 1985-04-10 Akad Wissenschaften Ddr Vorrichtung zum aetzen von scheibenfoermigen objekten
JPS62134936A (ja) * 1985-12-05 1987-06-18 アニコン・インコ−ポレ−テツド 腐食耐性をもつたウエ−フア−・ボ−ト及びその製造法
US4841906A (en) * 1986-11-12 1989-06-27 Heraeus Amersil, Inc. Mass transferable semiconductor substrate processing and handling full shell carrier (boat)
JPH02113331U (ko) * 1989-02-27 1990-09-11
US5054418A (en) * 1989-05-23 1991-10-08 Union Oil Company Of California Cage boat having removable slats

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010100613A (ko) * 2000-05-04 2001-11-14 마이클 디. 오브라이언 반도체패키지용 매거진

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Publication number Publication date
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DK171206B1 (da) 1996-07-22
EP0497104A1 (de) 1992-08-05
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FI920390A (fi) 1992-08-02
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US5236548A (en) 1993-08-17
JPH04323825A (ja) 1992-11-13
DK4092A (da) 1992-08-02

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