CH282856A - Procédé de traitement du germanium, destiné à lui conférer des propriétés semi-conductrices bien déterminées. - Google Patents

Procédé de traitement du germanium, destiné à lui conférer des propriétés semi-conductrices bien déterminées.

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CH282856A
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE1219233B (de) * 1955-04-18 1966-06-16 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen von zur Verwendung in Halbleiteranordnungen bestimmtem Germanium oder Silizium mit einer definiert eingestellten Diffusionslaenge der Ladungstraeger
DE1084840B (de) * 1957-01-23 1960-07-07 Intermetall Verfahren zur Herstellung von kugelfoermigen Halbleiterkoerpern aus Silizium von Halbleiteranordnungen, z. B. Spitzen-Gleichrichtern oder Spitzen-Transistoren

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE1291322B (de) * 1954-03-16 1969-03-27 Siemens Ag Verfahren zum Ziehen eines Zonen unterschiedlicher Dotierung aufweisenden Halbleiterkristalls
DE1187803B (de) * 1959-01-23 1965-02-25 Philips Nv Verfahren zum Reinigen von Germanium

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