KR100421517B1 - 전자 부품용 절연성 접착제, 이것을 사용한 리드프레임 및반도체 장치 - Google Patents

전자 부품용 절연성 접착제, 이것을 사용한 리드프레임 및반도체 장치 Download PDF

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가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼
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Abstract

반도체 칩을 리드프레임에 접착하기 위한 전자 부품용 절연성 접착제로서, (A) 폴리스틸렌 환산에 의한 중량 평균 분자량 (Mw) 이 30,000 ∼ 300,000 이며, (B) 중량 평균 분자량 (Mw) / 수평균 분자량 (Mn) 의 비가 5 이하인 수지와 용제를 함유하고, (C) E 형 점도계로 25 ℃ 에 있어서 측정한 회전수 10 rpm 에서의 점도가 5,000 ∼ 100,000 mPaㆍs, 점도비 (η1rpm/η10rpm) 가 1.0 ∼ 6.0 인 전자 부품용 절연성 접착제.

Description

전자 부품용 절연성 접착제, 이것을 사용한 리드프레임 및 반도체 장치{INSULATING ADHESIVE FOR ELECTRONIC PARTS, AND LEAD FRAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME}
근년, 반도체 장치에 있어서는, 반도체 칩의 대형화에 대응하기 위해 패키지구조로서 LOC (Lead On Chip) 및 COL (Chip On Lead) 구조가 사용되고 있다. LOC 구조에는, 이너리드와 칩의 접착에 절연성 접착제층이 딸린 절연수지 필름이 사용되고 있다. 이 반도체 장치의 제조공정으로서는, 우선 미리 절연성 접착제층을 갖는 절연수지 필름을 제작하고, 이것을 금형에 의해 펀칭하여 리드프레임상에 접착고정시킨 후, 열압착에 의해 반도체 칩을 리드프레임상에 탑재한다. 그리고 금선 등의 본딩와이어를 사용하여 칩과 리드프레임을 연결하고, 수지봉지(封止)되는 것이 일반적이다.
이와 같은 절연수지 필름을 사용한 반도체 장치는, 절연성 접착제층을 갖는 절연수지 필름을 금형에 의해 펀칭할 때의 버(burr)의 발생, 실제로 사용하는 절연수지 필름의 면적이 매우 작기 때문에 발생하는 절연수지 필름의 제품수율의 좋지 않음, 또는 절연수지 필름의 재질에 기인하는 흡습성에 따르는 기판 탑재시의 땜납 리플로에서의 패키지크랙 등의 문제가 있다.따라서, 절연수지 필름 대신에 액상의 절연성 접착제를 사용하여 반도체 칩과 리드프레임을 접착하는 방법이 제안되고 있다.예를 들어, 일본 특개평 9-71761호에는, 에폭시 수지를 필수 성분으로 하고 점도가 1000 내지 3000 poise 인 베이스 수지, 경화제 및 요변제를 함유하는 절연내열성 접착제가 개시되어 있다. 에폭시 수지를 주로 함유하는 이 접착제의 경우, 에폭시 수지의 평균 분자량은 낮고 접착제의 점도는 높기 때문에, 접착제가 리드에 도포될 때 형성되는 접착제막의 두께 편차가 크고, 접착제부에서 크랙이 발생할 뿐만 아니라 반도체 칩의 접착시에는 칩이 기울어지는 등의 문제가 발생한다.또한, 일본 특개평 9-249869호에는, 마스크 인쇄 방식에 적합한 접착제로서, 접착제 수지와 무기 필러를 함유하고, 접착제의 점도 범위 b 가 회전 속도 0.1 rpm 에서 1000 ≤b ≤1500 Paㆍs, 0.5 rpm 에서 400 ≤b ≤550 Paㆍs, 1.0 rpm 에서 300 ≤b ≤400 Paㆍs 인 페이스트상의 접착제 조성물이 기재되어 있다. 그러나, 이 접착제의 경우에도, 특개평9-71761호와 마찬가지로, 수지의 분자량은 낮고 접착제의 점도는 높아, 리드에 도포될 때 형성되는 도포막의 두께 편차가 크고, 접착제부에서는 크랙이 발생할 뿐만 아니라 칩 접착시에는 칩이 기울어지는 등의 문제가 발생한다.
본 발명은, 반도체 장치, 특히 LOC (Lead On Chip) 및 COL (Chip On Lead) 구조의 반도체 장치를 구성하는 리드프레임 및 반도체 칩 (칩) 의 접착에 사용되는 전자 부품용 절연성 접착제, 이것을 사용한 리드프레임 및 반도체 장치에 관한 것이다.
도 1 은 본 발명의 반도체 장치의 한 형태의 내부에 있어서의 리드프레임과 반도체 칩을 나타낸 평면도이다.
도 2(1) 은 도 1 의 반도체 장치를, B-B' 선으로 절단한 단면도이고, 도 2(2) 는 도 1 의 반도체 장치를 C-C' 선으로 절단한 단면도이다.
도 3 은 본 발명의 반도체 장치의 한 형태에 있어서의 리드프레임과 반도체 칩을 나타낸 평면도이다.
도 4(1) 은 도 3 의 반도체 장치를, A-A' 선으로 절단한 단면도이고, 도 4(2) 는 도 3 의 반도체 장치를 B-B' 선으로 절단한 단면도이고, 도 4(3) 은 도 3 의 반도체 장치를 C-C' 선으로 절단한 단면도이다.
본 발명의 목적은, 절연수지 필름을 사용하지 않는 반도체 패키지에 있어서의, 반도체 칩과 리드프레임을 접착하기 위한 전자 부품용 절연성 접착제, 이것을 사용한 리드프레임 및 반도체 장치를 제공하는 것이다.
본 발명은, 반도체 칩을 리드프레임에 접착하기 위한 전자 부품용 절연성 접착제로서, (A) 폴리스틸렌 환산에 의한 중량 평균 분자량 (Mw) 이 30,000 ∼ 300,000 이며, (B) 중량 평균 분자량 (Mw) / 수평균 분자량 (Mn) 의 비가 5 이하인 수지와 용제를 함유하고, (C) E 형 점도계로 25 ℃ 에서 측정한 회전수 10 rpm 에서의 점도가 5,000 ∼ 100,000 mPaㆍs, 점도비 (η1rpm/η10rpm) 가 1.0 ∼ 6.0 인 전자 부품용 절연성 접착제 (이하, 절연성 접착제로 부르는 경우가 있음) 를 제공하는 것이다.
본 발명의 전자 부품용 절연성 접착제는, 리드프레임상에 도포했을 때의 전자 부품용 절연성 접착제와 리드프레임과의 접촉각이 20 ∼ 130°및 전자 부품용 절연성 접착제의 건조전의 애스펙트비가 0.05 ∼ 2.0 이며, 또 건조후의 애스펙트비가 0.005 이상인 것이 바람직하다.
또, 본 발명의 전자 부품용 절연성 접착제는, 리드프레임상에 전자 부품용절연성 접착제를 도포하고, 건조시킨 후 흡습시켰을 때, 그 전자 부품용 절연성 접착제의 발포온도가 200 ℃ 이상인 것이 바람직하다.
또, 본 발명의 전자 부품용 절연성 접착제는, 리드프레임상에 전자 부품용 절연성 접착제를 도포하고, 건조시킨 후 흡습시켰을 때, 그 전자 부품용 절연성 접착제의 유리전이온도가 100 ∼ 250 ℃ 인 것이 바람직하다.
또, 본 발명은, 표면에, 본 발명의 전자 부품용 절연성 접착제를 도포하고, 건조시킴으로써 형성된 접착제층을 갖는 리드프레임을 제공하는 것이다.
또, 본 발명은, 리드프레임과, 본 발명의 전자 부품용 절연성 접착제에 의해 리드프레임에 접착된 반도체 칩을 갖는 반도체 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 반도체 장치에 있어서는, 리드프레임이, 본 발명의 전자 부품용 절연성 접착제를 도포하고, 건조시킴으로써 형성된 접착제층을 갖고, 반도체 장치가 그 접착제층에 의해 리드프레임에 접착되어 있는 것이 바람직하다.
본 발명의 반도체 장치에 있어서는, 전자 부품용 절연성 접착제로 접착하는 면적이 반도체 칩 면적의 0.05 ∼ 20 % 인 것이 바람직하다.
또, 본 발명의 반도체 장치로서는, 리드프레임의 이너리드가 반도체 칩의 주회로면상에 배치되고, 반도체 칩 상의 전극패드가 이너리드와 금속세선으로 연결되고, 반도체 칩, 이너리드 및 금속세선이 봉지재로 봉지된 반도체 장치로서, 이너리드 2 개 이상이 전자 부품용 절연성 접착제로 반도체 칩에 접착된 반도체 장치인 것이 바람직하다.
또, 본 발명의 반도체 장치로서는, 리드프레임의 이너리드가 반도체 칩의 주회로면상에 배치되고, 반도체 칩상의 전극패드가 이너리드와 금속세선으로 연결되고, 반도체 칩, 이너리드 및 금속세선이 봉지재로 봉지된 반도체 장치로서, 전원용의 이너리드가 전자 부품용 절연성 접착제로 반도체 칩에 접착되고, 신호용 이너리드가 접착되는 일이 없이 반도체 칩과 이간(離間)되어 배치되고, 신호용 이너리드와 반도체 칩의 주회로면과의 이간거리가 전원용 이너리드와 반도체 칩의 주회로면과의 이간거리보다도 큰 것인 것이 바람직하다.
이하에, 본 발명의 전자 부품용 절연성 접착제, 이것을 사용한 리드프레임 및 반도체 장치에 대해 상세히 설명한다.
본 발명에 사용되는 수지가 상기의 (A) 및 (B) 의 물성을 만족시키는 수지이며, 절연성 접착제가 상기의 (C) 의 물성을 만족시키는 경우에는, 리드프레임의 이너리드에 본 발명의 절연성 접착제를 도포한 경우, 리드프레임으로부터의 튀어나옴 및 액의 흘러내림이 없고, 반도체 장치를 제조함에 있어서의 공정 불량, 즉 사이즈 불량, 패키징 불량, 공정내 오염 등을 잘 일으키기 않는 양호한 작업성을 갖는 전자 부품용 절연성 접착제를 얻을 수 있다.
본 발명의 절연성 접착제에 사용하는 수지로서는, 폴리에테르 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리아미드 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리에테르아미드 수지, 아크릴 수지, 에폭시수지, 비스말레이미드 수지, 실리콘 수지, 또는 이들 수지의 조합 등을 들 수 있지만, 상기 (A) 및 (B) 의 물성을 만족시키고, 용제와 함께 사용하여 접착제로 했을 때에, (C) 의 물성을 만족하는 절연성 접착제를 형성할 수 있는 것이라면, 특별히 제한 없이 다른 수지를 사용해도 된다.
상기 수지 중에서, 극성기인 아미드기, 이미드기 및 에폭시기의 함유량이 1 ∼ 50 중량 %, 보다 바람직하게는 10 ∼ 40 중량 % 의 범위에 있는 수지가 우수한 접착강도를 얻기 위해 바람직하다. 또, 필요에 따라, 에폭시 수지 및 비스말레이미드 수지 등의 가교제, 커플링제, 착색제 등을 적절히 첨가해도 상관없다.
상기의 각종 수지 중에서도, 내열성 및 절연성이 우수한 점에서, 폴리아미드이미드 수지 및 폴리이미드 수지가 바람직하고, 방향족 폴리아미드이미드 수지 및 방향족 폴리이미드 수지가 보다 바람직하다.
본 발명에 사용되는 수지의 폴리스틸렌 환산에 의한 중량 평균 분자량은, 30,000 ∼ 300,000 으로 되고, 50,000 ∼ 150,000 이 바람직하다. 중량 평균분자량이 30,000 미만인 경우는, 도포시의 작업성이 저하될 뿐 아니라, 접착후의 경화피막이 취약하여 반도체 장치의 내열신뢰성이 저하된다. 또, 중량 평균 분자량이 300,000 을 초과하면, 용제로의 용해성이 열악하며, 리드프레임으로의 접착성도 저하된다.
본 발명에 사용되는 수지의 중량 평균 분자량 (Mw) 과 수평균 분자량 (Mn) 과의 비 (Mw/Mn) 는 5 이하로 되고, 1.5 ∼ 3 의 범위가 바람직하다. 중량 평균 분자량과 수평균 분자량의 비 (Mw/Mn) 가 5 를 초과하면, 리드프레임과의 습윤성이 열악하며, 액의 흘러내림, 튐 등을 발생시키기 때문에 작업성이 나빠질 뿐 아니라, 반도체 장치의 내열성도 열화시켜 버린다.
또한, 본 명세서 중, 중량 평균 분자량 및 수평균 분자량의 측정은, 겔 침투 크로마토그래피에 의해 표준 폴리스틸렌의 검량선을 사용하여 행한다.
필요에 따라 첨가되는 커플링제로서는, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐트리스(β-메톡시에톡시)실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, N-β-(아미노에틸)-γ-아미노프로필메틸디메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, N-페닐-γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-메르캅토프로필트리메톡시실란 등의 실란커플링제 및, 티타네이트계 커플링제, 알루미네이트계 커플링제, 지르코알루미네이트계 커플링제 등을 들 수 있다. 커플링제를 첨가할 경우, 그 양은 수지에 대해 통상 0.01 ∼ 20 중량 %, 바람직하게는 0.1 ∼ 10 중량 % 이다.
착색제를 배합할 경우, 그 양은 수지에 대해 통상 0.1 ∼ 50 중량 %, 바람직하게는 3 ∼ 30 중량 % 이다.
본 발명의 절연성 접착제에 사용되는 용제로서는, 사용 수지를 용해하는 것이라면, 특별히 제한되는 것은 아니지만, 벤젠, 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 용제 ; 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논 등의 케톤계 용제 ; 디에틸에테르, 디이소프로필에테르, 테트라히드로푸란, 디옥산, 에틸렌글리콜디메틸에테르, 에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르 등의 에테르계 용제 ; 아세트산에틸, 아세트산-n-프로필, 아세트산이소프로필, 아세트산-n-부틸, 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, γ-부틸로락톤 등의 에스테르계 용제 ; 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈 등의 아미드계 용제 등을 예시할 수 있다. 이들 용제는, 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
상기 용제중에서도, 용해성 및 범용성이 우수한 점에서, N-메틸피롤리돈, 디메틸포름아미드 등의 아미드계 용제, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등의 에스테르계 용제가 바람직하다.
본 발명의 절연성 접착제에 사용하는 용제의 양은, 용제와 수지의 총량에 대한 수지의 비율이 5 ∼ 40 중량 % 가 되는 양으로 하는 것이 바람직하고, 10 ∼ 30 중량% 가 되는 양으로 하는 것이 보다 바람직하고, 15 ∼ 25 중량 % 가 되는 양으로 하는 것이 더욱 바람직하다.
본 발명에서는, 절연성 접착제의 유동성을 콘트롤하기 위해, 예를 들면 실리카, 알루미나, 지르코니아, 티타니아, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 산화마그네슘, 다이아몬드분말, 석영분말, 마이카 등의 무기필러, 불소수지 등의 수지필러 (유기물 필러), 아크릴고무, 부타디엔고무, 니트릴고무, 실리콘고무 등의 고무필러 등을 첨가할 수도 있다. 이들 필러를 첨가하는 경우, 그 첨가량은, 수지의 양에 대해 10 ∼ 200 중량 % 로 하는 것이 바람직하고, 15 ∼ 100 중량 % 로 하는 것이 보다 바람직하다.
본 발명의 절연성 접착제의 점도는, E 형 점도계로 25 ℃ 에서 측정한 회전수 10 rpm 에서의 점도가 5,000 ∼ 100,000 mPa·s 이며, 7,000 ∼ 60,000 mPa·s 가 바람직하다. 절연성 접착제의 점도가 5,000 mPa·s 미만인 경우, 리드프레임으로부터의 액의 흘러내림이 있고, 또 100,000 mPa·s 를 초과하면, 리드프레임에의 도포가 곤란하며, 건조후에 보이드가 발생하기 쉽다.
본 발명의 절연성 접착제의 점도비 (η1rpm/η10rpm) 는, 1.0 ∼ 6.0 이 되며 1.0 ∼ 3.0 이 바람직하다. 일반적으로 점도비가 1.0 미만이 되는 경우는 없고, 또 점도비가 6.0을 초과하면, 절연성 접착제의 유동성 및 도포의 작업성이 저하된다.
본 발명의 절연성 접착제로는, 리드프레임상에 도포했을 때의 절연성 접착제와 리드프레임과의 접촉각이 20°∼ 130°인 것이 바람직하다. 접촉각이 20°미만인 경우, 리드프레임으로부터의 액의 흘러내림이 크고, 또 리드프레임상의 접착제의 막두께가 얇아지고, 반도체 칩의 경사가 발생하기 쉽고, 리드프레임과 반도체 칩이 접촉되어 도통불량을 일으키는 경향이 있다. 또, 반도체 칩과 리드프레임 사이에 충분히 봉지재가 인입되지 않아, 반도체 장치의 신뢰성을 떨어뜨리는 원인이 되는 경향이 있다. 또, 접촉각이 130°를 초과하면, 리드프레임에의 도포시에, 튐에 의한 불량이 발생하는 경향이 있다.
본 발명에 있어서는, 절연성 접착제를 리드프레임상에 도포했을 때의 건조전의 애스펙트비는, 0.05 ∼ 2.0 인 것이 바람직하고, 0.1 ∼ 1.0 이 보다 바람직하다. 건조전의 애스펙트비가 0.05 미만인 경우, 리드프레임상에의 도포량이 감소하고, 반도체 칩 접착시의 접착강도가 저하되는 경향이 있다. 또, 건조전의 애스펙트비가 2.0 을 초과하면, 이너리드의 뒷면에 접착제가 부착되기 쉬워, 이너리드와 반도체 칩의 와이어 본딩이 불가능해지는 경향이 있다. 본 명세서중, 애스펙트비란, 리드프레임상에 도포한 접착제의 높이를 접착제의 저면의 직경으로 나눈 값을 의미하고, 접착제의 도포성을 나타낸다.
또, 본 발명에 있어서는, 절연성 접착제를 리드프레임상에 도포하고, 건조한 후의 애스펙트비는, 0.005 이상인 것이 바람직하다. 건조후의 애스펙트비가 0.005 미만인 경우, 접착제층의 두께가 얇아 반도체 칩에 접착시의 기계적 충격이 흡수되지 않아, 접착강도가 부족한 경향이 있다.
상기 절연성 접착제의 건조전후의 애스펙트비는, 수지의 분자량이나, 용제 또는 유동성을 콘트롤하기 위해 첨가하는 필러에 의해 조정하는 것이 가능하다.
본 발명에 있어서는, 리드프레임상에 절연성 접착제를 도포하고, 건조시킨후 흡습시켰을 때, 그 절연성 접착제의 발포온도가 200 ℃ 이상인 것이 바람직하고, 230 ℃ 이상인 것이 보다 바람직하다. 발포온도가 200 ℃ 미만인 경우, 반도체 패키지의 내(耐) 땜납 리플로성이 좋지 않아, 땜납 리플로시에 패키지 크랙이 발생하기 쉬운 경향이 있다.
본 발명에 있어서는, 리드프레임상에 전자 부품용 절연성 접착제를 도포하고, 건조시킨 후 흡습시켰을 때의, 그 전자 부품용 절연성 접착제의 유리전이온도가 100 ∼ 250 ℃ 인 것이 바람직하다. 흡습시의 유리전이온도가 100 ℃ 미만인 경우, 땜납 리플로시에 패키지 크랙이 발생하는 경향이 있다. 또, 흡습시의 유리전이온도가 250 ℃ 를 초과하면, 반도체 칩의 접착시의 온도가 높아져, 작업성, 신뢰성을 손상하는 경향이 있다.
본 명세서 중, 애스펙트비, 발포온도 및 유리전이온도를 측정할 때의 절연성 접착제의 건조란, 가열에 의해 절연성 접착제로부터 용제를 제거하는 것을 의미한다.
본 발명의 절연성 접착제를 리드프레임상의 소정 위치에 도포하고, 건조하여 프리큐어한 접착제층을 형성함으로써, 본 발명의 리드프레임이 얻어진다. 도포법으로는 특별히 제한되는 것은 아니고, 디스펜스법, 인쇄법, 스탬핑법 등을 적절히 선택하면 된다. 또, 본 발명의 절연성 접착제의 건조온도는, 특별히 제한되는 것은 아니고, 용제, 농도에 따라 적절히 선택할 수 있다. 또, 이 건조에 의해, 접착제중의 용제를 완전하게 제거할 필요는 없다. 이와 같이 리드프레임상에 접착제층을 형성한 후, 그 접착제층을 통하여 반도체 칩을 탑재하고, 가열가압함으로써, 리드프레임과 반도체 칩을 접착할 수 있다.
리드프레임으로는, 반도체 장치에 통상 사용되는 것이라면 특별히 제한없이 사용할 수 있고, 예를 들면, 42 앨로이 리드프레임, Cu 리드프레임, 금속도금 리드프레임 등이 바람직하게 사용된다.
본 발명의 반도체 장치에 있어서는, 반도체 칩과 리드프레임이, 본 발명의 절연성 접착제에 의해 접착되어 있다. 본 발명의 절연성 접착제는, 단독으로 사용할 수 있고, 반도체 칩에 직접 도포해도 되고, 미리 리드프레임상에 도포하여 프리큐어를 실시한 상태인 것을 사용해도 된다.
반도체 칩과 리드프레임의 접착은, 통상, 온도 70 ∼ 400 ℃, 압력 0.05 ∼ 10 kg/㎠, 가압시간 0.1 ∼ 3 초의 조건으로 실시된다.
본 발명에 있어서는, 절연성 접착제로 접착하는 면적이, 반도체 칩의 리드프레임에 상대하고 있는 표면 면적의 0.05 ∼ 20 % 인 것이 바람직하고, 0.1 ∼ 10 % 인 것이 보다 바람직하다. 절연성 접착제로 접착하는 면적이 반도체 칩 면적의 0.05 % 미만인 경우, 리드프레임과 반도체 칩의 접착력이 작아지고, 반송시나 본딩와이어 접합시에 반도체 칩이 탈락되는 경향이 있다. 또, 절연성 접착제로 접착하는 면적이 반도체 칩 면적의 20 % 를 초과하면, 땜납 리플로시에 패키지 크랙이 발생하기 쉬워지는 경향이 있다.
또, 상기 접착력의 저하 또는 땜납 리플로시의 패키지 크랙은, 절연성 접착제 도포시의 애스펙트비, 흡습시의 발포온도 및 유리전이온도를 조정함으로써도 방지할 수 있다.
본 발명의 반도체 장치의 한 형태에 있어서는, 리드프레임의 이너리드가 반도체 칩의 주회로면상에 배치되고, 반도체 칩상의 전극패드가 이너리드와 금속세선으로 연결되고, 반도체 칩, 이너리드 및 금속세선이 봉지재로 봉지된 반도체 장치에 있어서, 이너리드 2 개 이상이 본 발명의 전자 부품용 절연성 접착제로 반도체 칩에 접착된 반도체 장치인 것이 바람직하다. 이너리드 1 개만이 전자 부품용 절연성 접착제로 반도체 칩에 접착된 반도체 장치이면, 밸런스가 나빠 반도체 칩이 기울어지거나, 본딩와이어 접합시, 반송시 등에 반도체 칩이 탈락되기 쉬운 경향이 있다.
도 1 및 도 2 는, 상기 반도체 장치를 도시한 것이다. 도 1 은, 상기에 나타낸 반도체 장치의 내부를 나타내는 평면도이며, 도 2(1) 은 도 1 의 B-B' 선의 단면도이며, 도 2(2) 는 도 1 의 C-C' 선의 단면도이다. 전원용 이너리드 (1) 및 신호용 이너리드 (2) 가 모두 반도체 칩 (4) 의 주회로면 (3) 에 본 발명의 전자 부품용 절연성 접착제 (6) 로 접착되어 있다. 신호용 이너리드 (2) 와 반도체 칩의 주회로면 (3) 사이의 전기용량이 반도체 장치의 성능에 약영향을 주지않는 경우에는, 이 구조를 취할 수 있다. 반도체 칩 (4) 의 주회로면 (3) 상의 전극패드 (5) 가 신호용 이너리드 (2) 와 금속세선 (7) 으로 연결되고, 반도체 칩 (4), 이너리드 (1, 2) 및 금속세선 (7) 이 봉지재 (8) 로 봉지되어 있다.
본 발명의 반도체 장치의 다른 한 형태에 있어서는, 리드프레임의 이너리드가 반도체 칩의 주회로면상에 배치되고, 반도체 칩상의 전극패드가 이너리드와 금속세선으로 연결되고, 반도체 칩, 이너리드 및 금속세선이 봉지재로 봉지된 반도체장치에 있어서, 전원용 이너리드가 본 발명의 전자 부품용 절연성 접착제로 반도체 칩에 접착되고, 신호용 이너리드가 접착되지 않고 반도체 칩과 이간되어 배치되고, 신호용 이너리드와 반도체 칩의 주회로면과의 이간거리가 전원용 이너리드와 반도체 칩의 주회로면과의 이간거리보다도 큰 반도체 장치인 것이 바람직하다. 신호용 이너리드와 반도체 칩의 주회로면과의 이간거리가 전원용 이너리드와 반도체 칩의 주회로면과의 이간거리보다도 작은 반도체 장치이면, 신호용 이너리드와 반도체 칩의 주회로면 사이의 전기용량이 반도체 장치의 성능에 악영향을 주거나, 전원용 이너리드에 금속세선이 접촉되기 쉬워지는 경향이 있다.
도 3 및 도 4 는, 상기에 나타낸 반도체 장치를 도시한 것이다. 도 3 은, 상기에 나타낸 반도체 장치의 내부를 나타내는 평면도이며, 도 4(1) 은 도 3 의 A-A' 선의 단면도이며, 도 4(2) 는, 도 3 의 B-B' 선의 단면도이며, 도 4(3) 은, 도 3 의 C-C' 선의 단면도이다. 반도체 칩 (4) 의 중앙 길이방향을 관통하는 2 조의 전원용 이너리드 (버스바, 1) 만이 반도체 칩의 주회로면 (3) 에 본 발명의 전자 부품용 절연성 접착제 (6) 로 접착되어 있다. 신호용 이너리드 (2) 와 반도체 칩 (4) 의 주회로면 (3) 사이의 전기용량이 반도체 장치의 성능에 악영향을 미치는 경우에는, 신호용 이너리드 (2) 와 반도체 칩 (4) 의 주회로면 (3) 과의 이간거리 (a) 를 전원용 이너리드 (1) 와 반도체 칩 (4) 의 주회로면 (3) 과의 이간거리 (b) 보다도 크게 함으로써, 이 문제를 회피할 수 있다. 또, 동시에, 칩상에 전극패드 (5) 와 신호용 이너리드 (2) 선단간을 금속세선 (7) 으로 연결할 때, 전원용 이너리드 (1) 에 금속세선 (7) 이 접촉되기 어려운 구조로 되어 있고,조립작업성이 우수하다.
본 발명에 사용되는 전자 부품용 절연성 접착제의 탄성률은, 특별히 제한되지는 않지만, 200 ∼ 270 ℃ 에서의 탄성률이 1 MPa 이상인 것이 바람직하고, 10 MPa 이상인 것이 더 바람직하다. 또, 이 탄성률이란, 절연성 접착제를 완전하게 경화시켰을 때의 200 ∼ 270 ℃ 에서의 탄성률을 말한다.
본 발명에 사용되는 전자 부품용 절연성 접착제의 도포방법은, 특별히 제한되지는 않고, 디스펜스법, 인쇄법, 스탬핑법 등을 적절히 선택하면 된다. 또, 본 발명에 사용되는 전자 부품용 절연성 접착제의 건조온도는, 특별히 제한되는 것은 아니고, 용제, 농도에 따라 적절히 선택할 수 있다.
본 발명의 전자 부품용 절연성 접착제를 반도체 칩과 리드프레임과의 접착에 사용하는 방법은 특별한 제한은 없고, 각각의 패키지에 가장 적합한 방법을 적절히 선택할 수 있다.
본 발명의 물성을 갖는 전자 부품용 절연성 접착제는, 종래의 필름상 절연성 접착제를 사용하지 않고 반도체 장치에 사용하는 것이 가능하며, 신뢰성이 우수한 반도체 장치를 제공할 수 있다.
[실시예]
이하에서 실시예에 의해 본 발명을 상세하게 설명하지만, 본 발명은 여기에 한정되는 것은 아니다.
합성예 1
교반기, 온도계, 질소가스도입관, 염화칼슘관을 구비한 50 ㎖ 의 입구가 4개인 플라스크 중에서, BAPP (2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판) 3.895 g (9.5 m㏖) 과 실리콘디아민(1,3-비스(아미노프로필)테트라메틸디실록산) 0.125 g (0.5 m㏖) 을 N-메틸피롤리돈(NMP) 23.0 g 에 용해시킨 후 5 ℃ 이하로 냉각시키면서 무수 트리멜리트산 크롤리드 2.13 g (10 m㏖) 을 첨가하였다. 트리에틸아민 2.02 g (20 m㏖) 을 첨가하고, 5 ℃ 이하에서 5 시간 반응시킨 후, 180 ℃ 에서 5 시간 가열하여 폴리아미드이미드를 합성하였다.
얻어진 폴리아미드이미드의 왁스에 물을 첨가하여 얻어지는 침전을 분리, 분쇄, 건조시켜 폴리아미드이미드 분말을 얻었다.
합성예 2
합성예 1 에서 사용한 BAPP 및 실리콘디아민 대신에 IPDDM (4,4'-디아미노-3,3', 5,5'-테트라이소프로필디페닐메탄) 2.74 g (7.5 m㏖) 및 BAPP 1.025 g (2.5 m㏖) 을 사용하고, 합성예 1 에서 사용한 무수 트리멜리트산 크롤리드 대신에 BABT (비스페놀 A 비스트리멜리테이트 2 무수물) 5.76 g (10 m㏖) 을 사용한 것 외에는, 수지합성예 1 과 동일하게 하여 폴리이미드 분말을 얻었다.
합성예 3
BAPP 의 양을 2.87 g (7 m㏖) 으로 바꾸고, 실리콘디아민 (1,3-비스(아미노프로필) 테트라메틸디실록산) 의 양을 0.75 g (3 m㏖) 로 바꾼 것 외에는, 합성예 1 과 동일하게 하여 폴리아미드이미드 분말을 얻었다.
합성예 4
BAPP 의 양을 2.05 g (5 m㏖) 으로 바꾸고, 실리콘디아민 (1,3-비스(아미노프로필)테트라메틸디실록산) 의 양을 1.25 g (5 m㏖) 로 바꾼 것 외에는, 합성예 1 과 동일하게 하여 폴리아미드이미드 분말을 얻었다.
후술하게 될 실시예 및 비교예에 있어서, 전자 부품용 절연성 접착제가 접착된 리드프레임의 제조, 반도체 장치의 제조, 분자량, 점도, 접촉각, 애스펙트비, 발포온도 및 유리전이온도의 측정은 하기와 같이 행하였다.
리드프레임의 이너리드에, 상기 수지분말을 사용하여 제조된 전자 부품용 절연성 접착제 0.02 ㎖ 를 도 1 에 나타낸 바와 같이 50 점 디스펜스 도포하고, 그 후 90 ℃ 10 분 및 250 ℃ 10 분 (42 앨로이제 리드프레임), 또는 170 ℃ 10 분 (구리제 리드프레임) 의 가열에 의해 건조시켜 전자 부품용 절연성 접착제가 접착된 리드프레임을 제조하였다. 이 리드프레임 상의 접착제를 관찰하여, 건조피막상태를 평가하였다.
상기 방법으로 제조한 전자 부품용 절연성 접착제가 접착된 리드프레임에, 5.5 ㎜ ×13.5 ㎜ 크기의 반도체 칩을 열압착 (온도: 380 ℃, 압력: 3 ㎏/㎠, 가압시간: 3 초) 하여 탑재하고, 이너리드의 선단부와 반도체 칩을 본딩와이어로 접속하여 수지 몰드로 봉지하고, 반도체 장치를 제조하였다. 봉지재로는 히타치가세이고오교(주) 제품의 CEL-9200 을 사용하여, 175 ℃, 90 초, 100 ㎏f/㎠ 의 조건에서 봉지하고, 175 ℃ 에서 6 시간 경화시켰다.
상기 수지의 중량 평균 분자량 (Mw) 및 중량 평균 분자량(Mw)/수평균 분자량(Mn) 의 비는 겔 침투 크로마토그램 (GPC: 검출기 RI) 을 사용하여 하기의 것을 측정하고 산출하였다. 측정수지 10 ㎎ 을 샘플관에 칭량하고 THF 5 ㎖ 로용해한 후, 필터로 여과시켜 측정시료로 하고, 검량선의 제조에는 표준 폴리스티렌을 사용하였다.
칼럼: 히타치 가세이 고오교 제품 (GL-A-100 M 2 개) (연결)
칼럼온도: 25 ℃
용리액: THF
주입량: 500 ㎕ (단, 측정에 사용한 시료는 100 ㎕)
상기 전자 부품용 절연성 접착제의 유리전이온도 (Tg) 는, 접착제를 유리판 상에 막을 형성하고, 90 ℃ 10 분 및 250 ℃ 10 분 건조시켜 필름상의 샘플을 제조하고, 시차주사열량계 (DSC) 를 사용하여 하기 조건에서 측정하였다.
측정조건 : 온도 30 ~ 330 ℃
승온속도 10 ℃/min
샘플량 10 ㎎
분위기 Air 100 ㎖/min
또한, 흡습시의 유리전이온도 (Tgw) 는, 고압 밀폐용기 중에 샘플과 샘플 중량에 대하여 10 중량 % 의 정제수를 넣고 물의 공존하에서 측정하였다.
상기 전자 부품용 절연성 접착제의 점도는, E 형 점도계 (니혼게이기(주) 제품) 의 3°콘을 사용하여 25 ℃ 에서 측정하였다. 또한 측정 시의 콘의 회전수는 10 rpm 인 경우의 점도 (η1 rpm) 와 10.0 rpm 인 경우의 점도(η10 rpm) 를 측정하였다. 또한, 얻어진 점도를η1 rpm/η10 rpm 에 맞추고, 점도비를 산출하였다.
상기 전자 부품용 절연성 접착제의 리드프레임과의 접촉각은, 리드프레임 상에 전자 부품용 절연성 접착제 0.02 ㎖ 를 리드프레임 상의 1 점에 디스펜스 도포하고, 쿄오와가이멘가가꾸(주) 제품의 접촉각계 (CA-D) 를 사용하여, 25 ℃, 60 % RH 의 크린룸내에서 측정하였다.
상기 전자 부품용 절연성 접착제의 애스펙트비는, 리드프레임 상에 절연성 접착제 0.02 ㎖ 를 리드프레임 상의 1 점에 디스펜스 도포하고, 쿄오와 가이멘 가가꾸(주) 제의 접촉각계(CA-D) 를 사용하여 도포형상의 측정을 행하고, 건조(90 ℃ 10 분 및 250 ℃ 10 분(42 앨로이제 리드프레임), 또는 170 ℃ 10 분 (구리제 리드프레임) 의 가열) 전 및 건조 후의 애스펙트비를 산출하였다. 또한, 칩 접착력은 리드프레임에 반도체 칩을 탑재시킨 후, 반도체 칩의 전단 접착강도를 측정하였다.
상기 전자 부품용 절연성 접착제의 발포온도에 대해서는, 전자 부품용 절연성 접착제를 리드프레임 상에 도포 건조시키고(90 ℃ 10 분 및 250 ℃ 10 분 (42 앨로이제 리드프레임), 또는 170 ℃ 10 분 (구리제 리드프레임) 가열, 실온에서 24 시간 수중에 침지시켜 흡습시킨 후, 소정 온도로 설정한 핫플레이트를 몇 개 준비하여 그 위에 각각 시료를 놓고, 발포했을 때의 핫플레이트의 온도를 읽고, 가장 낮은 온도를 발포온도로 하였다.
상기 전자 부품용 절연성 접착제를 사용한 반도체 장치의 내(耐) 땜납 리플로성은, 제조한 반도체 장치를 85 ℃, 85 % RH, 48 시간 흡습 후, 245 ℃ 의 적외선로에서 땜납 리플로를 행하고, 패키지의 크랙 유무를 육안 및 초음파 탐상장치 (히타치겐기(주) 제품, HYE-FOCUS) 로 확인하였다.
실시예 1
합성예 1 에 따라서 수지를 합성하고, 폴리아미드이미드 분말을 얻었다. 중량 평균 분자량 (Mw) 은 80,000, 중량 평균 분자량과 수평균 분자량(Mn) 의 비 (Mw/Mn) 는 1.5 이었다. 얻어진 수지를 N-메틸피롤리돈(NMP)/에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 (BuCA) 의 혼합용제 30 중량%로 용해하여 접착제를 제조하였다. 이 접착제를 NMP/BuCA 혼합용제(중량비 7/3) 로 희석시키고, 점도를 30,000 m㎩ㆍs (η10 rpm) 로 조정하였다. 이 때의 수지 농도는 27 중량 % 이고, 점도비 (η1 rpm/η10 rpm) 는 1.0 이었다.
다음으로, 수지 농도 30 중량 % 의 접착제를 유리판 상에 막형성하고, 90 ℃ 에서 10 분 및 250 ℃ 에서 10 분 건조시켜 얻은 필름의 Tg 는 225 ℃ 이고, 흡습시의 Tg (Tgw) 는 175 ℃ 이었다. 상기 수지 농도 27 중량 % 의 접착제를 42 앨로이제 리드프레임에 디스펜스하고, 리드프레임과의 접촉각, 건조피막상태, 건조 전의 애스펙트비, 건조 후의 애스펙트비, 칩 접착력, 발포온도를 측정하였다. 그 결과를 표 1 에 나타낸다. 또한 패키지의 내땜납 리플로성에 대해서도 크랙의 유무를 확인한 결과를 표 1 에 나타낸다.
비교예 1
접착제의 점도를 500 m㎩ㆍs (수지 농도 : 12 중량 %) 로 한 것 외에는, 실시예 1 과 동일하게 측정한 결과를 표 1 에 나타낸다.
비교예 2
실시예 1 에서 조제한 수지 농도 27 중량 % 의 접착제에, 수지에 대하여 20 중량 % 실리카필러 (덴끼가가꾸고오교 제품, FB-35) 를 첨가하고, 점도를 300,000 m㎩ㆍs(η10 rpm) 로 한 것 외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 측정하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
실시예 2
합성예 2 에 따라서 수지를 합성하고 폴리이미드 분말을 얻었다. 중량 평균 분자량 (Mw) 은 120,000, 중량 평균 분자량과 수평균 분자량의 비 (Mw/Mn) 는 2.2 이었다. 얻어진 수지를 디메틸포름아미드 (DMF) 로 30 중량 % 에 용해시키고 접착제를 제조하였다. 또한 실시예 1 과 동일하게 측정한 Tg 는 250 ℃ 이고, 흡습시의 Tg (Tgw) 는 210 ℃ 이었다.
접착제의 점도를 DMF 에 의하여 희석하고 50,000 m㎩ㆍs (수지 농도: 27 중량 %) (η10 rpm) 로 조정했을 때의 점도비 (η1 rpm/η10 rpm) 는 1.0 이었다. 이 수지 농도 27 중량 % 의 접착제를 사용하여, 건조피막상태, 리드프레임과의 접촉각, 건조 전의 애스펙트비, 건조 후의 애스펙트비, 칩 접착력, 발포온도를 측정한 결과를 표 1 에 나타낸다. 또한, 패키지의 땜납 리플로성에 대해서도 크랙의 유무를 확인한 결과를 표 1 에 나타낸다.
실시예 3
합성예 3 에 의하여 수지를 합성하고 폴리아미드이미드 분말을 얻었다. 중량 평균 분자량 (Mw) 은 60,000, 중량 평균 분자량과 수평균 분자량의 비 (Mw/Mn) 는 1.7 이었다. 얻어진 수지를 NMP 로 30 중량 % 에 용해시키고, 다시대수지 10 중량 % 의 실란커플링제 (도레ㆍ다우코닝실리콘사 제품 : SH6040) 를 첨가하여 접착제를 제조하였다. 또한 실시예 1 과 동일하게 하여 측정한 접착제의 Tg 는 180 ℃ 이고, 흡습시의 Tg (Tgw) 는 130 ℃ 이었다.
접착제의 점도를 NMP 에 의하여 희석하고 8,000 m㎩ㆍs (수지와 용제의 총량 중의 수지의 농도: 20 중량 %) (η10 rpm) 로 조정했을 때의 점도비 (η1 rpm/η10 rpm) 는 1.0 이었다. 이 수지 농도 20 중량 % 의 접착제를 사용하여, 건조피막상태, 리드프레임과의 접촉각, 건조 전의 애스펙트비, 건조 후의 애스펙트비, 칩 접착력, 발포온도를 측정한 결과를 표 1 에 나타낸다. 또한, 패키지의 땜납 리플로성에 대해서도 크랙의 유무를 확인한 결과를 표 1 에 나타낸다.
실시예 4
무수 트리멜리트산 클로리드를 2.17 g 으로 한 것 외에는, 합성예 1 과 동일하게 수지를 합성하고 폴리아미드이미드 분말을 얻었다. 중량 평균 분자량 (Mw) 은 110,000, 중량 평균 분자량과 수평균 분자량의 비 (Mw/Mn) 는 1.8 이었다. 얻어진 수지를 NMP 로 30 중량 % 에 용해시키고, 다시 대수지 10 중량 % 의 실란커플링제 (도레ㆍ다우코닝실리콘사 제품 : SH6040) 를 첨가하여 접착제를 제조하였다. 실시예 1 과 동일하게 하여 측정한 접착제의 Tg 는 230 ℃ 이고, 흡습시의 Tg (Tgw) 는 190 ℃ 이었다.
접착제의 수지에 대하여 20 중량 % 실리콘필러 (도레다우닝실리콘사 제품, 토레피루 E-601) 를 첨가하고, 그 후 점도를 NMP 에 의하여 희석하고 40,000 m㎩ㆍs (수지와 용제의 총량 중의 수지의 농도: 23 중량 %) (η10 rpm) 로 조정했을 때의 점도비 (η1 rpm/η10 rpm) 는 1.5 이었다. 점도조정 후의 이 수지 농도 23 중량 % 의 접착제를 사용하여, 건조피막상태, 리드프레임과의 접촉각, 건조 전의 애스펙트비, 건조 후의 애스펙트비, 칩 접착력, 발포온도를 측정한 결과를 표 1 에 나타낸다. 또한, 패키지의 땜납 리플로성에 대해서도 크랙의 유무를 확인한 결과를 표 1 에 나타낸다.
비교예 3
무수 트리멜리트산 클로리드를 2.45 g 으로 한 것 외에는, 합성예 1 과 동일하게 수지를 합성하고 폴리아미드이미드 분말을 얻었다. 중량 평균 분자량은 10,000, 중량 평균 분자량과 수평균 분자량의 비 (Mw/Mn) 는 1.4 이었다. 접착제의 점도조정을 NMP 로 3,000 m㎩ㆍs (수지 농도: 20 중량 %) (η10 rpm) 로 하고, 실시예 1 과 동일하게 평가한 결과를 표 1 에 나타낸다.
비교예 4
합성예 4 에 따라서 수지를 합성하고 폴리아미드이미드 분말을 얻었다. 중량 평균 분자량 (Mw) 을 측정한 결과 28,000, 중량 평균 분자량과 수평균 분자량의 비 (Mw/Mn) 는 1.6 이었다. 얻어진 수지를 NMP 로 30 중량 % 에 용해시키고, 접착제를 제조하였다. 실시예 1 과 동일하게 하여 측정한 Tg 는 140 ℃ 이고, 흡습시의 Tg (Tgw) 는 90 ℃ 이었다.
접착제를 NMP 에 의하여 희석하고 8,000 m㎩ㆍs (수지 농도: 25 중량 %) (η10 rpm) 로 조정했을 때의 점도비 (η1 rpm/η10 rpm) 는 1.0 이었다. 이 수지 농도 25 중량 % 의 접착제를 사용하여, 건조피막상태, 리드프레임과의 접촉각, 건조 전의 애스펙트비, 건조 후의 애스펙트비, 칩 접착력, 발포온도를 측정한 결과를 표 1 에 나타낸다. 또한, 패키지의 땜납 리플로성에 대해서도 크랙의 유무를 확인한 결과를 표 1 에 나타낸다.
실시예 5
실시예 1 에서 조제한 수지 농도 27 중량 % 의 접착제를 사용하여, 도 1 및 도 2 와 같이 리드프레임과 반도체 칩을 접착하고, 본딩와이어에 의하여 접합한 후 수지봉지하여 반도체 장치를 제조하였다. 봉지재에는 히타치 가세이 고오교 제품 CEL-9200 을 사용하여, 175 ℃, 90 초, 100 ㎏f/㎠ 의 조건에서 봉지를 행하고, 175 ℃ 에서 6 시간 경화시켰다. 이 때 접착면적이 반도체 칩 면적의 2 % 가 되도록 접착제를 리드프레임에 도포하였다. 반도체 칩을 접착 후, 1 m 의 높이에서 낙하시험을 행하였으나, 칩의 탈착은 없고 양호한 접착력을 나타내었다. 또한, 와이어본드 제품수율도 100 % 로 양호한 작업성을 나타내었다.
항목 실시예 1 비교예 1 비교예 2 실시예 2 실시예 3 실시예 4 비교예 3 비교예 4
수지 폴리아미드이미드 폴리아미드이미드 폴리아미드이미드 폴리이미드 폴리아미드이미드 폴리아미드이미드 폴리아미드이미드 폴리아미드이미드
Mw 80,000 80,000 80,000 120,000 60,000 110,000 10,000 28,000
Mw/Mn 1.5 1.5 1.5 2.2 1.7 1.8 1.4 1.6
Tg (℃) 225 225 225 250 180 230 220 140
Tgw (℃) 175 175 175 210 130 190 160 90
η10rpm(mPaㆍs) 30,000 500 300,000 50,000 8,000 40,000 3,000 8,000
η1rpm/η10rpm 1.0 1.0 1.5 1.0 1.0 1.5 1.0 1.0
용제 NMP/BuCA NMP/BuCA NMP/BuCA DMF NMP NMP NMP NMP
접촉각/리드프레임 40˚/42 앨로이 5˚/42 앨로이 70˚/42 앨로이 45˚/42 앨로이 30˚/Cu 50˚/42 앨로이 측정불가능 40˚/Cu
애스펙트비 (건조전) 0.5 0.03 1.2 0.7 0.3 0.8 측정불가능 0.3
애스펙트비 (건조후) 0.1 0.003 0.4 0.2 0.07 0.3 측정불가능 0.05
건조 피막 상태 양호 막두께 얇음측면이면으로의 돌아들어감 있음 보이드다수 양호 양호 양호 피막이 취약하여 막형성 불가 양호
칩접착력(kgf/칩) 1.5 0.1 0.7 1.2 1.3 1.5 측정불가능 0.5
발포온도(℃) 230 측정불가능 측정불가능 240 200 260 측정불가능 150
땜납 리플로시의 패키지크랙의 유무 없음 패키지제조불가능 패키지제조불가능 없음 없음 없음 측정불가능 있음
본 발명이 되는 전자 부품용 절연성 접착제를 사용하면, 특히 LOC (Lead On Chip) 및 COL (Chip On Lead) 구조의 반도체 장치에 적합한 리드프레임 및 신뢰성이 우수한 반도체 장치가 제공된다.

Claims (16)

  1. 반도체 칩을 리드프레임에 접착하기 위한 전자 부품용 절연성 접착제로서, (A) 폴리스틸렌 환산에 의한 중량 평균 분자량 (Mw) 이 30,000 ∼ 300,000 이며, (B) 중량 평균 분자량 (Mw) / 수평균 분자량 (Mn) 의 비가 5 이하인 수지와 용제를 함유하고, (C) E 형 점도계로 25 ℃ 에 있어서 측정한 회전수 10 rpm 에서의 점도가 5,000 ∼ 100,000 mPaㆍs, 점도비 (η1rpm/η10rpm) 가 1.0 ∼ 6.0 인 것을 특징으로 하는 전자 부품용 절연성 접착제.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 리드프레임상에 도포했을 때의 상기 전자 부품용 절연성 접착제와 상기 리드프레임과의 접촉각이 20 ∼ 130°이고, 상기 전자 부품용 절연성 접착제의 건조전의 애스펙트비가 0.05 ∼ 2.0 이며, 건조후의 애스펙트비가 0.005 이상인 것을 특징으로 하는 전자 부품용 절연성 접착제.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 리드프레임상에 상기 전자 부품용 절연성 접착제를 도포하고, 건조시킨 후 흡습시켰을 때, 상기 전자 부품용 절연성 접착제의 발포온도가 200 ℃ 이상인 것을 특징으로 하는 전자 부품용 절연성 접착제.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 리드프레임상에 상기 전자 부품용 절연성 접착제를 도포하고, 건조시킨 후 흡습시켰을 때, 상기 전자 부품용 절연성 접착제의 유리전이온도가 100 ∼ 250 ℃ 인 전자 부품용 절연성 접착제.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 수지는 폴리이미드 수지 또는 폴리아미드이미드 수지인 것을 특징으로 하는 전자 부품용 절연성 접착제.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 수지에 대해 0.01 ∼ 20 중량 % 의 실란커플링제를 더 함유하는 것을 특징으로 하는 전자 부품용 절연성 접착제.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 수지에 대해 10 ∼ 200 중량 % 의 실리콘고무필러를 더 함유하는 것을 특징으로 하는 전자 부품용 절연성 접착제.
  8. 표면에, 제 1 항에 기재된 전자 부품용 절연성 접착제를 도포하고, 건조시킴으로써 형성된 접착제층을 갖는 것을 특징으로 하는 리드프레임.
  9. 리드프레임과, 제 1 항에 기재된 전자 부품용 절연성 접착제에 의해 상기 리드프레임에 접착된 반도체 칩을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 리드프레임은, 제 1 항에 기재된 전자 부품용 절연성 접착제를 도포하고, 건조시킴으로써 형성된 접착제층을 갖고, 상기 반도체 장치는 상기 접착제층에 의해 상기 리드프레임에 접착되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  11. 제 9 항에 있어서, 상기 전자 부품용 절연성 접착제로 접착하는 면적은 상기반도체 칩 면적의 0.05 ∼ 20 % 인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  12. 제 9 항에 있어서, 상기 리드프레임의 이너리드는 상기 반도체 칩의 주회로면상에 배치되고, 상기 반도체 칩상의 전극패드가 상기 이너리드와 금속세선으로 연결되고, 상기 반도체 칩, 상기 이너리드 및 상기 금속세선이 봉지재로 봉지된 반도체 장치에 있어서, 상기 이너리드 2 개 이상이 상기 전자 부품용 절연성 접착제로 상기 반도체 칩에 접착된 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  13. 제 9 항에 있어서, 상기 리드프레임의 이너리드가 상기 반도체 칩의 주회로면상에 배치되고, 상기 반도체 칩상의 전극패드가 상기 이너리드와 금속세선으로 연결되고, 상기 반도체 칩, 상기 이너리드 및 상기 금속세선이 봉지재로 봉지된 반도체 장치에 있어서, 전원용의 이너리드는 상기 전자 부품용 절연성 접착제로 상기 반도체 칩에 접착되고, 신호용 이너리드는 접착되지 않고 상기 반도체 칩과 이간되어 배치되고, 상기 신호용 이너리드와 상기 반도체 칩의 주회로면과의 이간거리가 상기 전원용 이너리드와 상기 반도체 칩의 주회로면과의 이간거리보다도 큰 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  14. 제 1 항에 있어서, 상기 회전수 10 rpm 에서의 점도는 7,000 ∼ 60,000 mPaㆍs 인 것을 특징으로 하는 전자 부품용 절연성 접착제.
  15. 제 1 항에 있어서, 상기 점도비 (η1rpm/η10rpm) 는 1.0 ∼ 3.0 인 것을 특징으로 하는 전자 부품용 절연성 접착제.
  16. 제 1 항에 있어서, 상기 수지의 중량 평균 분자량은 50,000 ∼150,000 인 것을 특징으로 하는 전자 부품용 절연성 접착제.
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