DE937189C - Verfahren zur Aufbereitung von Germanium zwecks Nutzbarmachung seiner Halbleitereigenschaften - Google Patents
Verfahren zur Aufbereitung von Germanium zwecks Nutzbarmachung seiner HalbleitereigenschaftenInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Aufbereitung von Germanium zwecks Nutzbarmachung
seiner Halbleitereigenschaften sowie zwecks Beeinflussung seiner sonstigen elektrischen Eigenschaften.
Bekanntlich können mit Hilfe von Germanium, insbesondere von spektroskopisch reinem Germanium,
Vorrichtungen mit asymmetrischer Leitfähigkeit (Gleichrichter) aufgebaut werden, die
gegenüber Gleichrichtern mit anderen Halbleitern den Vorteil einer geringen Kapazität haben.
Bei der Untersuchung der Spannungs-Stromstärke-Kennlinien von Germaniumgleichrichtern
ergeben sich ganz bedeutende Unterschiede dieser Werte gegenüber ähnlichen Kenndaten. Insbesondere
die sogenannte »Flußstromstäxke« unter der Spannung von 1 Volt sowie die Höchstspannung
(Sperrspannung), die der Gleichrichter im äußersten Falle noch zu ertragen vermag, ergeben
sich bei mehreren Versuchsobjekten als beträchtlich verschieden, obgleich das bei sämtlichen
Ausführungsformen verwendete Germanium als überaus rein zu betrachten ist.
Genauere Untersuchungen zeigen, daß zwischen der elektrischen Leitfähigkeit eines Germaniumkörpers
oder -stängelchens und der von ihm zu erwartenden elektrischen Leitfähigkeit ein bestimmtes
Verhältnis besteht. Eine hohe Leitfähigkeit weist
auf eine hohe Flußstromstärke hin, wobei die Sperrspannung klein bleibt, während eine geringe
Leitfähigkeit auf eine relativ geringe Flußstromstärke und eine hohe Sperrspannung hinweist.
Es ist bereits bekannt, daß man die Sperrspannung durch Zusetzen bestimmter Mengen anderer
Körper oder Stoffe beim Germanium erhöhen kann. Bekannt ist ferner, daß diese Sperrspannung
ganz bedeutend erhöht · werden kann durch ίο Schmelzen des Germaniums in neutraler Atmosphäre,
beispielsweise in Stickstoff. Ein gleiches Ergebnis ist durch Zusatz von Spuren gewisser
Metalle, beispielsweise von Zinn, zu erreichen, wobei man das Germanium auch gleichzeitig beiden
Verfahren unterwerfen kann, die auch in beliebiger Reihenfolge angewendet werden können.
Das Schmelzen von Germanium in neutraler Atmosphäre hat aber den Nachteil, daß das Gleichgewicht
zwischen der Germaniumschmelze und dem beispielsweise verwendeten Stickstoff nur sehr
langsam hergestellt wird. Andererseits ist das Versetzen des Germaniums mit gewissen metallischen
Zusätzen von der Art des Zinns ein ziemlich schwer durchzuführender Prozeß, sofern gute Ergebnisse
erwartet werden, da man nur auf umständliche Art eine vollständig gleichförmige Verteilung des Zusatzmaterials
in der Germaniummasse erreichen kann.
Man hat deshalb schon das geschmolzene Germanium mit einem Strom von neutralem Gas, insbesondere
von Stickstoff oder einem stickstoffhaltigen Gasgemisch durchblasen, wodurch die elektrischen
Eigenschaften des verarbeiteten Metalls beeinflußt werden können. Gleichzeitig werden
durch diese vor allem physikalische Behandlung der Germaniumschmelze mit dem Gasstrom gewisse
leicht verdampfbare Zusätze mitgerissen. Dies gilt insbesondere für Arsen, dessen geringste Spuren
die Germaniumleitfähigkeit entsprechend dem Gehalt an diesem Element aufs stärkste beeinflussen.
Durch das Einblaseverfahren werden infolge der gründlichen Durchmischung der Schmelze gleichzeitig
die üblichen Zusätze an gewissen Metallen, z. B. Zinn, besser verteilt. Auch wird gegenüber
dem einfachen Schmelzen in neutraler Atmosphäre das Gleichgewicht .zwischen dem geschmolzenen
Germanium und dem neutralen Gas schneller hergestellt. Man kann so insbesondere den Wert der
Sperrspannung des Germaniums entsprechend der Durchgangsdauer des Gässtroms beliebig heraufsetzen,
wodurch dem Germanium besondere elektrische Eigenschaften eingeprägt werden können.
Dieses bekannte Verfahren, bei dem der Gasstrom in die Germaniumschmelze bei einer Temperatur
der Schmelze oberhalb des Schmelzpunktes des Germaniums eingeleitet wird, führt j edoch noch
nicht zu befriedigenden Ergebnissen, denn es zeigte sich, daß die Elektronenbeweglichkeit, die elektrische
Leitfähigkeit und die Elektronenkonzentration von der Lage der Meßstelle, an der sie an
einem Germaniumstäbchen gemessen werden, sehr abhängig sind, und daß die Elektronenbeweglichkeit,
die elektrische Leitfähigkeit und die Elek-"tronenkonzentration
in dem Germaniumstäbchen von Punkt zu Punkt recht beträchtliche Schwankungen erfahren. So waren bei einer Probe an den
Stellen von 1 cm und 1,75 cm Abstand vom Stabende ganz ausgeprägte Spitzen in den Meßkurven
festzustellen,.und zwar sogar in entgegengesetztem Sinn als Minimum und Maximum, wobei beim-Übergang
von 1,75 cm bis zu einer Stelle etwas über 3,5 cm Abstand vom Ende des Germaniumstäbchens
ganz bedeutende. Schwankungen auftraten. Diese Unregelmäßigkeit ist offensichtlich
äußerst nachteilig, denn beim Zerschneiden oder Zerteilen eines so erhaltenen Germaniumstäbchens
treten für die Einzelstücke des zerteilten Stäbchens statt der erwünschten im wesentlichen gleichmäßigen
Kennwerte völlig verschiedene auf, je nach der Stelle, an der das Teilstück des Germanium-Stäbchens
genommen worden ist.
Die Erfindung beseitigt diesen Nachteil und liefert Germaniumkörper bzw. -stäbchen mit sehr
viel gleichmäßigeren Werten der Elektronenbeweglichkeit, elektrischen Leitfähigkeit und Elektronenkonzentration
an verschiedenen aufeinanderfolgenden Punkten des Germaniumstäbchens.
Das erfindungsgemäße Verfahren zur Aufbereitung von Germanium zwecks Nutzbarmachung
seiner Halbleitereigenschaften sowie zwecks Beeinflussung seiner sonstigen elektrischen Eigenschaften, bei dem durch, die Germaniumsc'hmelze
ein Strom eines neutralen oder im'wesentlichen neutralen Gases hindurchgeleitet wird, ist dadurch
gekennzeichnet, daß der Gasstrom während der Abkühlung der Germaniumschmelze in dem Augenblick
hindurchgeblasen oder sonstwie mit ihr in Berührung gebracht wird, in dem die Temperatur des
Germaniums sich etwas unter seiner Schmelztemperatur befindet und in dem die Germaniumschmelze xoo
sich im unterkühlten Zustand befindet.
Der Gasstrom wird also durch die Germaniumschmelze während des Abkühluragsprozesees in dem
Augenblick hindurchgeleitet, in dem die Temperatur des Germaniums etwas unter seiner Schmelztemperatur
liegt, d. h. wenn das Germanium sich in einem Zustand befindet, bei dem es noch flüssig
bleibt, obgleich die Temperatur niedriger als sein gewöhnlicher· Erstarrungspunkt ist.
Das Durchleiten des neutralen Gasstromes durch die Germaniumschmelze im unterkühlten Zustand
liefert das überraschende Ergebnis, daß sehr viel größere Germaniumkristalle erhalten werden, was
eine größere Homogenität des spezifischen Widerstandes des Germaniums sowie des Hall-Effektes
nach sich zieht. Ferner wird durch das Einblasen in dem Zustand, in dem das Germanium sich trotz
Unterschreiten der Erstarrungstemperatur noch im flüssigen Zustand befindet, die Menge des im Germanium"
aufgelösten Gases vergrößert, und es wurde festgestellt, daß diese Vergrößerung der gelösten
Gasmenge größere Germaniunikristalle mit den sich daraus ergebenden schon erwähnten Vorteilen
liefert.
Die erfindungsgemäße Verfahrensart ist insbesondere dann vorteilhaft, wenn ganz bestimmte
Eigenschaften des gewünschten Halbleiters erzielt" werden sollen. Dies ist insbesondere dann zu beobachten,
wenn ein Gasstrom verwendet wird, dessen Durchleitung zur Bildung von Ge3N2 oder
Ge3N4 führt. Durch die Einleitung eines solchen
Gasstromes in die Germaniumschmelze, wenn diese sich im unterkühlten Zustand befindet, wird
die Bildung von Komplexverbindungen wie Ge3N2
und Ge3N4 und die Verbindung des Stickstoffs mit
den Verunreinigungen, beispielsweise mit Arsen, sehr begünstigt, da die Temperatur viel tiefer liegt,
und diese Komplexverbindungen sind bei erhöhten Temperaturen im allgemeinen instabil. Durch die
erfindungsgemäße Verfahrensweise fördert man die Bildung der in Frage stehenden Komplexverbindungen
beträchtlich, die, wie man sagt, selbst die Kristallisation und die Elimination der Verunreinigungen
des Germaniums in seiner festen Form begünstigen.
Führt man mit einem nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten Germaniumstäbchen
Messungen durch, so ist festzustellen, daß die Elektronenbeweglichkeit, die elektrische Leitfähigkeit
und die Elektronenkonzentration an verschiedenen aufeinanderfolgenden Punkten des Germaniumstäbchens
viel regelmäßiger sind, und bei Aufzeichnung der Meßwerte ergeben sich ausgesprochen
horizontale Meßkurven ohne die bei dem bekannten Verfahren auftretenden beträchtliehen
Schwankungen. Jedes Teilstück des zum Gebrauch zerschnittenen oder sonstwie zerteilten
Germaniumsitäbchens hat somit im wesentlichen die gleichen Kennwerte wie jedes andere Einzelstück.
Das erfindungsgemäße Verfahren wird mit einer Vorrichtung durchgeführt, die einen Graphittiegel
enthält, in dem das Germanium eingebracht wird. Der Tiegel steht in einem Raum, der mit einer Luftpumpe
verbunden ist und eine Düse zum Einleiten des Gasstromes in die Germaniumschmelze sowie
Mittel zum Schmelzen des Germaniums etwa durch Außenbeheizung des Tiegels, beispielsweise vermittels
einer Induktionsheizspule, aufweist. Die Gasstromdüse kann beispielsweise von der offenen
Tiegelseite her in das Germanium eintauchen, sie kann aber auch bei einer anderen Ausführungsform
im Boden des Tiegels in Form von kleinen Löchern münden, deren Abmessungen so sind, daß die Oberflächenspannung
der Germaniumschmelze jedes Entweichen des geschmolzenen Metalls durch die Löcher hindurch vollständig verhindert. Bei einer
anderen Ausführungsform steht der Boden des Tiegels mit einer Gießform in Verbindung und ist
durch einen Graphitstöpsel mit kleinen Löchern abgeschlossen, deren Abmessungen kein Entweichen
des geschmolzenen Germaniums zulassen, und diese Löcher sind mit der Düse zur Zuleitung des Gasstromes
verbunden. Das Gießen in die Gußform ergibt kleine Germaniumstängelchen. In den Zeichnungen sind drei Ausführungsbeispiele
der Einrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens schematisch dargestellt.
Fig. ι zeigt im Vertikalschnitt eine Vorrichtung,
bei der die Zuleitungsdüse für den Gasstrom in die 6g Germamumschmelze im Tiegel eintaucht;
Fig. 2 zeigt im Vertikalschnitt eine Vorrichtung, bei der der Gasstrom durch den Tiegelboden hindurch
eingeleitet wird;
Fig. 3 zeigt im Vertikalschnitt eine Vorrichtung zum Gießen des Germaniums in Form von
Stängelchen, wobei der Raum, in dem der Tiegel und die Gießform untergebracht sind, nicht dargestellt
ist.
Gemäß Fig. 1 enthält die Einrichtung zur Durchführung
des erfindungsgemäßen Verfahrens einen Tiegel 1 aus reinstem Graphit — was aus chemischen
Erwägungen geboten erscheint — dessen Temperatur .im Innern beispielsweise durch ein
Thermoelement 2 gemessen werden kann. Der Tiegel wird durch eine Stelze 3 getragen, die beispielsweise
aus Steatit sein kann. Das Ganze ist von einer Quarzröhre 4 eingeschlossen, die durch
einen Stutzen 5 mit einer nicht dargestellten Luftpumpe verbunden ist. Die beiden Enden der Röhre 4
sind durch Stöpsel 6 und 7 verschlossen. Durch den oberen Stöpsel 7 ist die Düse 8 hindurchgeführt,
die beispielsweise die Gestalt einer Kapillarrohre aus Quarz haben kann. Sie ist in die
im Tiegel 1 enthaltene Germaniumschmelze getaucht und dient zum Einleiten des Gasstromes,
der aus Stickstoff oder einem stickstoffhaltigen Gasgemisch bestehen kann; dieser Gasstrom bläst
zuerst durch die Germaniumschmelze hindurch und entweicht durch den ringförmigen Raum
zwischen dem Tiegel und der Röhre 4 in den Unterteil der letzteren, von wo er durch die Luftpumpe
abgesaugt wird.
Die Abdichtung der Stelle, an der die Düse 8 ins Innere des Rohres 4 eindringt, erfolgt mit Hilfe
einer Unterlage 9, die beispielsweise aus Kautschuk sein kann und durch eine Mutter 10 zusammengedrückt
wird. Diese Mutter ist auf einem mit einem entsprechenden Gewinde versehenen Teil
des Stöpsels 7 aufgeschraubt. Die Abdichtung des unteren Stöpsels 6 erfolgt durch eine Kautschukeinlage
11, die durch eine Mutter 12 zusammengepreßt
wird; diese Mutter ist auf einem am Stöpsel 6 vorgesehenen Gewinde aufgeschraubt.
Der Tiegel 1 wird von außen durch eine Heizspule 13 erwärmt, die durch Induktion wirkt.
Bei der in der Fig. 2 dargestellten Vorrichtung ist wiederum der Tiegel 1 und die Quarzröhre 4
vorgesehen, doch ist die Röhre 4 in ihrem Oberteil verschlossen, so daß der Stöpsel 7 usw. entfällt. An
die Röhre 4 ist wiederum der Stutzen 5 angeschlossen, der zur Luftpumpe führt; ferner ist auch die
Heizspule, der untere Verschlußstöpsel 6 sowie das Thermoelement 2 vorhanden.
Bei dieser Ausführungsart kommt jedoch die Düse 14, durch die der Gasstrom eingeleitet wird,
von unten an und kann beispielsweise aus Steatit bestehen und in den Tiegelboden durch Kapillaröffnungen
15 einmünden, deren Abmessungen so sind, daß infolge der Oberflächenspannung der 12g
Germaniumschmelze das flüssige Metall durch
diese Öffnungen nicht entweichen kann. Die besagten Kanäle können in einem Graphitstöpsel 15
vorgesehen sein. Die vorbeschriebene Einrichtung verhindert jede Berührung der Schmelzmasse mit
sämtlichen unerwünschten Fremdkörpern.
Zur Gewinnung des durch den neutralen Gasstrom behandelten Germaniums genügt eine einfache
Wendung des Gerätes, wobei das geschmolzene Metall in eine Gießform 16 fließt, die im Oberteil
der Röhre 4 auf jede geeignete Art befestigt sein kann. Die genannte Form ist in der Abb. 2 dargestellt
und gestattet, das Germanium in Gestalt eines kleinen Ingots zu gewinnen.
Die Fig. 3 veranschaulicht eine weitere Ausführungsform,
mit der das Germanium in Gestalt kleiner Stängelchen gegossen werden kann. In
dieser Abbildung ist weder die Quarzröhre 4 noch die Heizspule 13 dargestellt, die ebenso gestaltet
sind, wie die in den Abb. 1 und 2 dargestellten.
Bei dieser Ausführungsform ist der Graphittiegel ι mit einer mehrteiligen Gießform 17 verbunden,
die unterhalb desselben angeordnet ist und deren Inneres mit dem Tiegelinneren durch den Kanal
18 in Verbindung steht. Gegebenenfalls kann in diesem Kanal ein entfernbarer Stöpsel untergebracht
werden, in dem Löcher vorgesehen sind, die während der Schmelze offenstehen. Der Unterteil
der Gießform 17 wird durch einen Stöpsel 19 abgeschlossen, durch welchen Kapillarkanäle 20
hindurchführen; der von der Düse2'i ankommende
Gasstrom dringt hierdurch in das Innere der Gießform 17 ein, die oberhalb der genannten Düse 21
angebracht ist.
Mehrere in den Abbildungen aus Gründen ihrer kleinen Abmessungen nicht dargestellte Öffnungen
verbinden die Düse 21 mit der Bohrung 20, die in den Unterteil der Gießform 17 führt.
Die geometrische Form eines Bleistiftminen ähnelnden langen Zylinders oder Parallelepipeds,
in welcher die Germaniumstängelchen hierbei gewonnen werden, ist sehr vorteilhaft für" die Vornahme
elektrischer Leitungsmessungen und für Messungen des Halleffektes. Sie gestattet überdies
die sehr einfache Herstellung überaus dünner Oberflächen, die wegen der Härte des Germaniums durch
andere -Mittel nur auf äußerst umständliche Art zu erhalten sind.
Bei allen beschriebenen Ausführungsformen wird der Gasstrom durch die Germainiumschmelze bei
einer Temperatur durchgeblasen, die ein wenig unterhalb der Schmelztemperatur des Metalls liegt,
wenn also das Germanium infolge der ■Erstarrungsträgheit noch nicht in festen Aggregatzustand
übergegangen ist. Dazu ist es beispielsweise möglich, die zum Schmelzen dienende Heizwicklung 13
langsam anzuheben und den Gasstrom in dem Augenblick einzuleiten, wenn die Schmelze sich abzukühlen
beginnt.
Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren können nicht nur Germaniumkristalle mit asymmetrischer
Leitfähigkeit für Dioden, sondern auch sonstige Germaniumkristalle hergestellt werden, mit denen
beispielsweise Geräte mit Wirkungen elektronischer Relais gebaut werden können.
Claims (1)
- PATENTANSPRUCH:Verfahren zur Aufbereitung von Germanium zwecks Nutzbarmachung seiner Halbleitereigen'schaften sowie zwecks Beeinflussung seiner sonstigen elektrischen Eigenschaften, bei dem durch die Germaniumschmelze ein Strom eines neutralen oder im wesentlichen neutralen Gases ' hindurchgeleitet wird, dadurch gekennzeichnet, daß der Gasstrom während der Abkühlung der Germaniumschmeke in dem Augenblick hindurchgeblasen oder sonstwie mit ihr in Berührung gebracht wird, in dem die Temperatur des Germaniums sich etwas unter seiner Schmelztemperatur befindet und in dem die Germaniumschmeke sich im unterkühlten Zustand befindet.Angezogene Druckschriften:Torrey-Whitmer, Crystall-rectifiers, 1948, S. 65, 305, 364 bis 368;Zeitschrift für Naturforschung, Bd. 3 a, 1948, Heft i, S. 20ff.Hierzu 1 Blatt Zeichnungen© 509 608 12.55
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DE1219233B (de) * | 1955-04-18 | 1966-06-16 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen von zur Verwendung in Halbleiteranordnungen bestimmtem Germanium oder Silizium mit einer definiert eingestellten Diffusionslaenge der Ladungstraeger |
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