DE99919639T1 - Isolierender kleber für elektronische teile, leiterrahmen und halbleiteranordnung damit - Google Patents

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Takafumi Ichihara-shi DOHDOH
Kazumi Ichihara-shi TAMESHIGE
Hidekazu Ichihara-shi MATSUURA
Yoshihiro Ichihara-shi NOMURA
Kunihiro Hino-shi TSUBOSAKI
Toshihiro Koganei-shi SHIOTSUKI
Kazunari Suzuki
Tomoko Higashino
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Hitachi Ltd
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Abstract

Isolierender Klebstoff für ein elektronisches Bauteil, der zum Binden eines Halbleiterchips an einen Leitungsrahmen verwendet wird und ein Harz und ein Lösungsmittel umfaßt, wobei das Harz
(A) ein gewichtsgemitteltes Molekulargewicht (Mw) von 30.000 bis 300.000, bezogen auf eine Umrechnung auf Polystyrol, und
(B) ein Verhältnis gewichtsgemitteltes Molekulargewicht (Mw)/zahlengemitteltes Molekulargewicht (Mn) von 5 oder weniger aufweist und wobei
(C) der isolierende Klebstoff für ein elektronisches Bauteil eine Viskosität von 5.000 bis 100.000 mPa·s bei einer Umdrehungszahl von 10 U/min und ein Viskositätsverhältnis (η1 U/min/η10 U/min) von 1,0 bis 6,0, gemessen bei 25°C mit einem E-Typ-Viskosimeter, aufweist.

Claims (13)

  1. Isolierender Klebstoff für ein elektronisches Bauteil, der zum Binden eines Halbleiterchips an einen Leitungsrahmen verwendet wird und ein Harz und ein Lösungsmittel umfaßt, wobei das Harz (A) ein gewichtsgemitteltes Molekulargewicht (Mw) von 30.000 bis 300.000, bezogen auf eine Umrechnung auf Polystyrol, und (B) ein Verhältnis gewichtsgemitteltes Molekulargewicht (Mw)/zahlengemitteltes Molekulargewicht (Mn) von 5 oder weniger aufweist und wobei (C) der isolierende Klebstoff für ein elektronisches Bauteil eine Viskosität von 5.000 bis 100.000 mPa·s bei einer Umdrehungszahl von 10 U/min und ein Viskositätsverhältnis (η1 U/min/η10 U/min) von 1,0 bis 6,0, gemessen bei 25°C mit einem E-Typ-Viskosimeter, aufweist.
  2. Isolierender Klebstoff für ein elektronisches Bauteil gemäß Anspruch 1, der, wenn er auf einen Leitungsrahmen aufgetragen wird, bei einem Kontaktwinkel von 20° bis 130° und vor dem Trocknen bei einem Längenverhältnis von 0,05 bis 2,0 und nach dem Trocknen bei einem Längenverhältnis von 0,005 oder größer in Kontakt tritt.
  3. Isolierender Klebstoff für ein elektronisches Bauteil gemäß Anspruch 1, der, wenn er auf einen Leitungsrahmen aufgetragen wird, getrocknet und dann zur Aufnahme von Feuchtigkeit gezwungen, bei 200°C oder mehr schäumt.
  4. Isolierender Klebstoff für ein elektronisches Bauteil gemäß Anspruch 1, der, wenn er auf einen Leitungsrahmen aufgetragen wird, getrocknet und dann zur Aufnahme von Feuchtigkeit gezwungen, eine Glasübergangstemperatur von 100 bis 250°C aufweist.
  5. Isolierender Klebstoff für ein elektronisches Bauteil gemäß Anspruch 1, worin das Harz ein Polyimidharz oder ein Polyamid-imid-Harz ist.
  6. Isolierender Klebstoff für ein elektronisches Bauteil gemäß Anspruch 1, der ferner 0,01 bis 20 Gew.-% eines Silankupplungsmittels, bezogen auf das Gewicht des Harzes, umfaßt.
  7. Isolierender Klebstoff für ein elektronisches Bauteil gemäß Anspruch 1, der ferner 10 bis 200 Gew.-% eines Silikonkautschukfüllstoffs, bezogen auf das Gewicht des Harzes, umfaßt.
  8. Leitungsrahmen, der eine Klebeschicht trägt, die durch Auftragen des isolierenden Klebstoffs für ein elektronisches Bauteil gemäß Anspruch 1 auf den Leitungsrahmen und anschließendes Trocknen gebildet wird.
  9. Halbleitervorrichtung, umfassend einen Leitungsrahmen und einen Halbleiterchip, wobei der Leitungsrahmen und der Halbleiterchip durch den isolierenden Klebstoff für ein elektronisches Bauteil gemäß Anspruch 1 aneinander gebunden sind.
  10. Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 9, worin der Leitungsrahmen eine Klebeschicht trägt, die durch Auftragen des isolierenden Klebstoffs für ein elektronisches Bauteil gemäß Anspruch 1 auf den Leitungsrahmen und anschließendes Trocknen gebildet wird, und der Halbleiter an den Leitungsrahmen mit der Klebeschicht gebunden ist.
  11. Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 9, worin 0,05 bis 20 Flächen% einer Oberfläche des Halbleiterchips in Kontakt mit dem isolierenden Klebstoff für ein elektronisches Bauteil sind.
  12. Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 9, worin innere Rahmen des Leitungsrahmens über einer Hauptstromkreisoberfläche des Halbleiterchips plaziert sind und mit einem Elektrodenbacken auf dem Halbleiterchip mit Metalldrähten verbunden sind, wobei der Halbleiterchip, die inneren Rahmen und die Metalldrähte mit einem Abdichtungsmaterial abgedichtet sind und mindestens zwei der inneren Rahmen mit dem isolierenden Klebstoff für ein elektronisches Bauteil an den Halbleiterchip gebunden sind.
  13. Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 9, worin innere Rahmen des Leitungsrahmens über einer Hauptstromkreisoberfläche des Halbleiterchips plaziert sind und mit einem Elektrodenbacken auf dem Halbleiterchip mit Metalldrähten verbunden sind, wobei der Halbleiterchip, die inneren Rahmen und die Metalldrähte mit einem Abdichtungsmaterial abgedichtet sind, innere Stromversorgungsrahmen mit dem Halbleiterchip durch den isolierenden Klebstoff für ein elektronisches Bauteil verbunden sind, innere Signalübertragungsrahmen nicht mit dem Halbleiterchip verbunden sondern davon getrennt gehalten sind, und die inneren Signalübertragungsrahmen von der Hauptstromkreisoberfläche des Halbleiterchips weiter entfernt sind als die inneren Stromversorgungsrahmen.
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001064618A (ja) * 1999-08-25 2001-03-13 Hitachi Chem Co Ltd 半導体用接着フィルム、半導体用接着フィルム付きリードフレーム及びこれを用いた半導体装置
KR100492491B1 (ko) * 2002-03-07 2005-05-31 주식회사 이녹스 복합필름과 복합필름부착 리드프레임
AU2002950308A0 (en) * 2002-07-23 2002-09-12 Phoenix Eagle Company Pty Ltd Topically applied composition
JP4767486B2 (ja) * 2003-10-10 2011-09-07 オリンパス株式会社 医療用カプセル
KR100682359B1 (ko) * 2004-11-16 2007-02-15 엘지.필립스 엘시디 주식회사 평판표시패널 및 그 제조방법
JP2006270009A (ja) * 2005-02-25 2006-10-05 Seiko Epson Corp 電子装置の製造方法
JP4975514B2 (ja) * 2007-04-26 2012-07-11 信越化学工業株式会社 ダイボンド剤及びこれを用いてなる半導体装置
JP2009295968A (ja) 2008-05-08 2009-12-17 Panasonic Corp 表面実装用接着剤およびそれを含む実装構造体、ならびに実装構造体の製造方法
WO2023196645A1 (en) * 2022-04-07 2023-10-12 Aculon, Inc. Electronic circuit packages with reduced mold flash adhesion methods for reducing mold flash adhesion to metal leadframes

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2900560A1 (de) 1979-01-09 1980-07-17 Bayer Ag Mischungen aus polyamidimidharzen und epoxidverbindungen
JPH0684473B2 (ja) 1985-12-26 1994-10-26 ニッポン高度紙工業 株式会社 耐湿耐熱性樹脂組成物
KR930009213B1 (ko) * 1988-09-29 1993-09-24 이노우에 다카오 접착 테이프
JP2606402B2 (ja) * 1990-03-23 1997-05-07 信越化学工業株式会社 硬化性樹脂及びその製造方法
JP3063929B2 (ja) 1991-12-26 2000-07-12 宇部興産株式会社 耐熱性の接着剤
US5739263A (en) * 1992-06-04 1998-04-14 Sumitomo Bakelite Company Limited Film adhesive and process for production thereof
DE69324662T2 (de) * 1992-12-25 1999-09-02 Itatani Polyamid-Lösungszusammensetzungen und Verfahren zur Herstellung
KR0168245B1 (ko) * 1993-03-16 1999-01-15 리차드 디. 퓨에를 3층 폴리이미드실록산 접착 테이프, 이의 제조 방법 및 이를 사용하여 두 표면을 결합시키는 방법
CN1041034C (zh) * 1993-03-29 1998-12-02 日立化成工业株式会社 半导体组件的制造方法
US6372080B1 (en) * 1993-03-29 2002-04-16 Hitachi Chemical Company, Ltd Process for fabricating a crack resistant resin encapsulated semiconductor chip package
JP2961642B2 (ja) * 1995-05-31 1999-10-12 株式会社巴川製紙所 電子部品用接着テープおよび液状接着剤
JPH0971761A (ja) * 1995-07-06 1997-03-18 Yokohama Rubber Co Ltd:The 絶縁耐熱性接着剤およびその製造方法
KR0159986B1 (ko) * 1995-09-04 1998-12-01 아남산업주식회사 히트싱크 내장형 반도체 패키지의 제조방법 및 그 구조
JPH09249869A (ja) * 1996-03-19 1997-09-22 Sumitomo Bakelite Co Ltd 接着剤組成物
JP3347632B2 (ja) * 1997-01-30 2002-11-20 株式会社巴川製紙所 電子部品用接着テープ
JPH10330616A (ja) * 1997-05-30 1998-12-15 Hitachi Chem Co Ltd 耐熱樹脂ペースト
JP3347026B2 (ja) * 1997-07-23 2002-11-20 株式会社巴川製紙所 電子部品用接着テープ

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Publication number Publication date
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