DE102007032074A1 - Elektronische Komponenten darin verkapselndes elektronisches Gehäuse - Google Patents
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Abstract
Eine elektronische Komponenteneinheit, die ein Metallelement und eine elektronische Komponente, wie zum Beispiel ein Halbleiterelement, beinhaltet, das auf das Metallelement montiert ist, ist mit einem Gussharz, wie zum Beispiel einem Epoxidharz, verkapselt, um dadurch ein elektronisches Gehäuse auszubilden. Die elektronische Komponenteneinheit ist mit einer Grundbeschichtung bedeckt, die aus einem Material, wie zum Beispiel Harz, besteht, um eine Haftkraft des Grussharzes an der elektronischen Komponenteneinheit zu erhöhen. Eine Glasübergangstemperatur vo sowohl dem Gussharz als auch der Grundbeschichtung ist auf eine Temperatur von mehr als 200°C festgelegt, um die Haftkraft mindestens bis zu der Umgebungstemperatur von 200°C unverändert zu halten und eine Zuverlässigkeit des elektronischen Gehäuses sicherzustellen. Ein Metallleiterdraht, der mit der elektronischen Komponente verbunden ist, kann zusammen mit der elektronischen Komponenteneinheit verkapselt sein. Eine gesamte Oberfläche der elektronischen Komponenteneinheit kann mit der Grundbeschichtung bedeckt sein, um die Haftkraft weiter zu verbessern.
Description
- HINTERGRUND DER ERFINDUNG
- Die vorliegende Erfindung betrifft ein vergossenes Gehäuse zum Verkapseln von elektronischen Komponenten darin.
- Ein Gehäuse, das eine elektronische Komponenteneinheit verkapselt, die eine elektronische Komponente aufweist, die mit einem Gussharz auf ein Metallelement montiert ist, ist bisher bekannt gewesen. Ein Beispiel dieser Art eines Gehäuses ist in der
JP-A-2006-299246 - Das elektronische Gehäuse dieser Art weist eine kleine Abmessung auf, um einfach in zum Beispiel ein Kraftfahrzeug montiert zu werden, und eine Wärmemenge, die in der elektronischen Komponenteneinheit erzeugt wird, wird hoch. Dies führt zu einer Erhöhung der Temperatur des elektronischen Gehäuses. Wenn die Temperatur des Gehäuses höher wird, wird eine Haftkraft des Gussharzes an der elektronischen Komponenteneinheit niedriger und kann eine Zuverlässigkeit des Gehäuses nicht aufrechterhalten werden. Gemäß Testergebnissen wird die Zuverlässigkeit eines herkömmlichen Gehäuses lediglich bis zu einer Temperatur von ungefähr 150°C aufrechterhalten.
- KURZFASSUNG DER ERFINDUNG
- Die vorliegende Erfindung ist im Hinblick auf das zuvor erwähnte Problem geschaffen worden und eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein verbessertes elektronisches Gehäuse zu schaffen, das eine elektronische Komponenteneinheit darin verkapselt aufweist, wobei eine Zuverlässigkeit des elektronischen Gehäuses bis zu einer Temperatur von 200°C sichergestellt ist.
- Diese Aufgabe wird mit den in Anspruch 1 angegebenen Maßnahmen gelöst.
- Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der vorliegenden Erfindung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
- Eine elektronische Komponenteneinheit, die ein Metallelement und eine elektronische Komponente, wie zum Beispiel ein Halbleiterelement, aufweist, das auf das Metallelement montiert ist, ist mit einem Gussharz verkapselt, um dadurch ein elektronisches Gehäuse auszubilden. Um eine Haftkraft des Gussharzes an der elektronischen Komponenteneinheit zu verbessern, ist eine Oberfläche der elektronischen Komponenteneinheit mit einer Grundbeschichtung bedeckt, die aus einem Material, wie zum Beispiel Harz, besteht.
- Um eine Zuverlässigkeit des elektronischen Gehäuses bis zu der Umgebungstemperatur von 200°C sicherzustellen, werden das Gussharz und die Grundbeschichtung verwendet, die beide eine Glasübergangstemperatur bzw. einen Glaspunkt von höher als 200°C aufweisen. Auf diese Weise werden sowohl das Gussharz als auch die Grundbeschichtung mindestens bis zu 200°C unverändert gehalten und wird die Haftkraft des Gussharzes aufrechterhalten. Daher wird eine Zuverlässigkeit des elektronischen Gehäuses mindestens bis zu der Umgebungstemperatur von 200°C sichergestellt.
- Ein Metallleiterdraht, der mit der elektronischen Komponente, die auf das Metallelement montiert ist, über einen Kontaktierungsdraht verbunden ist, kann ebenso mit dem Gussharz verkapselt sein. Eine gesamte Oberfläche der elektronischen Komponenteneinheit kann mit der Grundbeschichtung bedeckt sein, um die Verbindungskraft zwischen dem Gussharz und der elektronischen Komponenteneinheit weiter zu verbessern.
- Die vorliegende Erfindung wird nachstehend anhand eines Ausführungsbeispiels unter Bezugnahme auf die beiliegende Zeichnung näher erläutert.
- Es zeigt:
-
1 eine Querschnittsansicht eines elektronischen Gehäuses, das darin eine elektronische Komponenteneinheit verkapselt, gemäß der vorliegenden Erfindung; -
2 einen Graph einer Haftkraft eines Gussharzes bezüglich der Umgebungstemperatur in einem Vergleichsbeispiel; und -
3 einen Graph einer Haftkraft eines Gussharzes bezüglich der Umgebungstemperatur, in welchem ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung und ein Vergleichsbeispiel verglichen werden. - DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DES BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSBEISPIELS
- Ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung wird unter Bezugnahme auf die beiliegende Zeichnung beschrieben. Wie es in
1 gezeigt ist, ist eine elektronische Komponenteneinheit50 mit einem Gussharz60 , wie zum Beispiel einem Epoxidharz, verkapselt, um dadurch ein elektronisches Gehäuse100 auszubilden. Die elektronische Komponenteneinheit50 beinhaltet eine elektronische Komponente, wie zum Beispiel ein Halbleiterelement, das mit einem Verbindungsmaterial30 , wie zum Beispiel Lot oder ein Epoxidharz, auf ein Metallelement50 montiert ist, und einen Leiterdraht11 , der über einen Kontaktierungsdraht40 mit der elektronischen Komponente20 elektrisch verbunden ist. Eine gesamte Oberfläche der elektronischen Komponenteneinheit50 ist mit einer Grundbeschichtung70 bedeckt, die aus einem Harzmaterial, wie zum Beispiel Polyamid oder Polyimid, besteht, so dass das Gussharz60 fest an der elektronischen Komponenteneinheit50 haftet. - Das Metallelement
10 ist in diesem besonderen Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung in einer rechteckigen Form ausgebildet und besteht aus einem Metallmaterial, wie zum Beispiel Kupfer, Nickel oder Eisen. Die elektronische Komponente20 kann ein Halbleiterelement sein, das aus einem Material, wie zum Beispiel Silizium bzw. Si, Siliziumkarbid bzw. SiC oder Galliumnitrid bzw. GaN, besteht. Das elektronische Element wird in bekannten Halbleiterverfahren verarbeitet. Die elektronische Komponente20 ist über den Kontaktierungsdraht40 , der aus Gold, Aluminium oder dergleichen besteht, elektrisch mit dem Leiterdraht11 verbunden, der aus Kupfer, Nickel oder dergleichen besteht. Ein gesamte Oberfläche der elektronischen Komponenteneinheit50 (die aus dem Metallelement10 , der elektronischen Komponente20 und einem Leiterdraht11 und dem Kontaktierungsdraht40 besteht) ist mit der Grundbeschichtung70 bedeckt. Ein Teil des Leiterdrahts11 dehnt sich nach außerhalb des Gehäuses100 aus, um elektrisch mit anderen elektronischen Schaltungen verbunden zu sein. - Das elektronische Gehäuse
100 wird in einem bekannten Verfahren hergestellt. Das heisst, die elektronische Komponenteneinheit50 ist durch Eintauchen der Einheit50 in die Grundbeschichtung70 oder durch Bedecken der Oberfläche der Einheit50 mit der Grundbeschichtung70 bedeckt. Dann wird die Einheit50 in eine Gussform gelegt und mit dem Gussharz60 vergossen. - Das Gussharz
60 , das in diesem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung verwendet wird, ist ein Epoxidharz, das eine Glasübergangstemperatur von mehr als 200°C aufweist. Die Grundbeschichtung70 weist ebenso eine Glasübergangstemperatur von mehr als 200°C auf. Dies bedeutet, dass, wenn die Temperatur des elektronischen Gehäuses100 aufgrund von Wärme, die innerhalb erzeugt wird, oder der Umgebungstemperatur 200°C erreicht, wird die Haftkraft des Gussharzes60 aufrechterhalten und wird die Zuverlässigkeit des elektronischen Gehäuses100 sichergestellt. - In einem herkömmlichen elektronischen Gehäuse sind das Gussharz und die Grundbeschichtung, die beide die Glasübergangstemperatur von mehr als 200°C aufweisen, nicht verwendet worden. Wenn die Temperatur des Gehäuses
100 höher als die Glasübergangstemperatur des Gussharzes wird, verschlechtert sich eine Verkapselungsfähigkeit des Gussharzes. Ähnlich kann, wenn die Gehäusetemperatur höher als die Glasübergangstemperatur der Grundbeschichtung wird, ein Haften der Grundbeschichtung nicht aufrechterhalten werden. - Die Glasübergangstemperatur des Gussharzes
60 und der Grundbeschichtung70 kann durch verschiedene bekannte Verfahren auf eine Temperatur von höher als 200°C angehoben werden. Bezüglich des Gussharzes60 sind einige beispielhafte Wege wie folgt: Ein Epoxidharz, das mehrere funktionale Gruppen (mehr als drei funktionale Gruppen) aufweist, wird verwendet; eine Brückenstruktur wird in ein Härtemittel eingebracht, das Brückenstrukturen in dem Harz ausbildet, um dadurch eine Dichte von Brückenstrukturen in dem Harz zu erhöhen; Hybridepoxid, welches durch Einbringen von anorganischen Strukturen, wie zum Beispiel Si-O, in Epoxidharz erzeugt wird, wird verwendet; oder ein A-denaturisiertes Amid/Imidmaterial wird verwendet. Bezüglich der Grundbeschichtung70 kann ein Material, das eine aromatische Amidstruktur oder eine aromatische Imidstruktur beinhaltet, verwendet werden. - Es ist durch die Tests bestätigt worden, dass die Zuverlässigkeit des elektronischen Gehäuses
100 durch Festlegen der Glasübergangstemperatur von sowohl dem Gussharz60 als auch der Grundbeschichtung70 auf eine Temperatur von höher als 200°C bis zu einer Temperatur von 200°C sichergestellt wird. Es ist wichtig, die Glasübergangstemperatur auf eine Temperatur von höher als 200°C sowohl für das Gussharz60 als auch die Grundbeschichtung70 anzuheben. Wenn die Glasübergangstemperatur lediglich für entweder das Gussharz60 oder die Grundbeschichtung70 angehoben wird, kann die Zuverlässigkeit des elektronischen Gehäuses100 nicht bis zu 200°C sichergestellt werden. Einige der Testergebnisse sind in den2 und3 gezeigt. - Als ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung wird die folgende Probe hergestellt: Das Metallelement
10 besteht aus Nickel bzw. Ni und das Metallelement10 wird mit dem Gussharz60 verkapselt, nachdem das Metallelement10 mit der Grundbeschichtung70 bedeckt worden ist. Die Glasübergangstemperatur ist für das Gussharz60 auf 280°C und für die Grundbeschichtung70 auf 290°C festgelegt. Als ein Vergleichsbeispiel wird das elektronische Gehäuse100 unter Verwendung eines herkömmlichen Gussharzes60 , das eine Glasübergangstemperatur von 170°C aufweist, und einer herkömmlichen Grundbeschichtung hergestellt, die die Glasübergangstemperatur von 230°C aufweist. -
2 zeigt die Testergebnisse für das Vergleichsbeispiel. Eine Haftkraft (in MPa) des Gussharzes wird unter verschiedenen Umgebungstemperaturen gemessen. Es ist aus dem Graph, der in2 gezeigt ist, zu sehen, dass die Haftkraft an einem ausreichenden Pegel bis zu der Umgebungstemperatur von 150°C aufrechterhalten wird, aber sich schnell verringert, wenn die Umgebungstemperatur höher als 150°C wird.3 zeigt die Testergebnisse für das Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung (die Testergebnisse für das Vergleichsbeispiel sind ebenso mit einer gestrichelten Linie zum Vergleichszweck gezeigt). Es ist aus dem Graph zu sehen, dass die Haftkraft des Gussharzes gut bis zu der Umgebungstemperatur von 200°C aufrechterhalten wird. - Die Glasübergangstemperatur, die in dem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung festgelegt wird, das zuvor beschrieben worden ist, ist lediglich ein Beispiel. Die Glasübergangstemperatur für sowohl das Gussharz
60 als auch die Grundbeschichtung70 kann verschieden geändert werden, solange sie höher als 200°C ist. Es ist jedoch bevorzugt, die Glasübergangstemperatur von sowohl dem Gussharz60 als auch der Grundbeschichtung70 auf 250°C oder höher festzulegen, um eine bestimmte Grenze aufzuweisen. - Die vorliegende Erfindung ist nicht auf das zuvor beschriebene Ausführungsbeispiel beschränkt, sondern kann verschieden ausgestaltet werden. Zum Beispiel kann das Halbleiterelement
20 , das auf das Metallelement10 montiert ist, durch andere elektronische Komponenten, wie zum Beispiel einen Kondensator oder ein Widerstandselement, ersetzt werden. Weiterhin können mehrere elektronische Komponenten auf das Metallelement10 montiert sein. Der Leiterdraht11 muss nicht verwendet werden. In diesem Fall kann ein Teil des Metallelements10 nach außerhalb des Gussharzes60 ausgedehnt sein, um eine elektrische Verbindung zu bilden. Es ist ebenso möglich, einen Teil der elektronischen Komponenteneinheit50 mit der Grundbeschichtung70 zu bedecken, anstatt seine gesamte Oberfläche zu bedecken. - Während die vorliegende Erfindung unter Bezugnahme auf das vorhergehende bevorzugte Ausführungsbeispiel gezeigt und beschrieben worden ist, versteht es sich für Fachleute, dass Änderungen in Form und Detail darin durchgeführt werden können, ohne den Umfang der Erfindung zu verlassen, wie er in den beiliegenden Ansprüchen definiert ist.
- Eine zuvor beschriebene erfindungsgemäße elektronische Komponenteneinheit, die ein Metallelement und eine elektronische Komponente, wie zum Beispiel ein Halbleiterelement, beinhaltet, das auf das Metallelement montiert ist, ist mit einem Gussharz, wie zum Beispiel einem Epoxidharz, verkapselt, um dadurch ein elektronisches Gehäuse auszubilden. Die elektronische Komponenteneinheit ist mit einer Grundbeschichtung bedeckt, die aus einem Material, wie zum Beispiel Harz, besteht, um eine Haftkraft des Gussharzes an der elektronischen Komponenteneinheit zu erhöhen. Eine Glasübergangstemperatur von sowohl dem Gussharz als auch der Grundbschichtung ist auf eine Temperatur von mehr als 200°C festgelegt, um die Haftkraft mindestens bis zu der Umgebungstemperatur von 200°C unverändert zu halten und eine Zuverlässigkeit des elektronischen Gehäuses sicherzustellen. Ein Metallleiterdraht, der mit der elektronischen Komponente verbunden ist, kann zusammen mit der elektronischen Komponenteneinheit verkapselt sein. Eine gesamte Oberfläche der elektronischen Komponenteneinheit kann mit der Grundbschichtung bedeckt sein, um die Haftkraft weiter zu verbessern.
Claims (3)
- Elektronisches Gehäuse (
100 ), das aufweist: eine elektronische Komponenteneinheit (50 ), die ein Metallelement (10 ) und eine elektronische Komponente (20 ) aufweist, die auf das Metallelement (10 ) montiert ist; ein aus Epoxidharz bestehendes Gussharz (60 ) zum Verkapseln der elektronischen Komponenteneinheit (50 ), und eine eine Oberfläche der elektronischen Komponentenenheit (50 ) bedeckende Grundbeschichtung (70 ) zum Sicherstellen eines Haftens des Gussharzes (60 ) an der elektronischen Komponenteneinheit (50 ), wobei eine Glasübergangstemperatur des Gussharzes (60 ) und der Grundbeschichtung (70 ) höher als 200°C ist. - Elektronisches Gehäuse nach Anspruch 1, wobei die elektronische Komponenteneinheit (
50 ) weiterhin einen Leiterdraht (11 ) beinhaltet, der über einen Kontaktierungsdraht (40 ) elektrisch mit der elektronischen Komponente (20 ) verbunden ist. - Elektronisches Gehäuse nach Anspruch 1, wobei eine gesamte Oberfläche der elektronischen Komponenteneinheit (
50 ) mit der Grundbeschichtung (70 ) bedeckt ist.
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Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012004282A (ja) * | 2010-06-16 | 2012-01-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
EP2448378A1 (de) * | 2010-10-26 | 2012-05-02 | ATOTECH Deutschland GmbH | Verbundtoffbaumaterialien zum Einbetten aktiver Komponenten |
JP2013135061A (ja) * | 2011-12-26 | 2013-07-08 | Toyota Motor Corp | 半導体装置の製造方法 |
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Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6280339A (ja) * | 1985-10-02 | 1987-04-13 | Nissan Motor Co Ltd | 自動変速機のバツクアツプ圧制御装置 |
JPH02308557A (ja) * | 1989-05-24 | 1990-12-21 | Hitachi Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
JPH05175262A (ja) * | 1991-12-26 | 1993-07-13 | Hitachi Chem Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
US5353498A (en) * | 1993-02-08 | 1994-10-11 | General Electric Company | Method for fabricating an integrated circuit module |
US6046072A (en) * | 1993-03-29 | 2000-04-04 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Process for fabricating a crack resistant resin encapsulated semiconductor chip package |
US6372080B1 (en) * | 1993-03-29 | 2002-04-16 | Hitachi Chemical Company, Ltd | Process for fabricating a crack resistant resin encapsulated semiconductor chip package |
JPH0770316A (ja) * | 1993-09-03 | 1995-03-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用熱硬化性樹脂組成物 |
JPH0770317A (ja) * | 1993-09-03 | 1995-03-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用熱硬化性樹脂組成物 |
JPH07165889A (ja) * | 1993-12-16 | 1995-06-27 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 封止用樹脂組成物 |
US5866952A (en) * | 1995-11-30 | 1999-02-02 | Lockheed Martin Corporation | High density interconnected circuit module with a compliant layer as part of a stress-reducing molded substrate |
TW378345B (en) * | 1997-01-22 | 2000-01-01 | Hitachi Ltd | Resin package type semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2000200864A (ja) | 1998-10-30 | 2000-07-18 | Sony Corp | 半導体装置 |
JP2000169555A (ja) * | 1998-12-11 | 2000-06-20 | Toray Ind Inc | 半導体装置 |
JP2002053643A (ja) * | 2000-08-10 | 2002-02-19 | Sumikin Chemical Co Ltd | エポキシ樹脂用硬化剤及びこれを用いた半導体封止用組成物 |
US6982642B1 (en) * | 2000-11-20 | 2006-01-03 | International Business Machines Corporation | Security cloth design and assembly |
WO2004053931A2 (en) * | 2002-12-09 | 2004-06-24 | Advanced Interconnect Technologies Limited | Package having exposed integrated circuit device |
JP4319591B2 (ja) * | 2004-07-15 | 2009-08-26 | 株式会社日立製作所 | 半導体パワーモジュール |
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