DE905647C - Gehaeuse fuer Kristalldiode - Google Patents

Gehaeuse fuer Kristalldiode

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Publication number
DE905647C
DE905647C DENDAT905647D DE905647DA DE905647C DE 905647 C DE905647 C DE 905647C DE NDAT905647 D DENDAT905647 D DE NDAT905647D DE 905647D A DE905647D A DE 905647DA DE 905647 C DE905647 C DE 905647C
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DE
Germany
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tube
metal
housing
housing according
metal tube
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Expired
Application number
DENDAT905647D
Other languages
English (en)
Inventor
Dr Phil Enno Arends
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Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Original Assignee
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
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Publication date
Application granted granted Critical
Publication of DE905647C publication Critical patent/DE905647C/de
Expired legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • H01L23/04Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/041Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction having no base used as a mounting for the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

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Description

  • Gehäuse für Kristalldiode Bei den bisher üblichen Gehäusen für Kristalldioden, die Bauteile aus Glas aufweisen, besteht die Schwierigkeit, entweder die Zuleitungen direkt in den Glaskörper einzuschmelzen, was bei der kleinen Dimensionierung der Glaskörper leicht zur vollständigen Erweichung derselben führt und darüber hinaus den elektrischen Eigenschaften der Diode unzuträglich ist, oder soweit es sich um Röhrchen handelt, an die bereits metallische Durchführungen angeschmolzen sind, sind diese zwischen Glas und Metall wenig haltbar, da die Berührungsflächen sehr klein gehalten werden müssen, um den unterschiedlichen Ausdehnungskoeffizienten Rechnung zu tragen. Es muß bei dieser Art von Gehäusen auf genaue Maßhaltung des Glases und der Röhrchen geachtet werden. Dadurch wird die Herstellung des Gehäuses wesentlich erschwert und verteuert. Andererseits verzichtet man ungern auf die Möglichkeit, die gekapselten Dioden während des Betriebes beobachten zu können.
  • Die Erfindung bezieht sich auf ein Gehäuse für eine Kristalldiode, das aus einem Glasröhrchen besteht, das beiderseits je mit einem Metallröhrchen verschmolzen ist und sich von den bisher bekannten dadurch unterscheidet, daß die Metallröhrchen an der Stoßstelle mit dem Glasröhrchen eine gegen die Rohrachse geneigte konische Außenfläche aufweisen. Diese konische Fläche kann entweder durch Abschrägen des Röhrchenendes erzeugt sein oder aber durch Aufweiten des Röhrchens.
  • Um eine thermische Beeinflussung des Diodenmaterials durch den Einbau zu vermeiden, ist es von Vorteil, daß die Länge jedes der angeschmolzenen Metallröhrchen gleich oder größer ist als die des Glasröhrchens. Der innere Durchmesser der Metallröhrchen ist dabei mit Vorteil so gewählt, daß die einzuschiebenden Träger für Whisker und Kristall zügig in die Metallröhrchen passen.
  • Zur Herstellung der Gehäuse erweist es sich als vorteilhaft, die drei Bauteile zum Zusammenschmelzen auf eine Stiftlehre aufzuziehen und daß das Verschmelzen der Berührungsflächen durch Erwärmung des Metalls vorgenommen wird.
  • Sehr widerstandsfähig wird das Gehäuse, wenn man zur Herstellung Material wählt, das den gleichen Ausdehnungskoeffizienten hat.
  • Die Festlegung der Träger in den Metallröhrchen erfolgt zweckmäßig an den äußeren Enden der Metallröhrchen und kann entweder mit einer Verlötung ohne Verwendung von Flußmitteln oder durch Festlegen mit Klebemitteln erfolgen, die keinerlei flüchtige Bestandteile aufweisen.
  • Die Figuren zeigen in zum Teil schematischer Darstellung Ausführungsbeispiele für Diodengehäüse gemäß der Lehre der Erfindung.
  • In Fig. I sind die beiden Metallröhrchen I mit ihren konisch abgeschrägten Flächen 3 in ein Glasröhrchen 4 eingeführt. Werden die Metallröhrchen erhitzt, so tritt an den konischen Flächen eine flächenhafte Verschmelzung der beiden Metallröhrchen mit dem Glasröhrchen ein.
  • Ein fertige Diodengehäuse zeigt die Fig. 2, wobei die Röhrchen mittels Aufweiten diese konische Form erhalten haben.
  • Die Figur deutet an, wie die flächenhaften Verschmelzungen 2 das Glasröhrchen 4 mit dem Metallröhrchen I verbinden.
  • Bei der Wahl der Materialien kann es auch von Vorteil sein, ein Glas zu wählen, dessen Ausdehnungskoeffizient kleiner ist als der des Metalls, so daß eine Art Aufschrumpfprozeß bei der Herstellung eintritt. Als Metall eignet sich besonders eine Legierung aus Eisen, Kobalt und Nickel.

Claims (13)

  1. PATENTANSPRÜCHE: I. Gehäuse für Kristalldiode, bestehend aus einem Glasröhrchen, das beiderseits mit je einem Metallröhrchen verschmolzen ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallröhrchen an der Stoßstelle mit dem Glasröhrchen eine gegen die Rohrachse geneigte konische Außenfläche aufweisen.
  2. 2. Gehäuse nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß die konische Fläche durch Abschrägen des Röhrchenendes erzeugt ist.
  3. 3. Gehäuse nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß die konische Fläche durch Aufweiten des Röhrchenendes erzeugt ist.
  4. 4. Gehäuse nach Anspruch I oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß die Länge der eingeschmolzenen Metallröhrchen gleich oder größer ist als die des Glasröhrchens.
  5. 5. Gehäuse nach Anspruch I oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß der innere Durchmesser der Metallröhrchen so gewählt ist, daß die einzuschiebenden Träger für Whisker und Kristall zügig in die Metallröhrchen passen.
  6. 6. Verfahren zum Herstellen eines Gehäuses nach Anspruch I bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die drei Bauteile zum Zusammenschmelzen auf eine Stiftlehre aufgeschaben werden.
  7. 7. Verfahren zum Herstellen eines Gehäuses nach Anspruch I bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Verschmelzen der Berührungssteilen durch Erwärmung des Metalls vorgenommen wird.
  8. 8. Verfahren nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß die verwendeten Materialien den gleichen Ausdehnungskoeffizienten haben.
  9. 9. Verfahren nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Ausdehnungskoeffizient des Glases kleiner als der des Metalls ist. Io.
  10. Verfahren nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß als Metalle eine Legierung aus Eisen, Kobalt und Nickel verwendet wird.
  11. II. Verfahren nach Anspruch 6 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß die Festlegung der Träger und der Metallröhrchen an den äußeren Enden der Metallröhrchen erfolgt.
  12. 12. Verfahren nach Anspruch i i, dadurch ge- kennzeichnet, daß die Festlegung in Form einer Verlötung ohne Verwendung von Flußmitteln erfolgt.
  13. 13. Verfahren nach Anspruch i i, dadurch gekennzeichnet, daß die Festlegung mit Klebemitteln erfolgt, die keinerlei flüchtige Bestandteile aufweisen.
DENDAT905647D 1952-06-20 Gehaeuse fuer Kristalldiode Expired DE905647C (de)

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DENDAT905647D Expired DE905647C (de) 1952-06-20 Gehaeuse fuer Kristalldiode

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DE (1) DE905647C (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1246883B (de) * 1957-09-23 1967-08-10 Philips Nv Halbleitendes Sperrschichtsystem, insbesondere Transistor oder Kristalldiode, in einer vakuumdichten Huelle und Verfahren zu seiner Herstellung

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1246883B (de) * 1957-09-23 1967-08-10 Philips Nv Halbleitendes Sperrschichtsystem, insbesondere Transistor oder Kristalldiode, in einer vakuumdichten Huelle und Verfahren zu seiner Herstellung

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