DE1187803B - Verfahren zum Reinigen von Germanium - Google Patents

Verfahren zum Reinigen von Germanium

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DE1187803B
DE1187803B DEN17775A DEN0017775A DE1187803B DE 1187803 B DE1187803 B DE 1187803B DE N17775 A DEN17775 A DE N17775A DE N0017775 A DEN0017775 A DE N0017775A DE 1187803 B DE1187803 B DE 1187803B
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DE
Germany
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germanium
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magnesium
molten
melting
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Application number
DEN17775A
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English (en)
Inventor
Jan Bloem
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Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND DEUTSCHES mfiWSsSSl· PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. CL:
C22b
Deutsche Kl.: 40 a-41/00
Nummer:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:
N17775VI a/40 a
19. Januar 1960 25. Februar 1965
Üblicherweise wird zum Reinigen von Germanium durch einen stabförmigen Körper des Germaniums mindestens eine Schmelzzone in der Längsrichtung verschoben, wobei das Material in Richtung der Verschiebung abschmilzt und auf der anderen Seite der Zone auskristallisiert. Die meisten Verunreinigungen bleiben in der Schmelze zurück; sie werden gleichsam von der Schmelzzone mitgeführt und am Ende des stabförmigen Körpers konzentriert.
Es gibt aber Verunreinigungen, nachstehend als nicht segregierbare Verunreinigungen bezeichnet, die während des Zonenschmelzverfahrens mehr oder weniger gleichmäßig über flüssiges und festes Germanium verteilt bleiben, wodurch es nicht ohne weiteres möglich ist, das Germanium mittels eines Zonenschmelzverfahrens von diesen Elementen zu reinigen.
Es ist bekannt, nicht segregierbare Verunreinigungen dadurch aus dem Germanium zu beseitigen, daß dem Germanium ein Element zugesetzt wird, das mit einer solchen Verunreinigung eine segregierbare Verbindung bilden kann und das Germanium dann einem Zonenschmelzverfahren zu unterwerfen.
Zum Beseitigen des normalerweise in Germanium vorhandenen Sauerstoffes, der gleichfalls als eine unerwünschte, nicht segregierbare Verunreinigung zu betrachten ist, bereitet die Anwendung dieses Verfahrens Schwierigkeiten. Sogar der Zusatz stark reduzierender Elemente ergab keine zureichende Lösung. Die meisten der gebildeten Oxyde bilden nämlich Einschlüsse im festen Germanium, die die Eigenschaften dieses Materials beeinträchtigen. Diese Oxyde der meisten als Zusätze in Betracht kommenden Elemente weisen ein spezifisches Gewicht auf, das sich wenig von dem geschmolzenen Germanium unterscheidet, so daß während des Zonenschmelzverfahrens Teilchen dieser Oxyde, auch durch das Auftreten von Konvektionsströmen in der geschmolzenen Zone, in dieser Zone schweben bleiben und vom auskristallisierenden Germanium eingeschlossen werden.
Die Erfindung beruht auf dem Gedanken, daß bei einem Verfahren zum Reinigen von Germanium, insbesondere von Sauerstoff, durch Zusatz von wenigstens einem Verunreinigungen bindenden Stoff, der leicht von Germanium trennbar ist, zu einer Schmelze aus Germanium und anschließendes Zonenschmelzen, insbesondere Sauerstoff, aus dem Germanium entfernt werden kann, indem gemäß der Erfindung vor der Verschiebung mindestens einer geschmolzenen Zone dem Germanium mindestens ein Element zugesetzt wird, das eine größere Affinität für Sauerstoff hat als
Verfahren zum Reinigen von Germanium
Anmelder:
N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken,
Eindhoven (Niederlande)
Vertreter:
Dr. P. Roßbach, Patentanwalt,
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7
Als Erfinder benannt:
Jan Bloem, Nijmegen (Niederlande)
Beanspruchte Priorität:
Niederlande vom 23. Januar 1959 (235410) --
so Germanium, ein Oxyd mit einem spezifischen Gewicht bilden kann, das sich um mindestens 25% von dem des geschmolzenen Germaniums unterscheidet und eine so niedrige Segregationskonstante hat, daß das Germanium mittels des Zonenschmelzens leicht wieder vom zugesetzten Element gereinigt werden kann. Oxyde können sich kaum in Germanium lösen. Wenn das spezifische Gewicht des Oxyds sich genügend von dem des geschmolzenen Germaniums unterscheidet, wird alsdann dieses Oxyd sich leicht an der Schmelzoberfläche abscheiden. Es wurde nun gefunden, daß Magnesium, Beryllium und Titan den obengenannten Forderungen entsprechen.
Erfindungsgemäß ist ein Verfahren zum Reinigen von Germanium durch Zonenschmelzen unter Zusatz wenigstens eines Verunreinigungen bindenden Stoffes, der durch Zonenschmelzen leicht von Germanium trennbar ist, zur Germaniumschmelze dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Verschieben mindestens einer geschmolzenen Zone dem Germanium mindestens eines der Elemente Magnesium, Beryllium oder Titan zugesetzt wird.
Magnesium hat im Germanium eine Segregationskonstante in der Größenordnung von 10~5, das Oxyd hat ein spezifisches Gewicht von 3,7. Berylliumoxyd hat ein spezifisches Gewicht von 3,0, und Titanoxyd kann in mehreren Formen mit spezifischen Gewichten von etwa 4 vorkommen.
Nach Zusatz von wenigstens einem der erwähnten Elemente genügen bereits zwei durch das Germanium gezogene Schmelzzonen, um einen merklichen Einfluß des betreffenden Elementes auf die Eigenschaften des Germaniums auszuschalten. Obgleich bei
509 510/319
Verwendung von Magnesium theoretisch eine sehr kleine Magnesiummenge, z. B. 10~3 Atomprozent, in der geschmolzenen Zone genügen würde, um den Sauerstoff im Germanium zu binden, findet in der Praxis vorzugsweise eine größere Menge Verwendung, und zwar mindestens 0,1 Atomprozent, um eine rasche und vollständige Bindung des Sauerstoffes zu gewährleisten. Vorzugsweise wird vor der Verschiebung der Schmelzzone in dieser eine Menge von höchstens 5 Atomprozent Magnesium gelöst.
Beim Zusatz größerer Magnesiummengen besteht die Gefahr, daß ein erheblicher Teil des Magnesiums verdampfen und hinter der Schmelzzone wieder kondensieren würde, wodurch bei einer folgenden Zone die Konzentration in dieser Zone zu sehr steigen würde.
Beispiel
In einen langgestreckten Tiegel 1 (s. Zeichnung) aus Graphit, der innen eine Länge von 300 mm, eine ao Breite von 20 mm und eine Höhe 25 mm hat, wird ein Germaniumstab 2 der gleichen Länge und mit einem Querschnitt von 40 mm2 eingebracht.
Auf dem linken Ende des Stabes 2 wird eine Kugel 3 mit einem Gewicht von 0,3 g angeordnet, die aus einer Legierung von 60 Atomprozent Germanium und 40 Atomprozent Magnesium besteht.
Dann wird der Tiegel 1 in einem waagerechten Quarzrohr 4 angeordnet, wonach ein Strom reinen trocknen Wasserstoffgases, das keinen Sauerstoff oder Stickstoff enthält, durch das Rohr 4 hindurchgeleitet wird.
Mittels einer Hochfrequenzinduktionsspule 5, die in bezug auf den Tiegel 1 mit einer Geschwindigkeit von 2 mm/Minute nach rechts bewegt wird, wird eine Schmelzzone durch den Stab 2 hindurchgezogen, welche eine Länge von 20 mm hat und in welcher sich das Magnesium löst, wobei sie einen Magnesiumgehalt von etwa 1 Atomprozent erhält.
Beim Hindurchziehen der Schmelzzone durch den Stab bindet das Magnesium den im Stab vorhandenen Sauerstoff völlig, wobei sich auf dem Stab 2 eine Magnesiumoxydschicht bildet.
Danach wird das Zonenschmelzen noch einmal wiederholt, um die letzten Magnesiumspuren aus dem Germanium zu beseitigen. Der zuletzt erstarrte Teil (in der Zeichnung rechts) wird 40 mm lang abgesägt. In diesem Teil befindet sich der größere Teil des Magnesiums.
Dann wird der erhaltene Körper mit einer wässerigen Lösung von HF und HNO3 geätzt, wobei die Magnesiumoxydschicht ganz beseitigt wird.
Beim Verschieben einer zweiten Schmelzzone können in üblicher Weise dem Germanium Störstoffe zugesetzt werden, um dem Germanium einen gewünschten Leitungstyp und eine spezifische Leitfähigkeit zu erteilen. Außerdem kann man dabei mittels eines Keimkristalls einen monokristallinischen Stab erhalten.

Claims (3)

Patentansprüche:
1. Verfahren zum Reinigen von Germanium durch Zonenschmelzen unter Zusatz wenigstens eines Verunreinigungen bindenden Stoffes, der durch Zonenschmelzen leicht von Germanium trennbar ist, zur Germaniumschmelze, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Verschieben mindestens einer geschmolzenen Zone dem Germanium mindestens eines der Elemente Magnesium, Beryllium oder Titan zugesetzt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß nach dem Zusetzen des Elementes zwei geschmolzene Zonen durch das Germanium verschoben werden.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Verschieben der geschmolzenen Zone in dieser Zone eine Magnesiummenge gelöst wird, die mindestens 0,1 Atomprozent und höchstens 5 Atomprozent der Menge des geschmolzenen Germaniums in der Zone beträgt.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Österreichische Patentschrift Nr. 189 229;
schweizerische Patentschrift Nr. 282 856.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
509 510ß19 2.65 © Bundesdruckerei Berlin
DEN17775A 1959-01-23 1960-01-19 Verfahren zum Reinigen von Germanium Pending DE1187803B (de)

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NL235410 1959-01-23

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