DEP0004479DA - Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichtern - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichtern

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DEP0004479DA
DEP0004479DA DEP0004479DA DE P0004479D A DEP0004479D A DE P0004479DA DE P0004479D A DEP0004479D A DE P0004479DA
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DE
Germany
Prior art keywords
salts
barrier layer
procedure
process according
aforementioned
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Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
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English (en)
Inventor
Manfred Nürnberg Wagner
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sueddeutsche Apparate Fabrik GmbH
Original Assignee
Sueddeutsche Apparate Fabrik GmbH
Publication date

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Description

Süddeutsche Apparatefa&rih &-$*&«&» Uürnberg^
Ä.^
Gebrauohsmuster-Hilfsajimeldung (P 400)
■.
ferfahren mr Herstellung w&n Tro-okengleichri entern*
<2 fr&uitengleichricnter be&mnt, bei denen *.e%en. l'UeZtroäenp Me tna-beeonäere plattenförmig ausgebildet Bind0 Htm feste Venttlsehteht mgeüT&net t&%9 dieser Seht-cht dient beispielsweise- Kupf dl, $elen^ ¥e.llw0 mm«
' Beispielsweise -die Selengleichrichter 'ueat&hen einer- dünnen- Schicht iSTtetallisi&rten $®len®# die durch ein geeignetes^ferfahren fest-haftend auf &in& aufgerauhte Trägerplutte aufgebracht fet» Auf Me Oberfläche- dieser -lie-lene-chicftt ist @tne niedrig schmelzende (Segenetektrod* nach @im.m avtf spritzverfahren auf gebracht· ■ Ansehltessend wlTi die ©o. aufgebaute Meiwim ®itwm elektrischen F®rmi&«* rungeprose*s unteraorfen, imem die aufgetprit&te Gegenelektrode Bit dem Plu@p.oi einer &2siQh^pmmmm.§Bqü&lM0: Me Qrundplatte mit ä@& iitimspoi verbunden aitd* Ms $pmnung wird langsam bis tu ate» betrag gesteigert, Mt tiaris-h die ftuTohBGhlagsfeetigkett.oder aureh die-zul&esige StMMtrmmg der Scheibe- gegeben f^t*
. -Auf ΘτίΜά- aer Vorstellungen über asm liettungsmeoUan-ievius ;d09 Selen* kann 'äiem &p®&fm'immiff folgendsrmaeen erklärt eterden; Bel&n ge-h&rt %ur Klause ^$r St&retelJenhulbleiter* Bm*&h elektrolyttBChe Zeitung werden bei d®w, betehr iebenen Vorgange u$r elektrischen formierung StursteI-ten aus der Oberflüehenaehtchi-entfernt* Infolge d&r fetringer mg 4er Si&rstelten steigt ά&τ Vi^&r&i&nä dieser
. f
■Süddeutsche ipparatef&bri* ·&««&·//· - ^Ü.
t in
aer Sperriohtung durch .Uefektelehtronen bewirkt' Vt1Td0 4en ätem ionisierten Störstellen sie scHmrbemgliche träger 4er tw gait mn Xadunßen- nuitr&ten*
Die Erfindung mill nwt Mine- elektro-lyttecite Bntftr*.
nung dimmer n&gatiwn &o&mg*träger mm der ®hm®im Seim*» mkieki dur&h Φ®η Prme®& 4&r eitktrt&ohen.
SiSl-Un8 »ünäsrn gibt ein® ftethoäe m* um.
chßmiBch tu binden» ■ ',·".
$9 wird %ur Herßt*llung mn froc!ten$l0titkriahteTnt im-* besondere von Selengletenrtehtem un§ Selenphptoelewenten* wöbet die freie O'öetfläche m ier SperrB^kteht zur fr« Ixuhung, i$®. Sperraiderdtandes einer ehemisah&n ßtshmidlmg unterworfen'mird, srfinaim§®g@mi®® varge&thla&enf die' lenobeTflsehe'nit §altisn mn Mauren der Momente dar und-VITm töebengntppe des Periodischen B^&t&tm «u
Für äi&Qß ch®f4ß®h0 B&fmdlung eind*prinzipiell ehe elektrop&QittOen äaterialien geetgnetm- Me M&hl av&uehharen Stoffe -&trd ieäo.ch €urck üer eigenschaften'stark eingeschränkt» 8ϋ sollen freispiel*- ■ mise-dit entstenenten aeaktionspradiifcte nicht l&tifahtg»» %eitserh$hend im Selen wirken* Ferner soll Me StsrstelJen** bindung"auf äie oberste Selenschicht be^G-hränM bleiben, , also nicht durch $tffu*tons9orgünge auf tief erliegende* Selenschichten, &€i denen-Zettfähigkeit erwtinscht ist, übergreifen* '
Als geeignete Substanzen Mfrm. steh ate 8al*e ä&r Uhren», äolybdän**i imlfrmn*»» Mangan- tmd ^ernangawsaurc im ihren %§hermn ffertigkeitsstufen gmsigt». Me termndung mn Älkaltsölt ist besonders toorteilkaftm Bas-gleich* Verhalten s€iggn die Thtosalse 4&r vorgenannten $äureuß beispiels-* mim imontunthio&oljfbdat und natrium te- iCalimthtowlyöda.tm 'IHe lösungen werden neutral &<!#r s&haach alkalisch
.JHe vorgenannten Saite ®erd€n ntt d&r Selenschicht vorteilhaftesten nach tier kristallisation des Asiens, im &ttteleer @&r 4^m aufspritzen «fcr Gegenelektrode tür
gebracht* JHe SaIm mraen in ^tmser^ in einem g&ni&eben Lösungsmittel Oder in einem Geutsch tether ge Met« In 4t®m Mmmg wir4 at® $®lem®ii0t-ug um ά&η Sr&ß u&r Stn&trktmg arnch ate Mtntmmhmii
klein %u m&Mlm» Mmf®pt$lsmim lmi einer PepnangonlUsitfaff §mm§t bereit® @ttm immntr®ti&m ^ lQ/m« Mmh 4&m Snimeimsn d$r $$imi&& am de» Mmä ®ίτά mm A*u8Mü§®mttteI zu» Veräun&ten gg&fmhi wnä
Birne &lwmimM 'Meban&lung' Mr-Mt $@m arbeitsgang elektrischen Ffttmiermg mäentlteh ab wtä emuögltcht einer* setts das Wrr@iel%®n -eines höheren BndmertwB der Furnier** ng ®-mi@. an&ere-rsetti* eine Herabsetzung #3 MUßM+»
&ßv Wmumert aer Foraterspttnmtng betrugt eventuell ifss■ doppelte äes bisher 'ßftltßhen §ertes un4 d&rüber*
Weiterhin tstrü durch M&m SekmMlwng- ä@r stand ά$ψ Scheiben^ insbesonäere &ebi€t höherer $ nungen* beispielsweise &<@τ 20 VuIt0. wesentlich erhöht* Hderstandserhöhung &®tTugt einige pßer

Claims (1)

  1. fabrik '& &,&·//·
    ' I« Verfahren zur ßerste llung mn T in&&e&utiäere. ®&n Seieng ieiGhrichtem umä S ten, mohei die -freie Oberfläche an äer Sperrschicht-SrMfämg -de® .Sper-rtatderstanaes einer Ghe&t&ehen B unterwürfen &ir&4 däd&reh gekunnseitthnett ae&e Me fläch® der Sperrschicht mit Salzen ®on ßä^rm $er Elemente der VI9 und YtX* ' M&bffngruppe aes fieriodiscfcen System' ö#*- wird« .. -
    2« Verführen nach ärmpruah I9 dadurch die S-alze uer &hro&».g äulyb4än«>0 $o2fr<m*>i9__ Mangan-
    und PenaangomtiAure eertsendet i*er<Mm«. . ·
    8« Verfeueren nach d&n Ansprüchen i ma S9 dadurch gekennseichnetf dass die vorgenannten Uttlxe in ihren -Höheren Wertigkeitsstufen" verwendet werden*
    4» Verfahren naeä den Ansprüchen 1 Bi.® 3# dadurch J^** kennzeichnet, Ms® dlkaltsul&e 4&r vorgenannten S&uren 9er» werds-n*
    5« Verfahren nach den Ansprüchen 1 bi® 40 daaur& kennzeichnet» rfoa^ üi& Thioeatse d&T -vorgenannten beispielwaeise ämmoniuMihiuml&Müt und Natrium**
    smrden*
    6m- Verfahren n&eh 4en An^rüeiien 1 biä Ö>
    kenntet ehrtet, <2öä* dm Sülz in mä&srig&r töeung, in eimern organischen .'S&mg&miti&i Mm* -in aimm (Mmi&uk &@t4er mit der Selenoherfleiche nach ägr Kristallisation u&ß &®lmt® mut fVeöt-tism gebracht unä des Maumgamitte 1 öor dem Aufbringen der Gegenelektrode durch Verdunsten mieder entfernt wtru»
    ?0 Verfahren naah den Ansprüchen 1 bi® Ss uü&utüU kennzeichnet^ das® die lösungen neutral Oaer'scfimach lisch sind*

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